JPH0794482A - ドライエッチング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 マイクロ波による高周波電界と励磁コイルに
より形成される磁界とを作用させてプラズマ生成室１１
でプラズマを発生させると共に、プラズマを磁界により
プラズマ生成室１１を連通している試料室１３に導き、
試料室１３内に配置された試料Ｓの金属膜上に形成され
たシリコン酸化膜にエッチング処理を施すドライエッチ
ング方法において、反応ガスとしてフルオロカーボン系
ガスを用い、かつ試料Ｓに照射されるイオンのエネルギ
ーを２００ｅＶから４００ｅＶまでの範囲に制御するド
ライエッチング方法。 【効果】 試料Ｓの金属膜上に形成されたシリコン酸化
膜にビアホール等を形成する場合において、シリコン酸
化膜のエッチング速度を大きな値に維持することができ
ながら、しかも金属膜に対するエッチング選択比が良好
なエッチングを行うことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング方法に
関し、より詳細には真空容器内にガスを導入してプラズ
マを発生させ、試料の金属膜上に形成されたシリコン酸
化膜をエッチングするドライエッチング方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年の高集積半導体素子などの製造工程
においては、素子の微細化に伴い、多層配線基板のビア
ホールにおいても、微細で高アスペクト比のホールを形
成することが要求されてきており、試料の金属膜上に形
成されたシリコン酸化膜を高精度にエッチングする技術
が必要とされている。

【０００３】微細なエッチングが可能なエッチング方法
としては、対象物と反応して揮発性あるいは蒸気圧の高
い物質を生成するような反応ガスを供給し、プラズマ放
電励起によって活性化させ、反応を促進させてエッチン
グを行うドライエッチング方法が広く用いられている。

【０００４】従来のドライエッチング方法においては、
平行平板型の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Reacti
ve Ion Etching）装置や、磁場を用いたマグネトロンＲ
ＩＥ装置などが使用されている。また、減圧又は低ガス
圧下にある真空容器内に、マイクロ波を導入することに
よりガス放電を起こさせてプラズマを発生させ、該プラ
ズマを試料表面に照射することにより、前記シリコン酸
化膜をエッチング処理する装置は、高集積半導体素子等
の製造に欠かせないものとして、盛んに研究開発が進め
られている。特に、有磁場マイクロ波プラズマ装置や電
子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron R
esonance）励起によりプラズマを発生させる装置は、低
ガス圧力領域で活性度の高いプラズマを発生させること
のできる利点を有しており、将来的にも有望視されてい
る。

【０００５】上記した各種装置を用い、試料の金属膜上
に形成されたシリコン酸化膜にプラズマエッチング処理
を施す場合には、該シリコン酸化膜のエッチング速度が
大きく、しかもレジストのエッチング速度に対する前記
シリコン酸化膜のエッチング速度の比（以下、レジスト
に対するエッチング選択比と記す）が大きい反応ガスを
用いることが望ましい。

【０００６】また、エッチングの際の反応ガスとして、
ＣＦ₄ ガス、Ｃ₂ Ｆ₆ ガス、Ｃ₃ Ｆ₈ ガス、Ｃ₄ Ｆ₈ ガ
ス、Ｃ₅ Ｆ₁₀ガス等のフルオロカーボン系ガスを用いる
と、プラズマ中で反応ガスが解離し、この解離したカー
ボン系ラジカル種が試料表面に重合膜として堆積する。
この堆積した重合膜は、シリコン酸化膜のエッチング速
度の低下以上にレジストのエッチング速度を低下させる
ため、エッチング選択比が大きくなる。例えばＣ₄ Ｆ₈
ガスを用いてエッチング処理を行なった場合、重合膜堆
積速度が増加するに伴って、レジストに対するエッチン
グ選択比も増加することが報告されている（１９９２年
秋期第５３回応用物理学会学術講演会予稿集、１７ａ−
ＳＫ−５、１９９２年９月１６日発行）。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、反応ガ
スとしてフルオロカーボン系ガスを用い、例えば金属膜
上に形成されたシリコン酸化膜をエッチングしてビアホ
ールを形成する際に、平行平板型のＲＩＥ装置を使用し
た場合、図６に示したようにエッチング後のホール側壁
２５には重合膜３４が形成され、この重合膜３４中には
オーバーエッチング時にイオンによりスパッタされた金
属膜２１の再付着物が含まれる。この再付着物は通常の
レジスト２３に対するアッシングでは完全に除去できな
いため、アッシング後のホール２５側壁には図７に示し
たような残留膜３４ａが形成されるという課題があっ
た。この残留膜を除去するためには、化学溶液処理等の
ウエット処理を行う必要があり（月刊Semiconductor Wo
rld １９９３年８月号ｐ．７６〜７９）、工程数が増加
し、製造コストが高くなるという課題があった。

【０００８】また、マグネトロンＲＩＥ装置において、
試料を冷却してエッチングを行うことにより、金属膜の
再付着を減少させた事例がある。これは試料を冷却する
ことにより金属膜のスパッタ率を減少させたためであ
り、エッチング後のホール２５側壁に形成された重合膜
４４中には金属膜２１の再付着物が含まれていない（図
８）。このため、図９に示したようにアッシング後のホ
ール２５側壁には残留膜が生じず、ホール２５側壁表面
は滑らかになる（Proc. of 12th Symp. on Dry Proces
s, Tokyo 1990 p.105）。しかしながら、前記試料の冷
却によりテーパ角を有するホール２５が形成され、ホー
ル２５側壁のテーパ角が約７０〜８０度と小さいため、
微細で高アスペクト比のビアホールを形成することは困
難であるという課題があった。

【０００９】本発明はこのような課題に鑑み発明された
ものであって、金属膜上に形成されたシリコン酸化膜に
ビアホール等を形成する場合において、シリコン酸化膜
のエッチング速度を大きな値で維持することができなが
ら、しかも金属膜に対するエッチング選択比を大きな値
で維持することができ、またレジストのアッシング後に
おけるホール内部への残留膜の形成を防止することがで
き、さらにホール側壁の形状を略垂直形状にすることが
できるドライエッチング方法を提供することを目的とし
ている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決すべく、導入した反応ガスにマイクロ波による高周
波電界と励磁コイルにより形成される磁界とを作用させ
てプラズマを発生させることにより指向性の高いプラズ
マを発生させた場合、ホール側壁への重合膜の形成はほ
とんどなく、また前記ホール底部に重合膜が形成されや
すいことに着目した。特に、このホール底部の前記重合
膜によって金属膜をスパッタから保護することを考えた
のである。しかし、試料表面に照射されるイオンのエネ
ルギーが小さ過ぎると、イオンの指向性が低下し、前記
ホール底部への前記重合膜の形成が増加し、シリコン酸
化膜のエッチング速度自体が急速に低下する。あるいは
逆にイオンのエネルギーが大き過ぎると、前記重合膜の
形成速度以上に金属膜のスパッタ速度が大きくなるた
め、該金属膜がスパッタされ、前記シリコン酸化膜のエ
ッチング速度が増加するにもかかわらず、前記金属膜に
対するエッチング選択比が減少する。すなわち、本発明
者はさらに最適なイオンのエネルギー範囲があることを
発見したのである。

【００１１】すなわち、上記目的を達成するために本発
明に係るドライエッチング方法は、導入した反応ガスに
マイクロ波による高周波電界と励磁コイルにより形成さ
れる磁界とを作用させてプラズマ生成室内でプラズマを
発生させると共に、該プラズマを前記磁界により前記プ
ラズマ生成室と連通している試料室に導き、該試料室内
に配置された試料の金属膜上に形成されたシリコン酸化
膜にエッチング処理を施すドライエッチング方法におい
て、前記反応ガスとしてフルオロカーボン系ガスを用
い、かつ前記試料に照射されるイオンのエネルギーを２
００ｅＶから４００ｅＶまでの範囲に制御することを特
徴としている。

【００１２】

【作用】導入した反応ガスにマイクロ波による高周波電
界と励磁コイルにより形成される磁界とを作用させてプ
ラズマを発生させる、特に電子サイクロトロン共鳴を利
用してプラズマを発生させる場合には、１０^-4〜１０^-2
Ｔｏｒｒの低ガス圧力領域において指向性の良いプラズ
マを発生させることが可能であり、ホール側壁への重合
膜の形成はほとんどなく前記ホール底部に重合膜が形成
されやすい。

【００１３】また、反応ガスとしてフルオロカーボン系
ガスを用いた場合、プラズマ中で反応ガスが解離し、こ
の解離したフルオロカーボン系ラジカル種が試料表面上
に重合膜として堆積する。この重合膜は前記シリコン酸
化膜上では前記重合膜中のＦ、Ｃが前記シリコン酸化膜
中のＳｉ、Ｏと各々反応し、ＳｉＦｘ（ｘ＝１〜４）や
ＣＯｘ（ｘ＝１〜２）等の反応生成物を形成して真空中
へと脱離する。すなわち前記シリコン酸化膜のエッチン
グは進行する。これに対し、膜中に酸素を含まない金属
膜上では、重合膜は反応せずに堆積するのみである。

【００１４】したがって、反応ガスとしてフルオロカー
ボン系ガスを用い、マイクロ波による高周波電界と励磁
コイルにより形成される磁界とを作用させてプラズマを
発生させる、特に電子サイクロトロン共鳴を利用してプ
ラズマを発生させる場合には、まずホール側壁への前記
重合膜の形成がほとんどないため、微細で高アスペクト
比の前記ホールに対してもエッチング形状すなわち前記
ホール内テーパ角を垂直に近づけやすくなり、また前記
ホール底部に前記重合膜が形成されやすいため、この重
合膜は下地がシリコン酸化膜である間はエッチッングが
進行するが、下地が金属膜となった場合は、該金属膜表
面上に堆積したままとなり、該金属膜をスパッタから保
護することが可能となる。

【００１５】さらに、イオンのエネルギーが２００ｅＶ
以上である場合は、前記ホール底部への前記重合膜の過
度の堆積による前記シリコン酸化膜自体のエッチング速
度の低下を防ぎ、またイオンのエネルギーが４００ｅＶ
以下である場合は、前記ホール底部の前記重合膜の形成
速度以上に前記ホール底部のスパッタ速度が大きくな
り、前記金属膜がスパッタされ、前記シリコン酸化膜の
エッチング速度が増加するにもかかわらず、前記金属膜
に対するエッチング選択比が減少することを防ぐことが
可能となる。

【００１６】したがって、上記した構成のドライエッチ
ング方法によれば、金属膜上に形成されたシリコン酸化
膜にビアホール等を形成する場合において、前記シリコ
ン酸化膜のエッチング速度が大きな値に維持されなが
ら、しかも前記金属膜に対するエッチング選択比が良好
なエッチングが行われ、また前記金属膜に対するイオン
によるスパッタが緩和され、レジストのアッシング後に
おける前記ホール内部への残留膜の形成が防止され、該
残留膜除去のためのウエット処理工程を省略することが
可能となり、さらに前記ホール側壁の形状を略垂直形状
にすることが可能となる。

【００１７】また、マイクロ波による高周波電界と励磁
コイルにより形成される磁界とを作用させてプラズマを
発生させるので、試料台に電極を埋設して高周波を印加
する手段等により容易にイオンのエネルギーを制御する
ことが可能となる。すなわち、前記試料台に埋設された
前記電極に印加する高周波電力を変化させることによっ
て試料表面に照射されるイオンのエネルギーを独立して
制御することが可能である。ちなみにイオンの最大加速
電圧Ｖmax は、Ｖmax ＝｜Ｖｄｃ｜＋Ｖｐｐ／２の式で
定義される。ここで、Ｖｄｃは高周波を印加することに
よって発生する自己バイアス電圧であって負の値を持
ち、Ｖｐｐは高周波電源から供給される正弦波電圧の振
幅の２倍の電圧である。

【００１８】さらにフルオロカーボン系ガスにＯ₂ ガス
が含まれている場合は、ホール側壁の形状をより一層垂
直形状に近づけることが可能となる。

【００１９】

【実施例】以下、本発明に係るドライエッチング方法の
実施例を図面に基づいて説明する。実施例に係るドライ
エッチング方法に用いた装置は、電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）励起を利用するプラズマ処理装置であり、
図１中１１はプラズマ生成室を示している。プラズマ生
成室１１の周壁は２重構造に構成されており、その内部
には冷却水の流通室１１ａが形成され、また上部壁中央
の石英ガラス板１１ｂにより封止されたマイクロ波導入
口１１ｃが形成され、さらに下部壁中央にはマイクロ波
導入口１１ｃと対向する位置にはプラズマ引き出し窓１
１ｄが形成されている。マイクロ波導入口１１ｃには他
端がマイクロ波発振器（図示せず）に接続された導波管
１２の一端が接続され、またプラズマ引き出し窓１１ｄ
に臨ませて試料室１３が配設されている。さらにプラズ
マ生成室１１及びこれに接続された導波管１２の一端部
にわたってこれらを囲繞する態様でこれらと同心状に励
磁コイル１４が配設されている。

【００２０】一方試料室１３内にはプラズマ引き出し窓
１１ｄと対向する位置に試料Ｓを載置するための試料台
１７が配設されている。この試料台１７には電極１５が
埋設され、電極１５には高周波電源であるＲＦ電源１６
が接続されており、このＲＦ電源１６の印加電圧は調節
できるようになっている。また試料室１３の下部壁に
は、図示しない排気装置に接続される排気口１３ａが形
成されている。

【００２１】また図中１１ｇはプラズマ生成室１１に連
なる反応ガス供給系を示しており、１３ｇは試料室１３
に連なる反応ガス供給系を示しており、１１ｈ、１１ｉ
は冷却水の供給系、排出系を示している。

【００２２】このように構成されたエッチング装置を用
いて試料Ｓ表面をエッチングする場合、プラズマ生成室
１１及び試料室１３内を所定の真空度に設定した後、プ
ラズマ生成室１１内に反応ガス供給系１１ｇ又は反応ガ
ス供給系１３ｇを通じて所要のガス圧力が得られるよう
にガスを供給し、励磁コイル１４により電子サイクロト
ロン共鳴励起に必要な磁界を形成しつつマイクロ波導入
口１１ｃを通じてプラズマ生成室１１内にマイクロ波を
導入し、プラズマ生成室１１を空洞共振器としてガスを
共鳴励起させ、プラズマを生成させる。生成したプラズ
マは励磁コイル１４により形成される試料室１３側に向
かうに従い磁束密度が低下する発散磁界によって試料室
１３内の試料Ｓ及び試料Ｓ周辺に投射される。このとき
同時に、ＲＦ電源１６から電極１５に印加する高周波電
圧を調節し、試料Ｓ表面に照射されるイオンのエネルギ
ー及び運動方向を制御して試料Ｓ表面をエッチングす
る。

【００２３】上記した構成のプラズマ処理装置を用い、
試料Ｓとして、ＡｌまたはＴｉからなる金属膜上にシリ
コン酸化膜が形成され、該シリコン酸化膜上にレジスト
パターンが形成された直径が６インチのシリコンウエハ
を用い、この試料Ｓを試料台１７にセットした。次に、
反応ガスとしてＣ₄ Ｆ₈ ガスを用い、Ｃ₄ Ｆ₈ ガスの流
量を２５ｓｃｃｍ、ガス圧力を１ｍＴｏｒｒにそれぞれ
設定してガス供給系１１ｇからプラズマ生成室１１内に
導入した。また電極１５に印加するＲＦ電源１６からの
高周波電圧を変化させ、試料Ｓに照射されるイオンのエ
ネルギーを種々に変えて前記シリコン酸化膜のエッチン
グを行った。エッチング処理の後、前記シリコン酸化膜
のエッチング速度及び前記Ａｌ膜及び前記Ｔｉ膜に対す
るエッチング選択比を測定した。

【００２４】上記エッチング処理において、ＲＦ電源１
６として４００ＫＨｚの高周波電源を使用し、マイクロ
波の周波数を２．４５ＧＨｚに、前記マイクロ波の供給
電力を１５００Ｗにそれぞれ設定した。また照射イオン
エネルギー（Ｖmax ）の値は、上記エッチング処理前に
同一の条件下でプラズマを発生させ、自己バイアス電圧
（Ｖｄｃ）及びＲＦ電源から供給される正弦波電圧の２
倍（Ｖｐｐ）を測定し、Ｖmax ＝｜Ｖｄｃ｜＋Ｖｐｐ／
２の式により求めておいた。さらに前記シリコン酸化
膜、前記Ａｌ膜及び前記Ｔｉ膜のエッチング速度は走査
型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による測定から求めた。その結
果を図２に示す。

【００２５】図２に示したように、試料Ｓへの照射イオ
ンエネルギーの値が２００ｅＶ未満の領域では、Ａｌ膜
及びＴｉ膜に対するエッチング選択比は大きな値を示す
ものの、シリコン酸化膜のエッチング速度が約３５０ｎ
ｍ／ｍｉｎから急速に減少している。一方、照射イオン
エネルギーの値が２００ｅＶから４００ｅＶまでの範囲
の領域では、シリコン酸化膜のエッチング速度は約３５
０ｎｍ／ｍｉｎとなり、かつエッチング選択比もＡｌ膜
に対して約４０以上、Ｔｉ膜に対して約５０以上の値が
得られている。しかし照射イオンエネルギーの値が４０
０ｅＶを超える領域では、シリコン酸化膜のエッチング
速度は４００ｎｍ／ｍｉｎ以上に増加するものの、エッ
チング選択比がＡｌ膜に対して約４０以下、Ｔｉ膜に対
して約５０以下にそれぞれ減少している。この結果から
明らかなように、照射イオンエネルギーの値を２００ｅ
Ｖから４００ｅＶまでの範囲に制御することにより、シ
リコン酸化膜のエッチング速度を大きく、しかもＡｌ膜
及びＴｉ膜に対するエッチング選択比を高く維持するこ
とができる。

【００２６】図３は上記エッチング処理において、照射
イオンエネルギーの値を３００ｅＶに制御した場合の、
シリコン酸化膜２２のエッチング処理後であって、レジ
スト２３のプラズマアッシング前におけるホール２５の
状態を示した模式的断面図である。また、図４はアッシ
ング後におけるホール２５の状態を示した模式的断面図
である。この場合の下地金属膜２１はＡｌ膜である。

【００２７】図３及び図４から明らかなように、シリコ
ン酸化膜２２のエッチング後のホール２５側壁のテーパ
角θは約８５度以上になっており、ホール２５側壁の形
状を略垂直形状にすることができた。また、レジスト２
３のプラズマアッシング前のホール２５底部には重合膜
２４が形成されているが、ホール２５側壁には重合膜２
４がほとんど形成されておらず、アッシング後にはホー
ル２５底部の重合膜２４は完全に除去されている。この
ように照射イオンエネルギーの値を３００ｅＶに制御す
ることにより、シリコン酸化膜２２のエッチング中にホ
ール２５底部に重合膜２４を堆積させることができ、金
属膜２１のスパッタを低減し、スパッタされた金属がホ
ール２５側壁等に再付着するのを防止してアッシング後
のホール２５内部に残留膜が形成されないようにするこ
とができる。従って、該残留膜除去のためのウエット処
理工程を省略して製造コストを削減することができる。

【００２８】さらに、前記高周波電界と前記磁界とを作
用させるため、１０^-4〜１０^-2Ｔｏｒｒの低ガス圧力領
域で活性度の高いプラズマが生成され、異方性に優れた
エッチングを行うことができ、このためホール２５側壁
に重合膜が形成されず、エッチング後のホール２５側壁
の形状を略垂直形状にすることができ、微細で高アスペ
クト比の前記ビアホールを形成することができる。

【００２９】なお、本実施例では反応ガスとしてＣ₄ Ｆ
₈ ガスを用いた場合を例とって説明したが、その他ＣＦ
₄ ガス、Ｃ₂ Ｆ₆ ガス、Ｃ₃ Ｆ₈ ガス及びＣ₅ Ｆ₁₀ガス
等のフルオロカーボンガスを単独で用いても本実施例に
おける効果と同様の効果を得ることができる。

【００３０】また、別の実施例に係るドライエッチング
方法では、反応ガスとしてＣ₄ Ｆ₈ガスとＯ₂ ガスとの
混合比が２：１である混合ガスを用い、ガス流量をＣ₄
Ｆ₈ガスが２８ｓｃｃｍ、Ｏ₂ ガスが１４ｓｃｃｍに、
ガス圧力を１ｍＴｏｒｒにそれぞれ設定し、ガス供給系
１１ｇからプラズマ生成室１１内に導入した。その他の
条件は上記した実施例と同様にしてシリコン酸化膜のエ
ッチングを行った。結果を図５に示す。

【００３１】図５に示したように、本実施例ではＡｌ膜
及びＴｉ膜に対するエッチング選択比がやや減少してい
るものの、イオンエネルギーの値が２００ｅＶから４０
０ｅＶまでの範囲の領域では、前記シリコン酸化膜のエ
ッチング速度がさらに増大しており、この場合も良好な
エッチング処理を行うことができた。

【００３２】本実施例に係るドライエッチ方法において
は、反応ガスとしてＣ₄ Ｆ₈ ガスとＯ₂ ガスとの混合ガ
スを用いたので、プラズマアッシング前におけるホール
（図示せず）内部には上記した実施例の場合よりも薄い
重合膜が堆積し、前記ホール側壁のテーパ角θは約８７
度以上になっており、該ホール形状をより一層垂直形状
に近づけることができた。

【００３３】なお、本実施例では反応ガスとしてＣ₄ Ｆ
₈ ガス及びＯ₂ ガスの混合ガスを用いた場合を例とって
説明したが、その他ＣＦ₄ ガス、Ｃ₂ Ｆ₆ ガス、Ｃ₃ Ｆ
₈ ガス及びＣ₅ Ｆ₁₀ガス等のフルオロカーボンガスと、
Ｏ₂ ガスとの混合ガスを用いてもよく、この場合も本実
施例における効果と同様の効果を得ることができる。

【００３４】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るドライ
エッチング方法においては、マイクロ波による高周波電
界と励磁コイルにより形成される磁界とを作用させてプ
ラズマ生成室でプラズマを発生させると共に、該プラズ
マを前記磁界により前記プラズマ生成室を連通している
試料室に導き、該試料室内に配置された試料の金属膜上
に形成されたシリコン酸化膜にエッチング処理を施すド
ライエッチング方法において、前記反応ガスとしてフル
オロカーボン系ガスを用い、かつ前記試料に照射される
イオンのエネルギーを２００ｅＶから４００ｅＶまでの
範囲に制御するので、例えば前記シリコン酸化膜にビア
ホールを形成する場合、前記シリコン酸化膜のエッチン
グ速度を大きな値に維持することができながら、しかも
前記金属膜に対するエッチング選択比が良好なエッチン
グを行うことができる。

【００３５】また、フルオロカーボン系ガスを用いるた
め、前記金属膜が酸素を含まない場合、エッチング中の
ホール底部に重合膜を堆積させることができ、前記金属
膜に対するイオンによるスパッタを緩和し、スパッタさ
れた金属の前記ホール側壁等への再付着を防止してレジ
ストアッシング後の前記ホール内部に残留膜が形成され
ないようにすることができる。従って、該残留膜除去の
ためのウエット処理工程を省略して製造コストを削減す
ることができる。

【００３６】さらに、前記高周波電界と前記磁界とを作
用させるため、１０^-4〜１０^-2Ｔｏｒｒの低ガス圧力領
域で活性度の高いプラズマが生成され、異方性に優れた
エッチングを行うことができる。このため、前記ホール
側壁に前記重合膜が形成されず、エッチング後の前記ホ
ール側壁の形状を略垂直形状にすることができ、微細で
高アスペクト比の前記ビアホールを形成することができ
る。

【００３７】また、前記フルオロカーボン系ガスにＯ₂
ガスが含まれている場合は、ホール側壁の形状をより一
層垂直形状に近づけることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係るドライエッチング方法の
実施に用いた有磁場マイクロ波プラズマ装置を模式的に
示した縦断面図である。

【図２】実施例に係るドライエッチング方法において、
イオンエネルギーを変化させた場合の、シリコン酸化膜
のエッチング速度と、Ａｌ膜及びＴｉ膜に対するエッチ
ング選択比とを示したグラフである。

【図３】実施例に係るドライエッチング方法において、
照射イオンエネルギーの値を３００ｅＶに制御した場合
の、レジストのアッシング前におけるホールの状態を示
した模式的断面図である。

【図４】実施例に係るドライエッチング方法において、
照射イオンエネルギーの値を３００ｅＶに制御した場合
の、レジストのアッシング後におけるホールの状態を示
した模式的断面図である。

【図５】別の実施例に係るドライエッチング方法におい
て、イオンエネルギーを変化させた場合の、シリコン酸
化膜のエッチング速度と、Ａｌ膜及びＴｉ膜に対するエ
ッチング選択比とを示したグラフである。

【図６】ＲＩＥ装置を用い、フルオロカーボン系ガスを
用いた従来のドライエッチング方法におけるレジストの
アッシング前のホールの状態を示した模式的断面図であ
る。

【図７】ＲＩＥ装置を用い、フルオロカーボン系ガスを
用いた従来のドライエッチング方法におけるレジストの
アッシング後のホールの状態を示した模式的断面図であ
る。

【図８】磁場を用いたマグネトロンＲＩＥ装置を用い、
フルオロカーボン系ガスを用いた従来のドライエッチン
グ方法におけるレジストのアッシング前のホールの状態
を示した模式的断面図である。

【図９】磁場を用いたマグネトロンＲＩＥ装置を用い、
フルオロカーボン系ガスを用いた従来のドライエッチン
グ方法におけるレジストのアッシング後のホールの状態
を示した模式的断面図である。

【符号の説明】

１１ プラズマ生成室 １３ 試料室 １４ 励磁コイル Ｓ 試料

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導入した反応ガスにマイクロ波による高
   周波電界と励磁コイルにより形成される磁界とを作用さ
   せてプラズマ生成室内でプラズマを発生させると共に、
   該プラズマを前記磁界により前記プラズマ生成室と連通
   している試料室に導き、該試料室内に配置された試料の
   金属膜上に形成されたシリコン酸化膜にエッチング処理
   を施すドライエッチング方法において、前記反応ガスと
   してフルオロカーボン系ガスを用い、かつ前記試料に照
   射されるイオンのエネルギーを２００ｅＶから４００ｅ
   Ｖまでの範囲に制御することを特徴とするドライエッチ
   ング方法。