JPH0786867A - 電子部品とその製造方法 - Google Patents
電子部品とその製造方法Info
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- JPH0786867A JPH0786867A JP5227044A JP22704493A JPH0786867A JP H0786867 A JPH0786867 A JP H0786867A JP 5227044 A JP5227044 A JP 5227044A JP 22704493 A JP22704493 A JP 22704493A JP H0786867 A JPH0786867 A JP H0786867A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は電子部品とその製造方法に関するも
ので、貫通孔の封止構造を簡略化することを目的とす
る。 【構成】 上、下ケース７，１間に形成された空間に収
納されたＳＡＷデバイス３を備え、前記ＳＡＷデバイス
３の入出力電極６に対応する上ケース７に貫通孔８を設
け、この貫通孔８内に球体９を設けて密封したものであ
る。
ので、貫通孔の封止構造を簡略化することを目的とす
る。 【構成】 上、下ケース７，１間に形成された空間に収
納されたＳＡＷデバイス３を備え、前記ＳＡＷデバイス
３の入出力電極６に対応する上ケース７に貫通孔８を設
け、この貫通孔８内に球体９を設けて密封したものであ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は例えばＳＡＷフィルタな
どの電子部品とその製造法に関するものである。
どの電子部品とその製造法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば従来のＳＡＷフィルタにおいては
密閉された上、下ケース間に形成された空間にＳＡＷデ
バイスを収納し、一方上、下ケースの一方にはそのケー
スを貫通する第１の接続手段として端子を設け、ケース
内においてこの端子とＳＡＷデバイスの入出力電極とを
第２の接続手段であるワイヤボンドにより接続してい
た。
密閉された上、下ケース間に形成された空間にＳＡＷデ
バイスを収納し、一方上、下ケースの一方にはそのケー
スを貫通する第１の接続手段として端子を設け、ケース
内においてこの端子とＳＡＷデバイスの入出力電極とを
第２の接続手段であるワイヤボンドにより接続してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構成においては、
ケースの貫通孔部分において端子の外周部分に封孔体を
設けなければならず従ってその構成が複雑大型化してし
まうと言う問題があった。
ケースの貫通孔部分において端子の外周部分に封孔体を
設けなければならず従ってその構成が複雑大型化してし
まうと言う問題があった。
【０００４】そこで本発明は貫通孔の封止構造を簡略化
することを目的とするものである。
することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そしてこの目的を達成す
るために本発明は上、下ケースと、これらの上、下ケー
ス間に形成された空間に収納されたデバイスとを備え、
前記デバイスの入出力電極に対応する前記上、下ケース
の少なくとも一方に貫通孔を設け、この貫通孔内に前記
デバイスの入出力電極と電気的に接続される第１の接続
手段を設け、この貫通孔のケース外表面側には前記第１
の接続手段に電気的に接続される第２の接続手段を設
け、これらの第１，第２の接続手段の少なくとも一方で
貫通孔部分を密封したものである。
るために本発明は上、下ケースと、これらの上、下ケー
ス間に形成された空間に収納されたデバイスとを備え、
前記デバイスの入出力電極に対応する前記上、下ケース
の少なくとも一方に貫通孔を設け、この貫通孔内に前記
デバイスの入出力電極と電気的に接続される第１の接続
手段を設け、この貫通孔のケース外表面側には前記第１
の接続手段に電気的に接続される第２の接続手段を設
け、これらの第１，第２の接続手段の少なくとも一方で
貫通孔部分を密封したものである。
【０００６】
【作用】上記構成とすればケース外表面部分とデバイス
の入出力電極の接続を行なう第１，第２の接続手段の少
なくとも一方で貫通孔部分を密封するので従来のような
封孔体が不要となりその分構成が極めて簡略化され小型
化も図り易くなる。
の入出力電極の接続を行なう第１，第２の接続手段の少
なくとも一方で貫通孔部分を密封するので従来のような
封孔体が不要となりその分構成が極めて簡略化され小型
化も図り易くなる。
【０００７】
【実施例】図１に於いて１は下ケースで例えば硼珪酸ガ
ラス、ソーダガラス、水晶などで形成されている。この
下ケース１は図２に示す如くその上面に凹部２が形成さ
れこの凹部内にＳＡＷデバイス３が、図３，図４に示す
如く収納されている。このＳＡＷデバイス３は図２に示
す如く水晶、リチウムタンタレートなどよりなる基板４
上にＡｌよりなる櫛歯状電極５を対向して設けたもの
で、基板４の長手方向両端には入出力電極６が設けられ
ている。
ラス、ソーダガラス、水晶などで形成されている。この
下ケース１は図２に示す如くその上面に凹部２が形成さ
れこの凹部内にＳＡＷデバイス３が、図３，図４に示す
如く収納されている。このＳＡＷデバイス３は図２に示
す如く水晶、リチウムタンタレートなどよりなる基板４
上にＡｌよりなる櫛歯状電極５を対向して設けたもの
で、基板４の長手方向両端には入出力電極６が設けられ
ている。
【０００８】また、下ケース１の上面には図１，図３，
図４に示す如く上ケース７が重ね合されている。この上
ケース７は下ケース１と同一材料若しくは熱膨張係数を
概略合せた材料から構成され、その下面の外周部分と下
ケース１の外周部分とは夫々図３，図４に示す如く当接
させた状態で、熱を加えて原子間結合をして気密一体化
している。
図４に示す如く上ケース７が重ね合されている。この上
ケース７は下ケース１と同一材料若しくは熱膨張係数を
概略合せた材料から構成され、その下面の外周部分と下
ケース１の外周部分とは夫々図３，図４に示す如く当接
させた状態で、熱を加えて原子間結合をして気密一体化
している。
【０００９】上ケース７の前記ＳＡＷデバイス３の入出
力電極６に対応する部分には、貫通孔８が設けられこの
貫通孔８内には第１の接続手段として球体９が設けら
れ、この球体９は上ケース７の上面に設けた第２の接続
手段としての導電層１０とＳＡＷデバイス３の入出力電
極６との間で図４の如く圧縮されている。この場合球体
９は、Ｓｎ，Ａｕ，Ｃｕ、またそれらを主成分とした合
金及び半田、或は弾性体外表面に導電膜を設けたもので
構成され、その直径は０．２ｍｍで前記貫通孔８の直径
０．２２ｍｍより小さくなっているので貫通孔８への挿
入時には、図３に示す如く両者間には若干の間隙が形成
される。
力電極６に対応する部分には、貫通孔８が設けられこの
貫通孔８内には第１の接続手段として球体９が設けら
れ、この球体９は上ケース７の上面に設けた第２の接続
手段としての導電層１０とＳＡＷデバイス３の入出力電
極６との間で図４の如く圧縮されている。この場合球体
９は、Ｓｎ，Ａｕ，Ｃｕ、またそれらを主成分とした合
金及び半田、或は弾性体外表面に導電膜を設けたもので
構成され、その直径は０．２ｍｍで前記貫通孔８の直径
０．２２ｍｍより小さくなっているので貫通孔８への挿
入時には、図３に示す如く両者間には若干の間隙が形成
される。
【００１０】しかしながら図４に示す如く導電層１０で
これを圧縮した時にはこの球体９が外周方向に拡がって
貫通孔８を密封されることとなる。勿論貫通孔８の外表
面部分は導電層１０によっても密封されている。
これを圧縮した時にはこの球体９が外周方向に拡がって
貫通孔８を密封されることとなる。勿論貫通孔８の外表
面部分は導電層１０によっても密封されている。
【００１１】なお、図１〜図４に於いて１１は外部接続
端子で上ケース７の貫通孔外周部分に設けられ、この外
部接続端子１１上に図４に示す如く導電層１０が溶着さ
れている。ちなみにこの導電層１０は例えばＳｎ、Ａ
ｕ、若しくは半田材料、或はそれらを表面に薄膜形成し
た薄板材料、外部接続端子１１はＡｕ、Ｓｎ、若しくは
半田材料或はそれらを表面に形成した金属材料で構成さ
れている。
端子で上ケース７の貫通孔外周部分に設けられ、この外
部接続端子１１上に図４に示す如く導電層１０が溶着さ
れている。ちなみにこの導電層１０は例えばＳｎ、Ａ
ｕ、若しくは半田材料、或はそれらを表面に薄膜形成し
た薄板材料、外部接続端子１１はＡｕ、Ｓｎ、若しくは
半田材料或はそれらを表面に形成した金属材料で構成さ
れている。
【００１２】なお、ＳＡＷデバイス３の基板４は下ケー
ス１の凹部２の内底面に接着材で接着され、その上面と
上ケース７の下面との間には隙間１２が形成されてい
る。また入出力電極６の上面と導電層１０の下面との間
の距離は０．１８ｍｍ以下となっているので、上述の如
くこの導電層１０で球体９が圧縮され、貫通孔８の密封
と導電層１０、球体９、入出力電極６の電気的接続が行
なわれることになる。
ス１の凹部２の内底面に接着材で接着され、その上面と
上ケース７の下面との間には隙間１２が形成されてい
る。また入出力電極６の上面と導電層１０の下面との間
の距離は０．１８ｍｍ以下となっているので、上述の如
くこの導電層１０で球体９が圧縮され、貫通孔８の密封
と導電層１０、球体９、入出力電極６の電気的接続が行
なわれることになる。
【００１３】図５は他の実施例を示し、下ケース１の凹
部２の内底面で入出力電極６に対応する部分に突起１３
を設けたものである。即ちＳＡＷデバイス３の基板４は
その入出力電極６部分において、２個の突起１３で支持
されまた同上方からは球体９が押圧されている。従っ
て、この基板４は上、下ケース１，７間において２ヶ所
の上下支持点で支持された状態となっているので、上、
下ケース１，７外周からの熱伝導が少なく、熱的耐久性
の高いものとなる。
部２の内底面で入出力電極６に対応する部分に突起１３
を設けたものである。即ちＳＡＷデバイス３の基板４は
その入出力電極６部分において、２個の突起１３で支持
されまた同上方からは球体９が押圧されている。従っ
て、この基板４は上、下ケース１，７間において２ヶ所
の上下支持点で支持された状態となっているので、上、
下ケース１，７外周からの熱伝導が少なく、熱的耐久性
の高いものとなる。
【００１４】図６，図７は他の実施例を示し、この実施
例では球体９の直径よりも小さい直径を有する３つの球
体１４を貫通孔８内に縦方向に並べて挿入し、これを導
電層１０で図７の如く圧縮し、その後導電層１０の上面
から熱を加えてその３個および入出力電極６、導電層１
０に溶着させている。
例では球体９の直径よりも小さい直径を有する３つの球
体１４を貫通孔８内に縦方向に並べて挿入し、これを導
電層１０で図７の如く圧縮し、その後導電層１０の上面
から熱を加えてその３個および入出力電極６、導電層１
０に溶着させている。
【００１５】なおこの溶着をさせるために入出力電極６
は一般にＡｌを用いるているか、その上面にＡｕ層を設
ける等の手段を講ずる必要がある。またこの様にした場
合にも球体１４の直径が小さく、貫通孔８の内壁には接
着しない。
は一般にＡｌを用いるているか、その上面にＡｕ層を設
ける等の手段を講ずる必要がある。またこの様にした場
合にも球体１４の直径が小さく、貫通孔８の内壁には接
着しない。
【００１６】図８，図９は他の実施例を示し、この実施
例では貫通孔８内に球体９を挿入した後に、その上方か
ら押圧力及び熱的エネルギー或は超音波エネルギーを加
えてこの球体を溶融変形させて貫通孔８の封止体９ａと
したものであり、その後外部接続端子１１上に図９に示
す如く、導電層１５を設けたものである。
例では貫通孔８内に球体９を挿入した後に、その上方か
ら押圧力及び熱的エネルギー或は超音波エネルギーを加
えてこの球体を溶融変形させて貫通孔８の封止体９ａと
したものであり、その後外部接続端子１１上に図９に示
す如く、導電層１５を設けたものである。
【００１７】この導電層１５は導電性ペーストより成る
もので、貫通孔８内に浸入し封止体９ａと外部接続端子
１１とを接続するものである。
もので、貫通孔８内に浸入し封止体９ａと外部接続端子
１１とを接続するものである。
【００１８】図１０は他の実施例を示し、この実施例で
は貫通孔８内と貫通孔８下方の上ケース７下面に外部接
続端子１１を連続延長形成したものであり、この延長部
分１１ａが第２の接続手段となって、入出力電極６、封
止体９ａ、外部接続端子が電気的に接続され、また貫通
孔８内及び下面への外部接続端子１１の金属面と金属よ
りなる封止体９ａのＡｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｃｕ，半田など
の金属同士の接合により、貫通孔８の封止効果がさらに
高くなる。
は貫通孔８内と貫通孔８下方の上ケース７下面に外部接
続端子１１を連続延長形成したものであり、この延長部
分１１ａが第２の接続手段となって、入出力電極６、封
止体９ａ、外部接続端子が電気的に接続され、また貫通
孔８内及び下面への外部接続端子１１の金属面と金属よ
りなる封止体９ａのＡｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｃｕ，半田など
の金属同士の接合により、貫通孔８の封止効果がさらに
高くなる。
【００１９】図１１〜図１３は他の実施例を示し、この
実施例においては、２個の貫通孔８共延長部分１１ａを
形成し、さらに一方の延長部分１１ａ、上ケース７の下
面に、図１１に示す如くさらに延長してシールド面１１
Ａを形成したものであり、このシールド面１１Ａと他方
の延長部分１１ａとの間には間隙１６が形成され夫々が
分離されている。
実施例においては、２個の貫通孔８共延長部分１１ａを
形成し、さらに一方の延長部分１１ａ、上ケース７の下
面に、図１１に示す如くさらに延長してシールド面１１
Ａを形成したものであり、このシールド面１１Ａと他方
の延長部分１１ａとの間には間隙１６が形成され夫々が
分離されている。
【００２０】これによりＳＡＷデバイスは櫛歯状電極５
の上面におけるシールドが行なわれることになる。
の上面におけるシールドが行なわれることになる。
【００２１】勿論下方においてもシールドが必要な場合
には、下ケース１の下面側に設ければ良い。
には、下ケース１の下面側に設ければ良い。
【００２２】図１４〜図１６は他の実施例を示し、この
実施例では前記シールド面をさらに図１４に示す如く、
上ケース７の下面外周にまで延長し、この外周部分を介
して図１６に示す如く下ケース１上に上ケース７を設置
している。即ちこの外周の延長部分１１Ｂ、下ケース１
の上面に当接させた状態で、この延長部分１１Ｂに接続
された外部接続端子１１を陽極とし下ケース１を陰極と
して、上、下ケース１，７を陽極接合しているのであ
る。なおこの時の外部接続端子の延長部を形成する材料
としてはＡｌ等の薄膜が望ましい。
実施例では前記シールド面をさらに図１４に示す如く、
上ケース７の下面外周にまで延長し、この外周部分を介
して図１６に示す如く下ケース１上に上ケース７を設置
している。即ちこの外周の延長部分１１Ｂ、下ケース１
の上面に当接させた状態で、この延長部分１１Ｂに接続
された外部接続端子１１を陽極とし下ケース１を陰極と
して、上、下ケース１，７を陽極接合しているのであ
る。なおこの時の外部接続端子の延長部を形成する材料
としてはＡｌ等の薄膜が望ましい。
【００２３】図１７は他の実施例を示し、この実施例で
は貫通孔８内に球体９又は１４を挿入しやすくする為
に、この貫通孔８の上ケース７の上面側部分を拡開した
ものである。
は貫通孔８内に球体９又は１４を挿入しやすくする為
に、この貫通孔８の上ケース７の上面側部分を拡開した
ものである。
【００２４】図１８，図１９は他の実施例を示し、この
実施例では貫通孔８の上下を拡開させると共に、その中
部を球体９の直径よりも小さく絞ったものである。従っ
て球体９を圧力と熱エネルギー或は超音波エネルギーを
加えて挿入すると、図１９に示す如く球体が圧縮変形さ
れて圧入され封孔性を高めることとなる。
実施例では貫通孔８の上下を拡開させると共に、その中
部を球体９の直径よりも小さく絞ったものである。従っ
て球体９を圧力と熱エネルギー或は超音波エネルギーを
加えて挿入すると、図１９に示す如く球体が圧縮変形さ
れて圧入され封孔性を高めることとなる。
【００２５】図２０，図２１は製造方法を示し、下ケー
ス体１Ａには複数個の凹部２が縦横方向に設けられてい
る。従って、まずこれらの凹部２内にＳＡＷデバイス３
が収納され、次に上面側から上ケース体７Ａが重ね合せ
られ、この状態で上ケース体７Ａと下ケース体１Ａは、
上述した様な原子間結合法、或は陽極法で接合される。
勿論その他接合例えば接着材を介した接合であっても良
い。
ス体１Ａには複数個の凹部２が縦横方向に設けられてい
る。従って、まずこれらの凹部２内にＳＡＷデバイス３
が収納され、次に上面側から上ケース体７Ａが重ね合せ
られ、この状態で上ケース体７Ａと下ケース体１Ａは、
上述した様な原子間結合法、或は陽極法で接合される。
勿論その他接合例えば接着材を介した接合であっても良
い。
【００２６】次に各貫通孔８内に球体９が挿入され、そ
の状態で図１０の如く球体９を封止体９ａに変形させた
り、図４に示す如く導電層１０で圧縮する電気的接続を
行なう。
の状態で図１０の如く球体９を封止体９ａに変形させた
り、図４に示す如く導電層１０で圧縮する電気的接続を
行なう。
【００２７】そしてこの状態から、図１に示す如く個片
となる電子部品に分割することになる。
となる電子部品に分割することになる。
【００２８】
【発明の効果】以上の様に本発明は上、下ケースと、こ
れらの上、下ケース間に形成された空間に収納されたデ
バイスとを備え、前記デバイスの入出力電極に対応する
前記上、下ケースの少なくとも一方に貫通孔を設け、こ
の貫通孔内に前記デバイスの入出力電極と電気的に接続
される第１の接続手段を設け、この貫通孔のケース外表
面側には前記第１の接続手段に電気的に接続される第２
の接続手段を設け、これらの第１，第２の接続手段の少
なくとも一方で貫通孔部分を密封したものである。
れらの上、下ケース間に形成された空間に収納されたデ
バイスとを備え、前記デバイスの入出力電極に対応する
前記上、下ケースの少なくとも一方に貫通孔を設け、こ
の貫通孔内に前記デバイスの入出力電極と電気的に接続
される第１の接続手段を設け、この貫通孔のケース外表
面側には前記第１の接続手段に電気的に接続される第２
の接続手段を設け、これらの第１，第２の接続手段の少
なくとも一方で貫通孔部分を密封したものである。
【００２９】そして上記構成とすればケース外表面部分
とデバイスの入出力電極の接続を行なう第１，第２の接
続手段の少なくとも一方で貫通孔部分を密封するので従
来のような封孔体が不要となりその分構成が極めて簡略
化され小型化も図り易くなる。
とデバイスの入出力電極の接続を行なう第１，第２の接
続手段の少なくとも一方で貫通孔部分を密封するので従
来のような封孔体が不要となりその分構成が極めて簡略
化され小型化も図り易くなる。
【図１】本発明の一実施例の一部切欠斜視図
【図２】同分解斜視図
【図３】図１のIII−III線の断面図
【図４】図３の球体を導電層で圧縮した場合の断面図
【図５】本発明の他の実施例の断面図
【図６】本発明の他の実施例の断面図
【図７】同断面図
【図８】本発明の他の実施例の断面図
【図９】同断面図
【図１０】本発明の他の実施例の断面図
【図１１】本発明の他の実施例の上ケースの下面図
【図１２】同断面図
【図１３】同断面図
【図１４】本発明の他の実施例の上ケースの下面図
【図１５】同断面図
【図１６】同断面図
【図１７】本発明の他の実施例の断面図
【図１８】本発明の他の実施例の断面図
【図１９】同断面図
【図２０】本発明の一実施例の製造方法を示す分解斜視
図
図
【図２１】同斜視図
１ 下ケース ２ 凹部 ３ ＳＡＷデバイス ６ 入出力電極 ７ 上ケース ８ 貫通孔 ９ 球体
Claims (15)
- 【請求項１】 上、下ケースと、これらの上、下ケース
間に形成された空間に収納されたデバイスとを備え、前
記デバイスの入出力電極に対応する前記上、下ケースの
少なくとも一方に貫通孔を設け、この貫通孔内に前記デ
バイスの入出力電極と電気的に接続される第１の接続手
段を設け、この貫通孔のケース外表面側には前記第１の
接続手段に電気的に接続される第２の接続手段を設け、
これらの第１，第２の接続手段の少なくとも一方で貫通
孔部分を密封した電子部品。 - 【請求項２】 第１の接続手段は貫通孔のケース外表面
側から挿入した球体により構成した請求項１に記載の電
子部品。 - 【請求項３】 第２の接続手段とデバイスの入出力電極
との間で第１の接続手段を圧縮した請求項２に記載の電
子部品。 - 【請求項４】 貫通孔のケース外表面側を拡開した請求
項２または３に記載の電子部品。 - 【請求項５】 貫通孔内にこの貫通孔の直径よりもその
直径が小さい球体を縦方向に複数個並べて第１の接続手
段を構成した請求項１に記載の電子部品。 - 【請求項６】 第２の接続手段とデバイスの入出力電極
との間で第１の接続手段を圧縮した請求項５に記載の電
子部品。 - 【請求項７】 貫通孔のケース外表面側を拡開した請求
項５または６に記載の電子部品。 - 【請求項８】 貫通孔内壁面にケース外表面から連続的
に導電膜を設けて第２の接続手段を構成した請求項１に
記載の電子部品。 - 【請求項９】 第１の接続手段は貫通孔のケース外表面
側からデバイスの入出力電極上に挿入されかつこの入出
力電極と第２の接続手段とに溶着された導電性物質によ
り構成された請求項８に記載の電子部品。 - 【請求項１０】 第２の接続手段を構成する導電膜の貫
通孔下端部分をケース内表面方向に延長した請求項８ま
たは９に記載の電子部品。 - 【請求項１１】 第２の接続手段を構成する導電膜のケ
ース内表面延長部分をケース内表面に拡げてシールド面
とした請求項１０に記載の電子部品。 - 【請求項１２】 第２の接続手段を構成する導電膜のケ
ース内表面延長部分をケース内表面の外周方向に拡げこ
の外周延長部分を介して上、下ケース外周部分同士を当
接させた請求項１０に記載の電子部品。 - 【請求項１３】 上、下ケースの少なくとも一方向に複
数個の凹部を設けこれら複数個の凹部内に夫々デバイス
を収納させた後に他方のケースを重ね合せ、次にデバイ
スの入出力電極に対応する前記上、下ケースの少なくと
も一方に設けた貫通孔内に前記デバイスの入出力電極と
電気的に接続される第１の接続手段を挿入した電子部品
の製造方法。 - 【請求項１４】 第１の接続手段を貫通孔内に挿入した
後にこの第１の接続手段に熱エネルギーを加えてデバイ
スの入出力電極に溶着させた請求項１３に記載の電子部
品の製造方法。 - 【請求項１５】 第１の接続手段として球体を貫通孔内
に挿入した後に貫通孔のケース外表面部分に第２の接続
手段を設けこの第２の接続手段とデバイスの入出力電極
とで第１の接続手段を圧縮した請求項１３に記載の電子
部品の製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227044A JPH0786867A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 電子部品とその製造方法 |
| KR1019940022714A KR0171921B1 (ko) | 1993-09-13 | 1994-09-09 | 전자부품과 그 제조방법 |
| CN94115917A CN1063894C (zh) | 1993-09-13 | 1994-09-12 | 电子零件及其制造方法 |
| US08/304,782 US5872331A (en) | 1993-09-13 | 1994-09-12 | Electronic component and method of fabricating same |
| DE69404588T DE69404588T2 (de) | 1993-09-13 | 1994-09-13 | Elektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP94114374A EP0643482B1 (en) | 1993-09-13 | 1994-09-13 | Electronic component and method of fabricating same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5227044A JPH0786867A (ja) | 1993-09-13 | 1993-09-13 | 電子部品とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0786867A true JPH0786867A (ja) | 1995-03-31 |
Family
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- 1993-09-13 JP JP5227044A patent/JPH0786867A/ja active Pending
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