JPS6059364A - 非晶質半導体装置 - Google Patents
非晶質半導体装置Info
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- JPS6059364A JPS6059364A JP58167849A JP16784983A JPS6059364A JP S6059364 A JPS6059364 A JP S6059364A JP 58167849 A JP58167849 A JP 58167849A JP 16784983 A JP16784983 A JP 16784983A JP S6059364 A JPS6059364 A JP S6059364A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はたとえば電子写真感光体に用いられる非晶質半
導体装置に関する。
導体装置に関する。
たとえば電子写真感光体は、従来、Ｓｅ系。
ＣｄＳ系、 ＺｎＯ系、有機光導電体等が用いられてき
たが、Ｓｅ系、 ＣｄＳ系は公害の問題、 ＺｎＯ系。
たが、Ｓｅ系、 ＣｄＳ系は公害の問題、 ＺｎＯ系。
有機光導体は耐湿性が悪く寿命が短かいという問題があ
った。
った。
そこで近年、アモルファスシリコン（以後ａ −８１と
記す。）が電子写真用感光体として注目されて来た。
記す。）が電子写真用感光体として注目されて来た。
アモルファスシリコン感光体は前述した従来の感光体と
比べ、白色光照射に対して半減露光感度が１１ｕｘ、ｓ
ｅｃ以下ときわめて高感度なうえ、分光感度も８００
ｎｍの波長の光にまであシ、さらには寿命が１００万枚
コピーと長く、本質的に無公害であるという長所がある
。
比べ、白色光照射に対して半減露光感度が１１ｕｘ、ｓ
ｅｃ以下ときわめて高感度なうえ、分光感度も８００
ｎｍの波長の光にまであシ、さらには寿命が１００万枚
コピーと長く、本質的に無公害であるという長所がある
。
ところが、ａ −８３感光体は、暗所での比抵抗が１０
Ｑａｎと／Ｊ％さいという欠点がある。このため、導
電性基板上に単なるＳｉＨ４，１３１２Ｈ６等のｙｔ
、＜ ノｒロー放電によって水素化アモルファスシリコ
ン（以後ａ −Ｓｔ；Ｈと記す。）膜を成膜したサンダ
ルでは、直流のコロナ帯電を行なっても充分な表面電位
が得られないという問題がある。
Ｑａｎと／Ｊ％さいという欠点がある。このため、導
電性基板上に単なるＳｉＨ４，１３１２Ｈ６等のｙｔ
、＜ ノｒロー放電によって水素化アモルファスシリコ
ン（以後ａ −Ｓｔ；Ｈと記す。）膜を成膜したサンダ
ルでは、直流のコロナ帯電を行なっても充分な表面電位
が得られないという問題がある。
このため、種々の不純物力スをＳｉＨ４，５１２）１６
等のＳｔを含むガスと混合し、グロー放電を行なうこと
によって上記問題を改善する提案がなされている。
等のＳｔを含むガスと混合し、グロー放電を行なうこと
によって上記問題を改善する提案がなされている。
現在なされている提案は大きく分けて２種類有シ、その
１つは５ＩＮ４等Ｓｔを含むガスに、酸素（０□）ガス
とジホラン（Ｂ２■■６）ガスを微量ドーグすることに
より光感度を減少させずに暗抵抗比を大きくするという
方法である。また、他の１つはａ −Ｓｉ；Ｈ膜に隣接
して基板および表面からａ −８１；Ｈ膜への電荷の注
入な阻止するだめの各種のブロッキング膜を形成する方
法である。
１つは５ＩＮ４等Ｓｔを含むガスに、酸素（０□）ガス
とジホラン（Ｂ２■■６）ガスを微量ドーグすることに
より光感度を減少させずに暗抵抗比を大きくするという
方法である。また、他の１つはａ −Ｓｉ；Ｈ膜に隣接
して基板および表面からａ −８１；Ｈ膜への電荷の注
入な阻止するだめの各種のブロッキング膜を形成する方
法である。
従来のブロッキング膜を形成したタイプのａ −Ｓｉ感
光体は、第１図に示すように、Ａ／１．等の導電性基板
１土に、高抵抗または絶縁体のａ−８ｉ ；Ｃ膜または
ａ −Ｓｔ’；Ｏ膜またはａ −３１；Ｎ４膜２を形成
した後、ドープを行なわない、ＳｉＨ４ガスを使用した
ａ −Ｓｉ：）Ｉ膜または５ｉＩ−Ｉ４に微量のＢ１１
（６ガスをドーピングした真性のａ −Ｓｉ：Ｈ，Ｂ膜
３を形成し、ついで上記膜２と同じ高抵抗または絶縁体
の表面薄膜４を形成した溝底である。
光体は、第１図に示すように、Ａ／１．等の導電性基板
１土に、高抵抗または絶縁体のａ−８ｉ ；Ｃ膜または
ａ −Ｓｔ’；Ｏ膜またはａ −３１；Ｎ４膜２を形成
した後、ドープを行なわない、ＳｉＨ４ガスを使用した
ａ −Ｓｉ：）Ｉ膜または５ｉＩ−Ｉ４に微量のＢ１１
（６ガスをドーピングした真性のａ −Ｓｉ：Ｈ，Ｂ膜
３を形成し、ついで上記膜２と同じ高抵抗または絶縁体
の表面薄膜４を形成した溝底である。
この感光体は、第２図に示すように、たとえば正極性の
４〜８ ｋＶの直流のコロナ帯電によって感光体表面に
正極性の表面電荷５を乗せる。
４〜８ ｋＶの直流のコロナ帯電によって感光体表面に
正極性の表面電荷５を乗せる。
このとき、導電性基板１の方には、負極性の電荷６が誘
起される。
起される。
通常の高抵抗、または絶縁体のブロッキング膜のないタ
イプのａ −Ｓｌ；Ｈ膜による感光体であれば、それぞ
れ負極性の電荷６は基板ｌ側からａ −Ｓｊ；Ｈ膜３へ
、正極性の電荷５は表面からａ−８１：Ｈ欣３へ注入し
てしまい、両者は膜中で再結合してしまうため、結果的
には正極性の表面電位は減衰してしまい、充分な表面電
位とならない。
イプのａ −Ｓｌ；Ｈ膜による感光体であれば、それぞ
れ負極性の電荷６は基板ｌ側からａ −Ｓｊ；Ｈ膜３へ
、正極性の電荷５は表面からａ−８１：Ｈ欣３へ注入し
てしまい、両者は膜中で再結合してしまうため、結果的
には正極性の表面電位は減衰してしまい、充分な表面電
位とならない。
また、上記溝底では、光学パント・ギャッ、・（Ｅｇｏ
ｐｔ ）の大きいａ−８ｆＣ，ａ−８ｉＯ２，ａ−８Ｉ
Ｎ４のいずれかの膜が基板１とａ −５ＩＧＨ膜３の間
およびａ −Ｓｆ ：ｆ（Ｊｇ ３の上に設けられてい
るため、基板１側の負極性の゛ｉＥ荷６はポテンシャル
障壁７を、また正極性の電荷５はポテンシャル障壁８を
それぞれ越えることができないので、充分な表面電位が
得られる。
ｐｔ ）の大きいａ−８ｆＣ，ａ−８ｉＯ２，ａ−８Ｉ
Ｎ４のいずれかの膜が基板１とａ −５ＩＧＨ膜３の間
およびａ −Ｓｆ ：ｆ（Ｊｇ ３の上に設けられてい
るため、基板１側の負極性の゛ｉＥ荷６はポテンシャル
障壁７を、また正極性の電荷５はポテンシャル障壁８を
それぞれ越えることができないので、充分な表面電位が
得られる。
一方、光（ｈν）照射時には、ａ −Ｓｉ；Ｈ膜３中が
それぞれ価電子帯端１１および伝導帯端１２上を基板１
および表面に向って走行する。このとき、ブロッキング
用の膜２，４のなｌ／’＞ａ−８ｉ膜であれば、正極性
のキャリア９は基＆１へ、負極性のキャリア１θは表面
へ速やかに到達してそれぞれ逆極性の電荷と中和し、結
果的に正極性の表面電荷５は減衰し、光減衰が終了する
が、第２図沈水すタイプではａ −Ｓ ｔ ＊Ｈ％ ｓ
中で発伍した光キャリアにとっても、高抵抗筐たは絶
縁体の膜２，４はブロッキング膜となってし廿う。
それぞれ価電子帯端１１および伝導帯端１２上を基板１
および表面に向って走行する。このとき、ブロッキング
用の膜２，４のなｌ／’＞ａ−８ｉ膜であれば、正極性
のキャリア９は基＆１へ、負極性のキャリア１θは表面
へ速やかに到達してそれぞれ逆極性の電荷と中和し、結
果的に正極性の表面電荷５は減衰し、光減衰が終了する
が、第２図沈水すタイプではａ −Ｓ ｔ ＊Ｈ％ ｓ
中で発伍した光キャリアにとっても、高抵抗筐たは絶
縁体の膜２，４はブロッキング膜となってし廿う。
そのため、高抵抗の膜２または４は、これらの光キャリ
アがト／ネリングを起こす程度の膜ノ９に注意深く設定
されている。ところが、膜が薄すぎると今度は電気的に
絶縁破壊してしまい、画出しを行うと黒ベタ画像に所々
大きな円形の白抜けを生ずるという問題がある。
アがト／ネリングを起こす程度の膜ノ９に注意深く設定
されている。ところが、膜が薄すぎると今度は電気的に
絶縁破壊してしまい、画出しを行うと黒ベタ画像に所々
大きな円形の白抜けを生ずるという問題がある。
なお、第２図中１３はフェルミレベルである。
そこで、第３図に示すよりな＆ −Ｓｉ感光体−Ａｆ飢
安ざもイ謙−ム Ｊ−１ｒ・Ｗ −−−一・が正極性で
ある場合、導電性基板１４上に、Ｐ型のａ −Ｓｔ膜１
５、およびａ −Ｓｉ：Ｈ膜まだは真性のａ −Ｓｔ；
Ｈ，Ｂ膜１６およびＮ型のａ−８ｉＪ］ｇ１７をこの順
に１ｉｆｔ層したＦｆ／７成となっている。この感光体
の場合、暗中で正極性のコロナ帯電を行なうと正極性の
電荷１８は価電子帯端１９側へ大きくのびたポテンシャ
ル障壁２０でブロックされ、基板１４１１１１１へ誘起
された負極性の電荷２ノは、伝導帯端２２側へ大きくの
びた。ｊ？テンシャル障壁２３でブロックされる。
安ざもイ謙−ム Ｊ−１ｒ・Ｗ −−−一・が正極性で
ある場合、導電性基板１４上に、Ｐ型のａ −Ｓｔ膜１
５、およびａ −Ｓｉ：Ｈ膜まだは真性のａ −Ｓｔ；
Ｈ，Ｂ膜１６およびＮ型のａ−８ｉＪ］ｇ１７をこの順
に１ｉｆｔ層したＦｆ／７成となっている。この感光体
の場合、暗中で正極性のコロナ帯電を行なうと正極性の
電荷１８は価電子帯端１９側へ大きくのびたポテンシャ
ル障壁２０でブロックされ、基板１４１１１１１へ誘起
された負極性の電荷２ノは、伝導帯端２２側へ大きくの
びた。ｊ？テンシャル障壁２３でブロックされる。
一方、光（ｈｖ ）照射時には、ａ −Ｓｉ；Ｈ膜１６
中で発生した正極性と負極性のキャリア２４゜２５はそ
れぞれ表面、基板１４側へと走行する。
中で発生した正極性と負極性のキャリア２４゜２５はそ
れぞれ表面、基板１４側へと走行する。
ところで、Ｐ型ａ −８１＄１５はフェルミレベル１６
が充分価電子帯端１９側へシフトしていること、および
Ｎ型ａ、−ｓ＋ｇ１７はフェルミレベル２６が充分伝導
帯端２２側ヘシフトしていることによシ、正極性と負極
性のキャリア２４゜２５は何の障壁もなくスムーズにそ
れぞれ表面または基板１４へ到達して光減衰が終了する
。
が充分価電子帯端１９側へシフトしていること、および
Ｎ型ａ、−ｓ＋ｇ１７はフェルミレベル２６が充分伝導
帯端２２側ヘシフトしていることによシ、正極性と負極
性のキャリア２４゜２５は何の障壁もなくスムーズにそ
れぞれ表面または基板１４へ到達して光減衰が終了する
。
ところが、表面の側に着膜したＮ型ａ −Ｓｉ膜１７は
フェルミレベル２６が充分伝導帯端２２側にシフトして
いるため、暗中での正極性のコロナ帯電時であっても、
フェルミレベル２６近傍の負極性の熱キャリア２７が伝
導帯端２２へしみ出してしまいこれが表面の正極性のキ
ャリアと中和するため、表面電荷の暗減衰保持率が悪い
という問題がある。また、フェルミレベル２６が充分伝
導帯端２２ヘシフトしているＮ型ａ −Ｓｔ膜１７は基
本的に低抵抗であるため層の厚さと垂直な方向へ熱キャ
リア２７が拡散してしまい、画像をとると、文字のにじ
み、文字の流れ等の問題が生じる。
フェルミレベル２６が充分伝導帯端２２側にシフトして
いるため、暗中での正極性のコロナ帯電時であっても、
フェルミレベル２６近傍の負極性の熱キャリア２７が伝
導帯端２２へしみ出してしまいこれが表面の正極性のキ
ャリアと中和するため、表面電荷の暗減衰保持率が悪い
という問題がある。また、フェルミレベル２６が充分伝
導帯端２２ヘシフトしているＮ型ａ −Ｓｔ膜１７は基
本的に低抵抗であるため層の厚さと垂直な方向へ熱キャ
リア２７が拡散してしまい、画像をとると、文字のにじ
み、文字の流れ等の問題が生じる。
本発明は上記事情にもとづいてなされたもので、その目
的とするところは、表面電位の暗減衰保持率が良く、高
感度で良好なコピー画像力；得られるようにした非晶質
半導体装置を提供することにある。
的とするところは、表面電位の暗減衰保持率が良く、高
感度で良好なコピー画像力；得られるようにした非晶質
半導体装置を提供することにある。
本発明は、上記目的を達成するために、−導電型の第１
の半導体膜、シリコンを含みかつ光４電性を１１する非
晶質半導電膜、−導電型であって上記第１の半導体膜と
は異なる導電型の第２の半ηγ体ルカ、および高抵抗膜
をこの順に具備したことを！特徴とするものである。
の半導体膜、シリコンを含みかつ光４電性を１１する非
晶質半導電膜、−導電型であって上記第１の半導体膜と
は異なる導電型の第２の半ηγ体ルカ、および高抵抗膜
をこの順に具備したことを！特徴とするものである。
以下、木兄り］の一実施例を第５図および第６図を参照
しながら説明する。第５図中３１は４電性基板（基体）
であシ、この導＋、：、ｉ、性基板３１上には、Ｐ ！
ｌ、Ｍ ａ −Ｓｌ膜（第１の半４Ｎ４’膜）３２、ｕ
ｎｄｏｐｅのａ −Ｓｔ；Ｈ膜まだは真性のａ −Ｓｉ
；Ｈ，Ｂ膜（非晶質半導・重膜）３３、Ｎ型ａ −Ｓｔ
［（第２の半導体膜）３４、および高抵抗のａ−３ｉ
ＪｊｊＪ（高抵抗膜）３５がこの順に積層されている。
しながら説明する。第５図中３１は４電性基板（基体）
であシ、この導＋、：、ｉ、性基板３１上には、Ｐ ！
ｌ、Ｍ ａ −Ｓｌ膜（第１の半４Ｎ４’膜）３２、ｕ
ｎｄｏｐｅのａ −Ｓｔ；Ｈ膜まだは真性のａ −Ｓｉ
；Ｈ，Ｂ膜（非晶質半導・重膜）３３、Ｎ型ａ −Ｓｔ
［（第２の半導体膜）３４、および高抵抗のａ−３ｉ
ＪｊｊＪ（高抵抗膜）３５がこの順に積層されている。
しかして、第６図に示すように、たとえば正極性の直流
コロナ帯紙を暗中で行うと、高抵抗膜３５上に正極性の
表面′１Ｅ荷３６が乗る。同時に基板３１側には負極性
の電荷３７が誘起される。この時、負極性の電荷３７は
Ｐ型のａ−８ｔ膜３２のポテンシャル障壁３８によって
ブロッキングされ、また正極性の表面電荷３６はＮ型の
ａ −Ｓｔ Ｊ漠３４と高抵抗ａ −Ｓｔ膜３５の月？
テンシャル障壁３９．４０によって２重に７０ツキング
されているため、表面電荷３６の減衰はきわめて小さい
。
コロナ帯紙を暗中で行うと、高抵抗膜３５上に正極性の
表面′１Ｅ荷３６が乗る。同時に基板３１側には負極性
の電荷３７が誘起される。この時、負極性の電荷３７は
Ｐ型のａ−８ｔ膜３２のポテンシャル障壁３８によって
ブロッキングされ、また正極性の表面電荷３６はＮ型の
ａ −Ｓｔ Ｊ漠３４と高抵抗ａ −Ｓｔ膜３５の月？
テンシャル障壁３９．４０によって２重に７０ツキング
されているため、表面電荷３６の減衰はきわめて小さい
。
−ｚ タ、Ｎ ｆｆｕ’ａ −Ｓｉ 膜のフェルミレベ
ル４１の近傍から熱的に励起される負極性のキャリア４
２は、高抵抗膜３５のポテンシャル障壁４０を越えるこ
とができないため、正極性の表面電荷３６を中和するこ
ともなく、効果的に高い暗減衰保持率を保持することか
できる。
ル４１の近傍から熱的に励起される負極性のキャリア４
２は、高抵抗膜３５のポテンシャル障壁４０を越えるこ
とができないため、正極性の表面電荷３６を中和するこ
ともなく、効果的に高い暗減衰保持率を保持することか
できる。
Ｎ型ａ −Ｓｔ Ｊｊ帷３４は本質的に低抵抗であって
も、表面には高抵抗膜３５があるから、表面電荷３６が
膜厚方向と垂直な方向へ流れることもなく、高解像度の
鮮明画像が得られる。まだ、光（ｈし）照射時には＆−
８ｔ：ｔ（ｌ漠３３「いで発生したキャリアの内圧極性
のキャリア４２力；速や７５′−に基板３）中へ到達す
ることは、従来秒ｌの説明と同様である。負極性のキャ
リア４３は高抵抗膜３５の小さなポテンシャル障壁４４
を乗シ越えるだけであるから、速やかに表Ｔｆｆｉに達
し正極性の表面電荷３６を中和し光感度を損なうことが
ない。
も、表面には高抵抗膜３５があるから、表面電荷３６が
膜厚方向と垂直な方向へ流れることもなく、高解像度の
鮮明画像が得られる。まだ、光（ｈし）照射時には＆−
８ｔ：ｔ（ｌ漠３３「いで発生したキャリアの内圧極性
のキャリア４２力；速や７５′−に基板３）中へ到達す
ることは、従来秒ｌの説明と同様である。負極性のキャ
リア４３は高抵抗膜３５の小さなポテンシャル障壁４４
を乗シ越えるだけであるから、速やかに表Ｔｆｆｉに達
し正極性の表面電荷３６を中和し光感度を損なうことが
ない。
なお、第６図中４５は価電子帯端、４６は伝導帯端であ
る。
る。
次に、実験例を説明する。先ず、真空の反応容器内で２
５０℃に昇温しだドラム状のＡｔ基体３１上に、次の条
件で順次成膜した。
５０℃に昇温しだドラム状のＡｔ基体３１上に、次の条
件で順次成膜した。
（１） ＳｉＨ４流量２００ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２Ｈ６
／５ｉｎ４流量比１０１反応圧力０．３ ｔｏｒｒ 、
ラジオフリークエンシーパワー（Ｒ，Ｆ、パワー）３０
Ｗで５分間、１００ＯＸのＰ型ａ −Ｓｉ：Ｈ０Ｂ膜３
２゜（２） ＳｉＨ４流ｉ２００ ＳＣＣＭ 、反応圧
力１．０ｔｏｒｒ＋Ｒ，Ｆ、パワー２００Ｗで３時間＋
１５１ｉｎｔのｕｎｄｏｐｅ ａ −５ＩＧＨ膜３３
゜（３） ＳｉＨ４流量２００ ＳＣＣＭ 、 ＰＨ５
／ ＳｉＨ４流量比１０２反応圧力０．３ ｔｏｒｒ
、 ＲＦｄ’ワー３０Ｗで５分間、１００ＯＸのＮ型ａ
−Ｓｔ；ｆ（、Ｐ膜３４゜（４） ＳｉＨ４流量１０
０ ＳＣＣＭ 、 ＣＨ４流量１１００５ＣＣ、反応圧
力１．Ｏｔｏｒｒ 、 ＲＦパワー２００Ｗで１分間、
１００ＯＸの高抵抗ａ −ＳｉＣ；Ｈ膜３５゜以上の条
件で成膜した４層構成のａ −Ｓｔ 感光体に＋６．０
ｋＶの直流コロナ帯電を行なったところ、＋５００ｖ
の表面電位を得だ。また、１１ｕｘ、ｓｅｃの光像照射
を行い、負極性の乾式トナーを用いて現像を行ったとこ
ろ、解像度の鮮明な良好なコピー画像を得た。
／５ｉｎ４流量比１０１反応圧力０．３ ｔｏｒｒ 、
ラジオフリークエンシーパワー（Ｒ，Ｆ、パワー）３０
Ｗで５分間、１００ＯＸのＰ型ａ −Ｓｉ：Ｈ０Ｂ膜３
２゜（２） ＳｉＨ４流ｉ２００ ＳＣＣＭ 、反応圧
力１．０ｔｏｒｒ＋Ｒ，Ｆ、パワー２００Ｗで３時間＋
１５１ｉｎｔのｕｎｄｏｐｅ ａ −５ＩＧＨ膜３３
゜（３） ＳｉＨ４流量２００ ＳＣＣＭ 、 ＰＨ５
／ ＳｉＨ４流量比１０２反応圧力０．３ ｔｏｒｒ
、 ＲＦｄ’ワー３０Ｗで５分間、１００ＯＸのＮ型ａ
−Ｓｔ；ｆ（、Ｐ膜３４゜（４） ＳｉＨ４流量１０
０ ＳＣＣＭ 、 ＣＨ４流量１１００５ＣＣ、反応圧
力１．Ｏｔｏｒｒ 、 ＲＦパワー２００Ｗで１分間、
１００ＯＸの高抵抗ａ −ＳｉＣ；Ｈ膜３５゜以上の条
件で成膜した４層構成のａ −Ｓｔ 感光体に＋６．０
ｋＶの直流コロナ帯電を行なったところ、＋５００ｖ
の表面電位を得だ。また、１１ｕｘ、ｓｅｃの光像照射
を行い、負極性の乾式トナーを用いて現像を行ったとこ
ろ、解像度の鮮明な良好なコピー画像を得た。
次に上記実験例と同様、真空反応容器内で２５０℃に昇
温したドラム状Ａ／１．基体３１」二に、次の条件で順
次成膜した。
温したドラム状Ａ／１．基体３１」二に、次の条件で順
次成膜した。
（１ン ５ｅＨ４流量１００ ＳＣＣＭ 、 ＣＨ４流
量１１００５ＣＣ。
量１１００５ＣＣ。
Ｂ２ｕ６／ Ｓ ｉＨ＋流量流量比１灰２ＲＦｉ４ワー
１００Ｗで２分間１０００ＸのＰ型ａ− ＳｉＣ；Ｈ．
Ｂ膜３２。
１００Ｗで２分間１０００ＸのＰ型ａ− ＳｉＣ；Ｈ．
Ｂ膜３２。
（２） ＳｉＨ４流量２ ０ ０ ＳＣＣＭ 、 Ｂ２
Ｈ６／ＳｉＨ４ 流量比２×１０ １反応圧力１．Ｏ
ｔｏｒｒ ＋ Ｒ Ｆパワー２００Ｗで３時間， １
５ １１ｍの真性のＢ − Ｓｉ；Ｈ．Ｂ膜３３。
Ｈ６／ＳｉＨ４ 流量比２×１０ １反応圧力１．Ｏ
ｔｏｒｒ ＋ Ｒ Ｆパワー２００Ｗで３時間， １
５ １１ｍの真性のＢ − Ｓｉ；Ｈ．Ｂ膜３３。
（３） ＳｉＨ４流量１ ０ ０ ＳＣＣＭ 、 ＣＨ
４流量１００ｓｃｃ八しＰＨ３／ＳｉＨ４流量比１０−
３で反応圧力１．０ｔｏｒｒ 、 Ｒ Ｆ ／ｊシワ−
００Ｗで２分間，Ｎ型のａ − ＳＩＣ：Ｈ．Ｐ膜３４
。
４流量１００ｓｃｃ八しＰＨ３／ＳｉＨ４流量比１０−
３で反応圧力１．０ｔｏｒｒ 、 Ｒ Ｆ ／ｊシワ−
００Ｗで２分間，Ｎ型のａ − ＳＩＣ：Ｈ．Ｐ膜３４
。
（４） Ｓ ｉＨ４流量１ ０ ０ ＳＣＣＭ 、 Ｃ
Ｈ４流量１１００５ＣＣ 、反応圧力１．Ｏ Ｌｏｒｒ
、 ＲＦパワー２００Ｗで１分間．１０００Ｘの高抵
抗ａ − ＳｉＣ；Ｈ膜３５。
Ｈ４流量１１００５ＣＣ 、反応圧力１．Ｏ Ｌｏｒｒ
、 ＲＦパワー２００Ｗで１分間．１０００Ｘの高抵
抗ａ − ＳｉＣ；Ｈ膜３５。
以上の条件で成膜した４層構成のａ − Ｓｉ感光体に
＋６． ０ ｋＶの直流コロナイＩＹ電を行なったとこ
ろ、＋６５０Ｖの表面電位を得た。また、１５秒後の表
面電位保持率は９０チであった。さらに、ｌ １ｕｘ．
ｓｅｃの光像照射を行い、負極性の乾式トナーを用いて
現像を行なったところ、解像度の鮮明な良好なコピー画
像を得た。
＋６． ０ ｋＶの直流コロナイＩＹ電を行なったとこ
ろ、＋６５０Ｖの表面電位を得た。また、１５秒後の表
面電位保持率は９０チであった。さらに、ｌ １ｕｘ．
ｓｅｃの光像照射を行い、負極性の乾式トナーを用いて
現像を行なったところ、解像度の鮮明な良好なコピー画
像を得た。
なお、上記２つの実験例の第４層目のａ−３ｉｅ；）Ｉ
Ｊ１％を単独でユーニング７０５９ガラス上に１μｍ成
膜し暗抵抗比および光学バンドギャップを測定したとこ
ろ、それぞれ１０ ０ｃｍ ； ２，２ｅＶであった。
Ｊ１％を単独でユーニング７０５９ガラス上に１μｍ成
膜し暗抵抗比および光学バンドギャップを測定したとこ
ろ、それぞれ１０ ０ｃｍ ； ２，２ｅＶであった。
しかしながら本発明における第４ノけＰＩ ｔｒｓ ｆ
ｒ ４＋ｒ− ４＋ ｎｔ”ｉ ｌ＋ ｒ Ｊｑ ｔ−
／７）！！ｔ （Ｌｕ Ｉｆｆ Ｕｌｕ 中４ ｈ入
とふなく、暗抵抗比で１０１１Ωａｎ以上、光学バンド
ギャップが１，３ｅＶ以上であれば、本発明の機能をそ
こなうことがないことが種々の実験データによシ確記さ
れている。
ｒ ４＋ｒ− ４＋ ｎｔ”ｉ ｌ＋ ｒ Ｊｑ ｔ−
／７）！！ｔ （Ｌｕ Ｉｆｆ Ｕｌｕ 中４ ｈ入
とふなく、暗抵抗比で１０１１Ωａｎ以上、光学バンド
ギャップが１，３ｅＶ以上であれば、本発明の機能をそ
こなうことがないことが種々の実験データによシ確記さ
れている。
また、本発明に用いられたｊｊｊ’ｓ ４層目の高抵抗
膜はａ − ＳｉＣ；Ｈ［であったが、本発明ではこれ
に限定されること々く、ａ − ＳＩＣ ＋ ａ −
５ｉＯｚ：Ｈ ｒａ − ＳｉＮ ’Ｈ 、 ａ −
５ＩＮ４ｊ＋１であっても暗抵抗比お上ｇ び光学バンドギャップが前述の数値の範囲であれば、１
つたく同様の効果が得られることは勿論である。
膜はａ − ＳｉＣ；Ｈ［であったが、本発明ではこれ
に限定されること々く、ａ − ＳＩＣ ＋ ａ −
５ｉＯｚ：Ｈ ｒａ − ＳｉＮ ’Ｈ 、 ａ −
５ＩＮ４ｊ＋１であっても暗抵抗比お上ｇ び光学バンドギャップが前述の数値の範囲であれば、１
つたく同様の効果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明によれば、基体上に、−導電
型の第１の半導体膜、シリコンを含みかつ光導電性を有
する非晶質半導電膜、−導電型でちって上記第１の半導
体膜とは異なる導電型の第２の半導体膜、および高抵抗
膜をこの順に具備したから、表面電位のＢｇ減我保持率
が良く、高感度で解イな度の鮮明な良好なコピー画像が
得られる等の優れた効果を奏する。
型の第１の半導体膜、シリコンを含みかつ光導電性を有
する非晶質半導電膜、−導電型でちって上記第１の半導
体膜とは異なる導電型の第２の半導体膜、および高抵抗
膜をこの順に具備したから、表面電位のＢｇ減我保持率
が良く、高感度で解イな度の鮮明な良好なコピー画像が
得られる等の優れた効果を奏する。
第１図および第２図は従来例を示すもので、第１図は１
析面図、第２図はバンドモデル図、第３図および第４図
は他の従来例を示すもので、負′ジ３図ｔま断面図、ｔ
（１４図はバンドモデル図、第５図および第６図は本発
明の一実施例を示すもので、第５図ｔ」、１１）ｒ面図
、第６図はバンドモデル図である。 ３１・・・基体（導電性基板）、３２・・・第１の半／
７）体膜（Ｐ ２ｕ ａ −Ｓｉ １７ｊ ）１．９３
−・・非晶質半導電ノ曽 （ａ−８ｌ；Ｈ膜丑た＆ｉ
ａ −Ｓｔ；Ｉ（，１１７％、４ ） 、 ３ ４ −
・・第２の半導体膜（Ｎ型ａ −Ｓｉ ７１ン）、３５
・・・高抵抗膜（ａ −Ｓｉ膜）。 出願人代理人 弁理士 鈴 工 武 音節１図 第２図 １ ７ Ｊ４ 第３図 第４図 ４
析面図、第２図はバンドモデル図、第３図および第４図
は他の従来例を示すもので、負′ジ３図ｔま断面図、ｔ
（１４図はバンドモデル図、第５図および第６図は本発
明の一実施例を示すもので、第５図ｔ」、１１）ｒ面図
、第６図はバンドモデル図である。 ３１・・・基体（導電性基板）、３２・・・第１の半／
７）体膜（Ｐ ２ｕ ａ −Ｓｉ １７ｊ ）１．９３
−・・非晶質半導電ノ曽 （ａ−８ｌ；Ｈ膜丑た＆ｉ
ａ −Ｓｔ；Ｉ（，１１７％、４ ） 、 ３ ４ −
・・第２の半導体膜（Ｎ型ａ −Ｓｉ ７１ン）、３５
・・・高抵抗膜（ａ −Ｓｉ膜）。 出願人代理人 弁理士 鈴 工 武 音節１図 第２図 １ ７ Ｊ４ 第３図 第４図 ４
Claims (5)
- （１）基体上に、−導電型の第１の半導体膜、シリコン
を含みかつ光導電性を有する非晶質半導電膜、−導電型
であって上記第１の半導体膜とは異ガる導電型の第２の
半導体膜、および高抵抗膜をこの順に具備したことを特
徴とする非晶質半導体装置。 - （２）第１および第２の半導体膜がシリコン（Ｓｌ）を
母体として水素又はハｐケ゛ンの少なくとも一方および
周ル」作表ＩＩＩ Ａ族またはＶＡｌＮ、を含ｔｒ ７
モル７アスシリコン半導体膜であることを特徴とする
９１′［請求の範囲第１項記載の電子写真感光体。 - （３） 高抵抗膜がシリコン（ｓｉ）を母体として少な
くとも炭紫、酸素、窒素のいずれか１つ以上を含むアモ
ルファスシリコンであることを特徴とする特許請求の範
囲第１項又は第２項記載の電子写真感光体。 - （４）第１および第２の半導体膜が炭素、酸素窒素のい
ずれか１つ以上を含んでいることを特徴とする特許請求
の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の電子写真
感光体。 - （５）高抵抗膜は比抵抗が１０１１Ωｍ以上で光学バン
ドギャップが１．８ｅＶ以上であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の電
子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167849A JPS6059364A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 非晶質半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58167849A JPS6059364A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 非晶質半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059364A true JPS6059364A (ja) | 1985-04-05 |
Family
ID=15857225
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58167849A Pending JPS6059364A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 非晶質半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059364A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348858A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサアレイ |
| JPS6385565A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58167849A patent/JPS6059364A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6348858A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | Fuji Electric Co Ltd | 光センサアレイ |
| JPS6385565A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-16 | Kyocera Corp | 電子写真感光体 |
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