JPH0786693B2

JPH0786693B2 - 電子写真用感光体

Info

Publication number: JPH0786693B2
Application number: JP4231942A
Authority: JP
Inventors: 甲安井; 一久加藤; 文之須田
Original assignee: Stanley Electric Co Ltd
Current assignee: Stanley Electric Co Ltd
Priority date: 1992-08-31
Filing date: 1992-08-31
Publication date: 1995-09-20
Anticipated expiration: 2010-09-20
Also published as: JPH06342221A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真用感光体、特
にアモルファスシリコン電子写真用感光体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ＳｉＨ₄（モノシラン）ガス等を用いて
プラズマＣＶＤ法で得られるアモルファスシリコン（非
晶質シリコン、以下これをａ−Ｓｉと略記することもあ
る）は、中に取り込まれる水素原子がＳｉのダングリン
グボンドと結合することによって局在準位を減少させる
ために、伝導型及びキャリヤ濃度が制御できる有用な半
導体材料となることが１９７６年、スピアにより発表さ
れた（Applied PhysicsLetter, Vol.28, No.2, 1976, J
an.）。

【０００３】その後の研究により、ａ−Ｓｉは大面積の
膜が安価に得られることもあって、太陽電池や薄膜トラ
ンジスタなどの半導体素子製作にとって不可欠の材料に
なりつつある。そしてこのａ−Ｓｉ膜が無公害、高感
度、長寿命という優れた性質を有することから、電子写
真感光体への応用も考えられていた。しかし、開発初期
のａ−Ｓｉ膜の抵抗値が、感光体に必要な程度の高抵抗
ではなかったので、ａ−Ｓｉ膜の電子写真用感光体とし
ての実用化はスピードダウンした。すなわち、感光体が
高抵抗でないと、コロナ放電でａ−Ｓｉ膜表面に帯電さ
せても暗減衰が大きく、電荷保持特性が悪くなってしま
うからである。この点は、例えば伝導型制御ができるこ
とを利用して、表面層付近にｐｎ接合を形成し高抵抗化
することも考えられるが、種々の問題があって、まだ実
用化に至っていない。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者等は、このａ
−Ｓｉ膜自体の抵抗率を高くすることで電荷保持特性の
向上を試み、Ｓｅ系感光体に比較し見劣りしない高抵抗
を有するａ−Ｓｉ感光体を得ることに成功し、特開昭５
７−３７３５２号公報に開示した。それによれば、Ｓｉ
Ｈ₄ガスにＮ₂（窒素）ガス、Ｂ₂Ｈ₆（ジボラン）ガ
スを適当量混入しながらプラズマＣＶＤ法によってａ−
Ｓｉ膜を得るもので、これで得られたａ−Ｓｉ膜は、著
しく高抵抗でかつ光感度特性もよく、実際にも優れた画
像形成が達成された。しかし、実用的見地に立った場
合、寿命の点では必ずしも満足いくものではなかった。
その原因は次のことにあると考えられた。

【０００５】即ち、複写機やプリンタなどの装置内で
は、感光体表面は直接種々の刺激を受ける。それは、例
えばコロナ放電により生じるオゾンや窒化物の吸着及び
これらと空気中の水分やトナーなどによって生じる化学
活性種の付着による化学作用、クリーニングプレートに
よる擦過性や紙との摩擦による物理作用、取扱い時の触
指によるＮａの付着拡散などであり、これらは大なり小
なり画質に悪影響を及ぼし、このような刺激が長期に亙
った場合、白スジ、白い点状欠陥、画像ボケ、カブリな
どを生じて著しい画質低下を招くのである。

【０００６】そこで本発明者等は、ａ−Ｓｉ膜の保護方
法としてａ−Ｓｉ感光層の製造装置と同一装置内で同一
材料ガスを用い、流量や供給電力値など操作条件を変え
るだけで、ａ−Ｓｉ膜上に連続的にアモルファス窒化シ
リコン膜を形成する方法を提案し、特開昭５８−１４５
９５１号公報で開示した。このアモルファス窒化シリコ
ン膜を表面保護層として形成することにより、耐久性、
画像形成及び寿命の点で、特開昭５７−３７３５２号公
報で開示したａ−Ｓｉ感光体は、実用化の域に達したの
である。現在では、この表面保護層としてアモルファス
窒化シリコン膜だけでなく、アモルファス酸化シリコン
やアモルファス炭化シリコンなどの膜が検討されてい
る。

【０００７】上記表面保護層と感光体の特性との関係
を、従来の構造のものにつき図２で更に説明する。図２
（ａ）は、従来のａ−Ｓｉ感光体の一部断面図、図２
（ｂ）〜（ｄ）は、異なる状況下でのそのエネルギー帯
構造の模式図である。１はＡｌ（アルミニウム）などの
導電性基板、２は導電性基板１上に形成された厚み１〜
５０μｍのａ−Ｓｉ感光層である。ａ−Ｓｉ感光層２は
Ｎ₂ガス、Ｂ₂Ｈ₆ガス、場合によりＰＨ₃（ホスフィ
ン）ガスを混合したＳｉＨ₄ガスをプラズマＣＶＤ法で
分解して形成したもので、水素原子を含む膜であり、１
０¹²Ω・ｃｍ以上の高抵抗率がある。３はａ−Ｓｉ感光
層２上に形成された厚み０．０１〜１μｍの絶縁性を有
する表面保護層である。表面保護層３は、ＳｉＨ₄ガス
及びＮ₂ガスを用いて連続的に形成されたアモルファス
窒化シリコン膜で、次に述べるエネルギー帯構造の図に
も示されているように、ａ−Ｓｉ感光層２よりも禁制帯
幅が広い。

【０００８】図２（ａ）のａ−Ｓｉ感光体の使用前の平
衡状態におけるエネルギー帯構造を図２（ｂ）で、また
コロナ放電により図２（ａ）のａ−Ｓｉ感光体の表面を
正帯電させたときのエネルギー帯構造を図２（ｃ）で図
示してある。図中、Ｅ_Fはフェルミ準位、Ｅ_Vは価電子
帯の頂部、Ｅ_Cは伝導帯の底部を示す。図２（ｄ）は図
２（ａ）のａ−Ｓｉ感光体に画像光を入射させた時のキ
ャリヤの発生状態を示すもので、入射光によってａ−Ｓ
ｉ感光層２内で電子・正孔対が発生し、電子は表面側に
正孔は導電性基板１側へ流れ、導電性基板１と表面の電
荷をそれぞれ中和する。

【０００９】表面保護層３がある場合には、電子が移動
し表面保護層３をトンネル効果で通過して表面に達すれ
ば、表面電荷を中和させることができる。しかし、例え
ば表面保護層３の厚みが大きく電子が表面保護層３の障
壁を乗り越えられなければ、ａ−Ｓｉ感光層２と表面保
護層３との界面Ｓにトラップされ中和されない表面電荷
によって残留電位の大きさが決まるのである。当初、絶
縁性を有する表面保護層３は、ａ−Ｓｉ感光層２の表面
を保護する機能が重視されていたが、ａ−Ｓｉ感光層２
の抵抗率が大きくとれない段階では、ａ−Ｓｉ感光層２
からのキャリヤの移動注入によって、表面電荷が中和さ
れることを阻止するブロッキング層としての役割も重要
であった。このため表面保護層３を厚く形成すると、キ
ャリヤのトンネルができず、残留電位が極めて大きくな
ってしまう。

【００１０】その結果、図２（ｄ）に示したようにａ−
Ｓｉ感光層２と表面保護層３の界面Ｓ近傍に空間電荷領
域を形成し、これがキャリヤの移動を一層阻止すること
になるので、表面保護層３の厚みは数十Å、厚くても１
０００Å以下の極めて薄いものでなければならなかっ
た。そのため、ａ−Ｓｉ感光層２に対する表面保護機能
が十分でなかった。逆に、表面保護層３の厚みがある限
度以上になると、もはやカールソン法は採り得ず、ＮＰ
法などの全く別の複写方式を考えなければならない。し
かし、前述の特開昭５７−３７３５２号公報で開示した
方法により、本発明者等は、ａ−Ｓｉ感光層２の抵抗率
を十分に大きくしているので、０．０１〜１μｍと比較
的厚い表面保護層を形成し、残留電位が多少生じても全
体に対する比率を小さくできるので、Ｓ／Ｎ比が十分に
とれる。このためカールソン法が採用できるとともに、
表面保護の目的が達成され、同時に長寿命化が可能とな
ったのである。

【００１１】しかしながら、本発明者等は表面保護層と
してアモルファス窒化シリコン膜を形成して複写機を試
作し、精度の良い実験を更に繰り返した。その結果、上
記アモルファス窒化シリコン膜の形成条件によっては、
極めて不都合な場合が生じることが判明し、表面保護膜
に要求されるものは厚みだけでなく、組成も問題としな
ければならないことを見出したのである。すなわち、本
発明は、画質の低下を生じさせることなく、しかも長期
間使用しても感光体を十分安定して保護し得る構造及び
組成でなるアモルファス窒化シリコン膜の絶縁保護層を
有する電子写真用感光体を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の電子写真用感光
体は、基板上にアモルファスシリコン感光層，ｐ型アモ
ルファスシリコン層及び表面保護層を有するアモルファ
スシリコン電子写真用感光体において、前記ｐ型アモル
ファスシリコン層は前記アモルファスシリコン感光層と
前記表面保護層との間に３０〜１０００Åの厚さを有す
ると共に、前記ｐ型アモルファスシリコン層の平衡状態
におけるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の高さが、
平衡状態における前記アモルファスシリコン感光層のフ
ェルミ準位に対する伝導帯の高さよりも高くなるように
ｐ型不純物を含有し、前記表面保護層は５００〜１００
００Åの範囲の厚さ有するシリコンを含有するアモルフ
ァス化合物により構成され、この化合物のシリコン含有
比が前記ｐ型アモルファスシリコン層との界面から該表
面保護層表面に向かって漸次少なくなると共に、この表
面保護層の前記ｐ型アモルファスシリコン層との界面の
平衡状態におけるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の
高さが、その界面の平衡状態における前記ｐ型アモルフ
ァスシリコン層のフェルミ準位に対する伝導帯の底部の
高さ以上で、且つ、表面に向かって漸次高くなるように
形成されていることを特徴とする。更に、前記表面保護
層が水素を含むアモルファス窒化シリコンで形成され、
その組成比Ｓｉ／Ｎがｐ型アモルファスシリコン層との
界面から前記表面保護層表面へ向かって漸次小さくなる
ように構成されていることも特徴としている。

【００１３】

【作用】以下、本発明の構成・作用等を実験例とともに
詳述する。アモルファス窒化シリコン膜を表面保護膜と
して考えた場合、化学的にも構造的にも最も安定なもの
は、化学量論的組成のＳｉ₃Ｎ₄膜が最適と考えられ
る。しかし、プラズマＣＶＤ法では、化学量論的組成の
Ｓｉ₃Ｎ₄膜の作製は困難であり、水素が含有されると
ともに組成比Ｓｉ／Ｎも０．８〜１．５となり、化学量
論的組成比Ｓｉ／Ｎ＝０．７５よりもＳｉが少しばかり
過剰になるのが通例である。出来るだけＳｉ₃Ｎ₄の化
学量論的組成に近づけるには、Ｎ₂ガスとＳｉＨ₄ガス
との比率、高周波電力を大きくし、基板温度も許される
限り高くすればよい。そこで、基板上にＳｉＨ₄ガス、
Ｎ₂ガス及びＢ₂Ｈ₆ガスを適量混合して一定条件で一
定厚みのアモルファスシリコン感光層を形成したのち、
生成条件を変えて、その層上に表面保護層としてのアモ
ルファス窒化シリコン層を一定厚みで形成し、実際の複
写性能を調べた。その結果を以下に述べる。

【００１４】（Ａ）まず、Ｓｉ₃Ｎ₄の化学量論的組成
に出来るだけ近いアモルファス窒化シリコン膜を形成し
た。表面保護層の厚みは１５００Åであり、形成された
膜は組成比Ｓｉ／Ｎ＝０．８，抵抗率＝１０¹⁵Ω・ｃ
ｍ，光学的バンドギャップＥ_O＝５ｅＶであつた。これ
を感光体に用いて複写を行ったところ、1 枚目は鮮明な
画像が得られたが、連続した２枚目からは画像が著しく
ボケ始め、数枚目以降はほとんど実用にならない画像で
あつた。この感光体を逆極性で帯電させ表面電位を零に
して再び複写を行ったが、複写の２枚目以後は上記と同
様の現象を呈し、いずれにせよ、表面保護層としての役
目は十分安定して達成できても、高画質を連続して得る
ことは不可能なことが分かった。

【００１５】（Ｂ）次に、ガス流量、高周波電力を変え
て、Ｓｉ₃Ｎ₄の化学量論的組成からよりずれたアモル
ファス窒化シリコン膜を実験（Ａ）と同じ１５００Å厚
で形成した。この膜は組成比Ｓｉ／Ｎ＝１．２，抵抗率
＝２×１０¹⁴Ω・ｃｍ，光学的バンドギャップＥ_O＝
３．８ｅＶであつた。これを感光体に用いて複写を行っ
たところ、１枚目より鮮明な画像が得られ、連続複写に
対しても特に問題となる点はなかった。しかし、間欠的
な耐久試験を繰り返し行った結果、２万枚目ぐらいから
白スジや画像のむらが目立ってきたので、寿命の点でま
だ満足出来るものではなかった。上記（Ａ），（Ｂ）の
実験結果から、表面保護層としてのアモルファス窒化シ
リコン膜の組成が、安定なＳｉ₃Ｎ₄の組成に近いほ
ど、感光体としての本来の特性が損なわれてしまうこと
が分かった。他の実験結果も参考にして検討したとこ
ろ、次のことが原因であると結論された。

【００１６】感光層としてａ−Ｓｉ膜の禁制帯幅が１．
７〜１．９ｅＶであるのに対し、絶縁性を有する表面保
護層としてのアモルファス窒化シリコン膜の禁制帯幅は
これより大きいので、図２（ｂ）〜（ｄ）に示したよう
に界面Ｓにおいて障壁が形成され、感光層で発生したキ
ャリヤが移動して表面近傍にきたとき、キャリヤが表面
保護層をトンネルして表面電荷と中和するためには、障
壁の高さと幅がある一定値以下でなければならない。キ
ャリヤが表面保護層を速やかに通過できにくい場合に
は、入射光が繰り返し照射されることによつて、キャリ
ヤはａ−Ｓｉ感光層と表面保護層との界面Ｓに蓄積され
るから、図２（ｄ）に示すような空間電荷領域が形成さ
れる。

【００１７】この領域はエネルギー帯を曲げることにな
るので、新たな障壁を形成し、キャリヤの表面への移動
を一層阻止することになるから残留電位の増加、光感度
の低下、帯電位の低下をもたらす。それだけでなく、界
面Ｓ近傍に蓄積されたキャリヤによって表面に平行な導
電チャンネルが形成されるから、キャリヤが分散されや
すくなる。また、転写帯電時においてキャリヤがゆさぶ
られ、絶縁保護層を介しての電荷結合も行われるから、
結果として分解能が低下し、画像がボケたものになると
考えられる。すなわち、図３（ａ）に示すように、感光
体表面を一様電位Ｖ_Sに帯電させ、一定の空間周波数で
明所暗所に分割したときの電位変化がシャープな変化を
するように出来れば、分解能が優れ、画面ボケは発生し
ない。しかし、表面保護層が適切でないと、図３（ｂ）
に示すように、明暗の変化がゆるやかとなり、分解能が
劣り残留電位Ｖ_Rが生じて、画像ボケを起こすことが分
かったのである。

【００１８】この対策として、前記実験（Ａ）における
組成の表面保護層を用いた場合は、複写１回ごとに空間
電荷を中和するような方法、例えば逆特性帯電や同時露
光交流帯電などを行うことが考えられる。しかし、その
ための作業条件の設定は、精密で複雑なものとなり実用
的ではない。また、これを避けるため前記実験（Ｂ）に
おけるように、表面保護層の条件をゆるめ、障壁の高さ
を低くして若干の導電性を持たせれば、複写特性は一時
的には良いのであるが、表面保護能力が低下して長時間
の使用には耐えられないことが示された。

【００１９】前述のように、従来の感光体の問題点は、
感光層の禁制帯幅と比較した表面保護層の禁制帯幅の違
いからくる障壁の高さと、障壁の急峻な変化及び界面に
阻止蓄積されるキャリヤによる空間電荷領域の発生によ
ることが分かった。そこで本発明者等は、感光層と表面
保護層との間に更にｐ型アモルファスシリコン層を設け
ることにより、空間電荷領域と導電チャンネルの形成を
実質的に避け得るアモルファスシリコン電子写真用感光
体を発明するに至ったのである。

【００２０】

【実施例】図１は、本発明アモルファスシリコン電子写
真用感光体の一実施例を示し、図１（ａ）はその一部断
面図、図１（ｂ）はそのエネルギー帯構造の模式図で、
図中、符号１〜３，Ｅ_C，Ｅ_F及びＥ_Vは図２と同一で
ある。そうして、４はアモルファスシリコン感光層２と
表面保護層３との間に形成されたｐ型アモルファスシリ
コン層である。導電性基板１上のアモルファスシリコン
感光層２はＮ₂ガス、Ｂ₂Ｈ₆ガス、場合によりＰＨ₃
ガスを混合したＳｉＨ₄ガスを用いプラズマＣＶＤ法に
より形成されている。その上層のｐ型アモルファスシリ
コン層４の形成には、Ｂ₂Ｈ₆ガスなどを不純物ガスと
して用いればよいが、強いｐ型にした場合、ｐ型伝導に
よる表面抵抗の低下が画質に悪影響を与えるので、適当
な抵抗率と厚みを有している必要がある。実験の結果、
ｐ型アモルファスシリコン層４の抵抗率は１０¹¹Ω・ｃ
ｍ以上の暗抵抗率を有していることが望ましく、厚みは
３０〜１０００Åの範囲と考えられる。

【００２１】本実施例感光体におけるエネルギー帯構造
は、図１（ｂ）で図示されている。すなわち、ｐ型アモ
ルファスシリコン層４とアモルファスシリコン感光層２
との界面Ｓ₁の平衡状態におけるｐ型アモルファスシリ
コン層４のフェルミ準位に対する伝導帯の底部Ｅ_Cの高
さは、界面Ｓ₁の平衡状態におけるアモルファスシリコ
ン感光層２のフェルミ準位に対する伝導帯の底部Ｅ_Cの
高さ以上である。また、表面保護層３とｐ型アモルファ
スシリコン層４との界面Ｓ₂の平衡状態における表面保
護層３のフェルミ準位に対する伝導帯の底部Ｅ_Cの高さ
は、界面Ｓ₂の平衡状態におけるｐ型アモルファスシリ
コン層４のフェルミ準位に対する伝導帯の底部Ｅ_Cの高
さ以上である。更に、表面保護層３の平衡状態における
フェルミ準位Ｅ_Fに対する伝導帯の底部Ｅ_Cの高さは、
アモルファスシリコン感光層２のフェルミ準位Ｅ_Fに対
する伝導帯の底部Ｅ_Cの高さに比較して、界面Ｓ₂から
表面保護層３の表面へ向かって漸次高くなっている。図
では連続的に漸次高くなっているが、段階的に漸次高く
形成してもよい。

【００２２】アモルファスシリコン感光層２の生成方法
及び厚みは、作用で述べたのと同じである。すなわち、
導電性基板１上にＳｉＨ₄ガス、Ｎ₂ガス、Ｂ₂Ｈ₆ガ
スを用いてプラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン感
光層２を形成する。アモルファスシリコン感光層２の暗
抵抗率は、１０¹²Ω・ｃｍ以上である。表面保護層３で
あるアモルファス窒化シリコン膜の形成は、最初に生成
条件を作用で述べた実験（Ｂ）と同じ条件に設定し、連
続的に条件を変えて組成を変化させた。最終的には、生
成条件は作用で述べた実験（Ａ）と同一条件になるよう
にして行い、アモルファス窒化シリコン膜を１５００Å
の厚みに形成した。このアモルファス窒化シリコン膜の
組成比Ｓｉ／Ｎは、表面に向かって１．２から０．８ま
でほぼ連続的に変化していた。

【００２３】本実施例の感光体（アモルファス窒化シリ
コン膜厚みは１５００Å）を用いて複写試験をした結
果、１枚目より鮮明な画像が得られ、連続複写に対して
も何らの問題も生じなかった。また、長期の間欠耐久試
験においても、１０万枚目まで問題となるような欠陥は
全く発生せず、寿命の点でも完全に満足できるものであ
った。種々実験の結果、アモルファス窒化シリコン膜厚
みは５００〜１００００Åの範囲で、また、そのバンド
ギャップは２．０〜５．０ｅＶの間で拡がるようにすれ
ば、同様な試験成績が得られることが分かった。

【００２４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の電子写真用
感光体は、アモルファスシリコン感光層とアモルファス
窒化シリコン膜である表面保護層との間に、ｐ型アモル
ファスシリコン層を設けることにより、画像ボケの一因
である空間電荷領域と導電チャンネルの形成を実質的に
避けることができる。また、表面保護層の平衡状態にお
けるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の高さが、表面
保護層自体の表面へ向かって漸次高くなるように形成さ
れているので、長期間の使用にも十分に耐え、ｐ型アモ
ルファスシリコン層の形成とあいまって、画質の低下を
生じさせることなく、良好な複写が達成できるのでる。
また、表面保護層により、アモルファスシリコン感光層
を十分安定して保護でき、１０万枚以上の複写可能も実
証した。以上、本発明をアモルファス窒化シリコン膜を
中心に述べたが、アモルファス酸化シリコン膜やアモル
ファス炭化シリコン膜を用いた表面保護層にも、適用さ
れることはもちろんである。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）本発明電子写真用感光体の実施例の一部
断面図である。（ｂ）本発明電子写真用感光体の実施例のエネルギー帯
構造の模式図である。

【図２】（ａ）従来のａ−Ｓｉ感光体の一部断面図であ
る。（ｂ）従来のａ−Ｓｉ感光体のエネルギー帯構造の模式
図である。（ｃ）従来のａ−Ｓｉ感光体のエネルギー帯構造の模式
図である。（ｄ）従来のａ−Ｓｉ感光体のエネルギー帯構造の模式
図である。

【図３】（ａ）感光体の帯電特性、解像力、残留電位を
説明するための波形図である（画像ボケがない場合の波
形）。（ｂ）感光体の帯電特性、解像力、残留電位を説明する
ための波形図である（画像ボケがある場合の波形）。

【符号の説明】

１導電性基板２アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）感光層３表面保護層又は絶縁保護層４ｐ型アモルファスシリコン層Ｅ_F フェルミ準位Ｅ_V 価電子帯の頂部Ｅ_C 伝導帯の底部Ｖ_S 一様電位Ｓ界面Ｓ₁ 界面Ｓ₂ 界面

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上にアモルファスシリコン感光層，
ｐ型アモルファスシリコン層及び表面保護層を有するア
モルファスシリコン電子写真用感光体において、前記ｐ
型アモルファスシリコン層は前記アモルファスシリコン
感光層と前記表面保護層との間に３０〜１０００Åの厚
さを有すると共に、前記ｐ型アモルファスシリコン層の
平衡状態におけるフェルミ準位に対する伝導帯の底部の
高さが、平衡状態における前記アモルファスシリコン感
光層のフェルミ準位に対する伝導帯の高さよりも高くな
るようにｐ型不純物を含有し、前記表面保護層は５００〜１００００Åの範囲の厚さを
有するシリコンを含有するアモルファス化合物により構
成され、該化合物のシリコン含有比が前記ｐ型アモルフ
ァスシリコン層との界面から該表面保護層表面に向かっ
て漸次少なくなると共に、該表面保護層の前記ｐ型アモ
ルファスシリコン層との界面の平衡状態におけるフェル
ミ準位に対する伝導帯の底部の高さが、該界面の平衡状
態における前記ｐ型アモルファスシリコン層のフェルミ
準位に対する伝導帯の底部の高さ以上で、且つ、表面に
向かって漸次高くなるように形成されていることを特徴
とする電子写真用感光体。
【請求項２】前記表面保護層が水素を含むアモルファ
ス窒化シリコンで形成され、その組成比Ｓｉ／Ｎがｐ型
アモルファスシリコン層との界面から前記表面保護層表
面へ向かって漸次小さくなるように構成されていること
を特徴とする請求項１に記載の電子写真用感光体。