JPH0786071A

JPH0786071A - 焼結磁石の製造方法

Info

Publication number: JPH0786071A
Application number: JP18728593A
Authority: JP
Inventors: Katashi Takebuchi; 確竹渕; Hiroshi Yanaga; 宏矢永; Kazuo Sato; 和生佐藤; Koichi Yajima; 弘一矢島
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1993-06-30
Filing date: 1993-06-30
Publication date: 1995-03-31

Abstract

(57)【要約】【目的】焼結磁石の製造工程において、配向度の良好
な成形体を短時間で効率よく製造する。【構成】２回以上のパルス磁界を印加しながら成形を
行なう際に、コイルに接続されているコンデンサを放電
することにより第一パルス磁界を発生させるとともにコ
ンデンサを逆方向に充電し、次いで、コイルとコンデン
サとの接続の極性を逆転した後、放電することにより第
二パルス磁界を発生させるとともにコンデンサを逆方向
に充電する。その後、充電回路によりコンデンサを充電
し、さらに第一パルス磁界および第二パルス磁界を印加
する。１回の充電で２回のパルスが発生できる上に、再
充電時間が短くて済む。そして、各パルス磁界の持続時
間を１０μs 〜３０msとするので、立ち下がりが急峻と
なってコイルの発熱が著減する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁場中成形法を用いて
焼結磁石を製造する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高性能を有する希土類磁石としては、粉
末冶金法によるＳｍ−Ｃｏ系磁石でエネルギー積３２MG
Oeのものが量産されている。また、近年Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ
磁石やＮｄ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ磁石等のＲ−Ｔ−Ｂ系磁石
（ＴはＦｅ、またはＦｅおよびＣｏ）が開発され、特開
昭５９−４６００８号公報には焼結磁石が開示されてい
る。焼結法による磁石では、従来のＳｍ−Ｃｏ系の粉末
冶金プロセス（溶解→鋳造→インゴット粗粉砕→微粉砕
→成形→焼結→磁石）を適用でき、また、高い磁気特性
を得ることも容易である。

【０００３】異方性焼結磁石を製造する際には、成形を
磁場中で行なう。異方性焼結磁石の残留磁束密度を向上
させるためには、磁場中成形の際の配向度を向上させる
ことが重要である。配向度が高くなれば、角形性が向上
して高残留磁束密度が得られ、着磁率も改善される。

【０００４】湿式成形法では、乾式成形法に比べて高い
配向度が得られるが、希土類磁石、特にＲ−Ｔ−Ｂ系磁
石は酸化され易いため湿式成形の際に有機溶剤を用いる
必要があるので、磁石中の炭素量が多くなって高い磁気
特性が得られなくなってしまう。

【０００５】このため、希土類磁石の製造に際しては、
一般に乾式成形法を用い、印加磁界強度を大きくして配
向度を向上させる方法が採用される。しかし、磁界発生
コイルの発熱が大きくなるため、極端に大きな磁界を印
加することは難しい。このため、磁界印加時間の短いパ
ルス磁界を利用して強力な磁界を印加する方法が提案さ
れている（特開昭６１−２０８８０９号等）。また、本
出願人は、パルス磁界を利用した成形方法の改良を提案
している（特願平４−７２５８１号）。

【０００６】しかし、従来提案されているパルス磁界成
形方法は、生産性を高くすることが難しく、また、エネ
ルギー効率が悪い。従来のパルス磁界発生装置では、コ
ンデンサに充電した電荷を一回のパルス磁界発生のため
に完全に放電させており、このときのパルス磁界は図３
の下段に示すように立ち上がりは急峻であるが立ち下が
りが鈍くなり、磁石粉末の配向に有効な磁界強度を下回
った後、完全に減衰するまでに長時間を要する。このた
め、配向に寄与しない余分なエネルギーを多量に消費す
ることになり、成形完了までのコイル発熱量が著しく多
くなってしまう。また、完全放電したコンデンサを充電
する必要があるため、パルス磁界を複数回印加する場合
には、成形に長時間を要する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、焼結磁石の
製造工程において、配向度の良好な成形体を短時間で効
率よく製造することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（７）の本発明により達成される。（１）少なくとも２回のパルス磁界からなるパルス磁界
群を磁石粉末に印加しながら磁石粉末の成形体を作製す
る工程において、磁界発生用コイルに接続されているコ
ンデンサを放電することにより第一パルス磁界を発生さ
せるとともに前記コンデンサを逆方向に充電し、次い
で、前記磁界発生用コイルと前記コンデンサとの接続の
極性を逆転した後、前記コンデンサを放電することによ
り第二パルス磁界を発生させるとともに前記コンデンサ
を逆方向に充電する工程を有し、前記第一パルス磁界の
持続時間および前記第二パルス磁界の持続時間を１０μ
s 〜３０msecとすることを特徴とする焼結磁石の製造方
法。（２）前記第二パルス磁界発生後、充電回路により前記
コンデンサを充電し、さらに、前記第一パルス磁界およ
び前記第二パルス磁界を発生させる上記（１）の焼結磁
石の製造方法。（３）前記第二パルス磁界の最大強度が前記第一パルス
磁界の最大強度の５０％以上である上記（１）または
（２）の焼結磁石の製造方法。（４）前記第一パルス磁界の最大強度が２０kOe 以上で
ある上記（１）ないし（３）のいずれかの焼結磁石の製
造方法。（５）前記磁界発生用コイルとの接続の極性を逆転させ
ずに前記コンデンサの放電を続けることにより、減衰す
る交流パルス磁界を発生させて前記成形体の脱磁を行な
う上記（１）ないし（４）のいずれかの焼結磁石の製造
方法。（６）磁石粉末の圧粉体の相対密度が２５〜５５％の範
囲内にあるときに、少なくとも３回のパルス磁界を圧粉
体に印加する上記（１）ないし（５）のいずれかの焼結
磁石の製造方法。（７）前記磁石粉末がＲ（ＲはＹを含む希土類元素の少
なくとも１種である）および遷移元素を含有する上記
（１）ないし（６）のいずれかの焼結磁石の製造方法。

【０００９】

【作用および効果】図１の中段に、成形装置の磁界発生
用コイルに印加される電圧の時間的推移を、実線（本発
明法）および破線（従来法）で示す。

【００１０】図１の下段に、パルス磁界の大きさを実線
（本発明法）および破線（従来法）で示す。

【００１１】図１の上段に、成形装置の上パンチの位置
の時間的推移を、実線（本発明法）および破線（従来
法）で示す。上パンチの位置は、金型に磁石粉末を充填
するときの位置を原点とし下側を正として表示してあ
る。

【００１２】従来法では１回のパルス磁界を印加するご
とにコンデンサを完全に放電させているので、図１の中
段に示されるようにコンデンサの充電に要する時間が長
い。一方、本発明では、第一パルス磁界発生のためのコ
ンデンサ放電のとき同時に逆方向にコンデンサが充電さ
れ、磁界発生用コイルとコンデンサとの接続の極性を逆
転させた後、逆方向に充電されたコンデンサを放電する
ことにより第二パルス磁界を発生させる。すなわち、１
回の充電で２回のパルス磁界を発生させることができ
る。このため、図示されるように、第一パルス磁界と第
二パルス磁界とを短い間隔で印加することができる。し
かも、第二パルス磁界発生時にもコンデンサは逆方向に
充電されるので、さらにパルス磁界を印加する必要があ
る場合、減少分だけ充電すれば済む。このため、２回以
上、特に３回以上のパルス磁界を印加する必要のある場
合に、成形完了までの時間が著しく短縮される。

【００１３】本発明法によるパルス磁界の波形と従来法
によるパルス磁界の波形とを、図３に示す。従来のパル
ス磁界は立ち下がりが鈍いため配向に寄与しない余分な
エネルギーを多量に消費するが、本発明法ではパルス磁
界の持続時間を所定範囲とするため、立ち上がりおよび
立ち下がりが急峻となって磁石粉末の配向に寄与しない
エネルギーが極めて少なくなり、磁界発生用コイルの発
熱も著しく減少する。油冷式の磁界発生用コイルをもつ
磁場中成形装置を用いて、図３に示す本発明法のパルス
磁界と従来法のパルス磁界とを比較したときの結果を、
図４に示す。一回のパルス磁界発生のためにコンデンサ
を完全に放電させる従来法では、成形体を５個（パルス
磁界３０回）作製したときに磁界発生用コイルの温度は
６０℃を超えており、コイルの温度を低下させるために
成形を一時中断する必要があったが、本発明法では成形
体を２００個（パルス磁界１２００回）連続して作製し
たときにも磁界発生用コイルの温度は５０℃未満で安定
している。

【００１４】本発明では、第二パルス磁界の強度が第一
パルス磁界よりも低くなるが、これによる成形体の配向
度の低下は小さい。第一パルス磁界に対する第二パルス
磁界の強度を変化させたときのＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石の
配向度の変化を、図５に示す。図５のグラフの横軸は第
一パルス磁界に対する第二パルス磁界の強度を示すが、
参考として、第一パルス磁界と同強度のパルス磁界を２
回印加したときを１００％として示し、第二パルス磁界
を印加しなかったとき、すなわちパルス磁界の印加回数
が１／２のときを０％として示してある。また、縦軸の
配向度の割合は、第一パルス磁界と同強度のパルス磁界
を２回印加したときの配向度を１００％として表示して
ある。同図に示されるように、第二パルス磁界が第一パ
ルス磁界の５０％以上の強度であった場合には、第一パ
ルス磁界と同強度のパルス磁界を２回印加した場合に対
し、９８％以上の配向度が得られている。

【００１５】本発明の好ましい態様では、磁石粉末の圧
粉体が所定の密度範囲にあるときに、少なくとも３回の
パルス磁界を印加する。これにより、配向度の極めて高
い成形体が得られ、残留磁束密度の極めて高い焼結磁石
が実現する。

【００１６】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。

【００１７】本発明が適用される磁石の種類は特に限定
されず、希土類磁石や酸化物磁石等のいずれであっても
よく、また、本発明は乾式成形を用いる場合にも湿式成
形を用いる場合にも適用できるが、特に、成形時に強力
な磁界を印加する必要のある希土類磁石に対して好適で
あり、また、同様な理由により乾式成形法を用いる場合
に好適である。

【００１８】以下、乾式成形法を用いて希土類焼結磁石
を製造する場合について説明する。

【００１９】＜磁石粉末＞磁石粉末の組成は特に限定さ
れず、希土類元素および遷移元素を含むものであれば特
に制限はないが、本発明は特に、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石
（ＲはＹを含む希土類元素の少なくとも１種、ＴはＦ
ｅ、またはＦｅおよびＣｏ）またはＲ−Ｃｏ系焼結磁石
の製造に好適である。

【００２０】Ｒ−Ｔ−Ｂ系の磁石粉末は、通常、Ｒを２
７〜３８重量％、Ｔを５１〜７２重量％、Ｂを０．５〜
４．５重量％含有することが好ましい。Ｒ含有量が少な
すぎると鉄に富む相が析出して高保磁力が得られなくな
り、Ｒ含有量が多すぎると高残留磁束密度が得られなく
なる。Ｂ含有量が少なすぎると高保磁力が得られなくな
り、Ｂ含有量が多すぎると高残留磁束密度が得られなく
なる。なお、Ｔ中のＣｏ量は３０重量％以下とすること
が好ましい。さらに、保磁力を改善するために、Ａｌ、
Ｃｒ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｃ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｗ、
Ｖ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｍｏなどの元素を添加してもよいが、
添加量が６重量％を超えると残留磁束密度が低下してく
る。

【００２１】磁石粉末中には、これらの元素の他、不可
避的不純物あるいは微量添加物として、例えば炭素や酸
素が含有されていてもよい。

【００２２】このような組成を有する磁石粉末は、実質
的に正方晶系の結晶構造の主相を有する。そして、通
常、体積比で０．５〜１０％程度の非磁性相を含むもの
である。

【００２３】磁石粉末の製造方法は特に限定されない
が、通常、母合金インゴットを鋳造し、これを粉砕して
製造するか、還元拡散法によって得られた合金粉末を粉
砕して製造する。磁石粉末の平均粒子径は、通常、１〜
１０μm 程度とする。

【００２４】Ｒ−Ｃｏ系の磁石粉末は、Ｒと、Ｆｅ、Ｎ
ｉ、ＭｎおよびＣｒから選ばれる１種以上の金属と、Ｃ
ｏとを含有する。この場合、好ましくは前記に加えさら
にＣｕまたは、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＴｉおよびＶ
から選ばれる１種以上の金属を含有し、特に好ましくは
前記に加えさらにＣｕと、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｔ
ｉおよびＶから選ばれる１種以上の金属とを含有する。
これらのうち特に、ＳｍとＣｏとの金属間化合物、好ま
しくはＳｍ₂ Ｃｏ₁₇金属間化合物を主相とし、この主相
が実質的にロンボヘドラルの結晶構造を有するものが好
ましい。この場合、粒界には、ＳｍＣｏ₅ 系を主体とす
る副相が存在する。具体的組成は、製造方法や要求され
る磁気特性等に応じて適宜選択すればよいが、例えば下
記の組成が好ましい。

【００２５】Ｒ：２０〜３０重量％、特に２２〜２８重
量％程度、Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｎおよびＣｒの１種以上：１〜３５重量
％程度、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＴｉおよびＶの１種以上：０
〜６重量％、特に０．５〜４重量％程度、Ｃｕ：０〜１０重量％、特に１〜１０重量％程度、Ｃｏ：残部。

【００２６】前記希土類元素の具体例としては、例え
ば、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、
Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を挙げる
ことができ、特に、Ｓｍおよび／またはＣｅを含むこと
が好ましい。

【００２７】Ｆｅ、Ｎｉ、ＭｎおよびＣｒの１種以上と
しては、Ｆｅが好ましく、特に、Ｆｅを含み必要に応じ
Ｎｉ、ＭｎおよびＣｒの１種以上を含むことが好まし
い。

【００２８】Ｎｂ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、ＴｉおよびＶの
１種以上としてはＺｒが好ましく、特に、Ｚｒを含み必
要に応じＮｂ、Ｔａ、Ｈｆ、ＴｉおよびＶの１種以上を
含むことが好ましい。

【００２９】また、必要に応じて前記元素の他、Ｓｉ、
Ｍｏ、Ｃａ、Ｏ、Ｃ等の他の元素の１種以上を全体の３
重量％程度以下添加してもよい。なお、これらは不純物
として全体の３重量％程度以下含まれていてもよい。

【００３０】Ｒ−Ｃｏ系磁石粉末の製造方法は、特に限
定されない。

【００３１】＜成形工程＞本発明は、少なくとも２回の
パルス磁界からなるパルス磁界群を磁石粉末に印加しな
がら磁石粉末の成形体を作製する磁場中成形法に適用さ
れる。

【００３２】図２に、本発明に好ましく用いられるパル
ス磁界発生装置の回路の基本構成図を示す。この回路で
は、コンデンサＣがサイリスタＳＣＲ１およびＳＣＲ２
を介して充電回路に接続されており、Ｃには磁界発生用
コイルおよびサイリスタＳＣＲ３、ＳＣＲ４、ＳＣＲ
５、ＳＣＲ６、ＳＣＲ７、ＳＣＲ８を含む放電回路が接
続されている。これらのサイリスタは、ゲート電流を制
御することによりオン状態（導通状態）またはオフ状態
（遮断状態）をとる。

【００３３】放電回路のＳＣＲ３〜ＳＣＲ８をいずれも
オフ状態としてＣを放電回路から遮断しておき、ＳＣＲ
１およびＳＣＲ２をオン状態とすれば、Ｃは充電され
る。

【００３４】次いで、ＳＣＲ１およびＳＣＲ２をオフ状
態にしてＣを充電回路から遮断した後、ＳＣＲ３および
ＳＣＲ４をオン状態にする。このときＳＣＲ３、磁界発
生用コイルおよびＳＣＲ４に電流が流れ、第一パルス磁
界が発生するとともにＣは逆方向に充電される。磁界発
生用コイルに印加される電圧はＣの放電につれて減少
し、Ｃの当初の充電量や磁界発生用コイルの特性などに
応じて決まる所定の電圧まで減少したときに放電は停止
するが、ＳＣＲ３およびＳＣＲ４のはたらきにより逆方
向の放電は生じない。

【００３５】放電停止後、ＳＣＲ５およびＳＣＲ６をオ
ン状態、他のサイリスタをオフ状態とすることにより、
Ｃに対する磁界発生用コイルの接続の極性を逆転させ
る。これにより、サイリスタＳＣＲ５、磁界発生用コイ
ルおよびＳＣＲ６にＣから電流が流れ、第二パルス磁界
が発生するとともにＣは逆方向（第一パルス磁界発生前
の充電方向）に充電される。磁界発生用コイルに印加さ
れる電圧がＣの充電量や磁界発生用コイルの特性などに
応じて決まる所定の値まで減少したときに放電は停止す
るが、ＳＣＲ５およびＳＣＲ６のはたらきにより逆方向
の放電は生じない。

【００３６】このように、第一パルス磁界発生時にＣを
逆方向に充電して第二パルス磁界のエネルギーとするの
で、Ｃへの１回の充電により２回のパルス磁界を発生さ
せることができる。第二パルス磁界印加後、さらにパル
ス磁界を印加する必要がある場合、充電回路によりＣを
再び完全に充電する必要があるが、第二パルス磁界発生
時にもＣは逆方向（第一パルス磁界発生前の充電方向）
に充電されるので、完全充電までの時間が短縮できる。

【００３７】本発明では、第一パルス磁界と第二パルス
磁界とからなる磁界群だけを１回ないし２回以上印加す
ることが好ましいが、前記磁界群の前後あるいは磁界群
間に単独のパルス磁界を印加してもよい。

【００３８】なお、第二パルス磁界発生後、充電するこ
となく続いて第三パルス磁界を印加することもできる。
その場合、第二パルス磁界のための放電が終了した後、
ＳＣＲ３およびＳＣＲ４をオン状態、他のサイリスタを
オフ状態とし、第一パルス磁界と同様にして第三パルス
磁界を発生させる。

【００３９】本発明において、第二パルス磁界は第一パ
ルス磁界よりも強度が低くなるが、第二パルス磁界の最
大強度が第一パルス磁界の最大強度の２０％以上、特に
５０％以上となるように回路を設計することが好まし
い。第二パルス磁界の強度が低くなりすぎると、磁石粉
末の配向が不十分となりやすい。なお、最大磁界強度は
最大印加電圧に対応する。

【００４０】第一パルス磁界の強度は、好ましくは２０
kOe 以上、より好ましくは３０kOe以上とする。第一パ
ルス磁界の強度が前記範囲未満となると磁石粉末の配向
が不十分となる傾向にある。なお、パルス磁界の強度の
上限は特にないが、磁界発生装置が大型化することや、
５０kOe を超える強度としても配向度の向上は殆どみら
れないことなどから、通常、５０kOe 以下とする。

【００４１】各パルス磁界の持続時間は、１０μs 〜３
０ms、好ましくは０．５〜２０msとする。持続時間が短
すぎると配向が不十分となり、持続時間が長すぎると磁
界印加用コイルの発熱が大きくなりすぎる。本明細書に
おいて持続時間とは、磁界印加の開始から終了までの時
間である。なお、パルス磁界の持続時間は、コンデンサ
Ｃの容量や磁界発生用コイルのインダクタンスを適宜選
択することにより調整すればよい。

【００４２】本発明法は従来法とは異なり２回目のパル
ス磁界のための充電が不要なので、図１に示すように、
第一パルス磁界と第二パルス磁界とを短い間隔で印加す
ることができる。また、上パンチを移動させずに短時間
に連続的に印加することもできる。なお、パルス磁界群
を複数回印加する場合、パルス磁界群同士の間隔、すな
わち第二パルス磁界とそれに続く次の第一パルス磁界と
の間隔は特に限定されない。

【００４３】本発明では、磁石粉末の圧粉体の相対密度
が２５〜５５％、好ましくは３０〜４５％の範囲内にあ
るときに、少なくとも３回のパルス磁界を圧粉体に印加
することが好ましい。本明細書において相対密度とは、
実測密度を理論密度で除した値の百分率である。実測密
度は、成形装置の成形空間内に充填した磁石粉末の重量
と、成形空間の内容積から算出する。圧粉体の相対密度
が前記範囲以外のときに印加されたパルス磁界は、磁石
粉末の配向度向上に対する寄与率が低い。従って、パル
ス磁界の印加回数が３回以上であっても、圧粉体相対密
度が前記範囲であるときに少なくとも３回のパルス磁界
が印加されなければ、十分な配向度が得られにくい。

【００４４】なお、圧粉体の密度を増加させながら少な
くとも３回のパルス磁界を印加してもよく、圧粉体の密
度をほぼ一定に保って少なくとも３回のパルス磁界を印
加してもよい。また、圧粉体の相対密度が前記範囲外で
あるときにも磁界を印加してよい。すなわち、前記密度
範囲においてパルス磁界を印加する前および／または印
加した後に、パルス磁界や、定常磁界、断続的な磁界な
どを印加してもよい。

【００４５】成形圧力は、圧粉開始から終了まで一定で
あってもよく、漸増または漸減してもよく、不規則変化
してもよい。成形圧力に特に制限はない。成形圧力が低
いほど配向性は良好となるが、成形圧力が低すぎると成
形体の強度が不足してハンドリングに問題が生じるた
め、通常、１〜３t/cm² 程度とすることが好ましい。圧
粉体の最終的な相対密度、すなわち成形体の相対密度
は、通常、５０〜６０％程度である。

【００４６】磁界中で成形した後、成形体は金型内にお
いて脱磁される。脱磁の際には、図２に示される回路に
おいてＳＣＲ３、ＳＣＲ４、ＳＣＲ７およびＳＣＲ８を
オン状態、ＳＣＲ５およびＳＣＲ６をオフ状態にして、
Ｃを放電させればよい。このときには、ＳＣＲ３、磁界
発生用コイルおよびＳＣＲ４にＣから電流が流れてパル
ス磁界が発生するとともにＣが逆方向に充電され、磁界
発生用コイルに印加される電圧が所定の値となったとき
に放電は停止する。続いて、ＳＣＲ７、磁界発生用コイ
ルおよびＳＣＲ８にＣから電流が流れてパルス磁界が発
生するとともにＣが逆方向に充電される。このときに発
生するパルス磁界は、直前のパルス磁界に対し極性が逆
転した磁界である。このようにして極性が逆の放電が交
互に繰り返され、成形体には減衰する交流パルス磁界が
印加されて脱磁が行なわれる。

【００４７】本発明は、圧力印加方向と磁界印加方向と
がほぼ直交するいわゆる横磁場成形法にも、圧力印加方
向と磁界印加方向とがほぼ一致するいわゆる縦磁場成形
法にも適用することができる。横磁場成形法では高い異
方性を有する磁石が得られるが、適用可能な成形体形状
に制限があり、また、成形装置が複雑となってしまう。
本発明による配向度改善効果は、縦磁場成形法において
特に高くなる。

【００４８】本発明に用いる成形装置は、上記したよう
なパルス磁界を発生できる手段を有するものであればよ
く、その他の構成は特に制限されない。なお、成形装置
のパンチやダイスなどが飽和してしまうような高強度の
磁界を印加する場合、パンチやダイスなどを非磁性材で
構成した空芯コイルタイプの磁場成形装置を用いること
が好ましい。

【００４９】＜焼結工程＞上記のようにして得られた成
形体は、焼結されて磁石化される。焼結時の各種条件に
特に制限はないが、例えば１０００〜１２００℃で０．
５〜１２時間、特に１〜５時間程度焼結し、その後、急
冷することが好ましい。なお、焼結雰囲気は、真空中ま
たはＡｒガス等の非酸化性ガス雰囲気であることが好ま
しい。

【００５０】焼結後、時効処理、着磁処理等が必要に応
じて施される。

【図面の簡単な説明】

【図１】成形装置の上パンチの位置の時間的推移と、磁
界発生用コイルに印加される電圧の時間的推移と、パル
ス磁界の強度とを示すグラフである。

【図２】本発明法に好ましく用いられるパルス磁界発生
装置の回路の基本構成図である。

【図３】本発明法によるパルス磁界の波形と従来法によ
るパルス磁界の波形とを示すグラフである。

【図４】パルス磁界の印加回数と磁界発生用コイルの温
度との関係を示すグラフである。

【図５】第一パルス磁界の強度に対する第二パルス磁界
の強度と、配向度との関係を示すグラフである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者矢島弘一東京都中央区日本橋一丁目13番１号ティーディーケイ株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも２回のパルス磁界からなるパ
ルス磁界群を磁石粉末に印加しながら磁石粉末の成形体
を作製する工程において、磁界発生用コイルに接続されているコンデンサを放電す
ることにより第一パルス磁界を発生させるとともに前記
コンデンサを逆方向に充電し、次いで、前記磁界発生用
コイルと前記コンデンサとの接続の極性を逆転した後、
前記コンデンサを放電することにより第二パルス磁界を
発生させるとともに前記コンデンサを逆方向に充電する
工程を有し、前記第一パルス磁界の持続時間および前記
第二パルス磁界の持続時間を１０μs 〜３０msecとする
ことを特徴とする焼結磁石の製造方法。
【請求項２】前記第二パルス磁界発生後、充電回路に
より前記コンデンサを充電し、さらに、前記第一パルス
磁界および前記第二パルス磁界を発生させる請求項１の
焼結磁石の製造方法。
【請求項３】前記第二パルス磁界の最大強度が前記第
一パルス磁界の最大強度の５０％以上である請求項１ま
たは２の焼結磁石の製造方法。
【請求項４】前記第一パルス磁界の最大強度が２０kO
e 以上である請求項１ないし３のいずれかの焼結磁石の
製造方法。
【請求項５】前記磁界発生用コイルとの接続の極性を
逆転させずに前記コンデンサの放電を続けることによ
り、減衰する交流パルス磁界を発生させて前記成形体の
脱磁を行なう請求項１ないし４のいずれかの焼結磁石の
製造方法。
【請求項６】磁石粉末の圧粉体の相対密度が２５〜５
５％の範囲内にあるときに、少なくとも３回のパルス磁
界を圧粉体に印加する請求項１ないし５のいずれかの焼
結磁石の製造方法。
【請求項７】前記磁石粉末がＲ（ＲはＹを含む希土類
元素の少なくとも１種である）および遷移元素を含有す
る請求項１ないし６のいずれかの焼結磁石の製造方法。