JPH0794302A - 銅系端子電極を含む抵抗体 - Google Patents
銅系端子電極を含む抵抗体Info
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- JPH0794302A JPH0794302A JP5234690A JP23469093A JPH0794302A JP H0794302 A JPH0794302 A JP H0794302A JP 5234690 A JP5234690 A JP 5234690A JP 23469093 A JP23469093 A JP 23469093A JP H0794302 A JPH0794302 A JP H0794302A
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Landscapes
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- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 導電性、マッチング性、耐環境性に優れた銅
系端子電極を含む抵抗体を提供する。 【構成】 絶縁基板上に形成された抵抗体において、抵
抗体が下記（Ｉ）で表わされる何れかの成分を含有し、
抵抗体の取り出し銅系導体端子が下記（II）で表わされ
る特性を有することを特徴とする抵抗体。 （Ｉ） Ｂｉ2-cＡc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-eまたは Ｒｕ
Ｏ2 ただし、ＡはＣｏ，Ｙ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂおよび
原子番号５７〜７１の希土類金属の群の中の一種以上、
ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｓｂの中の一種以上、０
≦ｃ≦２、０≦ｄ≦０．５、ただし、ＥがＲｈ，Ｐｔ，
Ｔｉの何れかであるときは０≦ｄ≦１ ０≦ｅ≦１、ただし、Ａが２価のＰｂあるいはＣｄのと
きはｅ＝ｃ／２ （II） ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．００１≦ｘ≦０．
４、原子比）からなる合金であり、端子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、端子表面に向かって銀濃度が増
加する領域を有する。
系端子電極を含む抵抗体を提供する。 【構成】 絶縁基板上に形成された抵抗体において、抵
抗体が下記（Ｉ）で表わされる何れかの成分を含有し、
抵抗体の取り出し銅系導体端子が下記（II）で表わされ
る特性を有することを特徴とする抵抗体。 （Ｉ） Ｂｉ2-cＡc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-eまたは Ｒｕ
Ｏ2 ただし、ＡはＣｏ，Ｙ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂおよび
原子番号５７〜７１の希土類金属の群の中の一種以上、
ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｓｂの中の一種以上、０
≦ｃ≦２、０≦ｄ≦０．５、ただし、ＥがＲｈ，Ｐｔ，
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４、原子比）からなる合金であり、端子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、端子表面に向かって銀濃度が増
加する領域を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】セラミックス基板上に印刷焼成さ
れた銅系導体端子を含む抵抗体に関するものであるが、
ファインライン回路を含むハイブリッド回路基板、通信
用回路基板、自動車用回路基板、低温焼成用外層回路等
の回路基板に用いることができる。
れた銅系導体端子を含む抵抗体に関するものであるが、
ファインライン回路を含むハイブリッド回路基板、通信
用回路基板、自動車用回路基板、低温焼成用外層回路等
の回路基板に用いることができる。
【０００２】
【従来の技術】従来より、セラミックス上に貴金属導体
ペーストを印刷し８００℃前後の温度で焼成し、次に端
子電極間に抵抗体ペーストを印刷し、空気中で５００〜
１０００℃の範囲で焼成して端子電極を含む抵抗体を形
成する方法が用いられてきた。公知の抵抗体としてＲｕ
Ｏ2のルチル型構造、またはルテニウムを基本としたパ
イロクロアー型構造の抵抗体が用いられてきた。また、
端子電極としては、銀、銀−パラジウム、金、白金等の
貴金属のペーストが用いられてきた。端子電極として銅
ペーストを用いた報告もあるが、この場合には先に前記
の抵抗体ペーストを印刷し、５００〜１０００℃の空気
中で焼成後、抵抗体の端子部に端子電極として銅ペース
トを印刷し、窒素雰囲気中で６００℃前後で焼成して形
成する方法である。銅ペーストを用いる場合には、窒素
中での焼成雰囲気で行われてきた。また、焼成温度が銀
−パラジウムのような８００℃前後での高温度での焼成
では先に形成されている抵抗体が還元されてしまうので
６００℃前後の低温焼成で形成されるものであった。
ペーストを印刷し８００℃前後の温度で焼成し、次に端
子電極間に抵抗体ペーストを印刷し、空気中で５００〜
１０００℃の範囲で焼成して端子電極を含む抵抗体を形
成する方法が用いられてきた。公知の抵抗体としてＲｕ
Ｏ2のルチル型構造、またはルテニウムを基本としたパ
イロクロアー型構造の抵抗体が用いられてきた。また、
端子電極としては、銀、銀−パラジウム、金、白金等の
貴金属のペーストが用いられてきた。端子電極として銅
ペーストを用いた報告もあるが、この場合には先に前記
の抵抗体ペーストを印刷し、５００〜１０００℃の空気
中で焼成後、抵抗体の端子部に端子電極として銅ペース
トを印刷し、窒素雰囲気中で６００℃前後で焼成して形
成する方法である。銅ペーストを用いる場合には、窒素
中での焼成雰囲気で行われてきた。また、焼成温度が銀
−パラジウムのような８００℃前後での高温度での焼成
では先に形成されている抵抗体が還元されてしまうので
６００℃前後の低温焼成で形成されるものであった。
【０００３】抵抗体の端子電極から導体回路への接続
は、導体回路が銀、銀−パラジウム、金などの貴金属導
体の場合には、先に導体回路も同時に形成させる方法が
公知である。銅導体回路の場合には、端子電極を含む抵
抗体を形成させた後に形成する方法が公知である。端子
導体、抵抗体ともにスクリーン印刷法でそれぞれの導体
ペースト、抵抗体ペーストをセラミックス基板上に形成
させる方法が一般的であり、厚さの調節導体端子と抵抗
体との重なりある部分の寸法精度が高い印刷技術が必要
とされてきた。
は、導体回路が銀、銀−パラジウム、金などの貴金属導
体の場合には、先に導体回路も同時に形成させる方法が
公知である。銅導体回路の場合には、端子電極を含む抵
抗体を形成させた後に形成する方法が公知である。端子
導体、抵抗体ともにスクリーン印刷法でそれぞれの導体
ペースト、抵抗体ペーストをセラミックス基板上に形成
させる方法が一般的であり、厚さの調節導体端子と抵抗
体との重なりある部分の寸法精度が高い印刷技術が必要
とされてきた。
【０００４】印刷、焼成により作製される抵抗体の抵抗
値は、抵抗体の種類、寸法、厚さに応じて調節し形成す
るものである。例えばシート抵抗１〜１０6Ω／□など
の抵抗値を抵抗体の両端間で形成する場合、同一のスク
リーン印刷条件でアスペクト比（長さ、幅との比）で設
計されるものであるが、実際、焼成時の寸法精度、厚さ
の不均一、抵抗体と端子電極間とのマッチング性などの
不具合で抵抗値、ＴＣＲの不均一が生じ、焼成後にレー
ザートリミング等の手段で抵抗体をカットし、抵抗値の
修正がされてきた。前記抵抗体の端子電極として銀、銀
−パラジウム等の貴金属導体を用いた場合には、抵抗体
と端子電極とのマッチング性は良好であり、且つＴＣ
Ｒ、抵抗値についての設計も実用的に問題なかった。し
かし、導体回路がファインライン化に進む中で端子電極
と隣合う導体回路間での銀のマイグレーションの問題が
生じてきた。また、高周波回路化での導体抵抗の低下の
要求で銅導体を用いる動きが盛んになってきており、抵
抗体の端子導体としても銀−パラジウムなどの抵抗体が
高いものが使用できなくなってきた。
値は、抵抗体の種類、寸法、厚さに応じて調節し形成す
るものである。例えばシート抵抗１〜１０6Ω／□など
の抵抗値を抵抗体の両端間で形成する場合、同一のスク
リーン印刷条件でアスペクト比（長さ、幅との比）で設
計されるものであるが、実際、焼成時の寸法精度、厚さ
の不均一、抵抗体と端子電極間とのマッチング性などの
不具合で抵抗値、ＴＣＲの不均一が生じ、焼成後にレー
ザートリミング等の手段で抵抗体をカットし、抵抗値の
修正がされてきた。前記抵抗体の端子電極として銀、銀
−パラジウム等の貴金属導体を用いた場合には、抵抗体
と端子電極とのマッチング性は良好であり、且つＴＣ
Ｒ、抵抗値についての設計も実用的に問題なかった。し
かし、導体回路がファインライン化に進む中で端子電極
と隣合う導体回路間での銀のマイグレーションの問題が
生じてきた。また、高周波回路化での導体抵抗の低下の
要求で銅導体を用いる動きが盛んになってきており、抵
抗体の端子導体としても銀−パラジウムなどの抵抗体が
高いものが使用できなくなってきた。
【０００５】これに対して、抵抗値が低い銅ペーストを
用いる場合、銅ペーストは本来空気中での焼成ができな
いために窒素中の焼成が必要である。この場合には、先
に抵抗体を印刷し空気中で焼成し、その後、銅ペースト
を窒素中などの不活性あるいは還元性雰囲気中で焼成し
ていた。抵抗体を先に焼成した場合には、後工程の銅導
体焼成温度を低く抑える必要がある。つまり、窒素等の
不活性あるいは還元性雰囲気中で端子電極を焼成する
際、８００℃前後の高い温度であると、先に焼成されて
いる抵抗体が還元されて抵抗値が大幅に変化してしまう
恐れがある。また、端子電極の銅成分が焼成時に抵抗体
のルテニウム化合物により酸化されて、抵抗体と端子電
極との界面に半導体あるいは絶縁性の銅酸化物が生成
し、設定抵抗値が見かけ上大きく変化する問題点があ
る。このため、後工程のレーザートリミング程度のカッ
トでは十分な抵抗設計が困難であった。
用いる場合、銅ペーストは本来空気中での焼成ができな
いために窒素中の焼成が必要である。この場合には、先
に抵抗体を印刷し空気中で焼成し、その後、銅ペースト
を窒素中などの不活性あるいは還元性雰囲気中で焼成し
ていた。抵抗体を先に焼成した場合には、後工程の銅導
体焼成温度を低く抑える必要がある。つまり、窒素等の
不活性あるいは還元性雰囲気中で端子電極を焼成する
際、８００℃前後の高い温度であると、先に焼成されて
いる抵抗体が還元されて抵抗値が大幅に変化してしまう
恐れがある。また、端子電極の銅成分が焼成時に抵抗体
のルテニウム化合物により酸化されて、抵抗体と端子電
極との界面に半導体あるいは絶縁性の銅酸化物が生成
し、設定抵抗値が見かけ上大きく変化する問題点があ
る。このため、後工程のレーザートリミング程度のカッ
トでは十分な抵抗設計が困難であった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はルテニウム系
抵抗について、安価で導電性が良く、ルテニウムとのマ
ッチング性、耐環境性にも優れた端子電極を有する抵抗
体を提供しようとするものである。
抵抗について、安価で導電性が良く、ルテニウムとのマ
ッチング性、耐環境性にも優れた端子電極を有する抵抗
体を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの抵
抗体である。すなわち、抵抗体を含有する導体回路にお
いて、抵抗体が下記（Ｉ）成分を含有し、抵抗体の端子
電極が下記（II）で示される特性を有することを特徴と
する構成の端子電極を含む抵抗体に関するものである。
の本発明の構成は、特許請求の範囲に記載のとおりの抵
抗体である。すなわち、抵抗体を含有する導体回路にお
いて、抵抗体が下記（Ｉ）成分を含有し、抵抗体の端子
電極が下記（II）で示される特性を有することを特徴と
する構成の端子電極を含む抵抗体に関するものである。
【０００８】（Ｉ） Ｂｉ2-cＡc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-e
または ＲｕＯ2 ただし、ＡはＣｏ，Ｙ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂおよび
原子番号５７〜７１の希土類金属の群の中の一種以上、
ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｓｂの中の一種以上、０
≦ｃ≦２、０≦ｄ≦０．５、ただし、ＥがＲｈ，Ｐｔ，
Ｔｉの何れかであるときは０≦ｄ≦１ ０≦ｅ≦１、ただし、Ａが２価のＰｂあるいはＣｄのと
きはｅ＝ｃ／２ （II） ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．００１≦ｘ≦０．
４、原子比）からなる合金であり、端子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、端子表面に向かって銀濃度が増
加する領域を有するもので、これまでにない優れたマッ
チング性、導電性の高い導体端子を含む抵抗体である。
その具体的構造は図１に示すようにセラミックス基板３
の上に形成した抵抗体２が端子電極１を有するものであ
る。
または ＲｕＯ2 ただし、ＡはＣｏ，Ｙ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂおよび
原子番号５７〜７１の希土類金属の群の中の一種以上、
ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｓｂの中の一種以上、０
≦ｃ≦２、０≦ｄ≦０．５、ただし、ＥがＲｈ，Ｐｔ，
Ｔｉの何れかであるときは０≦ｄ≦１ ０≦ｅ≦１、ただし、Ａが２価のＰｂあるいはＣｄのと
きはｅ＝ｃ／２ （II） ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．００１≦ｘ≦０．
４、原子比）からなる合金であり、端子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、端子表面に向かって銀濃度が増
加する領域を有するもので、これまでにない優れたマッ
チング性、導電性の高い導体端子を含む抵抗体である。
その具体的構造は図１に示すようにセラミックス基板３
の上に形成した抵抗体２が端子電極１を有するものであ
る。
【０００９】抵抗体としては、前記に示されるＢｉ2-c
Ａc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-e（ただし、ＡはＹ，Ｔｌ，Ｉ
ｎ，Ｃｄ，Ｐｂ，Ｃｏ及び原子番号５７〜７１の希土類
金属の群の少なくとも１種類以上：ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｒｈ，Ｓｂの少なくとも１種類以上：０≦ｃ≦２．
０≦ｄ≦０．５であり、ＥがＲｈ，Ｐｔ，Ｔｉから選ば
れた１種類以上の場合には０≦ｄ≦１：０≦ｅ≦１でＡ
が２価のＰｂあるいはＣｄの場合には少なくともｃ／２
に等しい数）である。ＡがＹ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂ
及び原子番号５７〜７１の希土類金属の０群の少なくと
も１種類以上であるが、この元素以外であると、銅導体
端子との接合面で銅成分が僅かにでも酸化されると抵抗
体の抵抗値変動が大きくなり好ましくない。好ましくは
Ｐｂ，Ｉｎ，Ｃｄである。
Ａc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-e（ただし、ＡはＹ，Ｔｌ，Ｉ
ｎ，Ｃｄ，Ｐｂ，Ｃｏ及び原子番号５７〜７１の希土類
金属の群の少なくとも１種類以上：ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃ
ｒ，Ｒｈ，Ｓｂの少なくとも１種類以上：０≦ｃ≦２．
０≦ｄ≦０．５であり、ＥがＲｈ，Ｐｔ，Ｔｉから選ば
れた１種類以上の場合には０≦ｄ≦１：０≦ｅ≦１でＡ
が２価のＰｂあるいはＣｄの場合には少なくともｃ／２
に等しい数）である。ＡがＹ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂ
及び原子番号５７〜７１の希土類金属の０群の少なくと
も１種類以上であるが、この元素以外であると、銅導体
端子との接合面で銅成分が僅かにでも酸化されると抵抗
体の抵抗値変動が大きくなり好ましくない。好ましくは
Ｐｂ，Ｉｎ，Ｃｄである。
【００１０】また、式中ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，
Ｓｂの少なくとも１種類以上の元素であるが、ルテニウ
ムのパイロクロアー型抵抗体の一部を前記元素で置換す
ることで抵抗体自身の安定性が良くなることである。つ
まり、銅系導体端子をルテニウム抵抗体で酸化しにくく
なり、抵抗体の安定性が良くなる訳である。
Ｓｂの少なくとも１種類以上の元素であるが、ルテニウ
ムのパイロクロアー型抵抗体の一部を前記元素で置換す
ることで抵抗体自身の安定性が良くなることである。つ
まり、銅系導体端子をルテニウム抵抗体で酸化しにくく
なり、抵抗体の安定性が良くなる訳である。
【００１１】好ましくはＢｉＰｂＲｕ2Ｏ6.5、Ｂｉ0.2
Ｐｂ1.8Ｒｕ2Ｏ6.1、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6、
ＲｕＯ2などである。使用できる抵抗体の抵抗はシート
抵抗で１〜１０6Ω／□のシート抵抗のものである。ま
た、本発明の使用できる抵抗体には、抵抗体を形成時の
焼結性を向上させるためにガラス成分（例えばＳｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＰｂＯ，
ＣｄＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，ＺｎＯ，Ｌｉ2Ｏ，Ｎａ
2Ｏ）、添加剤（例えば、Ｃｏ2ＲｕＯ4，ＭｎＶ2Ｏ6，
ＣａＦ2とその類似物）などの公知物質が添加されてい
ても良い。ガラス成分量は抵抗体成分１００重量部に対
して１〜１０００重量部、添加剤成分は、抵抗体成分量
１００重量部に対して５０重量部までに添加することが
できる。
Ｐｂ1.8Ｒｕ2Ｏ6.1、Ｂｉ2Ｒｕ2Ｏ7、Ｐｂ2Ｒｕ2Ｏ6、
ＲｕＯ2などである。使用できる抵抗体の抵抗はシート
抵抗で１〜１０6Ω／□のシート抵抗のものである。ま
た、本発明の使用できる抵抗体には、抵抗体を形成時の
焼結性を向上させるためにガラス成分（例えばＳｉ
Ｏ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2，Ｂ2Ｏ3，Ａｌ2Ｏ3，ＰｂＯ，
ＣｄＯ，ＢａＯ，ＣａＯ，ＺｎＯ，Ｌｉ2Ｏ，Ｎａ
2Ｏ）、添加剤（例えば、Ｃｏ2ＲｕＯ4，ＭｎＶ2Ｏ6，
ＣａＦ2とその類似物）などの公知物質が添加されてい
ても良い。ガラス成分量は抵抗体成分１００重量部に対
して１〜１０００重量部、添加剤成分は、抵抗体成分量
１００重量部に対して５０重量部までに添加することが
できる。
【００１２】本発明は前記抵抗体に導体表面の銀濃度が
高いことを特徴とする銅系導体端子を提供するものであ
るが、銅系導体端子の表面の銀濃度が高い導体の作製
は、既に本出願人により出願開示されている銅合金粉末
を用いたペーストにより作製されるのが好ましい。この
場合、銅合金粉末の作製は、既に本出願人により出願さ
れている特開平２−２８２４０１号に開示されている方
法が好ましい。開示内容によれば、かかる組成の銀、銅
の融液を高圧の不活性ガスによりアトマイズして得られ
るものであるが、特に窒素ガス、ヘリウムガスを用いる
のが良い。不活性ガス中に含まれる酸素、水の量は１％
以下が好ましく、さらに０．１％以下が好ましい。銅合
金粉末は好ましくは一般式ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．
００１≦ｘ≦０．４、原子比）で表されるものが良く、
ｘが０．００１未満では十分な抵抗体とのマッチング性
が得られず、０．４を超える場合には、銅−銀の合金化
のために抵抗値が増加して好ましくない。好ましくは
０．０１から０．３である。さらに好ましくは０．０２
から０．２５である。
高いことを特徴とする銅系導体端子を提供するものであ
るが、銅系導体端子の表面の銀濃度が高い導体の作製
は、既に本出願人により出願開示されている銅合金粉末
を用いたペーストにより作製されるのが好ましい。この
場合、銅合金粉末の作製は、既に本出願人により出願さ
れている特開平２−２８２４０１号に開示されている方
法が好ましい。開示内容によれば、かかる組成の銀、銅
の融液を高圧の不活性ガスによりアトマイズして得られ
るものであるが、特に窒素ガス、ヘリウムガスを用いる
のが良い。不活性ガス中に含まれる酸素、水の量は１％
以下が好ましく、さらに０．１％以下が好ましい。銅合
金粉末は好ましくは一般式ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．
００１≦ｘ≦０．４、原子比）で表されるものが良く、
ｘが０．００１未満では十分な抵抗体とのマッチング性
が得られず、０．４を超える場合には、銅−銀の合金化
のために抵抗値が増加して好ましくない。好ましくは
０．０１から０．３である。さらに好ましくは０．０２
から０．２５である。
【００１３】さらにかかる組成の銅合金粉末は表面の銀
濃度が平均の銀濃度より高いことが良く、２．３倍より
高いことが好ましい。２．３倍未満では抵抗体とのマッ
チング性が悪く銅粉末が酸化されてしまう。好ましくは
２．３〜３０倍である。粒子形状は球状、鱗片状、及び
それらの混合物が好ましい。銅合金粉末の平均粒子径は
０．２〜３０μｍが好ましく、さらに０．５〜１５μｍ
が好ましい。こうして作製された銅合金粉末に適当なチ
キソ性、粘度を持たせるために有機バインダー、溶剤等
を加え、また必要に応じて、公知の酸化物、添加物、カ
ップリング材を加えてペースト化して用いるのが良い。
濃度が平均の銀濃度より高いことが良く、２．３倍より
高いことが好ましい。２．３倍未満では抵抗体とのマッ
チング性が悪く銅粉末が酸化されてしまう。好ましくは
２．３〜３０倍である。粒子形状は球状、鱗片状、及び
それらの混合物が好ましい。銅合金粉末の平均粒子径は
０．２〜３０μｍが好ましく、さらに０．５〜１５μｍ
が好ましい。こうして作製された銅合金粉末に適当なチ
キソ性、粘度を持たせるために有機バインダー、溶剤等
を加え、また必要に応じて、公知の酸化物、添加物、カ
ップリング材を加えてペースト化して用いるのが良い。
【００１４】端子電極用ペースト作製例 下記表１に示した組成の端子電極用ペーストを作製し
た。
た。
【００１５】
【表１】
【００１６】
【表２】
【００１７】銅合金粉末の表面銀濃度はＸＰＳ（光電子
分光分析装置：ＸＳＡＭ８００）を用いて測定した。測
定条件は以下に示した。試料台上にカーボンの導電性の
両面テープをはりつけ、その上に銅合金粉末をカーボン
テープ上を十分覆うように張付けた。 エッチング条件：１０-7ｔｏｒｒ アルゴン 加速電圧
２ｋｅＶ ５分間 測定条件：１０-8ｔｏｒｒアルゴン マグネシウムＫα
線 電圧１２ｋｅＶ 電流１０ｍＡ 測定、エッチングを５回繰り返し行い、最初の２回の測
定の平均値を表面の銀濃度とした。即ち、表面の銀濃度
Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子比）、表面の銅濃度Ｃｕ／
（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。
分光分析装置：ＸＳＡＭ８００）を用いて測定した。測
定条件は以下に示した。試料台上にカーボンの導電性の
両面テープをはりつけ、その上に銅合金粉末をカーボン
テープ上を十分覆うように張付けた。 エッチング条件：１０-7ｔｏｒｒ アルゴン 加速電圧
２ｋｅＶ ５分間 測定条件：１０-8ｔｏｒｒアルゴン マグネシウムＫα
線 電圧１２ｋｅＶ 電流１０ｍＡ 測定、エッチングを５回繰り返し行い、最初の２回の測
定の平均値を表面の銀濃度とした。即ち、表面の銀濃度
Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子比）、表面の銅濃度Ｃｕ／
（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。
【００１８】平均の銀、銅濃度は銅合金粉末を、濃硝酸
溶液中に溶解後、ＩＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発
光分析計、セイコー電子製、ＪＹ３８Ｐ２）で行った。
上記端子電極用ペーストを抵抗体の端子として使用する
場合には、まず前記抵抗体ペーストをスクリーン印刷等
で印刷し、５００〜１０００℃の範囲で空気中で焼成し
て形成する。この時の抵抗体の厚さは５〜３０μｍの範
囲で焼成されるのが良い。その後、前記導体ペーストを
先に焼成した抵抗体の端子部に直接重ねて印刷し、５０
０〜７００℃温度範囲で窒素中で焼成する。
溶液中に溶解後、ＩＣＰ（高周波誘導結合型プラズマ発
光分析計、セイコー電子製、ＪＹ３８Ｐ２）で行った。
上記端子電極用ペーストを抵抗体の端子として使用する
場合には、まず前記抵抗体ペーストをスクリーン印刷等
で印刷し、５００〜１０００℃の範囲で空気中で焼成し
て形成する。この時の抵抗体の厚さは５〜３０μｍの範
囲で焼成されるのが良い。その後、前記導体ペーストを
先に焼成した抵抗体の端子部に直接重ねて印刷し、５０
０〜７００℃温度範囲で窒素中で焼成する。
【００１９】本発明の銅系端子電極を含む抵抗体は抵抗
体と銅系導体端子が重なって接触する部分を有し、その
重なる部分の面積が少なくとも０．０１ｍｍ有すること
を特徴とする。好ましくは０．０５ｍｍ2である。さら
に好ましくは、０．２０ｍｍ2である。この時ペースト
中の有機物を完全に焼き飛ばすために酸素を微量に窒素
中にドープして行うのが良い。酸素ドープにより、先に
焼成済みの抵抗体の還元を防止することができるため積
極的に酸素ドープするのが良い。ドープ量としては１０
００ｐｐｍ以下の酸素ドープ量が好ましく、１０〜１０
００ｐｐｍ程度が好ましい。さらに２０〜７００ｐｐｍ
がより好ましい。焼成時間としては２０〜６０分間の焼
成時間で構わない。端子電極の厚さは５〜３０μｍが好
ましく、さらに８〜２０μｍが好ましい。
体と銅系導体端子が重なって接触する部分を有し、その
重なる部分の面積が少なくとも０．０１ｍｍ有すること
を特徴とする。好ましくは０．０５ｍｍ2である。さら
に好ましくは、０．２０ｍｍ2である。この時ペースト
中の有機物を完全に焼き飛ばすために酸素を微量に窒素
中にドープして行うのが良い。酸素ドープにより、先に
焼成済みの抵抗体の還元を防止することができるため積
極的に酸素ドープするのが良い。ドープ量としては１０
００ｐｐｍ以下の酸素ドープ量が好ましく、１０〜１０
００ｐｐｍ程度が好ましい。さらに２０〜７００ｐｐｍ
がより好ましい。焼成時間としては２０〜６０分間の焼
成時間で構わない。端子電極の厚さは５〜３０μｍが好
ましく、さらに８〜２０μｍが好ましい。
【００２０】こうして得られた焼成後の端子電極は、電
極表面の銀濃度が端子電極平均の銀濃度より高く、端子
電極の表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する。
そのため、端子電極と抵抗体との接合面での銅成分の抵
抗体による酸化が防止でき、また抵抗体の端子電極とし
ての耐マイグレーション性に優れる利点を有する。端子
電極の表面の銀濃度は平均の銀濃度より高いが、平均の
銀濃度の２倍以上が好ましく、さらに２．５倍以上が好
ましい。端子電極の表面の銀濃度は、銅合金粉末と同様
に、ＸＰＳ（光電子分光分析装置：ＸＳＡＭ８００）を
用いて測定した。測定条件は以下に示した。
極表面の銀濃度が端子電極平均の銀濃度より高く、端子
電極の表面に向かって銀濃度が増加する領域を有する。
そのため、端子電極と抵抗体との接合面での銅成分の抵
抗体による酸化が防止でき、また抵抗体の端子電極とし
ての耐マイグレーション性に優れる利点を有する。端子
電極の表面の銀濃度は平均の銀濃度より高いが、平均の
銀濃度の２倍以上が好ましく、さらに２．５倍以上が好
ましい。端子電極の表面の銀濃度は、銅合金粉末と同様
に、ＸＰＳ（光電子分光分析装置：ＸＳＡＭ８００）を
用いて測定した。測定条件は以下に示した。
【００２１】 エッチング条件：１０-7ｔｏｒｒ アルゴン 加速電圧
２ｋｅＶ ５分間 測定条件：１０-8ｔｏｒｒアルゴン マグネシウムＫα
線 電圧１２ｋｅＶ 電流１０ｍＡ 測定、エッチングを５回繰り返し行い、最初の２回の測
定の平均値を表面の銀濃度とした。即ち、表面の銀濃度
Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子比）、表面の銅濃度Ｃｕ／
（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。平均の銀、銅濃度は端子電極を
一部カットし、濃硝酸溶液中に溶解後、ＩＣＰ（高周波
誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー電子製、ＪＹ
３８Ｐ２）で行った。
２ｋｅＶ ５分間 測定条件：１０-8ｔｏｒｒアルゴン マグネシウムＫα
線 電圧１２ｋｅＶ 電流１０ｍＡ 測定、エッチングを５回繰り返し行い、最初の２回の測
定の平均値を表面の銀濃度とした。即ち、表面の銀濃度
Ａｇ／（Ａｇ＋Ｃｕ）（原子比）、表面の銅濃度Ｃｕ／
（Ａｇ＋Ｃｕ）とした。平均の銀、銅濃度は端子電極を
一部カットし、濃硝酸溶液中に溶解後、ＩＣＰ（高周波
誘導結合型プラズマ発光分析計、セイコー電子製、ＪＹ
３８Ｐ２）で行った。
【００２２】本発明の端子電極を含む抵抗体の上にさら
に、ガラスの絶縁ペーストをコートして用いることもで
きる。ガラス成分としては、公知の中のものが使用でき
るが、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−ＺｎＯ，ＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2，ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3などのガラスフリット
からなるペーストを５００〜６５０℃程度の温度で窒素
中で焼成して用いることもできる。ガラスコートの場合
も端子電極とオーバーコートされたガラスとの接合部で
の端子電極の銅成分の酸化が少なく、このためにガラス
の変色等が起こらないなどの利点がある。
に、ガラスの絶縁ペーストをコートして用いることもで
きる。ガラス成分としては、公知の中のものが使用でき
るが、例えば、ＰｂＯ−ＳｉＯ2−ＺｎＯ，ＰｂＯ−Ｓ
ｉＯ2，ＰｂＯ−ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3などのガラスフリット
からなるペーストを５００〜６５０℃程度の温度で窒素
中で焼成して用いることもできる。ガラスコートの場合
も端子電極とオーバーコートされたガラスとの接合部で
の端子電極の銅成分の酸化が少なく、このためにガラス
の変色等が起こらないなどの利点がある。
【００２３】本発明の端子電極を含む抵抗体の特性は、
以下の方法で測定した。抵抗体ペーストを８００〜９０
０℃の範囲で１時間かけて連続焼成炉中で焼成した。抵
抗体のサイズは１×２ｍｍ厚さ１０μｍ、さらに本発明
で使用する端子電極を抵抗体の両側に各０．５ｍｍ重な
るように形成させた。こうして得られた端子電極を含む
抵抗体のサイズは１×１ｍｍである。抵抗体の抵抗値の
測定は、マルチメーター（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡ
ＲＤ３４５７Ａ型 ２ＷＩＲＥ）で２端子法で測定し
た。ＴＣＲの測定は小型超低温恒湿器（タバイエスペッ
ク製ＭＣ−７１０型）中で−５５〜２５℃、熱風乾燥器
（タバイエスペック製ＬＣ−１１２型）中で２５〜１２
５℃の範囲で測定した。＜±３２０ｐｐｍ／℃未満を良
好であるとした。
以下の方法で測定した。抵抗体ペーストを８００〜９０
０℃の範囲で１時間かけて連続焼成炉中で焼成した。抵
抗体のサイズは１×２ｍｍ厚さ１０μｍ、さらに本発明
で使用する端子電極を抵抗体の両側に各０．５ｍｍ重な
るように形成させた。こうして得られた端子電極を含む
抵抗体のサイズは１×１ｍｍである。抵抗体の抵抗値の
測定は、マルチメーター（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡ
ＲＤ３４５７Ａ型 ２ＷＩＲＥ）で２端子法で測定し
た。ＴＣＲの測定は小型超低温恒湿器（タバイエスペッ
ク製ＭＣ−７１０型）中で−５５〜２５℃、熱風乾燥器
（タバイエスペック製ＬＣ−１１２型）中で２５〜１２
５℃の範囲で測定した。＜±３２０ｐｐｍ／℃未満を良
好であるとした。
【００２４】環境試験の測定は１５０℃，１０００時間
空気中エージング（タバイ製ＬＣ１１２型）、−５５〜
１５０℃，各３０分、１０００サイクル（タバイ製ＴＳ
Ｖ−４０ｓｔ型）試験後の抵抗値変化を測定した。初期
と環境試験後の抵抗値の変化率が±３０％以内を良好で
あるとした。銀のマイグレーション試験は、抵抗体に平
行に同じ端子電極を１ｍｍギャップで作製し、そのギャ
ップ間の両端子電極に０．２ｍｌの純水を滴下し、５０
Ｖ（直流電圧）印加してリーク電流を測定した。１００
秒後にリーク電流が３００ｍＡ以下を耐マイグレーショ
ン性が良好であるとした。端子電極と抵抗体との重なり
部分の測定は、光学顕微鏡で測定した。
空気中エージング（タバイ製ＬＣ１１２型）、−５５〜
１５０℃，各３０分、１０００サイクル（タバイ製ＴＳ
Ｖ−４０ｓｔ型）試験後の抵抗値変化を測定した。初期
と環境試験後の抵抗値の変化率が±３０％以内を良好で
あるとした。銀のマイグレーション試験は、抵抗体に平
行に同じ端子電極を１ｍｍギャップで作製し、そのギャ
ップ間の両端子電極に０．２ｍｌの純水を滴下し、５０
Ｖ（直流電圧）印加してリーク電流を測定した。１００
秒後にリーク電流が３００ｍＡ以下を耐マイグレーショ
ン性が良好であるとした。端子電極と抵抗体との重なり
部分の測定は、光学顕微鏡で測定した。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例及び比較例を表３及び
表４により具体的に示す。
表４により具体的に示す。
【００２６】
【表３】
【００２７】
【表４】
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は端子電極
が銅合金からなるルテニウム系抵抗に関するものであ
る。従来の銀−パラジウムなどの高価で抵抗値が高い材
料の替わりに、安価で導電性が良く、ルテニウムとのマ
ッチング性にも優れ、耐環境性にも優れる端子電極を含
む抵抗体であり、高周波回路、ファインライン回路での
抵抗体として利用できる。
が銅合金からなるルテニウム系抵抗に関するものであ
る。従来の銀−パラジウムなどの高価で抵抗値が高い材
料の替わりに、安価で導電性が良く、ルテニウムとのマ
ッチング性にも優れ、耐環境性にも優れる端子電極を含
む抵抗体であり、高周波回路、ファインライン回路での
抵抗体として利用できる。
【図１】本発明の端子電極を含む抵抗体の模式図。
１ 端子電極 ２ 抵抗体 ３ セラミックス基板
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁基板上に形成された抵抗体におい
て、抵抗体が下記（Ｉ）で表わされる何れかの成分を含
有し、抵抗体の取り出し銅系導体端子が下記（II）で表
わされる特性を有することを特徴とする抵抗体。 （Ｉ） Ｂｉ2-cＡc（Ｒｕ2-dＥd）Ｏ7-eまたは Ｒｕ
Ｏ2 ただし、 ＡはＣｏ，Ｙ，Ｔｌ，Ｉｎ，Ｃｄ，Ｐｂおよび原子番号
５７〜７１の希土類金属の群の中の一種以上、 ＥはＰｔ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｒｈ，Ｓｂの中の一種以上、 ０≦ｃ≦２、 ０≦ｄ≦０．５、ただし、 ＥがＲｈ，Ｐｔ，Ｔｉの何れかであるときは０≦ｄ≦１ ０≦ｅ≦１、ただし、 Ａが２価のＰｂあるいはＣｄのときはｅ＝ｃ／２ （II） ＡｇxＣｕ1-x（ただし、０．００１≦ｘ≦０．
４、原子比）からなる合金であり、端子表面の銀濃度が
平均の銀濃度より高く、端子表面に向かって銀濃度が増
加する領域を有する。 - 【請求項２】 抵抗体あるいは銅系導体端子の厚さが５
〜５０μｍであることを特徴とする請求項１記載の抵抗
体。 - 【請求項３】 抵抗体と銅系導体端子が重なって接触す
る部分を有し、その重なる部分の面積が少なくとも０．
０１ｍｍ2有することを特徴とする請求項１または２記
載の抵抗体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234690A JPH0794302A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 銅系端子電極を含む抵抗体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5234690A JPH0794302A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 銅系端子電極を含む抵抗体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794302A true JPH0794302A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16974903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5234690A Withdrawn JPH0794302A (ja) | 1993-09-21 | 1993-09-21 | 銅系端子電極を含む抵抗体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794302A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111587463A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-08-25 | 桑胜伟 | 一种热敏电阻铜电极复合层的制备方法 |
-
1993
- 1993-09-21 JP JP5234690A patent/JPH0794302A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111587463A (zh) * | 2017-12-01 | 2020-08-25 | 桑胜伟 | 一种热敏电阻铜电极复合层的制备方法 |
| CN111587463B (zh) * | 2017-12-01 | 2021-07-23 | 江苏经纬知识产权运营有限公司 | 一种热敏电阻铜电极复合层的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
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