JPH0793387B2 - 気密封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） この発明は気密封止型半導体装置およびその製造方法に
係わり、特に低融点ガラス封止型半導体装置のような半
導体チップを固着した基体と、該基体上に接着部材によ
って蓋体を接着して半導体チップを気密封止するような
タイプの気密封止型半導体装置に関する。

（従来の技術） 低融点ガラス封止型半導体装置は、第８図に示すよう
に、低融点ガラス３が塗布され、キャップ（蓋体）とな
るセラミック基板１と、半導体チップ５が固着され、低
融点ガラス４が塗布されたベース（基体）となるセラミ
ック基板２とから主に構成されている。この種のパッケ
ージは、低融点ガラス３、４どうしを合致させ、その
後、加熱することにより低融点ガラス３、４を溶かして
融着し、これらを固化させることによって半導体チップ
５を気密封止するものである。

第８図に示す従来の低融点ガラス封止型半導体装置につ
いて更に詳細に説明する。セラミック基板２の所定の場
所には、半導体チップ５が、熱硬化性マウント剤９によ
って接着されている。この熱硬化性マウント剤９には、
作業性が良いこと、接着時の信頼性が高いこと、金ペー
スト等に比較して安価であるといった優れた面を持った
ポリイミド系のマウント剤が、通常、使用される。低融
点ガラス４上には、リードフレーム６が取り付けられて
おり、このリードフレーム６は、半導体チップ５のボン
ディングワイヤ７によって電気的に接続されている。そ
して、キャップとなるセラミック基板１とセラミック基
板２とを、リードフレーム６を挟み込むようにして低融
点ガラス３、及び４によって接着することにより、半導
体チップ５が気密封止されている。

このような低融点ガラス封止型半導体装置の製造方法
は、まず、セラミック基板２上に、これの半導体チップ
５が固着される固着予定部分を除いて、低融点ガラス４
を印刷の要領で塗布し、これを形成する。次に、リード
フレーム６を低融点ガラス４上に取り付け、そして、セ
ラミック基板２上の固着予定部分に、熱硬化性マウント
剤９によって半導体チップ５を固着する。次に、ワイヤ
ボンディングにより、リードフレーム６と、半導体チッ
プ５とをボンディングワイヤ７によって電気的に接続す
る。次に、セラミック基板１を、セラミック基板２上に
低融点ガラス３、４どうしを合致させて載置する。そし
て、加熱し、低融点ガラス3,4を、融点以上の温度にし
て溶かしてこれらを融着した後、冷却して固化させるこ
とによってセラミック基板１と、セラミック基板２とを
接着する。

以上のようにして、低融点ガラス封止型半導体装置が製
造される。

しかしながら、従来の低融点ガラス封止型半導体装置で
は、接着部材である低融点ガラスの部分に外観巣や、内
部巣等の接着不良が多発しており、パッケージングにお
けるアセンブリ歩留りの低下や、気密性に関しての信頼
性の低下等の問題が生じている。この原因は、熱硬化性
マウント剤が硬化するに際に発生する分解ガスに起因し
ている。

（発明が解決しようとする課題） 以上のように、従来の低融点ガラス封止型に代表される
ような基体と蓋体とを接着部材（低融点ガラス）によっ
て接着するタイプの気密封止型半導体装置では、半導体
チップを基体上に固着させるための熱硬化性マウント剤
が硬化する際に発生する分解ガスにより、接着部材の部
分に外観巣や内部巣等の接着不良を多発している。この
ため、パッケージングにおけるアセンブリ歩留りの低下
や、気密性に関しての信頼性の低下等が生じている。

この発明は上記のような点に鑑みて為されたもので、そ
の目的は、基体と蓋体とを接着部材によって接着するタ
イプの気密封止型半導体装置において、接着部材の部分
において発生する外観巣や内部巣を抑制し、気密性に関
する信頼性の向上、並びにアセンブリ歩留りの向上を達
成し、安価、かつ信頼性の高い気密封止型半導体装置お
よびその製造方法を提供することを目的とする。

［発明の構成］ （課題を解決するための手段） 上記目的を達成するために、この発明に係る気密封止型
半導体装置では、接着面を有する基体および蓋体と、基
体の接着面及び蓋体の接着面の少なくとも一方に、熱硬
化性の固着部材によって固着された半導体チップと、半
導体チップを囲んで、基体の接着面及び蓋体の接着面に
設けられた、基体と蓋体とを接着するための接着部材と
を具備する。そして、基体の接着面及び蓋体の接着面の
少なくとも一方に凹部を得ておき、接着部材どうしを接
着する以前で基体と蓋体とを重ねた時、少なくも固着部
材を外界に連通させる連通部を、上記凹部によって上記
接着面間に生じた間隙により得たことを特徴としてい
る。

さらに連通部は、基体の接着面及び蓋体の接着面少なく
とも一方を、接着面が凹部となる円弧状として得たこと
を特徴としている。

さらに接着部材は、低融点ガラスであることを特徴とし
ている。

さらに熱硬化性の固着部材は、ポリイミド系であること
を特徴としている。

また、この発明に係る気密封止型半導体装置の製造方法
の第１の態様では、接着面を有する基体および蓋体と、
基体の接着面及び前記蓋体の接着面の少なくとも一方
に、熱硬化性の固着部材によって固着された半導体チッ
プと、半導体チップを囲んで、基体の接着面及び蓋体の
接着面に設けられた、基体と蓋体とを接着するための接
着部材とを具備する気密封止型半導体装置の製造方法で
あって、基体の接着面及び蓋体の接着面の少なくとも一
方に凹部が得ておき、基体と蓋体とを重ねた時、少なく
とも固着部材を外界に連通させる連通部を、上記凹部に
よって上記接着面間に生じた間隙により得て、加熱し
て、連通部を介して固着部材から発生する気体を外界へ
逃がすとともに、接着部材を溶かし、接着部材が溶ける
ことで連通部が塞がれた後、接着部材を冷却して接着部
材を固化させ、半導体チップを封止することを特徴とし
ている。

また、この発明に係る気密封止型半導体装置の製造方法
の第２の態様では、反りを持った基体及び蓋体を準備
し、反りを持った基体の凹部側に、半導体チップを固着
する部分を除いて、第１の接着部材を塗布し、反りを持
った蓋体の凹部側に、第２の接着部材を塗布し、基体の
半導体チップを固着する部分に、熱硬化性の固着部材に
より半導体チップを固着し、反りを持った基体の凹部と
反りを持った蓋体の凹部とで空間を生じさせ、この空間
により少なくとも固着部材を外界に連通させて基体と蓋
体とを重ね、加熱し、熱硬化性の固着部材から発生する
基体を空間から逃がすとともに、接着部材を溶かす。そ
して、接着部材が溶けることで空間が塞がれた後、接着
部材を冷却して接着部材を固化させ、半導体チップを封
止することを特徴としている。

（作用） 上記構成を有する気密封止型半導体装置およびその製造
方法であると、接着部材どうしを接着する以前で基体と
蓋体とを重ねた時、少なくとも熱硬化性の固着部材を外
界に連通させる連通部が、上記凹部によって上記接着面
間に生じた間隙により得られていることで、接着部材ど
うしを接着する時の加熱時、熱硬化性の固着部材から発
生する気体を上記の連通部を介して外界に逃がすことが
できる。このため、従来、熱硬化性の固着部材から発生
する気体に起因した、接着部材に外観巣や内部巣が発生
すること、あるいは気体の装置残留および突き抜け噴出
などが発生することを防止でき、気密性に優れた気密封
止型半導体装置を簡単に得ることができる。

（実施例） 以下、図面を参照してこの発明の実施例に係わる気密封
止型半導体装置およびその製造方法について説明する。

第１図は、この発明の第１の実施例に係わる低融点ガラ
ス封止型半導体装置の斜視図である。

第１図に示すように、第１の実施例に係わる低融点ガラ
ス封止型半導体装置は、キャップ（蓋体）となるセラミ
ック基板１と、ベース（基体）となるセラミック基板２
と、これらを接着するための低融点ガラス３、４とを主
要な構成部材とする。

低融点ガラス３は、セラミック基板１の接着面に予め塗
布されており、同様に低融点ガラス４は、セラミック基
板２の接着面の半導体チップ５の固着予定領域を除いて
予め塗布されている。

半導体チップ５は、セラミック基板２の接着面上の固着
予定領域に熱硬化性マウント剤９によって固着されてい
る。低融点ガラス４上にはリードフレーム６が取り付け
られており、このリードフレーム６の一端は、パッケー
ジの外部に露出して外部端子を成し、その他端は、ボン
ディングワイヤ７によって半導体チップ５に電気的に接
続される。尚、リードフレーム６は、低融点ガラス４上
に載置された後、例えば炉内を通過させ所定温度で加熱
することによって低融点ガラス４上に溶着される。そし
てキャップとなるセラミック基板１とセラミック基板２
との間にリードフレーム６を挟み込むようにして低融点
ガラス３及び４を合致させ、その後、所定の温度で加熱
することにより低融点ガラス３及び４を溶かして互いに
融着し、さらに冷却してこれらを固化させる。これによ
り、半導体チップ５はパッケージ内に気密封止された状
態にて収容できる。

上記構成の半導体パッケージにおいて、セラミック基板
１及び２は、例えば所定の曲率をもって湾曲し、円弧を
有するようなものを用いる。

即ち、セラミック基板１及び２は、反りを持つ形状に予
め形成されたものか、あるいはセラミック基板１を作製
した際、反りを持つ形状になったものを用いる。

この発明に係わるパッケージでは、反りによって生じる
セラミック基板の凹部面を接着面として設定する。

セラミック基板１及び２の凹部面、即ち接着面には低融
点ガラス３及び４がそれぞれ塗布される。この時、基体
となる側のセラミック基板２では、半導体チップ５の固
着予定領域を除いた領域に低融点ガラス４が塗布され
る。そして、固着予定領域には、半導体チップ５が熱硬
化性マウント剤９によって固着される。

次に、第２図（ａ）乃至（ｃ）を参照して、上述の第１
の実施例に係わる低融点ガラス封止型半導体装置の製造
方法について説明する。

第２図（ａ）乃至（ｃ）は、上述した実施例に係わる低
融点ガラス封止型半導体装置の製造プロセスを、それぞ
れ工程順に模式的に示す斜視図である。

先ず、第２図（ａ）に示すように、予め反りを持つ形状
を持つ、例えばセラミック基板１及び２を準備する。次
に、セラミック基板１及び２の各々の凹部面に低融点ガ
ラス３及び４を、例えば印刷方式にて塗布する。

尚、ベースとなるセラミック基板２の凹部面への低融点
ガラス４の塗布は、例えば半導体チップ固着予定領域を
除く部分に行なわれる。

次に、リードフレーム（図示せず）を、基板２上の低融
点ガラス４上に載置し、例えば図示せぬ炉に入れ基板２
を加熱し、リードフレームを低融点ガラス４上に溶着す
る。次に、セラミック基板２の凹部面における半導体チ
ップの固着予定領域に対して半導体チップ５（図示せ
ず）を熱硬化性マウント剤（図示せず）によって固着す
る。次に、ワイヤボンディングにより、リードフレーム
と半導体チップとをワイヤ（図示せず）によって電気的
に接続する。

次に、第２図（ｂ）に示すように、接着工程として、セ
ラミック基板１とセラミック基板２とを、これらが持つ
円弧によって空間が生じる向きに対向させ、図示せぬ炉
に入れ加熱する。図示せぬ炉に入れた接着工程当初は、
低融点ガラス３及び４が溶けていないために両基板の各
々の凹部面相互間には空間８が生じている。接着工程の
時間が経つにつれ、図示せぬ炉内の温度が上昇し、これ
とともに熱硬化性マウント剤の温度が上昇する。熱硬化
性マウント剤は、これがある温度になると分解ガスを発
生する。

この時、この発明によれば、発生した分解ガスは空間８
から放出される。これにより、気密封止達成後において
も、装置内部に分解ガスが残留したり、あるいは分解ガ
スが接着部材である低融点ガラス３及び４を突き抜け噴
出すること等が防止される。

第３図は、例えば炉内における加熱時間と、熱硬化性マ
ウント剤の温度、並びにその重量との関係を示す図であ
る。

第３図中の曲線ａは熱硬化性マウント剤の重量の減少率
を示す曲線、曲線ｂは熱硬化性マウント剤の温度を示す
曲線である。

実験に用いられた熱硬化性マウント剤は、半導体装置に
おけるマウント剤として通常用いられるポリイミド系の
ものである（以下、ポリイミド系マンウト剤と称す。） 尚、第３図に示されたグラフの見方は、次の通りであ
る。例えば加熱時間がt3の時、重量の減少率を示す曲線
ａと点ｃでぶつかる。これにより、減少率は約82.5％で
あることが判る。

又、同様に加熱時間がt3の時、温度を示す曲線ｂと点ｄ
でぶつかる。この時、ポリイミド系マンウト剤の温度は
約450℃であることが判る。

同図は、ポリイミド系マンウト剤の重量の減少率が約8
2.5％の時、ポリイミド系マンウト剤の温度は約450℃で
あることも同時に判る仕組となっている。

第３図に示す曲線ａ及び曲線ｂから判明するように、ポ
リイミド系マンウト剤の重量は、ポリイミド系マンウト
剤の温度が大体350℃を越えた辺りから急激に減少す
る。

ポリイミド系マンウト剤の重量が減少するのは、ポリイ
ミド系マンウト剤の温度が上昇するとともに、これを構
成する物質が気化するためである。この気化が行なわれ
ている間に、ポリイミド系マンウト剤は分解ガスを発生
する。同図によると、分解ガスを発生する期間は加熱時
間t1まで続く。加熱時間t1は大体40分前後である。

又、曲線ａ及び曲線ｂに示すように、ポリイミド系マン
ウト剤の重量が激しく減少している期間、ポリイミド系
マンウト剤の温度が大体450℃近辺で略一定となる傾向
が判明する。

即ち、ポリイミド系マンウト剤の分解ガスのピークは、
これの温度が大体450℃近辺になった時である。ピーク
を過ぎると、曲線ａに示すようにポリイミド系マンウト
剤の重量は一定となり、もはや気化が行なわれていない
ものと推測できる。ところで低融点ガラスは、例えば、
約450℃で溶解し始め、低融点ガラスの状態が固相から
液相に変わる。

即ち、上記組成の低融点ガラスである場合、その温度が
大体450℃の時、固相から液相への遷移状態にある。遷
移状態にある低融点ガラスは、ある程度の粘性を持つよ
うになっているが、無理な外力を加えなければ、固相時
の形状を維持しえる状態にある。つまり、第２図（ｂ）
に示した空間８を形成し得る状態にある。

即ち、低融点ガラスが遷移状態となる時点、あるいはそ
れ以前に分解ガスの発生が終了すれば、第２図（ｂ）示
した空間８から、分解ガスが略全て放出される。例えば
第３図に示す分解ガスの発生が終了する加熱時間t1より
後の加熱時間t3において、低融点ガラスの状態が固相か
ら液相に変われば第２図（ｂ）示した空間８より分解ガ
スを略全て放出できる。

次に、第２図（ｃ）に示すように、接着工程の時間が経
ち、低融点ガラス３及び４が液相となることにより流動
性をもつ。そして、例えばキャップとなるセラミック基
板１の重みにより空間８へと低融点ガラス３及び４が流
れ込む。次に、加熱を止め、低融点ガラス３及び４を固
相に戻すことにより接着が完了する。

以上のような工程により、上述の一実施例に係わる低融
点ガラス封止型半導体装置が製造される。

次に、第４図（ａ）乃至第４図（ｄ）を参照して、低融
点ガラス封止型半導体装置の良品及び不良品と、セラミ
ック基板の形状との相関関係について説明する。

第４図（ａ）は、ベースとなるセラミック基板の形状及
びキャップとなるセラミック基板の形状と、良品及び不
良品とを対比させて示す分布図である。

同図の横軸は、キャップとなるセラミック基板１の基板
２との当接面からの最大に離れた位置までの変位量を示
し、縦量は、ベースとなるセラミック基板２の基板１と
の当接面からの最大に離れた位置までの変位量を示す。

これらセラミック基板の形状の見方は、第４図（ｂ）乃
至第４図（ｄ）の断面図に示す。

同図（ｂ）に示すセラミック基板は、この発明に係わる
形状を成す基板形状の一つであり、その当接面からの低
融点ガラスが塗布される凹状面における最大の変位量は
マイナスで表す。

同図（ｃ）に示すセラミック基板は、この発明に係わる
形状を成し得る基板形状の一つであるが、セラミック基
板の凸状面に低融点ガラスが塗布されたものであり、当
接面からの最大の変位量はプラスで表す。

同図（ｄ）に示すセラミック基板は、波型の形状を有し
ており、基板の低融点ガラスが塗布される面の一直線上
に載るそれぞれの点からの最大の変位点までの変位量を
プラスで表す。

同図（ａ）の分布図に示すように、○で表す良品の分布
をみると、基板１及び２が、互いにマイナスの変位を持
つ領域（第３象限）に分布している。そのマイナスの変
位量の分布は、大体20μｍから120μｍ程度の範囲に多
い。又、このマイナスの変位量の上限は、低融点ガラス
封止型パッケージの大きさ、即ち基板１及び基板２の大
きさによって種々変化するが、例えば一例を挙げると、
基板１及び２の大きさが52mm×15mm程度のものであれ
ば、大体120μｍ程度である。

一方、●及び×で示す不良品の分布をみると、基板１及
び基板２が、互いにプラスの変位を持つ領域（第１象
限）、あるいはどちらか一方がプラスの変位を持つ領域
（第２、第４象限）に分布している。

ここで、●で示す不良品は、基本的に第４図（ｃ）に示
すような基板の凸状面どうしの接着、あるいは基板の凸
状面と凹状面との接着の場合であり、×で示す不良品
は、第４図（ｄ）に示すような波型形状の基板どうしの
接着、あるいはベース、キャップのいずれかに波型の基
板が使用され接着された場合を示している。

第４図（ａ）からも判るように、この発明によれば、接
着工程時に熱硬化性マンウト剤から発生する分解ガスの
装置内残留や、分解ガスの噴出がほとんどない。

従って、従来の装置で多発していた分解ガスのパッケー
ジ内残留に起因する低融点ガラス３及び４の部分におけ
る内部巣や、分解ガスが低融点ガラス３及び４を突き抜
け噴出することに起因する外観巣等を抑制できる。そし
て、上述のごとき内部巣や、外観巣の発生が抑制される
ので、良品を高歩留りで製造することが可能である。

第５図は第２の実施例に係わる低融点ガラス封止型半導
体装置を概略的に示した斜視図である。第５図におい
て、第２図（ａ）と同一の部分については同一の参照符
号を付し、異なる部分についてのみ説明する。

同図に示すように、第１の実施例で説明したような空間
を生じさせるためには、その基板形状が、少なくとも基
板１及び２の接着面に円弧を有するものであれば良い。

又、第６図に示すように、基板１及び２の中程の部分を
凹ませ、少なくともこれら基板の接着面に円弧を有する
ようにしても良い。

尚、特に図示はしないが、基板１及び２の双方が、それ
らの接着面にそれぞれ円弧を有するものでなくとも、一
方の基板の少なくとも接着面が上述の空間を形成し得る
ように、例えば円弧を有していても良い。

第７図（ａ）乃至第７図（ｃ）は第３の実施例に係わる
低融点ガラス封止型半導体装置をそれぞれ製造工程順に
示す概略的な斜視図である。第７図（ａ）乃至第７図
（ｃ）において、第２図（ａ）乃至（ｃ）と同一の部分
については同一の参照符号を付し、異なる部分について
のみ説明する。

同図（ａ）に示すように、第１の実施例で説明したよう
な空間を生じさせるため、ベースとなるセラミック基板
２の接着面に溝状の凹部が形成されている。このような
形状のセラミック基板２の接着面上に上記実施例と同様
に、図示せぬ半導体チップを熱硬化性マウント剤によっ
て固着し、キャップとなるセラミック基板１を載置す
る。

次に、同図（ｂ）に示すように、図示せぬ炉に入れて加
熱し、空間８から図せぬ熱硬化性マウント剤より発生す
る分解ガスを散逸させる。

次に、同図（ｃ）に示すように、さらに加熱を続けて低
融点ガラス３及び４を溶かし、例えばセラミック基板１
の重みによって空間８を低融点ガラス３及び４で充填す
る。そして、冷却、固化させることにより、基板１と２
とを互いに接着するとともに、図示せぬ半導体チップを
気密封止する。

これらのような第２、第３の実施例によっても、第１の
実施例と同様な効果が得られることは勿論である。

［発明の効果］ 以上説明したようにこの発明によれば、基体と蓋体とを
接着部材によって接着するタイプの気密封止型半導体装
置において、接着部材の部分において発生する外観巣や
内部巣が抑制され、気密性に関する信頼性の向上、並び
にアセンブリ歩留りの向上が達成され、安価、かつ信頼
性の高い気密封止型半導体装置およびその製造方法を提
供できる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの発明の第１の実施例に係わる低融点ガラス
封止型半導体装置の斜視図、第２図（ａ）乃至第２図
（ｃ）は上記実施例に係わる低融点ガラス封止型半導体
装置の製造プロセスをそれぞれ工程順に模式的に示す斜
視図、第３図は加熱時間と熱硬化性マウント剤の温度並
びにその重量との関係を示す図、第４図（ａ）はベース
となるセラミック基板の形状及びキャップとなるセラミ
ック基板の形状と良品及び不良品とを対比させて示す分
布図、第４図（ｂ）乃至第４図（ｄ）は第４図（ａ）の
分布図のみかたを説明するための基板の断面図、第５図
は第２の実施例に係わる低融点ガラス封止型半導体装置
の概略的な斜視図、第６図は第２の実施例に係わる低融
点ガラス封止型半導体装置の変形例を示す斜視図、第７
図（ａ）乃至第７図（ｃ）は第３の実施例に係わる低融
点ガラス封止型半導体装置をそれぞれ製造工程順に示す
概略的な斜視図、第８図は従来の低融点ガラス封止型半
導体装置の斜視図である。 1,2……セラミック基板、3,4……低融点ガラス、５……
半導体チップ、８……空間、９……熱硬化性マウント
剤。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】接着面を有する基体および蓋体と、 前記基体の接着面及び前記蓋体の接着面の少なくとも一
   方に、熱硬化性の固着部材によって固着されれた半導体
   チップと、 前記半導体チップを囲んで、前記基体の接着面及び前記
   蓋体の接着面に設けられた、前記基体と前記蓋体とを接
   着するための接着部材と を具備し、 前記基体の接着面及び前記蓋体の接着面の少なくとも一
   方に凹部が得られており、前記接着部材どうしを接着す
   る以前で前記基体と前記蓋体とを重ねた時、少なくとも
   前記固着部材を外界に連通させる連通部が、前記凹部に
   よって前記接着面間に生じた間隙により得られているこ
   とを特徴とする気密封止型半導体装置。
2. 【請求項２】前記連通部は、前記基体の接着面及び前記
   蓋体の接着面少なくとも一方を、前記接着面が凹部とな
   る円弧状として得られていることを特徴とする請求項
   （１）記載の気密封止型半導体装置。
3. 【請求項３】前記接着部材は、低融点ガラスであること
   を特徴とする請求項（１）および（２）いずれか一項に
   記載の気密封止型半導体装置。
4. 【請求項４】前記熱硬化性の固着部材は、ポリイミド系
   であることを特徴とする請求項（１）乃至請求項（３）
   いずれか一項に記載の気密封止型半導体装置。
5. 【請求項５】接着面を有する基体および蓋体と、 前記基体の接着面及び前記蓋体の接着面の少なくとも一
   方に、熱硬化性の固着部材によって固着されれた半導体
   チップと、 前記半導体チップを囲んで、前記基体の接着面及び前記
   蓋体の接着面に設けられた、前記基体と前記蓋体とを接
   着するための接着部材と を具備する気密封止型半導体装置の製造方法であって、 前記基体の接着面及び前記蓋体の接着面の少なくとも一
   方に凹部が得ておき、前記基体と前記蓋体とを重ねた
   時、少なくも前記固着部材を外界に連通させる連通部
   を、前記凹部によって前記接着面間に生じた間隙により
   得て、 加熱して、前記連通部を介して前記固着部材から発生す
   る気体を外界へ逃がすとともに、前記接着部材を溶か
   し、 前記接着部材が溶けることで前記連通部が塞がれた後、
   前記接着部材を冷却して前記接着部材を固化させ、前記
   半導体チップを封止することを特徴とする気密封止型半
   導体装置の製造方法。
6. 【請求項６】反りを持った基体及び蓋体を準備する工程
   と、 前記反りを持った基体の凹部側に、半導体チップを固着
   する部分を除いて、第１の接着部材を塗布する工程と、 前記反り持った蓋体の凹部側に、第２の接着部材を塗布
   する工程と、 前記基体の半導体チップを固着する部分に、熱硬化性の
   固着部材により半導体チップを固着する工程と、 前記反りを持った基体の凹部と前記反りを持った蓋体の
   凹部とで空間を生じさせ、この空間により少なくとも前
   記固着部材を外界に連通させて前記基体と前記蓋体とを
   重ねる工程と、 加熱し、前記熱硬化性の固着部材から発生する気体を前
   記空間から逃がすとともに、前記接着剤を溶かす工程
   と、 前記接着部材が溶けることで前記空間が塞がれた後、前
   記接着部材を冷却して前記接着部材を固化させ、前記半
   導体チップを封止する工程と を具備することを特徴とする気密封止型半導体装置の製
   造方法。