JPH0787261B2 - 銅張積層板 - Google Patents
銅張積層板Info
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- JPH0787261B2 JPH0787261B2 JP63210985A JP21098588A JPH0787261B2 JP H0787261 B2 JPH0787261 B2 JP H0787261B2 JP 63210985 A JP63210985 A JP 63210985A JP 21098588 A JP21098588 A JP 21098588A JP H0787261 B2 JPH0787261 B2 JP H0787261B2
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- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、銅張積層板に関し、詳しくは銅張積層板の基
板表面にカーボン抵抗体等の厚膜抵抗体を形成し、この
厚膜抵抗体を銅箔電極の抵抗体接続用端子部に接続した
ものである。
板表面にカーボン抵抗体等の厚膜抵抗体を形成し、この
厚膜抵抗体を銅箔電極の抵抗体接続用端子部に接続した
ものである。
銅張積層板の表面に印刷により厚膜抵抗体を形成する場
合、基板表面で銅箔電極の抵抗体接続用端子部を対向さ
せ、基板表面に印刷されたカーボン抵抗体等の厚膜抵抗
体の両端部を抵抗体接続用端子部に接続していた。この
場合、銅箔の抵抗体接続用電極の上に直接に厚膜抵抗体
を接続すると、銅箔の経時的な酸化進行のために抵抗体
接続用端子部と厚膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、
抵抗値の経時的変動が大きくて抵抗体接続用端子部間の
抵抗値が不安定になるという問題がある。
合、基板表面で銅箔電極の抵抗体接続用端子部を対向さ
せ、基板表面に印刷されたカーボン抵抗体等の厚膜抵抗
体の両端部を抵抗体接続用端子部に接続していた。この
場合、銅箔の抵抗体接続用電極の上に直接に厚膜抵抗体
を接続すると、銅箔の経時的な酸化進行のために抵抗体
接続用端子部と厚膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、
抵抗値の経時的変動が大きくて抵抗体接続用端子部間の
抵抗値が不安定になるという問題がある。
この対策として、従来にあっては、銅箔電極の抵抗体
接続用端子部を覆って基板にAg樹脂ペーストを印刷し、
焼き付けによってAg電極を形成し、このAg電極の上から
抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続する方法、銅
箔電極の抵抗体接続用端子部をAuメッキし、このAuメッ
キ電極に厚膜抵抗体を接続する方法、銅箔電極の抵抗
体接続用端子部をAgメッキし、このAgメッキ電極に厚膜
抵抗体を接続する方法等が用いられていた。
接続用端子部を覆って基板にAg樹脂ペーストを印刷し、
焼き付けによってAg電極を形成し、このAg電極の上から
抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続する方法、銅
箔電極の抵抗体接続用端子部をAuメッキし、このAuメッ
キ電極に厚膜抵抗体を接続する方法、銅箔電極の抵抗
体接続用端子部をAgメッキし、このAgメッキ電極に厚膜
抵抗体を接続する方法等が用いられていた。
しかしながら、上記のように抵抗体接続用端子部３を覆
ってAg樹脂ペーストを印刷してAg電極６を形成する方法
では、印刷により塗布されるAg樹脂ペーストにより銅箔
電極２の抵抗体接続用端子部３を位置ずれなく確実に被
覆する必要のため、第６図に示すように、抵抗体接続用
端子部３よりも一回り大きなAg電極６を形成する必要が
ある。したがって、一回り大きなAg電極６のため基板１
上に余分なスペースが必要となり、基板１の小型化の支
障となったり、あるいは限られた基板面積の上でパター
ン設計が困難になるなどの問題があった。更に、Agでは
マイグレーションが顕著であるため、対向するAg電極6,
6間にマイグレーションが成長してAg電極6,6間をショー
トさせる恐れがあった。
ってAg樹脂ペーストを印刷してAg電極６を形成する方法
では、印刷により塗布されるAg樹脂ペーストにより銅箔
電極２の抵抗体接続用端子部３を位置ずれなく確実に被
覆する必要のため、第６図に示すように、抵抗体接続用
端子部３よりも一回り大きなAg電極６を形成する必要が
ある。したがって、一回り大きなAg電極６のため基板１
上に余分なスペースが必要となり、基板１の小型化の支
障となったり、あるいは限られた基板面積の上でパター
ン設計が困難になるなどの問題があった。更に、Agでは
マイグレーションが顕著であるため、対向するAg電極6,
6間にマイグレーションが成長してAg電極6,6間をショー
トさせる恐れがあった。
また、抵抗体接続用端子部をAuメッキする方法では、Au
とCuとの拡散により湿中放置において抵抗値の変化率が
不安定になるので、この拡散現象を防止するためにはAu
メッキ層の下に下地Niメッキを施す必要があり、このた
めの処理に手間がかかっていた。さらに、メッキ材料の
Auが高価であった。
とCuとの拡散により湿中放置において抵抗値の変化率が
不安定になるので、この拡散現象を防止するためにはAu
メッキ層の下に下地Niメッキを施す必要があり、このた
めの処理に手間がかかっていた。さらに、メッキ材料の
Auが高価であった。
また、抵抗体接続用端子部をAgメッキする方法でも、Ag
メッキが錆び易く、硫化物被膜を作り易いため、湿中放
置において抵抗値の変化率が大きく、したがってAgメッ
キ層の上に保護メッキを施す必要があり、同じようにこ
のための処理に手間がかかっていた。さらに、Agメッキ
電極の場合にも、マイグレーションの問題がある。
メッキが錆び易く、硫化物被膜を作り易いため、湿中放
置において抵抗値の変化率が大きく、したがってAgメッ
キ層の上に保護メッキを施す必要があり、同じようにこ
のための処理に手間がかかっていた。さらに、Agメッキ
電極の場合にも、マイグレーションの問題がある。
しかして、本発明の目的は、経時的に安定した厚膜抵抗
体を形成することができ、しかもその為に基板上に余分
なスペースを占めることがなく、さらに抵抗体接続用端
子部の構造が簡単でコストも低廉な銅張積層板を提供す
ることにある。
体を形成することができ、しかもその為に基板上に余分
なスペースを占めることがなく、さらに抵抗体接続用端
子部の構造が簡単でコストも低廉な銅張積層板を提供す
ることにある。
本発明の銅張積層板は、基板に配線された銅箔電極の抵
抗体接続用端子部の表面にニッケルメッキ単層を形成
し、前記基板の表面に形成された厚膜抵抗体をこのニッ
ケルメッキの上から前記端子部に接続させたことを特徴
としている。
抗体接続用端子部の表面にニッケルメッキ単層を形成
し、前記基板の表面に形成された厚膜抵抗体をこのニッ
ケルメッキの上から前記端子部に接続させたことを特徴
としている。
本発明にあっては、銅箔電極の抵抗体接続用端子部の上
にニッケルメッキ単層を形成し、このニッケルメッキの
上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続すること
により、常温常湿、高温放置及び湿中放置の各環境下に
おける抵抗変化率の安定性を向上させることができた。
しかも、抵抗体接続用端子部にAuメッキやAgメッキを施
す場合のように下地メッキや保護メッキを必要とせず、
ニッケルメッキだけの単層メッキ構造であるので、構造
が簡単であってメッキ処理も容易に行え、コストも低廉
となる。また、メッキ法によっているので、抵抗体接続
用端子部にのみニッケルメッキを施すことができ、Ag樹
脂ペーストを抵抗体接続用端子部に印刷及び焼き付けす
る場合のようにニッケルメッキが抵抗体接続用端子部の
縁からはみ出さず、基板上で余分なスペースを占めるこ
とがない。更に、Agを用いた場合のようにマイグレーシ
ョンの問題もない。
にニッケルメッキ単層を形成し、このニッケルメッキの
上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続すること
により、常温常湿、高温放置及び湿中放置の各環境下に
おける抵抗変化率の安定性を向上させることができた。
しかも、抵抗体接続用端子部にAuメッキやAgメッキを施
す場合のように下地メッキや保護メッキを必要とせず、
ニッケルメッキだけの単層メッキ構造であるので、構造
が簡単であってメッキ処理も容易に行え、コストも低廉
となる。また、メッキ法によっているので、抵抗体接続
用端子部にのみニッケルメッキを施すことができ、Ag樹
脂ペーストを抵抗体接続用端子部に印刷及び焼き付けす
る場合のようにニッケルメッキが抵抗体接続用端子部の
縁からはみ出さず、基板上で余分なスペースを占めるこ
とがない。更に、Agを用いた場合のようにマイグレーシ
ョンの問題もない。
以下、本発明の一実施例を添付図に基づいて詳述する。
第１図に示すように、フェノール系樹脂基板やエポキシ
系樹脂基板等の基板１の表面には銅箔電極２の配線パタ
ーンが形成されており、厚膜抵抗体５を設ける箇所で
は、銅箔電極２の抵抗体接続用端子部３が所定距離をお
いて対向させられている。この両抵抗体接続用端子部３
には、Ni−Ｐ無電解メッキを施してNiメッキ電極が形成
されている。そして、第２図に示すように、両抵抗体接
続用端子部３間において基板１表面にカーボン抵抗ペー
スト等の抵抗ペースト5aを印刷すると共にこの抵抗ペー
スト5aの両端部をNiメッキ４の上から両抵抗体接続用端
子部３に印刷し、この抵抗ペースト5aを乾燥させた後、
抵抗ペースト5aを焼き付けてカーボン抵抗体等の厚膜抵
抗体５を形成すると共に厚膜抵抗体５の両端部をNiメッ
キ４を介して抵抗体接続用端子部３に接続してある。
系樹脂基板等の基板１の表面には銅箔電極２の配線パタ
ーンが形成されており、厚膜抵抗体５を設ける箇所で
は、銅箔電極２の抵抗体接続用端子部３が所定距離をお
いて対向させられている。この両抵抗体接続用端子部３
には、Ni−Ｐ無電解メッキを施してNiメッキ電極が形成
されている。そして、第２図に示すように、両抵抗体接
続用端子部３間において基板１表面にカーボン抵抗ペー
スト等の抵抗ペースト5aを印刷すると共にこの抵抗ペー
スト5aの両端部をNiメッキ４の上から両抵抗体接続用端
子部３に印刷し、この抵抗ペースト5aを乾燥させた後、
抵抗ペースト5aを焼き付けてカーボン抵抗体等の厚膜抵
抗体５を形成すると共に厚膜抵抗体５の両端部をNiメッ
キ４を介して抵抗体接続用端子部３に接続してある。
上記のようにして単層Niメッキを施された抵抗体接続用
端子部に接続された厚膜抵抗体の特性を評価するため、
下記のような比較例１〜４及び本発明の実施例につい
て、常温常湿、高温放置及び湿中放置の各条件下におけ
る経時的な抵抗変化率を測定した。尚、抵抗変化率は、
測定開始時ｔ＝０における抵抗値をRo、測定時間ｔにお
ける抵抗値をR(t)とした時、 （R(t)−Ro）／Ro で定義されるものである。
端子部に接続された厚膜抵抗体の特性を評価するため、
下記のような比較例１〜４及び本発明の実施例につい
て、常温常湿、高温放置及び湿中放置の各条件下におけ
る経時的な抵抗変化率を測定した。尚、抵抗変化率は、
測定開始時ｔ＝０における抵抗値をRo、測定時間ｔにお
ける抵抗値をR(t)とした時、 （R(t)−Ro）／Ro で定義されるものである。
（比較例１）銅箔電極の抵抗体接続用端子部に直接
厚膜抵抗体を接続したもの。
厚膜抵抗体を接続したもの。
（比較例２）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にAu電
解メッキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。
解メッキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。
（比較例３）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にAg電
解メッキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。
解メッキを施し、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜
抵抗体を接続したもの。
（比較例４）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にポリ
マー型Cu導電ペースト（アサヒ化学;ACP−020J）を印刷
及び焼付けし、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵
抗体を接続したもの。
マー型Cu導電ペースト（アサヒ化学;ACP−020J）を印刷
及び焼付けし、この上から抵抗体接続用端子部に厚膜抵
抗体を接続したもの。
（実施例）銅箔電極の抵抗体接続用端子部にNi−Ｐ
無電解メッキを施し、このニッケルメッキの上から抵抗
体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続したもの。
無電解メッキを施し、このニッケルメッキの上から抵抗
体接続用端子部に厚膜抵抗体を接続したもの。
これらの各条件下における測定結果を第３図〜第５図に
示す。
示す。
（常温常湿における測定結果） 常温常湿（温度20〜25℃，相対湿度50〜60％RH）の条件
下において抵抗値の経時的な変化率を測定したところ、
第３図のような結果を得た。
下において抵抗値の経時的な変化率を測定したところ、
第３図のような結果を得た。
すなわち、上記皮比較例１の銅箔そのままの抵抗体接続
用端子部、及び比較例４のCu導電ペーストで抵抗体接続
用端子部を被覆したものでは、銅箔の酸化進行により厚
膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、このため次第に大
きな立ち上がりを示しながら抵抗変化率（抵抗値）が大
きくなっており、極めて不安定な経時的特性を示してい
る。これに対し、比較例2,3及び本実施例の場合には、
抵抗変化率が小さく（１％以内）、経時的にも安定した
ほぼ一定の抵抗値を示している。
用端子部、及び比較例４のCu導電ペーストで抵抗体接続
用端子部を被覆したものでは、銅箔の酸化進行により厚
膜抵抗体との間の接触抵抗が増大し、このため次第に大
きな立ち上がりを示しながら抵抗変化率（抵抗値）が大
きくなっており、極めて不安定な経時的特性を示してい
る。これに対し、比較例2,3及び本実施例の場合には、
抵抗変化率が小さく（１％以内）、経時的にも安定した
ほぼ一定の抵抗値を示している。
（高温放置時における測定結果） 高温放置（温度85℃）の条件下において抵抗値の経時的
な変化率を測定したところ、第４図のような結果を得
た。
な変化率を測定したところ、第４図のような結果を得
た。
すなわち、比較例１では、始めは抵抗変化率が徐々に増
大しているが、数10時間経過の頃から変化率が急激に増
大する。また、比較例４では、始めのうちは抵抗変化率
が減少するが、数10時間経過したころから抵抗変化率が
反対に増大し始め、抵抗値の変動が大きく、やはり抵抗
変化率が極めて不安定である。これに対し、比較例2,3
及び本実施例では、高温により厚膜抵抗体中のレジンが
収縮するので、始めのうちは抵抗変化率が比較的大きく
減少しているが、数10時間経過した頃から抵抗変化率が
ほぼ一定となり、この後は抵抗値もほぼ一定値に安定す
る。
大しているが、数10時間経過の頃から変化率が急激に増
大する。また、比較例４では、始めのうちは抵抗変化率
が減少するが、数10時間経過したころから抵抗変化率が
反対に増大し始め、抵抗値の変動が大きく、やはり抵抗
変化率が極めて不安定である。これに対し、比較例2,3
及び本実施例では、高温により厚膜抵抗体中のレジンが
収縮するので、始めのうちは抵抗変化率が比較的大きく
減少しているが、数10時間経過した頃から抵抗変化率が
ほぼ一定となり、この後は抵抗値もほぼ一定値に安定す
る。
（湿中放置時における測定結果） 湿中放置（温度40℃，相対湿度95％RH）の条件下におい
て経時的な抵抗変化率を測定したところ、第５図のよう
な結果を得た。
て経時的な抵抗変化率を測定したところ、第５図のよう
な結果を得た。
比較例１では、急激に抵抗変化率が増大し、経時的特性
が極めて不安定である。比較例４でも、比較例１に次い
で抵抗変化率の増大が著しく、経時的特性が極めて不安
定である。また、Auメッキ電極を用いた比較例２では、
下地のCuとメッキ層のAuとの間で拡散が進み、やはり大
きな抵抗変化率を示しており、しかも数100時間経過し
ても抵抗変化率が安定していない。したがって、Auメッ
キの場合にはCuとの拡散を防止するためにNi等の下地メ
ッキを必要とする。さらに、Agメッキ電極を用いた比較
例３では、Agメッキが錆び易く、硫化物被膜を作り易い
ため、Auメッキ電極よりも大きな抵抗変化率を示してい
る。したがって、Ag電極では、Agメッキの発錆防止のた
めには、Agメッキの上に保護メッキ等を必要とする。こ
れに対し、本実施例のNi-Pメッキでは、単層メッキで最
も小さい抵抗変化率を示しており、しかも数100時間経
過した頃から抵抗変化率が一定値に達し、経時的な安定
性にも優れている。
が極めて不安定である。比較例４でも、比較例１に次い
で抵抗変化率の増大が著しく、経時的特性が極めて不安
定である。また、Auメッキ電極を用いた比較例２では、
下地のCuとメッキ層のAuとの間で拡散が進み、やはり大
きな抵抗変化率を示しており、しかも数100時間経過し
ても抵抗変化率が安定していない。したがって、Auメッ
キの場合にはCuとの拡散を防止するためにNi等の下地メ
ッキを必要とする。さらに、Agメッキ電極を用いた比較
例３では、Agメッキが錆び易く、硫化物被膜を作り易い
ため、Auメッキ電極よりも大きな抵抗変化率を示してい
る。したがって、Ag電極では、Agメッキの発錆防止のた
めには、Agメッキの上に保護メッキ等を必要とする。こ
れに対し、本実施例のNi-Pメッキでは、単層メッキで最
も小さい抵抗変化率を示しており、しかも数100時間経
過した頃から抵抗変化率が一定値に達し、経時的な安定
性にも優れている。
以上の実験結果より、銅箔電極の上にニッケルメッキを
施した抵抗体接続用端子部にあっては、常温常湿、高温
放置及び湿中放置のいずれの条件下においても抵抗変化
率（抵抗値）の安定性に優れていることが明らかであ
る。しかも、下地メッキや保護メッキなどを施すことな
く、単層ニッケルメッキで充分な抵抗変化率の安定性が
得られる。
施した抵抗体接続用端子部にあっては、常温常湿、高温
放置及び湿中放置のいずれの条件下においても抵抗変化
率（抵抗値）の安定性に優れていることが明らかであ
る。しかも、下地メッキや保護メッキなどを施すことな
く、単層ニッケルメッキで充分な抵抗変化率の安定性が
得られる。
なお、上記実施例においては、ニッケルメッキとしてNi
−Ｐ無電解メッキを施した実施例について説明したが、
これに限らず、Ni−Ｂ無電解メッキやNi電解メッキを施
したものも良好な結果が得られる。また、ニッケルメッ
キであれば、電解メッキであると無電解メッキであると
を問わない。
−Ｐ無電解メッキを施した実施例について説明したが、
これに限らず、Ni−Ｂ無電解メッキやNi電解メッキを施
したものも良好な結果が得られる。また、ニッケルメッ
キであれば、電解メッキであると無電解メッキであると
を問わない。
本発明によれば、銅箔電極の抵抗体接続用端子部に接続
される厚膜抵抗体の常温常湿、高温放置及び湿中放置の
各環境下における抵抗変化率を安定させることができ、
抵抗値の経時的な変化が小さくて安定で信頼性の高い厚
膜抵抗体を得ることができる。しかも、ニッケルメッキ
によれば、単層メッキ構造とすることができ、Auメッキ
電極やAgメッキ電極のように下地メッキや保護メッキを
必要としないので、抵抗体接続用端子部の電極構造を簡
単にすることができ、メッキ処理も容易に行え、製造コ
ストも安価にすることができる。さらに、メッキ法によ
れば抵抗体接続用端子部からはみ出さないようにNiメッ
キを施すことができるので、ペースト塗布法に比べて抵
抗体接続用端子部の電極スペースを小さくでき、余分な
スペースを見込む必要がなくて配線パターン設計なども
容易に行える。更に、Agを用いないので、マイグレーシ
ョンの心配もない。
される厚膜抵抗体の常温常湿、高温放置及び湿中放置の
各環境下における抵抗変化率を安定させることができ、
抵抗値の経時的な変化が小さくて安定で信頼性の高い厚
膜抵抗体を得ることができる。しかも、ニッケルメッキ
によれば、単層メッキ構造とすることができ、Auメッキ
電極やAgメッキ電極のように下地メッキや保護メッキを
必要としないので、抵抗体接続用端子部の電極構造を簡
単にすることができ、メッキ処理も容易に行え、製造コ
ストも安価にすることができる。さらに、メッキ法によ
れば抵抗体接続用端子部からはみ出さないようにNiメッ
キを施すことができるので、ペースト塗布法に比べて抵
抗体接続用端子部の電極スペースを小さくでき、余分な
スペースを見込む必要がなくて配線パターン設計なども
容易に行える。更に、Agを用いないので、マイグレーシ
ョンの心配もない。
第１図は本発明の一実施例を示す平面図、第２図は同上
の断面図、第３図は常温常湿の条件下における抵抗変化
率の経時変化を示すグラフ、第４図は高温放置の条件下
における抵抗変化率の経時変化を示すグラフ、第５図は
湿中放置の条件下における抵抗変化率の経時変化を示す
グラフ、第６図は従来例の平面図である。 １…基板、２…銅箔電極 ３…抵抗体接続用端子部 ４…ニッケルメッキ、５…厚膜抵抗体
の断面図、第３図は常温常湿の条件下における抵抗変化
率の経時変化を示すグラフ、第４図は高温放置の条件下
における抵抗変化率の経時変化を示すグラフ、第５図は
湿中放置の条件下における抵抗変化率の経時変化を示す
グラフ、第６図は従来例の平面図である。 １…基板、２…銅箔電極 ３…抵抗体接続用端子部 ４…ニッケルメッキ、５…厚膜抵抗体
Claims (1)
- 【請求項１】基板に配線された銅箔電極の抵抗体接続用
端子部の表面にニッケルメッキ単層を形成し、前記基板
の表面に形成された厚膜抵抗体をこのニッケルメッキの
上から前記端子部に接続させたことを特徴とする銅張積
層板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210985A JPH0787261B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 銅張積層板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63210985A JPH0787261B2 (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 銅張積層板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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