JPH0783081B2 - 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 - Google Patents
半導体装置に用いるリードフレームの製造方法Info
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- JPH0783081B2 JPH0783081B2 JP1031733A JP3173389A JPH0783081B2 JP H0783081 B2 JPH0783081 B2 JP H0783081B2 JP 1031733 A JP1031733 A JP 1031733A JP 3173389 A JP3173389 A JP 3173389A JP H0783081 B2 JPH0783081 B2 JP H0783081B2
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- Japan
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- stage
- lead
- lead frame
- etching
- inner lead
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置に用いるリードフレームの製造方
法に係り、特にエッチング法によってハーフエッチング
の分離溝をリードフレームのインナーリードに形成して
ワイボンディングエリアとステージとに容易に分離でき
るようにしたリードフレームの製造方法に関する。
法に係り、特にエッチング法によってハーフエッチング
の分離溝をリードフレームのインナーリードに形成して
ワイボンディングエリアとステージとに容易に分離でき
るようにしたリードフレームの製造方法に関する。
半導体装置は、外部に接続する回路パターンを形成した
リードフレームを半導体素子と共に樹脂封止した構成が
従来から採用されている。この半導体装置に用いるリー
ドフレームは、プレス打ち抜き加工またはエッチング加
工法によって金属薄板を予めワイヤボンディングエリア
と半導体装置を搭載するステージとに分離した回路パタ
ーンとして製造されている。
リードフレームを半導体素子と共に樹脂封止した構成が
従来から採用されている。この半導体装置に用いるリー
ドフレームは、プレス打ち抜き加工またはエッチング加
工法によって金属薄板を予めワイヤボンディングエリア
と半導体装置を搭載するステージとに分離した回路パタ
ーンとして製造されている。
近年、半導体集積回路技術の進歩によって、回路素子が
ますます高度化して形成されるようになり、これに応じ
てリードフレームのリードピン数も増加の傾向にあり、
同時に半導体素子の寸法も大きくなっている。
ますます高度化して形成されるようになり、これに応じ
てリードフレームのリードピン数も増加の傾向にあり、
同時に半導体素子の寸法も大きくなっている。
しかしながら、半導体パッケージの寸法は規格化されて
いるので、パッケージの幅は一定範囲内に納めることが
要求される。このため、リードピン数が増加するとこれ
に伴ってリードピンどうしの間隔及びピン幅も必然的に
小さくしなければならない。また、半導体素子の寸法が
大型化されると、半導体素子のステージも大きくなる。
いるので、パッケージの幅は一定範囲内に納めることが
要求される。このため、リードピン数が増加するとこれ
に伴ってリードピンどうしの間隔及びピン幅も必然的に
小さくしなければならない。また、半導体素子の寸法が
大型化されると、半導体素子のステージも大きくなる。
このようにリードピン数が増えると、ワイヤボンディン
グエリアとステージとを予め分離した成形パターンによ
るとき、リードフレームは複数の工程を経て製造される
ので、外力によってインナーリードに捩じれ，曲げ等の
変形や傷が生じやすく品質不良の原因となっていた。こ
れに対し、例えば特開昭54−61874号公報及び特開昭61
−216354号公報に開示されているように、ワイヤボンデ
ィングエリアとステージとを一体化して各種工程を施し
た後に分離する方法が現在では採用されている。
グエリアとステージとを予め分離した成形パターンによ
るとき、リードフレームは複数の工程を経て製造される
ので、外力によってインナーリードに捩じれ，曲げ等の
変形や傷が生じやすく品質不良の原因となっていた。こ
れに対し、例えば特開昭54−61874号公報及び特開昭61
−216354号公報に開示されているように、ワイヤボンデ
ィングエリアとステージとを一体化して各種工程を施し
た後に分離する方法が現在では採用されている。
ところが、前者の方法は、プレス加工によって接続位置
にＶノッチの切れ込みをいれたものであり、この方法で
はリード先端に加工歪が発生したり、潰れた肉が周辺に
押しやられることによって膨れが生じ、リードが伸延し
てリード先端に浮きや沈み及び偏り等が発生する。この
ため、厚み方向の平坦度が悪化したり、Ｖノッチの深さ
が安定しない難点があった。
にＶノッチの切れ込みをいれたものであり、この方法で
はリード先端に加工歪が発生したり、潰れた肉が周辺に
押しやられることによって膨れが生じ、リードが伸延し
てリード先端に浮きや沈み及び偏り等が発生する。この
ため、厚み方向の平坦度が悪化したり、Ｖノッチの深さ
が安定しない難点があった。
また、後者のものは、エッチング方法によるもので、リ
ードフレームの所要部分をマスキングした後エッチング
加工で分離除去するものである。しかし、ワイヤボンデ
ィング等をマスキングしてエッチングするため、ワイヤ
ボンディングエリアのメッキ部分の剥離，ピンホールの
不具合を生じるほか、コスト面でも不利である。
ードフレームの所要部分をマスキングした後エッチング
加工で分離除去するものである。しかし、ワイヤボンデ
ィング等をマスキングしてエッチングするため、ワイヤ
ボンディングエリアのメッキ部分の剥離，ピンホールの
不具合を生じるほか、コスト面でも不利である。
そこで、本発明は、インナーリード面のワイヤボンディ
ングエリアとステージとをエッチング処理した溝を利用
して簡単に分離できる高品質のリードフレームの製造方
法を提供することを目的とする。
ングエリアとステージとをエッチング処理した溝を利用
して簡単に分離できる高品質のリードフレームの製造方
法を提供することを目的とする。
本発明の半導体装置に用いるリードフレームの製造方法
は、半導体素子を搭載するステージに向かって配列され
たインナーリードの先端を該ステージの外縁に連結して
一体化したリードフレームのエッチング方法による製造
法であって、エッチング用ガラスマスクパターンを形成
するアートワーク工程でワイヤボンディングエリアと前
記ステージとに分離する分離溝を該ガラスマスクパター
ンの前記インナーリード上に形成し、その後焼付け・現
像工程と不要部を除去するエッチング工程を施し、前記
インナーリードの表面に分離溝を形成し、前記ステージ
に連結されたサポートバーの押し曲げを行なって、ステ
ージを下方へ変位させるとともに、前記分離溝に沿っ
て、インナーリード先端とステージとを分離することを
特徴とする。
は、半導体素子を搭載するステージに向かって配列され
たインナーリードの先端を該ステージの外縁に連結して
一体化したリードフレームのエッチング方法による製造
法であって、エッチング用ガラスマスクパターンを形成
するアートワーク工程でワイヤボンディングエリアと前
記ステージとに分離する分離溝を該ガラスマスクパター
ンの前記インナーリード上に形成し、その後焼付け・現
像工程と不要部を除去するエッチング工程を施し、前記
インナーリードの表面に分離溝を形成し、前記ステージ
に連結されたサポートバーの押し曲げを行なって、ステ
ージを下方へ変位させるとともに、前記分離溝に沿っ
て、インナーリード先端とステージとを分離することを
特徴とする。
以下、図面に示す実施例により本発明の特徴を具体的に
説明する。
説明する。
第１図は本発明によって製造されるリードフレーム構造
の要部を示す平面図であり、第５図にリードフレームの
全体平面図を示す。
の要部を示す平面図であり、第５図にリードフレームの
全体平面図を示す。
リードフレームＡは、第５図に示すように外枠20の中央
に半導体素子を搭載するステージ１を形成し、外側にア
ウターリード21及び内側にインナーリード２をそれぞれ
設けている。また、アウターリード21とインナーリード
２との間にはタイバー22が形成され、外枠20とステージ
１との間にサポートリード３を設けている。
に半導体素子を搭載するステージ１を形成し、外側にア
ウターリード21及び内側にインナーリード２をそれぞれ
設けている。また、アウターリード21とインナーリード
２との間にはタイバー22が形成され、外枠20とステージ
１との間にサポートリード３を設けている。
リードフレームＡは従来の製造方法と同様に金属薄板を
素材として、リードフレームＡのガラスマスクパターン
を形成するアートワーク工程，素材の両面にマスクパタ
ーンに形成する焼付け及び現像工程及びマスクパターン
の不要部を除去するエッチング工程によって成形され
る。
素材として、リードフレームＡのガラスマスクパターン
を形成するアートワーク工程，素材の両面にマスクパタ
ーンに形成する焼付け及び現像工程及びマスクパターン
の不要部を除去するエッチング工程によって成形され
る。
アートワーク工程では、第５図の一点鎖線で示す四角形
の線Ｌ上に対応するように、分離パターンを上１枚又は
上下２枚のガラスマスクパターンに形成しておく。四角
形の線Ｌはインナーリード２の表面又は表裏両面を走
り、且つその位置はステージ１の外縁から離れ後述する
ワイヤボンディングエリアの内側に沿うものとする。そ
して、サポートリード３にはこの線Ｌは通過させず、イ
ンナーリード２のみに対応させるものとする。
の線Ｌ上に対応するように、分離パターンを上１枚又は
上下２枚のガラスマスクパターンに形成しておく。四角
形の線Ｌはインナーリード２の表面又は表裏両面を走
り、且つその位置はステージ１の外縁から離れ後述する
ワイヤボンディングエリアの内側に沿うものとする。そ
して、サポートリード３にはこの線Ｌは通過させず、イ
ンナーリード２のみに対応させるものとする。
このような線Ｌに対応する分離パターンを上下２枚のガ
ラスマスクパターンに形成しておくと、リードフレーム
Ａには、第４図に示すようにハーフエッチング溝４が上
下面に形成される。このための製造過程は、まず感光液
を塗布して乾燥したFe−Ni合金の薄板の上下面にガラス
マスクパターンを密着させ、焼付けした後現像する。次
いで、リードフレームＡのレジストパターンを形成した
後、エッチング液（60C 塩化第２鉄）を吹き付ける。
このエッチング液によるエッチング処理により、第５図
の各リードのパターンの形成と同時に、ハーフエッチン
グ溝４がリードフレームＡの上下面に形成される。そし
て、このハーフエッチング溝４はワイヤボンディングエ
リア５の内側に沿って走るものとして成形され、樹脂封
止前の製品が得られる。
ラスマスクパターンに形成しておくと、リードフレーム
Ａには、第４図に示すようにハーフエッチング溝４が上
下面に形成される。このための製造過程は、まず感光液
を塗布して乾燥したFe−Ni合金の薄板の上下面にガラス
マスクパターンを密着させ、焼付けした後現像する。次
いで、リードフレームＡのレジストパターンを形成した
後、エッチング液（60C 塩化第２鉄）を吹き付ける。
このエッチング液によるエッチング処理により、第５図
の各リードのパターンの形成と同時に、ハーフエッチン
グ溝４がリードフレームＡの上下面に形成される。そし
て、このハーフエッチング溝４はワイヤボンディングエ
リア５の内側に沿って走るものとして成形され、樹脂封
止前の製品が得られる。
第１図に示したものは、リードフレームＡの上面のみに
ハーフエッチング溝４を成形したものである。ハーフエ
ッチング溝４は、第４図の場合と同様にワイヤボンディ
ングエリア５の内側に位置すると共に、ステージ１の外
縁1aから離れた位置に形成されている。
ハーフエッチング溝４を成形したものである。ハーフエ
ッチング溝４は、第４図の場合と同様にワイヤボンディ
ングエリア５の内側に位置すると共に、ステージ１の外
縁1aから離れた位置に形成されている。
ハーフエッチング溝４をリードフレームＡのインナーリ
ード２に形成した後、インナーリード２をステージ１か
ら分離する工程に移る。この工程では、まずワイヤボン
ディングエリア５にスポットめっき装置を用いて部分め
っきを施し、更にワイヤボンディングエリア５の近傍に
おいてインナーリード２を固定する絶縁性熱硬化樹脂を
リング状に注入する。そして、サポートリード３部分を
折り曲げてステージ１をディプレスすると、第３図のよ
うにハーフエッチング溝４は折れ、インナーリード２と
ステージ１とに分離される。
ード２に形成した後、インナーリード２をステージ１か
ら分離する工程に移る。この工程では、まずワイヤボン
ディングエリア５にスポットめっき装置を用いて部分め
っきを施し、更にワイヤボンディングエリア５の近傍に
おいてインナーリード２を固定する絶縁性熱硬化樹脂を
リング状に注入する。そして、サポートリード３部分を
折り曲げてステージ１をディプレスすると、第３図のよ
うにハーフエッチング溝４は折れ、インナーリード２と
ステージ１とに分離される。
この分離工程の後、ワイヤボンディングエリア５には、
ステージ１の上に樹脂テープ6aを介して接着した半導体
素子６との間のワイヤ７が接続される。したがって、各
インナーリード２は半導体素子６の各電極に接続され、
回路パターンを通して各インナーリード２に電気信号を
流すと、この信号が各ワイヤ７から各電極へ伝わって半
導体素子６を作動させることができる。そして、最終段
階で、アウターリード21を除いて樹脂封止体８によって
封止される。
ステージ１の上に樹脂テープ6aを介して接着した半導体
素子６との間のワイヤ７が接続される。したがって、各
インナーリード２は半導体素子６の各電極に接続され、
回路パターンを通して各インナーリード２に電気信号を
流すと、この信号が各ワイヤ７から各電極へ伝わって半
導体素子６を作動させることができる。そして、最終段
階で、アウターリード21を除いて樹脂封止体８によって
封止される。
このように、各種工程を施した後インナーリード２をス
テージ１から分離するので、従来のようにリードフレー
ムＡのパターン成形時にインナーリード２を分離してい
る場合に比べて、製造時の曲げや捩じれの影響を受ける
ことがない。このため、インナーリード２の幅が狭くて
も良好な加工が可能となり、その結果インナーリード２
の本数を増やすことができる。したがって、半導体素子
６の高集積化に対しても、多ピン化が可能となるので十
分に対応できるものとなる。
テージ１から分離するので、従来のようにリードフレー
ムＡのパターン成形時にインナーリード２を分離してい
る場合に比べて、製造時の曲げや捩じれの影響を受ける
ことがない。このため、インナーリード２の幅が狭くて
も良好な加工が可能となり、その結果インナーリード２
の本数を増やすことができる。したがって、半導体素子
６の高集積化に対しても、多ピン化が可能となるので十
分に対応できるものとなる。
また、第４図のようにリードフレームＡの上下面にハー
フエッチング溝４を設ける場合では、上面のみに形成す
るのに比べて緩やかなディスプレスで分離できる。この
ため、各インナーリード２の変形等が更に一層効果的に
防止される。
フエッチング溝４を設ける場合では、上面のみに形成す
るのに比べて緩やかなディスプレスで分離できる。この
ため、各インナーリード２の変形等が更に一層効果的に
防止される。
以上に説明したように、本発明は、各インナーリードに
対して、ワイヤボンディングエリアの内側であってステ
ージを囲む部分にハーフエッチング溝を施し、諸工程を
施した後にこのハーフエッチング溝部分の剪断によって
インナーリードとステージとを分離するようにしてい
る。このため、予めインナーリードをステージから分離
したパターンとして成形するのに比べ、インナーリード
は捩じれや曲げの影響を受ける度合が少ない。したがっ
て、各インナーリードの幅が小さくても捩じれや曲げの
ない成形が行え、インナーリードの数を増やすことがで
きる。その結果半導体素子の高集積化にも対応でき、実
装密度の向上が可能となる。更に、ピン数が同一で半導
体素子の寸法が大きくなった場合でも、ガラスマスクパ
ターンの分離溝位置を変えることによって簡単に対応で
きる利点もある。
対して、ワイヤボンディングエリアの内側であってステ
ージを囲む部分にハーフエッチング溝を施し、諸工程を
施した後にこのハーフエッチング溝部分の剪断によって
インナーリードとステージとを分離するようにしてい
る。このため、予めインナーリードをステージから分離
したパターンとして成形するのに比べ、インナーリード
は捩じれや曲げの影響を受ける度合が少ない。したがっ
て、各インナーリードの幅が小さくても捩じれや曲げの
ない成形が行え、インナーリードの数を増やすことがで
きる。その結果半導体素子の高集積化にも対応でき、実
装密度の向上が可能となる。更に、ピン数が同一で半導
体素子の寸法が大きくなった場合でも、ガラスマスクパ
ターンの分離溝位置を変えることによって簡単に対応で
きる利点もある。
第１図は本発明によって製造されるリードフレームの要
部を示す平面図、第２図は第１図のＩ−Ｉ線矢視断面
図、第３図は樹脂封止後のステージとインナーリードの
分離を示す概略縦断面図、第４図はリードフレームの上
下面にハーフエッチング溝を形成した場合の断面図、第
５図はリードフレームの全体を示す平面図である。 1:ステージ、1a:外縁 2:インナーリード、3:サポートリード 4:ハーフエッチング溝 5:ワイヤボンディングエリア 6:半導体素子、6a:樹脂テープ 7:ワイヤ、8:樹脂封止体 20:外枠、21:アウターリード 22:タイバー A:リードフレーム
部を示す平面図、第２図は第１図のＩ−Ｉ線矢視断面
図、第３図は樹脂封止後のステージとインナーリードの
分離を示す概略縦断面図、第４図はリードフレームの上
下面にハーフエッチング溝を形成した場合の断面図、第
５図はリードフレームの全体を示す平面図である。 1:ステージ、1a:外縁 2:インナーリード、3:サポートリード 4:ハーフエッチング溝 5:ワイヤボンディングエリア 6:半導体素子、6a:樹脂テープ 7:ワイヤ、8:樹脂封止体 20:外枠、21:アウターリード 22:タイバー A:リードフレーム
Claims (1)
- 【請求項１】半導体素子を搭載するステージに向かって
配列されたインナーリードの先端を該ステージの外縁に
連結して一体化したリードフレームのエッチング方法に
よる製造法であって、エッチング用ガラスマスクパター
ンを形成するアートワーク工程でワイヤボンディングエ
リアと前記ステージとに分離する分離溝を該ガラスマス
クパターンの前記インナーリード上に形成し、その後焼
付け・現像工程と不要部を除去するエッチング工程を施
し、前記インナーリードの表面に分離溝を形成し、前記
ステージに連結されたサポートバーの押し曲げを行なっ
て、ステージを下方へ変位させるとともに、前記分離溝
に沿って、インナーリード先端とステージとを分離する
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031733A JPH0783081B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1031733A JPH0783081B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210854A JPH02210854A (ja) | 1990-08-22 |
| JPH0783081B2 true JPH0783081B2 (ja) | 1995-09-06 |
Family
ID=12339243
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1031733A Expired - Fee Related JPH0783081B2 (ja) | 1989-02-09 | 1989-02-09 | 半導体装置に用いるリードフレームの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0783081B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5391439A (en) * | 1990-09-27 | 1995-02-21 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Leadframe adapted to support semiconductor elements |
| US5406700A (en) * | 1990-11-20 | 1995-04-18 | Seiko Epson Corporation | Method for producing pin integrated circuit lead frame |
| JP3257904B2 (ja) * | 1994-08-11 | 2002-02-18 | 新光電気工業株式会社 | リードフレームとその製造方法 |
| KR100373138B1 (ko) * | 2001-01-06 | 2003-02-25 | 주식회사 아큐텍반도체기술 | 와이어본딩을 위한 리드프레임상의 도금부 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6024046A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-02-06 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPS61216354A (ja) * | 1985-03-20 | 1986-09-26 | Shinko Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ムの製造方法 |
| JPH02197158A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレームの製造方法 |
-
1989
- 1989-02-09 JP JP1031733A patent/JPH0783081B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02210854A (ja) | 1990-08-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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