JPH0786620B2 - アクティブマトリクス表示装置の製造方法 - Google Patents
アクティブマトリクス表示装置の製造方法Info
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- JPH0786620B2 JPH0786620B2 JP11669589A JP11669589A JPH0786620B2 JP H0786620 B2 JPH0786620 B2 JP H0786620B2 JP 11669589 A JP11669589 A JP 11669589A JP 11669589 A JP11669589 A JP 11669589A JP H0786620 B2 JPH0786620 B2 JP H0786620B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は表示用絵素電極にスイッチング素子を介して駆
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表
示装置の製造方法に関する。
動信号を印加することにより表示を実行する表示装置の
製造方法に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列し
て高密度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表
示装置の製造方法に関する。
（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、EL表示装置、プラズマ表示装
置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極を
選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形成
している。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧を印加し、その間に介在する表示媒体の
光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パターン
として視認される。絵素電極の駆動方式として、個々の
独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれに
スイッチング素子を凍結して駆動するアクティブマトリ
クス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動する
スイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジスタ）
素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトランジス
タ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られてい
る。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラスト
の表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセ
ッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されてい
る。
置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極を
選択駆動することにより、画面上に表示パターンを形成
している。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧を印加し、その間に介在する表示媒体の
光学的変調が行われる。この光学的変調が表示パターン
として視認される。絵素電極の駆動方式として、個々の
独立した絵素電極を配列し、この絵素電極のそれぞれに
スイッチング素子を凍結して駆動するアクティブマトリ
クス駆動方式が知られている。絵素電極を選択駆動する
スイッチング素子としては、TFT（薄膜トランジスタ）
素子、MIM（金属−絶縁層−金属）素子、MOSトランジス
タ素子、ダイオード、バリスタ等が一般的に知られてい
る。アクティブマトリクス駆動方式は、高コントラスト
の表示が可能であり、液晶テレビジョン、ワードプロセ
ッサ、コンピュータの端末表示装置等に実用化されてい
る。
（発明が解決しようとする課題） このような表示装置を用いて高密度の表示を行う場合、
非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列する
ことが必要となる。しかしながら、スイッチング素子は
基板上に作製した時点で動作不良素子として形成される
ことがある。このような不良素子に凍結された絵素電極
は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることになる。
非常に多数の絵素電極とスイッチング素子とを配列する
ことが必要となる。しかしながら、スイッチング素子は
基板上に作製した時点で動作不良素子として形成される
ことがある。このような不良素子に凍結された絵素電極
は、表示に寄与しない絵素欠陥を生ずることになる。
絵素欠陥を修正する為の構成が、例えば特開昭61−1536
19号公報に開示されている。この構成では、絵素電極１
個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数個
のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61−56382号公報及び特開昭59
−101693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融さ
せることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成
が開示されている。
19号公報に開示されている。この構成では、絵素電極１
個当り複数個のスイッチング素子が設けられる。複数個
のスイッチング素子のうちの一つが絵素電極に接続さ
れ、他は絵素電極には接続されない。絵素電極に接続さ
れたスイッチング素子が不良の場合は、レーザトリマ、
超音波カッタ等により該スイッチング素子が絵素電極か
ら切り離され、他のスイッチング素子が絵素電極に接続
される。スイッチング素子と絵素電極との接続は、微小
な導体をディスペンサ等で付着させることにより、或い
は基板上にAu、Al等を所定部位にコートすることにより
行われる。更に、特開昭61−56382号公報及び特開昭59
−101693号公報には、レーザ光を照射して金属を溶融さ
せることにより、金属層相互間を電気的に接続する構成
が開示されている。
上記の欠陥修正は、表示装置を組み立てる前のアクティ
ブマトリクス基板の状態で行われなければならない。そ
の理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射に
よって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対
向電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、
表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。
従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装置組
立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス基板
製作プロセスで適用されている。
ブマトリクス基板の状態で行われなければならない。そ
の理由は、表示装置を完成した後では、レーザ光照射に
よって蒸発或いは溶融した金属の一部が、絵素電極と対
向電極との間に介在する液晶等の表示媒体中に混入し、
表示媒体の光学的特性を著しく劣化させるからである。
従って、上記従来の絵素欠陥の修正は何れも表示装置組
立前、即ち表示媒体封入前のアクティブマトリクス基板
製作プロセスで適用されている。
ところが、絵素欠陥をアクティブマトリクス基板の製作
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型表示装置では、全ての絵
素電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を
発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけ
ればならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産
性が阻害される。従って、コスト高になるという結果を
招く。このような理由で、絵素数の多い大型表示装置で
は、実際には基板の状態で絵素欠陥の発生位置を特定す
ることは行われていない。そのため、前述のレーザ光を
用いた絵素欠陥の修正を行うことができず、製造歩留り
を向上させることができなかった。
段階で検出することは極めて困難である。特に絵素数が
10万個〜50万個以上もある大型表示装置では、全ての絵
素電極の電気的特性を検出して不良スイッチング素子を
発見するには、極めて高精度の測定機器等を使用しなけ
ればならない。このため、検査工程が繁雑となり、量産
性が阻害される。従って、コスト高になるという結果を
招く。このような理由で、絵素数の多い大型表示装置で
は、実際には基板の状態で絵素欠陥の発生位置を特定す
ることは行われていない。そのため、前述のレーザ光を
用いた絵素欠陥の修正を行うことができず、製造歩留り
を向上させることができなかった。
本発明はこのような問題点を解決するために為されたも
のである。即ち、本発明の目的は、アクティブマトリク
ス表示装置を高い歩留りで得られる製造方法を提供する
ことである。
のである。即ち、本発明の目的は、アクティブマトリク
ス表示装置を高い歩留りで得られる製造方法を提供する
ことである。
（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法は、
少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該基板
間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調され
る表示媒体と、を有するアクティブマトリクス表示装置
の製造方法に於いて、該一対の基板の何れか一方の基板
内面にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素電極
にそれぞれ電気的に接続されたスィッチング素子及び予
備スイッチング素子と、該スイッチング素子と該予備ス
イッチング素子とに接続された走査線と、該スイッチン
グ素子に接続された信号線と、該予備スイッチング素子
の信号入力端子の延設端と該信号線から分岐した枝配線
とが少なくとも絶縁層を介して非導通状態で近接対置す
る接続部と、を形成する工程と、該接続部の該表示媒体
側を保護膜によって被覆する工程と、該一対の基板の他
方の基板に対向電極を形成する工程と、該一対の基板間
に該表示媒体を挿入する工程と、該スイッチング素子と
該絵素電極と該対向電極とを介して駆動電圧を該表示媒
体に印加し、絵素欠陥を光学的に検出する工程と、絵素
欠陥が検出された該絵素電極に接続された該予備スイッ
チング素子の信号入力端子の該延設端と、該枝配線とが
対置する該接続部に光エネルギーを照射して、該予備ス
イッチング素子と該信号線とを該接続部を介して電気的
に接続する工程と、を包含しており、そのことによって
上記目的が達成される。
少なくとも一方が透光性を有する一対の基板と、該基板
間に挿入され印加電圧に応答して光学的特性が変調され
る表示媒体と、を有するアクティブマトリクス表示装置
の製造方法に於いて、該一対の基板の何れか一方の基板
内面にマトリクス状に配された絵素電極と、該絵素電極
にそれぞれ電気的に接続されたスィッチング素子及び予
備スイッチング素子と、該スイッチング素子と該予備ス
イッチング素子とに接続された走査線と、該スイッチン
グ素子に接続された信号線と、該予備スイッチング素子
の信号入力端子の延設端と該信号線から分岐した枝配線
とが少なくとも絶縁層を介して非導通状態で近接対置す
る接続部と、を形成する工程と、該接続部の該表示媒体
側を保護膜によって被覆する工程と、該一対の基板の他
方の基板に対向電極を形成する工程と、該一対の基板間
に該表示媒体を挿入する工程と、該スイッチング素子と
該絵素電極と該対向電極とを介して駆動電圧を該表示媒
体に印加し、絵素欠陥を光学的に検出する工程と、絵素
欠陥が検出された該絵素電極に接続された該予備スイッ
チング素子の信号入力端子の該延設端と、該枝配線とが
対置する該接続部に光エネルギーを照射して、該予備ス
イッチング素子と該信号線とを該接続部を介して電気的
に接続する工程と、を包含しており、そのことによって
上記目的が達成される。
（作用） 上記のように、アクティブマトリクス基板の内面には、
絵素電極、スイッチング素子、予備スイッチング素子、
走査線、信号線、及び接続部が形成される。該接続部は
保護膜によって被覆される。対向基板には対向電極が形
成される。アクティブマトリクス基板と対向基板との間
に表示媒体が封入された後、全絵素電極に駆動電圧が印
加される。全絵素電極の駆動により、これに対応して表
示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しか
し、スイッチング素子が不良の場合は、この光学的変調
が不完全となり絵素欠陥として視認される。この絵素欠
陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されている基板
に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可
能である。
絵素電極、スイッチング素子、予備スイッチング素子、
走査線、信号線、及び接続部が形成される。該接続部は
保護膜によって被覆される。対向基板には対向電極が形
成される。アクティブマトリクス基板と対向基板との間
に表示媒体が封入された後、全絵素電極に駆動電圧が印
加される。全絵素電極の駆動により、これに対応して表
示媒体は駆動電圧に応じた光学的変調を生ずる。しか
し、スイッチング素子が不良の場合は、この光学的変調
が不完全となり絵素欠陥として視認される。この絵素欠
陥は微小な絵素電極が数十万個以上配列されている基板
に於いても、拡大レンズ等を使用すれば容易に識別が可
能である。
絵素欠陥部位が特定されると、透光性の基板を介して外
部より接続部に、レーザ光等の光エネルギーが照射され
る。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイッチン
グ素子の信号入力端子の延設端と、信号から分岐した枝
配線とが互いに電気的に接続される。このようにして予
備TFT7と信号線とが接続部を介して電気的に接続され
る。更に、必要に応じて絵素電極に接続されていた不良
のスイッチング素子を、光エネルギーの照射により切断
して絵素電極と切り離すこともできる。接続部は保護膜
で被覆されているため、溶融した金属等が表示媒体中に
混入することはなく、表示媒体の特性は低下しない。即
ち、上述の予備スイッチング素子と信号線との接続は、
表示媒体から離隔された保護膜と基板との間で行われる
ので、表示媒体に悪影響を与えることなく絵素欠陥が修
正することができる。
部より接続部に、レーザ光等の光エネルギーが照射され
る。接続部ではレーザ光照射によって、予備スイッチン
グ素子の信号入力端子の延設端と、信号から分岐した枝
配線とが互いに電気的に接続される。このようにして予
備TFT7と信号線とが接続部を介して電気的に接続され
る。更に、必要に応じて絵素電極に接続されていた不良
のスイッチング素子を、光エネルギーの照射により切断
して絵素電極と切り離すこともできる。接続部は保護膜
で被覆されているため、溶融した金属等が表示媒体中に
混入することはなく、表示媒体の特性は低下しない。即
ち、上述の予備スイッチング素子と信号線との接続は、
表示媒体から離隔された保護膜と基板との間で行われる
ので、表示媒体に悪影響を与えることなく絵素欠陥が修
正することができる。
（実施例） 本発明は実施例について以下に説明する。第1A図に本発
明の製造方法によって製造した表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の一例を示す。第1A図のＢ−Ｂ線
及びＣ−Ｃ線に沿った各断面の構成を、第1B図及び第1C
図に示す。ガラス基板１上にTa2O5、Al2O3、Si3N4等か
ら成るベースコート膜２が厚さ3000Å〜9000Åで形成さ
れ、この上に走査信号を供給するゲートバス配線３と、
データ信号を供給するソースバス配線４とが格子状に配
列されている。ゲートバス配線３は一般にTa,Al、Ti、N
i、Mo等の単層又はこれらの多層金属で形成されるが、
本実施例ではTaを使用している。ソースバス配線４も同
様の金属で形成されるが、本実施例ではTiを使用してい
る。ゲートバス配線３とソースバス配線４の交差位置に
は、後述するベース絶縁膜11が介在している。ゲートバ
ス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形の領域に
は、透明導電膜（ITO）から成る絵素電極５が設けら
れ、マトリクス状の絵素パターンを構成している。絵素
電極５の隅部付近にはTFT6が配され、TFT6と絵素電極５
とはドレイン電極16によって電気的に接続されている。
絵素電極５の他の隅部付近には予備TFT7が配され、予備
TFT7と絵素電極５とはドレイン電極16aによって電気的
に接続されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線
３上に並設され、TFT6のソース電極15とソースバス配線
４とは枝配線８によって接続されている。予備TFT7のソ
ース電極15aはソース電極延設端8aによって、接続部25
に導かれる。接続部25ではソース電極延設端8aは、非導
通状態で枝配線８に対置されている。従って、二つのTF
T6及び７のうち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的
に接続され、予備TFT7はソースバス配線４には接続され
ていない。接続部25の断面構成の詳細について後述す
る。
明の製造方法によって製造した表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の一例を示す。第1A図のＢ−Ｂ線
及びＣ−Ｃ線に沿った各断面の構成を、第1B図及び第1C
図に示す。ガラス基板１上にTa2O5、Al2O3、Si3N4等か
ら成るベースコート膜２が厚さ3000Å〜9000Åで形成さ
れ、この上に走査信号を供給するゲートバス配線３と、
データ信号を供給するソースバス配線４とが格子状に配
列されている。ゲートバス配線３は一般にTa,Al、Ti、N
i、Mo等の単層又はこれらの多層金属で形成されるが、
本実施例ではTaを使用している。ソースバス配線４も同
様の金属で形成されるが、本実施例ではTiを使用してい
る。ゲートバス配線３とソースバス配線４の交差位置に
は、後述するベース絶縁膜11が介在している。ゲートバ
ス配線３とソースバス配線４とに囲まれた矩形の領域に
は、透明導電膜（ITO）から成る絵素電極５が設けら
れ、マトリクス状の絵素パターンを構成している。絵素
電極５の隅部付近にはTFT6が配され、TFT6と絵素電極５
とはドレイン電極16によって電気的に接続されている。
絵素電極５の他の隅部付近には予備TFT7が配され、予備
TFT7と絵素電極５とはドレイン電極16aによって電気的
に接続されている。TFT6及び予備TFT7はゲートバス配線
３上に並設され、TFT6のソース電極15とソースバス配線
４とは枝配線８によって接続されている。予備TFT7のソ
ース電極15aはソース電極延設端8aによって、接続部25
に導かれる。接続部25ではソース電極延設端8aは、非導
通状態で枝配線８に対置されている。従って、二つのTF
T6及び７のうち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的
に接続され、予備TFT7はソースバス配線４には接続され
ていない。接続部25の断面構成の詳細について後述す
る。
TFT6近傍の断面構成を第1B図に従って説明する。尚、予
備TFT7の構成もTFT6と同様である。ゲートバス配線３の
一部として形成されるTaのゲート電極９上に、ゲート電
極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O3から成るゲー
ト絶縁膜10が形成されている。この上から、ゲート絶縁
膜としても機能しているSiNx（例えばSi3N4）のベース
絶縁膜11が基板全面に亙って堆積されている。ベース絶
縁膜11上にはアモルファスシリコン（ａ−Si）の真性半
導体層12、真性半導体層12の上面を保護するSiNxから成
る半導体層保護膜13が順次積層されている。更にその上
から、後に形成されるソース電極及びドレイン電極とオ
ーミックコンタクトを得るための、ａ−Siから成るｎ型
半導体層14が積層されている。ｎ型半導体層14上にはソ
ース電極15、及びドレイン電極16が形成されている。ソ
ース電極15及びドレイン電極16は、Ti、Ni、Al等から成
る。
備TFT7の構成もTFT6と同様である。ゲートバス配線３の
一部として形成されるTaのゲート電極９上に、ゲート電
極９の表面を陽極酸化して得られるTa2O3から成るゲー
ト絶縁膜10が形成されている。この上から、ゲート絶縁
膜としても機能しているSiNx（例えばSi3N4）のベース
絶縁膜11が基板全面に亙って堆積されている。ベース絶
縁膜11上にはアモルファスシリコン（ａ−Si）の真性半
導体層12、真性半導体層12の上面を保護するSiNxから成
る半導体層保護膜13が順次積層されている。更にその上
から、後に形成されるソース電極及びドレイン電極とオ
ーミックコンタクトを得るための、ａ−Siから成るｎ型
半導体層14が積層されている。ｎ型半導体層14上にはソ
ース電極15、及びドレイン電極16が形成されている。ソ
ース電極15及びドレイン電極16は、Ti、Ni、Al等から成
る。
絵素電極５は、ベース絶縁膜11上にパターン形成され
る。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜6000Å程度が適切
であるが、本実施例では2000Å〜3500Åに設定されてい
る。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って基板全面にSiNx
から成る保護膜17が形成され、保護膜17上に液晶分子18
の配向を規制する配向層19が堆積されている。保護膜17
の厚さは2000Å〜10000Å程度が適切であるが、本実施
例では5000Å前後に設定されている。ベース絶縁膜11及
び保護膜17はSiNx以外に、SiOx、Ta2O5、Al2O3その他の
酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜17は
基板全面に形成せずに、TFT6、予備TFT7、バス配線等の
直接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
る。ベース絶縁膜11の厚さは1500Å〜6000Å程度が適切
であるが、本実施例では2000Å〜3500Åに設定されてい
る。TFT6及び絵素電極５の上面を覆って基板全面にSiNx
から成る保護膜17が形成され、保護膜17上に液晶分子18
の配向を規制する配向層19が堆積されている。保護膜17
の厚さは2000Å〜10000Å程度が適切であるが、本実施
例では5000Å前後に設定されている。ベース絶縁膜11及
び保護膜17はSiNx以外に、SiOx、Ta2O5、Al2O3その他の
酸化物或いは窒化物によって形成され得る。保護膜17は
基板全面に形成せずに、TFT6、予備TFT7、バス配線等の
直接表示に関与しない部分のみを覆い、絵素電極５の中
央部で除去した窓あき構造としてもよい。
絵素電極５の形成されたガラス基板１に対向する他方の
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ21、対向電極
22、及び配向層23が重畳形成されている。カラーフィル
タ21の周囲には必要に応じてブラックマトリクス（図示
せず）が設けられる。
ガラス基板20の内面には、カラーフィルタ21、対向電極
22、及び配向層23が重畳形成されている。カラーフィル
タ21の周囲には必要に応じてブラックマトリクス（図示
せず）が設けられる。
上記一対のガラス基板１、20の間には表示媒体として、
ツィステドネマチック液晶分子18が封入されている。液
晶分子18は絵素電極５と対向電極22との間に印加電圧に
応答して配向変換され、光学的変調が行われる。この光
学的変調が表示パターンとして視認される。
ツィステドネマチック液晶分子18が封入されている。液
晶分子18は絵素電極５と対向電極22との間に印加電圧に
応答して配向変換され、光学的変調が行われる。この光
学的変調が表示パターンとして視認される。
接続部25の断面構成を第1C図を用いて説明する。ベース
コート膜２上に継手金属層24が形成されている。継手金
属層24の形状は、第1A図に示すように平面視矩形であ
る。継手金属層24は、ゲートバス配線３と同様にTa、A
l、Ti、Ni、Mo等から成り、ゲートバス配線３の形成と
同時にパターン形成することができる。継手金属層24上
には前述のベース絶縁膜11が堆積されている。ベース絶
縁膜11上には、予備TFT7のソース電極15に接続されたソ
ース電極延設端8aと、ソースバス配線４に接続された枝
配線８とが載置されている。ソース電極延設端8aと枝配
線８とは、互いに離隔され非導通状態を維持している。
従って、予備TFT7はソースバス配線４とは電気的には接
続されていない。ソース電極延設端8aと枝配線８とは保
護膜17によって完全に被覆されている。
コート膜２上に継手金属層24が形成されている。継手金
属層24の形状は、第1A図に示すように平面視矩形であ
る。継手金属層24は、ゲートバス配線３と同様にTa、A
l、Ti、Ni、Mo等から成り、ゲートバス配線３の形成と
同時にパターン形成することができる。継手金属層24上
には前述のベース絶縁膜11が堆積されている。ベース絶
縁膜11上には、予備TFT7のソース電極15に接続されたソ
ース電極延設端8aと、ソースバス配線４に接続された枝
配線８とが載置されている。ソース電極延設端8aと枝配
線８とは、互いに離隔され非導通状態を維持している。
従って、予備TFT7はソースバス配線４とは電気的には接
続されていない。ソース電極延設端8aと枝配線８とは保
護膜17によって完全に被覆されている。
継手金属層24と、ソース電極延設端8a及び枝配線８との
間に位置するベース絶縁膜11は、これらの金属層及び配
線間の層間絶縁膜としても機能している。層間絶縁膜と
しての厚さは1000Å〜7000Åが適しているが、本実施例
ではTFT6及び７のゲート絶縁膜としても機能するベース
絶縁膜11を利用しているので、前述のように2000Å〜35
00Åに設定されている。
間に位置するベース絶縁膜11は、これらの金属層及び配
線間の層間絶縁膜としても機能している。層間絶縁膜と
しての厚さは1000Å〜7000Åが適しているが、本実施例
ではTFT6及び７のゲート絶縁膜としても機能するベース
絶縁膜11を利用しているので、前述のように2000Å〜35
00Åに設定されている。
保護膜17は枝配線８とソース電極延設端8aとの間の電気
的接続を、表示媒体である液晶分子18と離隔した状態で
行うためのものである。そのため、保護膜17の厚さは15
00Å〜15000Å程度が適切である。本実施例ではTFT6及
び７の保護膜を利用しているため、その厚さは5000Å前
後に設定されている。
的接続を、表示媒体である液晶分子18と離隔した状態で
行うためのものである。そのため、保護膜17の厚さは15
00Å〜15000Å程度が適切である。本実施例ではTFT6及
び７の保護膜を利用しているため、その厚さは5000Å前
後に設定されている。
上記構成を有する液晶表示装置のゲートバス配線３及び
ソースバス配線４の全配線から、TFT6を介して全絵素電
極５に駆動電圧を印加する。このように全絵素電極を駆
動した状態では、絵素欠陥が容易に視認される。TFT6の
不良による絵素欠陥が発生している場合には、接続部25
を用いて容易に修正することができる。第２図に絵素欠
陥の修正に用いられた接続部25の断面図を示す。第２図
の矢印26で示すように、下方のガラス基板１を介して外
部よりレーザ光、赤外線、電子ビーム、その他のエネル
ギーが継手金属層24に照射される。本実施例ではYAGレ
ーザ光を用いた。枝配線８とベース絶縁膜11と継手金属
層24との重畳部分では、レーザ光が照射されるとベース
絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、枝配線８と継手金属層24
とは互いに溶融接続されて導通状態となる。同様に、ソ
ース電極延設端8aとベース絶縁膜11と継手金属層24との
重畳部分でも、ベース絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、ソ
ース電極延設端8aと継手金属層24とは互いに溶融接続さ
れて導通状態となる。このようにして枝配線８とソース
電極延設端8aとが継手金属層24を介して電気的に接続さ
れ、予備TFT7がソースバス配線４によって駆動される。
本実施例ではレーザ光をガラス基板１側から照射した
が、レーザ光を透過させる基板であれば何れの基板側か
ら照射してもよい。
ソースバス配線４の全配線から、TFT6を介して全絵素電
極５に駆動電圧を印加する。このように全絵素電極を駆
動した状態では、絵素欠陥が容易に視認される。TFT6の
不良による絵素欠陥が発生している場合には、接続部25
を用いて容易に修正することができる。第２図に絵素欠
陥の修正に用いられた接続部25の断面図を示す。第２図
の矢印26で示すように、下方のガラス基板１を介して外
部よりレーザ光、赤外線、電子ビーム、その他のエネル
ギーが継手金属層24に照射される。本実施例ではYAGレ
ーザ光を用いた。枝配線８とベース絶縁膜11と継手金属
層24との重畳部分では、レーザ光が照射されるとベース
絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、枝配線８と継手金属層24
とは互いに溶融接続されて導通状態となる。同様に、ソ
ース電極延設端8aとベース絶縁膜11と継手金属層24との
重畳部分でも、ベース絶縁膜11の絶縁破壊が起こり、ソ
ース電極延設端8aと継手金属層24とは互いに溶融接続さ
れて導通状態となる。このようにして枝配線８とソース
電極延設端8aとが継手金属層24を介して電気的に接続さ
れ、予備TFT7がソースバス配線４によって駆動される。
本実施例ではレーザ光をガラス基板１側から照射した
が、レーザ光を透過させる基板であれば何れの基板側か
ら照射してもよい。
このようにレーザ光を用いて絵素欠陥の修正を行って
も、接続部25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属の表示媒体である液晶中への混入は起
こらない。また、保護膜17は透明絶縁体なので、レーザ
光はこれを透過する。従って、保護膜17がレーザ光によ
って破壊されることはない。レーザ光の照射された部分
の近傍の液晶層は白濁するが、この白濁はやがて消失し
元の状態に復元されるので、画像品位の低下が生じるこ
ともない。
も、接続部25の上方には保護膜17が形成されているの
で、溶融した金属の表示媒体である液晶中への混入は起
こらない。また、保護膜17は透明絶縁体なので、レーザ
光はこれを透過する。従って、保護膜17がレーザ光によ
って破壊されることはない。レーザ光の照射された部分
の近傍の液晶層は白濁するが、この白濁はやがて消失し
元の状態に復元されるので、画像品位の低下が生じるこ
ともない。
TFT6の絶縁不良等により、TFT6を絵素電極５から切り離
す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16の部分に
レーザ光が照射され、該部分が切断される。TFT6と絵素
電極５とを切り離すことにより、絵素電極５は予備TFT7
によって正常に駆動される。
す必要がある場合には、TFT6のドレイン電極16の部分に
レーザ光が照射され、該部分が切断される。TFT6と絵素
電極５とを切り離すことにより、絵素電極５は予備TFT7
によって正常に駆動される。
第３図に本発明の製造方法によって製造した表示装置を
構成するアクティブマトリクス基板の他の例を示す。こ
の例ではTFT6と予備TFT7との位置が、第1A図の例とは逆
になっている。そして、接続部25はゲートバス配線３と
枝配線８との間に設けられている。第1A図の例と同様
に、ゲートバス配線３に直交してソースバス配線４が形
成され、ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲ま
れた矩形の領域には、透明電極（ITO）から成る絵素電
極５が設けられている。絵素電極５の二つの隅部付近に
はそれぞれTFT6及び予備TFT7が配置され、TFT6及び７と
絵素電極５には、それぞれドレイン電極16及び16aによ
って電気的に接続されている。TFT6及び７の構成は第1B
図に示すものと同様である。TFT6及び予備TFT7はゲート
バス配線３上に並設され、TFT6はソースバス配線４と枝
配線８によって接続されている。予備TFT7のソース電極
15aはソース電極延設端8aによって、接続部25に導かれ
る。接続部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で
枝配線８に対置されている。従って、TFT6及び７のう
ち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的に接続され、
予備TFT7はソースバス配線４には接続されない。第３図
のＣ′−Ｃ′線に沿った接続部25の断面図は、第1C図と
同様である。
構成するアクティブマトリクス基板の他の例を示す。こ
の例ではTFT6と予備TFT7との位置が、第1A図の例とは逆
になっている。そして、接続部25はゲートバス配線３と
枝配線８との間に設けられている。第1A図の例と同様
に、ゲートバス配線３に直交してソースバス配線４が形
成され、ゲートバス配線３とソースバス配線４とに囲ま
れた矩形の領域には、透明電極（ITO）から成る絵素電
極５が設けられている。絵素電極５の二つの隅部付近に
はそれぞれTFT6及び予備TFT7が配置され、TFT6及び７と
絵素電極５には、それぞれドレイン電極16及び16aによ
って電気的に接続されている。TFT6及び７の構成は第1B
図に示すものと同様である。TFT6及び予備TFT7はゲート
バス配線３上に並設され、TFT6はソースバス配線４と枝
配線８によって接続されている。予備TFT7のソース電極
15aはソース電極延設端8aによって、接続部25に導かれ
る。接続部25ではソース電極延設端8aは、非導通状態で
枝配線８に対置されている。従って、TFT6及び７のう
ち、TFT6のみがソースバス配線４に電気的に接続され、
予備TFT7はソースバス配線４には接続されない。第３図
のＣ′−Ｃ′線に沿った接続部25の断面図は、第1C図と
同様である。
本実施例の場合も第1A図の例と同様に、接続部25にレー
ザ光等を照射することによって、TFT6の不良による絵素
欠陥を修正することができる。
ザ光等を照射することによって、TFT6の不良による絵素
欠陥を修正することができる。
接続部25の構成は、第1C図の構成以外に第４図或いは第
５図に示す構成とすることもできる。第４図に示す構成
では、ベース絶縁膜11にスルーホール27が設けられ、継
手金属層24とソース電極延設端8aとが予め電気的に接続
されている。TFT6に不良が発生した場合には、枝配線８
と継手金属層24との重畳部のみが光エネルギーを用いて
接続される。第５図に示す構成では、継手金属層24は設
けられず、ソース電極延設端8aが枝配線８の直上にベー
ス絶縁膜11を介して配置されている。TFT6に不良が発生
した場合には、光エネルギー照射によって、ソース電極
延設端8aと枝配線８とが直接溶融接続される。
５図に示す構成とすることもできる。第４図に示す構成
では、ベース絶縁膜11にスルーホール27が設けられ、継
手金属層24とソース電極延設端8aとが予め電気的に接続
されている。TFT6に不良が発生した場合には、枝配線８
と継手金属層24との重畳部のみが光エネルギーを用いて
接続される。第５図に示す構成では、継手金属層24は設
けられず、ソース電極延設端8aが枝配線８の直上にベー
ス絶縁膜11を介して配置されている。TFT6に不良が発生
した場合には、光エネルギー照射によって、ソース電極
延設端8aと枝配線８とが直接溶融接続される。
第４図に於いて、スルーホール27を枝配線８側に設け、
枝配線８と継手金属層24とを予め接続した構成としても
よい。この構成ではレーザ光照射によって、ソース電極
延設端8aと継手金属層24との重畳部のみが接続される。
また、第５図に於て、枝配線８がベース絶縁膜11を介し
て、ソース電極延設端8a上に形成された構成とすること
もできる。また、何れの実施例に於いても、ベースコー
ト膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止することもで
きる。
枝配線８と継手金属層24とを予め接続した構成としても
よい。この構成ではレーザ光照射によって、ソース電極
延設端8aと継手金属層24との重畳部のみが接続される。
また、第５図に於て、枝配線８がベース絶縁膜11を介し
て、ソース電極延設端8a上に形成された構成とすること
もできる。また、何れの実施例に於いても、ベースコー
ト膜２は必ずしも設ける必要はなく、廃止することもで
きる。
上記の各実施例では透過型の液晶表示装置の製造方法を
示したが、本発明は反射型の表示装置の製造にも同様に
適用できる。また、上記実施例ではTFTを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の製造方法について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発
明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々のスイッ
チング素子を用いた広範囲の表示装置の製造にも適用可
能である。更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散型
EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製
造にも適用され得る。
示したが、本発明は反射型の表示装置の製造にも同様に
適用できる。また、上記実施例ではTFTを用いたアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の製造方法について説明
したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発
明はMIM素子、ダイオード、バリスタ等の種々のスイッ
チング素子を用いた広範囲の表示装置の製造にも適用可
能である。更に、表示媒体として、薄膜発光層、分散型
EL発光層、プラズマ発光体等を用いた各種表示装置の製
造にも適用され得る。
（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置の製造方法によ
れば、全絵素を全配線より一斉に駆動するので絵素欠陥
を瞬時に把握できると共に、絵素欠陥の発生位置を容易
に特定でき、該絵素欠陥がスイッチング素子の不良によ
る場合には、これを容易に修正できるので、高い歩留り
で表示装置を製造することができる。従って、表示装置
としてのコスト低減に寄与することができる。
れば、全絵素を全配線より一斉に駆動するので絵素欠陥
を瞬時に把握できると共に、絵素欠陥の発生位置を容易
に特定でき、該絵素欠陥がスイッチング素子の不良によ
る場合には、これを容易に修正できるので、高い歩留り
で表示装置を製造することができる。従って、表示装置
としてのコスト低減に寄与することができる。
第1A図は本発明の製造方法によって製造した表示装置を
構成するアクティブマトリクス基板の一例の平面図、第
1B図及び第1C図は第1A図のアクティブマトリクス基板を
用いた表示装置を、それぞれ第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った面で切断した断面図、第２図は絵素欠陥の
修正に用いられた接続部の断面図、第３図は本発明の製
造方法によって製造した他の表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板の平面図、第４図及び第５図は接続
部の他の例を示す断面図である。 1,20……ガラス基板、３……ゲートバス配線、４……ソ
ースバス配線、５……絵素電極、６……TFT、７……予
備TFT、８……枝配線、8a……ソース電極延設端、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15,15a……ソース
電極、16,16a……ドレイン電極、17……保護膜、18……
液晶分子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、2
2……対向電極、24……継手金属層、25……接続部。
構成するアクティブマトリクス基板の一例の平面図、第
1B図及び第1C図は第1A図のアクティブマトリクス基板を
用いた表示装置を、それぞれ第1A図のＢ−Ｂ線及びＣ−
Ｃ線に沿った面で切断した断面図、第２図は絵素欠陥の
修正に用いられた接続部の断面図、第３図は本発明の製
造方法によって製造した他の表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板の平面図、第４図及び第５図は接続
部の他の例を示す断面図である。 1,20……ガラス基板、３……ゲートバス配線、４……ソ
ースバス配線、５……絵素電極、６……TFT、７……予
備TFT、８……枝配線、8a……ソース電極延設端、９…
…ゲート電極、11……ベース絶縁膜、15,15a……ソース
電極、16,16a……ドレイン電極、17……保護膜、18……
液晶分子、19,23……配向層、21……カラーフィルタ、2
2……対向電極、24……継手金属層、25……接続部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永安 孝好 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 音琴 秀則 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−22455（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板と、該基板間に挿入され印加電圧に応答して光学的特
性が変調される表示媒体と、を有するアクティブマトリ
クス表示装置の製造方法に於いて、 該一対の基板の何れか一方の基板内面にマトリクス状に
配された絵素電極と、該絵素電極にそれぞれ電気的に接
続されたスィッチング素子及び予備スイッチング素子
と、該スイッチング素子と該予備スイッチング素子とに
接続された走査線と、該スイッチング素子に接続された
信号線と、該予備スイッチング素子の信号入力端子の延
設端と該信号線から分岐した枝配線とが少なくとも絶縁
膜を介して非導通状態で近接対置する接続部と、を形成
する工程と、 該接続部の該表示媒体側を保護膜によって被覆する工程
と、 該一対の基板の他方の基板に対向電極を形成する工程
と、 該一対の基板間に該表示媒体を挿入する工程と、 該スイッチング素子と該絵素電極と該対向電極とを介し
て駆動電圧を該表示媒体に印加し、絵素欠陥を光学的に
検出する工程と、 絵素欠陥が検出された該絵素電極に接続された該予備ス
イッチング素子の信号入力端子の該延設端と、該枝配線
とが対置する該接続部に光エネルギーを照射して、該予
備スイッチング素子と該信号線とを該接続部を介して電
気的に接続する工程と、 を包含するアクティブマトリクス表示装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669589A JPH0786620B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
| US07/467,648 US5102361A (en) | 1989-01-23 | 1990-01-19 | Method for the manufacture of active matrix display apparatuses |
| DE69010701T DE69010701T2 (de) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | Methode zur Herstellung von aktiven Matrixanzeigevorrichtungen. |
| EP90300626A EP0380265B1 (en) | 1989-01-23 | 1990-01-22 | A method of manufacturing active matrix display apparatuses |
| KR1019900000775A KR940001904B1 (ko) | 1989-01-23 | 1990-01-23 | 액티브 매트릭스 표시장치의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11669589A JPH0786620B2 (ja) | 1989-05-10 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02294624A JPH02294624A (ja) | 1990-12-05 |
| JPH0786620B2 true JPH0786620B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=14693567
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11669589A Expired - Fee Related JPH0786620B2 (ja) | 1989-01-23 | 1989-05-10 | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0786620B2 (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2655638B2 (ja) * | 1985-07-23 | 1997-09-24 | 旭硝子株式会社 | 薄膜能動素子基板 |
-
1989
- 1989-05-10 JP JP11669589A patent/JPH0786620B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02294624A (ja) | 1990-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |