JPH0790596A - 表面処理装置および表面処理方法 - Google Patents
表面処理装置および表面処理方法Info
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- JPH0790596A JPH0790596A JP24987093A JP24987093A JPH0790596A JP H0790596 A JPH0790596 A JP H0790596A JP 24987093 A JP24987093 A JP 24987093A JP 24987093 A JP24987093 A JP 24987093A JP H0790596 A JPH0790596 A JP H0790596A
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Landscapes
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】複数枚のドーナツ状基板を同時に表面処理する
ための基盤回転方式の表面処理装置および表面処理方法
であって、特に、隣接する基盤同志の処理中における接
触問題を解決した表面処理装置および表面処理方法を提
供する。 【構成】ドーナツ状基板(7)の内周部の端部に嵌合す
る複数個のリング状溝(15v)を周面に設け且つ水平
に配置されたスピンドル(15)と、ドーナツ状基板
(7)の内周部の端部に嵌合し且つスピンドル(15)
のリング状溝(15v)と実質的に同一ピッチを有する
複数個のリング状溝(16v)を周面に設けたウエイト
バー(16)と、上記のスピンドルの回転機構とから主
として構成されるドーナツ状基板の表面処理装置および
当該装置を用いたドーナツ状基板の表面処理方法。
ための基盤回転方式の表面処理装置および表面処理方法
であって、特に、隣接する基盤同志の処理中における接
触問題を解決した表面処理装置および表面処理方法を提
供する。 【構成】ドーナツ状基板(7)の内周部の端部に嵌合す
る複数個のリング状溝(15v)を周面に設け且つ水平
に配置されたスピンドル(15)と、ドーナツ状基板
(7)の内周部の端部に嵌合し且つスピンドル(15)
のリング状溝(15v)と実質的に同一ピッチを有する
複数個のリング状溝(16v)を周面に設けたウエイト
バー(16)と、上記のスピンドルの回転機構とから主
として構成されるドーナツ状基板の表面処理装置および
当該装置を用いたドーナツ状基板の表面処理方法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、表面処理装置および表
面処理方法に関するものであり、詳しくは、複数枚のド
ーナツ状基板の表面に例えば無電解めっき等の表面処理
を同時に行うために好適な表面処理装置および表面処理
方法に関するものである。
面処理方法に関するものであり、詳しくは、複数枚のド
ーナツ状基板の表面に例えば無電解めっき等の表面処理
を同時に行うために好適な表面処理装置および表面処理
方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、基板の表面に所定の処理を施す技
術は、各種の分野にて広く採用されており、代表的な例
としては、非磁性材料から成るドーナツ状基板の表面に
無電解めっきを施す工程を含む磁気ディスク基盤の製造
が挙げられる。
術は、各種の分野にて広く採用されており、代表的な例
としては、非磁性材料から成るドーナツ状基板の表面に
無電解めっきを施す工程を含む磁気ディスク基盤の製造
が挙げられる。
【0003】図7は、無電解Ni−Pめっき工程
(S 9)を採用した無磁気ディスク基盤の製造工程の一
例を示すフローシートであるが、斯かる無磁気ディスク
基盤の製造においては、無電解Ni−Pめっき工程の前
処理工程として、通常、脱脂工程(S1 )からアクチベ
ーティング工程(S 7)に至る複数の表面処理工程が設
けられる。
(S 9)を採用した無磁気ディスク基盤の製造工程の一
例を示すフローシートであるが、斯かる無磁気ディスク
基盤の製造においては、無電解Ni−Pめっき工程の前
処理工程として、通常、脱脂工程(S1 )からアクチベ
ーティング工程(S 7)に至る複数の表面処理工程が設
けられる。
【0004】すなわち、脱脂工程(S1 )においては基
盤表面を清浄化して親水化表面となし、中和工程
(S3 )においては中和処理を行い、センシタイジング
工程(S 5)においてはスズイオンを基盤表面に吸着さ
せ、アクチベーティング工程(S 7)においては、還元
反応により、無電解めっき反応の触媒核となる金属微粒
子を基盤表面に析出させる。そして、センシタイジング
には、例えば、強酸性の塩化第1スズが好適に用いら
れ、アクチベーティングには、通常、パラジウム、白
金、金、銀などの金属の塩の水溶液が用いられる。な
お、上記の各工程の間には、水洗工程(S 2)等が設け
られる。
盤表面を清浄化して親水化表面となし、中和工程
(S3 )においては中和処理を行い、センシタイジング
工程(S 5)においてはスズイオンを基盤表面に吸着さ
せ、アクチベーティング工程(S 7)においては、還元
反応により、無電解めっき反応の触媒核となる金属微粒
子を基盤表面に析出させる。そして、センシタイジング
には、例えば、強酸性の塩化第1スズが好適に用いら
れ、アクチベーティングには、通常、パラジウム、白
金、金、銀などの金属の塩の水溶液が用いられる。な
お、上記の各工程の間には、水洗工程(S 2)等が設け
られる。
【0005】そして、上記の無磁気ディスク基盤の製造
工程においては、特に、めっき反応によって生成する水
素ガスの基盤からの脱離を容易にすると言う無電解Ni
−Pめっき工程(S 9)での必要性から、ドーナツ状基
板の内周部の端部に嵌合する複数個のリング状溝を周面
に設け且つ水平に配置されたスピンドルを備えた表面処
理装置を用い、複数枚のドーナツ状基板の各中空部にス
ピンドルを挿入し、スピンドルの各リング状溝内に各ド
ーナツ状基板の内周部の上側の端部を嵌合させてドーナ
ツ状基板を吊り下げ、次いで、複数枚のドーナツ状基板
を処理液中に浸漬し、スピンドルを回転させつつ表面処
理を行う方式(基盤回転方式)が採用されている。
工程においては、特に、めっき反応によって生成する水
素ガスの基盤からの脱離を容易にすると言う無電解Ni
−Pめっき工程(S 9)での必要性から、ドーナツ状基
板の内周部の端部に嵌合する複数個のリング状溝を周面
に設け且つ水平に配置されたスピンドルを備えた表面処
理装置を用い、複数枚のドーナツ状基板の各中空部にス
ピンドルを挿入し、スピンドルの各リング状溝内に各ド
ーナツ状基板の内周部の上側の端部を嵌合させてドーナ
ツ状基板を吊り下げ、次いで、複数枚のドーナツ状基板
を処理液中に浸漬し、スピンドルを回転させつつ表面処
理を行う方式(基盤回転方式)が採用されている。
【0006】上記の基盤回転方式にて用いられるスピン
ドルについては、その材質に関する改良が特開昭63−
100613号や同63−100614号の各公報によ
って提案されている。
ドルについては、その材質に関する改良が特開昭63−
100613号や同63−100614号の各公報によ
って提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、磁気
ディスク装置の小型化に伴い、磁気ディスク基盤のサイ
ズも小型化され、特に、基盤の厚さは、薄く(従って軽
く)なって来ている。斯かる磁気ディスク基盤の基盤回
転方式による表面処理においては、処理液中にて基盤が
揺動し易く、その結果、スピンドルの各リング状溝内に
吊り下げられた基板の隣接する同志が端部にて接触し、
基盤表面に傷が発生すると言う問題が惹起されている。
しかしながら、斯かる問題を解決した表面処理装置は、
未だ提案されていない。
ディスク装置の小型化に伴い、磁気ディスク基盤のサイ
ズも小型化され、特に、基盤の厚さは、薄く(従って軽
く)なって来ている。斯かる磁気ディスク基盤の基盤回
転方式による表面処理においては、処理液中にて基盤が
揺動し易く、その結果、スピンドルの各リング状溝内に
吊り下げられた基板の隣接する同志が端部にて接触し、
基盤表面に傷が発生すると言う問題が惹起されている。
しかしながら、斯かる問題を解決した表面処理装置は、
未だ提案されていない。
【0008】本発明は、上記実情に鑑みなされたもので
あり、その目的は、複数枚のドーナツ状基板を同時に表
面処理するための基盤回転方式の表面処理装置および表
面処理方法であって、特に、隣接する基盤同志の処理中
における接触問題を解決した表面処理装置および表面処
理方法を提供することにある。
あり、その目的は、複数枚のドーナツ状基板を同時に表
面処理するための基盤回転方式の表面処理装置および表
面処理方法であって、特に、隣接する基盤同志の処理中
における接触問題を解決した表面処理装置および表面処
理方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明の第1
要旨は、複数枚のドーナツ状基板を同時に表面処理する
ための装置であって、ドーナツ状基板の内周部の端部に
嵌合する複数個のリング状溝を周面に設け且つ水平に配
置されたスピンドルと、ドーナツ状基板の内周部の端部
に嵌合し且つ上記のスピンドルのリング状溝と実質的に
同一ピッチを有する複数個のリング状溝を周面に設けた
ウエイトバーと、上記のスピンドルの回転機構とから主
として構成されることを特徴とするドーナツ状基板の表
面処理装置に存する。
要旨は、複数枚のドーナツ状基板を同時に表面処理する
ための装置であって、ドーナツ状基板の内周部の端部に
嵌合する複数個のリング状溝を周面に設け且つ水平に配
置されたスピンドルと、ドーナツ状基板の内周部の端部
に嵌合し且つ上記のスピンドルのリング状溝と実質的に
同一ピッチを有する複数個のリング状溝を周面に設けた
ウエイトバーと、上記のスピンドルの回転機構とから主
として構成されることを特徴とするドーナツ状基板の表
面処理装置に存する。
【0010】そして、本発明の第2の要旨は、上記の装
置を用いた表面処理方法であって、複数枚のドーナツ状
基板の各中空部にスピンドルを挿入し、スピンドルの各
リング状溝内に各ドーナツ状基板の内周部の上側の端部
を嵌合させてドーナツ状基板を吊り下げ、更に、複数枚
のドーナツ状基板の各中空部とスピンドルとの間隙にウ
エイトバーを挿入し、各ドーナツ状基板の内周部の下側
の端部にウエイトバーの各リング状溝内を嵌合させて各
ドーナツ状基板の中空部にウエイトバーを載置し、次い
で、複数枚のドーナツ状基板を処理液中に浸漬し、スピ
ンドルを回転させつつ表面処理を行うことを特徴とする
ドーナツ状基板の表面処理方法に存する。
置を用いた表面処理方法であって、複数枚のドーナツ状
基板の各中空部にスピンドルを挿入し、スピンドルの各
リング状溝内に各ドーナツ状基板の内周部の上側の端部
を嵌合させてドーナツ状基板を吊り下げ、更に、複数枚
のドーナツ状基板の各中空部とスピンドルとの間隙にウ
エイトバーを挿入し、各ドーナツ状基板の内周部の下側
の端部にウエイトバーの各リング状溝内を嵌合させて各
ドーナツ状基板の中空部にウエイトバーを載置し、次い
で、複数枚のドーナツ状基板を処理液中に浸漬し、スピ
ンドルを回転させつつ表面処理を行うことを特徴とする
ドーナツ状基板の表面処理方法に存する。
【0011】以下、本発明を詳細に説明する。先ず、本
発明の表面処理装置の一例について説明する。図1は、
本発明の表面処理装置の要部の拡大図であって、表面処
理装置にドーナツ状基板をセットした状態の側面説明
図、図2は、本発明の表面処理装置の要部の拡大図であ
って、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態
の端面説明図、図3は、本発明の表面処理装置にドーナ
ツ状基板をセットする際のスピンドルとウエイトバーと
の位置関係を示す説明図、図4は、本発明の表面処理装
置を用いた表面処理の準備状態を示す説明図、図5は、
本発明の表面処理装置を用いた表面処理の準備状態であ
って、ドーナツ状基板のセット作業状態を示す説明図、
図6は、図5に示す要部の拡大説明図である。
発明の表面処理装置の一例について説明する。図1は、
本発明の表面処理装置の要部の拡大図であって、表面処
理装置にドーナツ状基板をセットした状態の側面説明
図、図2は、本発明の表面処理装置の要部の拡大図であ
って、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態
の端面説明図、図3は、本発明の表面処理装置にドーナ
ツ状基板をセットする際のスピンドルとウエイトバーと
の位置関係を示す説明図、図4は、本発明の表面処理装
置を用いた表面処理の準備状態を示す説明図、図5は、
本発明の表面処理装置を用いた表面処理の準備状態であ
って、ドーナツ状基板のセット作業状態を示す説明図、
図6は、図5に示す要部の拡大説明図である。
【0012】本発明の表面処理装置は、図1及び図2に
示す様に、ドーナツ状基板(7)の内周部の端部(7
1)に嵌合する複数個のリング状溝(15v)、・・・
を周面に設け且つ水平に配置されたスピンドル(15)
と、ドーナツ状基板の内周部の端部(71)に嵌合し且
つ上記のスピンドルのリング状溝(15v)と実質的に
同一ピッチを有する複数個のリング状溝(16v)、・
・・を周面に設けたウエイトバー(16)と、上記のス
ピンドルの回転機構とから主として構成される。なお、
スピンドルの回転機構については後述する。
示す様に、ドーナツ状基板(7)の内周部の端部(7
1)に嵌合する複数個のリング状溝(15v)、・・・
を周面に設け且つ水平に配置されたスピンドル(15)
と、ドーナツ状基板の内周部の端部(71)に嵌合し且
つ上記のスピンドルのリング状溝(15v)と実質的に
同一ピッチを有する複数個のリング状溝(16v)、・
・・を周面に設けたウエイトバー(16)と、上記のス
ピンドルの回転機構とから主として構成される。なお、
スピンドルの回転機構については後述する。
【0013】スピンドル(15)は、処理液に不活性な
材質にて構成され、通常、金属、セラミック、プラスチ
ック等の中から処理液の種類を考慮して選択される。ポ
リプロピレンでステンレスやオーステナイト系合金の芯
棒を被覆した材料などは好適に用いられる。スピンドル
(15)の周面に設けられる1つのリング状溝(15
v)は、全周面に亘る一条のリング状溝として軸線に対
して垂直方向に形成される。そして、リング状溝(15
v)の形状は、特に限定されず、凹形状、V形状、U形
状などの形状を適宜採用することが出来るが、凹形状の
水平底部をV形状とした溝が好適に採用される。
材質にて構成され、通常、金属、セラミック、プラスチ
ック等の中から処理液の種類を考慮して選択される。ポ
リプロピレンでステンレスやオーステナイト系合金の芯
棒を被覆した材料などは好適に用いられる。スピンドル
(15)の周面に設けられる1つのリング状溝(15
v)は、全周面に亘る一条のリング状溝として軸線に対
して垂直方向に形成される。そして、リング状溝(15
v)の形状は、特に限定されず、凹形状、V形状、U形
状などの形状を適宜採用することが出来るが、凹形状の
水平底部をV形状とした溝が好適に採用される。
【0014】また、リング状溝(15v)の幅や深さ等
は、ドーナツ状基板(7)のサイズに応じ、ドーナツ状
基板(7)の内周部の端部(71)にリング状溝(15
v)が十分に嵌合し得る様に適宜決定される。そして、
複数個のリング状溝(15v)の相互の間隔(ピッチ)
及びその個数は、特に制限されず、スピンドル(15)
にセットするドーナツ状基板(7)の数(処理能力)等
を勘案して適宜の間隔を選択することが出来る。
は、ドーナツ状基板(7)のサイズに応じ、ドーナツ状
基板(7)の内周部の端部(71)にリング状溝(15
v)が十分に嵌合し得る様に適宜決定される。そして、
複数個のリング状溝(15v)の相互の間隔(ピッチ)
及びその個数は、特に制限されず、スピンドル(15)
にセットするドーナツ状基板(7)の数(処理能力)等
を勘案して適宜の間隔を選択することが出来る。
【0015】しかしながら、ドーナツ状基板(7)とし
て、非磁性材料から成るドーナツ状基板を用いて磁気デ
ィスク基盤を製造する場合は、通常、斯かるドーナツ状
基板は、25枚を一組としてカセットに収容されて取引
され、しかも、基盤間隔は、通常0.247〜0.25
3インチの範囲、標準的には0.250インチ(6.3
5mm)となされているため、複数個のリング状溝(1
5v)の相互の間隔(ピッチ)は、上記の基盤間隔と同
一の間隔とするのが都合が良い。
て、非磁性材料から成るドーナツ状基板を用いて磁気デ
ィスク基盤を製造する場合は、通常、斯かるドーナツ状
基板は、25枚を一組としてカセットに収容されて取引
され、しかも、基盤間隔は、通常0.247〜0.25
3インチの範囲、標準的には0.250インチ(6.3
5mm)となされているため、複数個のリング状溝(1
5v)の相互の間隔(ピッチ)は、上記の基盤間隔と同
一の間隔とするのが都合が良い。
【0016】ウエイトバー(16)は、スピンドル(1
5)と同様に、処理液に不活性な材質にて構成される
が、特に、テフロンでステンレスやオーステナイト系合
金の芯棒を被覆した材料は、ドーナツ状基板(7)との
滑り性が良好であるために好適に用いられる。ウエイト
バー(16)の周面に設けられる1つのリング状溝(1
6v)は、全周面に亘る一条のリング状溝として軸線に
対して垂直方向に形成される。そして、リング状溝(1
6v)の形状は、特に限定されず、スピンドル(15)
のリング状溝(15v)と同様の形状を適宜採用するこ
とが出来るが、V形状またはU形状が好適に採用され
る。
5)と同様に、処理液に不活性な材質にて構成される
が、特に、テフロンでステンレスやオーステナイト系合
金の芯棒を被覆した材料は、ドーナツ状基板(7)との
滑り性が良好であるために好適に用いられる。ウエイト
バー(16)の周面に設けられる1つのリング状溝(1
6v)は、全周面に亘る一条のリング状溝として軸線に
対して垂直方向に形成される。そして、リング状溝(1
6v)の形状は、特に限定されず、スピンドル(15)
のリング状溝(15v)と同様の形状を適宜採用するこ
とが出来るが、V形状またはU形状が好適に採用され
る。
【0017】また、リング状溝(16v)の幅や深さ等
は、リング状溝(15v)の場合と同様の基準で適宜決
定されるが、複数個のリング状溝(16v)の相互の間
隔(ピッチ)は、スピンドル(15)の複数個のリング
状溝(15v)の相互の間隔(ピッチ)と実質的同一で
なければならない。ウエイトバー(16)のリング状溝
(16v)におけるピッチとスピンドル(15)のリン
グ状溝(15v)におけるピッチとが著しく異なる場合
は、スピンドル(15)に複数枚のドーナツ状基板
(7)をセットした際、ドーナツ状基板(7)を垂直に
保持出来ないばかりか、隣接するドーナツ状基板(7)
同志の端部が接触することになる。
は、リング状溝(15v)の場合と同様の基準で適宜決
定されるが、複数個のリング状溝(16v)の相互の間
隔(ピッチ)は、スピンドル(15)の複数個のリング
状溝(15v)の相互の間隔(ピッチ)と実質的同一で
なければならない。ウエイトバー(16)のリング状溝
(16v)におけるピッチとスピンドル(15)のリン
グ状溝(15v)におけるピッチとが著しく異なる場合
は、スピンドル(15)に複数枚のドーナツ状基板
(7)をセットした際、ドーナツ状基板(7)を垂直に
保持出来ないばかりか、隣接するドーナツ状基板(7)
同志の端部が接触することになる。
【0018】スピンドル(15)及びウエイトバー(1
6)は、共に、ドーナツ状基板(7)の各中空部に挿入
される。従って、これらの外径は、ドーナツ状基板
(7)の各中空部への挿入作業を勘案した所定の大きさ
とされる。通常、ウエイトバー(16)の外径は、スピ
ンドル(15)の外径より小さくされる。スピンドル
(15)に複数枚のドーナツ状基板(7)をセットする
操作の詳細は後述するが、通常、ドーナツ状基板(7)
の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエイトバー
(16)を挿入する。
6)は、共に、ドーナツ状基板(7)の各中空部に挿入
される。従って、これらの外径は、ドーナツ状基板
(7)の各中空部への挿入作業を勘案した所定の大きさ
とされる。通常、ウエイトバー(16)の外径は、スピ
ンドル(15)の外径より小さくされる。スピンドル
(15)に複数枚のドーナツ状基板(7)をセットする
操作の詳細は後述するが、通常、ドーナツ状基板(7)
の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエイトバー
(16)を挿入する。
【0019】本発明においては、スピンドル(15)及
びウエイトバー(16)の外径を必要以上に小さくする
ことなく、ウエイトバー(16)の上記の挿入操作を容
易にするため、図3に示す様に、スピンドル(15)及
びウエイトバー(16)何れか一方の軸線方向の周面に
他方の周面を嵌合し得る一条の切欠部を設けるのが好ま
しい。
びウエイトバー(16)の外径を必要以上に小さくする
ことなく、ウエイトバー(16)の上記の挿入操作を容
易にするため、図3に示す様に、スピンドル(15)及
びウエイトバー(16)何れか一方の軸線方向の周面に
他方の周面を嵌合し得る一条の切欠部を設けるのが好ま
しい。
【0020】図3に示した上記の切欠部は、スピンドル
(15)側に形成されたリング状溝(15r)(突起
(15p)の左右のリング状溝を指す)にて構成されて
いるが、ウエイトバー(16)の上記の挿入操作を一層
容易にするため、リング状溝(15r)の中心部には、
軸線方向に沿った一条の突起(15p)を形成し、ウエ
イトバー(16)の軸線方向の周面には、突起(15
p)に嵌合するリング状溝(16q)を形成している。
(15)側に形成されたリング状溝(15r)(突起
(15p)の左右のリング状溝を指す)にて構成されて
いるが、ウエイトバー(16)の上記の挿入操作を一層
容易にするため、リング状溝(15r)の中心部には、
軸線方向に沿った一条の突起(15p)を形成し、ウエ
イトバー(16)の軸線方向の周面には、突起(15
p)に嵌合するリング状溝(16q)を形成している。
【0021】上記の実施態様によれば、スピンドル(1
5)のリング状溝(15r)内にウエイトバー(16)
を嵌合させて両者を重ね合わせることにより、ドーナツ
状基板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙に
ウエイトバー(16)を挿入する操作が容易となり、し
かも、スピンドル(15)の突起(15p)とウエイト
バー(16)のリング状溝(16q)の嵌合により、ス
ピンドル(15)とウエイトバー(16)との上記の重
ね合わせを確実にすることが出来る。
5)のリング状溝(15r)内にウエイトバー(16)
を嵌合させて両者を重ね合わせることにより、ドーナツ
状基板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙に
ウエイトバー(16)を挿入する操作が容易となり、し
かも、スピンドル(15)の突起(15p)とウエイト
バー(16)のリング状溝(16q)の嵌合により、ス
ピンドル(15)とウエイトバー(16)との上記の重
ね合わせを確実にすることが出来る。
【0022】本発明の表面処理装置は、通常、目的とす
る複数の表面処理を行うために独立した複数の処理槽の
上方を逐次移動でき且つ各処理槽内の処理液中にドーナ
ツ状基板を浸漬し得る様に昇降自在に構成されて用いら
れる。斯かる実施態様は、例えば、図4に示す様に、ス
ライダー(2)、懸垂治具(21)、昇降機構(2
2)、搬送レール(3)を利用して実現することが出来
る。
る複数の表面処理を行うために独立した複数の処理槽の
上方を逐次移動でき且つ各処理槽内の処理液中にドーナ
ツ状基板を浸漬し得る様に昇降自在に構成されて用いら
れる。斯かる実施態様は、例えば、図4に示す様に、ス
ライダー(2)、懸垂治具(21)、昇降機構(2
2)、搬送レール(3)を利用して実現することが出来
る。
【0023】図4に例示した表面処理装置(1)は、そ
の両端部に配置され且つ上端が内方に屈曲した係止部
(11b)、(11b)を設けている。処理槽(5)の
近傍に配置された適宜の支柱の上には、処理槽(5)及
びこれに続く他の処理槽(図示せず)に平行して且つ水
平に搬送レール(3)が架設されている。搬送レール
(3)上を走行するスライダー(2)は、スクリュー方
式、チエン方式などの昇降機構(22)を備え、当該昇
降機構の水平アームの先端には、逆T字型の懸垂治具
(21)を設け、当該懸垂治具は、昇降機構(22)に
よって昇降自在になされている。符合(23)は昇降機
構(22)の駆動モーターである。図4に示す状態は、
表面処理装置(1)の係止部(11b)、(11b)間
に懸垂治具(21)のT字部を係合させ、表面処理装置
(1)を処理槽(5)の上部に懸垂した状態を示してい
る。
の両端部に配置され且つ上端が内方に屈曲した係止部
(11b)、(11b)を設けている。処理槽(5)の
近傍に配置された適宜の支柱の上には、処理槽(5)及
びこれに続く他の処理槽(図示せず)に平行して且つ水
平に搬送レール(3)が架設されている。搬送レール
(3)上を走行するスライダー(2)は、スクリュー方
式、チエン方式などの昇降機構(22)を備え、当該昇
降機構の水平アームの先端には、逆T字型の懸垂治具
(21)を設け、当該懸垂治具は、昇降機構(22)に
よって昇降自在になされている。符合(23)は昇降機
構(22)の駆動モーターである。図4に示す状態は、
表面処理装置(1)の係止部(11b)、(11b)間
に懸垂治具(21)のT字部を係合させ、表面処理装置
(1)を処理槽(5)の上部に懸垂した状態を示してい
る。
【0024】また、本発明の表面処理装置において、ス
ピンドル(15)の回転機構には、例えば、図5及び図
6に例示する歯車列を利用することが出来る。すなわ
ち、図示された回転機構は、係止部(11b)、(11
b)にて支持された水平フレーム(11a)と、その下
部の左右に設けられた軸受け(12c)、(12c)
と、これらの軸受けによって水平に支承された回転軸
(12)と、当該回転軸の略中央部に嵌合する歯車(1
2g)と、当該歯車と列をなす歯車(14g)及び(1
5g)と、水平フレーム(11a)の上端部に配置され
たモーター(13)と、当該モーターの回転駆動を回転
軸(12)に伝達するスプロケット(13s)及び(1
2S)及びチェーン(12c)によって構成されてい
る。
ピンドル(15)の回転機構には、例えば、図5及び図
6に例示する歯車列を利用することが出来る。すなわ
ち、図示された回転機構は、係止部(11b)、(11
b)にて支持された水平フレーム(11a)と、その下
部の左右に設けられた軸受け(12c)、(12c)
と、これらの軸受けによって水平に支承された回転軸
(12)と、当該回転軸の略中央部に嵌合する歯車(1
2g)と、当該歯車と列をなす歯車(14g)及び(1
5g)と、水平フレーム(11a)の上端部に配置され
たモーター(13)と、当該モーターの回転駆動を回転
軸(12)に伝達するスプロケット(13s)及び(1
2S)及びチェーン(12c)によって構成されてい
る。
【0025】歯車(14g)及び(15g)は、歯車
(12g)を挟み込む状態にて水平フレーム(11a)
の略中央部に設けられた左右の垂直フレーム(14)、
(14)の間に適宜の手段で配置されている。そして、
歯車(15g)には、スピンドル(15)が嵌合されて
おり、モーター(13)の回転駆動は、スプロケット
(13s)、チェーン(12c)、スプロケット(12
S)、回転軸(12)、歯車(12g)、(14g)、
(15g)を介してスピンドル(15)に伝達される。
なお、図示した例においては、左右の周面に複数個のリ
ング状溝(15v)を設けたスピンドル(15)を用
い、その中央に歯車(15g)を嵌合させることによ
り、スピンドル(15)の左右にそれぞれ複数枚のドー
ナツ状基板(7)をセットし得る様にしている。
(12g)を挟み込む状態にて水平フレーム(11a)
の略中央部に設けられた左右の垂直フレーム(14)、
(14)の間に適宜の手段で配置されている。そして、
歯車(15g)には、スピンドル(15)が嵌合されて
おり、モーター(13)の回転駆動は、スプロケット
(13s)、チェーン(12c)、スプロケット(12
S)、回転軸(12)、歯車(12g)、(14g)、
(15g)を介してスピンドル(15)に伝達される。
なお、図示した例においては、左右の周面に複数個のリ
ング状溝(15v)を設けたスピンドル(15)を用
い、その中央に歯車(15g)を嵌合させることによ
り、スピンドル(15)の左右にそれぞれ複数枚のドー
ナツ状基板(7)をセットし得る様にしている。
【0026】スピンドル(15)へのドーナツ状基板
(7)のセットは、図5及び図6に例示するドーナツ状
基板着脱装置(4)を用いて効率的に行うことが出来
る。ドーナツ状基板着脱装置(4)は、上部開放型(コ
の字型)の架台(41)と、当該架台の内部に所定の下
部空間を設けて配置され且つ略中央部に空間部を有する
水平基台(42)と、該水平基台の上に配置されるカセ
ット移動機構(43)と、架台(41)の下部に配置さ
れた昇降機構(44)とから構成されている。
(7)のセットは、図5及び図6に例示するドーナツ状
基板着脱装置(4)を用いて効率的に行うことが出来
る。ドーナツ状基板着脱装置(4)は、上部開放型(コ
の字型)の架台(41)と、当該架台の内部に所定の下
部空間を設けて配置され且つ略中央部に空間部を有する
水平基台(42)と、該水平基台の上に配置されるカセ
ット移動機構(43)と、架台(41)の下部に配置さ
れた昇降機構(44)とから構成されている。
【0027】そして、架台(41)の左右両端には、ス
ピンドル(15)の回転機構を係止する端部支持部(4
1e)が設けられ、架台(41)の底部の略中央部(水
平基台(42)の空間部に対向する位置)には、上記の
回転機構が支持部(41e)に係止された状態におい
て、上記の回転機構(垂直フレーム(14)、(1
4))が当接する中央支持部(41f)が設けられてい
る。
ピンドル(15)の回転機構を係止する端部支持部(4
1e)が設けられ、架台(41)の底部の略中央部(水
平基台(42)の空間部に対向する位置)には、上記の
回転機構が支持部(41e)に係止された状態におい
て、上記の回転機構(垂直フレーム(14)、(1
4))が当接する中央支持部(41f)が設けられてい
る。
【0028】上記のカセット移動機構(43)は、レー
ル(43r)と、その底部に設けた走行用ローラー(4
3s)によってレール(43r)上を走行するカセット
台(43a)と、当該カセット台の上に載置される上方
開放型のカセット(6)にて構成されている。図示した
例においては、カセット移動機構(43)は、水平基台
(42)の中央部の空間部の左右に2組配置され、スピ
ンドル(15)の左右にそれぞれ複数枚のドーナツ状基
板(7)をセットし得る様にしている。また、上記の昇
降機構(44)は、例えば、油圧式のジャッキ装置にて
構成することが出来る。
ル(43r)と、その底部に設けた走行用ローラー(4
3s)によってレール(43r)上を走行するカセット
台(43a)と、当該カセット台の上に載置される上方
開放型のカセット(6)にて構成されている。図示した
例においては、カセット移動機構(43)は、水平基台
(42)の中央部の空間部の左右に2組配置され、スピ
ンドル(15)の左右にそれぞれ複数枚のドーナツ状基
板(7)をセットし得る様にしている。また、上記の昇
降機構(44)は、例えば、油圧式のジャッキ装置にて
構成することが出来る。
【0029】次に、上記のドーナツ状基板着脱装置
(4)を利用した本発明の表面処理方法について説明す
る。本発明の表面処理方法においては、複数枚のドーナ
ツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(15)を挿入
し、スピンドル(15)の各リング状溝(15v)内に
各ドーナツ状基板(15)の内周部の上側の端部(7
1)を嵌合させてドーナツ状基板(15)を吊り下げ、
更に、複数枚のドーナツ状基板(7)の各中空部とスピ
ンドル(15)との間隙にウエイトバー(16)を挿入
し、各ドーナツ状基板(7)の内周部の下側の端部(7
1)にウエイトバー(16)の各リング状溝(16v)
内を嵌合させて各ドーナツ状基板(7)の中空部にウエ
イトバー(16)を載置し、次いで、複数枚のドーナツ
状基板(7)を処理液中に浸漬し、スピンドル(15)
を回転させつつ表面処理を行う。
(4)を利用した本発明の表面処理方法について説明す
る。本発明の表面処理方法においては、複数枚のドーナ
ツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(15)を挿入
し、スピンドル(15)の各リング状溝(15v)内に
各ドーナツ状基板(15)の内周部の上側の端部(7
1)を嵌合させてドーナツ状基板(15)を吊り下げ、
更に、複数枚のドーナツ状基板(7)の各中空部とスピ
ンドル(15)との間隙にウエイトバー(16)を挿入
し、各ドーナツ状基板(7)の内周部の下側の端部(7
1)にウエイトバー(16)の各リング状溝(16v)
内を嵌合させて各ドーナツ状基板(7)の中空部にウエ
イトバー(16)を載置し、次いで、複数枚のドーナツ
状基板(7)を処理液中に浸漬し、スピンドル(15)
を回転させつつ表面処理を行う。
【0030】ドーナツ状基板(7)としては、スピンド
ル(15)のリング状溝(15v)内に吊り下げられた
際、垂直に自立可能な硬度を有するドーナツ状基板が対
象とされる。斯かるドーナツ状基板としては、例えば、
磁気ディスク基盤、光ディスク基盤が代表的である。こ
れらの基盤は、アルミニウム、セラミックス、ガラス、
プラスチックス等の非磁性材料にて構成されている。
ル(15)のリング状溝(15v)内に吊り下げられた
際、垂直に自立可能な硬度を有するドーナツ状基板が対
象とされる。斯かるドーナツ状基板としては、例えば、
磁気ディスク基盤、光ディスク基盤が代表的である。こ
れらの基盤は、アルミニウム、セラミックス、ガラス、
プラスチックス等の非磁性材料にて構成されている。
【0031】先ず、本発明の表面処理方法においては、
カセット移動機構(43)の上に複数枚のドーナツ状基
板(7)を収容したカセット(6)を載置し、昇降機構
(44)を駆動させて架台(41)を上昇させ、そし
て、架台(41)の端部支持部(41e)と中央支持部
(41f)によってスピンドル(15)の回転機構を静
止させ、次いで、カセット移動機構(43)のカセット
台(43a)をレール(43r)上を走行させて複数枚
のドーナツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(1
5)を挿入する。
カセット移動機構(43)の上に複数枚のドーナツ状基
板(7)を収容したカセット(6)を載置し、昇降機構
(44)を駆動させて架台(41)を上昇させ、そし
て、架台(41)の端部支持部(41e)と中央支持部
(41f)によってスピンドル(15)の回転機構を静
止させ、次いで、カセット移動機構(43)のカセット
台(43a)をレール(43r)上を走行させて複数枚
のドーナツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(1
5)を挿入する。
【0032】次いで、昇降機構(44)を駆動させて架
台(41)を降下させることにより、スピンドル(1
5)の各リング状溝(15v)内に各ドーナツ状基板
(7)の内周部の上側の端部(71)を嵌合させてドー
ナツ状基板(7)を吊り下げる。そして、ドーナツ状基
板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエ
イトバー(16)を挿入し、各ドーナツ状基板(7)の
内周部の下側の端部(71)にウエイトバー(16)の
各リング状溝(16v)を嵌合させて各ドーナツ状基板
(7)の中空部にウエイトバー(16)を載置する。
台(41)を降下させることにより、スピンドル(1
5)の各リング状溝(15v)内に各ドーナツ状基板
(7)の内周部の上側の端部(71)を嵌合させてドー
ナツ状基板(7)を吊り下げる。そして、ドーナツ状基
板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエ
イトバー(16)を挿入し、各ドーナツ状基板(7)の
内周部の下側の端部(71)にウエイトバー(16)の
各リング状溝(16v)を嵌合させて各ドーナツ状基板
(7)の中空部にウエイトバー(16)を載置する。
【0033】なお、カセット(6)として、上部および
側部開放型のカセットを用いた場合は、複数枚のドーナ
ツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(15)を挿入
した後、架台(41)を降下させる前に、ウエイトバー
(16)のセットを行うことも出来る。
側部開放型のカセットを用いた場合は、複数枚のドーナ
ツ状基板(7)の各中空部にスピンドル(15)を挿入
した後、架台(41)を降下させる前に、ウエイトバー
(16)のセットを行うことも出来る。
【0034】次いで、前述の昇降機構(22)によって
表面処理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によ
って目的とする処理槽の上方に移動させ、昇降機構(2
2)によって降下させて複数枚のドーナツ状基板(7)
を処理液中に浸漬し、スピンドル(15)を回転させつ
つ表面処理を行う。
表面処理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によ
って目的とする処理槽の上方に移動させ、昇降機構(2
2)によって降下させて複数枚のドーナツ状基板(7)
を処理液中に浸漬し、スピンドル(15)を回転させつ
つ表面処理を行う。
【0035】本発明の表面処理装置および表面処理方法
においては、スピンドル(15)の回転により、ドーナ
ツ状基板(7)は、スピンドル(15)のリング状溝
(15v)内で自転しながら公転し、また、ウエイトバ
ー(16)はドーナツ状基板(7)の内周部の端部(7
1)で回転しながら公転する。そして、斯かる状態で行
われる表面処理においては、ドーナツ状基板(7)は、
相互に平行するスピンドル(15)とウエイトバー(1
6)との各リング状溝(15v)、(16v)によって
保持されているため、ドーナツ状基板(7)がスピンド
ル(15)から外れて落下することがなく、しかも、隣
接するドーナツ状基板(7)の端部が接触することもな
い。
においては、スピンドル(15)の回転により、ドーナ
ツ状基板(7)は、スピンドル(15)のリング状溝
(15v)内で自転しながら公転し、また、ウエイトバ
ー(16)はドーナツ状基板(7)の内周部の端部(7
1)で回転しながら公転する。そして、斯かる状態で行
われる表面処理においては、ドーナツ状基板(7)は、
相互に平行するスピンドル(15)とウエイトバー(1
6)との各リング状溝(15v)、(16v)によって
保持されているため、ドーナツ状基板(7)がスピンド
ル(15)から外れて落下することがなく、しかも、隣
接するドーナツ状基板(7)の端部が接触することもな
い。
【0036】
【実施例】以下、本発明の表面処理方法を実施例により
更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、
以下の実施例は、図4に示す移動機構と図5及び図6に
示したスピンドル(15)の回転機構を備えた本発明の
表面処理装置を用い、図7に示すフローシートに従って
磁気ディスク基盤の製造のために行った表面処理の例で
ある。
更に詳細に説明するが、本発明は、その要旨を超えない
限り、以下の実施例に限定されるものではない。なお、
以下の実施例は、図4に示す移動機構と図5及び図6に
示したスピンドル(15)の回転機構を備えた本発明の
表面処理装置を用い、図7に示すフローシートに従って
磁気ディスク基盤の製造のために行った表面処理の例で
ある。
【0037】実施例1 スピンドル(15)としては、ポリプロピレンでステン
レス芯棒を被覆した材料にて構成され、全周面に亘る一
条のリング状溝(凹形状の水平底部をV形状とした溝、
リング状溝最大幅:1.5mm、リング状溝深さ:2.
5mm、ピッチ:6.35mm)を有する外径15.0
mmのスピンドルを用い、ウエイトバー(16)として
は、テフロンでオーステナイト系合金の芯棒を被覆した
材料にて構成され、全周面に亘る一条のV形状のリング
状溝(リング状溝最大幅:3.0mm、リング状溝深
さ:2.0mm、ピッチ:6.35mm)を有する外径
6.0mmのウエイトバーを用いた。また、ドーナツ状
基板(7)としては、外径65mm、内径20mm、厚
さ0.635mmであり、25枚を一組として上部開放
型のカセットに収容されたガラス基盤(2.5インチサ
イズ)を2組用いた。
レス芯棒を被覆した材料にて構成され、全周面に亘る一
条のリング状溝(凹形状の水平底部をV形状とした溝、
リング状溝最大幅:1.5mm、リング状溝深さ:2.
5mm、ピッチ:6.35mm)を有する外径15.0
mmのスピンドルを用い、ウエイトバー(16)として
は、テフロンでオーステナイト系合金の芯棒を被覆した
材料にて構成され、全周面に亘る一条のV形状のリング
状溝(リング状溝最大幅:3.0mm、リング状溝深
さ:2.0mm、ピッチ:6.35mm)を有する外径
6.0mmのウエイトバーを用いた。また、ドーナツ状
基板(7)としては、外径65mm、内径20mm、厚
さ0.635mmであり、25枚を一組として上部開放
型のカセットに収容されたガラス基盤(2.5インチサ
イズ)を2組用いた。
【0038】先ず、左右のカセット移動機構(43)の
上に2組のカセット(6)をそれぞれ載置し、昇降機構
(44)を駆動させて架台(41)を上昇させ、そし
て、架台(41)の端部支持部(41e)と中央支持部
(41f)に係合させてスピンドル(15)の回転機構
を静止させ、次いで、カセット移動機構(43)のカセ
ット台(43a)をレール(43r)上を走行させて各
組のドーナツ状基板(7)の各中空部に左右のスピンド
ル(15)を挿入した。
上に2組のカセット(6)をそれぞれ載置し、昇降機構
(44)を駆動させて架台(41)を上昇させ、そし
て、架台(41)の端部支持部(41e)と中央支持部
(41f)に係合させてスピンドル(15)の回転機構
を静止させ、次いで、カセット移動機構(43)のカセ
ット台(43a)をレール(43r)上を走行させて各
組のドーナツ状基板(7)の各中空部に左右のスピンド
ル(15)を挿入した。
【0039】次いで、昇降機構(44)を駆動させて架
台(41)を降下させることにより、スピンドル(1
5)の各リング状溝(15v)内に各ドーナツ状基板
(7)の内周部の上側の端部(71)を嵌合させてドー
ナツ状基板(7)を吊り下げた。そして、ドーナツ状基
板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエ
イトバー(16)を挿入し、各ドーナツ状基板(7)の
内周部の下側の端部(71)にウエイトバー(16)の
各リング状溝(16v)を嵌合させて各ドーナツ状基板
(7)の中空部にウエイトバー(16)を載置した。
台(41)を降下させることにより、スピンドル(1
5)の各リング状溝(15v)内に各ドーナツ状基板
(7)の内周部の上側の端部(71)を嵌合させてドー
ナツ状基板(7)を吊り下げた。そして、ドーナツ状基
板(7)の中空部とスピンドル(15)との間隙にウエ
イトバー(16)を挿入し、各ドーナツ状基板(7)の
内周部の下側の端部(71)にウエイトバー(16)の
各リング状溝(16v)を嵌合させて各ドーナツ状基板
(7)の中空部にウエイトバー(16)を載置した。
【0040】次いで、昇降機構(22)によって表面処
理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によって脱
脂工程(S1 )のアルカリ処理槽の上方に移動させ、昇
降機構(22)によって降下させ、アルカリ水溶液中に
ドーナツ状基板(7)を浸漬し、スピンドル(15)を
回転させつつ表面処理を行った。スピンドル(15)の
回転数は、6rpmに制御した。
理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によって脱
脂工程(S1 )のアルカリ処理槽の上方に移動させ、昇
降機構(22)によって降下させ、アルカリ水溶液中に
ドーナツ状基板(7)を浸漬し、スピンドル(15)を
回転させつつ表面処理を行った。スピンドル(15)の
回転数は、6rpmに制御した。
【0041】次いで、昇降機構(22)によって表面処
理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によって水
洗工程(S2 )の純水洗浄槽の上方に移動させ、昇降機
構(22)によって降下させ、純水中にドーナツ状基板
(7)を浸漬し、スピンドル(15)を回転させつつ表
面処理を行った。スピンドル(15)の回転数は、6r
pmに制御した。
理装置(1)を上昇させ、スライダー(2)によって水
洗工程(S2 )の純水洗浄槽の上方に移動させ、昇降機
構(22)によって降下させ、純水中にドーナツ状基板
(7)を浸漬し、スピンドル(15)を回転させつつ表
面処理を行った。スピンドル(15)の回転数は、6r
pmに制御した。
【0042】以下、上記と同様の操作を繰り返し、図7
に示すフローシートに従って、中和工程(S3 )から無
電解Ni−Pめっき工程(S 9)に至る複数の表面処理
工程による処理を行い、ガラス基盤の表面に厚さ0.1
5μmのNi−Pめっき層を形成した。なお、各工程に
おける液組成、温度、pH等の条件は、公知の通常の条
件を採用した。そして、得られた磁気ディスク基盤の表
面の傷の有無を調査した。調査は、オリンパス光学社製
の照明装置「MODEL−LSD」を利用して目視観察
により行った。50枚のガラス基盤には、何れも、傷の
発生はなく、めっき歩留りは100%であった。
に示すフローシートに従って、中和工程(S3 )から無
電解Ni−Pめっき工程(S 9)に至る複数の表面処理
工程による処理を行い、ガラス基盤の表面に厚さ0.1
5μmのNi−Pめっき層を形成した。なお、各工程に
おける液組成、温度、pH等の条件は、公知の通常の条
件を採用した。そして、得られた磁気ディスク基盤の表
面の傷の有無を調査した。調査は、オリンパス光学社製
の照明装置「MODEL−LSD」を利用して目視観察
により行った。50枚のガラス基盤には、何れも、傷の
発生はなく、めっき歩留りは100%であった。
【0043】実施例2 実施例1において、ドーナツ状基板(7)として、外径
48mm、内径12mm、厚さ0.381mmのガラス
基盤(1.8インチサイズ)を用いた以外は、実施例1
と同様に操作して磁気ディスク基盤を得、その表面の傷
の有無を調査した。50枚のガラス基盤には、何れも、
傷の発生はなく、めっき歩留りは100%であった。
48mm、内径12mm、厚さ0.381mmのガラス
基盤(1.8インチサイズ)を用いた以外は、実施例1
と同様に操作して磁気ディスク基盤を得、その表面の傷
の有無を調査した。50枚のガラス基盤には、何れも、
傷の発生はなく、めっき歩留りは100%であった。
【0044】比較例1及び比較例2 実施例1及び又は比較例1において、それぞれ、ウエイ
トバー(16)を用いなかった以外は、各実施例とと同
様に操作して磁気ディスク基盤を得、その表面の傷の有
無を調査した。比較例1は、実施例1に対応して2.5
インチサイズのガラス基盤を用いた例であり、比較例2
は、実施例2に対応して1.8インチサイズのガラス基
盤を用いた例である。何れの比較例においても、50枚
のガラス基盤中、全てのガラス基盤に傷が発生してお
り、めっき歩留りは0%であった。
トバー(16)を用いなかった以外は、各実施例とと同
様に操作して磁気ディスク基盤を得、その表面の傷の有
無を調査した。比較例1は、実施例1に対応して2.5
インチサイズのガラス基盤を用いた例であり、比較例2
は、実施例2に対応して1.8インチサイズのガラス基
盤を用いた例である。何れの比較例においても、50枚
のガラス基盤中、全てのガラス基盤に傷が発生してお
り、めっき歩留りは0%であった。
【0045】
【発明の効果】以上説明した本発明によれば、複数枚の
ドーナツ状基板を同時に表面処理するための装置および
方法であって、特に、処理中における隣接する基盤同志
の接触問題を解決した表面処理装置および表面処理方法
が提供され、本発明の工業的価値は顕著である。
ドーナツ状基板を同時に表面処理するための装置および
方法であって、特に、処理中における隣接する基盤同志
の接触問題を解決した表面処理装置および表面処理方法
が提供され、本発明の工業的価値は顕著である。
【図1】本発明の表面処理装置の要部の拡大図であっ
て、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態の
側面説明図である。
て、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態の
側面説明図である。
【図2】本発明の表面処理装置の要部の拡大図であっ
て、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態の
端面説明図である。
て、表面処理装置にドーナツ状基板をセットした状態の
端面説明図である。
【図3】本発明の表面処理装置にドーナツ状基板をセッ
トする際のスピンドルとウエイトバーとの位置関係を示
す説明図である。
トする際のスピンドルとウエイトバーとの位置関係を示
す説明図である。
【図4】本発明の表面処理装置を用いた表面処理の準備
状態を示す説明図である。
状態を示す説明図である。
【図5】本発明の表面処理装置を用いた表面処理の準備
状態であって、ドーナツ状基板のセット作業状態を示す
説明図である。
状態であって、ドーナツ状基板のセット作業状態を示す
説明図である。
【図6】図5に示す要部の拡大説明図である。
【図7】無電解Ni−Pめっき工程(S 9)を採用した
無磁気ディスク基盤の製造工程の一例を示すフローシー
トである。
無磁気ディスク基盤の製造工程の一例を示すフローシー
トである。
7:ドーナツ状基板 71:ドーナツ状基板の内周部の端部 15:スピンドル 15v:リング状溝 16:ウエイトバー 16v:リング状溝
Claims (3)
- 【請求項1】 複数枚のドーナツ状基板を同時に表面処
理するための装置であって、ドーナツ状基板の内周部の
端部に嵌合する複数個のリング状溝を周面に設け且つ水
平に配置されたスピンドルと、ドーナツ状基板の内周部
の端部に嵌合し且つ上記のスピンドルのリング状溝と実
質的に同一ピッチを有する複数個のリング状溝を周面に
設けたウエイトバーと、上記のスピンドルの回転機構と
から主として構成されることを特徴とするドーナツ状基
板の表面処理装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載の装置を用いた表面処理
方法であって、複数枚のドーナツ状基板の各中空部にス
ピンドルを挿入し、スピンドルの各リング状溝内に各ド
ーナツ状基板の内周部の上側の端部を嵌合させてドーナ
ツ状基板を吊り下げ、更に、複数枚のドーナツ状基板の
各中空部とスピンドルとの間隙にウエイトバーを挿入
し、各ドーナツ状基板の内周部の下端部にウエイトバー
の各リング状溝内を嵌合させて各ドーナツ状基板の中空
部にウエイトバーを載置し、次いで、複数枚のドーナツ
状基板を処理液中に浸漬し、スピンドルを回転させつつ
表面処理を行うことを特徴とするドーナツ状基板の表面
処理方法。 - 【請求項3】 ドーナツ状基板が非磁性材料から成る基
板であり、表面処理が無電解めっきである請求項2に記
載の表面処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24987093A JPH0790596A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置および表面処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24987093A JPH0790596A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置および表面処理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0790596A true JPH0790596A (ja) | 1995-04-04 |
Family
ID=17199422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24987093A Withdrawn JPH0790596A (ja) | 1993-09-10 | 1993-09-10 | 表面処理装置および表面処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0790596A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355936C (zh) * | 1998-10-02 | 2007-12-19 | 株式会社新王磁材 | 表面处理方法以及表面处理设备 |
| JPWO2020250935A1 (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | ||
| CN113584415A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-11-02 | 安庆雅德帝伯活塞有限公司 | 一种耐磨环旋转浸渍方式 |
-
1993
- 1993-09-10 JP JP24987093A patent/JPH0790596A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100355936C (zh) * | 1998-10-02 | 2007-12-19 | 株式会社新王磁材 | 表面处理方法以及表面处理设备 |
| CN100359042C (zh) * | 1998-10-02 | 2008-01-02 | 株式会社新王磁材 | 用于气相沉积设备中的制品支架 |
| JPWO2020250935A1 (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | ||
| WO2020250935A1 (ja) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | めっき処理用基板保持治具及びめっき処理装置 |
| TWI849143B (zh) * | 2019-06-14 | 2024-07-21 | 日商東洋鋼鈑股份有限公司 | 鍍覆處理用基板保持治具及鍍覆處理裝置 |
| CN113584415A (zh) * | 2021-07-05 | 2021-11-02 | 安庆雅德帝伯活塞有限公司 | 一种耐磨环旋转浸渍方式 |
| CN113584415B (zh) * | 2021-07-05 | 2023-05-26 | 安庆雅德帝伯活塞有限公司 | 一种耐磨环旋转浸渍方式 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |