JPH0786249A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH0786249A JPH0786249A JP5231268A JP23126893A JPH0786249A JP H0786249 A JPH0786249 A JP H0786249A JP 5231268 A JP5231268 A JP 5231268A JP 23126893 A JP23126893 A JP 23126893A JP H0786249 A JPH0786249 A JP H0786249A
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- JP
- Japan
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- dry etching
- etching method
- film
- aluminum
- gas
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P50/00—Etching of wafers, substrates or parts of devices
- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/26—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials
- H10P50/264—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means
- H10P50/266—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only
- H10P50/267—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of conductive or resistive materials by chemical means by vapour etching only using plasmas
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミニウム系膜を含む膜構造のエッチング処
理において、微細加工性及び高選択性をあわせもったエ
ッチング処理を行う。 【構成】アルミニウム系膜を含む膜構造のウエハをハロ
ゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガス
のプラズマによりエッチング処理する。また、高周波電
力の印加によりバイアス電圧を生じさせウエハへのプラ
ズマ中のイオンの入射エネルギーを制御可能な試料台に
前記膜構造のウエハを配置し、前記混合ガスをマイクロ
波電界と磁界との作用を用いて減圧下でプラズマ化し、
該プラズマによってエッチング処理する。
理において、微細加工性及び高選択性をあわせもったエ
ッチング処理を行う。 【構成】アルミニウム系膜を含む膜構造のウエハをハロ
ゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガス
のプラズマによりエッチング処理する。また、高周波電
力の印加によりバイアス電圧を生じさせウエハへのプラ
ズマ中のイオンの入射エネルギーを制御可能な試料台に
前記膜構造のウエハを配置し、前記混合ガスをマイクロ
波電界と磁界との作用を用いて減圧下でプラズマ化し、
該プラズマによってエッチング処理する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング方法に
係り、特に半導体製造工程のアルミニウム合金及びアル
ミニウム合金膜と他の材料とからなる多層膜の微細加工
技術に好適なドライエッチング方法に関するものであ
る。
係り、特に半導体製造工程のアルミニウム合金及びアル
ミニウム合金膜と他の材料とからなる多層膜の微細加工
技術に好適なドライエッチング方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の方法は、例えば特開平２−７１５
１９号公報に記載のようにアルミニウム，アルミニウム
合金等のエッチングに用いられるガスとして、ＢＣｌ3
＋Ｃｌ2，ＢＣｌ3＋Ｃｌ2＋Ｎ2が知られている。
１９号公報に記載のようにアルミニウム，アルミニウム
合金等のエッチングに用いられるガスとして、ＢＣｌ3
＋Ｃｌ2，ＢＣｌ3＋Ｃｌ2＋Ｎ2が知られている。
【０００３】ＢＣｌ3＋Ｃｌ2の混合ガスはエッチング速
度を向上させるために用いられ、ＢＣｌ3＋Ｃｌ2＋Ｎ2
の混合ガスはさらに異方性を向上させるために用いられ
ていた。
度を向上させるために用いられ、ＢＣｌ3＋Ｃｌ2＋Ｎ2
の混合ガスはさらに異方性を向上させるために用いられ
ていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、アル
ミニウム系膜は塩素ラジカルとの化学反応によってエッ
チングされるため、異方性形状を得るために側壁保護成
分としてマスク材からの反応生成物，及びアルミニウム
系膜そのものからの反応生成物を利用する形となってい
た。このため、デバイスの高集積化に伴い微細化が進ん
でくるとエッチングされる部分に供給される側壁保護成
分が不足し異方性形状の確保が困難となり、一方、マス
ク材は薄くなる方向に有るため、エッチング工程では異
方性形状を維持しながらマスク材のエッチング速度を抑
制し、対マスク材選択比を向上しなければならないとい
う問題があった。従来技術を用いてデバイスの微細化に
対応しようとすると、図４に示すようにサイドエッチン
グが無く異方性形状を得るにはイオンエネルギーの増大
によるスパッタ効果によりマスク材からの反応生成物を
増加させる方法がある。しかしながらアルミニウム合金
膜エッチング速度とマスク材エッチング速度の比（以下
選択比とする）が低下し前述の要請に相反するという問
題があった。
ミニウム系膜は塩素ラジカルとの化学反応によってエッ
チングされるため、異方性形状を得るために側壁保護成
分としてマスク材からの反応生成物，及びアルミニウム
系膜そのものからの反応生成物を利用する形となってい
た。このため、デバイスの高集積化に伴い微細化が進ん
でくるとエッチングされる部分に供給される側壁保護成
分が不足し異方性形状の確保が困難となり、一方、マス
ク材は薄くなる方向に有るため、エッチング工程では異
方性形状を維持しながらマスク材のエッチング速度を抑
制し、対マスク材選択比を向上しなければならないとい
う問題があった。従来技術を用いてデバイスの微細化に
対応しようとすると、図４に示すようにサイドエッチン
グが無く異方性形状を得るにはイオンエネルギーの増大
によるスパッタ効果によりマスク材からの反応生成物を
増加させる方法がある。しかしながらアルミニウム合金
膜エッチング速度とマスク材エッチング速度の比（以下
選択比とする）が低下し前述の要請に相反するという問
題があった。
【０００５】本発明の目的は、アルミニウム系膜のエッ
チングにおいて、微細加工性及び高選択性をあわせもっ
たエッチングを行うことができるドライエッチング方法
を提供することにある。
チングにおいて、微細加工性及び高選択性をあわせもっ
たエッチングを行うことができるドライエッチング方法
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、鋭意実験
を重ね、その結果、従来のハロゲン系ガスにＣＨ2Ｆ2ガ
スを混合することにより、図３に示すように、サイドエ
ッチングなく、かつ選択比の低下もないエッチングが行
えることを見出した。
を重ね、その結果、従来のハロゲン系ガスにＣＨ2Ｆ2ガ
スを混合することにより、図３に示すように、サイドエ
ッチングなく、かつ選択比の低下もないエッチングが行
えることを見出した。
【０００７】上記目的は、アルミニウム系膜を含む膜構
造のウエハをハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系
ガスとの混合ガスのプラズマによりエッチング処理する
ことにより達成される。
造のウエハをハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系
ガスとの混合ガスのプラズマによりエッチング処理する
ことにより達成される。
【０００８】また、上記目的は、高周波電力の印加によ
りバイアス電圧を生じさせウエハへのプラズマ中のイオ
ンの入射エネルギーを制御可能な試料台にアルミニウム
系膜を含む膜構造のウエハを配置し、ハロゲン系ガスと
塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガスをマイクロ波
電界と磁界との作用を用いて減圧下でプラズマ化し、該
プラズマによってウエハを処理することにより、達成さ
れる。
りバイアス電圧を生じさせウエハへのプラズマ中のイオ
ンの入射エネルギーを制御可能な試料台にアルミニウム
系膜を含む膜構造のウエハを配置し、ハロゲン系ガスと
塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガスをマイクロ波
電界と磁界との作用を用いて減圧下でプラズマ化し、該
プラズマによってウエハを処理することにより、達成さ
れる。
【０００９】
【作用】本発明の作用を以下に示す。ハロゲン系ガスに
よりアルミニウム系材料をエッチングし、また塩素を含
まないフロン系ガスによりアルミニウム側壁保護膜の形
成を行う。従来のハロゲン系ガスによるエッチングでは
異方性形状を得るために側壁保護成分としてマスク材か
らの反応生成物、及びアルミニウム系膜そのものからの
反応生成物を利用していたが、微細化が進んでくるとこ
れらの側壁保護成分が供給不足となる。側壁保護成分を
増加させる手段として、マスク材のエッチング速度を増
大し、マスク材からの反応生成物を増やすことにより異
方性形状を確保することはできるが、一方ではマスク材
のパターニングを行なう工程では微細化が進むにつれて
マスク材膜厚は薄くなる方向に有り前述の要請と相反す
る。本発明では塩素を含まないフロン系ガスにより側壁
保護膜形成成分を供給することによりアルミニウム系材
料の膜をパターン密度や寸法等に関係なく好適なエッチ
ング処理することができる。
よりアルミニウム系材料をエッチングし、また塩素を含
まないフロン系ガスによりアルミニウム側壁保護膜の形
成を行う。従来のハロゲン系ガスによるエッチングでは
異方性形状を得るために側壁保護成分としてマスク材か
らの反応生成物、及びアルミニウム系膜そのものからの
反応生成物を利用していたが、微細化が進んでくるとこ
れらの側壁保護成分が供給不足となる。側壁保護成分を
増加させる手段として、マスク材のエッチング速度を増
大し、マスク材からの反応生成物を増やすことにより異
方性形状を確保することはできるが、一方ではマスク材
のパターニングを行なう工程では微細化が進むにつれて
マスク材膜厚は薄くなる方向に有り前述の要請と相反す
る。本発明では塩素を含まないフロン系ガスにより側壁
保護膜形成成分を供給することによりアルミニウム系材
料の膜をパターン密度や寸法等に関係なく好適なエッチ
ング処理することができる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１から図３によ
り説明する。図１は本発明によりエッチング処理された
被エッチング膜が構成されるウエハの断面状態を示す一
実施例であり、シリコン基板４上に絶縁膜である下地酸
化膜３（例えば、ＳｉＯ2膜）を形成し、その上にアル
ミニウム系材料で成る被エッチング膜、この場合、例え
ば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕで成るアルミニウム合金膜２を形
成し、その上にスペースサイズが異なる間隔（Ｗ１，Ｗ
２）でパターニングされたマスク１を形成した構造とな
っており、アルミニウム合金膜２がマスク１に沿ってエ
ッチングされた状態を示す。
り説明する。図１は本発明によりエッチング処理された
被エッチング膜が構成されるウエハの断面状態を示す一
実施例であり、シリコン基板４上に絶縁膜である下地酸
化膜３（例えば、ＳｉＯ2膜）を形成し、その上にアル
ミニウム系材料で成る被エッチング膜、この場合、例え
ば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕで成るアルミニウム合金膜２を形
成し、その上にスペースサイズが異なる間隔（Ｗ１，Ｗ
２）でパターニングされたマスク１を形成した構造とな
っており、アルミニウム合金膜２がマスク１に沿ってエ
ッチングされた状態を示す。
【００１１】図１に示した被エッチング材であるウエハ
のエッチング処理は、図２に示すような、この場合、マ
イクロ波電界と磁界との作用を用いてエッチングガスを
プラズマ化するマイクロ波エッチング装置を用いて行う
ことができる。装置構成を簡単に説明すると、処理室１
０の上部には石英製の放電管１４が設けてあり、真空処
理室を形成している。処理室１０には真空処理室内にエ
ッチング用ガスを供給するガス供給源（図示省略）につ
ながるガス供給口１５が設けてあり、また真空排気装置
（図示省略）につながる排気口１６が設けてある。処理
室１０には被エッチング材であるウエハ１３を配置する
試料台１１が設けてある。試料台１１には高周波電源１
２が接続してあり、試料台１１に高周波電力を印加可能
になっている。放電管１４の外側には放電管１４を囲ん
で導波管１７が設けてあり、さらにその外側には放電管
１４内に磁界を発生させるソレノコイドコイル１９が設
けてある。導波管１７の端部にはマイクロ波を発振する
マグネトロン１８が設けてある。
のエッチング処理は、図２に示すような、この場合、マ
イクロ波電界と磁界との作用を用いてエッチングガスを
プラズマ化するマイクロ波エッチング装置を用いて行う
ことができる。装置構成を簡単に説明すると、処理室１
０の上部には石英製の放電管１４が設けてあり、真空処
理室を形成している。処理室１０には真空処理室内にエ
ッチング用ガスを供給するガス供給源（図示省略）につ
ながるガス供給口１５が設けてあり、また真空排気装置
（図示省略）につながる排気口１６が設けてある。処理
室１０には被エッチング材であるウエハ１３を配置する
試料台１１が設けてある。試料台１１には高周波電源１
２が接続してあり、試料台１１に高周波電力を印加可能
になっている。放電管１４の外側には放電管１４を囲ん
で導波管１７が設けてあり、さらにその外側には放電管
１４内に磁界を発生させるソレノコイドコイル１９が設
けてある。導波管１７の端部にはマイクロ波を発振する
マグネトロン１８が設けてある。
【００１２】このような構成による装置ではガス供給口
１５から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給す
るとともに真空処理室内を所定の圧力に減圧，排気し、
導波管１７によってマグネトロン１８からのマイクロ波
を放電管１０内に導入するとともにソレノイドコイル１
９によって磁界を形成し、マイクロ波の電界とソレノイ
ドコイル１９による磁界との作用によって放電管１４内
の処理ガスをプラズマ化する。さらに高周波電源１２に
よって試料台１１に高周波電力を印加し、バイアス電圧
を生じさせ、プラズマ中のイオンをウエハ１３側に引き
込み異方性エッチングを行わせるようにしている。
１５から真空処理室内にエッチング用処理ガスを供給す
るとともに真空処理室内を所定の圧力に減圧，排気し、
導波管１７によってマグネトロン１８からのマイクロ波
を放電管１０内に導入するとともにソレノイドコイル１
９によって磁界を形成し、マイクロ波の電界とソレノイ
ドコイル１９による磁界との作用によって放電管１４内
の処理ガスをプラズマ化する。さらに高周波電源１２に
よって試料台１１に高周波電力を印加し、バイアス電圧
を生じさせ、プラズマ中のイオンをウエハ１３側に引き
込み異方性エッチングを行わせるようにしている。
【００１３】図２に示す装置を用い、図１に示すアルミ
ニウム合金のエッチングを行なったとき、エッチング用
の処理ガスとしてＢＣｌ3，Ｃｌ2にＣＨ2Ｆ2を加えてい
くと図３のような特性が得られた。即ち、ＢＣｌ3とＣ
ｌ2との混合ガスから成る条件においては側壁保護成分
の不足によりアルミニウム合金側壁にサイドエッチング
を生じるがＣＨ2Ｆ2ガスを混合すると添加量３％程度で
異方性形状を得ることができた。また、このときマスク
材との選択比はほぼ一定であった。このようにエッチン
グ用の処理ガスとして、ＢＣｌ3，Ｃｌ2，ＣＨ2Ｆ2の混
合ガスを用いることによりＣＨ2Ｆ2ガスを加えない場合
に比べアルミニウム合金膜のエッチング速度では従来比
１．５倍，マスク材とアルミニウム合金膜との選択比で
は１．３倍，および異方性形状を得ることができた。
ニウム合金のエッチングを行なったとき、エッチング用
の処理ガスとしてＢＣｌ3，Ｃｌ2にＣＨ2Ｆ2を加えてい
くと図３のような特性が得られた。即ち、ＢＣｌ3とＣ
ｌ2との混合ガスから成る条件においては側壁保護成分
の不足によりアルミニウム合金側壁にサイドエッチング
を生じるがＣＨ2Ｆ2ガスを混合すると添加量３％程度で
異方性形状を得ることができた。また、このときマスク
材との選択比はほぼ一定であった。このようにエッチン
グ用の処理ガスとして、ＢＣｌ3，Ｃｌ2，ＣＨ2Ｆ2の混
合ガスを用いることによりＣＨ2Ｆ2ガスを加えない場合
に比べアルミニウム合金膜のエッチング速度では従来比
１．５倍，マスク材とアルミニウム合金膜との選択比で
は１．３倍，および異方性形状を得ることができた。
【００１４】なお、本装置を用いての処理は、処理圧力
が５〜３０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワーが５００〜１
４００Ｗ、イオンの入射エネルギーを与えるための高周
波電力値が５０〜２００Ｗという範囲で特に効果的であ
った。
が５〜３０ｍＴｏｒｒ、マイクロ波パワーが５００〜１
４００Ｗ、イオンの入射エネルギーを与えるための高周
波電力値が５０〜２００Ｗという範囲で特に効果的であ
った。
【００１５】また、混合ガスとしてのＢＣｌ3，Ｃｌ2，
ＣＨ2Ｆ2は、この場合、各々の流量がＢＣｌ3：４０〜
２００ｍl／ｓｅｃ，Ｃｌ2：６０〜３００ｍl／ｓｅ
ｃ，ＣＨ2Ｆ2：３〜３０ｍl／ｓｅｃの範囲で効果的で
あり、６インチウエハの処理時に比べ８インチウエハの
処理時には供給量をそれぞれ多くすると良い。
ＣＨ2Ｆ2は、この場合、各々の流量がＢＣｌ3：４０〜
２００ｍl／ｓｅｃ，Ｃｌ2：６０〜３００ｍl／ｓｅ
ｃ，ＣＨ2Ｆ2：３〜３０ｍl／ｓｅｃの範囲で効果的で
あり、６インチウエハの処理時に比べ８インチウエハの
処理時には供給量をそれぞれ多くすると良い。
【００１６】また、本一実施例では、アルミニウム系材
料としてアルミニウム合金を例に説明したが、この他に
アルミニウムまたはアルミニウム合金とバリアメタル
（例えばＴｉＮ／Ｔｉ，Ｗ，ＴｉＷ等）との多層膜アル
ミニウム合金膜であっても同様の効果がある。
料としてアルミニウム合金を例に説明したが、この他に
アルミニウムまたはアルミニウム合金とバリアメタル
（例えばＴｉＮ／Ｔｉ，Ｗ，ＴｉＷ等）との多層膜アル
ミニウム合金膜であっても同様の効果がある。
【００１７】また、本一実施例では、ハロゲン系ガスと
してＢＣｌ3，Ｃｌ2を用いたガスで説明したが、この他
にＨＢｒ，Ｂｒ2またはＢＢｒ3等のガスであっても良
い。また、本一実施例では塩素を含まないフロン系ガス
として、ＣＨ2Ｆ2を用いたガスで説明したが、この他に
ＣＦ4，ＣＨＦ3，ＣＨ3ＦまたはＣＨ4等のガスであって
も良い。
してＢＣｌ3，Ｃｌ2を用いたガスで説明したが、この他
にＨＢｒ，Ｂｒ2またはＢＢｒ3等のガスであっても良
い。また、本一実施例では塩素を含まないフロン系ガス
として、ＣＨ2Ｆ2を用いたガスで説明したが、この他に
ＣＦ4，ＣＨＦ3，ＣＨ3ＦまたはＣＨ4等のガスであって
も良い。
【００１８】さらに、本一実施例では処理ガスのプラズ
マを発生させる方法として、マイクロ波電界と磁界との
作用を用いたものについて説明したが、プラズマの発生
方法としてこれに限られるものではなく、周知の、例え
ば、平行平板電極を用いたもの，高周波コイルを用いた
もの，その他誘導エネルギを用いたもの等種々のプラズ
マ発生装置が適用できることは言うまでもない。
マを発生させる方法として、マイクロ波電界と磁界との
作用を用いたものについて説明したが、プラズマの発生
方法としてこれに限られるものではなく、周知の、例え
ば、平行平板電極を用いたもの，高周波コイルを用いた
もの，その他誘導エネルギを用いたもの等種々のプラズ
マ発生装置が適用できることは言うまでもない。
【００１９】
【発明の効果】本発明はアルミニウム系膜構造のウエハ
をハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混
合ガスのプラズマを用いてエッチング処理することによ
り、アルミニウム系膜構造のウエハをパターン密度及び
寸法等に関係なく良好なエッチング形状を確保し、ま
た、アルミニウム系材料の膜とマスク材の選択性を上げ
てエッチング処理することができるという効果がある。
をハロゲン系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混
合ガスのプラズマを用いてエッチング処理することによ
り、アルミニウム系膜構造のウエハをパターン密度及び
寸法等に関係なく良好なエッチング形状を確保し、ま
た、アルミニウム系材料の膜とマスク材の選択性を上げ
てエッチング処理することができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例であるドライエッチング方法
により処理した被エッチング面を示す断面図である。
により処理した被エッチング面を示す断面図である。
【図２】本発明のドライエッチング方法を実施するため
の装置の一例を示すマイクロ波エッチング装置の構成図
である。
の装置の一例を示すマイクロ波エッチング装置の構成図
である。
【図３】本発明の一実施例であるハロゲン系ガスに混合
するＣＨ2Ｆ2流量とサイドエッチ量及び選択比の関係を
示す図である。
するＣＨ2Ｆ2流量とサイドエッチ量及び選択比の関係を
示す図である。
【図４】従来技術によるサイドエッチ量及び選択比とイ
オンエネルギーとの関係を示す図である。
オンエネルギーとの関係を示す図である。
１…マスク、２…アルミニウム合金膜、３…下地酸化
膜、４…シリコン基板、１０…処理室、１１…試料台、
１２…高周波電源、１３…ウエハ、１４…放電管、１５
…ガス供給口、１６…排気口、１７…導波管、１８…マ
グネトロン、１９…ソレノイドコイル。
膜、４…シリコン基板、１０…処理室、１１…試料台、
１２…高周波電源、１３…ウエハ、１４…放電管、１５
…ガス供給口、１６…排気口、１７…導波管、１８…マ
グネトロン、１９…ソレノイドコイル。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 武居 秀則 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (9)
- 【請求項１】アルミニウムを含む膜のウエハをハロゲン
系ガスと塩素を含まないフロン系ガスとの混合ガスのプ
ラズマによってエッチング処理することを特徴とするド
ライエッチング方法。 - 【請求項２】前記アルミニウムを含む膜は、アルミニウ
ムまたはアルミニウム合金またはアルミニウム合金とそ
の他の膜から構成される多層膜である請求項１記載のド
ライエッチング方法。 - 【請求項３】前記アルミニウム合金は、アルミニウムと
シリコンおよび／または銅またはパラジウムからなる合
金である請求項２記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】前記その他の膜は、チタンナイトライド，
チタン，チタンタングステン，タングステン，シリコ
ン，タングステンシリサイドのうち、１つまたは２つ以
上からなる請求項２記載のドライエッチング方法。 - 【請求項５】前記ハロゲン系ガスは、ＢＣｌ3，Ｃｌ2，
ＨＢｒ，Ｂｒ2またはＢＢｒ3のうち１つまたはこれらの
組合せである請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項６】前記塩素を含まないフロン系ガスはＣ
Ｆ4，ＣＨＦ3，ＣＨ2Ｆ2，ＣＨ3ＦまたはＣＨ4のうち１
つまたはこれらの組合せである請求項１記載のドライエ
ッチング方法。 - 【請求項７】高周波電力の印加によりバイアス電圧を生
じさせ、ウエハへのプラズマ中のイオンの入射エネルギ
ーを制御可能な試料台にアルミニウム系膜を含む膜構造
のウエハを配置し、ハロゲン系ガスと塩素を含まないフ
ロン系ガスとの混合ガスをマイクロ波電界と磁界との作
用を用いて減圧下でプラズマ化し、該プラズマによって
前記ウエハを処理することを特徴とするドライエッチン
グ方法。 - 【請求項８】前記減圧下の状態は５〜３０ｍＴｏｒｒと
し、前記マイクロ波パワーは５００〜１４００Ｗとし、
前記イオンの入射エネルギーを与えるための高周波電力
値を５０〜２００Ｗとする請求項７記載のドライエッチ
ング方法。 - 【請求項９】前記混合ガスはＢＣｌ3，Ｃｌ2，ＣＨ2Ｆ2
の混合ガスとし、各々の流量はＢＣｌ3：４０〜２００
ｍl／ｓｅｃ，Ｃｌ2：６０〜３００ｍl／ｓｅｃ，ＣＨ2
Ｆ2：３〜３０ｍl／ｓｅｃであり、６インチウエハの処
理時に比べ８インチウエハの処理時の供給量をそれぞれ
多くする請求項７記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23126893A JP3161888B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング方法 |
| TW083108442A TW256935B (ja) | 1993-09-17 | 1994-09-13 | |
| KR1019940023354A KR950009953A (ko) | 1993-09-17 | 1994-09-15 | 드라이 에칭방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23126893A JP3161888B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34644698A Division JP3267254B2 (ja) | 1998-12-07 | 1998-12-07 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786249A true JPH0786249A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3161888B2 JP3161888B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=16920950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23126893A Expired - Fee Related JP3161888B2 (ja) | 1993-09-17 | 1993-09-17 | ドライエッチング方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3161888B2 (ja) |
| KR (1) | KR950009953A (ja) |
| TW (1) | TW256935B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000323483A (ja) * | 1998-09-15 | 2000-11-24 | Siemens Ag | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 |
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1994
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