JPH04357482A - Ｓｑｕｉｄ駆動回路 - Google Patents
Ｓｑｕｉｄ駆動回路Info
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- JPH04357482A JPH04357482A JP3033392A JP3339291A JPH04357482A JP H04357482 A JPH04357482 A JP H04357482A JP 3033392 A JP3033392 A JP 3033392A JP 3339291 A JP3339291 A JP 3339291A JP H04357482 A JPH04357482 A JP H04357482A
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- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
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Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は超伝導量子干渉計（ｄｃ
ＳＱＵＩＤ）の駆動回路に関し、特にパルス動作ＳＱＵ
ＩＤ磁束計の検出感度およびＳＮ比を向上させるＳＱＵ
ＩＤ駆動回路に関するものである。
ＳＱＵＩＤ）の駆動回路に関し、特にパルス動作ＳＱＵ
ＩＤ磁束計の検出感度およびＳＮ比を向上させるＳＱＵ
ＩＤ駆動回路に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、肺臓、心臓、脳、筋肉などの生体
から生じる微弱な磁界を検出するために超伝導状態で動
作するＳＱＵＩＤ磁束計が用いられてきた。図３は、”
ＩＥＥＥ’８８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌ
ｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａ
ｐｅｒ ”の４０ー４１頁、または ”ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ ”の第５巻第１２号（１９８８年１２月号）
の２４１２ー２４１８ 頁に示された従来のパルス動作
ＳＱＵＩＤ磁束計の原理図である。
から生じる微弱な磁界を検出するために超伝導状態で動
作するＳＱＵＩＤ磁束計が用いられてきた。図３は、”
ＩＥＥＥ’８８ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｏｌ
ｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｃｏｎｆｅｒｅｎ
ｃｅ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａ
ｐｅｒ ”の４０ー４１頁、または ”ＩＥＥＥ Ｔ
ｒａｎｓａｃｔｉｏｎｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖ
ｉｃｅｓ ”の第５巻第１２号（１９８８年１２月号）
の２４１２ー２４１８ 頁に示された従来のパルス動作
ＳＱＵＩＤ磁束計の原理図である。
【０００３】通常、トンネル接合型ＳＱＵＩＤはＩ−Φ
特性にヒステリシスを持つために、これを磁束計として
用いるためにはＳＱＵＩＤのジョセフソン接合を抵抗で
シャントしてヒステリシス特性をなくすことが必要であ
る。しかし、パルス動作型のＳＱＵＩＤ磁束計ではスイ
ッチング素子として動作し、パルス出力を得るためにヒ
ステリシス特性が必要になる。したがって、図３のＳＱ
ＵＩＤ磁束計の２個のトンネル接合型ジョセフソン接合
はＩ−Ｖ特性のヒステリシス特性を持たすためにシャン
ト抵抗を有しない構造になっている。この２個のジョセ
フソン接合の臨界電流値を等しくし、バイアス電流の注
入点をインダクタンスの一端に選ぶと図３（ａ）に示す
ような非対称な閾値特性がえられる。なお、バイアス電
流の注入点をインダクタンスの中点、すなわち、ＳＱＵ
ＩＤリングの中点に接続するとＩ−Φ特性は左右対称に
なり、入力磁束に対応した正負のパルスは得られなくな
る。
特性にヒステリシスを持つために、これを磁束計として
用いるためにはＳＱＵＩＤのジョセフソン接合を抵抗で
シャントしてヒステリシス特性をなくすことが必要であ
る。しかし、パルス動作型のＳＱＵＩＤ磁束計ではスイ
ッチング素子として動作し、パルス出力を得るためにヒ
ステリシス特性が必要になる。したがって、図３のＳＱ
ＵＩＤ磁束計の２個のトンネル接合型ジョセフソン接合
はＩ−Ｖ特性のヒステリシス特性を持たすためにシャン
ト抵抗を有しない構造になっている。この２個のジョセ
フソン接合の臨界電流値を等しくし、バイアス電流の注
入点をインダクタンスの一端に選ぶと図３（ａ）に示す
ような非対称な閾値特性がえられる。なお、バイアス電
流の注入点をインダクタンスの中点、すなわち、ＳＱＵ
ＩＤリングの中点に接続するとＩ−Φ特性は左右対称に
なり、入力磁束に対応した正負のパルスは得られなくな
る。
【０００４】ＳＱＵＩＤ磁束計にパルス波形の交流バイ
アス（ＡＣバイアス）を加え、そのバイアス振幅値は図
３（ａ）のＩ−Φ特性の閾値曲線の縦軸（Ｉ軸）上の閾
値近くに選ばれる。バイアス電流が閾値曲線を内側から
外側へ横切るとき、ＳＱＵＩＤ磁束計のｄｃＳＱＵＩＤ
は超伝導状態から有限電圧状態にスイッチし、ｄｃＳＱ
ＵＩＤの出力としてＩ−Φ特性の閾値曲線の縦軸（Ｉ軸
）上の正の軸上では正のパルス、負の軸上では負のパル
ス列が得られる。すなわち、このパルス列の出力は図３
（ｂ）に示すように、入力磁束Φが負の場合は、閾値曲
線の動作点が横軸中央点（Ｏ点）から（Ａ点）に移動し
て負のパルス列となり、正の磁束の場合は、閾値曲線の
動作点が横軸中央点（Ｏ点）から（Ｂ点）に移動して正
のパルス列となる。図３（ｂ ）に示すように、この正
または負のパルスを検出することによって入力磁束が正
であるか負であるかを知ることができる。
アス（ＡＣバイアス）を加え、そのバイアス振幅値は図
３（ａ）のＩ−Φ特性の閾値曲線の縦軸（Ｉ軸）上の閾
値近くに選ばれる。バイアス電流が閾値曲線を内側から
外側へ横切るとき、ＳＱＵＩＤ磁束計のｄｃＳＱＵＩＤ
は超伝導状態から有限電圧状態にスイッチし、ｄｃＳＱ
ＵＩＤの出力としてＩ−Φ特性の閾値曲線の縦軸（Ｉ軸
）上の正の軸上では正のパルス、負の軸上では負のパル
ス列が得られる。すなわち、このパルス列の出力は図３
（ｂ）に示すように、入力磁束Φが負の場合は、閾値曲
線の動作点が横軸中央点（Ｏ点）から（Ａ点）に移動し
て負のパルス列となり、正の磁束の場合は、閾値曲線の
動作点が横軸中央点（Ｏ点）から（Ｂ点）に移動して正
のパルス列となる。図３（ｂ ）に示すように、この正
または負のパルスを検出することによって入力磁束が正
であるか負であるかを知ることができる。
【０００５】入力磁束の大きさの計測について次に説明
する。図４は従来のＳＱＵＩＤ磁束計の回路構成を示す
図である。図４では、ｄｃＳＱＵＩＤ３とこのｄｃＳＱ
ＵＩＤ３に電流を供給するバイアス電流源６と、ｄｃＳ
ＱＵＩＤ３のパルス列出力を積分するカウンタ７と、こ
のカウンタ７の出力を電流値に変換するＤ／Ａ変換器８
と、フィードバック抵抗９とフィードバックコイル５と
から成るフィードバック回路によって構成される。図４
において外部磁界の大きさの検出は入力磁束を打ち消す
ようにフィードバックコイル５に電流を流す零点検出法
によって行う。すなわち、外部磁界が変化したときこの
外部磁界を打ち消す方向のフィードバックループ電流を
フィードバックコイル５に流すことによって、外部磁束
の変化δΦと反対向きの磁束をｄｃＳＱＵＩＤに作り、
ｄｃＳＱＵＩＤの動作点が常にＯ点付近になるようにす
る。この状態のときに正のパルス数（Ｎ＋）と負のパル
ス数（Ｎ−）の出現確率が同じになるので、この時の入
力磁束を打ち消すフィードバック磁束量すなわちＤ／Ａ
変換器８の出力を計測することにより入力磁束の大きさ
の測定ができる。
する。図４は従来のＳＱＵＩＤ磁束計の回路構成を示す
図である。図４では、ｄｃＳＱＵＩＤ３とこのｄｃＳＱ
ＵＩＤ３に電流を供給するバイアス電流源６と、ｄｃＳ
ＱＵＩＤ３のパルス列出力を積分するカウンタ７と、こ
のカウンタ７の出力を電流値に変換するＤ／Ａ変換器８
と、フィードバック抵抗９とフィードバックコイル５と
から成るフィードバック回路によって構成される。図４
において外部磁界の大きさの検出は入力磁束を打ち消す
ようにフィードバックコイル５に電流を流す零点検出法
によって行う。すなわち、外部磁界が変化したときこの
外部磁界を打ち消す方向のフィードバックループ電流を
フィードバックコイル５に流すことによって、外部磁束
の変化δΦと反対向きの磁束をｄｃＳＱＵＩＤに作り、
ｄｃＳＱＵＩＤの動作点が常にＯ点付近になるようにす
る。この状態のときに正のパルス数（Ｎ＋）と負のパル
ス数（Ｎ−）の出現確率が同じになるので、この時の入
力磁束を打ち消すフィードバック磁束量すなわちＤ／Ａ
変換器８の出力を計測することにより入力磁束の大きさ
の測定ができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳＱＵ
ＩＤ磁束計の磁束感度は閾値曲線の傾き（ｄＩ／ｄΦ）
に比例するが、従来のＳＱＵＩＤ磁束計は図３（ａ）の
閾値曲線の傾きのゆるやかな側の動作点を使っているた
め、磁束感度が悪くなりＳＮ比が低下するという問題点
があった。本発明は、パルス動作ＳＱＵＩＤ磁束計の磁
束感度およびＳＮ比を向上させることを目的とするもの
である。
ＩＤ磁束計の磁束感度は閾値曲線の傾き（ｄＩ／ｄΦ）
に比例するが、従来のＳＱＵＩＤ磁束計は図３（ａ）の
閾値曲線の傾きのゆるやかな側の動作点を使っているた
め、磁束感度が悪くなりＳＮ比が低下するという問題点
があった。本発明は、パルス動作ＳＱＵＩＤ磁束計の磁
束感度およびＳＮ比を向上させることを目的とするもの
である。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＱＵＩＤ駆動
回路は、外部磁界を検出する検出コイルと、外部磁界の
変化に対応してパルスを発生させるｄｃＳＱＵＩＤと、
前記検出コイルによって検出された外部磁界を前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと結合するための入力コイルと、前記ｄｃＳ
ＱＵＩＤに電流を供給するバイアス電流源と、前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと結合するフィードバックコイルとを有し、
前記フィードバックコイルにフィードバックループ電流
を流し、外部磁束の変化と反対向きの磁束をＳＱＵＩＤ
に作ることによって、入力磁束の測定を行うＳＱＵＩＤ
駆動回路において、前記ｄｃＳＱＵＩＤと結合したバイ
アスコイルを備え、このバイアスコイルに、前記ｄｃＳ
ＱＵＩＤに流れるバイアス電流と同期したバイアス電流
を供給するように構成される。
回路は、外部磁界を検出する検出コイルと、外部磁界の
変化に対応してパルスを発生させるｄｃＳＱＵＩＤと、
前記検出コイルによって検出された外部磁界を前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと結合するための入力コイルと、前記ｄｃＳ
ＱＵＩＤに電流を供給するバイアス電流源と、前記ｄｃ
ＳＱＵＩＤと結合するフィードバックコイルとを有し、
前記フィードバックコイルにフィードバックループ電流
を流し、外部磁束の変化と反対向きの磁束をＳＱＵＩＤ
に作ることによって、入力磁束の測定を行うＳＱＵＩＤ
駆動回路において、前記ｄｃＳＱＵＩＤと結合したバイ
アスコイルを備え、このバイアスコイルに、前記ｄｃＳ
ＱＵＩＤに流れるバイアス電流と同期したバイアス電流
を供給するように構成される。
【０００８】
【作用】本発明は、バイアス電流によって駆動されるバ
イアスコイルをｄｃＳＱＵＩＤと結合させ、ＡＣバイア
ス電流に同期したＡＣバイアス磁束をバイアスコイルに
よってｄｃＳＱＵＩＤに誘導することによって、ｄｃＳ
ＱＵＩＤの動作点が閾値曲線の傾きの急な側になるよう
にして、ＳＱＵＩＤ磁束計の感度およびＳＮ比を向上さ
せるようにしたものである。
イアスコイルをｄｃＳＱＵＩＤと結合させ、ＡＣバイア
ス電流に同期したＡＣバイアス磁束をバイアスコイルに
よってｄｃＳＱＵＩＤに誘導することによって、ｄｃＳ
ＱＵＩＤの動作点が閾値曲線の傾きの急な側になるよう
にして、ＳＱＵＩＤ磁束計の感度およびＳＮ比を向上さ
せるようにしたものである。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の実施例を図について説明する
。図１は本発明の第１の実施例を示すブロック図である
。図１において本発明の特徴であるバイアスコイル４を
除いては従来の回路（図４）と同一である。図１でバイ
アス電流源６から出力されるＡＣバイアス電流は、バイ
アスコイル４を経由してｄｃＳＱＵＩＤ３に供給される
。この時ＡＣバイアス磁束はｄｃＳＱＵＩＤ３に発生す
る磁束と同期している。バイアスコイル４のインダクタ
ンスを適当な値に選ぶとｄｃＳＱＵＩＤの動作点を閾値
曲線の傾きの急な側にすることができる。これについて
以下詳細に説明する。
。図１は本発明の第１の実施例を示すブロック図である
。図１において本発明の特徴であるバイアスコイル４を
除いては従来の回路（図４）と同一である。図１でバイ
アス電流源６から出力されるＡＣバイアス電流は、バイ
アスコイル４を経由してｄｃＳＱＵＩＤ３に供給される
。この時ＡＣバイアス磁束はｄｃＳＱＵＩＤ３に発生す
る磁束と同期している。バイアスコイル４のインダクタ
ンスを適当な値に選ぶとｄｃＳＱＵＩＤの動作点を閾値
曲線の傾きの急な側にすることができる。これについて
以下詳細に説明する。
【００１０】図２は本発明の一実施例のパルス動作ＳＱ
ＵＩＤ磁束計の動作原理図である。図２においてＡＣバ
イアス磁束はｄｃＳＱＵＩＤ３に発生する磁束と同期し
ている。このため動作曲線はＩ−Φ座標軸上で破線のよ
うに右下がりの斜線になる。したがって、この斜線と閾
値曲線とが交差する点は閾値曲線上の傾斜が急な部分に
なる。これを以下に詳しく説明する。図１において、バ
イアスコイル４に対抗するｄｃＳＱＵＩＤ３中のコイル
はＳＱＵＩＤリングを等価的に表したものであり、その
巻き数は通常１である。ｄｃＳＱＵＩＤに誘導される磁
束Φは次のように表される。 Φ＝ＭＩ＝ｋ×ｓｑｕａｒｅ ｒｏｏｔ（Ｌ１×Ｌ２）
ただし 、Ｍ ：バイアスコイル４とｄｃＳＱＵＩ
Ｄリングとの相互インダクタンス Ｉ ：バイアスコイル４を流れる電流Ｌ１：ｄｃＳＱ
ＵＩＤリングの自己インダクタンスＬ２：バイアスコイ
ル４の自己インダクタンスここでｄｃＳＱＵＩＤリング
のインダクタンスはその形状と面積によって一義的に決
まってしまう。したがって、バイアスコイルのインダク
タンスを適当に選べば、ｄｃＳＱＵＩＤ３に誘導される
磁束の大きさΦを閾値曲線の傾斜が急な部分に持ってく
ることができる。すなわち、従来のバイアスコイル４が
なかった回路と比べると、本発明では閾値曲線の傾斜が
急になったためにｄＩ／ｄΦの値が大きくなり、小さい
外部磁界の変化で、電圧状態から超伝導状態に遷移が起
こるようになる。したがって、測定磁束感度が向上する
ことになる。
ＵＩＤ磁束計の動作原理図である。図２においてＡＣバ
イアス磁束はｄｃＳＱＵＩＤ３に発生する磁束と同期し
ている。このため動作曲線はＩ−Φ座標軸上で破線のよ
うに右下がりの斜線になる。したがって、この斜線と閾
値曲線とが交差する点は閾値曲線上の傾斜が急な部分に
なる。これを以下に詳しく説明する。図１において、バ
イアスコイル４に対抗するｄｃＳＱＵＩＤ３中のコイル
はＳＱＵＩＤリングを等価的に表したものであり、その
巻き数は通常１である。ｄｃＳＱＵＩＤに誘導される磁
束Φは次のように表される。 Φ＝ＭＩ＝ｋ×ｓｑｕａｒｅ ｒｏｏｔ（Ｌ１×Ｌ２）
ただし 、Ｍ ：バイアスコイル４とｄｃＳＱＵＩ
Ｄリングとの相互インダクタンス Ｉ ：バイアスコイル４を流れる電流Ｌ１：ｄｃＳＱ
ＵＩＤリングの自己インダクタンスＬ２：バイアスコイ
ル４の自己インダクタンスここでｄｃＳＱＵＩＤリング
のインダクタンスはその形状と面積によって一義的に決
まってしまう。したがって、バイアスコイルのインダク
タンスを適当に選べば、ｄｃＳＱＵＩＤ３に誘導される
磁束の大きさΦを閾値曲線の傾斜が急な部分に持ってく
ることができる。すなわち、従来のバイアスコイル４が
なかった回路と比べると、本発明では閾値曲線の傾斜が
急になったためにｄＩ／ｄΦの値が大きくなり、小さい
外部磁界の変化で、電圧状態から超伝導状態に遷移が起
こるようになる。したがって、測定磁束感度が向上する
ことになる。
【００１１】ｄｃＳＱＵＩＤの出力パルスは、従来技術
と同様にカウンタ７によってディジタル積分され、この
カウンタ７の出力はＤ／Ａ変換器８でアナログ信号に変
換される。その後、Ｄ／Ａ変換器８の出力によってフィ
ードバック抵抗９とフィードバックコイル５からなるフ
ィードバック回路に電流が供給され、ｄｃＳＱＵＩＤに
入力する入力磁束を打ち消す。従来の回路で説明したよ
うに、前記のフィードバック回路は、いわゆる零点検出
回路である。したがって、入力磁束を打ち消すフィード
バック磁束量、すなわちＤ／Ａ変換器８の出力を計測す
ることにより入力磁束の測定がおこなえる。なお、ＡＣ
バイアス電流の波形は図１のような三角波のほか、方形
波、正弦波のような波形であってもよい。
と同様にカウンタ７によってディジタル積分され、この
カウンタ７の出力はＤ／Ａ変換器８でアナログ信号に変
換される。その後、Ｄ／Ａ変換器８の出力によってフィ
ードバック抵抗９とフィードバックコイル５からなるフ
ィードバック回路に電流が供給され、ｄｃＳＱＵＩＤに
入力する入力磁束を打ち消す。従来の回路で説明したよ
うに、前記のフィードバック回路は、いわゆる零点検出
回路である。したがって、入力磁束を打ち消すフィード
バック磁束量、すなわちＤ／Ａ変換器８の出力を計測す
ることにより入力磁束の測定がおこなえる。なお、ＡＣ
バイアス電流の波形は図１のような三角波のほか、方形
波、正弦波のような波形であってもよい。
【００１２】図５は本発明の第２の実施例を示すブロッ
ク図である。図５においてはバイアスコイル４に電流を
供給するバイアス電流源１２をｄｃＳＱＵＩＤ３に電流
を供給するバイアス電流源６とは別に設け、バイアス電
流源６とバイアス電流源１２とを同期回路１３によって
同期させている。図５でバイアス電流源６から出力され
るバイアス電流は、ｄｃＳＱＵＩＤ３に供給される。バ
イアス電流源１２から出力されるバイアス電流はバイア
スコイル４に供給される。この時バイアスコイルにより
発生するバイアス磁束はバイアス電流源６によってｄｃ
ＳＱＵＩＤ３に発生する磁束と同期するように同期回路
１３によって設定されるので、バイアスコイル４のイン
ダクタンスを適当な値に選ぶとｄｃＳＱＵＩＤの動作点
を閾値曲線の傾きの急な側にすることができる。第２の
実施例においても、第１の実施例で述べたように、従来
のバイアスコイル４がなかった回路と比べると動作点が
閾値曲線の傾斜が急な点にくるために（ｄＩ／ｄΦ）の
値が大きくなり、小さい外部磁界の変化で、超伝導状態
から電圧状態に遷移が起こる。したがって、計測磁束感
度が向上することになる。動作原理は、第１の実施例で
説明したことと同じであるので説明を省略する。
ク図である。図５においてはバイアスコイル４に電流を
供給するバイアス電流源１２をｄｃＳＱＵＩＤ３に電流
を供給するバイアス電流源６とは別に設け、バイアス電
流源６とバイアス電流源１２とを同期回路１３によって
同期させている。図５でバイアス電流源６から出力され
るバイアス電流は、ｄｃＳＱＵＩＤ３に供給される。バ
イアス電流源１２から出力されるバイアス電流はバイア
スコイル４に供給される。この時バイアスコイルにより
発生するバイアス磁束はバイアス電流源６によってｄｃ
ＳＱＵＩＤ３に発生する磁束と同期するように同期回路
１３によって設定されるので、バイアスコイル４のイン
ダクタンスを適当な値に選ぶとｄｃＳＱＵＩＤの動作点
を閾値曲線の傾きの急な側にすることができる。第２の
実施例においても、第１の実施例で述べたように、従来
のバイアスコイル４がなかった回路と比べると動作点が
閾値曲線の傾斜が急な点にくるために（ｄＩ／ｄΦ）の
値が大きくなり、小さい外部磁界の変化で、超伝導状態
から電圧状態に遷移が起こる。したがって、計測磁束感
度が向上することになる。動作原理は、第１の実施例で
説明したことと同じであるので説明を省略する。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パルス動作ｄｃＳＱＵＩＤにおいて、動作点を閾値曲線
の傾きの急な側にすることによって、磁束感度を向上さ
せ、したがって、ＳＮ比を向上できる効果が得られる。
パルス動作ｄｃＳＱＵＩＤにおいて、動作点を閾値曲線
の傾きの急な側にすることによって、磁束感度を向上さ
せ、したがって、ＳＮ比を向上できる効果が得られる。
【図１】本発明の一実施例のパルス動作ＳＱＵＩＤ磁束
計の構成を示すブロック図である。
計の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施例のパルス動作ＳＱＵＩＤ磁束
計の動作原理図である。
計の動作原理図である。
【図３】従来のＳＱＵＩＤ磁束計の動作原理図である。
【図４】従来のＳＱＵＩＤ磁束計のブロック図である。
【図５】本発明の他の実施例のパルス動作ＳＱＵＩＤ磁
束計の構成を示すブロック図である。
束計の構成を示すブロック図である。
１ 検出コイル
２ 入力コイル
３ ｄｃＳＱＵＩＤ
４ バイアスコイル
５ フィードバックコイル
６ バイアス電流源
７ カウンタ
８ Ｄ／Ａ変換器
９ フィードバック抵抗
１０ ディジタル出力
１１ アナログ出力
１２ バイアス電流源
１３ 同期回路
Claims (2)
- 【請求項１】外部磁界を検出する検出コイルと、前記外
部磁界の変化に対応してパルスを発生させる超伝導量子
干渉計（ｄｃＳＱＵＩＤ）と、前記検出コイルによって
検出された外部磁界を前記ｄｃＳＱＵＩＤと結合するた
めの入力コイルと、前記したｄｃＳＱＵＩＤに電流を供
給するバイアス電流源と、前記ｄｃＳＱＵＩＤと結合す
るフィードバックコイルとを有し、前記フィードバック
コイルにフィードバックループ電流を流し、外部磁束の
変化と反対向きの磁束をＳＱＵＩＤに作ることにより入
力磁束の測定を行うＳＱＵＩＤ駆動回路において、前記
ｄｃＳＱＵＩＤと結合したバイアスコイルを備え、この
バイアスコイルに、前記ｄｃＳＱＵＩＤに流れるバイア
ス電流と同期したバイアス電流を供給することを特徴と
するＳＱＵＩＤ駆動回路。 - 【請求項２】前記バイアスコイルに電流を供給する独立
したバイアス電流源と、前記バイアスコイルに電流を供
給するバイアス電流源の電流をｄｃＳＱＵＩＤに電流を
供給するバイアス電流源の電流と同期させる同期回路と
、を備えたことを特徴とする請求項１のＳＱＵＩＤ駆動
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033392A JPH0778527B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｓｑｕｉｄ駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3033392A JPH0778527B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｓｑｕｉｄ駆動回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04357482A true JPH04357482A (ja) | 1992-12-10 |
| JPH0778527B2 JPH0778527B2 (ja) | 1995-08-23 |
Family
ID=12385322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3033392A Expired - Lifetime JPH0778527B2 (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | Ｓｑｕｉｄ駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0778527B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792247A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄマグネトメータ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290979A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fujitsu Ltd | 超伝導量子干渉素子 |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP3033392A patent/JPH0778527B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63290979A (ja) * | 1987-05-22 | 1988-11-28 | Fujitsu Ltd | 超伝導量子干渉素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0792247A (ja) * | 1993-09-22 | 1995-04-07 | Chodendo Sensor Kenkyusho:Kk | Ｓｑｕｉｄマグネトメータ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0778527B2 (ja) | 1995-08-23 |
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