JPH0790566A - Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 - Google Patents
Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法Info
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- JPH0790566A JPH0790566A JP24982193A JP24982193A JPH0790566A JP H0790566 A JPH0790566 A JP H0790566A JP 24982193 A JP24982193 A JP 24982193A JP 24982193 A JP24982193 A JP 24982193A JP H0790566 A JPH0790566 A JP H0790566A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光磁気記録媒体等に用いる金属反射層の成膜
に用いると、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の
特性のバラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率
を高くすることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低
下させることができ、例えばより一層高い記録感度をも
つ光磁気記録媒体等の光記録媒体が得られる、Ａｌ合金
スパッタ用ターゲットとその製造方法を提供する。 【構成】 Ｍ含有量１〜４０wt％のＡｌ−Ｍ合金から形
成されており、鏡面加工して走査型電子顕微鏡観察を行
ったとき、平均粒径５μm 以下のＭリッチの微細粒を含
有するグレインをもち、さらにグレイン周囲に、Ｍリッ
チの第２の微細粒を有するバウンダリー層を有するスパ
ッタ用ターゲットで、Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷
法により粉末とし、得られた微細粉末を加圧成形する。
に用いると、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の
特性のバラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率
を高くすることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低
下させることができ、例えばより一層高い記録感度をも
つ光磁気記録媒体等の光記録媒体が得られる、Ａｌ合金
スパッタ用ターゲットとその製造方法を提供する。 【構成】 Ｍ含有量１〜４０wt％のＡｌ−Ｍ合金から形
成されており、鏡面加工して走査型電子顕微鏡観察を行
ったとき、平均粒径５μm 以下のＭリッチの微細粒を含
有するグレインをもち、さらにグレイン周囲に、Ｍリッ
チの第２の微細粒を有するバウンダリー層を有するスパ
ッタ用ターゲットで、Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷
法により粉末とし、得られた微細粉末を加圧成形する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属薄膜の製造に用い
るＡｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法に
関する。
るＡｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】各種光記録媒体が実用化されているが、
そのうち、光磁気記録媒体は情報容量が大きい点で有望
視され、近年その開発進歩が著しい。光磁気記録媒体
は、透明基板上に、誘電体層を介して記録層磁性膜を設
けて構成されている。そして、最近では、記録層上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層に金属反射層を設け、再生信号
の出力を高めている。
そのうち、光磁気記録媒体は情報容量が大きい点で有望
視され、近年その開発進歩が著しい。光磁気記録媒体
は、透明基板上に、誘電体層を介して記録層磁性膜を設
けて構成されている。そして、最近では、記録層上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層に金属反射層を設け、再生信号
の出力を高めている。
【０００３】このような金属反射層としては、光反射率
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。そのうちでも特公平５−２４５７１号公報によれ
ば、特にＡｌ−Ｎｉ合金が、Ａｌ単独の反射層で発生す
る白濁を防止するためにすぐれているとされている。そ
して、特開昭６１−１９４６６４号公報では、Ａｌ−Ｎ
ｉ合金のうち、Ｎｉを２〜１０at％含むものが記録感度
や再生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。この
ような金属反射層の成膜には、一般に製造の容易さ等の
理由でスパッタ法が用いられている。
やコストの点でＡｌないしＡｌ合金が有望とされてい
る。そのうちでも特公平５−２４５７１号公報によれ
ば、特にＡｌ−Ｎｉ合金が、Ａｌ単独の反射層で発生す
る白濁を防止するためにすぐれているとされている。そ
して、特開昭６１−１９４６６４号公報では、Ａｌ−Ｎ
ｉ合金のうち、Ｎｉを２〜１０at％含むものが記録感度
や再生のＣ／Ｎの点ですぐれているとされている。この
ような金属反射層の成膜には、一般に製造の容易さ等の
理由でスパッタ法が用いられている。
【０００４】このような金属反射層では、その熱伝導率
を低下させることで記録感度をさらに高めることができ
る。そこで、Ａｌ合金の熱伝導率を低下させるために
は、Ｎｉ含有量を増加させたスパッタ用ターゲットを用
い、熱伝導率を低下させた金属反射層を成膜することが
望ましい。
を低下させることで記録感度をさらに高めることができ
る。そこで、Ａｌ合金の熱伝導率を低下させるために
は、Ｎｉ含有量を増加させたスパッタ用ターゲットを用
い、熱伝導率を低下させた金属反射層を成膜することが
望ましい。
【０００５】しかし、例えばＮｉ含有量を増加させたＡ
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットは、従来法である押
出し成形法により製造した場合、膜質が均一とならず、
Ｎｉリッチ相がターゲット面上で偏析してしまう。そし
て、このようなＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットを
用いて成膜した金属反射層中のＮｉの含有量分布が不均
一になりやすく、金属反射層としての特性のバラツキ等
が生じ、所望の特性が得られない。
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットは、従来法である押
出し成形法により製造した場合、膜質が均一とならず、
Ｎｉリッチ相がターゲット面上で偏析してしまう。そし
て、このようなＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットを
用いて成膜した金属反射層中のＮｉの含有量分布が不均
一になりやすく、金属反射層としての特性のバラツキ等
が生じ、所望の特性が得られない。
【０００６】このようなＡｌ−Ｎｉ合金の他、Ａｌと、
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎ等とその合
金をターゲットとするときも同様の現象が生じる。
Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍ
ｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺｎ等とその合
金をターゲットとするときも同様の現象が生じる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、例え
ば光磁気記録媒体等の金属反射層などの成膜に用いたと
き、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の特性のバ
ラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率を高くす
ることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低下させる
ことができ、例えばより一層高い記録感度をもつ光磁気
記録媒体等の光記録媒体が得られる、Ａｌ合金スパッタ
用ターゲットとその製造方法とを提供することである。
ば光磁気記録媒体等の金属反射層などの成膜に用いたと
き、膜中の合金組成が均一で、金属反射層等の特性のバ
ラツキが少なく、さらに合金構成成分の含有率を高くす
ることが可能で、金属反射層等の熱伝導率を低下させる
ことができ、例えばより一層高い記録感度をもつ光磁気
記録媒体等の光記録媒体が得られる、Ａｌ合金スパッタ
用ターゲットとその製造方法とを提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的は下記
（１）〜（１４）の本発明により達成される。 （１）Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）
から形成されており、鏡面加工をして走査型電子顕微鏡
観察を行ったとき、平均粒径５μm 以下の前記Ｍリッチ
の微細粒を含有するグレインをもつＡｌ合金スパッタ用
ターゲット。 （２）前記Ｍの含有量が１〜４０wt％である上記（１）
のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （３）前記ＭがＮｉであり、Ｎｉ含有量２〜４０wt％の
Ａｌ−Ｎｉ合金から形成されている上記（１）または
（２）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （４）前記グレインの平均径が１μm 〜１mmである上記
（１）〜（３）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲ
ット。 （５）前記微細粒が、前記グレイン中に面積比で５〜８
０％存在する上記（１）〜（４）のいずれかのＡｌ合金
スパッタ用ターゲット。 （６）前記グレイン周囲にバウンダリー層を有し、この
バウンダリー層中にＭリッチの第２の微細粒を有する上
記（１）〜（５）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ター
ゲット。 （７）前記第２の微細粒の平均粒径が０．１〜１０μm
である上記（６）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （８）前記第２の微細粒が、前記バウンダリー層中に面
積比で５〜８０％存在する上記（６）または（７）のＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲット。 （９）Ａｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形した上記（１）〜
（８）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１０）光記録媒体の反射膜の成膜に用いる上記（１）
〜（８）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１１）Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷法により粉末
とし、得られたＡｌ−Ｍ合金の粉末を、加圧成形するＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲットの製造方法。 （１２）前記加圧成形が、Ａｌの融点未満の温度で行わ
れる上記（11）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造
方法。 （１３）前記高速急冷法により得られた微細粉末に、さ
らにＭリッチの微細粒を添加して加圧成形する上記（1
1）または（12）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製
造方法。 （１４）前記Ａｌ−Ｍ合金の粉末中にＭリッチの微細粒
が存在する上記（11）〜（13）のいずれかのＡｌ合金ス
パッタ用ターゲットの製造方法。
（１）〜（１４）の本発明により達成される。 （１）Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、
Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）
から形成されており、鏡面加工をして走査型電子顕微鏡
観察を行ったとき、平均粒径５μm 以下の前記Ｍリッチ
の微細粒を含有するグレインをもつＡｌ合金スパッタ用
ターゲット。 （２）前記Ｍの含有量が１〜４０wt％である上記（１）
のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （３）前記ＭがＮｉであり、Ｎｉ含有量２〜４０wt％の
Ａｌ−Ｎｉ合金から形成されている上記（１）または
（２）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （４）前記グレインの平均径が１μm 〜１mmである上記
（１）〜（３）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲ
ット。 （５）前記微細粒が、前記グレイン中に面積比で５〜８
０％存在する上記（１）〜（４）のいずれかのＡｌ合金
スパッタ用ターゲット。 （６）前記グレイン周囲にバウンダリー層を有し、この
バウンダリー層中にＭリッチの第２の微細粒を有する上
記（１）〜（５）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ター
ゲット。 （７）前記第２の微細粒の平均粒径が０．１〜１０μm
である上記（６）のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （８）前記第２の微細粒が、前記バウンダリー層中に面
積比で５〜８０％存在する上記（６）または（７）のＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲット。 （９）Ａｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形した上記（１）〜
（８）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１０）光記録媒体の反射膜の成膜に用いる上記（１）
〜（８）のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 （１１）Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷法により粉末
とし、得られたＡｌ−Ｍ合金の粉末を、加圧成形するＡ
ｌ合金スパッタ用ターゲットの製造方法。 （１２）前記加圧成形が、Ａｌの融点未満の温度で行わ
れる上記（11）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造
方法。 （１３）前記高速急冷法により得られた微細粉末に、さ
らにＭリッチの微細粒を添加して加圧成形する上記（1
1）または（12）のＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製
造方法。 （１４）前記Ａｌ−Ｍ合金の粉末中にＭリッチの微細粒
が存在する上記（11）〜（13）のいずれかのＡｌ合金ス
パッタ用ターゲットの製造方法。
【０００９】
【作用および効果】本発明のスパッタ用ターゲットは、
Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）であ
る。そして、好ましくはＡｌ−Ｍ合金を溶融して高速急
冷法により粉末とし、得られた粉末を、好ましくはＡｌ
の融点未満の温度で加圧成形して得られるもので、平均
粒径５μm 以下のＭリッチの微細粒を含有するグレイン
をもつ。この場合、微細粒は全体のＭ含有量よりもＭ過
剰の金属間化合物を主体とし、全体のＭの含有量は、好
ましくは１〜４０wt％である。このターゲットは、従来
の押出し成形法により製造したＡｌ−Ｍ合金スパッタ用
ターゲットと比較して、Ｍの組成が均質である。すなわ
ち、例えばＭとしてＮｉを用いたとき、直径５インチ
（約１２７mm）のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲット
のスパッタ面を、縦および横方向にそれぞれ直径の１／
６の長さで等間隔に区切り、得られた３２区画のＮｉの
平均含有量を測定すると、押出し成形法によるターゲッ
トでは、Ｎｉリッチ相の微細粒は比較的均一に分布して
いるが、一軸方向に配向するので区画ごとのＮｉの平均
含有量が変化しており、区画ごとの平均含有量のバラツ
キは全体としてのＮｉ含有量増加させると著しくバラツ
いてしまう。すなわち、押出し成形法では、Ｎｉ含有量
を例えば６wt％超とすると、押出し方向に縞状にＮｉリ
ッチ相が偏析・偏在し、前記の区画ごとの平均含有量が
同一のターゲットを製造することはできない。一方、本
発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットでは、Ｎｉ
リッチの微細粒はグレイン内部、あるいはこれに加えグ
レイン近傍のバウンダリー層に偏在してはいるが、前記
の区画内のＮｉの平均含有量は、Ｎｉ含有量が多くても
区画間でほぼ同一である。
Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、
Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）であ
る。そして、好ましくはＡｌ−Ｍ合金を溶融して高速急
冷法により粉末とし、得られた粉末を、好ましくはＡｌ
の融点未満の温度で加圧成形して得られるもので、平均
粒径５μm 以下のＭリッチの微細粒を含有するグレイン
をもつ。この場合、微細粒は全体のＭ含有量よりもＭ過
剰の金属間化合物を主体とし、全体のＭの含有量は、好
ましくは１〜４０wt％である。このターゲットは、従来
の押出し成形法により製造したＡｌ−Ｍ合金スパッタ用
ターゲットと比較して、Ｍの組成が均質である。すなわ
ち、例えばＭとしてＮｉを用いたとき、直径５インチ
（約１２７mm）のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲット
のスパッタ面を、縦および横方向にそれぞれ直径の１／
６の長さで等間隔に区切り、得られた３２区画のＮｉの
平均含有量を測定すると、押出し成形法によるターゲッ
トでは、Ｎｉリッチ相の微細粒は比較的均一に分布して
いるが、一軸方向に配向するので区画ごとのＮｉの平均
含有量が変化しており、区画ごとの平均含有量のバラツ
キは全体としてのＮｉ含有量増加させると著しくバラツ
いてしまう。すなわち、押出し成形法では、Ｎｉ含有量
を例えば６wt％超とすると、押出し方向に縞状にＮｉリ
ッチ相が偏析・偏在し、前記の区画ごとの平均含有量が
同一のターゲットを製造することはできない。一方、本
発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットでは、Ｎｉ
リッチの微細粒はグレイン内部、あるいはこれに加えグ
レイン近傍のバウンダリー層に偏在してはいるが、前記
の区画内のＮｉの平均含有量は、Ｎｉ含有量が多くても
区画間でほぼ同一である。
【００１０】すなわち、本発明によれば、より一層高い
Ｍ含有量とするときにも、Ｍ量が均質なＡｌ−Ｍ合金ス
パッタ用ターゲットを製造することができる。従って、
本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲットを用いるこ
とで、Ｍ含有率を多くして、熱伝導率が低く、より一層
高い記録感度をもつ光磁気記録媒体用等の金属反射層等
の成膜が可能となる。
Ｍ含有量とするときにも、Ｍ量が均質なＡｌ−Ｍ合金ス
パッタ用ターゲットを製造することができる。従って、
本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲットを用いるこ
とで、Ｍ含有率を多くして、熱伝導率が低く、より一層
高い記録感度をもつ光磁気記録媒体用等の金属反射層等
の成膜が可能となる。
【００１１】また、光磁気記録媒体、例えばミニディス
クでは、ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）が特に３．
０×１０-2以下となる記録パワー下限値（Ｐmin ）に対
し、Ｐmin ×１．４として表わされる最適記録パワー
（Ｐ0 ）、すなわち光磁気記録媒体に記録するための記
録書き込み光の最適パワーが、低ければ低いほど記録感
度は高くなる。このＰ0 は、例えばＭとしてＮｉを用い
たとき、金属反射層厚が同じであれば、Ａｌ−Ｎｉ合金
製金属反射層のＮｉ含有率が高いほど低下し、金属反射
層厚が薄いほど低下する。このときＮｉ含有率が高いほ
ど金属反射層厚の変化に対するＰ0 の変化も小さくな
る。すなわち、金属反射層の製造に際し、膜厚を厚くし
てもＰ0 は高くならず、製造上の膜厚制御マージンが広
がり、また膜厚を薄くせざるをえなくなって反射性が低
下したり、高温高湿下での耐食性が低下するということ
も無くなり製造上の大きなメリットとなる。
クでは、ブロックエラーレート（ＢＬＥＲ）が特に３．
０×１０-2以下となる記録パワー下限値（Ｐmin ）に対
し、Ｐmin ×１．４として表わされる最適記録パワー
（Ｐ0 ）、すなわち光磁気記録媒体に記録するための記
録書き込み光の最適パワーが、低ければ低いほど記録感
度は高くなる。このＰ0 は、例えばＭとしてＮｉを用い
たとき、金属反射層厚が同じであれば、Ａｌ−Ｎｉ合金
製金属反射層のＮｉ含有率が高いほど低下し、金属反射
層厚が薄いほど低下する。このときＮｉ含有率が高いほ
ど金属反射層厚の変化に対するＰ0 の変化も小さくな
る。すなわち、金属反射層の製造に際し、膜厚を厚くし
てもＰ0 は高くならず、製造上の膜厚制御マージンが広
がり、また膜厚を薄くせざるをえなくなって反射性が低
下したり、高温高湿下での耐食性が低下するということ
も無くなり製造上の大きなメリットとなる。
【００１２】またさらに、本発明あるいは押出し成形法
により製造したＡｌ合金スパッタ用ターゲットを用いて
その直上に基板固定してスパッタを行ない、得られた金
属層について、ターゲット中心から径方向にＭ含有率を
測定すると、押出し成形法によるターゲットを用いた場
合、金属層中のＭ含有率は、ターゲット中心付近でＭ含
有率が低く、測定位置を径方向に移動していくと、Ｍ含
有率は大きく増加していく。しかし、本発明のターゲッ
トを用いた場合には、ターゲット中心付近では、ターゲ
ットのＭ含有率とほぼ同等の薄膜が安定して得られ、ま
た金属層中のＭ含有率の径方向の変化も格段と小さい。
により製造したＡｌ合金スパッタ用ターゲットを用いて
その直上に基板固定してスパッタを行ない、得られた金
属層について、ターゲット中心から径方向にＭ含有率を
測定すると、押出し成形法によるターゲットを用いた場
合、金属層中のＭ含有率は、ターゲット中心付近でＭ含
有率が低く、測定位置を径方向に移動していくと、Ｍ含
有率は大きく増加していく。しかし、本発明のターゲッ
トを用いた場合には、ターゲット中心付近では、ターゲ
ットのＭ含有率とほぼ同等の薄膜が安定して得られ、ま
た金属層中のＭ含有率の径方向の変化も格段と小さい。
【００１３】すなわち、本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ
用ターゲットを用いることで、スパッタの際のターゲッ
ト中心から径方向の位置の違いによる金属反射層中のＭ
含有率の変化が小さく、特にターゲット直上付近での薄
膜中のＭ含有率がターゲット組成とほぼ等しいという特
段の効果が合わせて得られる。このような効果は、本発
明のターゲットによりはじめて得られた効果である。
用ターゲットを用いることで、スパッタの際のターゲッ
ト中心から径方向の位置の違いによる金属反射層中のＭ
含有率の変化が小さく、特にターゲット直上付近での薄
膜中のＭ含有率がターゲット組成とほぼ等しいという特
段の効果が合わせて得られる。このような効果は、本発
明のターゲットによりはじめて得られた効果である。
【００１４】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【００１５】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）か
ら形成されており、平均粒径５μm 以下、より好ましく
は０．０１〜２μm の前記Ｍリッチの微細粒を含有する
グレインをもつ。そして、好ましくはＭの含有量は１〜
４０wt％である。Ｍ含有量が少なすぎると、本発明の実
効が少なくなり、また例えば金属反射層を成膜したと
き、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、媒体の記
録感度が低下してくる。また多すぎても本発明の実効が
少なくなる他、例えば金属反射層としてアモルファス状
態を維持できなくなって、金属反射層としての反射率が
低下しやすくなり、媒体のＣ／Ｎ比も劣化してくる。
は、Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）か
ら形成されており、平均粒径５μm 以下、より好ましく
は０．０１〜２μm の前記Ｍリッチの微細粒を含有する
グレインをもつ。そして、好ましくはＭの含有量は１〜
４０wt％である。Ｍ含有量が少なすぎると、本発明の実
効が少なくなり、また例えば金属反射層を成膜したと
き、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、媒体の記
録感度が低下してくる。また多すぎても本発明の実効が
少なくなる他、例えば金属反射層としてアモルファス状
態を維持できなくなって、金属反射層としての反射率が
低下しやすくなり、媒体のＣ／Ｎ比も劣化してくる。
【００１６】次に、本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用タ
ーゲットのＭとして最も好ましいＮｉを用い、特にミニ
ディスク等の光磁気記録媒体の金属反射層を成膜する場
合を例として説明する。なお、Ｎｉ以外の前記Ｍでも、
そのマイクロストラクチャー等は以下と同様である。
ーゲットのＭとして最も好ましいＮｉを用い、特にミニ
ディスク等の光磁気記録媒体の金属反射層を成膜する場
合を例として説明する。なお、Ｎｉ以外の前記Ｍでも、
そのマイクロストラクチャー等は以下と同様である。
【００１７】本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲッ
トのＭとしてＮｉを用いる場合は、Ｎｉ含有量が２〜４
０wt％、より好ましくは３〜２０wt％、特に６〜１０wt
％であることが好ましい。Ｎｉ含有量が少なすぎると、
例えば金属反射層を成膜したとき、前記のように、金属
反射層の熱伝導率が高くなりやすく、記録感度が低下し
てくる。また多すぎると、金属反射層がアモルファス状
態を維持できなくなってくるとともに、金属反射層の反
射率が低下しやすくなり、Ｃ／Ｎ比が劣化してくる。
トのＭとしてＮｉを用いる場合は、Ｎｉ含有量が２〜４
０wt％、より好ましくは３〜２０wt％、特に６〜１０wt
％であることが好ましい。Ｎｉ含有量が少なすぎると、
例えば金属反射層を成膜したとき、前記のように、金属
反射層の熱伝導率が高くなりやすく、記録感度が低下し
てくる。また多すぎると、金属反射層がアモルファス状
態を維持できなくなってくるとともに、金属反射層の反
射率が低下しやすくなり、Ｃ／Ｎ比が劣化してくる。
【００１８】このような範囲でＮｉを含有し、後述する
方法で製造した本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ター
ゲットは、平均粒径５μm 以下、より好ましくは０．０
１〜２μm のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインを
もつ。すなわち、ターゲット表面を例えばダイアパウダ
ーによりスズ定盤上でポリッシングして鏡面加工したの
ち、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察を行なう
と、粒界が明確に確認されるグレインをもつ。本明細書
において、Ｎｉリッチの微細粒を含有するグレインと
は、このような処理で確認されるグレインをいう。一
方、押出し成形法により製造したＡｌ−Ｎｉ合金スパッ
タ用ターゲットでは、前記の鏡面加工後、さらに塩化鉄
水溶液でエッチング加工を施してはじめてグレインが確
認されることはあるが、前記の鏡面加工のみではグレイ
ンは確認されない。
方法で製造した本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ター
ゲットは、平均粒径５μm 以下、より好ましくは０．０
１〜２μm のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインを
もつ。すなわち、ターゲット表面を例えばダイアパウダ
ーによりスズ定盤上でポリッシングして鏡面加工したの
ち、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による観察を行なう
と、粒界が明確に確認されるグレインをもつ。本明細書
において、Ｎｉリッチの微細粒を含有するグレインと
は、このような処理で確認されるグレインをいう。一
方、押出し成形法により製造したＡｌ−Ｎｉ合金スパッ
タ用ターゲットでは、前記の鏡面加工後、さらに塩化鉄
水溶液でエッチング加工を施してはじめてグレインが確
認されることはあるが、前記の鏡面加工のみではグレイ
ンは確認されない。
【００１９】グレインの平均径は、好ましくは１μm 〜
１mm、より好ましくは２〜１００μm である。この場
合、平均粒径や平均径は、ＳＥＭ視野下での５０個程度
のグレインの最大長辺の平均で表わす。そして、Ｎｉリ
ッチ（Ｍリッチ）微細粒はＳＥＭ視野下、一定量グレイ
ン内に存在し、好ましくはグレイン中に面積比で５〜８
０％、より好ましくは１５〜５０％存在する。そして、
グレインのほとんどが、主に球状あるいは偏平状に近い
形状をもつ。
１mm、より好ましくは２〜１００μm である。この場
合、平均粒径や平均径は、ＳＥＭ視野下での５０個程度
のグレインの最大長辺の平均で表わす。そして、Ｎｉリ
ッチ（Ｍリッチ）微細粒はＳＥＭ視野下、一定量グレイ
ン内に存在し、好ましくはグレイン中に面積比で５〜８
０％、より好ましくは１５〜５０％存在する。そして、
グレインのほとんどが、主に球状あるいは偏平状に近い
形状をもつ。
【００２０】さらに、このようなグレイン周囲には通常
バウンダリー層が存在し、このバウンダリー層中にもＮ
ｉリッチの第２の微細粒を有する。そしてこの第２の微
細粒は、主にグレイン近傍に存在し、平均粒径としては
０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜５μm で、バウ
ンダリー層中に面積比で５〜８０％、より好ましくは１
５〜６０％存在する。これら、グレイン中のＮｉリッチ
の微細粒や、バウンダリー層中に存在する第２の微細粒
は、主に金属間化合物ＮｉＡｌ3 を主体とし、さらに、
Ａｌ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有量が２５〜４０wt％の場
合、Ｎｉ2 Ａｌ3やＮｉＡｌ等の合金（金属間化合物）
として存在することもある。これらは、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）により確認することができる。なお、バウンダリー
層の厚さは５〜２０μm 程度、また、面積比は０〜３０
％、特に５〜２０％であることが好ましい。ただし、後
述する加圧成形法、特に加熱を伴なわない成形を行なう
場合は、上記のようなバウンダリー層がほとんど存在せ
ず、グレイン近傍にＮｉリッチの微細粒が存在する層の
み有する場合もある。この場合、Ｎｉリッチの微細粒と
ともに空隙が存在することもある。なお、このようなＡ
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットのＮｉリッチの微細
粒等は特にＳＥＭよる組成像からの確認が有効である。
また、このようなＮｉリッチ相を除く部分は、実質的に
アルミニウム相であり、さらに、これらの組成成分のほ
かに、ターゲット組成中には原料の不純物等に由来する
例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等が１０００ppm 程度以下、ま
たＯやＮ等が１０００ppm 程度以下含まれていてもよ
い。
バウンダリー層が存在し、このバウンダリー層中にもＮ
ｉリッチの第２の微細粒を有する。そしてこの第２の微
細粒は、主にグレイン近傍に存在し、平均粒径としては
０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜５μm で、バウ
ンダリー層中に面積比で５〜８０％、より好ましくは１
５〜６０％存在する。これら、グレイン中のＮｉリッチ
の微細粒や、バウンダリー層中に存在する第２の微細粒
は、主に金属間化合物ＮｉＡｌ3 を主体とし、さらに、
Ａｌ−Ｎｉ合金中のＮｉ含有量が２５〜４０wt％の場
合、Ｎｉ2 Ａｌ3やＮｉＡｌ等の合金（金属間化合物）
として存在することもある。これらは、Ｘ線回折（ＸＲ
Ｄ）により確認することができる。なお、バウンダリー
層の厚さは５〜２０μm 程度、また、面積比は０〜３０
％、特に５〜２０％であることが好ましい。ただし、後
述する加圧成形法、特に加熱を伴なわない成形を行なう
場合は、上記のようなバウンダリー層がほとんど存在せ
ず、グレイン近傍にＮｉリッチの微細粒が存在する層の
み有する場合もある。この場合、Ｎｉリッチの微細粒と
ともに空隙が存在することもある。なお、このようなＡ
ｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲットのＮｉリッチの微細
粒等は特にＳＥＭよる組成像からの確認が有効である。
また、このようなＮｉリッチ相を除く部分は、実質的に
アルミニウム相であり、さらに、これらの組成成分のほ
かに、ターゲット組成中には原料の不純物等に由来する
例えばＳｉ、Ｆｅ、Ｃｕ等が１０００ppm 程度以下、ま
たＯやＮ等が１０００ppm 程度以下含まれていてもよ
い。
【００２１】以上では、前記ＭとしてＮｉを用いたとき
について説明してきたが、Ｎｉ以外の金属を用いた場合
のＡｌ合金中の好ましいＭ含有量や、グレイン中のＭリ
ッチの微細粒およびバウンダリー層中に存在する第２の
微細粒の、存在形態等を以下に示す。
について説明してきたが、Ｎｉ以外の金属を用いた場合
のＡｌ合金中の好ましいＭ含有量や、グレイン中のＭリ
ッチの微細粒およびバウンダリー層中に存在する第２の
微細粒の、存在形態等を以下に示す。
【００２２】ＭがＭｇの場合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜
４０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒としては金
属間化合物ＡｌＭｇのβ相が偏析する。ＭがＴｉの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。また
Ｍリッチの微細粒は主にＴｉＡｌ3 が主体となる。Ｍが
Ｈｆの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好まし
い。ＭがＶの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が
好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＶＡｌ6 やＶＡ
ｌ5 が主体となる。ＭがＮｂまたはＴａの場合、Ａｌ中
のＭ含有量はいずれの場合も１〜３０wt％が好ましい。
ＭがＣｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が好
ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｒＡｌ7 を主体
とし、さらにＭ含有量が１０〜２０wt％の場合、Ｃｒ12
Ａｌ11、ＣｒＡｌ4 として存在することもある。ＭがＭ
ｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主にＭｏＡｌ12が主体とな
る。ＭがＷの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が
好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＷＡｌ12が主体
となる。ＭがＭｎの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０
wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＭｎＡｌ
6 やＭｎＡｌ4 が主体となる。ＭがＦｅの場合、Ａｌ中
のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。またＭリッチの
微細粒は主にＦｅＡｌ3 やＦｅ2 Ａｌ5 が主体となる。
ＭがＣｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好
ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｏ 2 Ａｌ9 を主
体とし、さらにＭ含有量が２０〜３０wt％の場合、Ｃｏ
4 Ａｌ13、Ｃｏ2 Ａｌ5 として存在することもある。Ｍ
がＣｕの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好ま
しい。またＭリッチの微細粒は主に金属間化合物ＡｌＣ
ｕのθ相が偏析する。ＭがＺｎの場合、Ａｌ中のＭ含有
量は１〜３０wt％が好ましい。またＡｌ−ＺｎはＺｎの
重力偏析が生じる。
４０wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒としては金
属間化合物ＡｌＭｇのβ相が偏析する。ＭがＴｉの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。また
Ｍリッチの微細粒は主にＴｉＡｌ3 が主体となる。Ｍが
Ｈｆの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好まし
い。ＭがＶの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が
好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＶＡｌ6 やＶＡ
ｌ5 が主体となる。ＭがＮｂまたはＴａの場合、Ａｌ中
のＭ含有量はいずれの場合も１〜３０wt％が好ましい。
ＭがＣｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が好
ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｒＡｌ7 を主体
とし、さらにＭ含有量が１０〜２０wt％の場合、Ｃｒ12
Ａｌ11、ＣｒＡｌ4 として存在することもある。ＭがＭ
ｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主にＭｏＡｌ12が主体とな
る。ＭがＷの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜２０wt％が
好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＷＡｌ12が主体
となる。ＭがＭｎの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０
wt％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主にＭｎＡｌ
6 やＭｎＡｌ4 が主体となる。ＭがＦｅの場合、Ａｌ中
のＭ含有量は２〜４０wt％が好ましい。またＭリッチの
微細粒は主にＦｅＡｌ3 やＦｅ2 Ａｌ5 が主体となる。
ＭがＣｏの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好
ましい。またＭリッチの微細粒は主にＣｏ 2 Ａｌ9 を主
体とし、さらにＭ含有量が２０〜３０wt％の場合、Ｃｏ
4 Ａｌ13、Ｃｏ2 Ａｌ5 として存在することもある。Ｍ
がＣｕの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０wt％が好ま
しい。またＭリッチの微細粒は主に金属間化合物ＡｌＣ
ｕのθ相が偏析する。ＭがＺｎの場合、Ａｌ中のＭ含有
量は１〜３０wt％が好ましい。またＡｌ−ＺｎはＺｎの
重力偏析が生じる。
【００２３】さらに、本発明のＡｌ合金スパッタ用ター
ゲットでは、Ａｌ合金を形成するＭは、例示したこれら
の金属単独のみでなく、これらの金属が２種以上含まれ
たものであってもよい。
ゲットでは、Ａｌ合金を形成するＭは、例示したこれら
の金属単独のみでなく、これらの金属が２種以上含まれ
たものであってもよい。
【００２４】本発明は、グレインの平均径やグレイン中
のこのようなＭリッチの微細粒の平均粒径や存在比率、
さらにバウンダリー層中の第２の微細粒の平均粒径や存
在比率を上記のように制御する。このようなＭリッチ微
細粒の分布は、グレイン内部およびその近傍に存在する
点では微視的には局在的ではあるが、巨視的にはほぼ等
方的である。従って、Ｍ含有量をより高いものとして
も、前記の押出し成形法により得られるターゲットのよ
うな、Ｍ組成のバラツキがなく、Ｍ組成が均質なＡｌ合
金スパッタ用ターゲットが得られる。従って、媒体の反
射層として用いる場合、Ｃ／Ｎ比の劣化なしに記録感度
をより一層高くすることが可能で、さらに金属反射板の
膜厚変化に対するＰ0 の変化が小さくなり、製造上のマ
ージンが広いというメリットももつ金属反射層を得るこ
とが可能となる。また、前記のように、スパッタの際の
ターゲット直上を中心とし、その中心からの位置による
金属反射層中のＭ含有率の変化が少ないというすぐれた
効果も得られる。このような効果は、Ｍとして前記いず
れの金属を用いても得られるが、これらのＭのうちでは
Ｎｉを用いると最も高い効果が得られる。
のこのようなＭリッチの微細粒の平均粒径や存在比率、
さらにバウンダリー層中の第２の微細粒の平均粒径や存
在比率を上記のように制御する。このようなＭリッチ微
細粒の分布は、グレイン内部およびその近傍に存在する
点では微視的には局在的ではあるが、巨視的にはほぼ等
方的である。従って、Ｍ含有量をより高いものとして
も、前記の押出し成形法により得られるターゲットのよ
うな、Ｍ組成のバラツキがなく、Ｍ組成が均質なＡｌ合
金スパッタ用ターゲットが得られる。従って、媒体の反
射層として用いる場合、Ｃ／Ｎ比の劣化なしに記録感度
をより一層高くすることが可能で、さらに金属反射板の
膜厚変化に対するＰ0 の変化が小さくなり、製造上のマ
ージンが広いというメリットももつ金属反射層を得るこ
とが可能となる。また、前記のように、スパッタの際の
ターゲット直上を中心とし、その中心からの位置による
金属反射層中のＭ含有率の変化が少ないというすぐれた
効果も得られる。このような効果は、Ｍとして前記いず
れの金属を用いても得られるが、これらのＭのうちでは
Ｎｉを用いると最も高い効果が得られる。
【００２５】他方、押出し成形法による合金ではこのよ
うなグレインやバウンダリー層、さらにはＭリッチの微
細粒の局在的ではあるがほぼ等方的な分布は認められな
い。押出し成形法により得たターゲットを用いるスパッ
タにより得られた金属反射層は、ターゲット直上を中心
とすると、その中心付近のＭ含有率が低くなる。さら
に、金属反射層の径方向のＭ含有率はターゲット直上中
心からはなれるにつれて増加する。さらに、ターゲット
のＭ含有量が高くなるにつれて、Ｍリッチの微細粒がタ
ーゲット内で押出し方向と平行の縞状に不均一に分布す
るので、ターゲットのＭ含有量が一定しない。そのた
め、そのようなターゲットを用いて成膜した金属反射層
では、均一なＭ含有率とはなりにくい。すなわち、用い
るターゲットのＭ含有量を高くできないため、金属反射
層のＭ含有率を高くできず、これを光磁気記録媒体とし
たとき、記録感度を高くすることができない。
うなグレインやバウンダリー層、さらにはＭリッチの微
細粒の局在的ではあるがほぼ等方的な分布は認められな
い。押出し成形法により得たターゲットを用いるスパッ
タにより得られた金属反射層は、ターゲット直上を中心
とすると、その中心付近のＭ含有率が低くなる。さら
に、金属反射層の径方向のＭ含有率はターゲット直上中
心からはなれるにつれて増加する。さらに、ターゲット
のＭ含有量が高くなるにつれて、Ｍリッチの微細粒がタ
ーゲット内で押出し方向と平行の縞状に不均一に分布す
るので、ターゲットのＭ含有量が一定しない。そのた
め、そのようなターゲットを用いて成膜した金属反射層
では、均一なＭ含有率とはなりにくい。すなわち、用い
るターゲットのＭ含有量を高くできないため、金属反射
層のＭ含有率を高くできず、これを光磁気記録媒体とし
たとき、記録感度を高くすることができない。
【００２６】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、前記のようなＭ含有量のＡｌ−Ｍ合金を溶融して高
速急冷法により粉末とし、得られた微粉末を加圧成形す
ることで得ることができる。
は、前記のようなＭ含有量のＡｌ−Ｍ合金を溶融して高
速急冷法により粉末とし、得られた微粉末を加圧成形す
ることで得ることができる。
【００２７】以下にＭとしてＮｉを用いて本発明のＡｌ
合金スパッタ用ターゲットの製造方法を説明する。
合金スパッタ用ターゲットの製造方法を説明する。
【００２８】合金の原料としては、原料金属としてＡｌ
およびＮｉを用い、Ｎｉ含有量が前記範囲となるように
秤量して混合し、アークメルト法、高周波誘導溶解炉法
等により７００〜１０００℃で溶融して高速急冷法によ
り粉末とすればよい。高速急冷法としては、いずれの方
法も用いることができ、各種冷却ロール法、遠心急冷
法、アトマイズ法等を用いることができるが、球状ある
いは偏平状の粉末を容易に得ることができることから、
特にガスアトマイズ法が好ましい。用いるガスとしては
Ｎ2 またはＡｒ、Ｈｅその他の不活性ガスを用いること
が好ましい。
およびＮｉを用い、Ｎｉ含有量が前記範囲となるように
秤量して混合し、アークメルト法、高周波誘導溶解炉法
等により７００〜１０００℃で溶融して高速急冷法によ
り粉末とすればよい。高速急冷法としては、いずれの方
法も用いることができ、各種冷却ロール法、遠心急冷
法、アトマイズ法等を用いることができるが、球状ある
いは偏平状の粉末を容易に得ることができることから、
特にガスアトマイズ法が好ましい。用いるガスとしては
Ｎ2 またはＡｒ、Ｈｅその他の不活性ガスを用いること
が好ましい。
【００２９】前記溶融に際し、ＭとしてＮｉ以外の金属
を用いる場合は、用いる溶融温度としては、７００〜２
０００℃程度の範囲から、用いる金属により最適な温度
を選択すればよい。
を用いる場合は、用いる溶融温度としては、７００〜２
０００℃程度の範囲から、用いる金属により最適な温度
を選択すればよい。
【００３０】また、粉末の大きさとしては、最大長辺が
平均で１μm 〜１mm、より好ましくは２〜１００μm で
ある。大きすぎると高速急冷されにくく、Ｎｉリッチ粒
が微粒子化しにくい。また小さすぎると加圧成形が難し
くなる。
平均で１μm 〜１mm、より好ましくは２〜１００μm で
ある。大きすぎると高速急冷されにくく、Ｎｉリッチ粒
が微粒子化しにくい。また小さすぎると加圧成形が難し
くなる。
【００３１】得られた粉末は、加圧成形する。加圧成形
する方法は、どのような方法であってもよく、たとえば
通常の加圧成形法、ホットプレス法（ＨＰ）、あるいは
熱間静圧プレス法（ＨＩＰ）等を用いることができる。
する方法は、どのような方法であってもよく、たとえば
通常の加圧成形法、ホットプレス法（ＨＰ）、あるいは
熱間静圧プレス法（ＨＩＰ）等を用いることができる。
【００３２】例えばＨＰ法を用いる加圧成形法として
は、得られた粉末を、例えばグラファイト製等の型に充
填し、加圧成形する。加圧成形条件は、Ａｌの融点以下
の温度であって、通常は室温以上の温度で、より好まし
くは４００〜６５０℃で、１００kg/cm2〜１０００kg/c
m2、５秒〜１時間行なえばよい。
は、得られた粉末を、例えばグラファイト製等の型に充
填し、加圧成形する。加圧成形条件は、Ａｌの融点以下
の温度であって、通常は室温以上の温度で、より好まし
くは４００〜６５０℃で、１００kg/cm2〜１０００kg/c
m2、５秒〜１時間行なえばよい。
【００３３】このとき、加熱後の冷却は、好ましくは１
００〜５００℃／時間、より好ましくは３００〜５００
℃／時間の速度で冷却する。冷却する速度が遅すぎる
と、例えばバウンダリー層等に含まれるＮｉリッチの微
細粒の平均粒径が局部的に大きくなりすぎることがあ
り、また速すぎると、生産性が低下する。さらに、加圧
成形時の温度が高すぎるとＡｌが溶融してしまい、Ｎｉ
リッチの微細粒を含有するグレインおよびバウンダリー
層をもつ構造が消失する傾向がある。
００〜５００℃／時間、より好ましくは３００〜５００
℃／時間の速度で冷却する。冷却する速度が遅すぎる
と、例えばバウンダリー層等に含まれるＮｉリッチの微
細粒の平均粒径が局部的に大きくなりすぎることがあ
り、また速すぎると、生産性が低下する。さらに、加圧
成形時の温度が高すぎるとＡｌが溶融してしまい、Ｎｉ
リッチの微細粒を含有するグレインおよびバウンダリー
層をもつ構造が消失する傾向がある。
【００３４】この際、加圧成形する方法としては、前記
高速急冷法により得られた粉末に、さらにＮｉリッチの
微細粒を添加して混合したのちに加圧成形してもよい。
ここで添加するＮｉリッチの微細粒としては、例えばＮ
ｉＡｌ3 、Ｎｉ2 Ａｌ3 、ＮｉＡｌ、Ｎｉ3 Ａｌ等のＮ
ｉを含有するＡｌ合金（金属間化合物）やＮｉであっ
て、平均粒径が０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜
５μm である。この場合の加圧成形の条件としては、前
記と同様であるが、例えば加圧を室温程度の温度で行う
場合は特に、１〜５t/cm2 、１秒〜１０分程度とするこ
とが好ましい。Ｎｉリッチの微細粒を添加、混合して加
圧成形する場合、加圧成形時の温度は、前記温度範囲で
加熱しても、また加熱せずに例えば室温程度でおこなっ
てもよいが、バウンダリー層や、その中にＮｉリッチ相
を析出させる目的で加熱することが好ましい。なお、加
圧成形時にバウンダリー層や、その中にＮｉリッチ相が
析出する程度に加熱せずに圧粉する場合、グレイン間に
空隙が存在する場合がある。
高速急冷法により得られた粉末に、さらにＮｉリッチの
微細粒を添加して混合したのちに加圧成形してもよい。
ここで添加するＮｉリッチの微細粒としては、例えばＮ
ｉＡｌ3 、Ｎｉ2 Ａｌ3 、ＮｉＡｌ、Ｎｉ3 Ａｌ等のＮ
ｉを含有するＡｌ合金（金属間化合物）やＮｉであっ
て、平均粒径が０．１〜１０μm 、より好ましくは２〜
５μm である。この場合の加圧成形の条件としては、前
記と同様であるが、例えば加圧を室温程度の温度で行う
場合は特に、１〜５t/cm2 、１秒〜１０分程度とするこ
とが好ましい。Ｎｉリッチの微細粒を添加、混合して加
圧成形する場合、加圧成形時の温度は、前記温度範囲で
加熱しても、また加熱せずに例えば室温程度でおこなっ
てもよいが、バウンダリー層や、その中にＮｉリッチ相
を析出させる目的で加熱することが好ましい。なお、加
圧成形時にバウンダリー層や、その中にＮｉリッチ相が
析出する程度に加熱せずに圧粉する場合、グレイン間に
空隙が存在する場合がある。
【００３５】なお、ＭとしてＮｉを例に製造方法を説明
したが、Ｎｉ以外の前記Ｍ金属であっても同様である。
また、前記高速急冷法により得られた粉末に、さらにＭ
リッチの微細粒を添加して混合した後に加圧成形する場
合、用いるＭリッチの微細粒としては、前記Ｎｉリッチ
の微細粒以外に、前記高速急冷法の原料として用いた前
記Ｍの金属とのＡｌ合金や、前記Ｍであってよい。具体
的には、前記した各Ｍ金属のＡｌ合金や金属間化合物等
および各Ｍ金属が挙げられる。
したが、Ｎｉ以外の前記Ｍ金属であっても同様である。
また、前記高速急冷法により得られた粉末に、さらにＭ
リッチの微細粒を添加して混合した後に加圧成形する場
合、用いるＭリッチの微細粒としては、前記Ｎｉリッチ
の微細粒以外に、前記高速急冷法の原料として用いた前
記Ｍの金属とのＡｌ合金や、前記Ｍであってよい。具体
的には、前記した各Ｍ金属のＡｌ合金や金属間化合物等
および各Ｍ金属が挙げられる。
【００３６】また、用いるＭリッチの微細粒の金属種
は、複数であってもよく、さらに前記高速急冷法により
得られた粉末に含まれるＭの金属種と同一でなくてもよ
い。
は、複数であってもよく、さらに前記高速急冷法により
得られた粉末に含まれるＭの金属種と同一でなくてもよ
い。
【００３７】このようにして得られた本発明のＡｌ合金
スパッタ用ターゲットのグレインには、加圧成形方向と
平行の方向と垂直の方向とで異方性を有することもある
が、グレイン中やバウンダリー層中に析出した微細粒に
は異方性が認められない。
スパッタ用ターゲットのグレインには、加圧成形方向と
平行の方向と垂直の方向とで異方性を有することもある
が、グレイン中やバウンダリー層中に析出した微細粒に
は異方性が認められない。
【００３８】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、例えば光記録媒体等の光記録媒体の金属反射層を成
膜するためのスパッタ用ターゲットとして好適である。
すなわち、光磁気記録媒体は、透明基板上に誘電体層を
介してＴｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 等の記録層磁性膜を設けて構
成されている。そして、最近では、記録層磁性膜上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層には金属反射層を設けて再生信
号の出力を高めているが、このような金属反射層を成膜
する際に好適に用いられる。
は、例えば光記録媒体等の光記録媒体の金属反射層を成
膜するためのスパッタ用ターゲットとして好適である。
すなわち、光磁気記録媒体は、透明基板上に誘電体層を
介してＴｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 等の記録層磁性膜を設けて構
成されている。そして、最近では、記録層磁性膜上に第
２の誘電体層を設け、記録層を一対の誘電体層で挟持す
るとともに、その最上層には金属反射層を設けて再生信
号の出力を高めているが、このような金属反射層を成膜
する際に好適に用いられる。
【００３９】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットを
用いて成膜した光磁気記録媒体等の光記録媒体の金属反
射層の膜厚は４００〜１５００A 程度が好ましい。膜厚
が薄すぎると金属反射層としての効果が無くなり、出力
やＣ／Ｎが低下しやすい。また厚すぎると感度が低下す
る傾向がある。
用いて成膜した光磁気記録媒体等の光記録媒体の金属反
射層の膜厚は４００〜１５００A 程度が好ましい。膜厚
が薄すぎると金属反射層としての効果が無くなり、出力
やＣ／Ｎが低下しやすい。また厚すぎると感度が低下す
る傾向がある。
【００４０】なお、これまで光磁気記録媒体を例に述べ
てきたが、本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットは、
これ以外の各種光記録媒体の製造にも用いることができ
る。
てきたが、本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲットは、
これ以外の各種光記録媒体の製造にも用いることができ
る。
【００４１】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【００４２】実施例１ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％および８wt％と
なるように秤量、混合し、それぞれ７００℃で溶融し
た。これをそれぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法
により、平均粒径が５０μm の粉末を得た。この粉末
を、グラファイト製の型に充填し、６４０℃、１３０kg
/cm2、１０-2Torrで１０分間加圧成形を行い、直径１２
７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料１（Ｎｉ含有量６wt
％）および加圧成形体試料２（Ｎｉ含有量８wt％）を得
た。
なるように秤量、混合し、それぞれ７００℃で溶融し
た。これをそれぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法
により、平均粒径が５０μm の粉末を得た。この粉末
を、グラファイト製の型に充填し、６４０℃、１３０kg
/cm2、１０-2Torrで１０分間加圧成形を行い、直径１２
７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料１（Ｎｉ含有量６wt
％）および加圧成形体試料２（Ｎｉ含有量８wt％）を得
た。
【００４３】得られた試料の表面を前述の方法で鏡面加
工し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で得られた組成像を
図１（Ｎｉ含有量６wt％）および図２（Ｎｉ含有量８wt
％）に示す。それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）
および（ｂ）に示した。
工し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で得られた組成像を
図１（Ｎｉ含有量６wt％）および図２（Ｎｉ含有量８wt
％）に示す。それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）
および（ｂ）に示した。
【００４４】比較例１ Ｎｉ含有量を６wt％としたほかは実施例１と同様にして
原料を７００℃で溶融した後、４５０℃、押出比１／１
０で押出し成形を行い、比較試料１を得た。
原料を７００℃で溶融した後、４５０℃、押出比１／１
０で押出し成形を行い、比較試料１を得た。
【００４５】得られた試料の押出し方向に対して平行の
方向の断面と、垂直の方向の断面とについて、実施例１
と同様にしてＳＥＭによる組成像を得、図３（押出し方
向に平行）および図４（押出し方向に垂直）に示した。
それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）および（ｂ）
に示した。
方向の断面と、垂直の方向の断面とについて、実施例１
と同様にしてＳＥＭによる組成像を得、図３（押出し方
向に平行）および図４（押出し方向に垂直）に示した。
それぞれ倍率の異なる組成像として（ａ）および（ｂ）
に示した。
【００４６】図１および図２に示すように、表面を前述
の方法で鏡面加工した本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ
用ターゲットのＳＥＭによる組成像では、白く示されて
いるＮｉリッチの微細粒を含有するグレインが認めら
れ、さらにグレイン近傍のバウンダリー層中に平均粒径
の大きなＮｉリッチの第２の微細粒が存在することがわ
かる。これに対し、表面を前述の方法で鏡面加工して
も、比較試料１では、図３および図４に示すように、グ
レインが認められない。
の方法で鏡面加工した本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ
用ターゲットのＳＥＭによる組成像では、白く示されて
いるＮｉリッチの微細粒を含有するグレインが認めら
れ、さらにグレイン近傍のバウンダリー層中に平均粒径
の大きなＮｉリッチの第２の微細粒が存在することがわ
かる。これに対し、表面を前述の方法で鏡面加工して
も、比較試料１では、図３および図４に示すように、グ
レインが認められない。
【００４７】実施例２ 実施例１で得た加圧成形体試料１をターゲットとして用
い、高周波マグネトロンスパッタにより、半径１５０mm
のガラス製基板に対してスパッタを行って、膜厚６００
A のＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜（薄膜１）を成膜
した。なお、ＲＦパワーは７５０w とし、ターゲット中
心と基板中心を一致させて直上固定とした。
い、高周波マグネトロンスパッタにより、半径１５０mm
のガラス製基板に対してスパッタを行って、膜厚６００
A のＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜（薄膜１）を成膜
した。なお、ＲＦパワーは７５０w とし、ターゲット中
心と基板中心を一致させて直上固定とした。
【００４８】得られた薄膜の中心から径方向に、表１に
示す部分のＮｉ含有率を誘導結合プラズマ発光分光分析
（ＩＣＰ）により測定した。得られた結果を表１に示
す。
示す部分のＮｉ含有率を誘導結合プラズマ発光分光分析
（ＩＣＰ）により測定した。得られた結果を表１に示
す。
【００４９】
【表１】
【００５０】比較例２ 比較例１で得られた比較試料１を用い、これを実施例１
と同じサイズのスパッタ用比較試料１とした。このスパ
ッタ用比較試料１を用いて実施例２と同様にして基板上
にＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜を得た。得られた薄
膜を比較薄膜１とし、実施例２と同様に薄膜の中心から
径方向に、表１に示す部分のＮｉ含有率を測定した。得
られた結果を表１に示す。
と同じサイズのスパッタ用比較試料１とした。このスパ
ッタ用比較試料１を用いて実施例２と同様にして基板上
にＡｌ−Ｎｉ合金アモルファス薄膜を得た。得られた薄
膜を比較薄膜１とし、実施例２と同様に薄膜の中心から
径方向に、表１に示す部分のＮｉ含有率を測定した。得
られた結果を表１に示す。
【００５１】表１より明らかなように、比較薄膜１のＮ
ｉ含有率は、中心付近で低いことがわかる。一方、薄膜
１では中心付近のＮｉ含有率がターゲットのＮｉ含有率
に近く、さらに中心から径方向にＮｉ含有率の変化が少
ない。
ｉ含有率は、中心付近で低いことがわかる。一方、薄膜
１では中心付近のＮｉ含有率がターゲットのＮｉ含有率
に近く、さらに中心から径方向にＮｉ含有率の変化が少
ない。
【００５２】実施例３ Ｎｉ含有量を１０wt％としたほかは実施例１と同様にし
て直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料３（Ｎｉ含
有量１０wt％）を得た。
て直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試料３（Ｎｉ含
有量１０wt％）を得た。
【００５３】実施例１と同様にして得た加圧成形体試料
２と加圧成形体試料３とをそれぞれ１０試料用い、実施
例２と同じ条件でそれぞれ１０個のＡｌ−Ｎｉ合金アモ
ルファス薄膜を成膜した。
２と加圧成形体試料３とをそれぞれ１０試料用い、実施
例２と同じ条件でそれぞれ１０個のＡｌ−Ｎｉ合金アモ
ルファス薄膜を成膜した。
【００５４】得られた各薄膜のターゲット中心位置のＮ
ｉ含有率を実施例２と同様に測定した。Ｎｉ含有率の平
均値のバラツキ範囲を表２に示す。
ｉ含有率を実施例２と同様に測定した。Ｎｉ含有率の平
均値のバラツキ範囲を表２に示す。
【００５５】
【表２】
【００５６】比較例３ Ｎｉ含有量を８wt％および１０wt％としたほかは、比較
例１と同様にして押出し成形法による比較試料２（Ｎｉ
含有量８wt％）および比較試料３（Ｎｉ含有量１０wt
％）を得た。
例１と同様にして押出し成形法による比較試料２（Ｎｉ
含有量８wt％）および比較試料３（Ｎｉ含有量１０wt
％）を得た。
【００５７】比較試料２と比較試料３とをそれぞれ１０
試料用い、実施例３と同様にしてＡｌ−Ｎｉ合金アモル
ファス薄膜を成膜した。
試料用い、実施例３と同様にしてＡｌ−Ｎｉ合金アモル
ファス薄膜を成膜した。
【００５８】得られた各薄膜のターゲット直上中心位置
のＮｉ含有率を実施例３と同様に測定した。Ｎｉ含有率
の平均値のバラツキ範囲を表２に示す。
のＮｉ含有率を実施例３と同様に測定した。Ｎｉ含有率
の平均値のバラツキ範囲を表２に示す。
【００５９】実施例４ 原料ＡｌとＮｉとをＮｉ含有量が６wt％となるように秤
量、混合し、それぞれ７００℃で溶融した。これをそれ
ぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法により、平均粒
径が５０μm の粉末を得た。この粉末に、さらに平均粒
径５μm のＮｉＡｌ3 の粉末を、加圧成形後のＮｉ含有
量が８wt％となる量添加し、Ｖミキサーを用いて２時間
混合し、得られた混合粉末を、超硬（ＷＣ）製の型に充
填し、室温で４t/cm2 、大気中で２０秒間加圧成形を行
い、直径１２７mm、厚さ５mmのＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ
用ターゲットを得た。
量、混合し、それぞれ７００℃で溶融した。これをそれ
ぞれＮ2 ガスを用いるガスアトマイズ法により、平均粒
径が５０μm の粉末を得た。この粉末に、さらに平均粒
径５μm のＮｉＡｌ3 の粉末を、加圧成形後のＮｉ含有
量が８wt％となる量添加し、Ｖミキサーを用いて２時間
混合し、得られた混合粉末を、超硬（ＷＣ）製の型に充
填し、室温で４t/cm2 、大気中で２０秒間加圧成形を行
い、直径１２７mm、厚さ５mmのＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ
用ターゲットを得た。
【００６０】実施例１と同様にして、得られたターゲッ
トのＳＥＭによる組成像を得、組成像から平均粒径が５
μm 以下のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインをも
ち、さらにグレイン周囲にＮｉリッチの微細粒が分布し
ていることを確認した。
トのＳＥＭによる組成像を得、組成像から平均粒径が５
μm 以下のＮｉリッチの微細粒を含有するグレインをも
ち、さらにグレイン周囲にＮｉリッチの微細粒が分布し
ていることを確認した。
【００６１】また、このターゲットを用い、実施例３と
同様の薄膜を作製したところ、実施例３と同様のＮｉ含
有率の平均値のバラツキ範囲であった。
同様の薄膜を作製したところ、実施例３と同様のＮｉ含
有率の平均値のバラツキ範囲であった。
【００６２】実施例５ 前記ＭとしてＭｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔ
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺ
ｎを用い、ＡｌとこれらのＭとをそれぞれのＭ含有量が
６wt％となるように秤量、混合し、Ｍの種類に合わせて
７００〜１５００℃の範囲で溶融した。なお、Ｍはそれ
ぞれ単独でＡｌと混合した。これをそれぞれＮ2 ガスを
用いるガスアトマイズ法により、平均粒径が５０μm の
粉末を得た。この粉末を、それぞれ実施例１と同様にし
て加圧成形し、直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試
料を得た。
ａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＣｕおよびＺ
ｎを用い、ＡｌとこれらのＭとをそれぞれのＭ含有量が
６wt％となるように秤量、混合し、Ｍの種類に合わせて
７００〜１５００℃の範囲で溶融した。なお、Ｍはそれ
ぞれ単独でＡｌと混合した。これをそれぞれＮ2 ガスを
用いるガスアトマイズ法により、平均粒径が５０μm の
粉末を得た。この粉末を、それぞれ実施例１と同様にし
て加圧成形し、直径１２７mm、厚さ５mmの加圧成形体試
料を得た。
【００６３】得られたそれぞれの加圧成形体試料を用
い、実施例１と同様にして、得られたターゲットのＳＥ
Ｍによる組成像を得た。その結果、組成像から平均粒径
が５μm 以下のそれぞれのＭリッチの微細粒を含有する
グレインが認められ、さらにグレイン近傍のバウンダリ
ー層中に平均粒径がより大きいＭリッチの第２の微細粒
が分布していることを確認した。
い、実施例１と同様にして、得られたターゲットのＳＥ
Ｍによる組成像を得た。その結果、組成像から平均粒径
が５μm 以下のそれぞれのＭリッチの微細粒を含有する
グレインが認められ、さらにグレイン近傍のバウンダリ
ー層中に平均粒径がより大きいＭリッチの第２の微細粒
が分布していることを確認した。
【００６４】また、このターゲットを用い、実施例３と
同様の薄膜を作製したところ、実施例３より若干は劣る
が、Ｍ含有率のバラツキの少ない膜が得られた。
同様の薄膜を作製したところ、実施例３より若干は劣る
が、Ｍ含有率のバラツキの少ない膜が得られた。
【００６５】実施例６ ポリカーボネートを射出成形して８６mm径、厚さ１．２
mmの基板サンプルを得た。この基板上に、ＳｉＮｘ（ｘ
＝１．１）の第１の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより層厚９００A に設層した。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２００A に設層した。
mmの基板サンプルを得た。この基板上に、ＳｉＮｘ（ｘ
＝１．１）の第１の誘電体層を高周波マグネトロンスパ
ッタにより層厚９００A に設層した。次に、この第１の
誘電体層上に、Ｔｂ20Ｆｅ74Ｃｏ6 の組成を有する記録
層を、スパッタにより層厚２００A に設層した。
【００６６】さらに、この記録層上に、Ｌａ2 Ｏ3 ３０
モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％およびＳｉ3 Ｎ4 ５０モル
％を含有する膜厚２００A の第２の誘電体層を高周波マ
グネトロンスパッタにより形成した。
モル％、ＳｉＯ2 ２０モル％およびＳｉ3 Ｎ4 ５０モル
％を含有する膜厚２００A の第２の誘電体層を高周波マ
グネトロンスパッタにより形成した。
【００６７】この第２の誘電体層上に、Ｎｉ含有量６wt
％、Ｎｉ含有量８wt％およびＮｉ含有量１０wt％のそれ
ぞれのターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
によりＮｉ含有量が６wt％、８wt％および１０wt％で、
以下の膜厚の金属反射層を設層した。Ｎｉ含有量６wt％
および８wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を５
００、６００および７００A とした。また、Ｎｉ含有量
１０wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を６０
０、７００および８００A とした。
％、Ｎｉ含有量８wt％およびＮｉ含有量１０wt％のそれ
ぞれのターゲットを用い、高周波マグネトロンスパッタ
によりＮｉ含有量が６wt％、８wt％および１０wt％で、
以下の膜厚の金属反射層を設層した。Ｎｉ含有量６wt％
および８wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を５
００、６００および７００A とした。また、Ｎｉ含有量
１０wt％のターゲットを用いたものでは、膜厚を６０
０、７００および８００A とした。
【００６８】得られた９種それぞれの試料の金属反射層
上に保護コートを設層した。保護コートは、オリゴエス
テルアクリレートを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布し
た後、紫外線硬化して５μm 厚の膜厚とした。これを光
磁気記録ディスクサンプルとして最適記録パワー（Ｐ
0 ）を以下の方法で測定した。得られた結果を図５に示
す。
上に保護コートを設層した。保護コートは、オリゴエス
テルアクリレートを含有する紫外線硬化型樹脂を塗布し
た後、紫外線硬化して５μm 厚の膜厚とした。これを光
磁気記録ディスクサンプルとして最適記録パワー（Ｐ
0 ）を以下の方法で測定した。得られた結果を図５に示
す。
【００６９】＜最適記録パワー（Ｐ0 ）測定法＞ディス
クをＣＬＶ１．４m/s で回転し、７８０nmの連続レーザ
光を照射しつつ２００Oeの印加磁界で磁界変調して、Ｅ
ＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化させて３Ｔ信号
のジッタを測定し、ジッタが４０nsecを切るパワーＰmi
n を測定し、最適記録パワーＰ0 ＝１．４×Ｐmin を算
出した。
クをＣＬＶ１．４m/s で回転し、７８０nmの連続レーザ
光を照射しつつ２００Oeの印加磁界で磁界変調して、Ｅ
ＦＭ信号を記録した。記録パワーを変化させて３Ｔ信号
のジッタを測定し、ジッタが４０nsecを切るパワーＰmi
n を測定し、最適記録パワーＰ0 ＝１．４×Ｐmin を算
出した。
【００７０】図５に示すように、金属反射層の厚さが同
じ場合、Ｎｉ含有率を増やすとＰ0が低下する。また、
金属反射層の厚さを厚くするとＰ0 は高くなるが、Ｎｉ
含有率を増やすことで金属反射層の厚さの変化に対する
Ｐ0 の変化量が低下する。すなわち、金属反射層の製造
に際し、金属反射層中のＮｉ含有率を増やすことで、膜
厚を厚くすることができ、製造上の膜厚制御マージンが
広がり、製造上の大きなメリットとなる。
じ場合、Ｎｉ含有率を増やすとＰ0が低下する。また、
金属反射層の厚さを厚くするとＰ0 は高くなるが、Ｎｉ
含有率を増やすことで金属反射層の厚さの変化に対する
Ｐ0 の変化量が低下する。すなわち、金属反射層の製造
に際し、金属反射層中のＮｉ含有率を増やすことで、膜
厚を厚くすることができ、製造上の膜厚制御マージンが
広がり、製造上の大きなメリットとなる。
【図１】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）の組成像である。
代用写真であって、本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）の組成像である。
【図２】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量８wt％）の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）の組成像である。
代用写真であって、本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量８wt％）の走査型電子顕微鏡
（ＳＥＭ）の組成像である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、比較例のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と平行の
断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像である。な
お、押出し方向は、図面横方向である。
代用写真であって、比較例のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と平行の
断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像である。な
お、押出し方向は、図面横方向である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、粒子の構造を示す図面
代用写真であって、比較例のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と垂直の
断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像である。
代用写真であって、比較例のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用
ターゲット（Ｎｉ含有量６wt％）の押出し方向と垂直の
断面の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の組成像である。
【図５】本発明のＡｌ−Ｎｉ合金スパッタ用ターゲット
を用いて成膜した金属反射層をもつ光磁気記録ディスク
の、金属反射層厚さとＰ0 との関係を示すグラフであ
る。
を用いて成膜した金属反射層をもつ光磁気記録ディスク
の、金属反射層厚さとＰ0 との関係を示すグラフであ
る。
【手続補正書】
【提出日】平成５年１２月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】本発明のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
は、Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）か
ら形成されており、平均粒径５μｍ以下、より好ましく
は０．０１〜２μｍの前記Ｍリッチの微細粒を含有する
グレインをもつ。そして、好ましくはＭの含有量は１〜
４０ｗｔ％である。Ｍ含有量が少なすぎると、本発明の
実効が少なくなり、また例えば金属反射層を成膜したと
き、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、媒体の記
録感度が低下してくる。また多すぎても本発明の実効が
少なくなる他、例えば金属反射層として良好なアモルフ
ァス状態や結晶状態を維持できなくなったりして、金属
反射層としての反射率が低下しやすくなり、媒体のＣ／
Ｎ比も劣化してくる。
は、Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈ
ｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃ
ｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以上である）か
ら形成されており、平均粒径５μｍ以下、より好ましく
は０．０１〜２μｍの前記Ｍリッチの微細粒を含有する
グレインをもつ。そして、好ましくはＭの含有量は１〜
４０ｗｔ％である。Ｍ含有量が少なすぎると、本発明の
実効が少なくなり、また例えば金属反射層を成膜したと
き、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、媒体の記
録感度が低下してくる。また多すぎても本発明の実効が
少なくなる他、例えば金属反射層として良好なアモルフ
ァス状態や結晶状態を維持できなくなったりして、金属
反射層としての反射率が低下しやすくなり、媒体のＣ／
Ｎ比も劣化してくる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】本発明のＡｌ−Ｍ合金スパッタ用ターゲッ
トのＭとしてＮｉを用いる場合は、Ｎｉ含有量が２〜４
０ｗｔ％、より好ましくは３〜２０ｗｔ％、特に６〜１
０ｗｔ％であることが好ましい。Ｎｉ含有量が少なすぎ
ると、例えば金属反射層を成膜したとき、前記のよう
に、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、記録感度
が低下してくる。また多すぎると、金属反射層の反射率
が低下しやすくなり、Ｃ／Ｎ比が劣化してくる。
トのＭとしてＮｉを用いる場合は、Ｎｉ含有量が２〜４
０ｗｔ％、より好ましくは３〜２０ｗｔ％、特に６〜１
０ｗｔ％であることが好ましい。Ｎｉ含有量が少なすぎ
ると、例えば金属反射層を成膜したとき、前記のよう
に、金属反射層の熱伝導率が高くなりやすく、記録感度
が低下してくる。また多すぎると、金属反射層の反射率
が低下しやすくなり、Ｃ／Ｎ比が劣化してくる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】ＭがＭｇの場合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜
４０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒としては
金属間化合物ＡｌＭｇのβ相が偏析する。ＭがＴｉの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０ｗｔ％が好ましい。ま
たＭリッチの微細粒は主にＴｉＡｌ３が主体となる。Ｍ
がＺｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好
ましい。また、Ｍリッチの微細粒は主にＺｒＡｌ３が主
体となる。ＭがＨｆの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３
０ｗｔ％が好ましい。ＭがＶの場合、Ａｌ中のＭ含有量
は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒は
主にＶＡｌ６やＶＡｌ５が主体となる。ＭがＮｂまたは
Ｔａの場合、Ａｌ中のＭ含有量はいずれの場合も１〜３
０ｗｔ％が好ましい。ＭがＣｒの場合、Ａｌ中のＭ含有
量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒
は主にＣｒＡｌ７を主体とし、さらにＭ含有量が１０〜
２０ｗｔ％の場合、Ｃｒ１２Ａｌ１１、ＣｒＡｌ４とし
て存在することもある。ＭがＭｏの場合、Ａｌ中のＭ含
有量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細
粒は主にＭｏＡｌ１２が主体となる。ＭがＷの場合、Ａ
ｌ中のＭ含有量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリ
ッチの微細粒は主にＷＡｌ１２が主体となる。ＭがＭｎ
の場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主にＭｎＡｌ６やＭｎＡｌ
４が主体となる。ＭがＦｅの場合、Ａｌ中のＭ含有量は
２〜４０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主
にＦｅＡｌ３やＦｅ２Ａｌ５が主体となる。ＭがＣｏの
場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好ましい。
またＭリッチの微細粒は主にＣｏ２Ａｌ９を主体とし、
さらにＭ含有量が２０〜３０ｗｔ％の場合、Ｃｏ４Ａｌ
１３、Ｃｏ２Ａｌ５として存在することもある。ＭがＣ
ｕの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主に金属間化合物ＡｌＣｕ
のθ相が偏析する。ＭがＺｎの場合、Ａｌ中のＭ含有量
は１〜３０ｗｔ％が好ましい。またＡｌ−ＺｎはＺｎの
重力偏析が生じる。
４０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒としては
金属間化合物ＡｌＭｇのβ相が偏析する。ＭがＴｉの場
合、Ａｌ中のＭ含有量は２〜４０ｗｔ％が好ましい。ま
たＭリッチの微細粒は主にＴｉＡｌ３が主体となる。Ｍ
がＺｒの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好
ましい。また、Ｍリッチの微細粒は主にＺｒＡｌ３が主
体となる。ＭがＨｆの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３
０ｗｔ％が好ましい。ＭがＶの場合、Ａｌ中のＭ含有量
は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒は
主にＶＡｌ６やＶＡｌ５が主体となる。ＭがＮｂまたは
Ｔａの場合、Ａｌ中のＭ含有量はいずれの場合も１〜３
０ｗｔ％が好ましい。ＭがＣｒの場合、Ａｌ中のＭ含有
量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒
は主にＣｒＡｌ７を主体とし、さらにＭ含有量が１０〜
２０ｗｔ％の場合、Ｃｒ１２Ａｌ１１、ＣｒＡｌ４とし
て存在することもある。ＭがＭｏの場合、Ａｌ中のＭ含
有量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細
粒は主にＭｏＡｌ１２が主体となる。ＭがＷの場合、Ａ
ｌ中のＭ含有量は１〜２０ｗｔ％が好ましい。またＭリ
ッチの微細粒は主にＷＡｌ１２が主体となる。ＭがＭｎ
の場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主にＭｎＡｌ６やＭｎＡｌ
４が主体となる。ＭがＦｅの場合、Ａｌ中のＭ含有量は
２〜４０ｗｔ％が好ましい。またＭリッチの微細粒は主
にＦｅＡｌ３やＦｅ２Ａｌ５が主体となる。ＭがＣｏの
場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好ましい。
またＭリッチの微細粒は主にＣｏ２Ａｌ９を主体とし、
さらにＭ含有量が２０〜３０ｗｔ％の場合、Ｃｏ４Ａｌ
１３、Ｃｏ２Ａｌ５として存在することもある。ＭがＣ
ｕの場合、Ａｌ中のＭ含有量は１〜３０ｗｔ％が好まし
い。またＭリッチの微細粒は主に金属間化合物ＡｌＣｕ
のθ相が偏析する。ＭがＺｎの場合、Ａｌ中のＭ含有量
は１〜３０ｗｔ％が好ましい。またＡｌ−ＺｎはＺｎの
重力偏析が生じる。
Claims (14)
- 【請求項１】 Ａｌ−Ｍ合金（ただしＭは、Ｍｇ、Ｔ
ｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｍ
ｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＺｎのうちの１種以
上である）から形成されており、 鏡面加工をして走査型電子顕微鏡観察を行ったとき、平
均粒径５μm 以下の前記Ｍリッチの微細粒を含有するグ
レインをもつＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項２】 前記Ｍの含有量が１〜４０wt％である請
求項１のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項３】 前記ＭがＮｉであり、Ｎｉ含有量２〜４
０wt％のＡｌ−Ｎｉ合金から形成されている請求項１ま
たは２のＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項４】 前記グレインの平均径が１μm 〜１mmで
ある請求項１〜３のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ター
ゲット。 - 【請求項５】 前記微細粒が、前記グレイン中に面積比
で５〜８０％存在する請求項１〜４のいずれかのＡｌ合
金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項６】 前記グレイン周囲にバウンダリー層を有
し、このバウンダリー層中にＭリッチの第２の微細粒を
有する請求項１〜５のいずれかのＡｌ合金スパッタ用タ
ーゲット。 - 【請求項７】 前記第２の微細粒の平均粒径が０．１〜
１０μm である請求項６のＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。 - 【請求項８】 前記第２の微細粒が、前記バウンダリー
層中に面積比で５〜８０％存在する請求項６または７の
Ａｌ合金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項９】 Ａｌ−Ｍ合金の粉末を加圧成形した請求
項１〜８のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲット。 - 【請求項１０】 光記録媒体の反射膜の成膜に用いる請
求項１〜８のいずれかのＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
ト。 - 【請求項１１】 Ａｌ−Ｍ合金を溶融して高速急冷法に
より粉末とし、得られたＡｌ−Ｍ合金の粉末を、加圧成
形するＡｌ合金スパッタ用ターゲットの製造方法。 - 【請求項１２】 前記加圧成形が、Ａｌの融点未満の温
度で行われる請求項１１のＡｌ合金スパッタ用ターゲッ
トの製造方法。 - 【請求項１３】 前記高速急冷法により得られた微細粉
末に、さらにＭリッチの微細粒を添加して加圧成形する
請求項１１または１２のＡｌ合金スパッタ用ターゲット
の製造方法。 - 【請求項１４】 前記Ａｌ−Ｍ合金の粉末中にＭリッチ
の微細粒が存在する請求項１１〜１３のいずれかのＡｌ
合金スパッタ用ターゲットの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24982193A JP3545787B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24982193A JP3545787B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790566A true JPH0790566A (ja) | 1995-04-04 |
| JP3545787B2 JP3545787B2 (ja) | 2004-07-21 |
Family
ID=17198692
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24982193A Expired - Lifetime JP3545787B2 (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | Ａｌ合金スパッタ用ターゲットおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3545787B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100229601B1 (ko) * | 1997-06-02 | 1999-11-15 | 윤덕용 | 입방정 금속간화합물 분산강화 알루미늄합금 및 그의 제조방법 |
| EP1070762A1 (fr) * | 1999-07-19 | 2001-01-24 | Centre Stephanois De Recherches Mecaniques Hydromecanique Et Frottement | Alliage aluminium-titane à réflectivité spéculaire élevée, revêtements réflecteurs comprenant un tel alliage et miroirs et pièces comportant ce revêtement |
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| US7374805B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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|---|---|---|---|---|
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-
1993
- 1993-09-10 JP JP24982193A patent/JP3545787B2/ja not_active Expired - Lifetime
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