JPH0785905A - 超電導装置用ブッシング装置 - Google Patents
超電導装置用ブッシング装置Info
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- JPH0785905A JPH0785905A JP23287693A JP23287693A JPH0785905A JP H0785905 A JPH0785905 A JP H0785905A JP 23287693 A JP23287693 A JP 23287693A JP 23287693 A JP23287693 A JP 23287693A JP H0785905 A JPH0785905 A JP H0785905A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】小型で、低損失で、交流通電に適した超電導装
置用ブッシング装置を提供する。 【構成】中心導体１と上記中心導体１を電気的絶縁状態
で支持する気密性の取付フランジ２とを備え、超電導機
器を収容した内槽Ｐの壁に取付けられて、超電導機器と
外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブッ
シング装置において、中心導体１が、棒状に形成された
常電導導体１１と、この常電導導体１１の外周面部にそ
れぞれが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形
成された複数の溝と、これらの溝に埋め込み固定された
超電導線１４とで構成されている。
置用ブッシング装置を提供する。 【構成】中心導体１と上記中心導体１を電気的絶縁状態
で支持する気密性の取付フランジ２とを備え、超電導機
器を収容した内槽Ｐの壁に取付けられて、超電導機器と
外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブッ
シング装置において、中心導体１が、棒状に形成された
常電導導体１１と、この常電導導体１１の外周面部にそ
れぞれが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形
成された複数の溝と、これらの溝に埋め込み固定された
超電導線１４とで構成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超電導機器を収容した
内槽の壁に取付けられて、上記超電導機器と内槽外に位
置する導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブ
ッシング装置に係り、特に交流通電に適した超電導装置
用ブッシング装置に関する。
内槽の壁に取付けられて、上記超電導機器と内槽外に位
置する導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブ
ッシング装置に係り、特に交流通電に適した超電導装置
用ブッシング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように、最近の超電導応用の進展
は目覚ましく、限流器や変圧器などの交流機器の分野ま
で広がっている。ところで、超電導機器は、通常、液体
ヘリウムで代表される極低温液体と一緒に断熱容器内に
収容された状態で使用される。断熱容器は、一般に、超
電導機器と極低温液体とを直接収容する内槽と、この内
槽を囲むように設けられて内槽との間に真空断熱層を形
成する外槽とで構成されている。そして、内槽内に収容
されている超電導機器と内槽外に位置している導体との
電気的な接続は、内槽の壁に取り付けられたブッシング
装置を介して行われる。
は目覚ましく、限流器や変圧器などの交流機器の分野ま
で広がっている。ところで、超電導機器は、通常、液体
ヘリウムで代表される極低温液体と一緒に断熱容器内に
収容された状態で使用される。断熱容器は、一般に、超
電導機器と極低温液体とを直接収容する内槽と、この内
槽を囲むように設けられて内槽との間に真空断熱層を形
成する外槽とで構成されている。そして、内槽内に収容
されている超電導機器と内槽外に位置している導体との
電気的な接続は、内槽の壁に取り付けられたブッシング
装置を介して行われる。
【０００３】ブッシング装置は、通常、銅などの常電導
導体で形成された中心導体と、この中心導体を電気的絶
縁状態で支持する気密性の取付フランジとで構成されて
いる。取付フランジは電気絶縁を確保するためのセラミ
ックス製の絶縁筒や熱収縮を吸収するためのベローズな
どを途中に介在させたものとなっている。
導体で形成された中心導体と、この中心導体を電気的絶
縁状態で支持する気密性の取付フランジとで構成されて
いる。取付フランジは電気絶縁を確保するためのセラミ
ックス製の絶縁筒や熱収縮を吸収するためのベローズな
どを途中に介在させたものとなっている。
【０００４】しかしながら、上記のように構成されたブ
ッシング装置にあっては次のような問題があった。すな
わち、内槽内に収容されている超電導機器が交流超電導
機器の場合には、ブッシング装置の中心導体にも交流電
流が流れる。常電導導体で形成された中心導体に交流電
流が流れると、電流は表皮効果によって中心導体の表面
部に流れ、中心部には流れない。このため、中心導体の
有効断面積が減少し、実効抵抗が増加してジュール熱が
増加する。
ッシング装置にあっては次のような問題があった。すな
わち、内槽内に収容されている超電導機器が交流超電導
機器の場合には、ブッシング装置の中心導体にも交流電
流が流れる。常電導導体で形成された中心導体に交流電
流が流れると、電流は表皮効果によって中心導体の表面
部に流れ、中心部には流れない。このため、中心導体の
有効断面積が減少し、実効抵抗が増加してジュール熱が
増加する。
【０００５】今、中心導体中の実際に電流が流れる部分
の厚さ、つまり表皮厚さをδとし、中心導体を形成して
いる材料の抵抗率をρとし、透磁率をμとし、角周波数
をω（＝ 2π×電流の周波数）とすると、表皮厚さδ
は、 δ＝（ 2ρ／μω）1/2 で与えられる。中心導体が電気銅（ρ＝2 ×10-10 Ω
ｍ）で形成されているものとし、周波数が50Hzであると
すると、表皮厚さδは約 1mmとなる。
の厚さ、つまり表皮厚さをδとし、中心導体を形成して
いる材料の抵抗率をρとし、透磁率をμとし、角周波数
をω（＝ 2π×電流の周波数）とすると、表皮厚さδ
は、 δ＝（ 2ρ／μω）1/2 で与えられる。中心導体が電気銅（ρ＝2 ×10-10 Ω
ｍ）で形成されているものとし、周波数が50Hzであると
すると、表皮厚さδは約 1mmとなる。
【０００６】したがって、中心導体に1000A 流すものと
し、中心導体の長さが100mm であるとし、中心導体での
発熱量を0.1 W 以下に抑えようとすると、中心導体の直
径を64mm以上に設定する必要がある。
し、中心導体の長さが100mm であるとし、中心導体での
発熱量を0.1 W 以下に抑えようとすると、中心導体の直
径を64mm以上に設定する必要がある。
【０００７】極低温液体として液体ヘリウム（4.2K）を
用いる場合、冷凍機の冷凍能力を少しでも向上させよう
とすると、冷凍機を大幅に大型化させる必要がある。し
たがって、特に内槽の壁に取り付けられるブッシング装
置については、中心導体での発熱量を0.1 W 以下に抑え
ることが重要となる。しかし、このように発熱量を抑え
ようとすると、上述の如く中心導体の直径を64mm以上に
設定する必要があるので、収容されている超電導機器が
小型化されているにも拘らず、内槽を大型化しなければ
ならないという問題が生じる。また、中心導体の直径が
大きくなると、中心導体と取付フランジとの間および取
付フランジに設けられる気密封止箇所の面積も増加する
ので、極低温下における気密保持の信頼性が低下する虞
もある。
用いる場合、冷凍機の冷凍能力を少しでも向上させよう
とすると、冷凍機を大幅に大型化させる必要がある。し
たがって、特に内槽の壁に取り付けられるブッシング装
置については、中心導体での発熱量を0.1 W 以下に抑え
ることが重要となる。しかし、このように発熱量を抑え
ようとすると、上述の如く中心導体の直径を64mm以上に
設定する必要があるので、収容されている超電導機器が
小型化されているにも拘らず、内槽を大型化しなければ
ならないという問題が生じる。また、中心導体の直径が
大きくなると、中心導体と取付フランジとの間および取
付フランジに設けられる気密封止箇所の面積も増加する
ので、極低温下における気密保持の信頼性が低下する虞
もある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述の如く、従来のブ
ッシング装置にあっては、交流超電導機器を内蔵した超
電導装置に組み込んだ場合に、中心導体の大径化を招
き、これが原因して超電導装置固有の小型化できる利点
を阻害するばかりか、装置としての信頼性を低下させる
虞があった。そこで本発明は、上述した不具合を解消で
き、小型で低損失な超電導装置用ブッシング装置を提供
することを目的としている。
ッシング装置にあっては、交流超電導機器を内蔵した超
電導装置に組み込んだ場合に、中心導体の大径化を招
き、これが原因して超電導装置固有の小型化できる利点
を阻害するばかりか、装置としての信頼性を低下させる
虞があった。そこで本発明は、上述した不具合を解消で
き、小型で低損失な超電導装置用ブッシング装置を提供
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、中心導体と上記中心導体を電気的絶縁状
態で支持する気密性の取付フランジとを備え、超電導機
器を収容した容器の壁に取付けられて、上記超電導機器
と外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブ
ッシング装置において、前記中心導体が、棒状に形成さ
れた常電導導体と、この常電導導体の外周面部にそれぞ
れが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形成さ
れた複数の溝と、これらの溝に埋め込み固定された超電
導線とを備えていることを特徴としている。
に、本発明は、中心導体と上記中心導体を電気的絶縁状
態で支持する気密性の取付フランジとを備え、超電導機
器を収容した容器の壁に取付けられて、上記超電導機器
と外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブ
ッシング装置において、前記中心導体が、棒状に形成さ
れた常電導導体と、この常電導導体の外周面部にそれぞ
れが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形成さ
れた複数の溝と、これらの溝に埋め込み固定された超電
導線とを備えていることを特徴としている。
【００１０】なお、前記中心導体として、線径が表皮厚
さ以下の複数の常電導素線を互いの間に絶縁物を介在さ
せてリンツ編みした後に樹脂を含浸して固化させたもの
を用いることも有効である。
さ以下の複数の常電導素線を互いの間に絶縁物を介在さ
せてリンツ編みした後に樹脂を含浸して固化させたもの
を用いることも有効である。
【００１１】
【作用】常電導導体の外周面部に複数の超電導線を埋め
込んでなる中心導体を備えたブッシング装置では、各超
電導線が臨界温度以下の温度に冷却されていると、常に
超電導線を通して電流が流れる。すなわち、臨界電流が
機器の定格電流以上である超電導線を組み込んでおきさ
えすれば、ジュール損失は発生しない。このとき、ヒス
テリシス損失や結合損失を生じるが、この損失は無視で
きるレベルである。また、超電導線と中央の常電導導体
とが結合して常電導導体に誘導電流が流れる可能性があ
るが、常電導導体の外周部に各超電導線を対称関係に配
置すれば、誘導磁場をキャンセルでき、常電導導体に誘
導電流が流れるのを防止できる。したがって、上記構成
の場合、中心導体の直径を10mm以下に設定しても先の10
00Aで発熱量が0.1W以下の条件を満たすことが可能であ
る。
込んでなる中心導体を備えたブッシング装置では、各超
電導線が臨界温度以下の温度に冷却されていると、常に
超電導線を通して電流が流れる。すなわち、臨界電流が
機器の定格電流以上である超電導線を組み込んでおきさ
えすれば、ジュール損失は発生しない。このとき、ヒス
テリシス損失や結合損失を生じるが、この損失は無視で
きるレベルである。また、超電導線と中央の常電導導体
とが結合して常電導導体に誘導電流が流れる可能性があ
るが、常電導導体の外周部に各超電導線を対称関係に配
置すれば、誘導磁場をキャンセルでき、常電導導体に誘
導電流が流れるのを防止できる。したがって、上記構成
の場合、中心導体の直径を10mm以下に設定しても先の10
00Aで発熱量が0.1W以下の条件を満たすことが可能であ
る。
【００１２】一方、線径が表皮厚さ以下の複数の常電導
素線を互いの間に絶縁物を介在させてリンツ編みした後
に樹脂を含浸し固化させてなる中心導体を備えたブッシ
ング装置では、リンツ編みによって各常電導素線が外側
と内側とを均等に経由するので、各常電導素線に均一に
電流が流れる。すなわち、有効断面積が各常電導素線の
断面積に素線本数を乗じたものとなり、表皮効果の影響
はない。したがって、この構成の場合、中心導体の直径
を20mm以下に設定しても先の1000A で発熱量が0.1W以下
の条件を満たすことが可能である。
素線を互いの間に絶縁物を介在させてリンツ編みした後
に樹脂を含浸し固化させてなる中心導体を備えたブッシ
ング装置では、リンツ編みによって各常電導素線が外側
と内側とを均等に経由するので、各常電導素線に均一に
電流が流れる。すなわち、有効断面積が各常電導素線の
断面積に素線本数を乗じたものとなり、表皮効果の影響
はない。したがって、この構成の場合、中心導体の直径
を20mm以下に設定しても先の1000A で発熱量が0.1W以下
の条件を満たすことが可能である。
【００１３】
【実施例】以下、図面を参照しながら実施例を説明す
る。図１には本発明の一実施例に係るブッシング装置が
示されている。このブッシング装置は、中心導体１と、
この中心導体１を電気的絶縁状態で支持する気密性の取
付フランジ２とで構成されている。
る。図１には本発明の一実施例に係るブッシング装置が
示されている。このブッシング装置は、中心導体１と、
この中心導体１を電気的絶縁状態で支持する気密性の取
付フランジ２とで構成されている。
【００１４】中心導体１は、銅やアルミニウムなどで棒
状、具体的には円柱状に形成された常電導導体１１と、
この常電導導体１１の外周面部に図２に示すように、そ
れぞれが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形
成された複数の溝１２と、これらの溝１２に半田や銀ロ
ーなどの固定部材１３を介してそれぞれ埋め込み固定さ
れた超電導線１４とで構成されている。
状、具体的には円柱状に形成された常電導導体１１と、
この常電導導体１１の外周面部に図２に示すように、そ
れぞれが軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形
成された複数の溝１２と、これらの溝１２に半田や銀ロ
ーなどの固定部材１３を介してそれぞれ埋め込み固定さ
れた超電導線１４とで構成されている。
【００１５】各超電導線１４は、使用される極低温液体
が液体ヘリウムの場合には、ＮｂＴｉなどの合金系超電
導体やＮｂ3 Ｓｎ，酸化物系などの化合物系超電導体に
よって形成されている。そして、これらの超電導線１４
は、図１に示すように、両端部１５ａ，１５ｂを溝１２
から所定長さ突出させ、かつ常電導導体１１の軸心線を
中心にして対称性よく各溝１２内に固定されている。
が液体ヘリウムの場合には、ＮｂＴｉなどの合金系超電
導体やＮｂ3 Ｓｎ，酸化物系などの化合物系超電導体に
よって形成されている。そして、これらの超電導線１４
は、図１に示すように、両端部１５ａ，１５ｂを溝１２
から所定長さ突出させ、かつ常電導導体１１の軸心線を
中心にして対称性よく各溝１２内に固定されている。
【００１６】一方、取付フランジ２は、内周面が中心導
体１の外周面に銀ローなどで気密固定されたステンレス
鋼製の第１筒体２１と、この第１筒体２１に一端側が気
密接続されると共に中間部にセラミックス製の絶縁筒２
２を気密に介在させてなるコバール（商品名）製の第２
筒体２３と、一端側が第２筒体２３の他端側に気密接続
されて軸方向に伸縮可能に形成された第３筒体２４と、
この第３筒体２４の他端側に気密接続されて内槽Ｐの容
器壁に設けられたブッシング貫通孔Ｑの周縁部に気密に
溶接固定される第４筒体２５とで構成されている。
体１の外周面に銀ローなどで気密固定されたステンレス
鋼製の第１筒体２１と、この第１筒体２１に一端側が気
密接続されると共に中間部にセラミックス製の絶縁筒２
２を気密に介在させてなるコバール（商品名）製の第２
筒体２３と、一端側が第２筒体２３の他端側に気密接続
されて軸方向に伸縮可能に形成された第３筒体２４と、
この第３筒体２４の他端側に気密接続されて内槽Ｐの容
器壁に設けられたブッシング貫通孔Ｑの周縁部に気密に
溶接固定される第４筒体２５とで構成されている。
【００１７】なお、中心導体１の外周面に第１筒体２１
を銀ローなどで気密に固定する際には、予め中心導体１
の外周面を平滑に加工した後に固定する方式が採用され
る。また、上記のように構成されたブッシング装置を内
槽Ｐに設けられたブッシング貫通孔Ｑの周縁部へ固定す
る際には、取付フランジ２の内側に極低温液体が入り込
む位置関係にして固定される。また、内槽Ｐ内に収容さ
れている交流超電導機器との電気的な接続は各超電導線
１４の内槽Ｐ内に突出している端部１５ａを半田等で接
続することによって行われ、同様に内槽Ｐ外の導体Ｒと
の電気的な接続は各超電導線１４の端部１５ｂを半田等
で接続することによって行われる。
を銀ローなどで気密に固定する際には、予め中心導体１
の外周面を平滑に加工した後に固定する方式が採用され
る。また、上記のように構成されたブッシング装置を内
槽Ｐに設けられたブッシング貫通孔Ｑの周縁部へ固定す
る際には、取付フランジ２の内側に極低温液体が入り込
む位置関係にして固定される。また、内槽Ｐ内に収容さ
れている交流超電導機器との電気的な接続は各超電導線
１４の内槽Ｐ内に突出している端部１５ａを半田等で接
続することによって行われ、同様に内槽Ｐ外の導体Ｒと
の電気的な接続は各超電導線１４の端部１５ｂを半田等
で接続することによって行われる。
【００１８】このような構成であると、定常時には取付
フランジ２の内側に入り込んでいる極低温液体によって
各超電導線１４が臨界温度以下に冷却される。したがっ
て、各超電導線１４は、超電導状態に転移している。こ
のため、中心導体１に流れる電流は、常に各超電導線１
４を通して流れる。すなわち、臨界電流が機器の定格電
流以上である超電導線１４を組み込んでおきさえすれ
ば、ジュール損失は発生しない。このとき、ヒステリシ
ス損失や結合損失を生じるが、この損失は無視できるレ
ベルである。また、各超電導線１４と中央の常電導導体
１１とが結合して常電導導体１１に誘導電流の流れる可
能性があるが、この実施例のように常電導導体１１の外
周面部に各超電導線１４を対称関係に配置しておけば、
誘導磁場をキャンセルでき、常電導導体１１に誘導電流
が流れるのを防止できる。
フランジ２の内側に入り込んでいる極低温液体によって
各超電導線１４が臨界温度以下に冷却される。したがっ
て、各超電導線１４は、超電導状態に転移している。こ
のため、中心導体１に流れる電流は、常に各超電導線１
４を通して流れる。すなわち、臨界電流が機器の定格電
流以上である超電導線１４を組み込んでおきさえすれ
ば、ジュール損失は発生しない。このとき、ヒステリシ
ス損失や結合損失を生じるが、この損失は無視できるレ
ベルである。また、各超電導線１４と中央の常電導導体
１１とが結合して常電導導体１１に誘導電流の流れる可
能性があるが、この実施例のように常電導導体１１の外
周面部に各超電導線１４を対称関係に配置しておけば、
誘導磁場をキャンセルでき、常電導導体１１に誘導電流
が流れるのを防止できる。
【００１９】したがって、上記構成のブッシング装置で
あると、従来の装置に比べて中心導体１の直径を大幅に
小さくした状態で交流超電導機器を内蔵した超電導装置
に適用でき、内槽Ｐの大型化を招くようなことはない。
また、中心導体１を小径化できるので、中心導体１と取
付フランジ２との間および取付フランジ２に設けられる
気密封止箇所の面積を減少させることができ、極低温下
における気密保持の信頼性を向上させることができる。
あると、従来の装置に比べて中心導体１の直径を大幅に
小さくした状態で交流超電導機器を内蔵した超電導装置
に適用でき、内槽Ｐの大型化を招くようなことはない。
また、中心導体１を小径化できるので、中心導体１と取
付フランジ２との間および取付フランジ２に設けられる
気密封止箇所の面積を減少させることができ、極低温下
における気密保持の信頼性を向上させることができる。
【００２０】図３には常電導導体への超電導線の埋め込
みの変形例が示されている。この例では、常電導導体１
１ａの外周面部にそれぞれが軸方向に偏平状に延びる関
係に複数の溝１２ａを周方向にほぼ等間隔に設け、これ
らの溝１２ａに半田や銀ローなどの固定部材１３ａを介
してたとえば銀などでシースされ、テープ状に形成され
た酸化物超電導体からなる超電導線１４ａを常電導導体
１１ａの軸心線を中心にして対称関係にそれぞれ埋め込
み固定したものとなっている。
みの変形例が示されている。この例では、常電導導体１
１ａの外周面部にそれぞれが軸方向に偏平状に延びる関
係に複数の溝１２ａを周方向にほぼ等間隔に設け、これ
らの溝１２ａに半田や銀ローなどの固定部材１３ａを介
してたとえば銀などでシースされ、テープ状に形成され
た酸化物超電導体からなる超電導線１４ａを常電導導体
１１ａの軸心線を中心にして対称関係にそれぞれ埋め込
み固定したものとなっている。
【００２１】このように構成された中心導体１ａを用い
ることもできる。図４には本発明の別の実施例に係るブ
ッシング装置が示されている。このブッシング装置も中
心導体１ｂと、この中心導体１ｂを支持する気密性の取
付フランジ２ａとで構成されている。
ることもできる。図４には本発明の別の実施例に係るブ
ッシング装置が示されている。このブッシング装置も中
心導体１ｂと、この中心導体１ｂを支持する気密性の取
付フランジ２ａとで構成されている。
【００２２】中心導体１ｂは、線径が表皮厚さ以下の複
数の銅線、つまり常電導素線３１を互いの間にガラス繊
維等の絶縁物を介在させてリンツ編みした後にエポキシ
樹脂等の樹脂３２を含浸して固化させ、この樹脂３２で
全体の一体化と、導体の軸方向の気密性保持と、絶縁被
覆層の確保とを図ったものとなっている。
数の銅線、つまり常電導素線３１を互いの間にガラス繊
維等の絶縁物を介在させてリンツ編みした後にエポキシ
樹脂等の樹脂３２を含浸して固化させ、この樹脂３２で
全体の一体化と、導体の軸方向の気密性保持と、絶縁被
覆層の確保とを図ったものとなっている。
【００２３】一方、取付フランジ２ａは、中心導体１ｂ
の表面の樹脂層に形成されたネジ山に装着された後に、
中心導体１ｂに対して樹脂で気密に固定されたものとな
っている。
の表面の樹脂層に形成されたネジ山に装着された後に、
中心導体１ｂに対して樹脂で気密に固定されたものとな
っている。
【００２４】このような構成であると、リンツ編みによ
って各常電導素線３１が外側と内側とを均等に経由する
ので、各常電導素線３１に均一に電流が流れる。したが
って、有効断面積は各常電導素線３１の断面積に素線本
数を乗じたものとなり、表皮効果の影響はない。また、
各常電導素線３１間に絶縁材を編み込み、その後に樹脂
３２を含浸して固化させているので、中心導体１ｂの機
械的強度の確保、導体の軸方向の気密性確保、絶縁被覆
層確保を図ることができる。
って各常電導素線３１が外側と内側とを均等に経由する
ので、各常電導素線３１に均一に電流が流れる。したが
って、有効断面積は各常電導素線３１の断面積に素線本
数を乗じたものとなり、表皮効果の影響はない。また、
各常電導素線３１間に絶縁材を編み込み、その後に樹脂
３２を含浸して固化させているので、中心導体１ｂの機
械的強度の確保、導体の軸方向の気密性確保、絶縁被覆
層確保を図ることができる。
【００２５】したがって、このように構成されたブッシ
ング装置にあっても、従来の装置に比べて中心導体１ｂ
の直径を大幅に小さくした状態で交流超電導機器を内蔵
した超電導装置に適用でき、内槽の大型化を招くような
ことはない。また、中心導体１ｂを小径化できるので、
中心導体１ｂと取付フランジ２ａとの間の気密封止箇所
の面積を減少させることができ、極低温下における気密
保持の信頼性を向上させることができる。
ング装置にあっても、従来の装置に比べて中心導体１ｂ
の直径を大幅に小さくした状態で交流超電導機器を内蔵
した超電導装置に適用でき、内槽の大型化を招くような
ことはない。また、中心導体１ｂを小径化できるので、
中心導体１ｂと取付フランジ２ａとの間の気密封止箇所
の面積を減少させることができ、極低温下における気密
保持の信頼性を向上させることができる。
【００２６】なお、上述した説明は、交流超電導機器を
内蔵した超電導装置に使用することを前提にしている
が、本発明に係るブッシング装置は直流超電導機器を内
蔵した超電導装置にも使用できることは勿論である。
内蔵した超電導装置に使用することを前提にしている
が、本発明に係るブッシング装置は直流超電導機器を内
蔵した超電導装置にも使用できることは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
全体の小型化を図った状態で交流を通電したときのジュ
ール発熱を抑制でき、しかも極低温下における気密保持
の信頼性を向上させることができる。
全体の小型化を図った状態で交流を通電したときのジュ
ール発熱を抑制でき、しかも極低温下における気密保持
の信頼性を向上させることができる。
【図１】本発明の一実施例に係る超電導装置用ブッシン
グ装置の縦断面図
グ装置の縦断面図
【図２】図１におけるＡ−Ａ線に沿って切断し矢印方向
に見た図
に見た図
【図３】中心導体の変形例を示す横断面図
【図４】本発明の別の実施例に係る超電導装置用ブッシ
ング装置の縦断面図
ング装置の縦断面図
１，１ａ，１ｂ…中心導体 ２，２ａ…取付フ
ランジ １１，１１ａ…常電導導体 １２，１２ａ…溝 １３，１３ａ…固定部材 １４，１４ａ…超
電導線 １５ａ，１５ｂ…端部 ３１…常電導素線 ３２…樹脂 Ｐ…内槽 Ｑ…ブッシング貫通孔 Ｒ…外部導体
ランジ １１，１１ａ…常電導導体 １２，１２ａ…溝 １３，１３ａ…固定部材 １４，１４ａ…超
電導線 １５ａ，１５ｂ…端部 ３１…常電導素線 ３２…樹脂 Ｐ…内槽 Ｑ…ブッシング貫通孔 Ｒ…外部導体
Claims (2)
- 【請求項１】中心導体と上記中心導体を電気的絶縁状態
で支持する気密性の取付フランジとを備え、超電導機器
を収容した容器の壁に取付けられて、上記超電導機器と
外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブッ
シング装置において、前記中心導体は、棒状に形成され
た常電導導体と、この常電導導体の外周面部にそれぞれ
が軸方向に延びる関係に周方向にほぼ等間隔に形成され
た複数の溝と、これらの溝に埋め込み固定された超電導
線とを備えてなることを特徴とする超電導装置用ブッシ
ング装置。 - 【請求項２】中心導体と上記中心導体を電気的絶縁状態
で支持する気密性の取付フランジとを備え、超電導機器
を収容した容器の壁に取付けられて、上記超電導機器と
外部導体とを電気的に接続するための超電導装置用ブッ
シング装置において、前記中心導体は、線径が表皮厚さ
以下の複数の常電導素線を互いの間に絶縁物を介在させ
てリンツ編みした後に樹脂を含浸固化させたもので形成
されていることを特徴とする超電導装置用ブッシング装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23287693A JPH0785905A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 超電導装置用ブッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23287693A JPH0785905A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 超電導装置用ブッシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0785905A true JPH0785905A (ja) | 1995-03-31 |
Family
ID=16946225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23287693A Pending JPH0785905A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 超電導装置用ブッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0785905A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2521129A (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-17 | Siemens Plc | A current feed-through |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23287693A patent/JPH0785905A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2521129A (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-17 | Siemens Plc | A current feed-through |
| WO2015086242A1 (en) * | 2013-12-10 | 2015-06-18 | Siemens Plc | A current feed-through |
| GB2521129B (en) * | 2013-12-10 | 2015-12-09 | Siemens Plc | A current feed-through |
| US10340068B2 (en) | 2013-12-10 | 2019-07-02 | Siemens Healthcare Limited | Current feed-through |
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