JPH0792247A - Ｓｑｕｉｄマグネトメータ - Google Patents
ＳｑｕｉｄマグネトメータInfo
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- JPH0792247A JPH0792247A JP5257494A JP25749493A JPH0792247A JP H0792247 A JPH0792247 A JP H0792247A JP 5257494 A JP5257494 A JP 5257494A JP 25749493 A JP25749493 A JP 25749493A JP H0792247 A JPH0792247 A JP H0792247A
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 部品点数が少なく、かつ素子サイズも小さい
ＳＱＵＩＤマグネトメータを提供する。 【構成】 一辺２mmの角型のＳＱＵＩＤループを４個並
列接続し、計測しようとする磁場を直接ＳＱＵＩＤルー
プに結合させて磁場計測を行なう。バイアス電流注入位
置は非対称位置であり、加算正帰還も採用する。
ＳＱＵＩＤマグネトメータを提供する。 【構成】 一辺２mmの角型のＳＱＵＩＤループを４個並
列接続し、計測しようとする磁場を直接ＳＱＵＩＤルー
プに結合させて磁場計測を行なう。バイアス電流注入位
置は非対称位置であり、加算正帰還も採用する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、心磁波、脳磁波、眼筋
磁場等の生体磁場計測、または、地磁気計測、あるいは
物質の帯磁率計測、さらには磁気的信号を伝送する通信
装置用のインターフェイス等に適したＳＱＵＩＤ（Supe
rconducting Quantum Interference Device ：超伝導量
子干渉デバイス）マグネトメータに関する。ここに、Ｓ
ＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱容
器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、ル
ープ内に１又は複数のジョセフソン接合を含む超伝導ル
ープであるＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流
として印加して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピ
ックアップコイル（検出コイル）や入力コイル等を介し
て外部からの磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤル
ープに周回電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接
合における量子的な干渉効果により、印加された外部磁
束の微弱な変化を出力電圧の大きな変化に変換するトラ
ンスデューサとして動作することを利用して、微小磁束
変化を測定する素子である。また、マグネトメータ（ma
gnetometer）とは、磁界あるいは特定の方向の磁界成分
の強さあるいは方向、あるいはこれらの両方を測定する
計器をいう。
磁場等の生体磁場計測、または、地磁気計測、あるいは
物質の帯磁率計測、さらには磁気的信号を伝送する通信
装置用のインターフェイス等に適したＳＱＵＩＤ（Supe
rconducting Quantum Interference Device ：超伝導量
子干渉デバイス）マグネトメータに関する。ここに、Ｓ
ＱＵＩＤとは、液体ヘリウムや液体窒素等により断熱容
器（クライオスタット等）内で低温状態に維持され、ル
ープ内に１又は複数のジョセフソン接合を含む超伝導ル
ープであるＳＱＵＩＤループに直流電流をバイアス電流
として印加して駆動し、このＳＱＵＩＤループ内に、ピ
ックアップコイル（検出コイル）や入力コイル等を介し
て外部からの磁束を結合して印加すると、ＳＱＵＩＤル
ープに周回電流が誘起され、ループ内のジョセフソン接
合における量子的な干渉効果により、印加された外部磁
束の微弱な変化を出力電圧の大きな変化に変換するトラ
ンスデューサとして動作することを利用して、微小磁束
変化を測定する素子である。また、マグネトメータ（ma
gnetometer）とは、磁界あるいは特定の方向の磁界成分
の強さあるいは方向、あるいはこれらの両方を測定する
計器をいう。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳＱＵＩＤマグネトメータは、図
７に示すような構成をとっていた。図７において、３１
はバイアス電流源、３２は低温状態（約４Ｋ）のＳＱＵ
ＩＤ２１と室温状態にある前置増幅器３３とのインピー
ダンスマッチングをとるためのインピーダンス整合回
路、３５はＰＳＤ（Phase Sensitive Detector：位相弁
別器）、２９は発振器を示している。図のような構成に
より、測定すべき磁場は、ピックアップコイル２３によ
って検出され、入力コイル２４を通じてＳＱＵＩＤルー
プ２１に結合される。入力コイル２３に隣接するコイル
２８は帰還コイルであり、この帰還コイル２８により、
発振器２９でドライブされた変調磁束がＳＱＵＩＤルー
プ２１に帰還（フィードバック）される。この場合、Ｓ
ＱＵＩＤループ２１，入力コイル２４および変調コイル
２８は、超低温格納容器等の内部に格納され、超低温状
態（約４Ｋ）に維持されている。ＳＱＵＩＤの出力電圧
は、インピーダンス整合回路３２および前置増幅器３３
を経てＰＳＤ（Phase Sensitive Detector：位相弁別
器）３５においてロックイン検波され、Φ−Ｖ曲線の１
次微分が得られる。この出力を上記の変調コイル２８に
加算してネガティブフィードバックすると、Φ−Ｖ曲線
の１次微分が零になる点（山あるいは谷）に安定し、測
定すべき磁場は、上記のフィードバック量を出力Ｖout
でモニターすることにより得ることができる。この状態
を「ロックされた」と表現する。上記の方法は、ＦＬＬ
（Flux Locked Loop：磁束ロックループ）法と呼ばれ、
いわゆる「零位法」の一種であり、入出力の関係が線形
になるのが特徴である。この場合、ＳＱＵＩＤループ２
１は、磁束に対する磁場の感度である磁場−磁束感度が
悪いため、ピックアップコイル２３と入力コイル２４を
ＳＱＵＩＤループ２５に付加して構成していた。従っ
て、素子の部品点数が多くなってしまう、という問題点
があった。この問題点を解決するため、ＰＴＢ Berlin
のDrung らは、図８に示すような８個のループから成る
ＳＱＵＩＤマグネトメータを提案している。
７に示すような構成をとっていた。図７において、３１
はバイアス電流源、３２は低温状態（約４Ｋ）のＳＱＵ
ＩＤ２１と室温状態にある前置増幅器３３とのインピー
ダンスマッチングをとるためのインピーダンス整合回
路、３５はＰＳＤ（Phase Sensitive Detector：位相弁
別器）、２９は発振器を示している。図のような構成に
より、測定すべき磁場は、ピックアップコイル２３によ
って検出され、入力コイル２４を通じてＳＱＵＩＤルー
プ２１に結合される。入力コイル２３に隣接するコイル
２８は帰還コイルであり、この帰還コイル２８により、
発振器２９でドライブされた変調磁束がＳＱＵＩＤルー
プ２１に帰還（フィードバック）される。この場合、Ｓ
ＱＵＩＤループ２１，入力コイル２４および変調コイル
２８は、超低温格納容器等の内部に格納され、超低温状
態（約４Ｋ）に維持されている。ＳＱＵＩＤの出力電圧
は、インピーダンス整合回路３２および前置増幅器３３
を経てＰＳＤ（Phase Sensitive Detector：位相弁別
器）３５においてロックイン検波され、Φ−Ｖ曲線の１
次微分が得られる。この出力を上記の変調コイル２８に
加算してネガティブフィードバックすると、Φ−Ｖ曲線
の１次微分が零になる点（山あるいは谷）に安定し、測
定すべき磁場は、上記のフィードバック量を出力Ｖout
でモニターすることにより得ることができる。この状態
を「ロックされた」と表現する。上記の方法は、ＦＬＬ
（Flux Locked Loop：磁束ロックループ）法と呼ばれ、
いわゆる「零位法」の一種であり、入出力の関係が線形
になるのが特徴である。この場合、ＳＱＵＩＤループ２
１は、磁束に対する磁場の感度である磁場−磁束感度が
悪いため、ピックアップコイル２３と入力コイル２４を
ＳＱＵＩＤループ２５に付加して構成していた。従っ
て、素子の部品点数が多くなってしまう、という問題点
があった。この問題点を解決するため、ＰＴＢ Berlin
のDrung らは、図８に示すような８個のループから成る
ＳＱＵＩＤマグネトメータを提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のDrung
らの提案によるＳＱＵＩＤマグネトメータは、素子の寸
法が７．２ｍｍ角と大きく、量産に不向きである。さら
に、サイズが大きいため、実装した場合にセンサ部分が
大きくなり過ぎる、という欠点があった。本発明は、上
記の問題点を解決するためになされたものであり、部品
点数が少なく、かつ素子サイズも小さいＳＱＵＩＤマグ
ネトメータを提供することを目的とする。
らの提案によるＳＱＵＩＤマグネトメータは、素子の寸
法が７．２ｍｍ角と大きく、量産に不向きである。さら
に、サイズが大きいため、実装した場合にセンサ部分が
大きくなり過ぎる、という欠点があった。本発明は、上
記の問題点を解決するためになされたものであり、部品
点数が少なく、かつ素子サイズも小さいＳＱＵＩＤマグ
ネトメータを提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
め、本発明に係るＳＱＵＩＤマグネトメータは、ＳＱＵ
ＩＤループを偶数個並列接続し、計測しようとする磁場
を直接当該ＳＱＵＩＤループに結合させて磁場計測を行
なうように構成される。
め、本発明に係るＳＱＵＩＤマグネトメータは、ＳＱＵ
ＩＤループを偶数個並列接続し、計測しようとする磁場
を直接当該ＳＱＵＩＤループに結合させて磁場計測を行
なうように構成される。
【０００５】
【作用】上記構成を有する本発明によれば、ＳＱＵＩＤ
ループを偶数個並列接続することによりＳＱＵＩＤルー
プ全体のインダクタンスを小さくすることができ、磁場
−磁束感度が向上して、ピックアップコイルや入力コイ
ル等を用いず外部磁場を直接ＳＱＵＩＤループに結合し
ても十分検出することが可能となる。また、ピックアッ
プコイル等バイアス電流の注入位置を非対称位置とする
こと、各ＳＱＵＩＤループを相互に近接配置すること、
あるいは加算正帰還を行なうことにより、磁場−磁束感
度をさらに向上することができる。
ループを偶数個並列接続することによりＳＱＵＩＤルー
プ全体のインダクタンスを小さくすることができ、磁場
−磁束感度が向上して、ピックアップコイルや入力コイ
ル等を用いず外部磁場を直接ＳＱＵＩＤループに結合し
ても十分検出することが可能となる。また、ピックアッ
プコイル等バイアス電流の注入位置を非対称位置とする
こと、各ＳＱＵＩＤループを相互に近接配置すること、
あるいは加算正帰還を行なうことにより、磁場−磁束感
度をさらに向上することができる。
【０００６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面にもとづいて説
明する。図１は、本発明の一実施例であるＳＱＵＩＤマ
グネトメータ１の構成を示した平面図であり、図２は、
図１の部分Ａをさらに拡大した図である。
明する。図１は、本発明の一実施例であるＳＱＵＩＤマ
グネトメータ１の構成を示した平面図であり、図２は、
図１の部分Ａをさらに拡大した図である。
【０００７】図に示すように、このＳＱＵＩＤマグネト
メータ１は、４個のＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄ
と、ＡＰＦコイル１３と、ＡＰＦ抵抗１４と、帰還コイ
ル１８と、トンネル接合１５，１６と、シャント・ダン
ピング抵抗１７とを備えて構成されている。また、バイ
アス電流ＩB は、パッド１２から注入される。
メータ１は、４個のＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄ
と、ＡＰＦコイル１３と、ＡＰＦ抵抗１４と、帰還コイ
ル１８と、トンネル接合１５，１６と、シャント・ダン
ピング抵抗１７とを備えて構成されている。また、バイ
アス電流ＩB は、パッド１２から注入される。
【０００８】上記において、ＳＱＵＩＤループ１１ａ〜
１１ｄは、それぞれ１辺が２ミリメートル角の角形ルー
プである。また、各ＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄの
線幅は約０．１ミリメートルである。
１１ｄは、それぞれ１辺が２ミリメートル角の角形ルー
プである。また、各ＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄの
線幅は約０．１ミリメートルである。
【０００９】上記のＡＰＦコイルとは、このＳＱＵＩＤ
マグネトメータ１によって計測される磁場のΦ−Ｖ曲線
（Φ：磁場，Ｖ：電圧）において、磁束−電圧変換係数
（伝達係数）と呼ばれる
マグネトメータ１によって計測される磁場のΦ−Ｖ曲線
（Φ：磁場，Ｖ：電圧）において、磁束−電圧変換係数
（伝達係数）と呼ばれる
【数１】 を積極的に大きくして、磁場検知の感度を向上させるた
めの対策であり、図３の等価回路図に示すように、バイ
アス電流ＩB の一部を、ＳＱＵＩＤループ１１をシャン
トしているコイル１３に分流させ、このコイル１３がつ
くる磁束がＳＱＵＩＤループ１１に相互インダクタンス
Ｍを通じて結合することにより実現する加算正帰還（Ａ
ＰＦ：Additional Positive Feedback）のためのコイル
である。
めの対策であり、図３の等価回路図に示すように、バイ
アス電流ＩB の一部を、ＳＱＵＩＤループ１１をシャン
トしているコイル１３に分流させ、このコイル１３がつ
くる磁束がＳＱＵＩＤループ１１に相互インダクタンス
Ｍを通じて結合することにより実現する加算正帰還（Ａ
ＰＦ：Additional Positive Feedback）のためのコイル
である。
【００１０】また、上記のシャント・ダンピング抵抗１
７は、ＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄをシャントする
ための抵抗と、ＳＱＵＩＤループの「共振」を防止する
ためにＳＱＵＩＤループに並列に挿入するダンピング抵
抗の役割とを兼用する抵抗である。このようなダンピン
グ抵抗の挿入によっても、磁場検出精度が向上する。
７は、ＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄをシャントする
ための抵抗と、ＳＱＵＩＤループの「共振」を防止する
ためにＳＱＵＩＤループに並列に挿入するダンピング抵
抗の役割とを兼用する抵抗である。このようなダンピン
グ抵抗の挿入によっても、磁場検出精度が向上する。
【００１１】また、上記の帰還コイル１８は、上記の４
個のＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄのうちのいずれか
一つに近接して配置され、１ターン又は複数ターン巻回
して構成されている。
個のＳＱＵＩＤループ１１ａ〜１１ｄのうちのいずれか
一つに近接して配置され、１ターン又は複数ターン巻回
して構成されている。
【００１２】また、上記のＳＱＵＩＤループ１１は、図
４の等価回路図に示すように、インダクタンスＭ1 ，Ｍ
2 と、ジョセフソン接合１５，１６とを有し、その一部
が接地されたＳＱＵＩＤループであり、インダクタンス
に関して非対称となる位置１２にバイアス電流ＩB が注
入されるように構成されている。
４の等価回路図に示すように、インダクタンスＭ1 ，Ｍ
2 と、ジョセフソン接合１５，１６とを有し、その一部
が接地されたＳＱＵＩＤループであり、インダクタンス
に関して非対称となる位置１２にバイアス電流ＩB が注
入されるように構成されている。
【００１３】このように、バイアス電流注入位置をＳＱ
ＵＩＤループのインダクタンスに関して非対称になるよ
うに構成すると、バイアス電流を変えると、磁束−電圧
特性（Φ−Ｖ特性）が、磁束軸（Φ軸）の方向にシフト
し、結局、バイアス電流の変動に対し電圧の変動が鈍く
なり、バイアス電流の変動がキャンセルされることにな
り、バイアス電流の変動に伴う磁束雑音成分を有効に低
減できるのである。
ＵＩＤループのインダクタンスに関して非対称になるよ
うに構成すると、バイアス電流を変えると、磁束−電圧
特性（Φ−Ｖ特性）が、磁束軸（Φ軸）の方向にシフト
し、結局、バイアス電流の変動に対し電圧の変動が鈍く
なり、バイアス電流の変動がキャンセルされることにな
り、バイアス電流の変動に伴う磁束雑音成分を有効に低
減できるのである。
【００１４】さらに、上記の４項のＳＱＵＩＤループ１
１ａ〜１１ｄは相互に近接配置されている。このため、
計測しようとする外部磁場Φext を与えた場合にそれぞ
れのＳＱＵＩＤループに発生する遮蔽磁場が相互に影響
しあうので、雑音成分がキャンセルされ、磁場検出精度
がより向上する。
１ａ〜１１ｄは相互に近接配置されている。このため、
計測しようとする外部磁場Φext を与えた場合にそれぞ
れのＳＱＵＩＤループに発生する遮蔽磁場が相互に影響
しあうので、雑音成分がキャンセルされ、磁場検出精度
がより向上する。
【００１５】次に、図５に、本実施例のＳＱＵＩＤマグ
ネトメータの磁束−電圧特性を示す。図５において、横
軸である磁束軸の１目盛は０．６３Φo （Φo ：磁束量
子）を、縦軸である電圧軸の１目盛は２０μＶ（マイク
ロボルト）を示す。この図５から、出力電圧値として約
５０μＶを明確に検出でき、本実施例のＳＱＵＩＤマグ
ネトメータが、ＳＱＵＩＤとしての動作を十分果たして
いることが立証される。
ネトメータの磁束−電圧特性を示す。図５において、横
軸である磁束軸の１目盛は０．６３Φo （Φo ：磁束量
子）を、縦軸である電圧軸の１目盛は２０μＶ（マイク
ロボルト）を示す。この図５から、出力電圧値として約
５０μＶを明確に検出でき、本実施例のＳＱＵＩＤマグ
ネトメータが、ＳＱＵＩＤとしての動作を十分果たして
いることが立証される。
【００１６】次に、図６に、本実施例のＳＱＵＩＤマグ
ネトメータの磁場−磁束感度特性を示す。この図６か
ら、検出しうる磁場−磁束感度が０．４３ｎＴ／Φo
（ｎＴ：ナノテスラ）であることが読み取れる。これに
対し、Drung らの素子では、検出しうる磁場−磁束感度
は０．４７ｎＴ／Φo （ｎＴ：ナノテスラ）であると報
告されており、この点において、Drung らの素子を凌駕
する磁場検知精度を有している。
ネトメータの磁場−磁束感度特性を示す。この図６か
ら、検出しうる磁場−磁束感度が０．４３ｎＴ／Φo
（ｎＴ：ナノテスラ）であることが読み取れる。これに
対し、Drung らの素子では、検出しうる磁場−磁束感度
は０．４７ｎＴ／Φo （ｎＴ：ナノテスラ）であると報
告されており、この点において、Drung らの素子を凌駕
する磁場検知精度を有している。
【００１７】なお、本発明は、上記実施例に限定される
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
ものではない。上記実施例は、例示であり、本発明の特
許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な
構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる
ものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００１８】例えば、上記実施例においては、ＳＱＵＩ
Ｄループの個数を４個とした場合を例に挙げて説明した
が、これは、２以上の複数個であれば何個であってもよ
い。また、バイアス電流注入に関しては、インダクタン
スがアンバランス（非平衡、すなわち非対称）になるよ
うにバイアス電流を注入する構成であれば、どのような
構成であってもよい。
Ｄループの個数を４個とした場合を例に挙げて説明した
が、これは、２以上の複数個であれば何個であってもよ
い。また、バイアス電流注入に関しては、インダクタン
スがアンバランス（非平衡、すなわち非対称）になるよ
うにバイアス電流を注入する構成であれば、どのような
構成であってもよい。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、上記構成を有する
本発明によれば、ＳＱＵＩＤループを偶数個並列接続す
ることによりＳＱＵＩＤループ全体のインダクタンスを
小さくすることができ、磁場−磁束感度が向上して、ピ
ックアップコイルや入力コイル等を用いず外部磁場を直
接ＳＱＵＩＤループに結合しても十分検出することが可
能となる。また、ピックアップコイル等バイアス電流の
注入位置を非対称位置とすること、各ＳＱＵＩＤループ
を相互に近接配置すること、あるいは加算正帰還を行な
うことにより、磁場−磁束感度をさらに向上することが
できる、という利点も有している。
本発明によれば、ＳＱＵＩＤループを偶数個並列接続す
ることによりＳＱＵＩＤループ全体のインダクタンスを
小さくすることができ、磁場−磁束感度が向上して、ピ
ックアップコイルや入力コイル等を用いず外部磁場を直
接ＳＱＵＩＤループに結合しても十分検出することが可
能となる。また、ピックアップコイル等バイアス電流の
注入位置を非対称位置とすること、各ＳＱＵＩＤループ
を相互に近接配置すること、あるいは加算正帰還を行な
うことにより、磁場−磁束感度をさらに向上することが
できる、という利点も有している。
【図１】本発明の一実施例であるＳＱＵＩＤマグネトメ
ータの構成を示す平面図である。
ータの構成を示す平面図である。
【図２】図１における部分Ａをさらに拡大した図であ
る。
る。
【図３】図１におけるＡＰＦコイルの構成を説明する等
価回路図である。
価回路図である。
【図４】図１におけるバイアス電流注入位置の構成を説
明する等価回路図である。
明する等価回路図である。
【図５】図１に示すＳＱＵＩＤマグネトメータの磁束−
電圧特性を示す図である。
電圧特性を示す図である。
【図６】図１に示すＳＱＵＩＤマグネトメータの磁場−
磁束感度特性を示す図である。
磁束感度特性を示す図である。
【図７】従来のＳＱＵＩＤマグネトメータの構成を示す
等価回路図である。
等価回路図である。
【図８】Drung らによって提案されたＳＱＵＩＤマグネ
トメータの構成を示す平面図である。
トメータの構成を示す平面図である。
１ ＳＱＵＩＤマグネトメータ １１ａ〜１１ｄ ＳＱＵＩＤループ １２ バイアス電流注入位置 １３ ＡＰＦコイル １４ ＡＰＦ抵抗 １５，１６ トンネル接合 １７ シャント・ダンピング抵抗 １８ 帰還コイル ２０ ＳＱＵＩＤマグネトメータ ２１ ＳＱＵＩＤループ ２２ バイアス電流注入位置 ２３ ピックアップコイル ２４ 入力コイル ２５，２６ トンネル接合 ２７ 接地位置 ２８ 帰還コイル ２９ 発振器 ３０ フェーズシフタ ３１ バイアス電流源 ３２ インピーダンス整合回路 ３３ 前置増幅器 ３４ 積分増幅器 ３５ ＰＳＤ ４０ ＳＱＵＩＤマグネトメータ ４１ａ〜４１ｈ ＳＱＵＩＤループ ４２ バイアス電流注入位置 ４３ ＡＰＦコイル ４４ ＡＰＦ抵抗 ４５，４６ トンネル接合 ４７ シャント抵抗 ４８ 帰還コイル ４９ ダンピング抵抗 ＩB バイアス電流 Ｉc 臨界電流 Ｌi ピックアップコイルインダクタンス Ｌs 超伝導ループインダクタンス Ｒ シャント抵抗 Ｒf 帰還抵抗
Claims (7)
- 【請求項１】 ＳＱＵＩＤループを複数個並列接続し、
計測しようとする磁場を直接当該ＳＱＵＩＤループに結
合させて磁場計測を行なうことを特徴とするＳＱＵＩＤ
マグネトメータ。 - 【請求項２】 前記並列接続されるＳＱＵＩＤループの
個数は、４個であることを特徴とする請求項１に記載し
たＳＱＵＩＤマグネトメータ。 - 【請求項３】 前記並列接続されるＳＱＵＩＤループの
各々は、一辺が２ミリメートルの角形ループであること
を特徴とする請求項２に記載したＳＱＵＩＤマグネトメ
ータ。 - 【請求項４】 前記ＳＱＵＩＤマグネトメータは変調磁
束を帰還させるための帰還コイルを有し、当該帰還コイ
ルは、前記複数個のＳＱＵＩＤループのうちのいずれか
一つに近接して配置され、１ターン又は複数ターン巻回
したことを特徴とする請求項１に記載したＳＱＵＩＤマ
グネトメータ。 - 【請求項５】 前記ＳＱＵＩＤループはバイアス電流を
注入するバイアス電流注入位置を有し、当該バイアス電
流注入位置は非対称位置となるように設けられることを
特徴とする請求項１に記載したＳＱＵＩＤマグネトメー
タ。 - 【請求項６】 前記複数個のＳＱＵＩＤループは相互に
近接配置され、計測しようとする外部磁場を与えた場合
の遮蔽磁場が相互に影響しあうように構成したことを特
徴とする請求項１に記載したＳＱＵＩＤマグネトメー
タ。 - 【請求項７】 前記複数個のＳＱＵＩＤループに対し、
加算正帰還を行なうことを特徴とする請求項１に記載し
たＳＱＵＩＤマグネトメータ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257494A JPH0792247A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Ｓｑｕｉｄマグネトメータ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5257494A JPH0792247A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Ｓｑｕｉｄマグネトメータ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0792247A true JPH0792247A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17307072
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5257494A Pending JPH0792247A (ja) | 1993-09-22 | 1993-09-22 | Ｓｑｕｉｄマグネトメータ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0792247A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337297A (ja) * | 2005-06-06 | 2006-12-14 | Kanazawa Inst Of Technology | 超伝導磁気センサ |
| WO2010122733A1 (ja) * | 2009-04-23 | 2010-10-28 | 国立大学法人 豊橋技術科学大学 | Ｓｑｕｉｄ磁気センサ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61132885A (ja) * | 1984-12-01 | 1986-06-20 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 直流バイアス量子干渉計 |
| JPH04357482A (ja) * | 1991-02-04 | 1992-12-10 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄ駆動回路 |
-
1993
- 1993-09-22 JP JP5257494A patent/JPH0792247A/ja active Pending
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| US20120053059A1 (en) * | 2009-04-23 | 2012-03-01 | National University Corporation Toyohashi University Of Technology | Squid magnetic sensor |
| US8548542B2 (en) | 2009-04-23 | 2013-10-01 | National University Corporation, Toyohashi University Of Technology | SQUID magnetic sensor |
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