JPH07831B2 - 銅膜の製造方法 - Google Patents
銅膜の製造方法Info
- Publication number
- JPH07831B2 JPH07831B2 JP13490086A JP13490086A JPH07831B2 JP H07831 B2 JPH07831 B2 JP H07831B2 JP 13490086 A JP13490086 A JP 13490086A JP 13490086 A JP13490086 A JP 13490086A JP H07831 B2 JPH07831 B2 JP H07831B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- alloy film
- glass substrate
- weight
- copper film
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、銅膜の製造方法に関する。
［従来の技術］ 一般にガラス基板に金属元素を真空蒸着した場合、その
接着力はAu、Ag等の酸化され難い金属では小さく、Cr、
Ni-Cr、Ti、Mn等の酸化され易い金属では大きい。銅は
これらの元素の中間の接着強度を有している。このため
ガラス基板に銅を高い強度で接着したい場合、ガラス基
板の表面に一旦接着力の大きいCr蒸着層等の下地層を形
成し、その上に銅を蒸着することが行なわれている。し
かしながら、このような方法によるものでは下地層を余
分に形成するため、生産性、経済性が悪い欠点が有る。
接着力はAu、Ag等の酸化され難い金属では小さく、Cr、
Ni-Cr、Ti、Mn等の酸化され易い金属では大きい。銅は
これらの元素の中間の接着強度を有している。このため
ガラス基板に銅を高い強度で接着したい場合、ガラス基
板の表面に一旦接着力の大きいCr蒸着層等の下地層を形
成し、その上に銅を蒸着することが行なわれている。し
かしながら、このような方法によるものでは下地層を余
分に形成するため、生産性、経済性が悪い欠点が有る。
そこで、余分な下地層を形成せずに銅蒸着層の接着強度
を高める手段として、基板温度を高くして抵抗加熱や電
子銃による銅の真空蒸着が行なわれている。
を高める手段として、基板温度を高くして抵抗加熱や電
子銃による銅の真空蒸着が行なわれている。
［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら、抵抗加熱や電子銃によって銅を蒸発させ
て真空蒸着を行なうものでは、排気ガスの流量の変化に
よって真空度が変動し、均一な膜厚の銅膜を安定して形
成することが難しい。また、基板温度を高くして蒸着を
行なうものは、基板構成物質に十分な耐熱性がない場合
は採用できない。更に、真空蒸着プロセスの観点から蒸
着の際の温度は低い方が好ましい。
て真空蒸着を行なうものでは、排気ガスの流量の変化に
よって真空度が変動し、均一な膜厚の銅膜を安定して形
成することが難しい。また、基板温度を高くして蒸着を
行なうものは、基板構成物質に十分な耐熱性がない場合
は採用できない。更に、真空蒸着プロセスの観点から蒸
着の際の温度は低い方が好ましい。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、ガラ
ス基板上に全く下地層を形成せずに、しかも、低温で銅
を十分に高い接着力の下に容易に蒸着させることができ
る銅膜の製造方法を提供するものである。
ス基板上に全く下地層を形成せずに、しかも、低温で銅
を十分に高い接着力の下に容易に蒸着させることができ
る銅膜の製造方法を提供するものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明は、被蒸着体のガラス基板に１重量％以上のAlを
含有した銅からなるターゲットを使用してスパッタリン
グによってCu-Al合金膜を形成することを特徴とするCu-
Al合金膜の製造方法である。
含有した銅からなるターゲットを使用してスパッタリン
グによってCu-Al合金膜を形成することを特徴とするCu-
Al合金膜の製造方法である。
ここで、本発明は、各種電極及び導体配線、印刷回路や
フレキシブル印刷回路の形成等に適用できるものであ
る。
フレキシブル印刷回路の形成等に適用できるものであ
る。
また、ターゲットを構成する銅中のAlの量は、１〜10重
量％の範囲に設定するのがが好ましい。Alの量を１重量
％以上とするのは、図に示す銅膜の接着強度とCu中のAl
の量との関係の特性線Ｉから明らかなように、Alの量が
１重量％を越える当りから十分な接着強度が得られるこ
とが実験的に確認されているからである。Alの量を10重
量％未満とするのは、この値を越えると銅膜としての性
質（例えば表面反射率、エッチング液に対する溶解性）
が失われるという実情を考慮したものである。かかる銅
膜の性質の変化を十分に考慮したものであれば、10重量
％以上の値であっても良いことは勿論である。
量％の範囲に設定するのがが好ましい。Alの量を１重量
％以上とするのは、図に示す銅膜の接着強度とCu中のAl
の量との関係の特性線Ｉから明らかなように、Alの量が
１重量％を越える当りから十分な接着強度が得られるこ
とが実験的に確認されているからである。Alの量を10重
量％未満とするのは、この値を越えると銅膜としての性
質（例えば表面反射率、エッチング液に対する溶解性）
が失われるという実情を考慮したものである。かかる銅
膜の性質の変化を十分に考慮したものであれば、10重量
％以上の値であっても良いことは勿論である。
［作用］ 本発明にかかるCu-Al合金膜の製造方法によれば、ガラ
ス基板に１重量％以上のAlを含有した銅からなるターゲ
ットを使用してスパッタリングによってCu-Al合金膜を
形成するので、ガラス基板上に全く下地層を形成せず
に、しかも、低温で銅を十分に高い接着力の下に容易に
蒸着させることができる。
ス基板に１重量％以上のAlを含有した銅からなるターゲ
ットを使用してスパッタリングによってCu-Al合金膜を
形成するので、ガラス基板上に全く下地層を形成せず
に、しかも、低温で銅を十分に高い接着力の下に容易に
蒸着させることができる。
［実施例］ 以下、本発明の実施例について説明する。
３インチΦ×1.6mmの高ガラス転移点ガラス（コーニン
グ社商品名、ソーダーライム7056、）からなるガラス基
板をクロム酸混合液に浸漬後、純水ですすぎ純水をしな
がらスポンジで擦って洗浄して自動乾燥した。このよう
に前処理を施したガラス基板を回転式のドーム状基板ホ
ルダを備えたスパッタ装置（CNC社商品名AST-601,DC平
板２極スパッタ装置）に設置し、通常の排気操作で８×
10-6Torrの減圧状態に設定して下記の条件でスパッタリ
ングを行ない、厚さ１μのCu-Al合金膜を形成した。
グ社商品名、ソーダーライム7056、）からなるガラス基
板をクロム酸混合液に浸漬後、純水ですすぎ純水をしな
がらスポンジで擦って洗浄して自動乾燥した。このよう
に前処理を施したガラス基板を回転式のドーム状基板ホ
ルダを備えたスパッタ装置（CNC社商品名AST-601,DC平
板２極スパッタ装置）に設置し、通常の排気操作で８×
10-6Torrの減圧状態に設定して下記の条件でスパッタリ
ングを行ない、厚さ１μのCu-Al合金膜を形成した。
このように形成したCu-Al合金膜の接着強度を調べるた
めにセロテープによる剥離テストを行ったところ、基板
温度が100℃、200℃のいずれの場合も膜剥がれを起こさ
ず十分に高い接着力を有していることが分った。
めにセロテープによる剥離テストを行ったところ、基板
温度が100℃、200℃のいずれの場合も膜剥がれを起こさ
ず十分に高い接着力を有していることが分った。
また、前述のCu-Al合金膜を5mm口の微細パターンにして
加重テストを行なったところ、第１図に示すように600
（Kg/cm2）以上の値であり極めて良好な結果であること
が分った。
加重テストを行なったところ、第１図に示すように600
（Kg/cm2）以上の値であり極めて良好な結果であること
が分った。
記 作業時の真空度 ４×10-4Torr 回転数 20/分RPM 設定温度 90℃ 10分 スパッタリング時間 30〜35分 ターゲット ８インチ×6mm ターゲット材質 Cu＋Al（１〜10％） ［発明の効果］ 以上説明した如く、本発明にかかるCu-Al合金膜の製造
方法によれば、ガラス基板上に何ら下地層を形成せず
に、しかも、低温で銅を十分に高い接着力の下に容易に
蒸着させることができるものである。
方法によれば、ガラス基板上に何ら下地層を形成せず
に、しかも、低温で銅を十分に高い接着力の下に容易に
蒸着させることができるものである。
第１図は、Cu-Al合金膜の接着強度とCu中のAlの量との
関係を示す特性図である。
関係を示す特性図である。
Claims (2)
- 【請求項１】被蒸着体のガラス基盤に１重量％以上のAl
を含有した銅からなるターゲットを使用してスパッタリ
ングによってCu-Al合金膜を形成することを特徴とするC
u-Al合金膜の製造方法。 - 【請求項２】ターゲットを構成する銅中に１〜10重量％
のAlが含有していることを特徴とする特許請求の範囲第
１項に記載のCu-Al合金膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490086A JPH07831B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 銅膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13490086A JPH07831B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 銅膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62294167A JPS62294167A (ja) | 1987-12-21 |
| JPH07831B2 true JPH07831B2 (ja) | 1995-01-11 |
Family
ID=15139145
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13490086A Expired - Lifetime JPH07831B2 (ja) | 1986-06-12 | 1986-06-12 | 銅膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07831B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2008030368A1 (en) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Tosoh Smd, Inc. | Copper sputtering target with fine grain size and high electromigration resistance and methods of making the same |
-
1986
- 1986-06-12 JP JP13490086A patent/JPH07831B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62294167A (ja) | 1987-12-21 |
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