JPH0790506A - パルス磁気応答性に優れた軟磁性材料 - Google Patents
パルス磁気応答性に優れた軟磁性材料Info
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- JPH0790506A JPH0790506A JP4245558A JP24555892A JPH0790506A JP H0790506 A JPH0790506 A JP H0790506A JP 4245558 A JP4245558 A JP 4245558A JP 24555892 A JP24555892 A JP 24555892A JP H0790506 A JPH0790506 A JP H0790506A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
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Abstract
(57)【要約】
【構成】Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系において、重量
比で、０．０２０％以下のＣ＋Ｎ、０．１〜２．０％の
Ｓｉ、１．０〜４．０％のＡｌ、２．０〜７０％のＣ
ｒ、又は必要に応じて少量のＴｉ、Ｎｂの１種又は２種
を含み、さらに、 式＝１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａｌ）
＋３．２Ｃｒ≧６５ および 式＝３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足する軟磁性材料。 【効果】磁束密度、パルス磁気応答性かつ加工性も優れ
た軟磁性材料が得られる。
比で、０．０２０％以下のＣ＋Ｎ、０．１〜２．０％の
Ｓｉ、１．０〜４．０％のＡｌ、２．０〜７０％のＣ
ｒ、又は必要に応じて少量のＴｉ、Ｎｂの１種又は２種
を含み、さらに、 式＝１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａｌ）
＋３．２Ｃｒ≧６５ および 式＝３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足する軟磁性材料。 【効果】磁束密度、パルス磁気応答性かつ加工性も優れ
た軟磁性材料が得られる。
Description
【００１０】
【産業上の利用分野】本発明は、電子燃料噴射制御装置
等の電磁弁に用いられる磁束密度およびパルス磁気応答
性が優れ、かつ加工性に優れた軟磁性材料に関する。
等の電磁弁に用いられる磁束密度およびパルス磁気応答
性が優れ、かつ加工性に優れた軟磁性材料に関する。
【００２０】
【従来の技術】近年、自動車の高性能化への動きにおい
て電子燃料噴射装置に対する要求性能も一層の性能向上
を求められている。特に、高速応答性の優れた電磁弁に
対するニーズも高く、そのため電磁弁の磁芯材料として
用いられる磁束密度およびパルの優れた軟磁性材料が求
められている。他方、磁芯材料の加工性やコストの面か
らできる限り低合金系の材料が要求されている。これら
の磁芯材料として、純鉄（軟鉄）や珪素鉄が使用されて
いる。しかし、これらの材料は磁束密度は優れているも
ののパルス磁気応答性については満足しうるものでなか
った。
て電子燃料噴射装置に対する要求性能も一層の性能向上
を求められている。特に、高速応答性の優れた電磁弁に
対するニーズも高く、そのため電磁弁の磁芯材料として
用いられる磁束密度およびパルの優れた軟磁性材料が求
められている。他方、磁芯材料の加工性やコストの面か
らできる限り低合金系の材料が要求されている。これら
の磁芯材料として、純鉄（軟鉄）や珪素鉄が使用されて
いる。しかし、これらの材料は磁束密度は優れているも
ののパルス磁気応答性については満足しうるものでなか
った。
【００３０】本発明者らはすでに「磁気応答性の優れた
電磁合金（特開昭６４−８２４８号）」において開示し
ているが、当該発明においては磁気応答性，冷間鍛造性
及び耐食性の改善のためにＳｉ含有量の低下とＣｒ含有
量の増加を図っているので磁束密度の改善まで至ってい
ない。また、特開平３−９０５４４号においては、電磁
応答性に優れた軟磁性材料が開示されている。磁束密度
（Ｂ20）は１５０００Ｇ以上と優れており、冷鍛性の優
れた材料を提供しているが、電磁応答性は電気比抵抗を
代用特性として表しているためにどの程度の応答性に優
れているかは明らかでない。
電磁合金（特開昭６４−８２４８号）」において開示し
ているが、当該発明においては磁気応答性，冷間鍛造性
及び耐食性の改善のためにＳｉ含有量の低下とＣｒ含有
量の増加を図っているので磁束密度の改善まで至ってい
ない。また、特開平３−９０５４４号においては、電磁
応答性に優れた軟磁性材料が開示されている。磁束密度
（Ｂ20）は１５０００Ｇ以上と優れており、冷鍛性の優
れた材料を提供しているが、電磁応答性は電気比抵抗を
代用特性として表しているためにどの程度の応答性に優
れているかは明らかでない。
【００４０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、電子燃料噴
射装置の電磁弁の磁芯材料として加工性のよい低合金系
の材料において、前記の欠点を解決するためになされた
ものであり、磁束密度（Ｂ20）は１３０００Ｇ以上で、
パルス磁気応答性は１４μｓｅｃ以下の優れた軟磁性材
料を提供することを目的とするものである。
射装置の電磁弁の磁芯材料として加工性のよい低合金系
の材料において、前記の欠点を解決するためになされた
ものであり、磁束密度（Ｂ20）は１３０００Ｇ以上で、
パルス磁気応答性は１４μｓｅｃ以下の優れた軟磁性材
料を提供することを目的とするものである。
【００５０】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、低合金系
の材料において磁束密度、パルス磁気応答性におよぼす
合金元素の影響について鋭意研究を重ねた結果、本発明
を完成するに至ったものであり、本発明は次に述べるよ
うな新たな知見に基づくものである。第１に、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系において、Ｓｉ ０．１〜２．０
％、Ａｌ １．０〜４．０％、Ｃｒ ２．０〜７．０％
を複合添加した場合には、パルス磁気応答性が改善され
ることを見いだしたものである。
の材料において磁束密度、パルス磁気応答性におよぼす
合金元素の影響について鋭意研究を重ねた結果、本発明
を完成するに至ったものであり、本発明は次に述べるよ
うな新たな知見に基づくものである。第１に、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系において、Ｓｉ ０．１〜２．０
％、Ａｌ １．０〜４．０％、Ｃｒ ２．０〜７．０％
を複合添加した場合には、パルス磁気応答性が改善され
ることを見いだしたものである。
【００６０】第２に、パルス磁気応答性の効果を一層発
揮させるためには固溶元素であるＣ、Ｎの不純物元素を
極力低減させることである。また、この低減により磁束
密度の改善も図られる。
揮させるためには固溶元素であるＣ、Ｎの不純物元素を
極力低減させることである。また、この低減により磁束
密度の改善も図られる。
【００７０】第３に、不可避的に含まれて固溶している
ＣおよびＮによる磁束密度の低下を改善するために、炭
窒化形成元素であるＴｉあるいはＮｂを添加して改善を
図ることである。
ＣおよびＮによる磁束密度の低下を改善するために、炭
窒化形成元素であるＴｉあるいはＮｂを添加して改善を
図ることである。
【００８０】第４に、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系に
おいて、Ｓｉ ０．１〜２．０％、Ａｌ １．０〜４．
０％、Ｃｒ ２．０〜７．０％を複合添加し、さらにＳ
ｉ、Ａｌ、Ｃｒは、１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ
（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０および３７Ｓｉ＋３
９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０を満足する場合には、パルス
磁気応答性が著しく改善されることを見いだしたもので
ある。
おいて、Ｓｉ ０．１〜２．０％、Ａｌ １．０〜４．
０％、Ｃｒ ２．０〜７．０％を複合添加し、さらにＳ
ｉ、Ａｌ、Ｃｒは、１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ
（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０および３７Ｓｉ＋３
９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０を満足する場合には、パルス
磁気応答性が著しく改善されることを見いだしたもので
ある。
【００９０】すなわち，本発明の第１発明は重量比で、
Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、Ｓｉ；０．１〜２．０％、
Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃｒ；２．０〜７．０％を満
足し、残部はＦｅおよび不可避的な不純物からなるもの
であり、第２発明は第１発明にＴｉ；０．０１〜０．１
０％、Ｎｂ；０．０１〜０．１０％の１種または２種を
含有し、磁束密度の改善とともに第１発明のパルス磁気
応答性を一層改善したものである。さらに、第３および
第４発明は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒは、 式１；１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａ
ｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ 式２；３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足させることにより第１および第２発明のパルス磁
気応答性を著しく改善したものである。
Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、Ｓｉ；０．１〜２．０％、
Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃｒ；２．０〜７．０％を満
足し、残部はＦｅおよび不可避的な不純物からなるもの
であり、第２発明は第１発明にＴｉ；０．０１〜０．１
０％、Ｎｂ；０．０１〜０．１０％の１種または２種を
含有し、磁束密度の改善とともに第１発明のパルス磁気
応答性を一層改善したものである。さらに、第３および
第４発明は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒは、 式１；１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａ
ｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ 式２；３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足させることにより第１および第２発明のパルス磁
気応答性を著しく改善したものである。
【０１００】
【作用】次に本発明における化学成分の限定理由につい
て説明する。 Ｓｉ：０．１〜２．０％ Ｓｉは、磁束密度、パルス磁気応答性を改善する元素で
あるが、２．０％を越えると磁束密度を低下させるとと
もに加工性を劣化させるために上限を２．０％とした。
また、下限は製鋼時の脱酸により不可避的に含まれるた
め０．１％とした。
て説明する。 Ｓｉ：０．１〜２．０％ Ｓｉは、磁束密度、パルス磁気応答性を改善する元素で
あるが、２．０％を越えると磁束密度を低下させるとと
もに加工性を劣化させるために上限を２．０％とした。
また、下限は製鋼時の脱酸により不可避的に含まれるた
め０．１％とした。
【０１１０】Ａｌ：１．０〜４．０％ Ａｌは、Ｓｉと同様に磁束密度、パルス磁気応答性を改
善する元素であるが、４．０％を越えると磁束密度およ
び加工性を劣化させるために上限を４．０％とした。ま
た、下限はパルス磁気応答性を改善に必要な含有量とし
て１．０％とした。
善する元素であるが、４．０％を越えると磁束密度およ
び加工性を劣化させるために上限を４．０％とした。ま
た、下限はパルス磁気応答性を改善に必要な含有量とし
て１．０％とした。
【０１２０】Ｃｒ：２．０〜７．０％ Ｃｒは、ＳｉおよびＡｌとの複合添加により磁束密度、
パルス磁気応答性を一層改善する元素である。Ｃｒは
７．０％を越えると磁束密度が低下するために上限を
７．０％とした。また、２．０％以下になるとパルス磁
気応答性の改善がみられないために下限を２．０％とし
た。
パルス磁気応答性を一層改善する元素である。Ｃｒは
７．０％を越えると磁束密度が低下するために上限を
７．０％とした。また、２．０％以下になるとパルス磁
気応答性の改善がみられないために下限を２．０％とし
た。
【０１３０】Ｃ＋Ｎ：０．０２０％以下 ＣおよびＮは、磁束密度、パルス磁気応答性を劣化させ
る元素で、少ないほど望ましいが安定した製造性からＣ
＋Ｎ：０．０２０％とした。
る元素で、少ないほど望ましいが安定した製造性からＣ
＋Ｎ：０．０２０％とした。
【０１４０】Ｔｉ：０．０１〜０．１０％ Ｔｉは、ＣおよびＮを炭窒化物として固定し、微細化さ
せることにより磁束密度の低下の防止とパルス特性の改
善を図る元素である。また、ＣおよびＮの固溶による加
工性低下を防ぐ元素でもある。Ｃ＋Ｎ量の５倍程度添加
した場合が最も大きな効果を発揮し、それ以上の添加は
飽和するとともにコスト的にも不利となるために上限を
０．１０％とした。しかし、０．０１％未満ではその効
果が十分に得られないために下限を０．０１％とした。
せることにより磁束密度の低下の防止とパルス特性の改
善を図る元素である。また、ＣおよびＮの固溶による加
工性低下を防ぐ元素でもある。Ｃ＋Ｎ量の５倍程度添加
した場合が最も大きな効果を発揮し、それ以上の添加は
飽和するとともにコスト的にも不利となるために上限を
０．１０％とした。しかし、０．０１％未満ではその効
果が十分に得られないために下限を０．０１％とした。
【０１５０】Ｎｂ：０．１〜０．１０％ ＮｂもＴｉと同様にＣおよびＮを炭窒化物として固定
し、微細化させることにより磁束密度の低下の防止とパ
ルス特性の改善を図る元素である。また、ＣおよびＮの
固溶による加工性低下を防ぐ元素でもある。Ｃ＋Ｎ量の
５倍程度添加した場合が最も大きな効果を発揮し、それ
以上の添加は飽和するとともにコスト的にも不利となる
ために上限を０．１０％とした。しかし、０．０１％未
満ではその効果が十分に得られないために下限を０．０
１％とした。
し、微細化させることにより磁束密度の低下の防止とパ
ルス特性の改善を図る元素である。また、ＣおよびＮの
固溶による加工性低下を防ぐ元素でもある。Ｃ＋Ｎ量の
５倍程度添加した場合が最も大きな効果を発揮し、それ
以上の添加は飽和するとともにコスト的にも不利となる
ために上限を０．１０％とした。しかし、０．０１％未
満ではその効果が十分に得られないために下限を０．０
１％とした。
【０１６０】式１：１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ
（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ Ｓｉ、ＣｒおよびＡｌはパルス磁気応答性の改善に効果
的な元素であり、式１において指数が大きくなるととも
にパルス磁気応答性は著しく改善される。式１の指数が
６０未満の場合、パルス磁気応答性が改善が十分でない
ので下限を６０とした。
（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ Ｓｉ、ＣｒおよびＡｌはパルス磁気応答性の改善に効果
的な元素であり、式１において指数が大きくなるととも
にパルス磁気応答性は著しく改善される。式１の指数が
６０未満の場合、パルス磁気応答性が改善が十分でない
ので下限を６０とした。
【０１７０】 式２：３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ Ｓｉ、ＣｒおよびＡｌはパルス磁気応答性の改善に効果
的な元素であり、式２において指数が大きくなるととも
にパルス磁気応答性は著しく改善されるが、他方で磁束
密度は低下する。特に、式２の指数が３５０を越えると
磁束密度が低下し、必要な磁束密度を確保できなくなる
ので式２の指数の上限を３５０とした。
的な元素であり、式２において指数が大きくなるととも
にパルス磁気応答性は著しく改善されるが、他方で磁束
密度は低下する。特に、式２の指数が３５０を越えると
磁束密度が低下し、必要な磁束密度を確保できなくなる
ので式２の指数の上限を３５０とした。
【０１８０】なお、Ｍｎ含有量については、０．５％以
下が望ましい。Ｍｎは磁束密度を低下させる元素である
ので０．１％以下が望ましいが実際の製造性を考慮して
０．５％以下がよい。
下が望ましい。Ｍｎは磁束密度を低下させる元素である
ので０．１％以下が望ましいが実際の製造性を考慮して
０．５％以下がよい。
【０１９０】
【実施例】次に本発明の特徴を従来鋼、比較鋼と比べて
実施例でもって明らかにする。表１には、これら供試鋼
の化学成分を示す。Ａ〜Ｌは発明鋼である。Ｍ〜Ｔ鋼は
比較鋼であり、Ｕ〜Ｖ鋼は従来鋼である。
実施例でもって明らかにする。表１には、これら供試鋼
の化学成分を示す。Ａ〜Ｌは発明鋼である。Ｍ〜Ｔ鋼は
比較鋼であり、Ｕ〜Ｖ鋼は従来鋼である。
【０２００】
【表１】
【０２１０】次に、表１の供試鋼について、９００℃ｘ
２Ｈｒ保持し、次いで冷却速度１００℃／Ｈｒという熱
処理を施した後、磁束密度およびパルス磁気応答性を測
定し、また加工性の試験を行いその結果を表２に示し
た。磁束密度については、直流型ＢＨトレーサを用い
て、試験片として外径２４φ、内径１６φ、厚さ１６ｍ
ｍのリングを作製して磁束密度を測定した。
２Ｈｒ保持し、次いで冷却速度１００℃／Ｈｒという熱
処理を施した後、磁束密度およびパルス磁気応答性を測
定し、また加工性の試験を行いその結果を表２に示し
た。磁束密度については、直流型ＢＨトレーサを用い
て、試験片として外径２４φ、内径１６φ、厚さ１６ｍ
ｍのリングを作製して磁束密度を測定した。
【０２２０】パルス磁気応答性については、外径１０ｍ
ｍ、内径６ｍｍ、厚さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍのスリット
を設けたリング状試験片に、一次、二次の２つのコイル
を各々２０ターン巻き、一次コイルにパルス電流を印可
し、デジタルオシロスコープにより二次電圧を測定、積
分することにより磁束密度を測定する。ここで印可した
パルス電流波形を図１に示す。
ｍ、内径６ｍｍ、厚さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍのスリット
を設けたリング状試験片に、一次、二次の２つのコイル
を各々２０ターン巻き、一次コイルにパルス電流を印可
し、デジタルオシロスコープにより二次電圧を測定、積
分することにより磁束密度を測定する。ここで印可した
パルス電流波形を図１に示す。
【０２３０】
【図１】
【０２４０】このときの磁束密度の最大値から（１−１
／ｅ）ｘ１００％（６３％程度に相当）低下するのに要
した時間、すなわち緩和時間（μｓｅｃ）を測定したも
のである。この測定法の概念図を図２に示す。
／ｅ）ｘ１００％（６３％程度に相当）低下するのに要
した時間、すなわち緩和時間（μｓｅｃ）を測定したも
のである。この測定法の概念図を図２に示す。
【０２５０】
【図２】
【０２６０】加工性については、外径２５ｍｍに切削・
研磨後に万能試験機を用いて常温下で圧縮試験を行い、
試験片表面を目視で観察し、割れが発生したときの圧下
率が８０％以上の場合は良好（○）とした。この結果を
表２に示す。
研磨後に万能試験機を用いて常温下で圧縮試験を行い、
試験片表面を目視で観察し、割れが発生したときの圧下
率が８０％以上の場合は良好（○）とした。この結果を
表２に示す。
【０２７０】
【表２】
【０２８０】表２から知られるように、比較鋼であるＭ
鋼はパルス磁気応答性は優れているが、磁束密度および
加工性については劣っている。Ｎ鋼は磁束密度、加工性
は優れているがパルス磁気応答性は劣っている。Ｏ鋼は
パルス磁気応答性および加工性は優れているが、磁束密
度は劣っている。Ｐ鋼は磁束密度、加工性は優れている
がパルス磁気応答性は劣っている。Ｑ鋼はパルス磁気応
答性および磁束密度は優れているが、加工性は劣ってい
る。
鋼はパルス磁気応答性は優れているが、磁束密度および
加工性については劣っている。Ｎ鋼は磁束密度、加工性
は優れているがパルス磁気応答性は劣っている。Ｏ鋼は
パルス磁気応答性および加工性は優れているが、磁束密
度は劣っている。Ｐ鋼は磁束密度、加工性は優れている
がパルス磁気応答性は劣っている。Ｑ鋼はパルス磁気応
答性および磁束密度は優れているが、加工性は劣ってい
る。
【０２９０】Ｒ鋼は磁束密度、加工性は優れているが、
パルス磁気応答性は劣っている。Ｓ鋼およびＴ鋼は、パ
ルス磁気応答性と加工性は優れているが磁束密度は劣っ
ている。
パルス磁気応答性は劣っている。Ｓ鋼およびＴ鋼は、パ
ルス磁気応答性と加工性は優れているが磁束密度は劣っ
ている。
【０３００】また比較鋼であるＵ鋼およびＶ鋼は、磁束
密度と加工性は優れているもののパルス磁気応答性は劣
っている
密度と加工性は優れているもののパルス磁気応答性は劣
っている
【０３１０】これらに対して、発明鋼Ａ〜Ｆ鋼は、重量
比で、Ｃ＋Ｎを０．０２０％以下、Ｓｉを０．１〜２．
０％、Ａｌを１．０〜４．０％、Ｃｒを２．０〜７．０
％を含有することによって、また、さらにＴｉを０．０
１〜０．１０％、Ｎｂを０．０１〜０．１０％の１種ま
たは２種を含有することによって磁束密度（Ｂ20）は１
３０００Ｇ以上で、パルス磁気応答性は１４μｓｅｃ以
下で、かつ加工性も良好である。
比で、Ｃ＋Ｎを０．０２０％以下、Ｓｉを０．１〜２．
０％、Ａｌを１．０〜４．０％、Ｃｒを２．０〜７．０
％を含有することによって、また、さらにＴｉを０．０
１〜０．１０％、Ｎｂを０．０１〜０．１０％の１種ま
たは２種を含有することによって磁束密度（Ｂ20）は１
３０００Ｇ以上で、パルス磁気応答性は１４μｓｅｃ以
下で、かつ加工性も良好である。
【０３２０】さらに発明鋼Ｇ〜Ｌ鋼はパルス磁気応答性
が１３μｓｅｃ以下であり、特にＧ鋼およびＩ鋼は１
１．５μｓｅｃと著しく優れている。
が１３μｓｅｃ以下であり、特にＧ鋼およびＩ鋼は１
１．５μｓｅｃと著しく優れている。
【０３３０】
【発明の効果】本発明は以上説明したように、Ｆｅ−Ｓ
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系においてＳｉ、Ａｌ、Ｃｒを適量
に複合添加し、ＣおよびＮを極力低減させ、さらにはＴ
ｉあるいはＮｂを添加することによって、優れた磁束密
度、パルス磁気応答性、加工性を兼ね合わせ持つもので
ある。さらにＳｉ、Ａｌ、Ｃｒの合金について式１：１
１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．
２Ｃｒ≧６０、および式２：３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０
Ｃｒ≦３５０を満足することにより一層パルス磁気応答
性を改善したものである。本発明は、電子燃料噴射制御
装置等の電磁弁として使用されるパルス作動型磁芯部品
に最適な軟磁性材料である。また、近年の自動制御関連
に需要の多いパルスモーターの磁芯部品としても高い実
用性を有するものである。
ｉ−Ａｌ−Ｃｒ合金系においてＳｉ、Ａｌ、Ｃｒを適量
に複合添加し、ＣおよびＮを極力低減させ、さらにはＴ
ｉあるいはＮｂを添加することによって、優れた磁束密
度、パルス磁気応答性、加工性を兼ね合わせ持つもので
ある。さらにＳｉ、Ａｌ、Ｃｒの合金について式１：１
１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａｌ）＋３．
２Ｃｒ≧６０、および式２：３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０
Ｃｒ≦３５０を満足することにより一層パルス磁気応答
性を改善したものである。本発明は、電子燃料噴射制御
装置等の電磁弁として使用されるパルス作動型磁芯部品
に最適な軟磁性材料である。また、近年の自動制御関連
に需要の多いパルスモーターの磁芯部品としても高い実
用性を有するものである。
【図１】印可した電流のパルス波形を示す図である。
【図２】パルス磁気応答性を測定する方法の概念図であ
る。
る。
【表１】
【表１】
Claims (4)
- 【請求項１】 重量比で、Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、
Ｓｉ；０．１〜２．０％、Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃ
ｒ；２．０〜７．０％を含有し、残部はＦｅおよび不可
避的な不純物からなることを特徴とするパルス磁気応答
性に優れた軟磁性材料。 - 【請求項２】 重量比で、Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、
Ｓｉ；０．１〜２．０％、Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃ
ｒ；２．０〜７．０％を含有し、さらにＴｉ；０．０１
〜０．１０％、Ｎｂ；０．０１〜０．１０％の１種また
は２種を含有し、残部はＦｅおよび不可避的な不純物か
らなることを特徴とするパルス磁気応答性に優れた軟磁
性材料。 - 【請求項３】 重量比で、Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、
Ｓｉ；０．１〜２．０％、Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃ
ｒ；２．０〜７．０％を含有し、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒは、 式１；１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａ
ｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ 式２；３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足し、残部はＦｅおよび不可避的な不純物からなる
ことを特徴とするパルス磁気応答性に優れた軟磁性材
料。 - 【請求項４】 重量比で、Ｃ＋Ｎ；０．０２０％以下、
Ｓｉ；０．１〜２．０％、Ａｌ；１．０〜４．０％、Ｃ
ｒ；２．０〜７．０％を含有し、さらにＴｉ；０．０１
〜０．１０％、Ｎｂ；０．０１〜０．１０％の１種また
は２種を含有し、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒは、 式１；１１（Ｓｉ＋Ａｌ）＋０．８５Ｃｒ（Ｓｉ＋Ａ
ｌ）＋３．２Ｃｒ≧６０ 式２；３７Ｓｉ＋３９Ａｌ＋２０Ｃｒ≦３５０ を満足し、残部はＦｅおよび不可避的な不純物からなる
ことを特徴とするパルス磁気応答性に優れた軟磁性材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245558A JPH0790506A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パルス磁気応答性に優れた軟磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4245558A JPH0790506A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パルス磁気応答性に優れた軟磁性材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790506A true JPH0790506A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=17135496
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4245558A Pending JPH0790506A (ja) | 1992-08-20 | 1992-08-20 | パルス磁気応答性に優れた軟磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790506A (ja) |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP4245558A patent/JPH0790506A/ja active Pending
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