JPH11274653A - 半導体レ−ザ基板の劈開方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体レ−ザ基板を劈開分離する際、良好な
生産性を有し、高い歩留りを有する半導体レ−ザ基板の
劈開方法を提供する。 【解決手段】 少なくとも、活性層３を含む半導体レ−
ザ基板１の一端１ａから他端１ｂ方向に向かって形成さ
れた複数のスクライブ傷６₁ 、６₂ 、…、６_n から生じ
る劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ
−７を作製し、また、各半導体レ−ザバ−７を前記劈開
溝方向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ−ザ素
子９を形成する半導体レ−ザ基板１の劈開方法であっ
て、スクライブ傷６₁ 、６₂ 、…、６_n を活性層と略直
交方向に大から小なる長さｌ₁ 、ｌ₂、…、ｌ_n に順次
形成し、この大から小なる長さｌ₁ 、ｌ₂ 、…、ｌ_n に
形成されたスクライブ傷６₁ 、６₂ 、…、６_n の方向に
向かって半導体レ−ザ基板１を順次劈開する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レ−ザ基板
を劈開してバ−状の半導体レ−ザバ−及び半導体レ−ザ
素子を作製するための半導体レ−ザ基板の劈開方法に関
する。

【０００２】

【従来の技術】半導体レ−ザ基板から半導体レ−ザ素子
を作製するためには、この半導体レ−ザ基板を短冊状の
半導体レーザバ−に劈開することが必要である。この半
導体レ−ザバ−の両側面は、半導体レ−ザ素子の共振器
面となる。更に、この半導体レーザバ−の所定幅方向と
直交方向に分割することにより、半導体レーザ素子が得
られる。この際、半導体レ−ザ素子の活性層は共振器面
側に形成されているので、良好な特性の半導体レ−ザ素
子を得るためには、半導体レ−ザバ−の両側面を破損す
ることなく行うことが重要である。

【０００３】以下に、従来の半導体レーザ基板の劈開方
法について、図３乃至図８を用いて説明する。図３乃至
図７は、半導体レ−ザ基板の劈開方法を示す製造工程図
である。図４、図５において、この半導体レ−ザ基板の
劈開方法についてわかりやすく説明するために、半導体
レ−ザ基板１及びカバ−シ−ト８を点線で示してある。

【０００４】まず初めに、図３に示す半導体レ−ザ基板
１について説明する。図３に示すように、半導体レ−ザ
基板１は、矩形状の半導体レ−ザ結晶層２の両面に電極
４及び５を有している。電極５上には、半導体レ−ザ結
晶層２の劈開方向に平行、かつ半導体レ−ザ結晶層２の
一端部２ａに長さｌ₀ 、深さｄ₀ のスクライブ傷１
１₁ 、１１₂ 、１１₃ が、互いに所定の間隔を有して形
成されている。スクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１１
₃ は、半導体レ−ザ基板１の劈開を容易にするために形
成されるものである。なお、このスクライブ傷１１₁ 、
１１₂ 、１１₃ は、図示しないポイントスクライバによ
り機械的に電極５上から半導体レ−ザ結晶層２の表面近
傍に達するように形成される。通常、半導体レ−ザ基板
１へのスクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１１₃ の形成は、
図示しないポイントスクライバから半導体レ−ザ結晶層
２への衝撃を緩和するように、電極５上から行われる。
スクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１１₃ の間隔は、後述す
る半導体レ−ザ素子の共振器長となり、２５０μｍ程度
である。また、半導体レ−ザ基板１の電極４の近傍に
は、活性層３が形成され、この活性層３は、半導体レ−
ザ結晶層２の劈開方向と略直交方向に形成されている。
即ち、この活性層３はスクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１
１₃ と略直交方向に形成されている。

【０００５】次に、半導体レ−ザ基板１を劈開分離する
ために用いられる半導体レ−ザ基板劈開装置２１につい
て図６を用いて説明する。半導体レ−ザ基板劈開装置２
１は、開口部１５ａを有したホルダ−１５と、このホル
ダ−１５を収納するための収納部１６ａを有したホルダ
−固定台１６と、ホルダ−固定台１６の収納部１６ａに
収納されたホルダ−１５をホルダ−固定台１６に押しつ
けるためのホルダ−押え１７と、このホルダ−１５をホ
ルダ−固定台１６にホルダ−押え１７と共に固定するた
めのネジ１８とからなる。更に、ホルダ−固定台１６に
固定されたホルダ−１５の下方には、半導体レ−ザ基板
１を劈開分離するためのカッタ−ナイフ１９がカッタ−
固定具２０に固定されて、配置されている。このカッタ
−ナイフ１９は、半導体レ−ザ基板１の形状よりも長い
帯板状の刃を有し、上下左右に稼働することができるよ
うになっている。

【０００６】以下に、この半導体レ−ザ基板劈開装置２
１を用いて、半導体レ−ザ基板１を劈開する方法につい
て説明する。 （半導体レ−ザ基板貼り付け）半導体レ−ザ基板１のス
クライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１１₃ が形成された電極５
側を上方、電極４側を粘着シ−ト１３に対向配置し、こ
の半導体レ−ザ基板１を粘着シート１３に貼り付ける。
更に、半導体レーザ基板１及び粘着シート１３上に、半
導体レーザ基板１を覆うようにして、粘着シート１３よ
りやや小さい形状のカバーシート１４を載置する（図
４）。

【０００７】（粘着シ−トの固定）続いて、ホルダー１
５の開口部１５ａ内に半導体レ−ザ基板１が収納される
ようにして、このホルダ−１５をカバ−シ−ト１４上方
から粘着シート１３上に載置する（図５）。この際、ホ
ルダ−１５の形状は、粘着シ−ト１３の大きさと略等し
い形状であり、粘着シ−ト１３の粘着部分１２により固
定される。この結果、ホルダ−１５は、カバ−シ−ト１
４、半導体レ−ザ基板１及び粘着シ−ト１３と共に一体
化されることになる。

【０００８】（ホルダ−固定）この半導体レ−ザ基板１
と共に一体化したホルダ−１５を半導体レ−ザ基板劈開
装置２１のホルダ−収納部１６ａに載置する。次に、ホ
ルダー１５及びホルダ−固定台１６上には、ホルダー押
え１７を載置し、ホルダー押え１７をホルダ−固定台１
６にネジ１８により止めて、ホルダー１５をホルダ−固
定台１６に固定する（図６）。

【０００９】（半導体レ−ザ基板の劈開）この後、カッ
タ−ナイフ１９を粘着シート１３を介して、半導体レー
ザ基板１の劈開方向に平行かつ、スクライブ傷１１₁ に
対向して配置する。この状態から、カッタ−ナイフ１９
により粘着シ−ト１３を介して半導体レ−ザ基板１を上
方に突き上げ、スクライブ傷１１₁ を起点として、この
スクライブ傷１１₁ によって生じる劈開溝Ｖに沿って、
半導体レーザ基板１を劈開する（図７）。この後、カッ
タ−ナイフ１９を粘着シ−ト１３を介して、順次スクラ
イブ傷１１₂ 、１１₃ に対向配置し、同様にして、半導
体レ−ザ基板１の劈開を行って、図示しない半導体レ−
ザバ−を得る。この後、図示しない半導体レ−ザバ−の
劈開方向と略直交方向に所定の長さに分割することによ
り図示しない半導体レ−ザ素子が得られる。このよう
に、半導体レ−ザ基板１の劈開を半導体レ−ザ基板１の
端から順次行うのは、この半導体レ−ザ基板１の劈開の
作業を機械的に行うことができるので、生産効率が高い
からである。

【００１０】ここで、半導体レ−ザ基板１の劈開分離の
メカニズムについて説明する。図７に示すように、カッ
タ−ナイフ１９により半導体レ−ザ基板１を突き上げた
際、半導体レ−ザ基板１に作用する力の作用点は、粘着
シ−ト１３側では、粘着シ−ト１３を介してカッタ−ナ
イフ１９に接する位置Ｃ（作用点Ｃ）であり、カバ−シ
−ト１４側では、半導体レ−ザ基板１の一端Ｄ（作用点
Ｄ）と半導体レ−ザ基板１の他端Ｅ（作用点Ｅ）であ
る。半導体レ−ザ基板１に突き上げ力Ｎ₁ が作用する
と、その反作用として、カバ−シ−ト１４から半導体レ
−ザ基板１の一端Ｄに抗力Ｎ₂ 及び半導体レ−ザ基板１
の他端Ｅに抗力Ｎ₃ が作用する。このような状態から、
半導体レ−ザ基板１の劈開は、突き上げ力Ｎ₁ が作用す
る作用点Ｃを中心として、半導体レ−ザ基板１から劈開
分離される一方の分離部分１₁ の幅ｄ₁ と抗力Ｎ₂ との
積からなる力のモ−メントＦ₁ （Ｎ₂ ×ｄ₁ ）と、他方
の未分離部分１₂ の幅ｄ₂ と抗力Ｎ₃ との積からなる力
のモ−メントＦ₂（Ｎ₃ ×ｄ₂ ）が作用することによっ
て行われる。この結果、半導体レ−ザ基板１から分離部
分１₁ が分離されて、図示しない半導体レ−ザバ−が得
られるのである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体レ−ザ基板１の劈開方法には、以下の問題があっ
た。半導体レ−ザ基板１を劈開する際、半導体レ−ザ基
板１は、カバ−シ−ト１４からの抗力Ｎ₂ 、Ｎ₃ により
スクライブ傷１１₁ を中心として下方に弾性変形する。
このため、抗力Ｎ₂ 、Ｎ₃ はカバ−シ−ト１４側の半導
体レ−ザ基板１の面全体に渡って作用する。半導体レ−
ザ基板１に形成されたスクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１
１₃ の間隔は２５０μｍ程度と微小な間隔で形成されて
いるので、スクライブ傷１１₁ に隣接するスクライブ傷
１１₂ にも略同程度かやや小さい程度の抗力が作用す
る。半導体レ−ザ基板１の劈開は、スクライブ傷１
１₁ 、１１₂ 、１１₃ の長さｌ₀ が長く、深さｄ₀ が深
い程、容易に行うことができるが、このスクライブ傷１
１₁ 、１１₂ 、１１₃ の長さｌ₀ や深さｄ₀ は図示しな
いポイントスクライバの条件や電極厚さのバラツキによ
り、バラツキを生じる。このため、図８に示すように、
スクライブ傷１１₂ の長さｌ₀ や深さｄ₀ がスクライブ
傷１１₁ よりも大きい場合には、半導体レ−ザ基板１
は、スクライブ傷１１₁ からではなく、スクライブ傷１
１₂ から劈開されてしまう。半導体レ−ザ基板１の劈開
を最後まで終了した後、再度スクライブ傷１１₁ を劈開
し直す必要があり、生産性を低下させていた。

【００１２】半導体レ−ザ基板１の劈開は、所定の条件
下でスクライブ傷１１₁ 、１１₂ 、１１₃ の順番にした
がって次々と機械的に行われるので、スクライブ傷１１
₁ にカッタ−ナイフ１９を対応させて半導体レ−ザ基板
１部分を突き上げた後、順次カッタ−ナイフ１９をスク
ライブ傷１１₂ 、１１₃ に対応する半導体レ−ザ基板１
部分に移動し、半導体レ−ザ基板１を突き上げることに
よって劈開が行われるため、カッタナイフ１９は、既に
劈開されたスクライブ傷１１₂ に対応する半導体レ−ザ
基板１部分を突き上げることになる。

【００１３】半導体レ−ザ基板１は、既に分離された分
離部分１₃ と未分離部分１₄ に劈開されているので、カ
ッタ−ナイフ１９はこの分離部分１₃ と未分離部分１₄
の間を突き上げることになる。この際、半導体レ−ザ基
板１の分離部分１₃ の側面Ｐと未分離部分１₄ の側面Ｑ
には、粘着シ−ト１３を介してカッタ−ナイフ１９によ
る突き上げ力の衝撃が作用することになるので、分離部
分１₃ の側面Ｐ及び未分離部分１₄ の側面Ｑは破損して
しまう。このように、分離部分１₃ のスクライブ傷１１
₁ に対応させて、この分離部分１₃ の劈開を行って図示
しない半導体レ−ザバ−を作製しても、この分離部分１
₃ の側面Ｐは、破損しているので、図示しない半導体レ
−ザバ−の歩留まりは低かった。また、この図示しない
半導体レ−ザバ−を分割して得られた図示しない半導体
レ−ザ素子の歩留りも低かった。また、分離部分１₃ の
側面Ｐには活性層３が形成されているので、活性層３も
破損してしまうので、この半導体レ−ザ基板から作製さ
れた半導体レ−ザ素子のレ−ザ特性は所望のものが得ら
れなかった。

【００１４】そこで、本発明は、上記のような問題点を
解消するためになされたもので、半導体レ−ザ基板を劈
開分離する際、良好な生産性を有し、高い歩留りを有す
る半導体レ−ザ基板の劈開方法を提供することを目的と
する。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ基
板の劈開方法は、少なくとも、活性層を含む半導体レ−
ザ基板の端部に形成された複数のスクライブ傷から生じ
る劈開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ
−を作製し、また、各半導体レ−ザバ−を前記劈開溝方
向と異なる方向に複数分割して、各半導体レ−ザ素子を
形成する半導体レ−ザ基板の劈開方法であって、前記ス
クライブ傷を前記活性層と略直交する方向に大から小な
る長さに順次形成し、この大から小なる長さに形成され
た前記スクライブ傷方向に向かって、前記半導体レ−ザ
基板の劈開を順次行うことを特徴とする。

【００１６】第２の発明として、請求項１記載の半導体
レ−ザ基板の劈開方法は、前記スクライブ傷を前記活性
層と略直交する方向に大から小となる長さに順次形成
し、かつこの大から小なる長さに形成された前記スクラ
イブ傷を同一方向に周期的に形成し、この大から小なる
長さに形成された前記スクライブ傷の方向に向かって、
前記半導体レ−ザ基板の劈開を順次行うことを特徴とす
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明の半導体レ−ザ基板の劈開
方法について図１及び図２を用いて説明する。図１は、
本発明の第１実施例に用いられる半導体レーザ基板に形
成されたスクライブ傷を示す図である。図２は、本発明
の第２実施例に用いられる半導体レ−ザ基板に形成され
たスクライブ傷を示す図である。従来と同一構成部分に
は同一符号を付し、その詳細な説明を省略する。

【００１８】本発明の半導体レ−ザ基板の劈開方法の第
１実施例について以下に説明する。まず、従来例で用い
た半導体レ−ザ基板１の電極５上にスクライブ傷６₁ 、
６₂ 、…、６_n を半導体レ−ザ結晶層２の劈開方向に沿
って、かつ、半導体レ−ザ基板１の一端１ａから他端１
ｂ方向に向かって形成し、それぞれに対応した長さ
ｌ₁ 、ｌ₂ 、…、ｌ_n が大から小となるように形成する
（図１（Ａ））。即ち、ｌ₁ ＞ｌ₂ ＞…＞ｌ_n 。ところ
で、一般的にスクライブ傷の長さが長い程、劈開溝が長
くなることになるので、半導体レ−ザ基板は劈開されや
すい。このため、半導体レ−ザ基板１上には、半導体レ
−ザ基板１が劈開されやすい順番にスクライブ傷６₁ 、
６₂ 、…、６_n が形成されていることになる。なお、ス
クライブ傷６₁ 、６₂ 、…、６_n のそれぞれに対応した
長さｌ₁ 、ｌ₂ 、…、ｌ_n は、スクライブ傷６₁ 、
６₂ 、…、６_n の深さｄのバラツキが無視できる程度に
各長さ間に差を生じるように設定してある。

【００１９】この後、従来の半導体レ−ザ基板の劈開方
法と同様にして、図６、図７に示した従来の半導体レ−
ザ基板劈開装置２１を用いて、半導体レ−ザ基板１の一
端１ａから他端１ｂ方向に向かい、カッタ−ナイフ１９
を粘着シ−ト１３を介して、スクライブ傷６₁ に対応さ
せて配置し、カッタ−ナイフ１９を上方に突き上げてス
クライブ傷６₁ から半導体レ−ザ基板１の劈開を行う。
更に、前記と同様にして、カッタ−ナイフ１９を粘着シ
−ト１３を介して順次スクライブ傷６₂ 、…、６_n に対
応させ配置し、半導体レ−ザ基板１の劈開を行う。こう
して、半導体レ−ザ基板１から劈開分離された半導体レ
−ザバ−７が得られる（図１（Ｂ））。この半導体レ−
ザバ−７をその劈開方向と略直交方向に分割して半導体
レ−ザ素子９が得られる（図１（Ｃ））。

【００２０】このように、図７に示した従来の半導体レ
−ザ基板劈開装置２１により、半導体レ−ザ基板１の一
端１ａから他端１ｂ方向に形成されたスクライブ傷
６₁ 、６₂ 、…、６_n から機械的、かつ順番に半導体レ
−ザ基板を劈開することができるので生産性が向上す
る。また、半導体レ−ザ基板１は、カッタ−ナイフ１９
が対応したスクライブ傷６₁ 、６₂ 、…、６_n からだけ
劈開が行われるので、カッタ−ナイフ１９が既に劈開分
離された半導体レ−ザ基板部分を突き上げて、その衝撃
により、半導体レ−ザ基板１から分離される半導体レ−
ザバ−７の側面８を破損することを防止することができ
る。このため、半導体レ−ザバ−７及び半導体レ−ザ素
子９の歩留りが向上する。

【００２１】次に、本発明の第２実施例について説明す
る。本発明の第２実施例は、半導体レ−ザ基板の形状が
大きい場合に有効である。従来例で用いた半導体レ−ザ
基板１の電極５上にスクライブ傷１０₁ 、１０₂、…、
１０_n を１組として、この１組を周期的に半導体レ−ザ
結晶層２の劈開方向に沿い、かつ半導体レ−ザ基板１の
一端１ａから他端１ｂ方向に向かって形成する（図
２）。スクライブ傷１０₁ 、１０₂ 、…、１０_n のそれ
ぞれに対応した長さｍ₁ 、ｍ₂ 、…、ｍ_n は、ｍ₁ ＞ｍ
₂ ＞…＞ｍ_n である。このため、半導体レ−ザ基板１の
一端１ａから他端１ｂ方向には、スクライブ傷１０₁ 、
１０₂ 、…、１０_n はその長さｍ₁ 、ｍ₂ 、…、ｍ_n が
大から小となる組が周期的に形成されていることにな
る。

【００２２】この後、従来の半導体レ−ザ基板の劈開方
法と同様にして、図６、図７に示した半導体レ−ザ基板
劈開装置２１を用いて、カッタ−ナイフ１９を粘着シ−
ト１３を介して、半導体レ−ザ基板１の一端１ａ側のス
クライブ傷１０₁ に対向させて、カッタ−ナイフ１９を
上方に突き上げて、スクライブ傷１０₁ から半導体レ−
ザ基板１の劈開を行う。更に、前記と同様にして、カッ
タ−ナイフ１９を粘着シ−ト１３を介して、順次スクラ
イブ傷１０₂ 、…、１０_n に対向させて１組目の半導体
レ−ザ基板１の劈開を行う。次に、２組目のスクライブ
傷１０₁ 、１０₂ 、…、１０_n にカッタ−ナイフ１９を
粘着シ−ト１３を介して、順次対向させて、同様にして
半導体レ−ザ基板１の劈開を行う。こうして、第１実施
例と同様に、半導体レ−ザ基板１から劈開分離された半
導体レ−ザバ−７が得られる（図１（Ｂ））。この半導
体レ−ザバ−７をその劈開方向と略直交方向に分割して
半導体レ−ザ素子９が得られる（図１（Ｃ））。

【００２３】この場合、１組目のスクライブ傷１０_n か
ら劈開を行う際、２組目のスクライブ傷１０₁ の長さｍ
₁ は、スクライブ傷１０_n の長さｍ_n よりも長いので、
スクライブ傷１０₁ から劈開され、スクライブ傷１０_n
からは劈開されないが、このスクライブ傷１０₂ 、…、
１０_n の周期を短く調節することによって劈開不良部分
を低減することができる。この劈開不良部分は、スクラ
イブ傷１０₂ 、…、１０_n の周期の数程度であるので、
半導体レ−ザ基板１全体の割合に対しては非常に小さ
く、この半導体レ−ザ基板１から得られる半導体レ−ザ
バ−７の歩留りへの影響は非常に小さいものとなる。こ
のため、半導体レ−ザ基板１の劈開を機械的にスクライ
ブ傷１０₁ 、１０₂、…、１０_n が形成されている順番
に行うことができるので半導体レ−ザバ−７の生産性が
向上する。

【００２４】

【発明の効果】本発明の半導体レ−ザ基板の劈開方法に
よれば、半導体レ−ザ基板上にスクライブ傷を前記活性
層と略直交する方向に大から小なる長さに順次形成した
ので、半導体レ−ザ基板をスクライブ傷が形成されてい
る順番に劈開分離することができ、生産性が向上する。
また、１度劈開分離された半導体レ−ザ基板のスクライ
ブ傷を再度劈開することがないので、半導体レ−ザ基板
を破損することなく劈開することができるため、半導体
レ−ザ基板から得られた半導体レ−ザバ−の歩留まりを
向上させることができる。更に、スクライブ傷を前記活
性層と略直交する方向に大から小となる長さに順次形成
し、かつこの大から小なる長さに形成された前記スクラ
イブ傷を同一方向に周期的に形成したので、半導体レ−
ザ基板の形状の大きさが大きい場合、スクライブ傷が形
成された不良部分を小さく抑えることができ、半導体レ
−ザバ−の歩留りを向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体レ−ザ基板の劈開方法の第１実
施例に用いられる半導体レーザ基板に形成されたスクラ
イブ傷を示す斜視図である。

【図２】本発明の半導体レ−ザ基板の劈開方法の第２実
施例に用いられる半導体レ−ザ基板に形成されたスクラ
イブ傷を示す斜視図である。

【図３】従来の半導体レ−ザ基板に形成されたスクライ
ブ傷を示す図である。

【図４】粘着シ−トに貼り付けられた従来の半導体レ−
ザ基板の平面図である。

【図５】従来の半導体レ−ザ基板を粘着シ−トと共にホ
ルダ−に工程した平面図である。

【図６】一般的な半導体レ−ザ基板劈開装置の断面図で
ある。

【図７】一般的な半導体レ−ザ基板劈開装置を用いた従
来の半導体レ−ザ基板の劈開の様子を示す図である。

【図８】従来の半導体レ−ザ基板の劈開の様子を説明す
る図である。

【符号の説明】

１…半導体レ−ザ基板、１ａ…一端、１ｂ…他端、２…
半導体レ−ザ結晶層、３…活性層、４、５…電極、
６₁ 、６₂ 、…、６_n 、１０₁ 、１０₂ 、…、１０_n 、
１１₁ 、１１₂ 、１１₃ …スクライブ傷、７…半導体レ
−ザバ−、８…側面、９…半導体レ−ザ素子、１２…粘
着部、１３…粘着シ−ト、１４…カバ−シ−ト、１５…
ホルダ−、１６…ホルダ−固定台、１７……ホルダ−押
さえ、１８…ネジ、１９…カッタ−ナイフ、２０…カッ
タ−ナイフ固定具、２１…半導体レ−ザ基板₀ …深さ、
１５ａ…開口部、１６ａ…ホルダ−収納部、Ｖ…劈開
溝、１₁、１₃ …分離部分、１₂ 、１₄ …未分離部分、
ｌ₁ 、ｌ₂ 、…、ｌ_n 、ｍ₁ 、ｍ₂ 、…、ｍ_n …長さ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも、活性層を含む半導体レ−ザ基
   板の端部に形成された複数のスクライブ傷から生じる劈
   開溝に沿って劈開分離して、複数の半導体レ−ザバ−を
   作製し、また、各半導体レ−ザバ−を前記劈開溝方向と
   異なる方向に複数分割して、各半導体レ−ザ素子を形成
   する半導体レ−ザ基板の劈開方法であって、 前記スクライブ傷を前記活性層と略直交する方向に大か
   ら小なる長さに順次形成し、この大から小なる長さに形
   成された前記スクライブ傷方向に向かって、前記半導体
   レ−ザ基板の劈開を順次行うことを特徴とする半導体レ
   −ザ基板の劈開方法。
2. 【請求項２】前記スクライブ傷を前記活性層と略直交す
   る方向に大から小となる長さに順次形成し、かつこの大
   から小なる長さに形成された前記スクライブ傷を同一方
   向に周期的に形成し、この大から小なる長さに形成され
   た前記スクライブ傷の方向に向かって、前記半導体レ−
   ザ基板の劈開を順次行うことを特徴とする請求項１記載
   の半導体レ−ザ基板の劈開方法。