JPH0786286A - バンプ形成方法 - Google Patents
バンプ形成方法Info
- Publication number
- JPH0786286A JPH0786286A JP5186998A JP18699893A JPH0786286A JP H0786286 A JPH0786286 A JP H0786286A JP 5186998 A JP5186998 A JP 5186998A JP 18699893 A JP18699893 A JP 18699893A JP H0786286 A JPH0786286 A JP H0786286A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capillary
- bump
- wire
- clamper
- ball
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/012—Manufacture or treatment of bump connectors, dummy bumps or thermal bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】バンプ上面の安定化を図る。
【構成】キャピラリ７に挿通されたワイヤ８にボールを
形成し、このボール８を半導体デバイス１の電極２に押
し付け、その後キャピラリ７を上昇させてボールとワイ
ヤ８の付け根部分からワイヤ８を切断して電極２上にバ
ンプ３を形成する動作を行った後、キャピラリ７の先端
より延在しているワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込め
る動作を行わせ、次にキャピラリ７の下面の平らな面で
バンプ３のひげ４部分を平らに潰す。
形成し、このボール８を半導体デバイス１の電極２に押
し付け、その後キャピラリ７を上昇させてボールとワイ
ヤ８の付け根部分からワイヤ８を切断して電極２上にバ
ンプ３を形成する動作を行った後、キャピラリ７の先端
より延在しているワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込め
る動作を行わせ、次にキャピラリ７の下面の平らな面で
バンプ３のひげ４部分を平らに潰す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイスの電極
上にバンプを形成する方法に関する。
上にバンプを形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ワイヤボンデイング装置を利用し
て半導体デバイスの電極上にバンプを形成する方法とし
て、例えば特開昭５４ー２６６２号公報（第１の方法）
及び特公平４ー４１５１９号公報（第１及び第２の方
法）に示すものが知られている。
て半導体デバイスの電極上にバンプを形成する方法とし
て、例えば特開昭５４ー２６６２号公報（第１の方法）
及び特公平４ー４１５１９号公報（第１及び第２の方
法）に示すものが知られている。
【０００３】第１の方法は、ワイヤボンデイング装置の
キャピラリに挿通されたワイヤに放電等によってボール
を形成する。次にキャピラリを下降させてボールを１つ
の半導体デバイスの電極上に押し付ける。その後、キャ
ピラリを僅かに上昇させる。次にクランパを閉じてワイ
ヤをクランプし、キャピラリ及びクランパを上昇させて
ボールを切断する。これにより、電極上にバンプが形成
される。
キャピラリに挿通されたワイヤに放電等によってボール
を形成する。次にキャピラリを下降させてボールを１つ
の半導体デバイスの電極上に押し付ける。その後、キャ
ピラリを僅かに上昇させる。次にクランパを閉じてワイ
ヤをクランプし、キャピラリ及びクランパを上昇させて
ボールを切断する。これにより、電極上にバンプが形成
される。
【０００４】第２の方法は、ボール形成して該ボールを
電極上に押し付けるまでの動作は前記第１の方法と同じ
であるが、電極上にボールを押し付けた後は、キャピラ
リを上昇及び横方向に少距離だけ移動させ、次にキャピ
ラリを再び下降させてワイヤに脆弱部を形成する。その
後は再びキャピラリを上昇させる。そして、クランパを
閉じてワイヤをクランプし、キャピラリ及びクランパを
上昇させてボールを切断する。これにより、電極上にバ
ンプが形成される。
電極上に押し付けるまでの動作は前記第１の方法と同じ
であるが、電極上にボールを押し付けた後は、キャピラ
リを上昇及び横方向に少距離だけ移動させ、次にキャピ
ラリを再び下降させてワイヤに脆弱部を形成する。その
後は再びキャピラリを上昇させる。そして、クランパを
閉じてワイヤをクランプし、キャピラリ及びクランパを
上昇させてボールを切断する。これにより、電極上にバ
ンプが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】前記第１の方法は、ボ
ールを電極上に押し付けた後、キャピラリを上昇させて
切断してバンプを形成するので、図４（ａ）に示すよう
に、バンプ３のほぼ中央部にひげ４（バンプ３上面の微
小突起）が残り、バンプ３の上面のばらつきが大きいと
いう問題点があった。なお、図中、１は半導体デバイ
ス、２は電極を示す。
ールを電極上に押し付けた後、キャピラリを上昇させて
切断してバンプを形成するので、図４（ａ）に示すよう
に、バンプ３のほぼ中央部にひげ４（バンプ３上面の微
小突起）が残り、バンプ３の上面のばらつきが大きいと
いう問題点があった。なお、図中、１は半導体デバイ
ス、２は電極を示す。
【０００６】前記第２の方法は、ボールを電極上に押し
付けた後、キャピラリを上昇及び横方向に移動させるの
で、図４（ｂ）に示すように、バンプ３のほぼ中央部に
はひげ４は残らない。しかし、ボールを電極上に押し付
けた後のキャピラリの上昇及び横方向移動により、バン
プ３の上面形状が安定しなく、やはりバンプ３上面のば
らつきが大きいという問題点を有する。またキャピラリ
を横方向に移動させ、再びキャピラリを下降させて脆弱
部を形成させるが、その後のワイヤを切断する動作はど
うしてもキャピラリを上昇させる動作によって行わざる
を得なく、この動作によってバンプ３の端部に上方に突
出したひげ４の発生は避けられない。
付けた後、キャピラリを上昇及び横方向に移動させるの
で、図４（ｂ）に示すように、バンプ３のほぼ中央部に
はひげ４は残らない。しかし、ボールを電極上に押し付
けた後のキャピラリの上昇及び横方向移動により、バン
プ３の上面形状が安定しなく、やはりバンプ３上面のば
らつきが大きいという問題点を有する。またキャピラリ
を横方向に移動させ、再びキャピラリを下降させて脆弱
部を形成させるが、その後のワイヤを切断する動作はど
うしてもキャピラリを上昇させる動作によって行わざる
を得なく、この動作によってバンプ３の端部に上方に突
出したひげ４の発生は避けられない。
【０００７】本発明の目的は、バンプ上面の安定化が図
れるバンプ形成方法を提供することにある。
れるバンプ形成方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の構成は、キャピラリに挿通されたワイヤにボ
ールを形成し、このボールを半導体デバイスの電極に押
し付け、その後キャピラリを上昇させてボールとワイヤ
の付け根部分からワイヤを切断して電極上にバンプを形
成する動作を行った後、キャピラリの先端より延在して
いるワイヤをキャピラリ内に引っ込める動作を行わせ、
次にキャピラリの下面の平らな面で前記バンプのひげ部
分を平らに潰すことを特徴とする。
の本発明の構成は、キャピラリに挿通されたワイヤにボ
ールを形成し、このボールを半導体デバイスの電極に押
し付け、その後キャピラリを上昇させてボールとワイヤ
の付け根部分からワイヤを切断して電極上にバンプを形
成する動作を行った後、キャピラリの先端より延在して
いるワイヤをキャピラリ内に引っ込める動作を行わせ、
次にキャピラリの下面の平らな面で前記バンプのひげ部
分を平らに潰すことを特徴とする。
【０００９】
【作用】キャピラリの下面に形成されたボールを電極上
に押し付け、その後キャピラリを上昇させてボールを切
断して電極上にバンプを形成すると、バンプのほぼ中央
部には小さな突起条のひげが残る。そこで、バンプ形成
完了後、キャピラリの先端より延在しているワイヤをキ
ャピラリ内に引っ込め、キャピラリの平らな下面部分で
前記ひげ部分を平らに潰す。これにより、バンプの上面
は平らになり安定化する。
に押し付け、その後キャピラリを上昇させてボールを切
断して電極上にバンプを形成すると、バンプのほぼ中央
部には小さな突起条のひげが残る。そこで、バンプ形成
完了後、キャピラリの先端より延在しているワイヤをキ
ャピラリ内に引っ込め、キャピラリの平らな下面部分で
前記ひげ部分を平らに潰す。これにより、バンプの上面
は平らになり安定化する。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図３によ
り説明する。なお、本実施例は、２つの第１クランパ５
及び第２クランパ６を有し、第１クランパ５がキャピラ
リ７と共に上下動可能で、第２クランパ６が上下動しな
いワイヤボンデイング装置を用いた。
り説明する。なお、本実施例は、２つの第１クランパ５
及び第２クランパ６を有し、第１クランパ５がキャピラ
リ７と共に上下動可能で、第２クランパ６が上下動しな
いワイヤボンデイング装置を用いた。
【００１１】まず、図１（ａ）に示すように、第１クラ
ンパ５が閉じた状態で、キャピラリ７に挿通されたワイ
ヤ８に放電等によってボール９を形成する。次に第１ク
ランパ５が開き、図１（ｂ）に示すように、キャピラリ
７を下降させてボール９を半導体デバイス１の電極２上
に押し付ける。次に図１（ｃ）に示すように、キャピラ
リ７を僅かに上昇させる。その後第１クランパ５を閉じ
てワイヤ８をクランプし、図１（ｄ）に示すように、第
１クランパ５及びキャピラリ７を上昇させてボール９と
ワイヤ８の付け根部分からワイヤ８を切断する。これに
より、電極２上にはバンプ３が形成される。このバンプ
形成方法は、従来の技術の項で説明した第１の方法と同
じである。従って、バンプ３には図４に示すようにひげ
４が存在する。前記したバンプ形成動作を１つの半導体
デバイス１の全ての電極２上に行う。
ンパ５が閉じた状態で、キャピラリ７に挿通されたワイ
ヤ８に放電等によってボール９を形成する。次に第１ク
ランパ５が開き、図１（ｂ）に示すように、キャピラリ
７を下降させてボール９を半導体デバイス１の電極２上
に押し付ける。次に図１（ｃ）に示すように、キャピラ
リ７を僅かに上昇させる。その後第１クランパ５を閉じ
てワイヤ８をクランプし、図１（ｄ）に示すように、第
１クランパ５及びキャピラリ７を上昇させてボール９と
ワイヤ８の付け根部分からワイヤ８を切断する。これに
より、電極２上にはバンプ３が形成される。このバンプ
形成方法は、従来の技術の項で説明した第１の方法と同
じである。従って、バンプ３には図４に示すようにひげ
４が存在する。前記したバンプ形成動作を１つの半導体
デバイス１の全ての電極２上に行う。
【００１２】１つの半導体デバイス１について全てのバ
ンプ形成が完了し、図１（ｄ）の状態になると、次に、
図２に示すように、キャピラリ７の先端より延在してい
る長さＡのワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込める動作
が行われる。図１（ｄ）の状態より、まず、図２（ａ）
に示すように、第１クランパ５が開き、第２クランパ６
が閉じる。次に図２（ｂ）に示すように、第１クランパ
５及びキャピラリ７は共に長さＢだけ下降する。この場
合、第２クランパ６は閉じているので、ワイヤ８は下降
できなく、キャピラリ７の先端より延在するワイヤ長さ
は、Ａ1 （＝Ａ−Ｂ）のように短くなる。次に図２
（ｃ）に示すように、第１クランパ５が閉じ、第２クラ
ンパ６が開く。その後図２（ｄ）に示すように、第１ク
ランパ５及びキャピラリ７は長さＢだけ上昇する。この
図２（ｄ）の状態における第１クランパ５、第２クラン
パ６及びキャピラリ７の位置関係、第１クランパ５及び
第２クランパ６の開閉状態は、図１（ｄ）と同じ状態で
ある。
ンプ形成が完了し、図１（ｄ）の状態になると、次に、
図２に示すように、キャピラリ７の先端より延在してい
る長さＡのワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込める動作
が行われる。図１（ｄ）の状態より、まず、図２（ａ）
に示すように、第１クランパ５が開き、第２クランパ６
が閉じる。次に図２（ｂ）に示すように、第１クランパ
５及びキャピラリ７は共に長さＢだけ下降する。この場
合、第２クランパ６は閉じているので、ワイヤ８は下降
できなく、キャピラリ７の先端より延在するワイヤ長さ
は、Ａ1 （＝Ａ−Ｂ）のように短くなる。次に図２
（ｃ）に示すように、第１クランパ５が閉じ、第２クラ
ンパ６が開く。その後図２（ｄ）に示すように、第１ク
ランパ５及びキャピラリ７は長さＢだけ上昇する。この
図２（ｄ）の状態における第１クランパ５、第２クラン
パ６及びキャピラリ７の位置関係、第１クランパ５及び
第２クランパ６の開閉状態は、図１（ｄ）と同じ状態で
ある。
【００１３】そこで、以後、図２（ａ）乃至図２（ｄ）
の動作を繰り返して行うことにより、図２（ｅ）に示す
ように、ワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込めることが
できる。ここで、図２（ａ）の状態より図２（ｅ）に示
すように、ワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込める動作
をさせる回数は、キャピラリ７の先端より延在している
ワイヤ長さＡと第１クランパ５及びキャピラリ７の上下
動量Ｂとの関係により設定する。この設定は、図示しな
い演算制御回路によって行われ、自動的に図２（ｅ）の
状態に行われる。
の動作を繰り返して行うことにより、図２（ｅ）に示す
ように、ワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込めることが
できる。ここで、図２（ａ）の状態より図２（ｅ）に示
すように、ワイヤ８をキャピラリ７内に引っ込める動作
をさせる回数は、キャピラリ７の先端より延在している
ワイヤ長さＡと第１クランパ５及びキャピラリ７の上下
動量Ｂとの関係により設定する。この設定は、図示しな
い演算制御回路によって行われ、自動的に図２（ｅ）の
状態に行われる。
【００１４】次に図１に示す動作で形成されたバンプ３
上に、図３（ａ）に示すようにキャピラリ７を移動させ
る。この場合、キャピラリ７の中心をバンプ３の中心よ
りＣだけオフセットさせてキャピラリ７をバンプ３の上
方に位置させる。即ち、キャピラリ７の下面の平らな面
をひげ４の上方に位置させる。そして、図３（ｂ）に示
すように、キャピラリ７を下降させてバンプ３に押し付
けてヒゲ４を平らに潰す。これにより、バンプ３のひげ
４は、キャピラリ７の平らな下面で押しつぶされる。次
に図３（ｃ）に示すように、キャピラリ７を上昇させ
る。この動作を１つの半導体デバイス１の全てのバンプ
３について行う。前記したバンプ３上方へのキャピラリ
７の移動は、図示しない演算制御回路に記憶されている
バンプ形成時の座標位置を予め設定したオフセットＣだ
けずらした座標位置に、演算制御回路からの指令によっ
てキャピラリ７を移動させることによって行われる。
上に、図３（ａ）に示すようにキャピラリ７を移動させ
る。この場合、キャピラリ７の中心をバンプ３の中心よ
りＣだけオフセットさせてキャピラリ７をバンプ３の上
方に位置させる。即ち、キャピラリ７の下面の平らな面
をひげ４の上方に位置させる。そして、図３（ｂ）に示
すように、キャピラリ７を下降させてバンプ３に押し付
けてヒゲ４を平らに潰す。これにより、バンプ３のひげ
４は、キャピラリ７の平らな下面で押しつぶされる。次
に図３（ｃ）に示すように、キャピラリ７を上昇させ
る。この動作を１つの半導体デバイス１の全てのバンプ
３について行う。前記したバンプ３上方へのキャピラリ
７の移動は、図示しない演算制御回路に記憶されている
バンプ形成時の座標位置を予め設定したオフセットＣだ
けずらした座標位置に、演算制御回路からの指令によっ
てキャピラリ７を移動させることによって行われる。
【００１５】全てのバンプ３のひげ４をつぶした後は、
図２に示すワイヤ８を引っ込める動作の逆の動作が自動
的に行われ、図２（ａ）に示すように、キャピラリ７の
先端から一定長さＡのワイヤ８を延在させる。そして、
次の半導体デバイス１がバンプ形成位置に送られてくる
と、以後は、図１（ａ）に示すようにボール９を形成
し、その後は図１に示すバンプ形成動作、図２に示すワ
イヤ引っ込め動作、図３に示すひげつぶし動作、図２の
逆のワイヤ引き出し動作が行われる。
図２に示すワイヤ８を引っ込める動作の逆の動作が自動
的に行われ、図２（ａ）に示すように、キャピラリ７の
先端から一定長さＡのワイヤ８を延在させる。そして、
次の半導体デバイス１がバンプ形成位置に送られてくる
と、以後は、図１（ａ）に示すようにボール９を形成
し、その後は図１に示すバンプ形成動作、図２に示すワ
イヤ引っ込め動作、図３に示すひげつぶし動作、図２の
逆のワイヤ引き出し動作が行われる。
【００１６】
【発明の効果】本発明によれば、キャピラリに挿通され
たワイヤにボールを形成し、このボールを半導体デバイ
スの電極に押し付け、その後キャピラリを上昇させてボ
ールとワイヤの付け根部分からワイヤを切断して電極上
にバンプを形成する動作を行った後、キャピラリの先端
より延在しているワイヤをキャピラリ内に引っ込める動
作を行わせ、次にキャピラリの下面の平らな面で前記バ
ンプのひげ部分を平らに潰すので、バンプ上面の安定化
が図れる。
たワイヤにボールを形成し、このボールを半導体デバイ
スの電極に押し付け、その後キャピラリを上昇させてボ
ールとワイヤの付け根部分からワイヤを切断して電極上
にバンプを形成する動作を行った後、キャピラリの先端
より延在しているワイヤをキャピラリ内に引っ込める動
作を行わせ、次にキャピラリの下面の平らな面で前記バ
ンプのひげ部分を平らに潰すので、バンプ上面の安定化
が図れる。
【図１】（ａ）乃至（ｄ）は、本発明になる第１工程で
あるバンプ形成方法の一実施例を示す動作説明図であ
る。
あるバンプ形成方法の一実施例を示す動作説明図であ
る。
【図２】（ａ）乃至（ｆ）は、本発明になる第２工程で
あるワイヤ引っ込め動作の一実施例を示す動作説明図で
ある。
あるワイヤ引っ込め動作の一実施例を示す動作説明図で
ある。
【図３】（ａ）乃至（ｃ）は、本発明になる第３工程で
あるひげ部分のつぶし動作の一実施例を示す動作説明図
である。
あるひげ部分のつぶし動作の一実施例を示す動作説明図
である。
【図４】（ａ）及び（ｂ）は、従来のバンプ形成方法で
形成されたバンプの説明図である。
形成されたバンプの説明図である。
１ 半導体デバイス ２ 電極 ３ バンプ ４ ひげ ５ 第１クランパ ６ 第２クランパ ７ キャピラリ ８ ワイヤ ９ ボール
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年８月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 船木 月夫 北海道亀田郡七飯町字中島145番地 日立 北海セミコンダクタ株式会社内 (72)発明者 駒宮 彰 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内 (72)発明者 新井 一弘 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内 (72)発明者 田嶋 知喜 東京都武蔵村山市伊奈平２丁目51番地の１ 株式会社新川内
Claims (1)
- 【請求項１】 キャピラリに挿通されたワイヤにボール
を形成し、このボールを半導体デバイスの電極に押し付
け、その後キャピラリを上昇させてボールとワイヤの付
け根部分からワイヤを切断して電極上にバンプを形成す
る動作を行った後、キャピラリの先端より延在している
ワイヤをキャピラリ内に引っ込める動作を行わせ、次に
キャピラリの下面の平らな面で前記バンプのひげ部分を
平らに潰すことを特徴とするバンプ形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05186998A JP3128717B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バンプ形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05186998A JP3128717B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バンプ形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786286A true JPH0786286A (ja) | 1995-03-31 |
| JP3128717B2 JP3128717B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=16198420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05186998A Expired - Fee Related JP3128717B2 (ja) | 1993-06-30 | 1993-06-30 | バンプ形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3128717B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6161747A (en) * | 1998-02-12 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Bonding apparatus |
| US6193130B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Bump bonding apparatus |
| US6632703B2 (en) | 1998-04-21 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Method and apparatus for positioning a semiconductor pellet |
| JP2010182779A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
| CN116329830A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-06-27 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
-
1993
- 1993-06-30 JP JP05186998A patent/JP3128717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6161747A (en) * | 1998-02-12 | 2000-12-19 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Bonding apparatus |
| US6193130B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-02-27 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Bump bonding apparatus |
| US6632703B2 (en) | 1998-04-21 | 2003-10-14 | Kabushiki Kaisha Shinkawa | Method and apparatus for positioning a semiconductor pellet |
| JP2010182779A (ja) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Denso Corp | ワイヤボンディング方法 |
| CN116329830A (zh) * | 2023-05-29 | 2023-06-27 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
| CN116329830B (zh) * | 2023-05-29 | 2023-08-29 | 宁波尚进自动化科技有限公司 | 芯片引脚的焊接方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3128717B2 (ja) | 2001-01-29 |
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