JPH0784652B2 - イオンプレ−テイング装置 - Google Patents
イオンプレ−テイング装置Info
- Publication number
- JPH0784652B2 JPH0784652B2 JP8974386A JP8974386A JPH0784652B2 JP H0784652 B2 JPH0784652 B2 JP H0784652B2 JP 8974386 A JP8974386 A JP 8974386A JP 8974386 A JP8974386 A JP 8974386A JP H0784652 B2 JPH0784652 B2 JP H0784652B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- ion plating
- evaporation
- plating device
- double
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 title claims description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 31
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 9
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はイオンプレーティング装置に関し、特に複数の
蒸発源を使用するイオンプレーティング装置に関する。
蒸発源を使用するイオンプレーティング装置に関する。
［従来の技術］ イオンプレーティング装置は真空室内に蒸発源と被蒸着
基板を対向位置せしめ、上記蒸発源より膜形成物質とし
ての蒸着材を蒸発せしめるとともに、蒸着材を高周波コ
イル等によりイオン化して電界中で加速し、上記基板に
衝突せしめるもので、膜強度の大きい薄膜を精度良く形
成することができる。
基板を対向位置せしめ、上記蒸発源より膜形成物質とし
ての蒸着材を蒸発せしめるとともに、蒸着材を高周波コ
イル等によりイオン化して電界中で加速し、上記基板に
衝突せしめるもので、膜強度の大きい薄膜を精度良く形
成することができる。
かかるイオンプレーティング装置において、１つの蒸発
源の膜形成範囲は限られているため、大型基板の膜形成
には複数の蒸発源を使用し、それぞれに高周波コイルお
よび必要に応じてイオン化促進用の不活性ガス供給管を
設けている。
源の膜形成範囲は限られているため、大型基板の膜形成
には複数の蒸発源を使用し、それぞれに高周波コイルお
よび必要に応じてイオン化促進用の不活性ガス供給管を
設けている。
［発明が解決しようとする問題点］ ところで、均一な薄膜を形成するには各蒸発源の蒸発速
度はもちろん、蒸着材上記のイオン化度についても各蒸
発源で等しくする必要がある。従来、蒸発速度について
は膜厚モニタの信号フィードバックにより正確な制御が
なされているが、イオン化度については複数の高周波コ
イル間に干渉が生じることにより変動が避けられず、均
一な薄膜を得る上で障害となっていた。また、高周波コ
イル間の干渉はこれに電力を供給する高周波電源の負担
を増す点でも好ましくない。
度はもちろん、蒸着材上記のイオン化度についても各蒸
発源で等しくする必要がある。従来、蒸発速度について
は膜厚モニタの信号フィードバックにより正確な制御が
なされているが、イオン化度については複数の高周波コ
イル間に干渉が生じることにより変動が避けられず、均
一な薄膜を得る上で障害となっていた。また、高周波コ
イル間の干渉はこれに電力を供給する高周波電源の負担
を増す点でも好ましくない。
本発明はかかる問題点に鑑み、高周波コイル間の干渉を
生じず、したがって各蒸発源において蒸着材蒸気の安定
なイオン化がなされ、大型基板に均一な薄膜を形成する
ことが可能なイオンプレーテイング装置を提供すること
を目的とする。
生じず、したがって各蒸発源において蒸着材蒸気の安定
なイオン化がなされ、大型基板に均一な薄膜を形成する
ことが可能なイオンプレーテイング装置を提供すること
を目的とする。
［問題点を解決するための手段］ 本発明を第１図で説明すると、真空室６内には被蒸着基
板３と複数の蒸発源4A、4Bが対向して設けられ、これら
基板３と蒸発源4A、4B間にそれぞれ高周波コイル2A、2B
が設けてある。電源32は上記基板３と蒸発源4A、4B間に
イオン加速電界を形成している。
板３と複数の蒸発源4A、4Bが対向して設けられ、これら
基板３と蒸発源4A、4B間にそれぞれ高周波コイル2A、2B
が設けてある。電源32は上記基板３と蒸発源4A、4B間に
イオン加速電界を形成している。
上記各高周波コイル2A、2Bはその外周を筒状の電磁遮蔽
板1A、1Bで覆ってある。
板1A、1Bで覆ってある。
［作用、効果］ 高周波コイル2A、2Bからは電磁波が放出されてグロー放
電を生じ、該放電中で上記蒸発源4A、4Bより蒸発送出さ
れた蒸着材のイオン化がなされる。各高周波コイル2A、
2Bには上述の如く電磁遮蔽板1A、1Bが設けてあることに
より、遮蔽板1A、1Bの外方へはほとんど電磁波は伝達さ
れず、したがってコイル2A、2B間の相互干渉は生じな
い。
電を生じ、該放電中で上記蒸発源4A、4Bより蒸発送出さ
れた蒸着材のイオン化がなされる。各高周波コイル2A、
2Bには上述の如く電磁遮蔽板1A、1Bが設けてあることに
より、遮蔽板1A、1Bの外方へはほとんど電磁波は伝達さ
れず、したがってコイル2A、2B間の相互干渉は生じな
い。
これにより、遮蔽板1A、1B内方の各コイル2A、2Bには安
定なグロー放電が得られ、基板３に均一な薄膜を形成す
ることができる。
定なグロー放電が得られ、基板３に均一な薄膜を形成す
ることができる。
［実施例］ 第１図において、真空室６は排気口61を介して図略の排
気装置に連結され、真空に保たれている。真空室６内に
は頂壁に沿って電界形成用の電極板31が設けてあり、該
電極板31は室外の直流高電圧源32に接続されている。電
極板31の下面には被蒸着基板３が設けてある。上記真空
室６内には底壁上に、上記基板３に向けて蒸着材を蒸発
供給する複数の蒸発源4A、4Bが設けてある。蒸発源4A、
4Bは公知のものであり、その蒸発速度は図略の膜厚モニ
タのフィードバック信号により互いに一致せしめてあ
る。なお、蒸発源4A、4Bの近くにはArとO2の混合ガスを
導入するガス供給管５が設けてあり、真空室６内は１〜
５×10-4Torr程度に保たれている。各蒸発源4A、4Bの上
方には上記基板３との間に高周波コイル2A、2Bが設けて
あり、これらコイル2A、2Bは室外のマッチングボックス
21を介して高周波電源22に接続されている。高周波コイ
ル2A、2Bは高周波グロー放電を生じて、上記蒸発源4A、
4Bより蒸発せしめられる蒸着材（例えばTiO2、SiO2）お
よび導入ガスをイオン化する。イオン化された蒸着材は
電極板31により形成される電界により加速され、基板３
に衝突付着して強固な薄膜を形成する。
気装置に連結され、真空に保たれている。真空室６内に
は頂壁に沿って電界形成用の電極板31が設けてあり、該
電極板31は室外の直流高電圧源32に接続されている。電
極板31の下面には被蒸着基板３が設けてある。上記真空
室６内には底壁上に、上記基板３に向けて蒸着材を蒸発
供給する複数の蒸発源4A、4Bが設けてある。蒸発源4A、
4Bは公知のものであり、その蒸発速度は図略の膜厚モニ
タのフィードバック信号により互いに一致せしめてあ
る。なお、蒸発源4A、4Bの近くにはArとO2の混合ガスを
導入するガス供給管５が設けてあり、真空室６内は１〜
５×10-4Torr程度に保たれている。各蒸発源4A、4Bの上
方には上記基板３との間に高周波コイル2A、2Bが設けて
あり、これらコイル2A、2Bは室外のマッチングボックス
21を介して高周波電源22に接続されている。高周波コイ
ル2A、2Bは高周波グロー放電を生じて、上記蒸発源4A、
4Bより蒸発せしめられる蒸着材（例えばTiO2、SiO2）お
よび導入ガスをイオン化する。イオン化された蒸着材は
電極板31により形成される電界により加速され、基板３
に衝突付着して強固な薄膜を形成する。
上記各高周波コイル2A、2Bは外周をそれぞれ筒状の電磁
遮蔽板1A、1Bで覆ってある。これを第２図、第３図に示
す。電磁遮蔽板１はSUS等の金属板よりなり、接地線11
（第１図）により真空室壁に接続されてアースされてい
る。高周波コイル２の外周と上記遮へい板１との間隔Ｌ
は1mm〜100mm程度とするのが良い。また、遮へい板１の
筒長D2はコイル長D1の1/2以上とする。
遮蔽板1A、1Bで覆ってある。これを第２図、第３図に示
す。電磁遮蔽板１はSUS等の金属板よりなり、接地線11
（第１図）により真空室壁に接続されてアースされてい
る。高周波コイル２の外周と上記遮へい板１との間隔Ｌ
は1mm〜100mm程度とするのが良い。また、遮へい板１の
筒長D2はコイル長D1の1/2以上とする。
高周波コイル2A、2Bからは電磁波が放出されて上述の如
くグロー放電が生じるが、上記構造の電磁遮蔽板1A、1B
を設けたことにより、該遮蔽板1A、1Bの外方へはほとん
ど電磁波は伝達されず、したがつてコイル2A、2B間の相
互干渉は生じない。これにより、遮蔽板1A、1B内方の各
コイル2A、2Bには安定なグロー放電が得られ、基板３に
均一な薄膜を形成することができる。
くグロー放電が生じるが、上記構造の電磁遮蔽板1A、1B
を設けたことにより、該遮蔽板1A、1Bの外方へはほとん
ど電磁波は伝達されず、したがつてコイル2A、2B間の相
互干渉は生じない。これにより、遮蔽板1A、1B内方の各
コイル2A、2Bには安定なグロー放電が得られ、基板３に
均一な薄膜を形成することができる。
なお、電磁遮蔽板1A、1Bは筒状基体をガラスやセラミッ
クで成形し、その外周に金属膜等の導電膜を形成する構
造としても良い。
クで成形し、その外周に金属膜等の導電膜を形成する構
造としても良い。
この場合、上記筒状基体を第４図、第５図に示す如き二
重筒とすることができる。図において、遮蔽板１の基体
11は内外二重壁の下端部を閉鎖してなり、二重壁間に高
周波コイル２が挿置してある。基体11は例えば石英管で
ある。そして、基体11の外周および底面には導電性の塗
膜12が形成してある。
重筒とすることができる。図において、遮蔽板１の基体
11は内外二重壁の下端部を閉鎖してなり、二重壁間に高
周波コイル２が挿置してある。基体11は例えば石英管で
ある。そして、基体11の外周および底面には導電性の塗
膜12が形成してある。
かかる構造によつても上記実施例と同様の効果があり、
しかも高周波コイル２の下方が密閉されていることによ
り以下の効果も有する。すなわち、SiO2等の高抵抗物質
を蒸着材とした場合には、これが上記コイル２を通過す
る際に付着し、付着が進行すると往々にして放電を不安
定にする。しかして、下方を密閉した上記基体11内に高
周波コイル２を収納することにより、蒸発源より至る蒸
着材は付着せず、放電を安定に保つことができる。
しかも高周波コイル２の下方が密閉されていることによ
り以下の効果も有する。すなわち、SiO2等の高抵抗物質
を蒸着材とした場合には、これが上記コイル２を通過す
る際に付着し、付着が進行すると往々にして放電を不安
定にする。しかして、下方を密閉した上記基体11内に高
周波コイル２を収納することにより、蒸発源より至る蒸
着材は付着せず、放電を安定に保つことができる。
なお、高周波コイルの設置数は上記実施例に限られない
ことはもちろんである。
ことはもちろんである。
第１図ないし第３図は本発明の一実施例を示し、第１図
はイオンプレーティング装置の概略断面側面図、第２図
は電磁遮蔽板の側面図、第３図はその平面図、第４図、
第５図は本発明の他の実施例を示し、第４図は電磁遮蔽
板の断面側面図、第５図はその平面図である。 １、1A、1B……電磁遮蔽板 11……筒状基体、12……導電膜 ２、2A、2B……高周波コイル ３……被蒸着基板、31……電極板 32……高電圧源（電源） 4A、4B……蒸発源 ５……ガス供給管、６……真空室
はイオンプレーティング装置の概略断面側面図、第２図
は電磁遮蔽板の側面図、第３図はその平面図、第４図、
第５図は本発明の他の実施例を示し、第４図は電磁遮蔽
板の断面側面図、第５図はその平面図である。 １、1A、1B……電磁遮蔽板 11……筒状基体、12……導電膜 ２、2A、2B……高周波コイル ３……被蒸着基板、31……電極板 32……高電圧源（電源） 4A、4B……蒸発源 ５……ガス供給管、６……真空室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長谷川 弘 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内 (72)発明者 清水 達彦 愛知県豊田市トヨタ町１番地 トヨタ自動 車株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】真空室内に設けた被蒸着基板と、該基板に
対向せしめられてこれに蒸着材を蒸発送給する複数の蒸
発源と、各蒸発源と基板間にそれぞれ設けられ蒸着材蒸
気をイオン化せしめる高周波コイルと、上記基板と各蒸
発源間にイオン加速電界を形成する電源とを具備するイ
オンプレーティング装置において、上記各高周波コイル
にはその外周を覆うように筒状の電磁遮蔽板を設けたこ
とを特徴とするイオンプレーティング装置。 - 【請求項２】上記電磁遮蔽板を導電性材料で構成し、こ
れを定電位に保持した特許請求の範囲第１項記載のイオ
ンプレーティング装置。 - 【請求項３】上記電磁遮蔽板の筒状基体を電気絶縁性材
料で構成し、該基体の外周面に導電膜を形成してこれを
定電位に保持した特許請求の範囲第１項記載のイオンプ
レーティング装置。 - 【請求項４】上記筒状基体を二重壁となすとともに、上
記蒸発源と対向する二重壁の下端を密閉し、二重壁間に
上記高周波コイルを挿置した特許請求の範囲第３項記載
のイオンプレーティング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8974386A JPH0784652B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | イオンプレ−テイング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8974386A JPH0784652B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | イオンプレ−テイング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62247068A JPS62247068A (ja) | 1987-10-28 |
| JPH0784652B2 true JPH0784652B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=13979238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8974386A Expired - Lifetime JPH0784652B2 (ja) | 1986-04-18 | 1986-04-18 | イオンプレ−テイング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784652B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017025554A1 (de) * | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur abscheidung dünner schichten |
-
1986
- 1986-04-18 JP JP8974386A patent/JPH0784652B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017025554A1 (de) * | 2015-08-13 | 2017-02-16 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren und vorrichtung zur abscheidung dünner schichten |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62247068A (ja) | 1987-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3516054B2 (ja) | 陰極スパッタリングによってプラズマを発生させるための装置 | |
| TW460602B (en) | Method and apparatus for ionized sputtering of materials | |
| US6238528B1 (en) | Plasma density modulator for improved plasma density uniformity and thickness uniformity in an ionized metal plasma source | |
| US4342631A (en) | Gasless ion plating process and apparatus | |
| US5240583A (en) | Apparatus to deposit multilayer films | |
| US5308461A (en) | Method to deposit multilayer films | |
| JP2010500470A (ja) | Ｅｃｒプラズマ源 | |
| KR940000874B1 (ko) | 성막장치 | |
| WO2001039560A1 (en) | Device for hybrid plasma processing | |
| JP2009057637A (ja) | ヘリカル磁気共振コイルを利用したイオン化物理的気相蒸着装置 | |
| KR19980032631A (ko) | 스퍼터링을 위한 플라즈마 발생용 액티브 시일드 | |
| US10573495B2 (en) | Self-neutralized radio frequency plasma ion source | |
| US5078847A (en) | Ion plating method and apparatus | |
| KR20010071837A (ko) | 피드스루 중첩 코일 | |
| KR20010023945A (ko) | 매체내의 이온화된 재료를 고밀도 플라즈마로스퍼터링하는 장치 | |
| US5718815A (en) | Apparatus for coating a substrate from an electrically conductive target | |
| KR19980086991A (ko) | 고밀도 플라즈마를 위한 전력인가 실드 소오스 | |
| USRE30401E (en) | Gasless ion plating | |
| US6146508A (en) | Sputtering method and apparatus with small diameter RF coil | |
| JP3345009B2 (ja) | 加熱により製造された材料蒸気のイオン化方法及び該方法を実施する装置 | |
| US6235169B1 (en) | Modulated power for ionized metal plasma deposition | |
| JPH06220632A (ja) | 陰極スパッタリングとマイクロ波照射によるプラズマ発生装置 | |
| EP0047456B1 (en) | Ion plating without the introduction of gas | |
| JPH0784652B2 (ja) | イオンプレ−テイング装置 | |
| JP2000008159A (ja) | 同軸型真空アーク蒸着源を用いた蒸着装置 |