JPH0789577B2 - 半導体素子収納用パツケ−ジの製造法 - Google Patents
半導体素子収納用パツケ−ジの製造法Info
- Publication number
- JPH0789577B2 JPH0789577B2 JP61166464A JP16646486A JPH0789577B2 JP H0789577 B2 JPH0789577 B2 JP H0789577B2 JP 61166464 A JP61166464 A JP 61166464A JP 16646486 A JP16646486 A JP 16646486A JP H0789577 B2 JPH0789577 B2 JP H0789577B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing material
- external lead
- lead frame
- package
- lead terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体素子を収納するための半導体素子収納用
パッケージの製造法に関するものである。
パッケージの製造法に関するものである。
従来、半導体素子、特に半導体集積回路素子を収納する
ための半導体素子収納用パッケージは、第４図に示すよ
うにアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、
その上面周縁部にモリブデン（Mo）、マンガン（Mn）、
タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末から成る多数個
の金属層12を有する方形状の絶縁基体11と、半導体素子
を外部回路に電気的に接続するために前記金属層12にロ
ウ付けされた外部リード端子13と蓋体14とから構成され
ており、絶縁基体11と蓋体14とから成る絶縁容器内部に
半導体素子15が収納され、気密封止されて半導体装置と
なる。
ための半導体素子収納用パッケージは、第４図に示すよ
うにアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成り、
その上面周縁部にモリブデン（Mo）、マンガン（Mn）、
タングステン（Ｗ）等の高融点金属粉末から成る多数個
の金属層12を有する方形状の絶縁基体11と、半導体素子
を外部回路に電気的に接続するために前記金属層12にロ
ウ付けされた外部リード端子13と蓋体14とから構成され
ており、絶縁基体11と蓋体14とから成る絶縁容器内部に
半導体素子15が収納され、気密封止されて半導体装置と
なる。
かかる従来の半導体素子収納用パッケージは通常、以下
に述べる方法によって製作される。
に述べる方法によって製作される。
即ち、第５図に示すように、まず、表面に金属ペースト
を印刷塗布した複数枚の未焼成セラミックシートを積層
し、これを還元雰囲気中で焼成して金属層12を有する絶
縁基体11を得るとともに複数の外部リード端子13を有す
るリードフレーム16を準備し、次に、前記絶縁基体11上
に方形環状のロウ材17を介してリードフレーム16を載置
するとともに各金属層12とこれに対応する各外部リード
端子13とを位置合わせし、しかる後、これを約900℃の
温度に加熱し、ロウ材17を溶融させて金属層12と外部リ
ード端子13とをロウ付け固着するとともに外部リード端
子13をリードフレーム16より切断分離することによって
製作される。
を印刷塗布した複数枚の未焼成セラミックシートを積層
し、これを還元雰囲気中で焼成して金属層12を有する絶
縁基体11を得るとともに複数の外部リード端子13を有す
るリードフレーム16を準備し、次に、前記絶縁基体11上
に方形環状のロウ材17を介してリードフレーム16を載置
するとともに各金属層12とこれに対応する各外部リード
端子13とを位置合わせし、しかる後、これを約900℃の
温度に加熱し、ロウ材17を溶融させて金属層12と外部リ
ード端子13とをロウ付け固着するとともに外部リード端
子13をリードフレーム16より切断分離することによって
製作される。
しかし乍ら、この従来の半導体素子収納用パッケージの
製造法によれば、絶縁基体11に設けられた各金属層12と
各外部リード端子13とをロウ付け固着させるロウ材17
が、そのロウ付けの作業性を良好とするために方形環状
を成しており、そのため該方形環状のロウ材17を加熱溶
融させ各金属層12に外部リード端子13をロウ付け固着す
る際、ロウ材17の各隅部のものがリードフレーム16の各
辺に設けた外部リード端子13のうち各辺両端に位置する
ものに溶融付着し、その結果、リードフレーム16の各辺
両端に位置する外部リード端子13はそのロウ付けのロウ
材量が過多となり、ロウ付け強度が大きく低下するとい
う欠点を有していた。
製造法によれば、絶縁基体11に設けられた各金属層12と
各外部リード端子13とをロウ付け固着させるロウ材17
が、そのロウ付けの作業性を良好とするために方形環状
を成しており、そのため該方形環状のロウ材17を加熱溶
融させ各金属層12に外部リード端子13をロウ付け固着す
る際、ロウ材17の各隅部のものがリードフレーム16の各
辺に設けた外部リード端子13のうち各辺両端に位置する
ものに溶融付着し、その結果、リードフレーム16の各辺
両端に位置する外部リード端子13はそのロウ付けのロウ
材量が過多となり、ロウ付け強度が大きく低下するとい
う欠点を有していた。
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は
絶縁容器に設けた金属層に所定の外部リード端子を強固
にロウ付け固着することができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
絶縁容器に設けた金属層に所定の外部リード端子を強固
にロウ付け固着することができる半導体素子収納用パッ
ケージを提供することにある。
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造法は、 内部に半導体素子を収納するための空所を有し、かつ上
面もしくは下面の周縁部に複数個の金属層が被着形成さ
れた方形状の絶縁容器を準備し、 複数個の外部リード端子及びダミーリードを備えたリー
ドフレームを方形環状のロウ材を介して前記絶縁容器上
に載置し、各外部リード端子をこれに対応する各金属層
に、またダミーリードを方形状環状のロウ材の各隅部に
位置合わせし、 次いで、前記ロウ材を加熱溶融させ、各外部リード端子
をそれに対応する各金属層上に固着し、その後、前記各
外部リード端子をリードフレームより切断し、該リード
フレームを除去する ことを特徴とするものである。
面もしくは下面の周縁部に複数個の金属層が被着形成さ
れた方形状の絶縁容器を準備し、 複数個の外部リード端子及びダミーリードを備えたリー
ドフレームを方形環状のロウ材を介して前記絶縁容器上
に載置し、各外部リード端子をこれに対応する各金属層
に、またダミーリードを方形状環状のロウ材の各隅部に
位置合わせし、 次いで、前記ロウ材を加熱溶融させ、各外部リード端子
をそれに対応する各金属層上に固着し、その後、前記各
外部リード端子をリードフレームより切断し、該リード
フレームを除去する ことを特徴とするものである。
次に本発明を第１図乃至第３図に示す実施例に基づき詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造に当たり、
まず第１図に示すような半導体素子を収納するための絶
縁容器を構成する絶縁基体１が準備される。
まず第１図に示すような半導体素子を収納するための絶
縁容器を構成する絶縁基体１が準備される。
前記絶縁基体１はその上面中央部に半導体素子を収納す
るための凹部Ａが形成されており、該凹部Ａ内には半導
体素子（不図示）が取着固定される。
るための凹部Ａが形成されており、該凹部Ａ内には半導
体素子（不図示）が取着固定される。
また前記絶縁基体１の凹部周辺から上面周縁部にかけて
複数個の金属層２が形成されており、該金属層２の凹部
周辺部には内部に収納する半導体素子の各電極が金属細
線（ボンディングワイヤ）を介し接続される。
複数個の金属層２が形成されており、該金属層２の凹部
周辺部には内部に収納する半導体素子の各電極が金属細
線（ボンディングワイヤ）を介し接続される。
前記絶縁基体１及び金属層２は表面に金属ペーストを印
刷塗布した未焼成セラミックシート（グリーンシート）
を複数枚積層するとともに還元雰囲気中（H2−N2ガス
中）、約1400〜1600℃の高温で焼成することによって形
成される。
刷塗布した未焼成セラミックシート（グリーンシート）
を複数枚積層するとともに還元雰囲気中（H2−N2ガス
中）、約1400〜1600℃の高温で焼成することによって形
成される。
尚、前記未焼成セラミックシートはアルミナ（Al
2O3）、シリカ（SiO2）等のセラミック原料粉末に適当
な溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを従来
周知のドクターブレード法によりシート状と成すことに
よって形成される。
2O3）、シリカ（SiO2）等のセラミック原料粉末に適当
な溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを従来
周知のドクターブレード法によりシート状と成すことに
よって形成される。
また金属ペーストはタングステン（Ｗ）、モリブデン
（Mo）、マンガン（Mn）等の高融点金属粉末に適当な溶
剤、溶媒を添加混合することによって作成され、未焼成
セラミックシート表面に従来周知のスクリーン印刷等の
厚膜手法によって印刷塗布される。
（Mo）、マンガン（Mn）等の高融点金属粉末に適当な溶
剤、溶媒を添加混合することによって作成され、未焼成
セラミックシート表面に従来周知のスクリーン印刷等の
厚膜手法によって印刷塗布される。
次に、第１図に示すように四辺のそれぞれに複数個の外
部リード端子３を有する方形状のリードフレーム４およ
び方形環状のロウ材５が準備される。
部リード端子３を有する方形状のリードフレーム４およ
び方形環状のロウ材５が準備される。
前記外部リード端子３およびリードフレーム４はコバー
ル（Fe−Ni−Co合金）や42Alloy（Fe−Ni合金）等の金
属から成り、該外部リード端子３は内部に収納する半導
体素子の各電極を外部回路に電気的に接続する作用を為
す。
ル（Fe−Ni−Co合金）や42Alloy（Fe−Ni合金）等の金
属から成り、該外部リード端子３は内部に収納する半導
体素子の各電極を外部回路に電気的に接続する作用を為
す。
前記複数個の外部リード端子３を有するリードフレーム
４は各外部リード端子３の位置をリードフレーム４によ
って規制しており、各外部リード端子３のそれぞれは絶
縁基体１の上面に設けた金属層２の周縁部に銀ロウ等の
接着材を介し取着される。
４は各外部リード端子３の位置をリードフレーム４によ
って規制しており、各外部リード端子３のそれぞれは絶
縁基体１の上面に設けた金属層２の周縁部に銀ロウ等の
接着材を介し取着される。
また、前記リードフレーム４にはその四隅にダミーリー
ド６が設けてあり、該ダミーリード６はその先端を後述
する方形環状を成すロウ材５の各隅部Ｂ上に載置するこ
とによって外部リード端子３を金属層２にロウ付け固着
するためにロウ材５を加熱溶融させた際、ロウ材５の隅
部Ｂのものが外部リード端子３に過多に溶融付着しない
よう吸着する作用を為す。
ド６が設けてあり、該ダミーリード６はその先端を後述
する方形環状を成すロウ材５の各隅部Ｂ上に載置するこ
とによって外部リード端子３を金属層２にロウ付け固着
するためにロウ材５を加熱溶融させた際、ロウ材５の隅
部Ｂのものが外部リード端子３に過多に溶融付着しない
よう吸着する作用を為す。
尚、前記外部リード端子３、リードフレーム４及ひダミ
ーリード６はコバール等の金属板を従来周知の金属打抜
き加工法により打抜くことによって形成される。
ーリード６はコバール等の金属板を従来周知の金属打抜
き加工法により打抜くことによって形成される。
また前記ロウ材５は、銀、銀−銅合金（銀ロウ）、スズ
−鉛合金（半田）等の金属から成り、絶縁基体１の上面
に設けた金属層２上にリードフレーム４に設けた外部リ
ード端子３をロウ付け固着する作用を為す。
−鉛合金（半田）等の金属から成り、絶縁基体１の上面
に設けた金属層２上にリードフレーム４に設けた外部リ
ード端子３をロウ付け固着する作用を為す。
前記ロウ材５は銀−銀合金（銀ロウ）等の金属板を従来
周知の金属打抜き加工法により打抜くことによって方形
環状に形成される。
周知の金属打抜き加工法により打抜くことによって方形
環状に形成される。
次に第２図及び第３図に示すように絶縁基体１、ロウ材
５及びリードフレーム４をカーボンから成る治具（不図
示）内に装填し、絶縁基体１上にロウ材５及びリードフ
レーム４を載置するとともに絶縁基体１に形成した各金
属層２にリードフレーム４に設けた各外部リード端子３
が銀ロウ等のロウ材５を介して正確に対応するよう、ま
たリードフレーム４に設けたダミーリード６がロウ材５
の各隅部Ｂに載置するようロウ材５及びリードフレーム
４の位置決めを行う。
５及びリードフレーム４をカーボンから成る治具（不図
示）内に装填し、絶縁基体１上にロウ材５及びリードフ
レーム４を載置するとともに絶縁基体１に形成した各金
属層２にリードフレーム４に設けた各外部リード端子３
が銀ロウ等のロウ材５を介して正確に対応するよう、ま
たリードフレーム４に設けたダミーリード６がロウ材５
の各隅部Ｂに載置するようロウ材５及びリードフレーム
４の位置決めを行う。
かかる位置決めされた絶縁基体１、ロウ材５及びリード
フレーム４は次に約900℃に加熱された炉中に通され、
絶縁基体１の各金属層２とリードフレーム４に設けた各
外部リード端子３とをその間に配したロウ材５を溶融さ
せることによってロウ付け固着する。この場合、ロウ材
５の隅部Ｂはダミーリード６に集中的に溶融付着し、リ
ードフレーム４の各辺に設けた外部リード端子３のうち
各辺両端部に位置するものに溶融付着することはなく、
該リードフレームの各辺両端部に位置する外部リード端
子にロウ材量の過多によるロウ付け強度の低下が生じる
ことはない。
フレーム４は次に約900℃に加熱された炉中に通され、
絶縁基体１の各金属層２とリードフレーム４に設けた各
外部リード端子３とをその間に配したロウ材５を溶融さ
せることによってロウ付け固着する。この場合、ロウ材
５の隅部Ｂはダミーリード６に集中的に溶融付着し、リ
ードフレーム４の各辺に設けた外部リード端子３のうち
各辺両端部に位置するものに溶融付着することはなく、
該リードフレームの各辺両端部に位置する外部リード端
子にロウ材量の過多によるロウ付け強度の低下が生じる
ことはない。
そして、最後に絶縁基体１の各金属層２にロウ付けされ
た各外部リード端子３を第２図に示す切断線Ｃに沿って
切断し、リードフレーム４を分離除去することによって
半導体素子収納用パッケージが製作される。
た各外部リード端子３を第２図に示す切断線Ｃに沿って
切断し、リードフレーム４を分離除去することによって
半導体素子収納用パッケージが製作される。
尚、この時、金属層２が形成されていないところに位置
していたダミーリード６もロウ付けされていないことか
らリードフレーム４と同様に除去される。
していたダミーリード６もロウ付けされていないことか
らリードフレーム４と同様に除去される。
本発明の半導体素子収納用パッケージの製造法によれ
ば、複数個の外部リード端子を有するリードフレームに
ダミーリードを設け、該ダミーリードを方形環状のロウ
材の各隅部に載置させるようになしたことから外部リー
ド端子を金属層にロウ付け固着するためにロウ材を加熱
溶融させた際、ロウ材の隅部はダミーリードに溶融付着
して外部リード端子には付着しなくなり、その結果、す
べての外部リード端子と金属層との間に介在するロウ材
の量をロウ付け強度を大となる所定量として外部リード
端子を強固にロウ付け固着することが可能となる。
ば、複数個の外部リード端子を有するリードフレームに
ダミーリードを設け、該ダミーリードを方形環状のロウ
材の各隅部に載置させるようになしたことから外部リー
ド端子を金属層にロウ付け固着するためにロウ材を加熱
溶融させた際、ロウ材の隅部はダミーリードに溶融付着
して外部リード端子には付着しなくなり、その結果、す
べての外部リード端子と金属層との間に介在するロウ材
の量をロウ付け強度を大となる所定量として外部リード
端子を強固にロウ付け固着することが可能となる。
第１図は本発明の半導体素子収納用パッケージの製造法
を説明するための分解斜視図、第２図は第１図の半導体
素子収納用パッケージの組立て状態を示す平面図、第３
図は第２図の断面図、第４図は従来の半導体素子の収納
用パッケージの断面図、第５図は第４図のパッケージの
製造法を説明するための分解斜視図である。 1:絶縁基体、2:金属層 3:外部リード端子、4:リードフレーム 5:ロウ材、6:ダミーリード B:ロウ材の隅部、C:切断線
を説明するための分解斜視図、第２図は第１図の半導体
素子収納用パッケージの組立て状態を示す平面図、第３
図は第２図の断面図、第４図は従来の半導体素子の収納
用パッケージの断面図、第５図は第４図のパッケージの
製造法を説明するための分解斜視図である。 1:絶縁基体、2:金属層 3:外部リード端子、4:リードフレーム 5:ロウ材、6:ダミーリード B:ロウ材の隅部、C:切断線
Claims (1)
- 【請求項１】内部に半導体素子を収納するための空所を
有し、かつ上面もしくは下面の周縁部に複数個の金属層
が被着形成された方形状の絶縁容器を準備し、 複数個の外部リード端子及びダミーリードを備えたリー
ドフレームを方形環状のロウ材を介して前記絶縁容器上
に載置し、各外部リード端子をこれに対応する各金属層
に、またダミーリードを方形環状のロウ材の各隅部に位
置合わせし、 次いで、前記ロウ材を加熱溶融させ、各外部リード端子
をそれに対応する各金属層上に固着するとともに余剰の
ロウ材をダミーリードに固着させ、その後、前記各外部
リード端子をリードフレームより切断し、リードフレー
ムとダミーリードを除去することを特徴とする半導体素
子収納用パッケージの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166464A JPH0789577B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体素子収納用パツケ−ジの製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61166464A JPH0789577B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体素子収納用パツケ−ジの製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6320858A JPS6320858A (ja) | 1988-01-28 |
| JPH0789577B2 true JPH0789577B2 (ja) | 1995-09-27 |
Family
ID=15831882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61166464A Expired - Lifetime JPH0789577B2 (ja) | 1986-07-14 | 1986-07-14 | 半導体素子収納用パツケ−ジの製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0789577B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58188142A (ja) * | 1982-04-28 | 1983-11-02 | Hitachi Ltd | セラミック基板のリードろう接方法 |
| JPS59141256A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ムのろう付け方法 |
| JPS59139658A (ja) * | 1983-12-02 | 1984-08-10 | Hitachi Ltd | 電子回路装置 |
-
1986
- 1986-07-14 JP JP61166464A patent/JPH0789577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6320858A (ja) | 1988-01-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |