JPH0785430A - 磁気抵抗型磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法 - Google Patents
磁気抵抗型磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法Info
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- JPH0785430A JPH0785430A JP5187166A JP18716693A JPH0785430A JP H0785430 A JPH0785430 A JP H0785430A JP 5187166 A JP5187166 A JP 5187166A JP 18716693 A JP18716693 A JP 18716693A JP H0785430 A JPH0785430 A JP H0785430A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のリード電極層間を隔てる微小間隔にお
ける電気絶縁の信頼性を向上させる。 【構成】 絶縁層２は相対する方向にある両辺２１、２
２と、同方向にとられた磁気抵抗層１の両辺１１、１２
との間に絶縁層２の存在しない領域Ｇ１、Ｇ２を生じさ
せて、磁気抵抗層１の上に付着され、両辺２１ー２２間
の中間部に凹部２３を有する。リード電極層３、４のそ
れぞれは領域Ｇ１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面に付着
されると共に、絶縁層２の表面に連続して付着され、端
縁が絶縁層の凹部２３によって互いに隔てられている。
ける電気絶縁の信頼性を向上させる。 【構成】 絶縁層２は相対する方向にある両辺２１、２
２と、同方向にとられた磁気抵抗層１の両辺１１、１２
との間に絶縁層２の存在しない領域Ｇ１、Ｇ２を生じさ
せて、磁気抵抗層１の上に付着され、両辺２１ー２２間
の中間部に凹部２３を有する。リード電極層３、４のそ
れぞれは領域Ｇ１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面に付着
されると共に、絶縁層２の表面に連続して付着され、端
縁が絶縁層の凹部２３によって互いに隔てられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気変換素子、薄膜磁
気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法に関する。
気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクドライブ装置が小型化され
る傾向の中で、磁気抵抗素子を読み出し素子として用い
た薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の相対
速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体に記
憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換器とし
て従来より知られている。しかしながら、より一層高い
記録密度達成のために、記録トラック幅が更に狭くな
り、かつ、トラックに添う直線記録密度もますます高度
化されており、従来の薄膜磁気ヘッドでは対応が困難に
なっている。
る傾向の中で、磁気抵抗素子を読み出し素子として用い
た薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の相対
速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体に記
憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換器とし
て従来より知られている。しかしながら、より一層高い
記録密度達成のために、記録トラック幅が更に狭くな
り、かつ、トラックに添う直線記録密度もますます高度
化されており、従来の薄膜磁気ヘッドでは対応が困難に
なっている。
【０００３】このような問題点を解決するための手段と
して、特開昭64ー35717号公報は、ＭＲ型変換器のトラッ
ク幅を正確に定める技術を開示している。特開昭64ー357
17号公報では、アルミナ等でなる絶縁層が、相対する方
向にある両辺と、同方向にとられた磁気抵抗層の両辺と
の間に絶縁層の存在しない領域を生じさせて、磁気抵抗
層の上に付着されている。磁気抵抗層及び絶縁層の表面
に、一対のリード電極層が互いに間隔を隔てて配置され
ている。一対のリード電極は、通常、反強磁性層を含
む。そして、反強磁性層と磁気抵抗層との間に生じる反
強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気抵抗層に均一
な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバル
クハウゼンノイズを防止するようになっている。このよ
うな技術は、例えば米国特許第4,103,315号に開示され
ている。
して、特開昭64ー35717号公報は、ＭＲ型変換器のトラッ
ク幅を正確に定める技術を開示している。特開昭64ー357
17号公報では、アルミナ等でなる絶縁層が、相対する方
向にある両辺と、同方向にとられた磁気抵抗層の両辺と
の間に絶縁層の存在しない領域を生じさせて、磁気抵抗
層の上に付着されている。磁気抵抗層及び絶縁層の表面
に、一対のリード電極層が互いに間隔を隔てて配置され
ている。一対のリード電極は、通常、反強磁性層を含
む。そして、反強磁性層と磁気抵抗層との間に生じる反
強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気抵抗層に均一
な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバル
クハウゼンノイズを防止するようになっている。このよ
うな技術は、例えば米国特許第4,103,315号に開示され
ている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】特開昭64ー35717号公報
はＭＲ型変換器のトラック幅を正確に定めるのに有効な
技術を開示しているが、一対のリード電極層を隔てる微
小間隔内に、平坦な絶縁層の表面が現れている。一対の
リード電極層はこの絶縁層の表面に付着されている。こ
のため、一対のリード電極層間において電気絶縁の信頼
性を損ない易い。特開昭64ー35717号公報には、このよう
な平坦で微小間隔の平面上において、電気絶縁性の信頼
性を向上させるための手段を開示していない。
はＭＲ型変換器のトラック幅を正確に定めるのに有効な
技術を開示しているが、一対のリード電極層を隔てる微
小間隔内に、平坦な絶縁層の表面が現れている。一対の
リード電極層はこの絶縁層の表面に付着されている。こ
のため、一対のリード電極層間において電気絶縁の信頼
性を損ない易い。特開昭64ー35717号公報には、このよう
な平坦で微小間隔の平面上において、電気絶縁性の信頼
性を向上させるための手段を開示していない。
【０００５】本発明の課題は、トラック幅を正確に定め
るのに有効なＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを
提供することである。
るのに有効なＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを
提供することである。
【０００６】本発明のもう一つの課題は、一対のリード
電極層間を隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性を
向上させたＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを提
供することである。
電極層間を隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性を
向上させたＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを提
供することである。
【０００７】本発明のもう一つの課題は、上述したＭＲ
型磁気変換素子を得るのに好適な製造方法を提供するこ
とである。
型磁気変換素子を得るのに好適な製造方法を提供するこ
とである。
【０００８】本発明の更にもう一つの課題は、反強磁性
ー強磁性交換結合を利用した薄膜磁気ヘッドにおいて、
高効率の交換結合を形成し得るＭＲ型磁気変換素子の製
造方法を提供することである。
ー強磁性交換結合を利用した薄膜磁気ヘッドにおいて、
高効率の交換結合を形成し得るＭＲ型磁気変換素子の製
造方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、磁気抵抗層と、絶縁層と、一対のリード
電極層とを含む磁気抵抗型磁気変換素子（以下ＭＲ型磁
気変換素子と称する）であって、前記磁気抵抗層は、支
持層の上に付着されており、前記絶縁層は、相対する方
向にある両辺と、同方向にとられた前記磁気抵抗層の両
辺との間に前記絶縁層の存在しない領域を生じさせて、
前記磁気抵抗層の上に付着され、前記両辺間の中間部に
凹部を有しており、前記リード電極層のそれぞれは、前
記領域上で前記磁気抵抗層の表面に付着されると共に、
前記絶縁層の表面に連続して付着され、端縁が前記絶縁
層の前記凹部によって互いに隔てられている。
め、本発明は、磁気抵抗層と、絶縁層と、一対のリード
電極層とを含む磁気抵抗型磁気変換素子（以下ＭＲ型磁
気変換素子と称する）であって、前記磁気抵抗層は、支
持層の上に付着されており、前記絶縁層は、相対する方
向にある両辺と、同方向にとられた前記磁気抵抗層の両
辺との間に前記絶縁層の存在しない領域を生じさせて、
前記磁気抵抗層の上に付着され、前記両辺間の中間部に
凹部を有しており、前記リード電極層のそれぞれは、前
記領域上で前記磁気抵抗層の表面に付着されると共に、
前記絶縁層の表面に連続して付着され、端縁が前記絶縁
層の前記凹部によって互いに隔てられている。
【００１０】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、ＭＲ型磁気変換素子とを有しており、前記ＭＲ型磁
気変換素子は、上述した本発明に係る磁気変換素子でな
る。
と、ＭＲ型磁気変換素子とを有しており、前記ＭＲ型磁
気変換素子は、上述した本発明に係る磁気変換素子でな
る。
【００１１】ＭＲ型磁気変換素子を製造する本発明に係
る製造方法は、少なくとも第１の工程及び第２の工程を
含み、第１の工程は、磁気抵抗層と、磁気抵抗層の上に
形成された絶縁層とを連続して覆うように、リード電極
の最下層を形成する工程であって、前記絶縁層は相対す
る方向にある両辺と、同方向にとられた前記磁気抵抗層
の両辺との間に前記絶縁層の存在しない領域を生じさせ
て、前記磁気抵抗層の上に付着されており、第２の工程
は、前記最下層を含んで前記リード電極層を前記絶縁層
上で２つに分離し、しかも前記絶縁層の表面に凹部を生
じさせる工程である。
る製造方法は、少なくとも第１の工程及び第２の工程を
含み、第１の工程は、磁気抵抗層と、磁気抵抗層の上に
形成された絶縁層とを連続して覆うように、リード電極
の最下層を形成する工程であって、前記絶縁層は相対す
る方向にある両辺と、同方向にとられた前記磁気抵抗層
の両辺との間に前記絶縁層の存在しない領域を生じさせ
て、前記磁気抵抗層の上に付着されており、第２の工程
は、前記最下層を含んで前記リード電極層を前記絶縁層
上で２つに分離し、しかも前記絶縁層の表面に凹部を生
じさせる工程である。
【００１２】
【作用】絶縁層は、相対する方向にある両辺と、同方向
にとられた磁気抵抗層の両辺との間に絶縁層の存在しな
い領域を生じさせて、磁気抵抗層の上に付着されてお
り、一対のリード電極層のそれぞれは、絶縁層の存在し
ない領域上で磁気抵抗層の表面に付着されると共に、絶
縁層の表面に連続して付着され、端縁が互いに隔てられ
ているから、薄膜磁気ヘッドのトラック幅が絶縁層の相
対する方向にある両辺の位置によって定まる。このた
め、ＭＲ型磁気変換素子のトラック幅を正確に定めるこ
とができる。
にとられた磁気抵抗層の両辺との間に絶縁層の存在しな
い領域を生じさせて、磁気抵抗層の上に付着されてお
り、一対のリード電極層のそれぞれは、絶縁層の存在し
ない領域上で磁気抵抗層の表面に付着されると共に、絶
縁層の表面に連続して付着され、端縁が互いに隔てられ
ているから、薄膜磁気ヘッドのトラック幅が絶縁層の相
対する方向にある両辺の位置によって定まる。このた
め、ＭＲ型磁気変換素子のトラック幅を正確に定めるこ
とができる。
【００１３】絶縁層は相対する方向にある両辺間の中間
部に凹部を有しており、一対のリード電極層のそれぞれ
は、端縁が絶縁層の前記凹部によって互いに隔てられて
いる。このため、一対のリード電極間の絶縁距離が凹部
によって拡大される。また、一対のリード電極は凹部の
底よりも高い平面上に位置するから、仮に凹部の底面に
導電性物質が付着したとしても、電気絶縁がそれによっ
て損なわれることがない。このため、一対のリード電極
層間を隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性が向上
する。
部に凹部を有しており、一対のリード電極層のそれぞれ
は、端縁が絶縁層の前記凹部によって互いに隔てられて
いる。このため、一対のリード電極間の絶縁距離が凹部
によって拡大される。また、一対のリード電極は凹部の
底よりも高い平面上に位置するから、仮に凹部の底面に
導電性物質が付着したとしても、電気絶縁がそれによっ
て損なわれることがない。このため、一対のリード電極
層間を隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性が向上
する。
【００１４】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ
によって支持されたＭＲ型磁気変換素子が前述した本発
明に係る磁気変換素子で構成されている。このため、本
発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用がそのまま
発揮される。
によって支持されたＭＲ型磁気変換素子が前述した本発
明に係る磁気変換素子で構成されている。このため、本
発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用がそのまま
発揮される。
【００１５】上述のＭＲ磁気変換素子を製造するに当
り、第１の工程は、磁気抵抗層と、磁気抵抗層の上に形
成された絶縁層とを連続して覆うように、リード電極の
最下層を形成する工程であって、絶縁層は相対する方向
にある両辺と、同方向にとられた磁気抵抗層の両辺との
間に絶縁層の存在しない領域を生じさせて、磁気抵抗層
の上に付着されており、第２の工程は最下層を絶縁層上
で２つに分離し、しかも絶縁層の表面に凹部を生じさせ
る工程であるから、本発明に係るＭＲ磁気変換素子を容
易に得ることができる。
り、第１の工程は、磁気抵抗層と、磁気抵抗層の上に形
成された絶縁層とを連続して覆うように、リード電極の
最下層を形成する工程であって、絶縁層は相対する方向
にある両辺と、同方向にとられた磁気抵抗層の両辺との
間に絶縁層の存在しない領域を生じさせて、磁気抵抗層
の上に付着されており、第２の工程は最下層を絶縁層上
で２つに分離し、しかも絶縁層の表面に凹部を生じさせ
る工程であるから、本発明に係るＭＲ磁気変換素子を容
易に得ることができる。
【００１６】通常、第１の工程は、リード電極層の最下
層として、反強磁性層を形成する工程である。従って、
第１の工程を終了したとき、反強磁性層と磁気抵抗層と
の間に反強磁性ー強磁性交換結合が形成されている。
層として、反強磁性層を形成する工程である。従って、
第１の工程を終了したとき、反強磁性層と磁気抵抗層と
の間に反強磁性ー強磁性交換結合が形成されている。
【００１７】最下層を構成する反強磁性層は、磁気抵抗
層と、磁気抵抗層の上に形成された絶縁層とを連続して
覆っている。従って、第１の工程に続く工程において、
反強磁性層と磁気抵抗層との間の反強磁性ー強磁性交換
結合が汚れを受けることがない。反強磁性層を形成する
ときの磁気抵抗層の表面状態に対応した高効率の交換結
合が、第１工程の後の工程においても維持される。この
ため、反強磁性ー強磁性交換結合を利用した磁気変換素
子において、高効率の交換結合を形成し得る。
層と、磁気抵抗層の上に形成された絶縁層とを連続して
覆っている。従って、第１の工程に続く工程において、
反強磁性層と磁気抵抗層との間の反強磁性ー強磁性交換
結合が汚れを受けることがない。反強磁性層を形成する
ときの磁気抵抗層の表面状態に対応した高効率の交換結
合が、第１工程の後の工程においても維持される。この
ため、反強磁性ー強磁性交換結合を利用した磁気変換素
子において、高効率の交換結合を形成し得る。
【００１８】
【実施例】図１は本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の部
分断面図である。本発明に係るＭＲ型磁気変換素子は、
磁気抵抗層１と、絶縁層２と、一対のリード電極層３、
４とを含んでいる。磁気抵抗層１は支持層５の上に付着
されている。磁気抵抗層１は例えばパーマロイによって
形成される。その組成、厚み及び製造方法等は、当該技
術分野の通常の知識を有するものにとって周知である。
分断面図である。本発明に係るＭＲ型磁気変換素子は、
磁気抵抗層１と、絶縁層２と、一対のリード電極層３、
４とを含んでいる。磁気抵抗層１は支持層５の上に付着
されている。磁気抵抗層１は例えばパーマロイによって
形成される。その組成、厚み及び製造方法等は、当該技
術分野の通常の知識を有するものにとって周知である。
【００１９】絶縁層２は、相対する方向にある両辺２
１、２２と、同方向にとられた磁気抵抗層１の両辺１
１、１２との間に絶縁層２の存在しない領域Ｇ１、Ｇ２
を生じさせて、磁気抵抗層１の表面１０の上に付着され
ている。絶縁層２は、一辺２１と他片２２の間の中間部
に凹部２３を有している。凹部２３は、その両側の表面
２４、２５よりも少しでも段差があれば足りる。
１、２２と、同方向にとられた磁気抵抗層１の両辺１
１、１２との間に絶縁層２の存在しない領域Ｇ１、Ｇ２
を生じさせて、磁気抵抗層１の表面１０の上に付着され
ている。絶縁層２は、一辺２１と他片２２の間の中間部
に凹部２３を有している。凹部２３は、その両側の表面
２４、２５よりも少しでも段差があれば足りる。
【００２０】リード電極層３、４のそれぞれは、領域Ｇ
１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面１０に付着されると共
に、絶縁層２の表面２４、２５に連続して付着され、端
縁３０、４０が絶縁層２の凹部２３によって互いに隔て
られている。
１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面１０に付着されると共
に、絶縁層２の表面２４、２５に連続して付着され、端
縁３０、４０が絶縁層２の凹部２３によって互いに隔て
られている。
【００２１】上述のＭＲ型磁気変換素子は、トラック幅
が絶縁層２の相対する方向にある両辺２１、２２間の間
隔Ｗによって定まる。このため、ＭＲ型磁気変換素子の
トラック幅を正確に定めることができる。
が絶縁層２の相対する方向にある両辺２１、２２間の間
隔Ｗによって定まる。このため、ＭＲ型磁気変換素子の
トラック幅を正確に定めることができる。
【００２２】絶縁層２は相対する方向にある両辺２１ー
２２間の中間部に凹部２３を有しており、一対のリード
電極層３、４のそれぞれは、端縁３０、４０が絶縁層２
の凹部２３によって互いに隔てられている。このため、
一対のリード電極層３ー４間の絶縁距離が凹部２３によ
って拡大される。また、一対のリード電極層３、４は凹
部２３の底面よりも高い平面２４、２５上に位置するか
ら、仮に凹部２３の底面に導電性物質が付着したとして
も、電気絶縁が付着した導電性物質によって損なわれる
ことがない。このため、一対のリード電極層３、４間を
隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性が向上する。
２２間の中間部に凹部２３を有しており、一対のリード
電極層３、４のそれぞれは、端縁３０、４０が絶縁層２
の凹部２３によって互いに隔てられている。このため、
一対のリード電極層３ー４間の絶縁距離が凹部２３によ
って拡大される。また、一対のリード電極層３、４は凹
部２３の底面よりも高い平面２４、２５上に位置するか
ら、仮に凹部２３の底面に導電性物質が付着したとして
も、電気絶縁が付着した導電性物質によって損なわれる
ことがない。このため、一対のリード電極層３、４間を
隔てる微小間隔における電気絶縁の信頼性が向上する。
【００２３】絶縁層２はアルミナである。リード電極層
３、４は反強磁性層３１、４１と、リード導電層３２、
４２とを含んでいる。反強磁性層３１、４１は領域Ｇ
１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面に付着され、磁気抵抗
層１との間で反強磁性ー強磁性交換結合を構成してい
る。反強磁性層３１、４１と磁気抵抗層１との間に生じ
る反強磁性ー強磁性交換結合により、磁気抵抗層１に均
一な長手方向バイアスが加えられ、磁区の動きに起因す
るバルクハウゼンノイズが防止される。リード導電層３
２、４２は反強磁性層３１、４１の上に付着されてい
る。このような構造は、例えば米国特許第4,103,315号
に開示されている。反強磁性層３１、４１は例えばFe-M
n膜等よりなり、リード導電層３２、４２は例えばTa/W/
Taの積層膜よりなる。
３、４は反強磁性層３１、４１と、リード導電層３２、
４２とを含んでいる。反強磁性層３１、４１は領域Ｇ
１、Ｇ２上で磁気抵抗層１の表面に付着され、磁気抵抗
層１との間で反強磁性ー強磁性交換結合を構成してい
る。反強磁性層３１、４１と磁気抵抗層１との間に生じ
る反強磁性ー強磁性交換結合により、磁気抵抗層１に均
一な長手方向バイアスが加えられ、磁区の動きに起因す
るバルクハウゼンノイズが防止される。リード導電層３
２、４２は反強磁性層３１、４１の上に付着されてい
る。このような構造は、例えば米国特許第4,103,315号
に開示されている。反強磁性層３１、４１は例えばFe-M
n膜等よりなり、リード導電層３２、４２は例えばTa/W/
Taの積層膜よりなる。
【００２４】支持層５は、横方向バイアス層５１と、磁
気分離層５２とを含み、横方向バイアス層５１が基板５
３の上に付着され、磁気分離層５２が横方向バイアス層
５１の上に付着されている。磁気抵抗層１は磁気分離層
５２の上に付着されている。横方向バイアス層５１は例
えばNi-Fe-Rhによって構成された磁気抵抗効果のない磁
性膜である。磁気分離層５２は例えばＴａ膜によって構
成される。この構造は、この種のＭＲ型磁気変換素子で
通常用いられる構造である。
気分離層５２とを含み、横方向バイアス層５１が基板５
３の上に付着され、磁気分離層５２が横方向バイアス層
５１の上に付着されている。磁気抵抗層１は磁気分離層
５２の上に付着されている。横方向バイアス層５１は例
えばNi-Fe-Rhによって構成された磁気抵抗効果のない磁
性膜である。磁気分離層５２は例えばＴａ膜によって構
成される。この構造は、この種のＭＲ型磁気変換素子で
通常用いられる構造である。
【００２５】図２は上述したＭＲ型磁気変換素子を読み
出し素子として用い、書き込み素子として誘導型磁気変
換素子を用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図を示してい
る。図示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００の上にＭ
Ｒ型磁気変換素子で構成された読み出し素子１１０及び
誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２０を有す
る。
出し素子として用い、書き込み素子として誘導型磁気変
換素子を用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図を示してい
る。図示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００の上にＭ
Ｒ型磁気変換素子で構成された読み出し素子１１０及び
誘導型磁気変換素子でなる書き込み素子１２０を有す
る。
【００２６】スライダ１００はセラミック構造体で構成
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
【００２７】読み出し素子１１０はＭＲ型磁気変換素子
１１１を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設されている。
参照符号１１２はＭＲ型磁気変換素子１１１に給電する
端子導体である。リード電極層１１２は図１のリード電
極層３、４に対応している。ＭＲ型磁気変換素子１１１
及びリード電極層１１２は、スライダ１００のＡＢＳ面
１０３に現れており、これにより、スペーシングロスを
できるだけ減少させるようにしてある。１１３は下部シ
ールド膜であり、パーマロイなどの磁性膜によって構成
されている。
１１１を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設されている。
参照符号１１２はＭＲ型磁気変換素子１１１に給電する
端子導体である。リード電極層１１２は図１のリード電
極層３、４に対応している。ＭＲ型磁気変換素子１１１
及びリード電極層１１２は、スライダ１００のＡＢＳ面
１０３に現れており、これにより、スペーシングロスを
できるだけ減少させるようにしてある。１１３は下部シ
ールド膜であり、パーマロイなどの磁性膜によって構成
されている。
【００２８】読み出し素子１１０は、前述した本発明に
係るＭＲ型磁気変換素子１１１で構成されている。この
ため、本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用、
効果がそのまま発揮される。
係るＭＲ型磁気変換素子１１１で構成されている。この
ため、本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用、
効果がそのまま発揮される。
【００２９】書き込み素子１２０は、下部磁性膜１２
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
【００３０】次に上述したＭＲ型磁気変換素子の製造方
法について、図３〜図８を参照して説明する。まず、図
３において、支持層５の上に設けられた磁気抵抗層１の
上に絶縁層２が設けられている。絶縁層２は相対する方
向にある両辺２１、２２と、同方向にとられた磁気抵抗
層１の両辺１１、１２との間に絶縁層２の存在しない領
域Ｇ１、Ｇ２を生じさせて、磁気抵抗層１の上に付着さ
れている。
法について、図３〜図８を参照して説明する。まず、図
３において、支持層５の上に設けられた磁気抵抗層１の
上に絶縁層２が設けられている。絶縁層２は相対する方
向にある両辺２１、２２と、同方向にとられた磁気抵抗
層１の両辺１１、１２との間に絶縁層２の存在しない領
域Ｇ１、Ｇ２を生じさせて、磁気抵抗層１の上に付着さ
れている。
【００３１】図３に示す構造において、図４に示すよう
に、磁気抵抗層１と、磁気抵抗層１の上に形成された絶
縁層２とを連続して覆うように、リード電極層の最下層
７を形成する。リード電極層の最下層７は、反強磁性層
であり、最下層の反強磁性層７と磁気抵抗層１との間に
反強磁性ー強磁性交換結合が形成されている。この最下
層の反強磁性層７は磁気抵抗層１と、磁気抵抗層１の上
に形成された絶縁層２とを連続して覆っている。従っ
て、反強磁性層７と磁気抵抗層１との間の反強磁性ー強
磁性交換結合が、この後に続く工程において汚れを受け
ることがない。反強磁性層７を形成するときの磁気抵抗
層１の表面状態に対応した高効率の交換結合がその後の
工程においても維持される。このため、反強磁性ー強磁
性交換結合を利用したＭＲ型磁気変換素子において、高
効率の交換結合を形成し得る。
に、磁気抵抗層１と、磁気抵抗層１の上に形成された絶
縁層２とを連続して覆うように、リード電極層の最下層
７を形成する。リード電極層の最下層７は、反強磁性層
であり、最下層の反強磁性層７と磁気抵抗層１との間に
反強磁性ー強磁性交換結合が形成されている。この最下
層の反強磁性層７は磁気抵抗層１と、磁気抵抗層１の上
に形成された絶縁層２とを連続して覆っている。従っ
て、反強磁性層７と磁気抵抗層１との間の反強磁性ー強
磁性交換結合が、この後に続く工程において汚れを受け
ることがない。反強磁性層７を形成するときの磁気抵抗
層１の表面状態に対応した高効率の交換結合がその後の
工程においても維持される。このため、反強磁性ー強磁
性交換結合を利用したＭＲ型磁気変換素子において、高
効率の交換結合を形成し得る。
【００３２】次に、図５に示すように、絶縁層２の上の
反強磁性層７の表面を含んで、レジストによるマスク．
パターン８０〜８２を形成する。マスク．パターン８０
〜８２はリード電極層のパターンを定める。
反強磁性層７の表面を含んで、レジストによるマスク．
パターン８０〜８２を形成する。マスク．パターン８０
〜８２はリード電極層のパターンを定める。
【００３３】次に、図６に示すように、マスク．パター
ン８０〜８２及び反強磁性層７の表面にリード導電層９
０〜９４を付着させる。リード導電層９０〜９４はリフ
ト．オフ．プロセス適用の可能な膜として形成する。
ン８０〜８２及び反強磁性層７の表面にリード導電層９
０〜９４を付着させる。リード導電層９０〜９４はリフ
ト．オフ．プロセス適用の可能な膜として形成する。
【００３４】次に、図７に示すように、リフト．オフ．
プロセスによって、リード導電層９０〜９４の内、マス
ク．パターン８０〜８２上のリード導電層９０、９３、
９４をマスク．パターン８０〜８２と共に除去する。
プロセスによって、リード導電層９０〜９４の内、マス
ク．パターン８０〜８２上のリード導電層９０、９３、
９４をマスク．パターン８０〜８２と共に除去する。
【００３５】次に、図８に示すように、最下層を構成す
る反強磁性層７を、絶縁層２上で２つに分離し、かつ、
絶縁層２の表面に凹部２３を生じさせる。これにより、
図１に示した一対の反強磁性層３１、４１が得られる。
この工程は、イオンミリング等によって実行できる。ま
た、反強磁性層３１、４１上のリード導電層９１、９２
を残し、他の不要な部分も除去する。この工程を経るこ
とにより、リード導電層９１、９２は図１にリード導電
層３２、４２となる。
る反強磁性層７を、絶縁層２上で２つに分離し、かつ、
絶縁層２の表面に凹部２３を生じさせる。これにより、
図１に示した一対の反強磁性層３１、４１が得られる。
この工程は、イオンミリング等によって実行できる。ま
た、反強磁性層３１、４１上のリード導電層９１、９２
を残し、他の不要な部分も除去する。この工程を経るこ
とにより、リード導電層９１、９２は図１にリード導電
層３２、４２となる。
【００３６】図示はされていないけれども、薄膜磁気ヘ
ッドを構成する場合も、読み書き素子となるＭＲ型磁気
変換素子の製造工程において、上記のＭＲ型磁気変換素
子の製造方法が適用される。
ッドを構成する場合も、読み書き素子となるＭＲ型磁気
変換素子の製造工程において、上記のＭＲ型磁気変換素
子の製造方法が適用される。
【００３７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）トラック幅を正確に定めるのに有効なＭＲ型磁気
変換素子及び薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）一対のリード電極層間を隔てる微小間隔における
電気絶縁の信頼性を向上させたＭＲ型磁気変換素子及び
薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｃ）ＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを得るの
に好適な製造方法を提供することができる。 （ｄ）反強磁性ー強磁性交換結合を利用したＭＲ型磁気
変換素子において、高効率の交換結合を形成し得るＭＲ
型磁気変換素子の製造方法を提供することができる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）トラック幅を正確に定めるのに有効なＭＲ型磁気
変換素子及び薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｂ）一対のリード電極層間を隔てる微小間隔における
電気絶縁の信頼性を向上させたＭＲ型磁気変換素子及び
薄膜磁気ヘッドを提供することができる。 （ｃ）ＭＲ型磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを得るの
に好適な製造方法を提供することができる。 （ｄ）反強磁性ー強磁性交換結合を利用したＭＲ型磁気
変換素子において、高効率の交換結合を形成し得るＭＲ
型磁気変換素子の製造方法を提供することができる。
【図１】本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の部分断面図
である。
である。
【図２】本発明に係るＭＲ型磁気変換素子を読み出し素
子として用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
子として用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図３】本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の製造方法の
一工程を示す図である。
一工程を示す図である。
【図４】図３に示した製造工程の次の工程を示す図であ
る。
る。
【図５】図４に示した製造工程の次の工程を示す図であ
る。
る。
【図６】図５に示した製造工程の次の工程を示す図であ
る。
る。
【図７】図６に示した製造工程の次の工程を示す図であ
る。
る。
【図８】図７に示した製造工程の次の工程を示す図であ
る。
る。
１ 磁気抵抗層 ２ 絶縁層 ３、４ リード電極層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 43/12 (72)発明者 宇野 泰史 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気抵抗層と、絶縁層と、一対のリード
電極層とを含む磁気抵抗型磁気変換素子であって、 前記磁気抵抗層は、支持層の上に付着されており、 前記絶縁層は、相対する方向にある両辺と、同方向にと
られた前記磁気抵抗層の両辺との間に前記絶縁層の存在
しない領域を生じさせて、前記磁気抵抗層の上に付着さ
れ、前記両辺間の中間部に凹部を有しており、 前記リード電極層のそれぞれは、前記領域上で前記磁気
抵抗層の表面に付着されると共に、前記絶縁層の表面に
連続して付着され、端縁が前記絶縁層の前記凹部によっ
て互いに隔てられている磁気抵抗型磁気変換素子。 - 【請求項２】 前記絶縁層は、アルミナである請求項１
に記載の磁気抵抗型磁気変換素子。 - 【請求項３】 前記リード電極層は、反強磁性層と、リ
ード導電層とを含み、前記反強磁性層が前記領域上で前
記磁気抵抗層の表面に付着され前記磁気抵抗層との間で
反強磁性ー強磁性交換結合を構成し、前記リード導電層
が前記反強磁性層の上に付着されている請求項１に記載
の磁気抵抗型磁気変換素子。 - 【請求項４】 前記支持層は、横方向バイアス層と、磁
気分離層とを含み、前記横方向バイアス層が基板の上に
付着され、前記磁気分離層が前記横方向バイアス層の上
に付着されており、 前記磁気抵抗層は前記磁気分離層の上に付着されている
請求項３に記載の磁気抵抗型磁気変換素子。 - 【請求項５】 スライダと、前記スライダによって支持
された磁気抵抗型磁気変換素子とを含む薄膜磁気ヘッド
であって、 前記磁気変換素子は、請求項１乃至４に記載された何れ
かである薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗型磁気変換素子を製造する方法
であって、少なくとも第１の工程及び第２の工程を含
み、 前記第１の工程は、磁気抵抗層と、磁気抵抗層の上に形
成された絶縁層とを連続して覆うように、リード電極の
最下層を形成する工程であって、前記絶縁層は相対する
方向にある両辺と、同方向にとられた前記磁気抵抗層の
両辺との間に前記絶縁層の存在しない領域を生じさせ
て、前記磁気抵抗層の上に付着されており、 前記第２の工程は、前記最下層を含んで前記リード電極
層を前記絶縁層上で２つに分離し、しかも前記絶縁層の
表面に凹部を生じさせる工程である磁気抵抗型磁気変換
素子の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１の工程は、前記リード電極層の
最下層として、反強磁性層を形成する工程である請求項
６に記載の磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の工程の後であって、前記第２
の工程よりも前に、前記絶縁層の上の前記反強磁性層の
表面を含んでレジストによるマスク．パターンを形成
し、次に、前記マスク．パターン及び前記反強磁性層の
表面にリード導電層を付着させ、次に、リフト．オフ．
プロセスによって、前記リード導電層を前記マスク．パ
ターンと共に除去する工程を含む請求項７に記載の磁気
抵抗型磁気変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187166A JPH0785430A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気抵抗型磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5187166A JPH0785430A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気抵抗型磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785430A true JPH0785430A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16201279
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5187166A Withdrawn JPH0785430A (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | 磁気抵抗型磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気抵抗型磁気変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785430A (ja) |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP5187166A patent/JPH0785430A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000905 |