JPH0784006A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents
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- JPH0784006A JPH0784006A JP5233131A JP23313193A JPH0784006A JP H0784006 A JPH0784006 A JP H0784006A JP 5233131 A JP5233131 A JP 5233131A JP 23313193 A JP23313193 A JP 23313193A JP H0784006 A JPH0784006 A JP H0784006A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 記憶手段を内部に有するA/D変換手段ある
いはD/A変換手段を備え、その記憶手段に対する良否
テストを効率的に行うことが可能な半導体集積回路を得
る。
【構成】 クロックセレクタ8は、内部クロック信号S
6及びDSPクロック信号S5のうち、通常時は内部ク
ロック信号S6を、メモリ71のテストを指示するテス
トモード信号を受ける時はDSPクロック信号S5を選
択クロック信号S8としてメモリ71に出力する。DS
P2はメモリ71のテストを指示するテストモード信号
を受けると、メモリ71の書き込み動作及び読み出し動
作を制御する読み書き制御信号S9をメモリ71に出力
し、デジタルデータバス4を介してメモリ71に対する
読み書きを行い、内部のメモリ21に対するテストをそ
のまま転用してメモリ71に対するメモリテストを行
う。
(57) [Summary] [Object] To obtain a semiconductor integrated circuit including an A / D conversion means or a D / A conversion means having a storage means therein and capable of efficiently performing a pass / fail test for the storage means. [Structure] The clock selector 8 includes an internal clock signal S.
6 and the DSP clock signal S5, the internal clock signal S6 is output to the memory 71 as the selected clock signal S8 when the internal clock signal S6 is normally received, and when the test mode signal for instructing the test of the memory 71 is received. DS
When P2 receives the test mode signal for instructing the test of the memory 71, it outputs the read / write control signal S9 for controlling the write operation and read operation of the memory 71 to the memory 71, and reads / writes to / from the memory 71 via the digital data bus 4. Then, the test for the internal memory 21 is diverted as it is, and the memory test for the memory 71 is performed.
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、記憶装置を内部に持
つA/D変換器あるいはD/A変換器を、デジタル信号
に対し種々の信号処理を施すデジタル信号処理手段とか
らなる半導体集積回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit comprising an A / D converter or a D / A converter having a storage device therein and a digital signal processing means for performing various signal processing on a digital signal. Regarding
【0002】[0002]
【従来の技術】従来のアナログデジタル混在のデジタル
信号処理用の半導体集積回路の一例を図9に示す。図9
に示すように、半導体集積回路1は、A/D&D/A変
換器11とDSP2とから構成される。2. Description of the Related Art FIG. 9 shows an example of a conventional semiconductor integrated circuit for digital signal processing in which analog and digital are mixed. Figure 9
As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit 1 includes an A / D & D / A converter 11 and a DSP 2.
【0003】A/D&D/A変換器11は、アナログ信
号入力端子112を介して外部からアナログ信号を取り
込み、A/D変換した後、内部のメモリ7を活用してオ
ーバーサンプリング処理等を行い、入出力端子102か
らデジタル信号をデジタルデータバス4上に出力した
り、デジタルデータバス4上のデジタル信号をD/A変
換してアナログ信号をアナログ信号出力端子113を外
部に出力したりする。The A / D & D / A converter 11 fetches an analog signal from the outside through an analog signal input terminal 112, A / D-converts it, and then uses an internal memory 7 to perform oversampling processing and the like. A digital signal is output from the input / output terminal 102 to the digital data bus 4, or a digital signal on the digital data bus 4 is D / A converted and an analog signal is output to the analog signal output terminal 113.
【0004】この際、クロック信号発生回路6から出力
される内部クロック信号に同期して動作する。クロック
信号発生回路6は、外部クロック入力端子107を介し
て得られる外部クロック信号に基づき、内部クロック信
号を発生してメモリ7等に出力する。At this time, it operates in synchronization with the internal clock signal output from the clock signal generation circuit 6. The clock signal generation circuit 6 generates an internal clock signal based on the external clock signal obtained via the external clock input terminal 107 and outputs it to the memory 7 or the like.
【0005】メモリ7はクロック信号発生回路6より得
られる内部クロック信号に同期して動作する。また、テ
スト時には外部データ読み出し信号入力端子108より
読み出し制御信号を付与することにより、外部から後述
する外部データ入出力端子105およびセレクタ18を
介した読み出し動作が行え、外部データ書き込み信号入
力端子109より書き込み制御信号を付与することによ
り、外部から後述する外部データ入出力端子105およ
びセレクタ18を介した書き込み動作が行える。The memory 7 operates in synchronization with the internal clock signal obtained from the clock signal generation circuit 6. Further, at the time of test, by giving a read control signal from the external data read signal input terminal 108, a read operation can be performed from the outside through the external data input / output terminal 105 and the selector 18, which will be described later, and from the external data write signal input terminal 109. By applying the write control signal, a write operation can be performed from the outside via the external data input / output terminal 105 and the selector 18, which will be described later.
【0006】一方、DSP2は、入出力端子101およ
び外部データ入出力端子105を介して授受するデジタ
ルデータバス4上のデジタル信号に対し、エンコード処
理、デコード処理等の種々のデジタル信号処理を施す。
この際、クロック信号発生回路5から発生される内部ク
ロック信号に同期して動作する。クロック信号発生回路
5は外部クロック入力端子106より得られる外部クロ
ック信号に基づき内部クロック信号を発生する。なお、
103はDSP2の自己診断テストのテスト結果である
Fail情報が出力されるフェイルフラグ端子であり、
104は外部アドレス端子である。On the other hand, the DSP 2 performs various digital signal processes such as an encoding process and a decoding process on a digital signal on the digital data bus 4 transmitted and received via the input / output terminal 101 and the external data input / output terminal 105.
At this time, it operates in synchronization with the internal clock signal generated from the clock signal generation circuit 5. The clock signal generation circuit 5 generates an internal clock signal based on the external clock signal obtained from the external clock input terminal 106. In addition,
103 is a fail flag terminal to which Fail information, which is the test result of the self-diagnostic test of the DSP 2, is output,
Reference numeral 104 is an external address terminal.
【0007】また、デジタルデータバス4はA/D&D
/A変換器11の入出力端子102、DSP2の入出力
端子101およびセレクタ18に接続され、A/D&D
/A変換器11内のメモリ7およびデジタル部とDSP
2とのデジタル信号の授受を行う。The digital data bus 4 is A / D & D.
Connected to the input / output terminal 102 of the A / A converter 11, the input / output terminal 101 of the DSP 2 and the selector 18,
/ A converter 11 memory 7 and digital section and DSP
Sending and receiving digital signals with 2.
【0008】セレクタ18は、通常、DSP2と外部デ
ータ入出力端子105とを接続している。テスト時には
テストモード信号線111を介して付与されるテストモ
ード信号により、A/D&D/A変換器11内のメモリ
7およびデジタル部と半導体集積回路1の外部とのデジ
タル信号の授受を行うことを可能にする。The selector 18 normally connects the DSP 2 and the external data input / output terminal 105. During the test, a digital signal is exchanged between the memory 7 and the digital section in the A / D & D / A converter 11 and the outside of the semiconductor integrated circuit 1 by a test mode signal given through the test mode signal line 111. to enable.
【0009】テストモード信号線111はA/D&D/
A変換器11、DSP2、D/A変換器12及びテスト
モード端子110に接続される。The test mode signal line 111 is A / D & D /
It is connected to the A converter 11, the DSP 2, the D / A converter 12, and the test mode terminal 110.
【0010】このような構成において、A/D&D/A
変換器11とDSP2との間でデジタルデータバス4を
介してデジタル信号の授受が行なわれる。すなわち、ア
ナログ信号入力端子112を介して取り込んだアナログ
信号をA/D&D/A変換器11でデジタル信号に変換
し、オーバーサンプリング処理等を行った後、デジタル
信号をデジタルデータバス4を介してDSP2に送る。In such a configuration, the A / D & D / A
Digital signals are exchanged between the converter 11 and the DSP 2 via the digital data bus 4. That is, the analog signal input via the analog signal input terminal 112 is converted into a digital signal by the A / D & D / A converter 11 and subjected to oversampling processing, and then the digital signal is transferred via the digital data bus 4 to the DSP 2 Send to.
【0011】DSP2は、デジタル信号に対し種々のデ
ジタル信号処理を行なう。そして、その信号処理結果の
デジタル信号をデジタルデータバス4を介してA/D&
D/A変換器11に出力し、外部データ入出力端子10
5にも出力する。The DSP 2 performs various digital signal processing on the digital signal. Then, the digital signal resulting from the signal processing is A / D &
Output to the D / A converter 11 and external data input / output terminal 10
Output to 5.
【0012】A/D&D/A変換器11は、DSP2よ
り受けたデジタル信号D/A変換してアナログ信号をア
ナログ信号出力端子113から出力する。The A / D & D / A converter 11 D / A converts the digital signal received from the DSP 2 and outputs an analog signal from the analog signal output terminal 113.
【0013】図9に例示するような従来のアナログデジ
タル混在でDSP内蔵の半導体集積回路をテストする場
合、A/D&D/A変換器11のアナログ部分のテス
ト、デジタル部分のテスト及びDSP2のテストと3回
のテストを行う必要がある。ただし、テストの順序は問
わない。When testing a semiconductor integrated circuit with a built-in DSP in the conventional mixed analog-digital mode as shown in FIG. 9, the analog part test, the digital part test and the DSP2 test of the A / D & D / A converter 11 are performed. It is necessary to perform three tests. However, the order of testing does not matter.
【0014】ここでA/D&D/A変換器11内部のメ
モリ7のテストを考える。A/D&D/A変換器11内
部のデジタル信号は、ハードワイヤードロジックすなわ
ち命令デコード機能を持たないロジック回路なので、D
SP2の様に命令デコード機能を持つ場合には実行可能
な自己診断テストを行なうことが出来ない。このため、
従来はA/D&D/A変換器11のテスト時に外部から
メモリ7を直接アクセスしてテストを行なっていた。Now, consider a test of the memory 7 inside the A / D & D / A converter 11. Since the digital signal inside the A / D & D / A converter 11 is a hard wired logic, that is, a logic circuit having no instruction decoding function, D
If SP2 has an instruction decoding function, it cannot perform an executable self-diagnosis test. For this reason,
Conventionally, when the A / D & D / A converter 11 was tested, the memory 7 was directly accessed from the outside to perform the test.
【0015】以下、一例として図9のメモリ7がRAM
の場合のテスト動作について説明する。メモリ7をテス
トする場合には、外部クロック入力端子107から外部
クロック信号を付与し、テストモード端子110にテス
トモード信号を付与し、セレクタ18がデジタルデータ
バス4を外部データ入出力端子105に接続し、データ
を外部入出力端子105に入力デジタルデータをセット
する。そして、メモリ7に対して書き込みと読みだしを
繰り返し行いテストする。書き込みと読みだしの切り換
えは、テストモード端子110をアクティブにして、外
部データ読みだし信号入力端子108、外部データ書き
込み信号入力端子109に入力する制御信号に従って行
なう。なおこの時、メモリ7のアドレスはクロック信号
にしたがって1アドレスずつインクリメントされる。Hereinafter, as an example, the memory 7 shown in FIG. 9 is a RAM.
The test operation in the case of will be described. When testing the memory 7, an external clock signal is applied from the external clock input terminal 107, a test mode signal is applied to the test mode terminal 110, and the selector 18 connects the digital data bus 4 to the external data input / output terminal 105. Then, the input digital data is set to the external input / output terminal 105. Then, writing and reading are repeatedly performed on the memory 7 to perform a test. Switching between writing and reading is performed in accordance with a control signal input to the external data reading signal input terminal 108 and the external data writing signal input terminal 109 with the test mode terminal 110 activated. At this time, the address of the memory 7 is incremented by one address according to the clock signal.
【0016】現在RAMについてのテスト方法は数種類
が提案されているが、ここでは全ビットの“1”と
“0”の書き込みと読みだしを行なう場合を考える。メ
モリ7が4kWordのRAMであると仮定すると、
“0”書き込み“0”読みだし“1”書き込み“1”読
みだしという4kWord×4=16k回メモリをアク
セスする必要がある。すなわち、16kのテストベクト
ルがメモリ7のテストに必要となる。At present, several types of test methods for RAM have been proposed, but here, consider the case where writing and reading of "1" and "0" of all bits are performed. Assuming that the memory 7 is 4 kW RAM,
"0" write "0" read "1" write "1" read 4kWord x 4 = 16k times, it is necessary to access the memory. That is, 16 k test vectors are required to test the memory 7.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】以上のように、記憶手
段を内部にもつA/D変換手段あるいはD/A変換手段
が、DSP等のデジタル信号処理手段とともに形成され
るアナログデジタル混在の半導体集積回路では、A/D
変換手段あるいはD/A変換手段内部の記憶手段のテス
トを半導体集積回路の外部から行なっていた。As described above, the analog / digital mixed semiconductor integrated circuit in which the A / D conversion means or the D / A conversion means having the storage means therein is formed together with the digital signal processing means such as the DSP. In the circuit, A / D
The storage means inside the conversion means or the D / A conversion means is tested from outside the semiconductor integrated circuit.
【0018】このテストはデジタル信号処理手段のテス
トとは別に行なうため、テストに要する時間とテストベ
クトル数が膨大になるという問題点があった。Since this test is performed separately from the test of the digital signal processing means, there is a problem that the time required for the test and the number of test vectors become enormous.
【0019】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、A/D変換手段あるいはD/A変換手段
内部の記憶手段のテストを効率的に行うことができる、
記憶手段を内部にもつA/D変換手段あるいはD/A変
換手段を有する半導体集積回路を得ることを目的とす
る。The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is possible to efficiently test the A / D conversion means or the storage means inside the D / A conversion means.
It is an object of the present invention to obtain a semiconductor integrated circuit having an A / D conversion means having a storage means inside or a D / A conversion means.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】この発明にかかる請求項
1記載の半導体集積回路は、外部よりアナログ信号を受
けるアナログ信号入力端子と、外部よりテストモード信
号を受けるテストモード端子と、デジタルデータバス
と、前記アナログ信号入力端子を介して得られる前記ア
ナログ信号をA/D変換してデジタル信号を出力するA
/D変換手段と、前記デジタル信号を受け、該デジタル
信号に対し、種々のデジタル信号処理を施すデジタル信
号処理手段とを備えており、前記デジタル信号処理手段
は、第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号
発生手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デジタ
ル信号処理手段の外部にも出力され、前記第1のクロッ
ク信号に同期して読み書き可能な第1の記憶手段をさら
に備え、前記第1の記憶手段の良否を判定する記憶手段
テスト機能を有し、前記A/D変換手段は、第2のクロ
ック信号を発生する第2のクロック信号発生手段と、前
記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を受
け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第2
のクロック信号のうち、一方の信号を選択クロック信号
として出力するクロック信号選択手段と、前記選択クロ
ック信号に同期して読み書き可能な第2の記憶手段とを
備え、前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバス
を介して読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接
続され、前記A/D変換手段の前記クロック信号選択手
段は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良
否判定テストを指示するとき、前記第1のクロック信号
を前記選択クロック信号として出力し、それ以外のと
き、前記第2クロック信号を前記選択クロック信号とし
て出力し、前記デジタル信号処理手段は、前記テストモ
ード信号が前記第2の記憶手段の良否判定テストを指示
するとき、前記記憶手段テスト機能を用いて、前記デジ
タルデータバスを介して前記第2の記憶手段に対する読
み書きを実行することにより、前記第2の記憶手段に対
する良否判定テストを行う。A semiconductor integrated circuit according to a first aspect of the present invention is an analog signal input terminal for receiving an analog signal from the outside, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, and a digital data bus. And A for A / D converting the analog signal obtained through the analog signal input terminal to output a digital signal.
And a digital signal processing means for receiving the digital signal and performing various digital signal processing on the digital signal, the digital signal processing means generating a first clock signal. A first clock signal generating means is provided, the first clock signal is also output to the outside of the digital signal processing means, and a first storage means capable of reading and writing in synchronization with the first clock signal is further provided. A storage means test function for determining pass / fail of the first storage means, wherein the A / D conversion means includes second clock signal generation means for generating a second clock signal, and the first clock. A signal and the second clock signal, and based on the test mode signal, the first and second clock signals.
The clock signal selecting means for outputting one of the clock signals as the selected clock signal, and the second memory means capable of reading and writing in synchronization with the selected clock signal. The clock signal selection means of the A / D conversion means is readable / writable connected to the digital signal processing means via the digital data bus, and the test mode signal instructs the pass / fail judgment test of the second storage means. Output the first clock signal as the selected clock signal, and otherwise outputs the second clock signal as the selected clock signal, and the digital signal processing means outputs the test mode signal as the selected signal. When instructing the pass / fail judgment test of the second storage means, the storage means test function is used to transmit the data via the digital data bus. By executing writes to the second storage unit Te, performs quality determination test for the second storage means.
【0021】この発明にかかる請求項2記載の半導体集
積回路は、アナログ信号出力端子と、外部よりテストモ
ード信号を受けるテストモード端子と、デジタルデータ
バスと、デジタル信号をD/A変換してアナログ信号を
前記アナログ信号出力端子に出力するD/A変換手段
と、前記デジタル信号に対し、種々のデジタル信号処理
を施すデジタル信号処理手段とを備えており、記デジタ
ル信号処理手段は、第1のクロック信号を発生する第1
のクロック信号発生手段を備え、前記第1のクロック信
号は前記デジタル信号処理手段の外部にも出力され、前
記第1のクロック信号に同期して読み書き可能な第1の
記憶手段をさらに備え、前記第1の記憶手段の良否を判
定する記憶手段テスト機能を有し、前記D/A変換手段
は、第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号
発生手段と、前記第1のクロック信号及び前記第2のク
ロック信号を受け、前記テストモード信号に基づき、前
記第1及び第2のクロック信号のうち、一方の信号を選
択クロック信号として出力するクロック信号選択手段
と、前記選択クロック信号に同期して読み書き可能な第
2の記憶手段とを備え、前記第2の記憶手段は、前記デ
ジタルデータバスを介して読み書き可能に前記デジタル
信号処理手段に接続され、前記D/A変換手段の前記ク
ロック信号選択手段は、前記テストモード信号が前記第
2の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、前記第
1のクロック信号を前記選択クロック信号として出力
し、それ以外のとき、前記第2クロック信号を前記選択
クロック信号として出力し、前記デジタル信号処理手段
は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良否
判定テストを指示するとき、前記記憶手段テスト機能を
用いて、前記デジタルデータバスを介して前記第2の記
憶手段に対する読み書きを実行することにより、前記第
2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。According to a second aspect of the present invention, a semiconductor integrated circuit has an analog signal output terminal, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, a digital data bus, and a digital signal which is D / A converted into an analog signal. The digital signal processing means includes a D / A conversion means for outputting a signal to the analog signal output terminal and a digital signal processing means for performing various digital signal processing on the digital signal. First to generate a clock signal
Said clock signal generating means, said first clock signal is output to the outside of said digital signal processing means, and said first storage means is further readable and writable in synchronization with said first clock signal. The D / A conversion unit has a second clock signal generation unit for generating a second clock signal, the first clock signal, and the storage unit test function for determining the quality of the first storage unit. Clock signal selecting means for receiving the second clock signal and outputting one of the first and second clock signals as a selected clock signal based on the test mode signal, and synchronizing with the selected clock signal And a readable / writable second storage means, the second storage means being readable / writable connected to the digital signal processing means via the digital data bus. The clock signal selection means of the D / A conversion means outputs the first clock signal as the selected clock signal when the test mode signal instructs a pass / fail judgment test of the second storage means. Otherwise, the second clock signal is output as the selected clock signal, and the digital signal processing means, when the test mode signal indicates a pass / fail judgment test of the second storage means, the storage means By using the test function, reading / writing is performed on the second storage unit via the digital data bus to perform a pass / fail judgment test on the second storage unit.
【0022】この発明にかかる請求項3記載の半導体集
積回路は、外部より外部入力アナログ信号を受けるアナ
ログ信号入力端子と、アナログ信号出力端子と、外部よ
りテストモード信号を受けるテストモード端子と、デジ
タルデータバスと、前記外部入力アナログ信号をA/D
変換してデジタル信号を出力するとともに、該デジタル
信号をD/A変換してD/A変換アナログ信号を前記ア
ナログ信号出力端子に出力するA/D・D/A変換手段
と、前記デジタル信号を受け、該デジタル信号に対し、
種々のデジタル信号処理を施すデジタル信号処理手段と
を備えており、前記デジタル信号処理手段は、第1のク
ロック信号を発生する第1のクロック信号発生手段を備
え、前記第1のクロック信号は前記デジタル信号処理手
段の外部にも出力され、前記第1のクロック信号に同期
して読み書き可能な第1の記憶手段をさらに備え、前記
第1の記憶手段の良否を判定する記憶手段テスト機能を
有し、前記A/D・D/A変換手段は、第2のクロック
信号を発生する第2のクロック信号発生手段と、前記第
1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を受け、
前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第2のク
ロック信号のうち、一方の信号を選択クロック信号とし
て出力するクロック信号選択手段と、前記選択クロック
信号に同期して読み書き可能な第2の記憶手段とを備
え、前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバスを
介して読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接続
され、前記A/D・D/A変換手段の前記クロック信号
選択手段は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手
段の良否判定テストを指示するとき、前記第1のクロッ
ク信号を前記選択クロック信号として出力し、それ以外
のとき、前記第2クロック信号を前記選択クロック信号
として出力し、前記デジタル信号処理手段は、前記テス
トモード信号が前記第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するとき、前記記憶手段テスト機能を用いて、前記
デジタルデータバスを介して前記第2の記憶手段に対す
る読み書きを実行することにより、前記第2の記憶手段
に対する良否判定テストを行う。According to a third aspect of the present invention, a semiconductor integrated circuit has an analog signal input terminal for receiving an externally input analog signal from the outside, an analog signal output terminal, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, and a digital signal. A / D for data bus and external input analog signal
A / D / D / A conversion means for converting and outputting a digital signal, D / A converting the digital signal and outputting a D / A converted analog signal to the analog signal output terminal, and the digital signal. Received, to the digital signal,
Digital signal processing means for performing various digital signal processing, the digital signal processing means includes first clock signal generating means for generating a first clock signal, and the first clock signal is the A first storage means that is output to the outside of the digital signal processing means and is readable and writable in synchronization with the first clock signal is further provided, and has a storage means test function for determining the quality of the first storage means. And the A / D / D / A conversion means receives second clock signal generation means for generating a second clock signal, the first clock signal and the second clock signal,
A clock signal selecting unit that outputs one of the first and second clock signals as a selected clock signal based on the test mode signal, and a second memory that can read and write in synchronization with the selected clock signal. Means, the second storage means is connected to the digital signal processing means via the digital data bus so as to be readable and writable, and the clock signal selection means of the A / D / D / A conversion means, The first clock signal is output as the selected clock signal when the test mode signal indicates a pass / fail judgment test of the second storage means, and otherwise the second clock signal is output as the selected clock signal. When the test mode signal indicates a pass / fail judgment test of the second storage means, the digital signal processing means outputs the Using 憶 means test function by executing writes to the second storage unit via said digital data bus, performs quality determination test for the second storage means.
【0023】望ましくは、請求項4記載の半導体集積回
路のように、前記デジタル信号処理手段は、内部の性能
を判定する自己診断テスト機能を有し、前記自己診断テ
スト機能は前記記憶手段テスト機能を含んでもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to claim 4, the digital signal processing means has a self-diagnosis test function for judging internal performance, and the self-diagnosis test function is the storage means test function. May be included.
【0024】望ましくは、請求項5記載の半導体集積回
路のように、前記デジタル信号処理手段は、外部から監
視可能な良否判定端子をさらに備え、前記第2の記憶手
段に対する良否判定テストの判定結果情報を前記良否判
定端子に出力するようにしてもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to the fifth aspect, the digital signal processing means further comprises a pass / fail determination terminal that can be monitored from the outside, and the pass / fail determination result for the second storage means is determined. Information may be output to the quality determination terminal.
【0025】望ましくは、請求項6記載の半導体集積回
路のように、外部より第1の外部クロック信号を受ける
第1のクロック入力端子と、外部より第2の外部クロッ
ク信号を受ける第2のクロック入力端子とをさらに備
え、前記第1のクロック信号発生手段は前記第1の外部
クロック信号に基づき前記第1のクロック信号を発生
し、前記第2のクロック信号発生手段は前記第2の外部
クロック信号に基づき前記第2のクロック信号を発生す
るようにしてもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to the sixth aspect, a first clock input terminal for receiving a first external clock signal from the outside and a second clock for receiving a second external clock signal from the outside. An input terminal is further provided, the first clock signal generating means generates the first clock signal based on the first external clock signal, and the second clock signal generating means causes the second external clock signal. The second clock signal may be generated based on a signal.
【0026】この発明にかかる請求項7記載の半導体集
積回路は、外部よりアナログ信号を受けるアナログ信号
入力端子と、アナログ信号出力端子と、外部よりテスト
モード信号を受けるテストモード端子と、デジタルデー
タバスと、前記アナログ信号入力端子を介して得られる
前記アナログ信号をA/D変換してデジタル信号を出力
するA/D変換手段と、前記デジタル信号をD/A変換
してアナログ信号を前記アナログ信号出力端子に出力す
るD/A変換手段と、前記デジタル信号を受け、該デジ
タル信号に対し、種々のデジタル信号処理を施すデジタ
ル信号処理手段とを備えており、前記デジタル信号処理
手段は、第1のクロック信号を発生する第1のクロック
信号発生手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デ
ジタル信号処理手段の外部にも出力され、前記第1のク
ロック信号に同期して読み書き可能な第1の記憶手段を
さらに備え、前記第1の記憶手段の良否を判定する記憶
手段テスト機能を有し、前記A/D変換手段は、第2の
クロック信号を発生する第2のクロック信号発生手段
と、前記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信
号を受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及
び第2のクロック信号のうち、一方の信号を第1の選択
クロック信号として出力する第1のクロック信号選択手
段と、前記第1の選択クロック信号に同期して読み書き
可能な第2の記憶手段とを備え、前記第2の記憶手段
は、前記デジタルデータバスを介して読み書き可能に前
記デジタル信号処理手段に接続され、前記D/A変換手
段は、第3のクロック信号を発生する第3のクロック信
号発生手段と、前記第1のクロック信号及び前記第3の
クロック信号を受け、前記テストモード信号に基づき、
前記第1及び第3のクロック信号のうち、一方の信号を
第2の選択クロック信号として出力する第2のクロック
信号選択手段と、前記第2の選択クロック信号に同期し
て読み書き可能な第3の記憶手段とを備え、前記第3の
記憶手段は、前記デジタルデータバスを介して読み書き
可能に前記デジタル信号処理手段に接続され、前記A/
D変換手段の前記第1のクロック信号選択手段は、前記
テストモード信号が前記第2の記憶手段の良否判定テス
トを指示するとき、前記第1のクロック信号を前記第1
の選択クロック信号として出力し、それ以外のとき、前
記第2のクロック信号を第1の前記選択クロック信号と
して出力し、前記D/A変換手段の前記第2のクロック
信号選択手段は、前記テストモード信号が前記第3の記
憶手段の良否判定テストを指示するとき、前記第1のク
ロック信号を前記第2の選択クロック信号として出力
し、それ以外のとき、前記第3クロック信号を前記第2
の選択クロック信号として出力し、前記デジタル信号処
理手段は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手段
の良否判定テストを指示するとき、前記記憶手段テスト
機能を用いて、前記デジタルデータバスを介して前記第
2の記憶手段に対する読み書きを実行することにより、
前記第2の記憶手段に対する良否判定テストを行い、前
記テストモード信号が前記第3の記憶手段の良否判定テ
ストを指示するとき、前記記憶手段テスト機能を用い
て、前記デジタルデータバスを介して前記第3の記憶手
段に対する読み書きを実行することにより、前記第3の
記憶手段に対する良否判定テストを行う。A semiconductor integrated circuit according to a seventh aspect of the present invention is an analog signal input terminal for receiving an analog signal from the outside, an analog signal output terminal, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, and a digital data bus. And A / D conversion means for A / D converting the analog signal obtained through the analog signal input terminal to output a digital signal, and D / A converting the digital signal for converting the analog signal to the analog signal. The digital signal processing means includes: a D / A conversion means for outputting to an output terminal; and a digital signal processing means for receiving the digital signal and performing various digital signal processing on the digital signal. A first clock signal generating means for generating a clock signal of the digital signal processing means. Further includes a first storage unit that is output to the outside of the storage unit and is readable and writable in synchronization with the first clock signal, and has a storage unit test function for determining pass / fail of the first storage unit. The / D conversion means receives second clock signal generation means for generating a second clock signal, the first clock signal and the second clock signal, and based on the test mode signal, the first and second clock signal generation means. First clock signal selection means for outputting one of the second clock signals as a first selection clock signal, and second storage means capable of reading and writing in synchronization with the first selection clock signal. The second storage means is readable / writable connected to the digital signal processing means via the digital data bus, and the D / A conversion means generates a third clock signal. Receiving a clock signal generating means, said first clock signal and the third clock signal, based on said test mode signal,
Second clock signal selecting means for outputting one of the first and third clock signals as a second selected clock signal, and a third readable / writable synchronous with the second selected clock signal. Storage means, the third storage means is readable / writable connected to the digital signal processing means via the digital data bus, and the third storage means
The first clock signal selection means of the D conversion means outputs the first clock signal to the first clock signal when the test mode signal instructs a pass / fail judgment test of the second storage means.
Of the D / A conversion means, and the second clock signal selection means of the D / A conversion means outputs the second clock signal as the first selection clock signal. The first clock signal is output as the second selected clock signal when the mode signal directs the pass / fail judgment test of the third storage means, and otherwise the third clock signal is output as the second clock signal.
The digital signal processing means outputs the selected clock signal via the digital data bus using the storage means test function when the test mode signal indicates a pass / fail test of the second storage means. By executing reading and writing with respect to the second storage means,
When a pass / fail judgment test is performed on the second storage means, and when the test mode signal instructs a pass / fail judgment test of the third storage means, the storage means test function is used to execute the pass / fail test via the digital data bus. By executing reading and writing to the third storage means, a pass / fail judgment test is performed on the third storage means.
【0027】望ましくは、請求項8記載の半導体集積回
路のように、前記デジタル信号処理手段は、内部の性能
を判定する自己診断テスト機能を有し、前記自己診断テ
スト機能は前記記憶手段テスト機能を含んでもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to claim 8, the digital signal processing means has a self-diagnosis test function for judging internal performance, and the self-diagnosis test function is the storage means test function. May be included.
【0028】望ましくは、請求項9記載の半導体集積回
路のように、前記デジタル信号処理手段は、外部から監
視可能な良否判定端子をさらに備え、前記第2の記憶手
段に対する良否判定テストの判定結果情報あるいは前記
第3の記憶手段に対する良否判定テストの判定結果情報
を前記良否判定端子に出力するようにしてもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to claim 9, the digital signal processing means further comprises a pass / fail determination terminal that can be monitored from the outside, and a determination result of a pass / fail determination test for the second storage means. Information or the judgment result information of the quality judgment test for the third storage means may be output to the quality judgment terminal.
【0029】望ましくは、請求項10記載の半導体集積
回路のように、外部より第1の外部クロック信号を受け
る第1のクロック入力端子と、外部より第2の外部クロ
ック信号を受ける第2のクロック入力端子と、外部より
第3の外部クロック信号を受ける第3のクロック入力端
子とをさらに備え、前記第1のクロック信号発生手段
は、前記第1の外部クロック信号に基づき前記第1のク
ロック信号を発生し、前記第2のクロック信号発生手段
は前記第2の外部クロック信号に基づき前記第2のクロ
ック信号を発生し、前記第3のクロック信号発生手段は
前記第3の外部クロック信号に基づき前記第3のクロッ
ク信号を発生するようにしてもよい。Preferably, as in the semiconductor integrated circuit according to claim 10, a first clock input terminal for receiving a first external clock signal from the outside and a second clock for receiving a second external clock signal from the outside. An input terminal and a third clock input terminal for receiving a third external clock signal from the outside are further provided, and the first clock signal generation means is based on the first external clock signal, and the first clock signal is generated. And the second clock signal generation means generates the second clock signal based on the second external clock signal, and the third clock signal generation means based on the third external clock signal. The third clock signal may be generated.
【0030】[0030]
【作用】この発明における請求項1及び請求項4〜請求
項6記載の半導体集積回路において、外部より得られる
テストモード信号が第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するとき、A/D変換手段のクロック信号選択手段
は、第1のクロック信号を選択クロック信号として出力
し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶手段
テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介して第2
の記憶手段に対する読み書きを実行することにより、第
2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。In the semiconductor integrated circuit according to the first aspect and the fourth to sixth aspects of the present invention, the A / D conversion is performed when the test mode signal obtained from the outside directs the pass / fail judgment test of the second storage means. The clock signal selecting means of the means outputs the first clock signal as the selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means testing function provided in itself to output the second clock signal via the digital data bus.
By executing reading and writing with respect to the storage means, the pass / fail judgment test for the second storage means is performed.
【0031】したがって、テスト用の信号を外部から全
く付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テスト
を指示するテストモード信号を外部から付与するだけ
で、A/D変換手段の第2の記憶手段に対する良否テス
トを行うことができる。Therefore, the test mode signal for instructing the pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without applying any test signal from the outside, and the second mode of the A / D conversion means is supplied. A pass / fail test can be performed on the storage means.
【0032】この発明における請求項2及び請求項4〜
請求項6記載の半導体集積回路において、外部より得ら
れるテストモード信号が第2の記憶手段の良否判定テス
トを指示するとき、D/A変換手段のクロック信号選択
手段は、第1のクロック信号を選択クロック信号として
出力し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶
手段テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介して
第2の記憶手段に対する読み書きを実行することによ
り、第2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。Claims 2 and 4 of the present invention
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein when a test mode signal obtained from the outside instructs a pass / fail judgment test of the second storage means, the clock signal selection means of the D / A conversion means outputs the first clock signal. The digital signal processing unit outputs the selected clock signal, and the digital signal processing unit uses the storage unit test function provided in itself to read and write the second storage unit via the digital data bus, and thereby the second storage unit is read. Perform a pass / fail test.
【0033】したがって、テスト用の信号を外部から全
く付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テスト
を指示するテストモード信号を外部から付与するだけ
で、D/A変換手段の第2の記憶手段に対する良否テス
トを行うことができる。Therefore, the test mode signal for instructing the pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without applying any test signal from the outside, and the second D / A conversion means is supplied. A pass / fail test can be performed on the storage means.
【0034】この発明における請求項3〜請求項6記載
の半導体集積回路において、外部より得られるテストモ
ード信号が第2の記憶手段の良否判定テストを指示する
とき、A/D・D/A変換手段のクロック信号選択手段
は、第1のクロック信号を選択クロック信号として出力
し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶手段
テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介して第2
の記憶手段に対する読み書きを実行することにより、第
2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。In the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 3 to 6 of the present invention, when a test mode signal obtained from the outside directs a pass / fail judgment test of the second storage means, A / D / D / A conversion is performed. The clock signal selecting means of the means outputs the first clock signal as the selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means testing function provided in itself to output the second clock signal via the digital data bus.
By executing reading and writing with respect to the storage means, the pass / fail judgment test for the second storage means is performed.
【0035】したがって、テスト用の信号を外部から全
く付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テスト
を指示するテストモード信号を外部から付与するだけ
で、A/D・D/A変換手段の第2の記憶手段に対する
良否テストを行うことができる。Therefore, the A / D / D / A converting means can be provided only by externally applying a test mode signal for instructing a pass / fail judgment test of the second storage means, without externally applying a test signal. It is possible to perform a pass / fail test for the second storage means.
【0036】この発明における請求項7〜請求項10記
載の半導体集積回路において、外部より得られるテスト
モード信号が第2の記憶手段の良否判定テストを指示す
るとき、A/D変換手段の第1のクロック信号選択手段
は、第1のクロック信号を第1の選択クロック信号とし
て出力し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記
憶手段テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介し
て第2の記憶手段に対する読み書きを実行することによ
り、第2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。In the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 7 to 10 of the present invention, when the test mode signal obtained from the outside directs the pass / fail judgment test of the second storage means, the first of the A / D conversion means is used. Of the clock signal selecting means outputs the first clock signal as the first selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means testing function provided in itself to output the second clock signal via the digital data bus. By executing reading and writing to the storage means, a pass / fail judgment test is performed on the second storage means.
【0037】また、外部より得られるテストモード信号
が第3の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、D
/A変換手段の第2のクロック信号選択手段は、第1の
クロック信号を第2の選択クロック信号として出力し、
デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶手段テス
ト機能を用いて、デジタルデータバスを介して第3の記
憶手段に対する読み書きを実行することにより、第3の
記憶手段に対する良否判定テストを行う。 したがっ
て、テスト用の信号を外部から全く付与することなく、
第2の記憶手段の良否判定テストを指示するテストモー
ド信号を外部から付与するだけで、A/D変換手段の第
2の記憶手段に対する良否テストを行うことができ、第
3の記憶手段の良否判定テストを指示するテストモード
信号を外部から付与するだけで、D/A変換手段の第3
の記憶手段に対する良否テストを行うことができる。When a test mode signal obtained from the outside directs the quality judgment test of the third storage means, D
The second clock signal selection means of the / A conversion means outputs the first clock signal as a second selection clock signal,
The digital signal processing means performs a pass / fail judgment test on the third storage means by executing reading / writing from / to the third storage means via the digital data bus using the storage means test function provided in itself. Therefore, without applying a test signal from outside,
The quality test of the second storage means of the A / D conversion means can be performed only by externally providing a test mode signal for instructing the quality determination test of the second storage means, and the quality of the third storage means can be determined. The third D / A conversion means can be provided only by externally applying a test mode signal instructing a judgment test.
It is possible to perform a pass / fail test for the storage means.
【0038】[0038]
<第1の実施例>図1はこの発明の第1の実施例である
半導体集積回路の構成を示すブロック図である。図1に
示すように、半導体集積回路1は、A/D変換器3とD
SP2とから構成される。<First Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor integrated circuit 1 includes an A / D converter 3 and a D / D converter 3.
It is composed of SP2.
【0039】A/D変換器3は、アナログ信号入力端子
112を介して外部からアナログ信号を取り込み、A/
D変換した後、内部のメモリ71を活用してオーバーサ
ンプリング処理等を行う。The A / D converter 3 takes in an analog signal from the outside through the analog signal input terminal 112 and outputs A / D.
After D conversion, the internal memory 71 is utilized to perform oversampling processing and the like.
【0040】A/D変換器3は、クロック信号発生回路
6から出力される内部クロック信号S6に同期して上記
処理を実行する。クロック信号発生回路6は外部クロッ
ク入力端子107を介して得られる外部クロック信号に
基づき、内部クロック信号S6を発生する。The A / D converter 3 executes the above processing in synchronization with the internal clock signal S6 output from the clock signal generation circuit 6. The clock signal generation circuit 6 generates the internal clock signal S6 based on the external clock signal obtained via the external clock input terminal 107.
【0041】クロック信号発生回路6の内部クロック信
号S6はクロックセレクタ8に入力される。クロックセ
レクタ8は、内部クロック信号S6とともにクロック信
号線114より得られるDSPクロック信号S5を取り
込み、内部クロック信号S6及びDSPクロック信号S
5のうち、通常時は、内部クロック信号S6を選択クロ
ック信号S8としてメモリ71に出力し、テストモード
端子110からテストモード信号線10を介してメモリ
71のテストを指示するテストモード信号を受けると、
DSPクロック信号S5を選択クロック信号S8として
メモリ71に出力する。The internal clock signal S6 of the clock signal generation circuit 6 is input to the clock selector 8. The clock selector 8 takes in the DSP clock signal S5 obtained from the clock signal line 114 together with the internal clock signal S6, and outputs the internal clock signal S6 and the DSP clock signal S.
5, the internal clock signal S6 is normally output to the memory 71 as the selected clock signal S8, and the test mode signal for instructing the test of the memory 71 is received from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10. ,
The DSP clock signal S5 is output to the memory 71 as the selected clock signal S8.
【0042】A/D変換器3内のメモリ71はクロック
セレクタ8より得られる選択クロック信号S8に同期し
て動作し、読み出し及び書き込み動作を行う。また、メ
モリ71は入出力端子102に接続されており、入出力
端子102を介してデジタルデータバス4上のデジタル
信号との入出力を行うことができる。The memory 71 in the A / D converter 3 operates in synchronization with the selected clock signal S8 obtained from the clock selector 8 to perform read and write operations. Further, the memory 71 is connected to the input / output terminal 102, and can perform input / output with a digital signal on the digital data bus 4 via the input / output terminal 102.
【0043】一方、DSP2は、入出力端子101を介
して入出力されうデジタルデータバス4上のデジタル信
号及び外部データ入出力端子105を介して入出力され
るデジタル信号に対し、エンコード処理、デコード処理
等の種々のデジタル信号処理を施す。この際、クロック
信号発生回路5から発生される内部クロック信号である
DSPクロック信号S5に同期して動作する。クロック
信号発生回路5は外部クロック入力端子106より得ら
れる外部クロック信号に基づきDSPクロック信号S5
を発生する。On the other hand, the DSP 2 encodes and decodes the digital signal on the digital data bus 4 input / output via the input / output terminal 101 and the digital signal input / output via the external data input / output terminal 105. Various digital signal processing such as processing is performed. At this time, the clock signal generation circuit 5 operates in synchronization with the DSP clock signal S5 which is an internal clock signal. The clock signal generation circuit 5 uses the DSP clock signal S5 based on the external clock signal obtained from the external clock input terminal 106.
To occur.
【0044】DSP2は、テストモード端子110から
テストモード信号線10を介して、自己診断テストを指
示するテストモード信号を受けると、メモリ21等の内
部回路の自己診断テストを実行する。また、テストモー
ド端子110からテストモード信号線10を介して、A
/D変換器3のメモリ71のテストを指示するテストモ
ード信号を受けると、メモリ制御信号線9を介して、メ
モリ71の書き込み動作及び読み出し動作を制御する読
み書き制御信号S9をメモリ71に出力し、メモリ71
に対するメモリのテストを行う。When the DSP 2 receives a test mode signal instructing a self-diagnosis test from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10, the DSP 2 executes the self-diagnosis test of the internal circuit such as the memory 21. In addition, from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10, A
When receiving the test mode signal for instructing the test of the memory 71 of the / D converter 3, the read / write control signal S9 for controlling the write operation and the read operation of the memory 71 is output to the memory 71 via the memory control signal line 9. , Memory 71
Test the memory against.
【0045】このメモリのテスト手順は、DSP2内部
のプラグラム格納用メモリに予め書き込まれており、D
SP2の自己診断用の内部のメモリ21に対するテスト
をそのまま転用している。なお、103はテスト結果で
あるFail情報を出力するためのフェイルフラグ端
子、104は外部アドレス端子である。The test procedure of this memory is previously written in the program storage memory inside the DSP 2,
The test for the internal memory 21 for self-diagnosis of SP2 is diverted as it is. In addition, 103 is a fail flag terminal for outputting Fail information which is a test result, and 104 is an external address terminal.
【0046】図2は、第1の実施例の半導体集積回路の
テスト動作を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flow chart showing the test operation of the semiconductor integrated circuit of the first embodiment.
【0047】そして、ステップS12でDSP2の自己
診断テストの結果が判定され、Failならば、ステッ
プS15でFail情報がフェイルフラグ端子103に
出力されて処理を終了する。一方、自己診断テストの結
果がPassならば、ステップS13に移行する。Then, in step S12, the result of the self-diagnosis test of the DSP 2 is determined. If the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S15, and the process is terminated. On the other hand, if the result of the self-diagnosis test is Pass, the process proceeds to step S13.
【0048】ステップS13で、外部からテストモード
端子110を介してA/D変換器3のメモリ71のテス
トを指示するテストモード信号をDSP2及びA/D変
換器3のクロックセレクタ8に与える。すると、クロッ
クセレクタ8は、DSPクロック信号S5を選択クロッ
ク信号S8としてメモリ71に出力する。その結果、メ
モリ71はDSP2の動作クロックであるDSPクロッ
ク信号S5に同期して読み書き動作が可能となる。In step S13, a test mode signal for instructing the test of the memory 71 of the A / D converter 3 is externally applied to the DSP 2 and the clock selector 8 of the A / D converter 3 via the test mode terminal 110. Then, the clock selector 8 outputs the DSP clock signal S5 to the memory 71 as the selected clock signal S8. As a result, the memory 71 can perform the read / write operation in synchronization with the DSP clock signal S5 which is the operation clock of the DSP 2.
【0049】この状況下で、DSP2により、内部のメ
モリに格納されたメモリテスト手順に従い、メモリ制御
信号線9を介して読み出しあるいは書き込み制御信号を
メモリ71に与え、入出力端子102、デジタルデータ
バス4及び入出力端子101を介して、メモリ71に対
するデジタルデータの書き込み及び読み出し動作を行う
ことにより、A/D変換器3のメモリ71に対するテス
トを実行する。Under this circumstance, the DSP 2 gives a read or write control signal to the memory 71 via the memory control signal line 9 according to the memory test procedure stored in the internal memory, and the input / output terminal 102 and the digital data bus. The test for the memory 71 of the A / D converter 3 is executed by performing the writing and reading operations of the digital data with respect to the memory 71 via the 4 and the input / output terminal 101.
【0050】A/D変換器3のメモリ71に対するメモ
リテストは、DSP2の内部のメモリ21に対するメモ
リテストと同内容のメモリテストであり、その具体的な
方法は、疑似乱数発生やデータ圧縮など既知の方法であ
るため、ここでは特に記述しない。The memory test of the memory 71 of the A / D converter 3 is the same memory test as the memory test of the internal memory 21 of the DSP 2, and its specific method is known such as pseudo random number generation and data compression. Method, so it is not described here.
【0051】そして、ステップS14で、メモリテスト
の結果が判定され、Failならば、ステップS15で
Fail情報がフェイルフラグ端子103に出力されて
処理が終了する。一方、自己診断テストの結果がPas
sならば、何もせず処理が終了する。Then, in step S14, the result of the memory test is determined, and if the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S15, and the process ends. On the other hand, the result of the self-diagnosis test is Pas.
If s, the process ends without doing anything.
【0052】上記テストを行った後、Failフラグ端
子103からのFail情報の有無を外部から監視する
ことにより外部でテスト結果情報を得ることができる。
また、Failの状態は外部アドレス端子104及び外
部データ端子105によりFailアドレスとデータと
して外部から知ることができる。その出力方法として
は、自己診断プログラム中にに記述して行うソフトウェ
ア的な処理、DSP2内をスルーして出力可能なように
するハードウェア的な処理が考えられる。After the above test is performed, the test result information can be obtained externally by externally monitoring the presence or absence of Fail information from the Fail flag terminal 103.
The state of Fail can be known from the outside as a Fail address and data by the external address terminal 104 and the external data terminal 105. As the output method, a software-like process described in the self-diagnosis program and a hardware-like process for allowing the DSP 2 to output through are considered.
【0053】このように、第1の実施例の半導体集積回
路は、A/D変換器3のメモリ71に対するテストをD
SP2の内部のメモリ21に対するテストを転用して実
行可能にしたため、外部からはA/D変換器3のメモリ
71のメモリテストの実行を指示するテストモード信号
を付与するだけでよく、メモリ71の容量に応じたテス
トベクトルを準備する必要もなく、テストを効率的に行
うことができる。As described above, in the semiconductor integrated circuit of the first embodiment, the test for the memory 71 of the A / D converter 3 is performed by the D test.
Since the test for the memory 21 inside the SP2 is diverted and made executable, it is only necessary to externally give a test mode signal instructing execution of the memory test of the memory 71 of the A / D converter 3, The test can be efficiently performed without preparing a test vector according to the capacity.
【0054】<第2の実施例>図3はこの発明の第2の
実施例である半導体集積回路の構成を示すブロック図で
ある。図3に示すように、半導体集積回路1は、D/A
変換器12とDSP2とから構成される。<Second Embodiment> FIG. 3 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 3, the semiconductor integrated circuit 1 has a D / A
It is composed of a converter 12 and a DSP 2.
【0055】D/A変換器12は、メモリ72等から得
られるデジタル信号をD/A変換しアナログフィルタリ
ング処理等を施した後、アナログ信号出力端子113を
介して外部にアナログ信号を出力する。The D / A converter 12 D / A-converts the digital signal obtained from the memory 72, performs analog filtering processing, etc., and then outputs the analog signal to the outside via the analog signal output terminal 113.
【0056】D/A変換器12は、クロック信号発生回
路6′から出力される内部クロック信号S6′に同期し
て上記処理を実行する。クロック信号発生回路6′は外
部クロック入力端子107′を介して得られる外部クロ
ック信号に基づき、内部クロック信号S6′を発生す
る。The D / A converter 12 executes the above processing in synchronization with the internal clock signal S6 'output from the clock signal generating circuit 6'. Clock signal generating circuit 6'generates internal clock signal S6 'based on the external clock signal obtained through external clock input terminal 107'.
【0057】クロック信号発生回路6′の内部クロック
信号S6′はクロックセレクタ8′に入力される。クロ
ックセレクタ8′は、内部クロック信号S6′とともに
クロック信号線114より得られるDSPクロック信号
S5を取り込み、内部クロック信号S6′及びDSPク
ロック信号S5のうち、通常時は、内部クロック信号S
6′を選択クロック信号S8′としてメモリ72に出力
し、テストモード端子110からテストモード信号線1
0を介してメモリ72のテストを指示するテストモード
信号を受けると、DSPクロック信号S5を選択クロッ
ク信号S8′としてメモリ72に出力する。The internal clock signal S6 'of the clock signal generating circuit 6'is input to the clock selector 8'. The clock selector 8'takes in the DSP clock signal S5 obtained from the clock signal line 114 together with the internal clock signal S6 '. Of the internal clock signal S6' and the DSP clock signal S5, the internal clock signal S
6'is output to the memory 72 as the selected clock signal S8 ', and the test mode signal line 1 is output from the test mode terminal 110.
When the test mode signal for instructing the test of the memory 72 is received via 0, the DSP clock signal S5 is output to the memory 72 as the selected clock signal S8 '.
【0058】D/A変換器12内のメモリ72はクロッ
クセレクタ8′より得られる選択クロック信号S8′に
同期して動作し、読み出し及び書き込み動作を行う。ま
た、メモリ72は入出力端子102′に接続されてお
り、入出力端子102′を介してデジタルデータバス4
上のデジタル信号との入出力を行うことができる。The memory 72 in the D / A converter 12 operates in synchronization with the selected clock signal S8 'obtained from the clock selector 8', and performs read and write operations. The memory 72 is connected to the input / output terminal 102 ', and the digital data bus 4 is connected via the input / output terminal 102'.
Input and output can be performed with the above digital signal.
【0059】一方、DSP2は、入出力端子101を介
して入出力されるデジタルデータバス4上のデジタル信
号及び外部データ入出力端子105を介して入出力され
るデジタル信号に対し、エンコード処理、デコード処理
等の種々のデジタル信号処理を施す。この際、クロック
信号発生回路5から発生される内部クロック信号である
DSPクロック信号S5に同期して動作する。クロック
信号発生回路5は外部クロック入力端子106より得ら
れる外部クロック信号に基づきDSPクロック信号S5
を発生する。On the other hand, the DSP 2 encodes and decodes a digital signal on the digital data bus 4 input / output via the input / output terminal 101 and a digital signal input / output via the external data input / output terminal 105. Various digital signal processing such as processing is performed. At this time, the clock signal generation circuit 5 operates in synchronization with the DSP clock signal S5 which is an internal clock signal. The clock signal generation circuit 5 uses the DSP clock signal S5 based on the external clock signal obtained from the external clock input terminal 106.
To occur.
【0060】DSP2は、テストモード端子110から
テストモード信号線10を介して、自己診断テストを指
示するテストモード信号を受けると、メモリ21等の内
部回路の自己診断テストを実行する。また、テストモー
ド端子110からテストモード信号線10を介して、D
/A変換器12のメモリ72のテストを指示するテスト
モード信号を受けると、メモリ制御信号線9を介して、
メモリ72の書き込み動作及び読み出し動作を制御する
読み書き制御信号S9をメモリ72に出力し、メモリ7
2に対するメモリのテストを行う。When receiving the test mode signal instructing the self-diagnosis test from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10, the DSP 2 executes the self-diagnosis test of the internal circuit such as the memory 21. In addition, D from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10
When receiving the test mode signal instructing the test of the memory 72 of the A / A converter 12, the memory control signal line 9
The read / write control signal S9 for controlling the write operation and read operation of the memory 72 is output to the memory 72, and the memory 7
Test memory for 2.
【0061】このメモリのテスト手順は、DSP2内部
のプラグラム格納用メモリに予め書き込まれており、D
SP2の自己診断用の内部のメモリ21に対するテスト
をそのまま転用している。なお、103はテスト結果で
あるFail情報を出力するためのフェイルフラグ端
子、104は外部アドレス端子である。The test procedure of this memory is written in advance in the program storage memory inside the DSP 2,
The test for the internal memory 21 for self-diagnosis of SP2 is diverted as it is. In addition, 103 is a fail flag terminal for outputting Fail information which is a test result, and 104 is an external address terminal.
【0062】図4は、第2の実施例の半導体集積回路の
テスト動作を示すフローチャートである。FIG. 4 is a flow chart showing the test operation of the semiconductor integrated circuit of the second embodiment.
【0063】図4を参照して、まず、ステップS21
で、外部からテストモード端子110を介してDSP2
の自己診断テストを指示するテストモード信号をDSP
2に与えることにより、DSP2の自己診断がなされ、
メモリ21等のDSP2の内部回路がテストされる。自
己診断の手順を示したプログラムは、第1の実施例同
様、既にDSP2内部に書き込まれている。Referring to FIG. 4, first, step S21.
Then, from the outside through the test mode terminal 110, the DSP2
The test mode signal that directs the self-diagnosis test of the DSP
2, the self-diagnosis of DSP2 is made,
The internal circuit of the DSP 2 such as the memory 21 is tested. The program showing the self-diagnosis procedure is already written in the DSP 2 as in the first embodiment.
【0064】そして、ステップS22でDSP2の自己
診断テストの結果が判定され、Failならば、ステッ
プS25でFail情報がフェイルフラグ端子103に
出力されて処理を終了する。一方、自己診断テストの結
果がPassならば、ステップS23に移行する。Then, in step S22, the result of the self-diagnosis test of the DSP 2 is determined. If the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S25, and the process ends. On the other hand, if the result of the self-diagnosis test is Pass, the process proceeds to step S23.
【0065】ステップS23で、外部からテストモード
端子110を介してD/A変換器12のメモリ72のテ
ストを指示するテストモード信号をDSP2及びD/A
変換器12のクロックセレクタ8′に与える。すると、
クロックセレクタ8′は、DSPクロック信号S5を選
択クロック信号S8′としてメモリ72に出力する。そ
の結果、メモリ72はDSP2の動作クロックであるD
SPクロック信号S5に同期して読み書き動作が可能と
なる。In step S23, a test mode signal for instructing the test of the memory 72 of the D / A converter 12 is externally supplied via the test mode terminal 110 to the DSP 2 and the D / A.
It is given to the clock selector 8'of the converter 12. Then,
The clock selector 8 ′ outputs the DSP clock signal S5 to the memory 72 as the selected clock signal S8 ′. As a result, the memory 72 is D, which is the operation clock of the DSP 2.
A read / write operation can be performed in synchronization with the SP clock signal S5.
【0066】この状況下で、DSP2により、内部のメ
モリに格納されたメモリテスト手順に従い、メモリ制御
信号線9を介して読み出しあるいは書き込み制御信号を
メモリ72に与え、入出力端子102′、デジタルデー
タバス4及び入出力端子101を介して、メモリ72に
対するデジタルデータの書き込み及び読み出し動作を行
うことにより、D/A変換器12のメモリ72に対する
テストを実行する。Under this circumstance, the DSP 2 gives a read or write control signal to the memory 72 via the memory control signal line 9 in accordance with the memory test procedure stored in the internal memory, and the input / output terminal 102 'and the digital data are supplied. A test of the D / A converter 12 with respect to the memory 72 is executed by performing digital data writing and reading operations with respect to the memory 72 via the bus 4 and the input / output terminal 101.
【0067】D/A変換器12のメモリ72に対するメ
モリテストは、第1の実施例同様、DSP2の内部のメ
モリ21に対するメモリテストと同内容のメモリテスト
である。The memory test for the memory 72 of the D / A converter 12 is the same as the memory test for the internal memory 21 of the DSP 2 as in the first embodiment.
【0068】そして、ステップS24で、メモリテスト
の結果が判定され、Failならば、ステップS25で
Fail情報がフェイルフラグ端子103に出力されて
処理が終了する。一方、自己診断テストの結果がPas
sならば、何もせず処理が終了する。Then, in step S24, the result of the memory test is determined. If the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S25, and the process ends. On the other hand, the result of the self-diagnosis test is Pas.
If s, the process ends without doing anything.
【0069】上記テストを行った後、Failフラグ端
子103からのFail情報の有無を外部から監視する
ことにより外部でテスト結果情報を得ることができる。
また、第1の実施例同様、Failの状態は外部アドレ
ス端子104及び外部データ端子105によりFail
アドレスとデータとして外部から知ることができる。After performing the above-mentioned test, by externally monitoring the presence or absence of Fail information from the Fail flag terminal 103, the test result information can be obtained externally.
Also, as in the first embodiment, the state of Fail is determined by the external address terminal 104 and the external data terminal 105.
It can be known from the outside as an address and data.
【0070】このように、第2の実施例の半導体集積回
路は、D/A変換器12のメモリ72に対するテストを
DSP2の内部のメモリ21に対するテストを転用して
実行可能にしたため、外部からはD/A変換器12のメ
モリ72のメモリテストの実行を指示するテストモード
信号を付与するだけでよく、メモリ72の容量に応じた
テストベクトルを準備する必要もなく、テストを効率的
に行うことができる。As described above, in the semiconductor integrated circuit of the second embodiment, the test for the memory 72 of the D / A converter 12 can be executed by diverting the test for the memory 21 inside the DSP 2, so that it can be executed from the outside. A test mode signal for instructing execution of a memory test of the memory 72 of the D / A converter 12 need only be given, and it is not necessary to prepare a test vector according to the capacity of the memory 72, and the test can be performed efficiently. You can
【0071】<第3の実施例>図5はこの発明の第3の
実施例である半導体集積回路の構成を示すブロック図で
ある。図5に示すように、半導体集積回路1は、A/D
変換器3、D/A変換器12及びDSP2から構成され
る。<Third Embodiment> FIG. 5 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 5, the semiconductor integrated circuit 1 has an A / D
It is composed of a converter 3, a D / A converter 12 and a DSP 2.
【0072】A/D変換器3は、アナログ信号入力端子
112を介して外部からアナログ信号を取り込み、A/
D変換した後、内部のメモリ71を活用してオーバーサ
ンプリング処理等を行う。The A / D converter 3 takes in an analog signal from the outside through the analog signal input terminal 112, and
After D conversion, the internal memory 71 is utilized to perform oversampling processing and the like.
【0073】A/D変換器3は、クロック信号発生回路
6から出力される内部クロック信号S6に同期して上記
処理を実行する。クロック信号発生回路6は外部クロッ
ク入力端子107を介して得られる外部クロック信号に
基づき、内部クロック信号S6を発生する。The A / D converter 3 executes the above processing in synchronization with the internal clock signal S6 output from the clock signal generation circuit 6. The clock signal generation circuit 6 generates the internal clock signal S6 based on the external clock signal obtained via the external clock input terminal 107.
【0074】クロック信号発生回路6の内部クロック信
号S6はクロックセレクタ8に入力される。クロックセ
レクタ8は、内部クロック信号S6とともにクロック信
号線114より得られるDSPクロック信号S5を取り
込み、内部クロック信号S6及びDSPクロック信号S
5のうち、通常時は、内部クロック信号S6を選択クロ
ック信号S8としてメモリ71に出力し、テストモード
端子110からテストモード信号線10を介してメモリ
71のテストを指示するテストモード信号を受けると、
DSPクロック信号S5を選択クロック信号S8として
メモリ71に出力する。The internal clock signal S6 of the clock signal generation circuit 6 is input to the clock selector 8. The clock selector 8 takes in the DSP clock signal S5 obtained from the clock signal line 114 together with the internal clock signal S6, and outputs the internal clock signal S6 and the DSP clock signal S.
5, the internal clock signal S6 is normally output to the memory 71 as the selected clock signal S8, and the test mode signal for instructing the test of the memory 71 is received from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10. ,
The DSP clock signal S5 is output to the memory 71 as the selected clock signal S8.
【0075】A/D変換器3内のメモリ71はクロック
セレクタ8より得られる選択クロック信号S8に同期し
て動作し、読み出し及び書き込み動作を行う。また、メ
モリ71は入出力端子102に接続されており、入出力
端子102を介してデジタルデータバス4上のデジタル
信号との入出力を行うことができる。The memory 71 in the A / D converter 3 operates in synchronization with the selected clock signal S8 obtained from the clock selector 8 to perform read and write operations. Further, the memory 71 is connected to the input / output terminal 102, and can perform input / output with a digital signal on the digital data bus 4 via the input / output terminal 102.
【0076】また、D/A変換器12は、メモリ72等
から得られるデジタル信号をD/A変換しアナログフィ
ルタリング処理等を施した後、アナログ信号出力端子1
13を介して外部にアナログ信号を出力する。Further, the D / A converter 12 D / A converts the digital signal obtained from the memory 72, performs analog filtering processing, etc., and then outputs the analog signal output terminal 1
An analog signal is output to the outside via 13.
【0077】D/A変換器12は、クロック信号発生回
路6′から出力される内部クロック信号S6′に同期し
て上記処理を実行する。クロック信号発生回路6′は外
部クロック入力端子107′を介して得られる外部クロ
ック信号に基づき、内部クロック信号S6′を発生す
る。The D / A converter 12 executes the above processing in synchronization with the internal clock signal S6 'output from the clock signal generating circuit 6'. Clock signal generating circuit 6'generates internal clock signal S6 'based on the external clock signal obtained through external clock input terminal 107'.
【0078】クロック信号発生回路6′の内部クロック
信号S6′はクロックセレクタ8′に入力される。クロ
ックセレクタ8′は、内部クロック信号S6′とともに
クロック信号線114より得られるDSPクロック信号
S5を取り込み、内部クロック信号S6′及びDSPク
ロック信号S5のうち、通常時は、内部クロック信号S
6′を選択クロック信号S8′としてメモリ72に出力
し、テストモード端子110からテストモード信号線1
0を介してメモリ72のテストを指示するテストモード
信号を受けると、DSPクロック信号S5を選択クロッ
ク信号S8′としてメモリ72に出力する。The internal clock signal S6 'of the clock signal generating circuit 6'is input to the clock selector 8'. The clock selector 8'takes in the DSP clock signal S5 obtained from the clock signal line 114 together with the internal clock signal S6 '. Of the internal clock signal S6' and the DSP clock signal S5, the internal clock signal S
6'is output to the memory 72 as the selected clock signal S8 ', and the test mode signal line 1 is output from the test mode terminal 110.
When the test mode signal for instructing the test of the memory 72 is received via 0, the DSP clock signal S5 is output to the memory 72 as the selected clock signal S8 '.
【0079】D/A変換器12内のメモリ72はクロッ
クセレクタ8′より得られる選択クロック信号S8′に
同期して動作し、読み出し及び書き込み動作を行う。ま
た、メモリ72は入出力端子102′に接続されてお
り、入出力端子102′を介してデジタルデータバス4
上のデジタル信号との入出力を行うことができる。The memory 72 in the D / A converter 12 operates in synchronization with the selected clock signal S8 'obtained from the clock selector 8', and performs read and write operations. The memory 72 is connected to the input / output terminal 102 ', and the digital data bus 4 is connected via the input / output terminal 102'.
Input and output can be performed with the above digital signal.
【0080】一方、DSP2は、入出力端子101を介
して入出力されるデジタルデータバス4上のデジタル信
号及び外部データ入出力端子105を介して入出力され
るデジタル信号に対し、エンコード処理、デコード処理
等の種々のデジタル信号処理を施す。この際、クロック
信号発生回路5から発生される内部クロック信号である
DSPクロック信号S5に同期して動作する。クロック
信号発生回路5は外部クロック入力端子106より得ら
れる外部クロック信号に基づきDSPクロック信号S5
を発生する。On the other hand, the DSP 2 encodes and decodes a digital signal on the digital data bus 4 input / output via the input / output terminal 101 and a digital signal input / output via the external data input / output terminal 105. Various digital signal processing such as processing is performed. At this time, the clock signal generation circuit 5 operates in synchronization with the DSP clock signal S5 which is an internal clock signal. The clock signal generation circuit 5 uses the DSP clock signal S5 based on the external clock signal obtained from the external clock input terminal 106.
To occur.
【0081】DSP2は、テストモード端子110から
テストモード信号線10を介して、自己診断テストを指
示するテストモード信号を受けると、メモリ21等の内
部回路の自己診断テストを実行する。When the DSP 2 receives the test mode signal instructing the self-diagnosis test from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10, the DSP 2 executes the self-diagnosis test of the internal circuit such as the memory 21.
【0082】また、テストモード端子110からテスト
モード信号線10を介して、A/D変換器3のメモリ7
1のテストを指示するテストモード信号を受けると、メ
モリ制御信号線9を介して、メモリ71の書き込み動作
及び読み出し動作を制御する読み書き制御信号S9をメ
モリ71に出力し、メモリ71に対するメモリのテスト
を行う。そして、テストモード端子110からテストモ
ード信号線10を介して、D/A変換器12のメモリ7
2のテストを指示するテストモード信号を受けると、メ
モリ制御信号線9を介して、メモリ72の書き込み動作
及び読み出し動作を制御する読み書き制御信号S9をメ
モリ72に出力し、メモリ72に対するメモリのテスト
を行う。Further, the memory 7 of the A / D converter 3 is connected from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10.
When the test mode signal for instructing the test of No. 1 is received, the read / write control signal S9 for controlling the write operation and the read operation of the memory 71 is output to the memory 71 through the memory control signal line 9, and the memory test for the memory 71 is performed. I do. Then, the memory 7 of the D / A converter 12 is passed from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10.
When the test mode signal instructing the test of No. 2 is received, the read / write control signal S9 for controlling the write operation and the read operation of the memory 72 is output to the memory 72 via the memory control signal line 9, and the memory test for the memory 72 is performed. I do.
【0083】これらのA/D変換器3及びD/A変換器
12に対するメモリテスト手順は、DSP2内部のプラ
グラム格納用メモリに予め書き込まれており、DSP2
の自己診断用の内部のメモリ21に対するテストをその
まま転用している。なお、103はテスト結果であるF
ail情報を出力するためのフェイルフラグ端子、10
4は外部アドレス端子である。The memory test procedure for the A / D converter 3 and the D / A converter 12 is written in advance in the program storage memory inside the DSP2.
The test for the internal memory 21 for self-diagnosis is diverted as it is. In addition, 103 is a test result F
Fail flag terminal for outputting ail information, 10
Reference numeral 4 is an external address terminal.
【0084】図6は、第3の実施例の半導体集積回路の
テスト動作を示すフローチャートである。FIG. 6 is a flow chart showing the test operation of the semiconductor integrated circuit of the third embodiment.
【0085】図6を参照して、まず、ステップS31
で、外部からテストモード端子110を介してDSP2
の自己診断テストを指示するテストモード信号をDSP
2に与えることにより、DSP2の自己診断がなされ、
メモリ21等のDSP2の内部回路がテストされる。自
己診断の手順を示したプログラムは、第1及び第2の実
施例同様、既にDSP2内部に書き込まれている。Referring to FIG. 6, first, step S31.
Then, from the outside through the test mode terminal 110, the DSP2
The test mode signal that directs the self-diagnosis test of the DSP
2, the self-diagnosis of DSP2 is made,
The internal circuit of the DSP 2 such as the memory 21 is tested. The program showing the self-diagnosis procedure is already written in the DSP 2 as in the first and second embodiments.
【0086】そして、ステップS32でDSP2の自己
診断テストの結果が判定され、Failならば、ステッ
プS37でFail情報がフェイルフラグ端子103に
出力されて処理を終了する。一方、自己診断テストの結
果がPassならば、ステップS33に移行する。Then, in step S32, the result of the self-diagnosis test of the DSP 2 is determined. If the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S37, and the process is terminated. On the other hand, if the result of the self-diagnosis test is Pass, the process proceeds to step S33.
【0087】ステップS33で、外部からテストモード
端子110を介してA/D変換器3のメモリ71のテス
トを指示するテストモード信号をDSP2及びA/D変
換器3のクロックセレクタ8に与える。すると、クロッ
クセレクタ8は、DSPクロック信号S5を選択クロッ
ク信号S8としてメモリ71に出力する。その結果、メ
モリ71はDSP2の動作クロックであるDSPクロッ
ク信号S5に同期して読み書き動作が可能となる。In step S33, a test mode signal for instructing the test of the memory 71 of the A / D converter 3 is externally applied to the DSP 2 and the clock selector 8 of the A / D converter 3 via the test mode terminal 110. Then, the clock selector 8 outputs the DSP clock signal S5 to the memory 71 as the selected clock signal S8. As a result, the memory 71 can perform the read / write operation in synchronization with the DSP clock signal S5 which is the operation clock of the DSP 2.
【0088】この状況下で、DSP2により、内部のメ
モリに格納されたメモリテスト手順に従い、メモリ制御
信号線9を介して読み出しあるいは書き込み制御信号を
メモリ71に与え、入出力端子102、デジタルデータ
バス4及び入出力端子101を介して、メモリ71に対
するデジタルデータの書き込み及び読み出し動作を行う
ことにより、A/D変換器3のメモリ71に対するテス
トを実行する。Under this circumstance, the DSP 2 gives a read or write control signal to the memory 71 through the memory control signal line 9 in accordance with the memory test procedure stored in the internal memory, and the input / output terminal 102 and the digital data bus. The test for the memory 71 of the A / D converter 3 is executed by performing the writing and reading operations of the digital data with respect to the memory 71 via the 4 and the input / output terminal 101.
【0089】A/D変換器3のメモリ71に対するメモ
リテストは、第1及び第2の実施例同様、DSP2の内
部のメモリ21に対するメモリテストと同内容のメモリ
テストである。The memory test for the memory 71 of the A / D converter 3 is the same as the memory test for the internal memory 21 of the DSP 2 as in the first and second embodiments.
【0090】そして、ステップS34で、メモリテスト
の結果が判定され、Failならば、ステップS37で
Fail情報がフェイルフラグ端子103に出力されて
処理が終了する。一方、自己診断テストの結果がPas
sならば、ステップS35に移行する。Then, in step S34, the result of the memory test is determined, and if the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S37, and the process ends. On the other hand, the result of the self-diagnosis test is Pas.
If s, the process proceeds to step S35.
【0091】ステップS35で、外部からテストモード
端子110を介してD/A変換器12のメモリ72のテ
ストを指示するテストモード信号をDSP2及びD/A
変換器12のクロックセレクタ8′に与える。すると、
クロックセレクタ8′は、DSPクロック信号S5を選
択クロック信号S8′としてメモリ72に出力する。そ
の結果、メモリ72はDSP2の動作クロックであるD
SPクロック信号S5に同期して読み書き動作が可能と
なる。In step S35, a test mode signal for instructing a test of the memory 72 of the D / A converter 12 is externally supplied via the test mode terminal 110 to the DSP 2 and the D / A.
It is given to the clock selector 8'of the converter 12. Then,
The clock selector 8 ′ outputs the DSP clock signal S5 to the memory 72 as the selected clock signal S8 ′. As a result, the memory 72 is D, which is the operation clock of the DSP 2.
A read / write operation can be performed in synchronization with the SP clock signal S5.
【0092】この状況下で、DSP2により、内部のメ
モリに格納されたメモリテスト手順に従い、メモリ制御
信号線9を介して読み出しあるいは書き込み制御信号を
メモリ72に与え、入出力端子102′、デジタルデー
タバス4及び入出力端子101を介して、メモリ72に
対するデジタルデータの書き込み及び読み出し動作を行
うことにより、D/A変換器12のメモリ72に対する
テストを実行する。Under this circumstance, the DSP 2 gives a read or write control signal to the memory 72 via the memory control signal line 9 according to the memory test procedure stored in the internal memory, and the input / output terminal 102 'and the digital data are supplied. A test of the D / A converter 12 with respect to the memory 72 is executed by performing digital data writing and reading operations with respect to the memory 72 via the bus 4 and the input / output terminal 101.
【0093】D/A変換器12のメモリ72に対するメ
モリテストは、第1及び第2のの実施例同様、DSP2
の内部のメモリ21に対するメモリテストと同内容のメ
モリテストである。The memory test for the memory 72 of the D / A converter 12 is performed by the DSP 2 as in the first and second embodiments.
The memory test has the same contents as the memory test for the internal memory 21 of the.
【0094】そして、ステップS36で、メモリテスト
の結果が判定され、Failならば、ステップS37で
Fail情報がフェイルフラグ端子103に出力されて
処理が終了する。一方、自己診断テストの結果がPas
sならば、何もせず処理が終了する。Then, in step S36, the result of the memory test is determined, and if the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S37, and the process ends. On the other hand, the result of the self-diagnosis test is Pas.
If s, the process ends without doing anything.
【0095】上記テストを行った後、Failフラグ端
子103からのFail情報の有無を外部から監視する
ことにより外部でテスト結果情報を得ることができる。
また、第1及び第2の実施例同様、Failの状態は外
部アドレス端子104及び外部データ端子105により
Failアドレスとデータとして外部から知ることがで
きる。After the above-mentioned test, the test result information can be obtained externally by externally monitoring the presence or absence of Fail information from the Fail flag terminal 103.
Further, as in the first and second embodiments, the state of Fail can be known from the outside as a Fail address and data by the external address terminal 104 and the external data terminal 105.
【0096】このように、第3の実施例の半導体集積回
路は、A/D変換器3のメモリ71及びD/A変換器1
2のメモリ72に対するテストをDSP2の内部のメモ
リ21に対するテストを転用して実行可能にしたため、
外部からはA/D変換器3のメモリ71あるいはD/A
変換器12のメモリ72のメモリテストの実行を指示す
るテストモード信号を付与するだけでよく、メモリ71
の容量に応じたテストベクトルを準備する必要もなく、
テストを効率的に行うことができる。As described above, the semiconductor integrated circuit of the third embodiment has the memory 71 of the A / D converter 3 and the D / A converter 1.
Since the test for the memory 72 of No. 2 can be executed by diverting the test for the memory 21 inside the DSP 2,
From the outside, the memory 71 of the A / D converter 3 or the D / A
All that is required is to provide a test mode signal instructing execution of a memory test of the memory 72 of the converter 12.
It is not necessary to prepare a test vector according to the capacity of
The test can be performed efficiently.
【0097】<第4の実施例>図7はこの発明の第4の
実施例である半導体集積回路の構成を示すブロック図で
ある。図7に示すように、半導体集積回路1は、A/D
&D/A変換器13及びDSP2から構成される。<Fourth Embodiment> FIG. 7 is a block diagram showing a structure of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention. As shown in FIG. 7, the semiconductor integrated circuit 1 has an A / D
It is composed of an & D / A converter 13 and a DSP 2.
【0098】A/D&D/A変換器13は、アナログ信
号入力端子112を介して外部からアナログ信号を取り
込み、A/D変換した後、内部のメモリ73を活用して
オーバーサンプリング処理等を行う。さらに、A/D&
D/A変換器13は、メモリ73等から得られるデジタ
ル信号をD/A変換しアナログフィルタリング処理等を
施した後、アナログ信号出力端子113を介して外部に
アナログ信号を出力する。The A / D & D / A converter 13 fetches an analog signal from the outside through the analog signal input terminal 112, performs A / D conversion, and then utilizes the internal memory 73 to perform oversampling processing and the like. In addition, A / D &
The D / A converter 13 D / A converts the digital signal obtained from the memory 73 or the like to perform analog filtering processing, and then outputs the analog signal to the outside via the analog signal output terminal 113.
【0099】A/D&D/A変換器13は、クロック信
号発生回路6から出力される内部クロック信号S6に同
期して上記処理を実行する。クロック信号発生回路6は
外部クロック入力端子107を介して得られる外部クロ
ック信号に基づき、内部クロック信号S6を発生する。The A / D & D / A converter 13 executes the above processing in synchronization with the internal clock signal S6 output from the clock signal generation circuit 6. The clock signal generation circuit 6 generates the internal clock signal S6 based on the external clock signal obtained via the external clock input terminal 107.
【0100】クロック信号発生回路6の内部クロック信
号S6はクロックセレクタ8に入力される。クロックセ
レクタ8は、内部クロック信号S6とともにクロック信
号線114を介して得られるDSPクロック信号S5を
取り込み、内部クロック信号S6及びDSPクロック信
号S5のうち、通常時は、内部クロック信号S6を選択
クロック信号S8としてメモリ73に出力し、テストモ
ード端子110からテストモード信号線10を介してメ
モリ73のテストを指示するテストモード信号を受ける
と、DSPクロック信号S5を選択クロック信号S8と
してメモリ73に出力する。The internal clock signal S6 of the clock signal generation circuit 6 is input to the clock selector 8. The clock selector 8 takes in the DSP clock signal S5 obtained via the clock signal line 114 together with the internal clock signal S6, and normally selects the internal clock signal S6 from the internal clock signal S6 and the DSP clock signal S5. When it is output to the memory 73 as S8 and the test mode signal for instructing the test of the memory 73 is received from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10, the DSP clock signal S5 is output to the memory 73 as the selected clock signal S8. .
【0101】A/D&D/A変換器13内のメモリ73
はクロックセレクタ8より得られる選択クロック信号S
8に同期して動作し、読み出し及び書き込み動作を行
う。また、メモリ73は入出力端子102に接続されて
おり、入出力端子102を介してデジタルデータバス4
上のデジタル信号との入出力を行うことができる。Memory 73 in A / D & D / A converter 13
Is the selected clock signal S obtained from the clock selector 8.
It operates in synchronism with 8 to perform read and write operations. The memory 73 is connected to the input / output terminal 102, and the digital data bus 4 is connected via the input / output terminal 102.
Input and output can be performed with the above digital signal.
【0102】一方、DSP2は、入出力端子101を介
して入出力されるデジタルデータバス4上のデジタル信
号及び外部データ入出力端子105を介して入出力され
るデジタル信号に対し、エンコード処理、デコード処理
等の種々のデジタル信号処理を施す。この際、クロック
信号発生回路5から発生される内部クロック信号である
DSPクロック信号S5に同期して動作する。クロック
信号発生回路5は外部クロック入力端子106より得ら
れる外部クロック信号に基づきDSPクロック信号S5
を発生する。On the other hand, the DSP 2 encodes and decodes a digital signal on the digital data bus 4 input / output via the input / output terminal 101 and a digital signal input / output via the external data input / output terminal 105. Various digital signal processing such as processing is performed. At this time, the clock signal generation circuit 5 operates in synchronization with the DSP clock signal S5 which is an internal clock signal. The clock signal generation circuit 5 uses the DSP clock signal S5 based on the external clock signal obtained from the external clock input terminal 106.
To occur.
【0103】DSP2は、テストモード端子110から
テストモード信号線10を介して、自己診断テストを指
示するテストモード信号を受けると、メモリ21等の内
部回路の自己診断テストを実行する。When receiving the test mode signal instructing the self-diagnosis test from the test mode terminal 110 through the test mode signal line 10, the DSP 2 executes the self-diagnosis test of the internal circuit such as the memory 21.
【0104】また、テストモード端子110からテスト
モード信号線10を介して、A/D&D/A変換器13
のメモリ73のテストを指示するテストモード信号を受
けると、メモリ制御信号線9を介して、メモリ73の書
き込み動作及び読み出し動作を制御する読み書き制御信
号S9をメモリ73に出力し、メモリ73に対するメモ
リのテストを行う。Further, the A / D & D / A converter 13 is connected from the test mode terminal 110 via the test mode signal line 10.
When a test mode signal for instructing a test of the memory 73 is received, a read / write control signal S9 for controlling a write operation and a read operation of the memory 73 is output to the memory 73 via the memory control signal line 9, and the memory 73 Test.
【0105】このA/D&D/A変換器13に対するメ
モリテスト手順は、DSP2内部のプラグラム格納用メ
モリに予め書き込まれており、DSP2の自己診断用の
内部のメモリ21に対するテストをそのまま転用してい
る。なお、103はテスト結果であるFail情報を出
力するためのフェイルフラグ端子、104は外部アドレ
ス端子である。The memory test procedure for the A / D & D / A converter 13 is written in advance in the program storage memory inside the DSP 2, and the test for the internal memory 21 for self-diagnosis of the DSP 2 is used as it is. . In addition, 103 is a fail flag terminal for outputting Fail information which is a test result, and 104 is an external address terminal.
【0106】図8は、第4の実施例の半導体集積回路の
テスト動作を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flow chart showing the test operation of the semiconductor integrated circuit of the fourth embodiment.
【0107】図8を参照して、まず、ステップS41
で、外部からテストモード端子110を介してDSP2
の自己診断テストを指示するテストモード信号をDSP
2に与えることにより、DSP2の自己診断がなされ、
メモリ21等のDSP2の内部回路がテストされる。自
己診断の手順を示したプログラムは、第1〜第3の実施
例同様、既にDSP2内部に書き込まれている。Referring to FIG. 8, first, step S41.
Then, from the outside through the test mode terminal 110, the DSP2
The test mode signal that directs the self-diagnosis test of the DSP
2, the self-diagnosis of DSP2 is made,
The internal circuit of the DSP 2 such as the memory 21 is tested. The program showing the self-diagnosis procedure is already written in the DSP 2 as in the first to third embodiments.
【0108】そして、ステップS42でDSP2の自己
診断テストの結果が判定され、Failならば、ステッ
プS45でFail情報がフェイルフラグ端子103に
出力されて処理を終了する。一方、自己診断テストの結
果がPassならば、ステップS43に移行する。Then, in step S42, the result of the self-diagnosis test of the DSP 2 is determined, and if the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S45, and the process ends. On the other hand, if the result of the self-diagnosis test is Pass, the process proceeds to step S43.
【0109】ステップS43で、外部からテストモード
端子110を介してA/D&D/A変換器13のメモリ
73のテストを指示するテストモード信号をDSP2及
びA/D&D/A変換器13のクロックセレクタ8に与
える。すると、クロックセレクタ8は、DSPクロック
信号S5を選択クロック信号S8としてメモリ73に出
力する。その結果、メモリ73はDSP2の動作クロッ
クであるDSPクロック信号S5に同期して読み書き動
作が可能となる。In step S43, the test mode signal for instructing the test of the memory 73 of the A / D & D / A converter 13 is externally supplied via the test mode terminal 110 to the DSP 2 and the clock selector 8 of the A / D & D / A converter 13. Give to. Then, the clock selector 8 outputs the DSP clock signal S5 to the memory 73 as the selected clock signal S8. As a result, the memory 73 can perform the read / write operation in synchronization with the DSP clock signal S5 which is the operation clock of the DSP2.
【0110】この状況下で、DSP2により、内部のメ
モリに格納されたメモリテスト手順に従い、メモリ制御
信号線9を介して読み出しあるいは書き込み制御信号を
メモリ73に与え、入出力端子102、デジタルデータ
バス4及び入出力端子101を介して、メモリ73に対
するデジタルデータの書き込み及び読み出し動作を行う
ことにより、A/D&D/A変換器13のメモリ73に
対するテストを実行する。Under this circumstance, the DSP 2 gives a read or write control signal to the memory 73 via the memory control signal line 9 in accordance with the memory test procedure stored in the internal memory, and the input / output terminal 102 and the digital data bus. The test of the memory 73 of the A / D & D / A converter 13 is executed by performing the writing and reading operations of the digital data with respect to the memory 73 via the 4 and the input / output terminal 101.
【0111】A/D&D/A変換器13のメモリ73に
対するメモリテストは、第1〜第3の実施例同様、DS
P2の内部のメモリ21に対するメモリテストと同内容
のメモリテストである。The memory test for the memory 73 of the A / D & D / A converter 13 is performed by the DS test as in the first to third embodiments.
This is the same memory test as the memory test for the internal memory 21 of P2.
【0112】そして、ステップS44で、メモリテスト
の結果が判定され、Failならば、ステップS45で
Fail情報がフェイルフラグ端子103に出力されて
処理が終了する。一方、自己診断テストの結果がPas
sならば、何もせず処理が終了する。Then, in step S44, the result of the memory test is determined. If the result is Fail, Fail information is output to the fail flag terminal 103 in step S45, and the process ends. On the other hand, the result of the self-diagnosis test is Pas.
If s, the process ends without doing anything.
【0113】上記テストを行った後、Failフラグ端
子103からのFail情報の有無を外部から監視する
ことにより外部でテスト結果情報を得ることができる。
また、第1〜第3の実施例同様、Failの状態は外部
アドレス端子104及び外部データ端子105によりF
ailアドレスとデータとして外部から知ることができ
る。After the above test is performed, it is possible to obtain test result information externally by externally monitoring the presence or absence of Fail information from the Fail flag terminal 103.
As in the first to third embodiments, the state of Fail is F by the external address terminal 104 and the external data terminal 105.
It can be known from the outside as an aile address and data.
【0114】このように、第4の実施例の半導体集積回
路は、A/D&D/A変換器13のメモリ73に対する
テストをDSP2の内部のメモリ21に対するテストを
転用して実行可能にしたため、外部からはA/D&D/
A変換器13のメモリ73のメモリテストの実行を指示
するテストモード信号を付与するだけでよく、メモリ7
3の容量に応じたテストベクトルを準備する必要もな
く、テストを効率的に行うことができる。As described above, in the semiconductor integrated circuit of the fourth embodiment, the test for the memory 73 of the A / D & D / A converter 13 can be executed by diverting the test for the memory 21 inside the DSP 2. From A / D & D /
All that is required is to add a test mode signal instructing execution of the memory test of the memory 73 of the A converter 13.
The test can be efficiently performed without the need to prepare a test vector corresponding to the capacity of 3.
【0115】<その他>上記第1〜第4の実施例で述べ
たメモリ71〜73は、RAM,ROM等に限定されな
いのは勿論である。また、メモリ71〜73がROMの
場合、DSP2からのDSPクロック信号S5により、
ROMのアドレスを1ずつインクリメントして、格納デ
ータをDSP2に順次読み出し、DSP2において読み
出した全データを圧縮してテストを行うことも可能であ
る。<Others> It goes without saying that the memories 71 to 73 described in the first to fourth embodiments are not limited to RAM, ROM and the like. If the memories 71 to 73 are ROMs, the DSP clock signal S5 from the DSP2 causes
It is also possible to perform the test by incrementing the address of the ROM by 1 and sequentially reading the stored data to the DSP 2 and compressing all the data read by the DSP 2.
【0116】[0116]
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項1及び請求項4〜請求項6記載の半導体集積回路
において、外部より得られるテストモード信号が第2の
記憶手段の良否判定テストを指示するとき、A/D変換
手段のクロック信号選択手段は、第1のクロック信号を
選択クロック信号として出力し、デジタル信号処理手段
は、自身に備わった記憶手段テスト機能を用いて、デジ
タルデータバスを介して第2の記憶手段に対する読み書
きを実行することにより、第2の記憶手段に対する良否
判定テストを行う。As described above, in the semiconductor integrated circuit according to the first aspect and the fourth to sixth aspects of the present invention, the test mode signal obtained from the outside is used for the pass / fail judgment test of the second storage means. When instructing, the clock signal selection means of the A / D conversion means outputs the first clock signal as the selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means test function provided in itself to output the digital data bus. By executing reading and writing with respect to the second storage means via the, the pass / fail judgment test for the second storage means is performed.
【0117】その結果、テスト用の信号を外部から全く
付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するテストモード信号を外部から付与するだけで、
第2の記憶手段に対する良否テストを行うことができる
ため、A/D変換手段の第2の記憶手段に対する良否テ
ストを効率的に行うことができる。As a result, a test mode signal for instructing a pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without externally applying a test signal.
Since the pass / fail test can be performed on the second storage unit, the pass / fail test on the second storage unit of the A / D conversion unit can be efficiently performed.
【0118】この発明における請求項2及び請求項4〜
請求項6記載の半導体集積回路において、外部より得ら
れるテストモード信号が第2の記憶手段の良否判定テス
トを指示するとき、D/A変換手段のクロック信号選択
手段は、第1のクロック信号を選択クロック信号として
出力し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶
手段テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介して
第2の記憶手段に対する読み書きを実行することによ
り、第2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。Claims 2 and 4 of the present invention
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein when a test mode signal obtained from the outside instructs a pass / fail judgment test of the second storage means, the clock signal selection means of the D / A conversion means outputs the first clock signal. The digital signal processing unit outputs the selected clock signal, and the digital signal processing unit uses the storage unit test function provided in itself to read and write the second storage unit via the digital data bus, and thereby the second storage unit is read. Perform a pass / fail test.
【0119】その結果、テスト用の信号を外部から全く
付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するテストモード信号を外部から付与するだけで、
第2の記憶手段に対する良否テストを行うことができる
ため、D/A変換手段の第2の記憶手段に対する良否テ
ストを効率的に行うことができる。As a result, a test mode signal for instructing a pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without externally applying a test signal.
Since the pass / fail test for the second storage means can be performed, the pass / fail test for the second storage means of the D / A conversion means can be efficiently performed.
【0120】この発明における請求項3〜請求項6記載
の半導体集積回路において、外部より得られるテストモ
ード信号が第2の記憶手段の良否判定テストを指示する
とき、A/D・D/A変換手段のクロック信号選択手段
は、第1のクロック信号を選択クロック信号として出力
し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶手段
テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介して第2
の記憶手段に対する読み書きを実行することにより、第
2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。In the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 3 to 6 of the present invention, when a test mode signal obtained from the outside directs a pass / fail test of the second storage means, A / D / D / A conversion is performed. The clock signal selecting means of the means outputs the first clock signal as the selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means testing function provided in itself to output the second clock signal via the digital data bus.
By executing reading and writing with respect to the storage means, the pass / fail judgment test for the second storage means is performed.
【0121】その結果、テスト用の信号を外部から全く
付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するテストモード信号を外部から付与するだけで、
第2の記憶手段に対する良否テストを行うことができる
ため、A/D・D/A変換手段の第2の記憶手段に対す
る良否テストを効率的に行うことができる。As a result, a test mode signal for instructing the pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without externally applying a test signal.
Since the pass / fail test can be performed on the second storage unit, the pass / fail test on the second storage unit of the A / D / D / A conversion unit can be efficiently performed.
【0122】この発明における請求項7〜請求項10記
載の半導体集積回路において、外部より得られるテスト
モード信号が第2の記憶手段の良否判定テストを指示す
るとき、A/D変換手段の第1のクロック信号選択手段
は、第1のクロック信号を第1の選択クロック信号とし
て出力し、デジタル信号処理手段は、自身に備わった記
憶手段テスト機能を用いて、デジタルデータバスを介し
て第2の記憶手段に対する読み書きを実行することによ
り、第2の記憶手段に対する良否判定テストを行う。In the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 7 to 10 of the present invention, when the test mode signal obtained from the outside instructs the pass / fail judgment test of the second storage means, the first of the A / D conversion means is used. Of the clock signal selecting means outputs the first clock signal as the first selected clock signal, and the digital signal processing means uses the storage means testing function provided in itself to output the second clock signal via the digital data bus. By executing reading and writing to the storage means, a pass / fail judgment test is performed on the second storage means.
【0123】また、外部より得られるテストモード信号
が第3の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、D
/A変換手段の第2のクロック信号選択手段は、第1の
クロック信号を第2の選択クロック信号として出力し、
デジタル信号処理手段は、自身に備わった記憶手段テス
ト機能を用いて、デジタルデータバスを介して第3の記
憶手段に対する読み書きを実行することにより、第3の
記憶手段に対する良否判定テストを行う。Further, when the test mode signal obtained from the outside directs the pass / fail judgment test of the third storage means, D
The second clock signal selection means of the / A conversion means outputs the first clock signal as a second selection clock signal,
The digital signal processing means performs a pass / fail judgment test on the third storage means by executing reading / writing from / to the third storage means via the digital data bus using the storage means test function provided in itself.
【0124】その結果、テスト用の信号を外部から全く
付与することなく、第2の記憶手段の良否判定テストを
指示するテストモード信号を外部から付与するだけで、
第2の記憶手段に対する良否テストを行うことができ、
第3の記憶手段の良否判定テストを指示するテストモー
ド信号を外部から付与するだけで、第3の記憶手段に対
する良否テストを行うことができるため、A/D変換手
段の第2の記憶手段及びD/A変換手段の第3の記憶手
段それぞれに対する良否テストを効率的に行うことがで
きる。As a result, a test mode signal for instructing the pass / fail judgment test of the second storage means is externally applied without externally applying a test signal.
It is possible to perform a pass / fail test for the second storage means,
Since the pass / fail test for the third storage means can be performed only by externally applying the test mode signal for instructing the pass / fail judgment test of the third storage means, the second storage means of the A / D conversion means and The pass / fail test for each of the third storage units of the D / A conversion unit can be efficiently performed.
【図1】この発明の第1の実施例である半導体集積回路
の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.
【図2】図1の半導体集積回路のテスト動作を示すフロ
ーチャートである。2 is a flowchart showing a test operation of the semiconductor integrated circuit of FIG.
【図3】この発明の第2の実施例である半導体集積回路
の構成を示すブロック図である。FIG. 3 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図4】図3の半導体集積回路のテスト動作を示すフロ
ーチャートである。4 is a flowchart showing a test operation of the semiconductor integrated circuit of FIG.
【図5】この発明の第3の実施例である半導体集積回路
の構成を示すブロック図である。FIG. 5 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図6】図5の半導体集積回路のテスト動作を示すフロ
ーチャートである。6 is a flowchart showing a test operation of the semiconductor integrated circuit of FIG.
【図7】この発明の第4の実施例である半導体集積回路
の構成を示すブロック図である。FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a semiconductor integrated circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図8】図7の半導体集積回路のテスト動作を示すフロ
ーチャートである。8 is a flowchart showing a test operation of the semiconductor integrated circuit of FIG.
【図9】従来の半導体集積回路の構成を示すブロック図
である。FIG. 9 is a block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor integrated circuit.
2 DSP 3 A/D変換器 5 クロック信号発生回路 6 クロック信号発生回路 8 クロックセレクタ 12 D/A変換器 13 A/D&D/A変換器 21 メモリ(DSP2内) 71 メモリ(A/D変換器3内) 72 メモリ(D/A変換器12内) 73 メモリ(A/D&D/A変換器13内) 2 DSP 3 A / D converter 5 Clock signal generation circuit 6 Clock signal generation circuit 8 Clock selector 12 D / A converter 13 A / D & D / A converter 21 Memory (in DSP2) 71 Memory (A / D converter 3) 72 memory (in the D / A converter 12) 73 memory (in the A / D & D / A converter 13)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 27/06 H03M 1/10 C D ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01L 27/06 H03M 1/10 CD
Claims (10)
信号入力端子と、 外部よりテストモード信号を受けるテストモード端子
と、 デジタルデータバスと、 前記アナログ信号入力端子を介して得られる前記アナロ
グ信号をA/D変換してデジタル信号を出力するA/D
変換手段と、 前記デジタル信号を受け、該デジタル信号に対し、種々
のデジタル信号処理を施すデジタル信号処理手段とを備
えた半導体集積回路であって、 前記デジタル信号処理手段は、 第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号発生
手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デジタル信
号処理手段の外部にも出力され、 前記第1のクロック信号に同期して読み書き可能な第1
の記憶手段をさらに備え、前記第1の記憶手段の良否を
判定する記憶手段テスト機能を有し、 前記A/D変換手段は、 第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号発生
手段と、 前記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を
受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第
2のクロック信号のうち、一方の信号を選択クロック信
号として出力するクロック信号選択手段と、 前記選択クロック信号に同期して読み書き可能な第2の
記憶手段とを備え、 前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバスを介し
て読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接続さ
れ、 前記A/D変換手段の前記クロック信号選択手段は、前
記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良否判定テ
ストを指示するとき、前記第1のクロック信号を前記選
択クロック信号として出力し、それ以外のとき、前記第
2クロック信号を前記選択クロック信号として出力し、 前記デジタル信号処理手段は、前記テストモード信号が
前記第2の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、
前記記憶手段テスト機能を用いて、前記デジタルデータ
バスを介して前記第2の記憶手段に対する読み書きを実
行することにより、前記第2の記憶手段に対する良否判
定テストを行うことを特徴とする半導体集積回路。1. An analog signal input terminal for receiving an analog signal from the outside, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, a digital data bus, and an analog signal input via the analog signal input terminal A / D that D-converts and outputs a digital signal
A semiconductor integrated circuit comprising: a conversion unit; and a digital signal processing unit that receives the digital signal and performs various kinds of digital signal processing on the digital signal, wherein the digital signal processing unit is a first clock signal. A first clock signal generating means for generating the first clock signal, the first clock signal being output to the outside of the digital signal processing means, and being readable and writable in synchronization with the first clock signal.
Storage means for determining whether the first storage means is good or bad, and the A / D conversion means includes a second clock signal generation means for generating a second clock signal. A clock signal selecting means for receiving the first clock signal and the second clock signal and outputting one of the first and second clock signals as a selected clock signal based on the test mode signal. And a second storage unit capable of reading and writing in synchronization with the selected clock signal, the second storage unit being readable and writable connected to the digital signal processing unit via the digital data bus, The clock signal selection means of the A / D conversion means, when the test mode signal indicates a pass / fail judgment test of the second storage means, the first clock Signal is output as the selected clock signal, otherwise the second clock signal is output as the selected clock signal, and the digital signal processing means determines whether the test mode signal is good or bad in the second storage means. When instructing the test,
A semiconductor integrated circuit characterized by performing a pass / fail judgment test on the second storage means by performing reading / writing from / to the second storage means via the digital data bus using the storage means test function. .
と、 デジタルデータバスと、 デジタル信号をD/A変換してアナログ信号を前記アナ
ログ信号出力端子に出力するD/A変換手段と、 前記デジタル信号に対し、種々のデジタル信号処理を施
すデジタル信号処理手段とを備えた半導体集積回路であ
って、 前記デジタル信号処理手段は、 第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号発生
手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デジタル信
号処理手段の外部にも出力され、 前記第1のクロック信号に同期して読み書き可能な第1
の記憶手段をさらに備え、前記第1の記憶手段の良否を
判定する記憶手段テスト機能を有し、 前記D/A変換手段は、 第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号発生
手段と、 前記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を
受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第
2のクロック信号のうち、一方の信号を選択クロック信
号として出力するクロック信号選択手段と、 前記選択クロック信号に同期して読み書き可能な第2の
記憶手段とを備え、 前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバスを介し
て読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接続さ
れ、 前記D/A変換手段の前記クロック信号選択手段は、前
記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良否判定テ
ストを指示するとき、前記第1のクロック信号を前記選
択クロック信号として出力し、それ以外のとき、前記第
2クロック信号を前記選択クロック信号として出力し、 前記デジタル信号処理手段は、前記テストモード信号が
前記第2の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、
前記記憶手段テスト機能を用いて、前記デジタルデータ
バスを介して前記第2の記憶手段に対する読み書きを実
行することにより、前記第2の記憶手段に対する良否判
定テストを行うことを特徴とする半導体集積回路。2. An analog signal output terminal, a test mode terminal that receives a test mode signal from the outside, a digital data bus, and a D / A that converts the digital signal to D / A and outputs the analog signal to the analog signal output terminal. A semiconductor integrated circuit comprising: an A conversion means; and a digital signal processing means for performing various digital signal processing on the digital signal, wherein the digital signal processing means generates a first clock signal. First clock signal is output to the outside of the digital signal processing means, and the first clock signal is readable and writable in synchronization with the first clock signal.
Storage means for determining whether the first storage means is good or bad, and the D / A conversion means is a second clock signal generation means for generating a second clock signal. A clock signal selecting means for receiving the first clock signal and the second clock signal and outputting one of the first and second clock signals as a selected clock signal based on the test mode signal. And a second storage unit capable of reading and writing in synchronization with the selected clock signal, the second storage unit being readable and writable connected to the digital signal processing unit via the digital data bus, The clock signal selection means of the D / A conversion means, when the test mode signal instructs a pass / fail judgment test of the second storage means, the first clock Signal is output as the selected clock signal, otherwise the second clock signal is output as the selected clock signal, and the digital signal processing means determines whether the test mode signal is good or bad in the second storage means. When instructing the test,
A semiconductor integrated circuit characterized by performing a pass / fail judgment test on the second storage means by performing reading / writing from / to the second storage means via the digital data bus using the storage means test function. .
アナログ信号入力端子と、 アナログ信号出力端子と、 外部よりテストモード信号を受けるテストモード端子
と、 デジタルデータバスと、 前記外部入力アナログ信号をA/D変換してデジタル信
号を出力するとともに、該デジタル信号をD/A変換し
てD/A変換アナログ信号を前記アナログ信号出力端子
に出力するA/D・D/A変換手段と、 前記デジタル信号を受け、該デジタル信号に対し、種々
のデジタル信号処理を施すデジタル信号処理手段とを備
えた半導体集積回路であって、 前記デジタル信号処理手段は、 第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号発生
手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デジタル信
号処理手段の外部にも出力され、 前記第1のクロック信号に同期して読み書き可能な第1
の記憶手段をさらに備え、前記第1の記憶手段の良否を
判定する記憶手段テスト機能を有し、 前記A/D・D/A変換手段は、 第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号発生
手段と、 前記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を
受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第
2のクロック信号のうち、一方の信号を選択クロック信
号として出力するクロック信号選択手段と、 前記選択クロック信号に同期して読み書き可能な第2の
記憶手段とを備え、 前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバスを介し
て読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接続さ
れ、 前記A/D・D/A変換手段の前記クロック信号選択手
段は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良
否判定テストを指示するとき、前記第1のクロック信号
を前記選択クロック信号として出力し、それ以外のと
き、前記第2クロック信号を前記選択クロック信号とし
て出力し、 前記デジタル信号処理手段は、前記テストモード信号が
前記第2の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、
前記記憶手段テスト機能を用いて、前記デジタルデータ
バスを介して前記第2の記憶手段に対する読み書きを実
行することにより、前記第2の記憶手段に対する良否判
定テストを行うことを特徴とする半導体集積回路。3. An analog signal input terminal for receiving an external input analog signal from the outside, an analog signal output terminal, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, a digital data bus, and an external input analog signal A / D / D / A conversion means for D-converting and outputting a digital signal, D / A converting the digital signal and outputting a D / A-converted analog signal to the analog signal output terminal, and the digital signal. And a digital signal processing means for performing various digital signal processing on the digital signal, wherein the digital signal processing means comprises a first clock for generating a first clock signal. Signal generating means, the first clock signal is also output to the outside of the digital signal processing means, the first clock signal The first that can be read and written in synchronization with the No. 1
Storage means for determining whether the first storage means is good or bad, and the A / D / D / A conversion means has a second clock for generating a second clock signal. A signal generating means, receiving the first clock signal and the second clock signal, and outputting one of the first and second clock signals as a selected clock signal based on the test mode signal A clock signal selection unit and a second storage unit capable of reading and writing in synchronization with the selected clock signal are provided, and the second storage unit is readable and writable to the digital signal processing unit via the digital data bus. When the test mode signal is connected, the clock signal selection means of the A / D / D / A conversion means outputs the test result of the second storage means. Outputting a first clock signal as the selected clock signal, and otherwise outputting the second clock signal as the selected clock signal, wherein the digital signal processing means causes the test mode signal to be the second storage When instructing the quality judgment test of the means,
A semiconductor integrated circuit characterized by performing a pass / fail judgment test on the second storage means by performing reading / writing from / to the second storage means via the digital data bus using the storage means test function. .
能を判定する自己診断テスト機能を有し、前記自己診断
テスト機能は前記記憶手段テスト機能を含む請求項1な
いし請求項3のいずれか1項に記載の半導体集積回路。4. The digital signal processing means has a self-diagnosis test function for judging internal performance, and the self-diagnosis test function includes the storage means test function. The semiconductor integrated circuit according to item.
監視可能な良否判定端子をさらに備え、前記第2の記憶
手段に対する良否判定テストの判定結果情報を前記良否
判定端子に出力する請求項4記載の半導体集積回路。5. The digital signal processing means further comprises a quality determination terminal that can be monitored from the outside, and outputs determination result information of a quality determination test to the second storage means to the quality determination terminal. Semiconductor integrated circuit.
る第1のクロック入力端子と、 外部より第2の外部クロック信号を受ける第2のクロッ
ク入力端子とをさらに備え、 前記第1のクロック信号発生手段は前記第1の外部クロ
ック信号に基づき前記第1のクロック信号を発生し、前
記第2のクロック信号発生手段は前記第2の外部クロッ
ク信号に基づき前記第2のクロック信号を発生する請求
項5記載の半導体集積回路。6. A first clock input terminal for receiving a first external clock signal from the outside, and a second clock input terminal for receiving a second external clock signal from the outside, the first clock signal The generating means generates the first clock signal based on the first external clock signal, and the second clock signal generating means generates the second clock signal based on the second external clock signal. Item 5. The semiconductor integrated circuit according to item 5.
信号入力端子と、 アナログ信号出力端子と、 外部よりテストモード信号を受けるテストモード端子
と、 デジタルデータバスと、 前記アナログ信号入力端子を介して得られる前記アナロ
グ信号をA/D変換してデジタル信号を出力するA/D
変換手段と、 前記デジタル信号をD/A変換してアナログ信号を前記
アナログ信号出力端子に出力するD/A変換手段と、 前記デジタル信号を受け、該デジタル信号に対し、種々
のデジタル信号処理を施すデジタル信号処理手段とを備
えた半導体集積回路であって、 前記デジタル信号処理手段は、 第1のクロック信号を発生する第1のクロック信号発生
手段を備え、前記第1のクロック信号は前記デジタル信
号処理手段の外部にも出力され、 前記第1のクロック信号に同期して読み書き可能な第1
の記憶手段をさらに備え、前記第1の記憶手段の良否を
判定する記憶手段テスト機能を有し、 前記A/D変換手段は、 第2のクロック信号を発生する第2のクロック信号発生
手段と、 前記第1のクロック信号及び前記第2のクロック信号を
受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第
2のクロック信号のうち、一方の信号を第1の選択クロ
ック信号として出力する第1のクロック信号選択手段
と、 前記第1の選択クロック信号に同期して読み書き可能な
第2の記憶手段とを備え、 前記第2の記憶手段は、前記デジタルデータバスを介し
て読み書き可能に前記デジタル信号処理手段に接続さ
れ、 前記D/A変換手段は、 第3のクロック信号を発生する第3のクロック信号発生
手段と、 前記第1のクロック信号及び前記第3のクロック信号を
受け、前記テストモード信号に基づき、前記第1及び第
3のクロック信号のうち、一方の信号を第2の選択クロ
ック信号として出力する第2のクロック信号選択手段
と、 前記第2の選択クロック信号に同期して読み書き可能な
第3の記憶手段とを備え、前記第3の記憶手段は、前記
デジタルデータバスを介して読み書き可能に前記デジタ
ル信号処理手段に接続され、 前記A/D変換手段の前記第1のクロック信号選択手段
は、前記テストモード信号が前記第2の記憶手段の良否
判定テストを指示するとき、前記第1のクロック信号を
前記第1の選択クロック信号として出力し、それ以外の
とき、前記第2のクロック信号を第1の前記選択クロッ
ク信号として出力し、 前記D/A変換手段の前記第2のクロック信号選択手段
は、前記テストモード信号が前記第3の記憶手段の良否
判定テストを指示するとき、前記第1のクロック信号を
前記第2の選択クロック信号として出力し、それ以外の
とき、前記第3クロック信号を前記第2の選択クロック
信号として出力し、 前記デジタル信号処理手段は、前記テストモード信号が
前記第2の記憶手段の良否判定テストを指示するとき、
前記記憶手段テスト機能を用いて、前記デジタルデータ
バスを介して前記第2の記憶手段に対する読み書きを実
行することにより、前記第2の記憶手段に対する良否判
定テストを行い、前記テストモード信号が前記第3の記
憶手段の良否判定テストを指示するとき、前記記憶手段
テスト機能を用いて、前記デジタルデータバスを介して
前記第3の記憶手段に対する読み書きを実行することに
より、前記第3の記憶手段に対する良否判定テストを行
うことを特徴とする半導体集積回路。7. An analog signal input terminal for receiving an analog signal from the outside, an analog signal output terminal, a test mode terminal for receiving a test mode signal from the outside, a digital data bus, and the analog signal input terminal. A / D for A / D converting the analog signal and outputting a digital signal
Conversion means; D / A conversion means for D / A converting the digital signal to output an analog signal to the analog signal output terminal; and receiving the digital signal, performing various digital signal processing on the digital signal. And a digital signal processing means for performing the digital signal processing means, wherein the digital signal processing means includes a first clock signal generating means for generating a first clock signal, and the first clock signal is the digital signal. A first readable / writable first signal that is output to the outside of the signal processing means and is synchronized with the first clock signal.
Storage means for determining whether the first storage means is good or bad, and the A / D conversion means includes a second clock signal generation means for generating a second clock signal. Receiving the first clock signal and the second clock signal and outputting one of the first and second clock signals as a first selected clock signal based on the test mode signal, One clock signal selection means and a second storage means capable of reading and writing in synchronization with the first selection clock signal, wherein the second storage means is readable and writable via the digital data bus. The D / A conversion means is connected to digital signal processing means, and the D / A conversion means generates third clock signal, third clock signal generation means, the first clock signal and the third clock signal. A second clock signal selecting means for receiving a clock signal and outputting one of the first and third clock signals as a second selected clock signal based on the test mode signal; And a third storage means capable of reading and writing in synchronization with the selected clock signal, the third storage means being readable and writable connected to the digital signal processing means via the digital data bus. The first clock signal selection means of the D conversion means outputs the first clock signal as the first selected clock signal when the test mode signal instructs a pass / fail judgment test of the second storage means. In the other cases, the second clock signal is output as the first selected clock signal, and the second clock signal selection means of the D / A conversion means is The test mode signal outputs the first clock signal as the second selected clock signal when the quality judgment test of the third storage means is instructed. Otherwise, the third clock signal is output. Outputting as a second selection clock signal, the digital signal processing means, when the test mode signal indicates a pass / fail judgment test of the second storage means,
By using the storage unit test function, a read / write operation is performed on the second storage unit via the digital data bus to perform a pass / fail judgment test on the second storage unit, and the test mode signal indicates No. 3 storage means is instructed, the storage means test function is used to read / write from / to the third storage means via the digital data bus to thereby read / write to the third storage means. A semiconductor integrated circuit characterized by performing a pass / fail judgment test.
能を判定する自己診断テスト機能を有し、前記自己診断
テスト機能は前記記憶手段テスト機能を含む請求項7記
載の半導体集積回路。8. The semiconductor integrated circuit according to claim 7, wherein the digital signal processing means has a self-diagnosis test function for judging internal performance, and the self-diagnosis test function includes the storage means test function.
監視可能な良否判定端子をさらに備え、前記第2の記憶
手段に対する良否判定テストの判定結果情報あるいは前
記第3の記憶手段に対する良否判定テストの判定結果情
報を前記良否判定端子に出力する請求項8記載の半導体
集積回路。9. The digital signal processing means further comprises a pass / fail judgment terminal that can be monitored from the outside, and the judgment result information of the pass / fail judgment test for the second storage means or the pass / fail judgment test for the third storage means. The semiconductor integrated circuit according to claim 8, wherein the determination result information is output to the quality determination terminal.
ける第1のクロック入力端子と、 外部より第2の外部クロック信号を受ける第2のクロッ
ク入力端子と、 外部より第3の外部クロック信号を受ける第3のクロッ
ク入力端子とをさらに備え、 前記第1のクロック信号発生手段は、前記第1の外部ク
ロック信号に基づき前記第1のクロック信号を発生し、
前記第2のクロック信号発生手段は前記第2の外部クロ
ック信号に基づき前記第2のクロック信号を発生し、前
記第3のクロック信号発生手段は前記第3の外部クロッ
ク信号に基づき前記第3のクロック信号を発生する請求
項9記載の半導体集積回路。10. A first clock input terminal for receiving a first external clock signal from the outside, a second clock input terminal for receiving a second external clock signal from the outside, and a third external clock signal from the outside. And a third clock input terminal for receiving the first clock signal, wherein the first clock signal generating means generates the first clock signal based on the first external clock signal,
The second clock signal generating means generates the second clock signal based on the second external clock signal, and the third clock signal generating means performs the third clock signal based on the third external clock signal. 10. The semiconductor integrated circuit according to claim 9, which generates a clock signal.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233131A JPH0784006A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Semiconductor integrated circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5233131A JPH0784006A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Semiconductor integrated circuit |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784006A true JPH0784006A (en) | 1995-03-31 |
Family
ID=16950233
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5233131A Pending JPH0784006A (en) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | Semiconductor integrated circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784006A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018074501A (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | D / A conversion circuit, A / D conversion circuit, drive system |
| JP2020153675A (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | Failure diagnosis method for physical quantity detection circuit, physical quantity sensor, electronic device, moving object and physical quantity sensor |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5233131A patent/JPH0784006A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018074501A (en) * | 2016-11-02 | 2018-05-10 | 株式会社ディスコ | D / A conversion circuit, A / D conversion circuit, drive system |
| JP2020153675A (en) * | 2019-03-18 | 2020-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | Failure diagnosis method for physical quantity detection circuit, physical quantity sensor, electronic device, moving object and physical quantity sensor |
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