JPH0784703A - 感圧式座標入力装置 - Google Patents
感圧式座標入力装置Info
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- JPH0784703A JPH0784703A JP22606893A JP22606893A JPH0784703A JP H0784703 A JPH0784703 A JP H0784703A JP 22606893 A JP22606893 A JP 22606893A JP 22606893 A JP22606893 A JP 22606893A JP H0784703 A JPH0784703 A JP H0784703A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電層４，８を有する２枚の基板３，７を、
導電層４，８同士を絶縁スペーサ１２を介して対向させ
るように配置し、一方の基板に水平及び垂直方向に時分
割で電圧を印加し、非印加側の他方の基板より、押圧に
よる前記両導電層４，８間の接触位置の電位を検出する
ことで、該接触位置の座標を求める感圧式座標入力装置
に関し、ダイオード又は多点電極を用いることなく、単
面感圧方式を実現することのできる感圧式座標入力装置
を得ることを目的とする。 【構成】 電圧印加を行う前記一方の基板の導電膜４
を、高さが２段階で且つ絶縁膜４２により相互に絶縁さ
れた下側導電膜４１と上側導電膜４３とで構成し、該絶
縁膜と上側導電膜とを多孔状に構成すると共に、上側導
電膜と下側導電膜の一方に水平方向、他方に垂直方向の
電圧を印加するようにした感圧式座標入力装置を構成す
る。
導電層４，８同士を絶縁スペーサ１２を介して対向させ
るように配置し、一方の基板に水平及び垂直方向に時分
割で電圧を印加し、非印加側の他方の基板より、押圧に
よる前記両導電層４，８間の接触位置の電位を検出する
ことで、該接触位置の座標を求める感圧式座標入力装置
に関し、ダイオード又は多点電極を用いることなく、単
面感圧方式を実現することのできる感圧式座標入力装置
を得ることを目的とする。 【構成】 電圧印加を行う前記一方の基板の導電膜４
を、高さが２段階で且つ絶縁膜４２により相互に絶縁さ
れた下側導電膜４１と上側導電膜４３とで構成し、該絶
縁膜と上側導電膜とを多孔状に構成すると共に、上側導
電膜と下側導電膜の一方に水平方向、他方に垂直方向の
電圧を印加するようにした感圧式座標入力装置を構成す
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は感圧式座標入力装置に関
し、更に詳しくは、片方の基板にのみ電圧を印加する方
式、いわゆる単面感圧方式の座標入力装置に関する。感
圧式座標入力装置は、導電膜を有する上下２枚の基板
を、導電膜同士が絶縁スペーサを介して対向するように
配置し、ペン等を用いて上部基板を押圧することにより
上部基板の導電膜を下部基板の導電膜に接触させる構造
をとる一方で、上下いずれか一方の基板に基準電圧を印
加し、非印加側である他方の基板を介して接触位置にお
ける電位を検出し、当該接触位置における位置座標を得
るものである。
し、更に詳しくは、片方の基板にのみ電圧を印加する方
式、いわゆる単面感圧方式の座標入力装置に関する。感
圧式座標入力装置は、導電膜を有する上下２枚の基板
を、導電膜同士が絶縁スペーサを介して対向するように
配置し、ペン等を用いて上部基板を押圧することにより
上部基板の導電膜を下部基板の導電膜に接触させる構造
をとる一方で、上下いずれか一方の基板に基準電圧を印
加し、非印加側である他方の基板を介して接触位置にお
ける電位を検出し、当該接触位置における位置座標を得
るものである。
【０００２】感圧方式の座標入力装置は、筆記を重ねる
につれて上部基板の導電膜が、スペーサや下部基板との
接触を繰り返すことによって劣化（ないし剥離）し、そ
の部分の抵抗値が変化するため、位置検出のための電位
分布が乱れ、正しい位置検出ができなくなるという問題
がある。単面感圧方式の座標入力装置は、そのような問
題を克服するために考え出された方式で、導電膜が劣化
する上部基板には位置検出のための電位分布を形成せ
ず、下部基板のみに電位分布を形成するものである。
につれて上部基板の導電膜が、スペーサや下部基板との
接触を繰り返すことによって劣化（ないし剥離）し、そ
の部分の抵抗値が変化するため、位置検出のための電位
分布が乱れ、正しい位置検出ができなくなるという問題
がある。単面感圧方式の座標入力装置は、そのような問
題を克服するために考え出された方式で、導電膜が劣化
する上部基板には位置検出のための電位分布を形成せ
ず、下部基板のみに電位分布を形成するものである。
【０００３】このような単面感圧方式は、電極部にダイ
オードを用いているために、パネルの厚さが厚くなると
いう欠点がある。また、電極が多点電極であるので、電
極近傍の電位分布が複雑で位置検出には用いることがで
きず、必要な入力領域を確保するには、座標入力部全体
の大きさを広げなければならないという問題もある。
オードを用いているために、パネルの厚さが厚くなると
いう欠点がある。また、電極が多点電極であるので、電
極近傍の電位分布が複雑で位置検出には用いることがで
きず、必要な入力領域を確保するには、座標入力部全体
の大きさを広げなければならないという問題もある。
【０００４】
【従来の技術】従来の単面感圧方式の座標入力装置の動
作原理を図１により説明する。図１に示すように、従来
の単面感圧方式の座標入力装置では、ＸＹ両方向の電圧
印加を、点電極を用い、時分割により片方の（下部）基
板３上の導電膜４のみで行い、他方の（上部）基板７上
の導電膜８は電位検出専用としている。
作原理を図１により説明する。図１に示すように、従来
の単面感圧方式の座標入力装置では、ＸＹ両方向の電圧
印加を、点電極を用い、時分割により片方の（下部）基
板３上の導電膜４のみで行い、他方の（上部）基板７上
の導電膜８は電位検出専用としている。
【０００５】Ｘ座標検出時には、スイッチ１、２を図示
のようにそれぞれＡ側に接続する。この場合、下部基板
３上の電極膜４には、Ｙ方向に整列する点電極群５Ｙに
おいて、Ｘ方向の距離に比例して電位が変化する電位分
布が形成される。ここで、上部基板７の上方からのペン
（図示せず）により上部基板７を上方から下方に向けて
押圧することにより、上部基板７の導電膜８が下部基板
３の導電膜４に接触すると、下部基板３の導電膜４の接
触点における電位が、上部基板７の導電膜８（電極９）
を介して、電圧計１０によって測定される。この値をも
とにＸ座標が検出される。
のようにそれぞれＡ側に接続する。この場合、下部基板
３上の電極膜４には、Ｙ方向に整列する点電極群５Ｙに
おいて、Ｘ方向の距離に比例して電位が変化する電位分
布が形成される。ここで、上部基板７の上方からのペン
（図示せず）により上部基板７を上方から下方に向けて
押圧することにより、上部基板７の導電膜８が下部基板
３の導電膜４に接触すると、下部基板３の導電膜４の接
触点における電位が、上部基板７の導電膜８（電極９）
を介して、電圧計１０によって測定される。この値をも
とにＸ座標が検出される。
【０００６】Ｙ座標検出時にはスイッチ１、２を今度は
それぞれＢ側に接続する。すると、下部基板３上の電極
膜４には、Ｘ方向に整列する点電極群５Ｘにおいて、Ｙ
方向の距離に比例して電位が変化する電位分布が形成さ
れる。前述と同様に、ペン（図示せず）の押圧により上
部基板７の導電膜８が下部基板３の導電膜４に接触する
と、下部基板の導電膜４の接触点における電位が、上部
基板７の導電膜８を介して、電圧計１０によって測定さ
れる。この値をもとにＹ座標が検出される。
それぞれＢ側に接続する。すると、下部基板３上の電極
膜４には、Ｘ方向に整列する点電極群５Ｘにおいて、Ｙ
方向の距離に比例して電位が変化する電位分布が形成さ
れる。前述と同様に、ペン（図示せず）の押圧により上
部基板７の導電膜８が下部基板３の導電膜４に接触する
と、下部基板の導電膜４の接触点における電位が、上部
基板７の導電膜８を介して、電圧計１０によって測定さ
れる。この値をもとにＹ座標が検出される。
【０００７】なお、図１において、６はダイオードであ
り、１１は電源である。また、図１において、下部基板
３の導電膜４と上部基板７の導電膜８との絶縁を保つ
（非加圧時）ための絶縁スペーサは図示を省略してい
る。ペン（図示せず）等による押圧により、導電膜４、
８間の接触位置（Ｘ，Ｙ座標）を検出することができ
る。電極５Ｘ、５Ｙが多点で、かつダイオード６を用い
ている理由は、任意の方向（Ｘ又はＹ方向）に、電極か
らの距離に比例して変化する電位分布を形成するためで
ある。棒電極であるならば、四隅で激しく電圧（位）が
変化してしまう。また、ダイオード６を用いているの
は、電圧を印加する方向を制御するため、具体的には点
電極間の独立を保つためである。ダイオードがなけれ
ば、棒電極と等価となってしまう。
り、１１は電源である。また、図１において、下部基板
３の導電膜４と上部基板７の導電膜８との絶縁を保つ
（非加圧時）ための絶縁スペーサは図示を省略してい
る。ペン（図示せず）等による押圧により、導電膜４、
８間の接触位置（Ｘ，Ｙ座標）を検出することができ
る。電極５Ｘ、５Ｙが多点で、かつダイオード６を用い
ている理由は、任意の方向（Ｘ又はＹ方向）に、電極か
らの距離に比例して変化する電位分布を形成するためで
ある。棒電極であるならば、四隅で激しく電圧（位）が
変化してしまう。また、ダイオード６を用いているの
は、電圧を印加する方向を制御するため、具体的には点
電極間の独立を保つためである。ダイオードがなけれ
ば、棒電極と等価となってしまう。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の単面感圧入力方
式は、前述のように、電極部にダイオード６を用いてい
るために、パネルの厚みが厚くなる。また、電極５Ｘ，
５Ｙが多点であるので、電極近傍の電圧分布が複雑で、
その部分は位置検出には利用できず、必要な入力領域を
確保するためには、入力部全体の大きさをそれよりかな
り広くしなければならない、という問題がある。
式は、前述のように、電極部にダイオード６を用いてい
るために、パネルの厚みが厚くなる。また、電極５Ｘ，
５Ｙが多点であるので、電極近傍の電圧分布が複雑で、
その部分は位置検出には利用できず、必要な入力領域を
確保するためには、入力部全体の大きさをそれよりかな
り広くしなければならない、という問題がある。
【０００９】そこで、本発明は、ダイオード又は多点電
極を用いることなく、単面感圧方式を実現することので
きる感圧式座標入力装置を得ることを目的とする。
極を用いることなく、単面感圧方式を実現することので
きる感圧式座標入力装置を得ることを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
めに、本発明によれば、導電膜を有する２枚の基板を、
導電膜同士を絶縁スペーサを介して対向させるように配
置し、一方の基板に水平及び垂直方向に時分割で電圧を
印加し、非印加側の他方の基板より、押圧による前記両
導電膜間の接触位置の電位を検出することで、該接触位
置の座標を求める感圧式座標入力装置において、電圧印
加を行う前記一方の基板の導電膜を、高さが２段階で且
つ絶縁膜により相互に絶縁された下側導電膜と上側導電
膜とで構成し、該絶縁膜と上側導電膜とを多孔状に構成
すると共に、下側導電膜と上側導電膜の一方に水平方
向、他方に垂直方向の電圧を印加するようにした感圧式
座標入力装置が提供される。
めに、本発明によれば、導電膜を有する２枚の基板を、
導電膜同士を絶縁スペーサを介して対向させるように配
置し、一方の基板に水平及び垂直方向に時分割で電圧を
印加し、非印加側の他方の基板より、押圧による前記両
導電膜間の接触位置の電位を検出することで、該接触位
置の座標を求める感圧式座標入力装置において、電圧印
加を行う前記一方の基板の導電膜を、高さが２段階で且
つ絶縁膜により相互に絶縁された下側導電膜と上側導電
膜とで構成し、該絶縁膜と上側導電膜とを多孔状に構成
すると共に、下側導電膜と上側導電膜の一方に水平方
向、他方に垂直方向の電圧を印加するようにした感圧式
座標入力装置が提供される。
【００１１】また本発明の実施例では、電圧を印加する
前記下側導電膜と上側導電膜の電極の長さを、該電極が
形成される導電膜の幅（辺）より長くするのが好まし
い。
前記下側導電膜と上側導電膜の電極の長さを、該電極が
形成される導電膜の幅（辺）より長くするのが好まし
い。
【００１２】
【作用】本発明では、電圧印加を行う一方の基板、垂直
下部基板の導電膜を、高さが２段階で且つ絶縁膜により
相互に絶縁された下側導電膜と上側導電膜とで構成し、
該絶縁膜と上側導電膜とをメッシュ状に構成しているの
で、上部基板の上方からのペン等で下方に押圧すること
により、上部基板の導電膜が下部基板に形成された上側
導電膜に接触すると共に、この上側導電膜と絶縁膜のメ
ッシュ孔を介して下側導電膜にも接触する。
下部基板の導電膜を、高さが２段階で且つ絶縁膜により
相互に絶縁された下側導電膜と上側導電膜とで構成し、
該絶縁膜と上側導電膜とをメッシュ状に構成しているの
で、上部基板の上方からのペン等で下方に押圧すること
により、上部基板の導電膜が下部基板に形成された上側
導電膜に接触すると共に、この上側導電膜と絶縁膜のメ
ッシュ孔を介して下側導電膜にも接触する。
【００１３】また、水平方向と垂直方向の電圧印加を、
下側導電膜及び上側導電膜にそれぞれ別けて独立して行
っているので、非電圧印加電極は、電位分布に影響は与
えない。従って、電極形状は棒状であってよく、点電極
間の電気的な独立を保つためのダイオードも不用にな
る。また、電圧を印加する下側導電膜と上側導電膜の電
極の長さを、該電極が形成される導電膜の幅（辺）より
長くすると、等電位線が電極を回り込むのが防止され、
電極付近の電位が他の部分と同様に、電極からの距離に
比例して電位が変化するようになる。したがって、水平
方向と垂直方向、ないしＸＹ方向の位置を正確に検出す
ることができる。
下側導電膜及び上側導電膜にそれぞれ別けて独立して行
っているので、非電圧印加電極は、電位分布に影響は与
えない。従って、電極形状は棒状であってよく、点電極
間の電気的な独立を保つためのダイオードも不用にな
る。また、電圧を印加する下側導電膜と上側導電膜の電
極の長さを、該電極が形成される導電膜の幅（辺）より
長くすると、等電位線が電極を回り込むのが防止され、
電極付近の電位が他の部分と同様に、電極からの距離に
比例して電位が変化するようになる。したがって、水平
方向と垂直方向、ないしＸＹ方向の位置を正確に検出す
ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて詳細に説明する。図２は本発明の実施例を示す部
分断面斜視図であり、図２は本発明の実施例で使用する
下部基板３を上側から見た平面図である。本発明の実施
例では、導電膜８及び電極９（図１）を有する非電圧印
加側の上部基板７は従来例と同様である。即ち、透明の
上部基板７に導電膜８が形成され、導電膜８が下側、即
ち下部基板７側を向くように絶縁スペーサ１２を介して
下部基板７上に配置されている。
ついて詳細に説明する。図２は本発明の実施例を示す部
分断面斜視図であり、図２は本発明の実施例で使用する
下部基板３を上側から見た平面図である。本発明の実施
例では、導電膜８及び電極９（図１）を有する非電圧印
加側の上部基板７は従来例と同様である。即ち、透明の
上部基板７に導電膜８が形成され、導電膜８が下側、即
ち下部基板７側を向くように絶縁スペーサ１２を介して
下部基板７上に配置されている。
【００１５】一方、電圧印加を行う下部基板３は、高さ
が２段階の下側導電膜４１と上側導電膜４３とで構成さ
れ、これらの導電膜４１、４３間は絶縁膜４２により相
互に絶縁されている。図示のように、絶縁膜４２と上側
導電膜４３とはメッシュ状（例えば、多数の孔４４より
なる）に構成されており、例えばペン１３等で上部基板
７の上方から下方に押圧することにより、上部基板７の
導電膜８が下部基板３に形成された上側導電膜４３に接
触すると共に、この上側導電膜４３と絶縁膜４２のメッ
シュ（即ち、孔４４）を介して下側導電膜４１にも接触
するように構成されている。
が２段階の下側導電膜４１と上側導電膜４３とで構成さ
れ、これらの導電膜４１、４３間は絶縁膜４２により相
互に絶縁されている。図示のように、絶縁膜４２と上側
導電膜４３とはメッシュ状（例えば、多数の孔４４より
なる）に構成されており、例えばペン１３等で上部基板
７の上方から下方に押圧することにより、上部基板７の
導電膜８が下部基板３に形成された上側導電膜４３に接
触すると共に、この上側導電膜４３と絶縁膜４２のメッ
シュ（即ち、孔４４）を介して下側導電膜４１にも接触
するように構成されている。
【００１６】下側導電膜４１と上側導電膜４３の一方に
は水平（Ｘ）方向、他方には垂直（Ｙ）方向の電圧を印
加するため、図３に示すように、下側導電膜４１と上側
導電膜４３の両端の縁部に棒状の電極４１ａ、４３ａが
それぞれ形成される。これらの電極４１ａ、４３ａの長
さは、電圧を印加するそれぞれの下側導電膜４１、上側
導電膜４３の幅（ないし辺）より等しいか又は長くして
いる。
は水平（Ｘ）方向、他方には垂直（Ｙ）方向の電圧を印
加するため、図３に示すように、下側導電膜４１と上側
導電膜４３の両端の縁部に棒状の電極４１ａ、４３ａが
それぞれ形成される。これらの電極４１ａ、４３ａの長
さは、電圧を印加するそれぞれの下側導電膜４１、上側
導電膜４３の幅（ないし辺）より等しいか又は長くして
いる。
【００１７】図４（ａ）に示すように、電極の長さがこ
の電極が形成される導電膜の幅（辺）より短いと、等電
位線が電極を回り込み、導電膜の全面にわたって電極か
らの距離に比例した電位の変化が得られなくなる。これ
に対し、図４（ｂ）に示すように、電極の長さをこの電
極が形成される導電膜の幅（辺）に等しいか又はより長
くすると、等電位線の電極への回り込みが防止され、導
電膜の全面にわたって電極からの距離に比例した電位の
変化が得られる。したがって、前述のように、水平
（Ｘ）方向と垂直（Ｙ）方向の位置を正確に検出するこ
とができる。
の電極が形成される導電膜の幅（辺）より短いと、等電
位線が電極を回り込み、導電膜の全面にわたって電極か
らの距離に比例した電位の変化が得られなくなる。これ
に対し、図４（ｂ）に示すように、電極の長さをこの電
極が形成される導電膜の幅（辺）に等しいか又はより長
くすると、等電位線の電極への回り込みが防止され、導
電膜の全面にわたって電極からの距離に比例した電位の
変化が得られる。したがって、前述のように、水平
（Ｘ）方向と垂直（Ｙ）方向の位置を正確に検出するこ
とができる。
【００１８】図５（ａ）〜（ｅ）は、下部基板３に２段
の導電膜４１、４３を形成する工程を示したものであ
る。まず、図５（ａ）において、下部基板であるガラス
基板３上に、下側の導電膜４１となるSnO2の層、絶縁膜
４２となるSiO2の層、上側の導電膜４３となるSnO2の層
及びレジストの層４４を順次積層して形成する。次に、
図５（ｂ）において、上側の導電膜４３をエッチングす
るパターンにしたがって、レジスト４４の膜をエッチン
グにより部分的に除去する。次に、図５（ｃ）におい
て、エッチング液（図示せず）に粉末亜鉛と１０％の塩
酸溶液を用いて、上側の導電膜４３であるSnO2の層をエ
ッチングして部分的に除去する。次に、図５（ｄ）にお
いて、エッチング液（図示せず）にフッ素酸を用いて、
絶縁膜４２であるSiO2の層をエッチングして部分的に除
去する。最後に、図５（ｅ）において、剥離液（図示せ
ず）を用いて残りのレジスト４４を除去する。
の導電膜４１、４３を形成する工程を示したものであ
る。まず、図５（ａ）において、下部基板であるガラス
基板３上に、下側の導電膜４１となるSnO2の層、絶縁膜
４２となるSiO2の層、上側の導電膜４３となるSnO2の層
及びレジストの層４４を順次積層して形成する。次に、
図５（ｂ）において、上側の導電膜４３をエッチングす
るパターンにしたがって、レジスト４４の膜をエッチン
グにより部分的に除去する。次に、図５（ｃ）におい
て、エッチング液（図示せず）に粉末亜鉛と１０％の塩
酸溶液を用いて、上側の導電膜４３であるSnO2の層をエ
ッチングして部分的に除去する。次に、図５（ｄ）にお
いて、エッチング液（図示せず）にフッ素酸を用いて、
絶縁膜４２であるSiO2の層をエッチングして部分的に除
去する。最後に、図５（ｅ）において、剥離液（図示せ
ず）を用いて残りのレジスト４４を除去する。
【００１９】図６は本発明の実施例の作用を説明するも
のである。Ｘ座標検出時には、スイッチ１、２を図示の
ようにそれぞれＡ側に接続する。この場合、下部基板３
上の上側電極膜４３には、電極４３ａからＸ方向の距離
に比例して電位が変化する電位分布が形成される。ここ
で、上部基板７の上方からのペン（図示せず）により上
部基板７を下方へ押圧することにより、上部基板７の導
電膜８が下部基板３の上側導電膜４３に接触すると、下
部基板３の上側導電膜４３の接触点における電位が、上
部基板７の導電膜８（電極９）を介して、電圧計１０に
よって測定される。この値をもとにＸ座標が検出され
る。
のである。Ｘ座標検出時には、スイッチ１、２を図示の
ようにそれぞれＡ側に接続する。この場合、下部基板３
上の上側電極膜４３には、電極４３ａからＸ方向の距離
に比例して電位が変化する電位分布が形成される。ここ
で、上部基板７の上方からのペン（図示せず）により上
部基板７を下方へ押圧することにより、上部基板７の導
電膜８が下部基板３の上側導電膜４３に接触すると、下
部基板３の上側導電膜４３の接触点における電位が、上
部基板７の導電膜８（電極９）を介して、電圧計１０に
よって測定される。この値をもとにＸ座標が検出され
る。
【００２０】Ｙ座標検出時にはスイッチ１、２を図示の
ようにそれぞれＢ側に接続する。すると、下部基板３上
の下側電極膜４１には、電極４１ａからＹ方向の距離に
比例して電位が変化する電位分布が形成される。前述と
同様に、ペン（図示せず）の押圧により上部基板７の導
電膜８が下部基板３の下側導電膜４１に接触すると、下
部基板の下側導電膜４１の接触点における電位が、上部
基板７の導電膜８を介して、電圧計１０によって測定さ
れる。この値をもとにＹ座標が検出される。このように
して、ペン等による押圧位置（ＸＹ座標）が検出され
る。
ようにそれぞれＢ側に接続する。すると、下部基板３上
の下側電極膜４１には、電極４１ａからＹ方向の距離に
比例して電位が変化する電位分布が形成される。前述と
同様に、ペン（図示せず）の押圧により上部基板７の導
電膜８が下部基板３の下側導電膜４１に接触すると、下
部基板の下側導電膜４１の接触点における電位が、上部
基板７の導電膜８を介して、電圧計１０によって測定さ
れる。この値をもとにＹ座標が検出される。このように
して、ペン等による押圧位置（ＸＹ座標）が検出され
る。
【００２１】なお、図６において１１は電源であり、ま
た下部基板３の上側導電膜４３と上部基板７の導電膜８
との絶縁を保つ（非加圧時）ための絶縁スペーサは図示
を省略している。
た下部基板３の上側導電膜４３と上部基板７の導電膜８
との絶縁を保つ（非加圧時）ための絶縁スペーサは図示
を省略している。
【００２２】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、単面感圧方式の座標入力装置において、ダイオード
や点電極を用いる必要がなくなるので、パネルの厚さを
薄くできると共に、有効領域以外の無駄な領域の面積を
少なくすることができる。
ば、単面感圧方式の座標入力装置において、ダイオード
や点電極を用いる必要がなくなるので、パネルの厚さを
薄くできると共に、有効領域以外の無駄な領域の面積を
少なくすることができる。
【図１】従来の単面感圧方式の座標入力装置の動作原理
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の感圧式座標入力装置の実施例を示す部
分断面斜視図である。
分断面斜視図である。
【図３】本発明の実施例で使用する下部基板を上側から
見た平面図である。
見た平面図である。
【図４】導電膜の幅（辺）に対する電極の長さと電位分
布との関係を示す図である。
布との関係を示す図である。
【図５】本発明で使用する下部基板の製造工程を示す図
である。
である。
【図６】本発明の実施例に作用を示す作動原理を示す図
である。
である。
３…下部基板 ７…上部基板 ８…導電膜 ９…電極 １２…絶縁スペーサ ４１…導電膜 ４１ａ…電極 ４２…絶縁膜 ４３…導電膜 ４３ａ…電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 入江 克哉 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 導電膜（４、８）を有する上下２枚の基
板（３、７）を、導電膜（４、８）同士が絶縁スペーサ
（１２）を介して対向するように配置し、一方の基板に
水平及び垂直方向に時分割で電圧を印加し、非印加側の
他方の基板より、押圧による前記両導電膜（４、８）間
の接触位置の電位を検出することで、該接触位置の座標
を求める感圧式座標入力装置において、電圧印加を行う
前記一方の基板の導電膜（４）を、高さが２段階で且つ
絶縁膜（４２）により相互に絶縁された下側導電膜（４
１）と上側導電膜（４３）とで構成し、該絶縁膜（４
２）と上側導電膜（４３）とを多孔状に構成すると共
に、下側導電膜（４１）と上側導電膜（４３）の一方に
水平方向、他方に垂直方向の電圧を印加するようにした
感圧式座標入力装置。 - 【請求項２】 電圧を印加する前記下側導電膜（４１）
と上側導電膜（４３）の電極（４１ａ、４３ａ）の長さ
を、該電極が形成される導電膜の幅より長くしたことを
特徴とする請求項１に記載の感圧式座標入力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22606893A JPH0784703A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 感圧式座標入力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22606893A JPH0784703A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 感圧式座標入力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0784703A true JPH0784703A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16839313
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22606893A Withdrawn JPH0784703A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 感圧式座標入力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784703A (ja) |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP22606893A patent/JPH0784703A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |