JPH0783887A - ホーン付アコースティック・エミッション・センサ - Google Patents

ホーン付アコースティック・エミッション・センサ

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Publication number
JPH0783887A
JPH0783887A JP5231108A JP23110893A JPH0783887A JP H0783887 A JPH0783887 A JP H0783887A JP 5231108 A JP5231108 A JP 5231108A JP 23110893 A JP23110893 A JP 23110893A JP H0783887 A JPH0783887 A JP H0783887A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sensor
horn
signal
acoustic emission
signal detection
Prior art date
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Pending
Application number
JP5231108A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyosuke Yasuda
享祐 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NTT Inc
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication of JPH0783887A publication Critical patent/JPH0783887A/ja
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  • Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】微小部品や特定微小領域から発生するAE信号
を高感度にかつ能率よく測定することが可能なホーン付
AEセンサを提供する。 【構成】アコースティック・エミッション・センサ1′
の信号検出素子面1a上に、上端が先鋭状か丸味を帯び
た円錐形又は当該円錐形上端部を下底面4bに平行にカ
ットした平坦な上端面4aとする円錐台形形状のホーン
4下底面4bを取り付け、当該ホーン4の上端又は上端
面4aをアコースティック・エミッション信号微小発生
領域の信号検出端としたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、微小部品及び特定微小
領域のアコースティック・エミッション信号の測定に供
されるホーン付アコースティック・エミッション・セン
サに関する。
【0002】
【従来の技術】従来のアコースティック・エミッション
・センサ(Acoustic Emission Sensor、以下、AEセン
サとする)は、センサ本体が円筒形状(数mm径〜数c
m径)をなし、その端面がアコースティック・エミッシ
ョン信号(以下、AE信号とする)の検出面となってい
る。これは、AE信号検出対象がAEセンサ全体形状と
同等あるいはそれよりも大きいものを想定していたため
である。
【0003】ここで、従来のAEセンサの内部構造を図
面に示す。図5は、AEセンサの内部構造を示す断面図
である。図中、1はAE信号検出面1aを有するAEセ
ンサ、2はセンサ素子、3は測定信号を外部測定機器に
導出する信号線である。なお、AE信号とは、数百kH
z〜数MHzのオーダにわたる超音波信号のことであ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、AEセンサ1
の全体形状より小さい部品や特定微小領域から発生する
AE信号を検出する場合にこのような検出面1a形状の
面積の大きいセンサでは対応が困難である。すなわち、
円筒形状端面の全域がAE信号検出面1aとなっている
AEセンサ1では、特定微小領域との接触加圧がまず不
可能である。
【0005】また、微小部品の場合は、AE信号検出面
1aのどの部分に接触させるかで検出感度が極端に異な
るという問題点があった。ここにおいて本発明は、微小
部品や特定微小領域から発生するAE信号を高感度にか
つ能率よく測定することが可能なAEセンサを提供せん
とするものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、本発
明の次の新規な特徴的構成手段を採用することにより達
成される。すなわち、本発明の特徴は、アコースティッ
ク・エミッション・センサの信号検出素子面に、上端が
先鋭状か丸味を帯びた円錐形又は当該円錐形上端部を下
底に平行にカットした円錐台形形状のホーンの下底面を
取り付け、当該ホーンの上端をアコースティック・エミ
ッション信号微小発生領域の信号検出端としてなるホー
ン付アコースティック・エミッション・センサである。
【0007】
【作用】本発明のホーン付AEセンサは、上記のような
構成手段を採用するので、円錐又は円錐台形形状のホー
ンが、AEセンサの信号検出面に対して導波路の役割を
果たしているので、AE信号源の発生するある一定周波
数信号をAEセンサの信号検出面全体に同位相で伝播さ
せる。従って、微小領域に円錐又は円錐台形形状のホー
ンの上端を接触させることで、微小部品や特定微小領域
から発生するAE信号を高感度にかつ能率よく測定する
ことが可能となる。
【0008】
【実施例】本発明の実施例を図面につき説明する。図1
(a)は本実施例のAEセンサの平面図,図1(b)は
本実施例のAEセンサの正面図である。図中、αは本実
施例のAEセンサ、1′はAE信号検出面1aを有する
AEセンサ本体、4は外周面を上細テーパーとした円錐
台形ホーン、4aは円錐台形ホーン4の上端面である。
【0009】本実施例のAEセンサαにおいては、円錐
台形ホーン4の下底面4bはAEセンサ本体1′の信号
検出面1aに接着固定されている。したがって、本実施
例のAEセンサαでは、円錐台形ホーン4の上端面4a
がAE信号検出面となる。すなわち、円錐台形ホーン4
は、AEセンサ本体1′の信号検出面1a側に対するA
E信号の導波路の役割を果たす。
【0010】(実験例)従来のAEセンサ1では、AE
センサ本体1′の信号検出面1aをそのまま微小部品に
接触させ測定しなければならない。この場合、実験によ
れば、信号検出面の位置により、検出感度のばらつきが
大きいことが判明した。以下に、本実施例の有効性を示
す実験例及びその結果を示す。
【0011】図2(a)は実験に使用したAEセンサα
の模式図であり、図2(b)は実験に使用したAE信号
源である。図中、βはAE信号源、5は圧電素子、6は
板バネ、7は振動子たるルビー球、8は杆である。
【0012】実験に使用したAEセンサαは、図2
(a)に示すよう、従来のAEセンサ本体1′の信号検
出面1aに円錐台形ホーン4を油膜を介して仮設置した
ものを使用した。円錐台形ホーン4の下底面4b直径は
5mmφ,上端面4aの直径は1mmφとし、その長さ
Lを5〜40mmまで変化させて実験を行った。
【0013】一方、AE信号源βは、図2(b)に示す
よう、杆8先端下面に板バネ6基端を延長取付け、当該
杆8先端上面に圧電素子(大きさは1mm×1mm×
0.5mm)5を張り付け、かつ板バネ6の先端下面に
は0.4mmφの微小ルビー球7を接着固定したものを
用いている。
【0014】電圧駆動された圧電素子5の高周波微振動
すなわちAE信号は板バネ6を介して先端のルビー球7
にまで伝播する。この板バネ6先端のルビー球7を微小
部品AE信号源βとみなして以下の実験を行った。
【0015】図3は上記に示したAEセンサαとAE信
号源βを用いた実験系の概要であり、図4は当該実験の
測定結果の一例である。本実施例の実験においては、図
3に示すように、AE信号源βの信号源たるルビー球7
を板バネ6の圧力(加圧力=15g)でAEセンサαの
AE信号検出面たる上端面4aに押しつけ、杆8の先端
上面に配した圧電素子5駆動電圧と本実施例のAEセン
サαから得られるAE信号出力電圧との関係を測定し
た。
【0016】また、比較参照のため、円錐台形ホーン4
を取り除いた図5に示す従来と同一の型のAEセンサ本
体1′の信号検出面1aに対しても、同様な実験を行っ
た。その結果、従来のセンサと同一の型のAEセンサ本
体1′の信号検出面1aに直接ルビー球7を加圧するよ
りも、円錐台形ホーン4を取付け、この上端面4aにル
ビー球7を押しつけた方が測定感度が高くなることがわ
かった。
【0017】また、ホーンのない従来と同一の型のAE
センサ本体1′の信号検出面1aの場合、ルビー球7の
押し付け位置によって、検出感度や高感度周波数に変化
があるが、ほぼ中心位置で最も感度が高い。図4は円錐
台形ホーン4のホーン長L=10mmの場合の周波数特
性を従来型センサ1のデータと比較したものである。な
お、両データとも、AEセンサには同一のものを使用し
ている。
【0018】図4から明らかなように、円錐台形ホーン
4を取り付けた本実施例のAEセンサαの方が、従来の
AEセンサ本体1′単体よりも格段に測定感度が高い。
ここで、本実施例の円錐台形ホーン4について考察して
みる。円錐台形ホーン4は、振動子たるルビー球7の発
生するある一定周波数信号をAEセンサ本体1′の信号
検出面1a全体に同位相で伝播させる役割を果たしてい
ると考えられる。
【0019】これに対し、ルビー球7を直接AEセンサ
本体1′の信号検出面1aに押し付けた場合は、信号検
出面1aのほかの離れた位置には、一定周波数の異なる
位相の信号が加わると考えられる。従って、AEセンサ
本体1′の全体としての信号検出感度は、円錐台形ホー
ン4を介した場合に比較して低下するのである。
【0020】以上の実験及び考察の結果から、円錐台形
ホーン4の上端面4aの外径は、AE信号検出対象部品
又は領域にあわせて任意の外径に設定することが可能で
ある。また、対象部品又は領域によっては、上端面4a
の形状は平面に限定されることなく、球面あるいは針状
の形状であってもよい。
【0021】また、円錐台形ホーン4とAEセンサ本体
1′との結合は、上記実験例においては、実験の都合上
油膜を介して設置したが、そのほかに、直接接着剤で固
定する、あるいは、ボルト・ナット形式で固定するなど
の手段を採用してもよいことは、いうまでもない。
【0022】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、微小A
E信号出力端に合せてホーンの上端を如何ようにも縮径
可能なので、従来困難であった微小部品あるいは特定微
小領域から発生するAE信号を容易に測定することが可
能である等、優れた有用性を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の実施例におけるAEセンサの
平面図,(b)は同・正面図である。
【図2】(a)は本発明の実施例の実験に使用したAE
センサの模式図であり、(b)は実験に使用したAE信
号源の模式図である。
【図3】図2に示したAEセンサとAE信号源を用いた
実験系の概要である。
【図4】図3に示した実験系を用いた実験の測定結果の
一例である。
【図5】AEセンサの内部構造を示す断面図である。
【符号の説明】
α…AEセンサ β…AE信号源 1…AEセンサ 1′…AEセンサ本体 1a…AE信号検出面 2…センサ素子 3…信号線 4…円錐台形ホーン 4a…上端面 4b…下底面 5…圧電素子 6…板バネ 7…ルビー球 8…杆

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】アコースティック・エミッション・センサ
    の信号検出素子面上に、 上端が先鋭状か丸味を帯びた円錐形又は当該円錐形上端
    部を下底面に平行にカットした平坦面とする円錐台形形
    状のホーン下底面を取り付け、 当該ホーンの上端をアコースティック・エミッション信
    号微小発生領域の信号検出端としたことを特徴とするホ
    ーン付アコースティック・エミッション・センサ。
JP5231108A 1993-09-17 1993-09-17 ホーン付アコースティック・エミッション・センサ Pending JPH0783887A (ja)

Priority Applications (1)

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JP5231108A JPH0783887A (ja) 1993-09-17 1993-09-17 ホーン付アコースティック・エミッション・センサ

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JP5231108A JPH0783887A (ja) 1993-09-17 1993-09-17 ホーン付アコースティック・エミッション・センサ

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JPH0783887A true JPH0783887A (ja) 1995-03-31

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ID=16918431

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101696789B1 (ko) * 2015-10-28 2017-01-16 한국생산기술연구원 워터젯 노즐의 이상상태 판단방법 및 워터젯 노즐의 감시장치
CN107687890A (zh) * 2017-10-20 2018-02-13 中国计量大学 具有喇叭结构的矢量传声器
JP2019049418A (ja) * 2017-09-08 2019-03-28 国立大学法人 名古屋工業大学 熱サイクル試験装置、熱サイクル試験方法、半導体装置の製造方法、及びプログラム

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