JPH0545945B2 - - Google Patents
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- JPH0545945B2 JPH0545945B2 JP61118862A JP11886286A JPH0545945B2 JP H0545945 B2 JPH0545945 B2 JP H0545945B2 JP 61118862 A JP61118862 A JP 61118862A JP 11886286 A JP11886286 A JP 11886286A JP H0545945 B2 JPH0545945 B2 JP H0545945B2
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- JP
- Japan
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- reticle
- light
- measurement
- pellicle
- dust
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4711—Multiangle measurement
- G01N2021/4719—Multiangle measurement using a optical fibre array
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
- G01N2021/95676—Masks, reticles, shadow masks
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は表面状態測定装置に関し、特に半導体
製造装置で使用される回路パターンが形成されて
いるレチクルやフオトマスク等の基板上及び基板
にペリクル保護膜を装着したときのペリクル保護
膜面上に例えば不透過性のゴミ等の異物が付着し
ていたときに、この異物を精度良く検出する表面
状態測定装置に関するものである。
製造装置で使用される回路パターンが形成されて
いるレチクルやフオトマスク等の基板上及び基板
にペリクル保護膜を装着したときのペリクル保護
膜面上に例えば不透過性のゴミ等の異物が付着し
ていたときに、この異物を精度良く検出する表面
状態測定装置に関するものである。
（従来の技術）
一般にIC製造工程においてはレチクルやフオ
トマスク等の基板上に形成されている露光用の回
路パターンを半導体焼付け装置（ステツパー又は
マスクアライナー）によりレジストが塗布された
ウエハ面上に転写して製造している。
トマスク等の基板上に形成されている露光用の回
路パターンを半導体焼付け装置（ステツパー又は
マスクアライナー）によりレジストが塗布された
ウエハ面上に転写して製造している。
このとき基板面上にゴミ等の異物が存在すると
回路パターンをウエハ面上に転写する際、異物も
同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを低下
させる原因となつてくる。
回路パターンをウエハ面上に転写する際、異物も
同時に転写されてしまいIC製造の歩留りを低下
させる原因となつてくる。
特にステツプアンドリピート方式によりレチク
ル面上の回路パターンをウエハ面上に繰り返して
投影露光する場合にはレチクル面上の１つのゴミ
がウエハ全面に焼付けられてしまい歩留りを大き
く低下させる原因となつてくる。
ル面上の回路パターンをウエハ面上に繰り返して
投影露光する場合にはレチクル面上の１つのゴミ
がウエハ全面に焼付けられてしまい歩留りを大き
く低下させる原因となつてくる。
この為近年IC製造過程においては基板上の異
物の存在を検出するのが不可欠となつており、従
来より種々の検査方法が提案されている。例えば
第２図Ａは異物が等方的に光を散乱する性質を利
用する方法の一例である。
物の存在を検出するのが不可欠となつており、従
来より種々の検査方法が提案されている。例えば
第２図Ａは異物が等方的に光を散乱する性質を利
用する方法の一例である。
同図においてレーザー２０から放射された光束
をｆ−θレンズ２２の入射瞳近傍に配置したポリ
ゴンミラー２１で反射させ、ｆ−θレンズ２２を
通過させた後、収差補正板２３を介してレチクル
２４面上を不図示のレチクルステージを矢印２７
方向に沿つて移動させながら順次走査している。
をｆ−θレンズ２２の入射瞳近傍に配置したポリ
ゴンミラー２１で反射させ、ｆ−θレンズ２２を
通過させた後、収差補正板２３を介してレチクル
２４面上を不図示のレチクルステージを矢印２７
方向に沿つて移動させながら順次走査している。
一般にレチクル２４面上の回路パターンは殆ど
が規則性を有している為、回路パターンから生ず
る回折光もある規則に従つた方向に射出する。
が規則性を有している為、回路パターンから生ず
る回折光もある規則に従つた方向に射出する。
一方レチクル２４面のゴミからは等方向に散乱
光が生ずる。従つてこのとき集光レンズ２６−１
と受光器２６−２から成る検出系２６を回路パタ
ーンから生ずる回折光の射出方向と異つた方向に
配置することによりゴミから生ずる散乱光のみを
検出するようにしている。
光が生ずる。従つてこのとき集光レンズ２６−１
と受光器２６−２から成る検出系２６を回路パタ
ーンから生ずる回折光の射出方向と異つた方向に
配置することによりゴミから生ずる散乱光のみを
検出するようにしている。
しかしながらこの方法はレチクル２４の表面と
裏面を各々光束で走査し、測定する必要があり、
多くの時間を要し、又機構的に大変面倒であつ
た。
裏面を各々光束で走査し、測定する必要があり、
多くの時間を要し、又機構的に大変面倒であつ
た。
又第２図Ｂに示すようにレチクル２４の上下に
ペリクル保護膜２８ａ，２８ｂを装着したときは
ペリクル面にもゴミが付着してくる場合もある。
この場合検出系２６によりどの面にゴミが付着し
ているのかも判別しなければならなく、この判別
を精度良く行うのは大変難しく又機構的にも大変
複雑になつてくる傾向があつた。
ペリクル保護膜２８ａ，２８ｂを装着したときは
ペリクル面にもゴミが付着してくる場合もある。
この場合検出系２６によりどの面にゴミが付着し
ているのかも判別しなければならなく、この判別
を精度良く行うのは大変難しく又機構的にも大変
複雑になつてくる傾向があつた。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明はレチクルやフオトマスク等の基板面上
のゴミや欠陥等の異物の存在及び大きさ更には基
板にペリクル保護膜を装着し被測定面の数が増加
した場合でもどの面に異物が存在しているのかを
高精度にしかも短時間に容易に測定することので
きる、特に半導体製造装置に好適な表面状態測定
装置の提供を目的とする。
のゴミや欠陥等の異物の存在及び大きさ更には基
板にペリクル保護膜を装着し被測定面の数が増加
した場合でもどの面に異物が存在しているのかを
高精度にしかも短時間に容易に測定することので
きる、特に半導体製造装置に好適な表面状態測定
装置の提供を目的とする。
（問題点を解決する為の手段）
積層している複数の測定面の表面状態を測定す
るために利用される第１及び第２光束を異なる方
向から前記測定面に入射させながら前記測定面を
前記第１及び第２光束で同時に走査すると共に、
前記第１光束の入射方向と走査方向により定義さ
れる第１平面と前記第２光束の入射方向と走査方
向により定義される第２平面の交線が前記測定面
と交差しないように前記第１及び第２光束の関係
が設定されていることである。
るために利用される第１及び第２光束を異なる方
向から前記測定面に入射させながら前記測定面を
前記第１及び第２光束で同時に走査すると共に、
前記第１光束の入射方向と走査方向により定義さ
れる第１平面と前記第２光束の入射方向と走査方
向により定義される第２平面の交線が前記測定面
と交差しないように前記第１及び第２光束の関係
が設定されていることである。
この他本発明の特徴は実施例において記載され
ている。
ている。
（実施例）
第１図Ａは本発明の一実施例の光学系の概略図
である。
である。
同図において１はレチクル、１ａ，１ｂは各々
レチクル表面とレチクル裏面、２ａ，２ｂは各々
レチクル１面上にゴミが付着するのを防止する為
のペリクル上面とペリクル下面、３，４は各々不
図示の光源、例えばレーザーからの光束であり、
同じく不図示のポリゴンミラー等の走査手段によ
り光束３はペリクル上面２ａとレチクル裏面１ｂ
を、光束４はペリクル下面２ｂとレチクル上面１
ａを各々紙面と垂直方向に走査している。５ａ〜
５ｄは各々複数のセルフオツクレンズを一次元方
向に配置した光学部材であり、各々の光学部材５
ａ〜５ｄは各々測定面２ａ，１ｂ，１ａ，２ｂに
焦点を合わしている。６ａ〜６ｄは各々光学部材
５ａ〜６ｄを介した各測定面と共役な位置近傍に
配置した視野絞り、７ａ〜７ｄは各々の視野絞り
６ａ〜６ｄを通過した光束を受光器８ａ〜８ｄに
導光する為のライトガイドである。
レチクル表面とレチクル裏面、２ａ，２ｂは各々
レチクル１面上にゴミが付着するのを防止する為
のペリクル上面とペリクル下面、３，４は各々不
図示の光源、例えばレーザーからの光束であり、
同じく不図示のポリゴンミラー等の走査手段によ
り光束３はペリクル上面２ａとレチクル裏面１ｂ
を、光束４はペリクル下面２ｂとレチクル上面１
ａを各々紙面と垂直方向に走査している。５ａ〜
５ｄは各々複数のセルフオツクレンズを一次元方
向に配置した光学部材であり、各々の光学部材５
ａ〜５ｄは各々測定面２ａ，１ｂ，１ａ，２ｂに
焦点を合わしている。６ａ〜６ｄは各々光学部材
５ａ〜６ｄを介した各測定面と共役な位置近傍に
配置した視野絞り、７ａ〜７ｄは各々の視野絞り
６ａ〜６ｄを通過した光束を受光器８ａ〜８ｄに
導光する為のライトガイドである。
本実施例における光学部材５ａ、視野絞り６
ａ、ライトガイド７ａそして受光器８ａは検出手
段９ａの一部を構成している。他の光学部材５ｂ
〜５ｄ、視野絞り６ｂ〜６ｄ、ライトガイド７ｂ
〜７ｄ、受光器８ｂ〜８ｄについても同様に各々
検出手段９ｂ，９ｃ，９ｄの一部を構成してい
る。
ａ、ライトガイド７ａそして受光器８ａは検出手
段９ａの一部を構成している。他の光学部材５ｂ
〜５ｄ、視野絞り６ｂ〜６ｄ、ライトガイド７ｂ
〜７ｄ、受光器８ｂ〜８ｄについても同様に各々
検出手段９ｂ，９ｃ，９ｄの一部を構成してい
る。
本実施例ではレチクル上面１ａ、レチクル下面
１ｂ、ペリクル上面２ａそしてペリクル下面２ｂ
は各々測定面となつている。
１ｂ、ペリクル上面２ａそしてペリクル下面２ｂ
は各々測定面となつている。
尚本実施例において４つの光束を用い各々の測
定面を光束を入射させ走査しても良い。
定面を光束を入射させ走査しても良い。
第１図Ｂは第１図Ａの一部分の斜視図であり、
同図は第１図Ａの光束３と光束４とが測定面を走
査する状態を示している。
同図は第１図Ａの光束３と光束４とが測定面を走
査する状態を示している。
又第１図Ｃは第１図Ｂの矢印１０方向から見た
ときの概略図である。
ときの概略図である。
本実施例では第１図Ｂ，Ｃに示すように、各々
の測定面を走査する光束によつて形成される複数
の平面のうち任意の２つの平面を選択したとき、
これらの２つの平面より形成される交線ｌが各々
の測定面のいずれとも交差しないように光束を測
定面上に入射させ走査するようにしている。
の測定面を走査する光束によつて形成される複数
の平面のうち任意の２つの平面を選択したとき、
これらの２つの平面より形成される交線ｌが各々
の測定面のいずれとも交差しないように光束を測
定面上に入射させ走査するようにしている。
第１図Ａに示す実施例では光束３はペリクル上
面２ａとレチクル下面１ｂを走査している為、ペ
リクル上面２ａとレチクル下面１ｂを走査する光
束によつて形成される平面は同一となる。
面２ａとレチクル下面１ｂを走査している為、ペ
リクル上面２ａとレチクル下面１ｂを走査する光
束によつて形成される平面は同一となる。
又光束４も光束３と同様であり、ペリクル下面
２ｂとレチクル上面１ａを走査している為、ペリ
クル下面２ｂとレチクル上面１ａを走査する光束
によつて形成される平面は同一となる。
２ｂとレチクル上面１ａを走査している為、ペリ
クル下面２ｂとレチクル上面１ａを走査する光束
によつて形成される平面は同一となる。
従つて本実施例では平面は全体として２つ存在
することになり（４つの光束を用いたときは４つ
の平面が存在することになる。）これら２つの平
面が形成する交線ｌが第１図Ｃに示すようにいず
れの測定面とも交差しないようにしている。
することになり（４つの光束を用いたときは４つ
の平面が存在することになる。）これら２つの平
面が形成する交線ｌが第１図Ｃに示すようにいず
れの測定面とも交差しないようにしている。
次に本実施例の動作について第１図Ａ，Ｂ，Ｃ
を用いて説明する。
を用いて説明する。
今、仮りに測定面２ａ上の位置にゴミ等の異物
Ｐが存在しているとする。そうすると光束３が異
物Ｐに当たると異物からは等方的に散乱光が生じ
る。このとき検出手段９ａは測定面２ａに焦点が
合わされている為に光学部材５ａは散乱光束を効
率的に集光する。この結果受光器８ａからの出力
は増大する。
Ｐが存在しているとする。そうすると光束３が異
物Ｐに当たると異物からは等方的に散乱光が生じ
る。このとき検出手段９ａは測定面２ａに焦点が
合わされている為に光学部材５ａは散乱光束を効
率的に集光する。この結果受光器８ａからの出力
は増大する。
一方、他の検出手段９ｂ，９ｃ，９ｄは各々の
測定面１ｂ，１ａ，２ｂと共役の位置近傍には視
野絞り６ｂ，６ｃ，６ｄが配置されているので測
定面２ａ上の異物Ｐからの散乱光束は視野絞り６
ｂ，６ｃ，６ｄによつて遮光される。この結果受
光器８ｂ，８ｃ，８ｄからの出力は変化しない。
測定面１ｂ，１ａ，２ｂと共役の位置近傍には視
野絞り６ｂ，６ｃ，６ｄが配置されているので測
定面２ａ上の異物Ｐからの散乱光束は視野絞り６
ｂ，６ｃ，６ｄによつて遮光される。この結果受
光器８ｂ，８ｃ，８ｄからの出力は変化しない。
本実施例では、このときの４つの受光器８ａ〜
８ｄからの出力信号を利用して測定面上の異物の
存在の検出及び受光器８ａ〜８ｄからの出力信号
の大小を測定することにより異物の大小も同時に
判別している。
８ｄからの出力信号を利用して測定面上の異物の
存在の検出及び受光器８ａ〜８ｄからの出力信号
の大小を測定することにより異物の大小も同時に
判別している。
又複数の検出手段を用いることにより高速に異
物の存在を検出している。
物の存在を検出している。
これに対して第３図Ａは第１図Ｃに示す実施例
と同様に光束３でペリクル上面２ａとレチクル裏
面１ｂを走査し、光束４でペリクル下面２ｂとレ
チクル表面１ａを走査し、検出手段３１ａがペリ
クル上面２ａからの散乱光を検出する為に配置さ
れている場合であるが複数の光束を測定面に入射
させるとき本実施例と異なるのはペリクル上面２
ａを走査する光束によつて形成される平面とレチ
クル表面１ａを走査する光束によつて形成される
平面の２つの平面が形成する交線ｌが測定面の１
つであるペリクル上面２ａと交差してしまつてい
ることである。
と同様に光束３でペリクル上面２ａとレチクル裏
面１ｂを走査し、光束４でペリクル下面２ｂとレ
チクル表面１ａを走査し、検出手段３１ａがペリ
クル上面２ａからの散乱光を検出する為に配置さ
れている場合であるが複数の光束を測定面に入射
させるとき本実施例と異なるのはペリクル上面２
ａを走査する光束によつて形成される平面とレチ
クル表面１ａを走査する光束によつて形成される
平面の２つの平面が形成する交線ｌが測定面の１
つであるペリクル上面２ａと交差してしまつてい
ることである。
この場合は第３図Ａに示すように光束４がペリ
クル上面２ａに入射する場合と第３図Ｂに示すよ
うにCr或いはCrO2等から成る回路パターンに入
射しペリクル上面２ａに到達しない場合とが生
じ、これら２つの場合によつてペリクル上面２ａ
に照度ムラが生じている。
クル上面２ａに入射する場合と第３図Ｂに示すよ
うにCr或いはCrO2等から成る回路パターンに入
射しペリクル上面２ａに到達しない場合とが生
じ、これら２つの場合によつてペリクル上面２ａ
に照度ムラが生じている。
一般に測定面上に存在するゴミより生ずる散乱
光の強さはゴミの大きさに比例する。この為多く
の場合、検出手段からの出力信号の大きさを測定
すれば、ゴミの大きさもある程度判別できる。
光の強さはゴミの大きさに比例する。この為多く
の場合、検出手段からの出力信号の大きさを測定
すれば、ゴミの大きさもある程度判別できる。
しかしながら前述のように測定面上に照度ムラ
があるとゴミの大きさが同じであつても、その存
在位置によつて検出手段からの出力信号が変化し
てしまいゴミの大きさを精度良く判別するのが困
難になつてくる。
があるとゴミの大きさが同じであつても、その存
在位置によつて検出手段からの出力信号が変化し
てしまいゴミの大きさを精度良く判別するのが困
難になつてくる。
この為本実施例では第１図Ｃに示すように各々
の測定面を走査する光束によつて形成される複数
の平面のうち、任意の２つの平面を選択したと
き、それら２つの平面によつて形成される交線が
いずれの測定面とも交差しないように光束を測定
面上に入射させ走査している。
の測定面を走査する光束によつて形成される複数
の平面のうち、任意の２つの平面を選択したと
き、それら２つの平面によつて形成される交線が
いずれの測定面とも交差しないように光束を測定
面上に入射させ走査している。
これにより検出手段９ａで検出する測定面２ａ
上の位置の照度ムラの発生を防止し、ゴミ等の異
物の存在している面を検出すると共に検出手段か
らの出力信号の大小により異物の大きさも同時に
判別するのを容易にしている。
上の位置の照度ムラの発生を防止し、ゴミ等の異
物の存在している面を検出すると共に検出手段か
らの出力信号の大小により異物の大きさも同時に
判別するのを容易にしている。
第４図〜第７図は各々本発明の他の一実施例の
一部分の概略図であり、各々第１図Ｃと同様のも
のである。
一部分の概略図であり、各々第１図Ｃと同様のも
のである。
第４図では測定面２ａ，１ｂを走査する光束３
によつて形成される平面と測定面２ｂ，１ａを走
査する光束４によつて形成される平面の２つの平
面が形成する交線ｌがペリクル上面２ａとレチク
ル下面１ｂとの間にある場合である。
によつて形成される平面と測定面２ｂ，１ａを走
査する光束４によつて形成される平面の２つの平
面が形成する交線ｌがペリクル上面２ａとレチク
ル下面１ｂとの間にある場合である。
第５図は光束３がレチクル１に垂直入射する場
合、第６図は光束４により走査されるレクチル表
面１ａからの散乱光を検出手段９ｃにより垂直に
受光する場合、第７図は２つの光束３，４をペリ
クル上面２ａとペリクル下面２ｂより互いに平行
となるように入射し走査する場合である。
合、第６図は光束４により走査されるレクチル表
面１ａからの散乱光を検出手段９ｃにより垂直に
受光する場合、第７図は２つの光束３，４をペリ
クル上面２ａとペリクル下面２ｂより互いに平行
となるように入射し走査する場合である。
いずれの実施例においても前述の交線ｌがいず
れの測定面とも交差しないように各要素を構成し
ている。
れの測定面とも交差しないように各要素を構成し
ている。
尚本実施例では前述の交線ｌが測定面上と交差
しなければ、どこに存在していても良い。
しなければ、どこに存在していても良い。
（発明の効果）
本発明によれば各々の測定面を走査する光束に
よつて形成される複数の平面のうち、任意の２つ
の平面を選択したとき、それら２つの平面により
形成される交線がいずれの測定面とも交差しない
ように各要素を構成することにより、異物の存在
する測定面を精度良く、短時間で検出することが
でき、かつ異物の大きさも同時に高精度に判別す
ることのできる表面状態測定装置を達成すること
ができる。
よつて形成される複数の平面のうち、任意の２つ
の平面を選択したとき、それら２つの平面により
形成される交線がいずれの測定面とも交差しない
ように各要素を構成することにより、異物の存在
する測定面を精度良く、短時間で検出することが
でき、かつ異物の大きさも同時に高精度に判別す
ることのできる表面状態測定装置を達成すること
ができる。
第１図Ａは本発明の一実施例の光学系の概略
図、第１図Ｂ，Ｃは各々第１図の一部分の説明
図、第２図Ａ，Ｂは各々従来の一実施例の説明
図、第３図Ａ，Ｂは本発明の構成を比較する為の
説明図、第４図から第７図は各々本発明の他の一
実施例の一部分の説明図である。図中１はレチク
ル、２ａ，２ｂは各ペリクル上面とペリクル下
面、３，４は光束、９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは
各々検出手段、ｌは交線、Ｐはゴミである。
図、第１図Ｂ，Ｃは各々第１図の一部分の説明
図、第２図Ａ，Ｂは各々従来の一実施例の説明
図、第３図Ａ，Ｂは本発明の構成を比較する為の
説明図、第４図から第７図は各々本発明の他の一
実施例の一部分の説明図である。図中１はレチク
ル、２ａ，２ｂは各ペリクル上面とペリクル下
面、３，４は光束、９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは
各々検出手段、ｌは交線、Ｐはゴミである。
Claims (1)
- １ 積層している複数の測定面の表面状態を測定
するために利用される第１及び第２光束を異なる
方向から前記測定面に入射させながら前記測定面
を前記第１及び第２光束で同時に走査すると共
に、前記第１光束の入射方向と走査方向により定
義される第１平面と前記第２光束の入射方向と走
査方向により定義される第２平面の交線が前記測
定面と交差しないように前記第１及び第２光束の
関係が設定されていることを特徴とする表面状態
測定装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61118862A JPS62274247A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 表面状態測定装置 |
| US07/348,177 US4886975A (en) | 1986-02-14 | 1989-05-02 | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
| US07/406,090 US5017798A (en) | 1986-02-14 | 1989-09-12 | Surface examining apparatus for detecting the presence of foreign particles on two or more surfaces |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61118862A JPS62274247A (ja) | 1986-05-23 | 1986-05-23 | 表面状態測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62274247A JPS62274247A (ja) | 1987-11-28 |
| JPH0545945B2 true JPH0545945B2 (ja) | 1993-07-12 |
Family
ID=14746973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61118862A Granted JPS62274247A (ja) | 1986-02-14 | 1986-05-23 | 表面状態測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62274247A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3101290B2 (ja) * | 1989-03-15 | 2000-10-23 | キヤノン株式会社 | 表面状態検査装置、露光装置、及び表面状態検査方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61260632A (ja) * | 1985-05-15 | 1986-11-18 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1986
- 1986-05-23 JP JP61118862A patent/JPS62274247A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62274247A (ja) | 1987-11-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |