JPH0794543B2 - ポリカーボネートを素材とするディスク基板 - Google Patents
ポリカーボネートを素材とするディスク基板Info
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- JPH0794543B2 JPH0794543B2 JP5064898A JP6489893A JPH0794543B2 JP H0794543 B2 JPH0794543 B2 JP H0794543B2 JP 5064898 A JP5064898 A JP 5064898A JP 6489893 A JP6489893 A JP 6489893A JP H0794543 B2 JPH0794543 B2 JP H0794543B2
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Landscapes
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリカーボネートを素材
とするディスク基板に関し、詳しくは不純物としてのア
セトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分及び未反応ビ
スフェノール類の含有量が極めて少ない高純度のポリカ
ーボネートを素材とするディスク基板に関する。
とするディスク基板に関し、詳しくは不純物としてのア
セトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分及び未反応ビ
スフェノール類の含有量が極めて少ない高純度のポリカ
ーボネートを素材とするディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、この基板と記録膜との密着性が不充分で
あるという問題があった。そこで本発明者らは、ポリカ
ーボネートをディスク基板として使用するにあたっての
上記の如き問題を解消すべく種々の検討を重ねたとこ
ろ、従来のポリカーボネート、特にホスゲン法によって
得られるポリカーボネートには、低分子量成分や未反応
ビスフェノール類が不純物として含有されており、この
ような不純物が上述した問題を引き起こす大きな原因に
なっていることが判明した。
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、この基板と記録膜との密着性が不充分で
あるという問題があった。そこで本発明者らは、ポリカ
ーボネートをディスク基板として使用するにあたっての
上記の如き問題を解消すべく種々の検討を重ねたとこ
ろ、従来のポリカーボネート、特にホスゲン法によって
得られるポリカーボネートには、低分子量成分や未反応
ビスフェノール類が不純物として含有されており、この
ような不純物が上述した問題を引き起こす大きな原因に
なっていることが判明した。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である低分子量成分及び未反応ビ
スフェノール類の含有量が極めて少なく高純度のポリカ
ーボネートとなり、これが上述した記録膜と基板との接
着性の問題を解消し、ディスク基板として非常にすぐれ
た性能を発揮することを見出した。本発明はかかる過程
を経て完成したものであり、その要旨は不純物としての
アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分の含有量が
３重量％以下で、かつ未反応ビスフェノール類の含有量
が２０ｐｐｍ以下であるポリカーボネート（ただし、塩
化メチレンの含有量が２０ｐｐｍ以下のものを除く）を
用いることを特徴とするポリカーボネートを素材とする
ディスク基板である。
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である低分子量成分及び未反応ビ
スフェノール類の含有量が極めて少なく高純度のポリカ
ーボネートとなり、これが上述した記録膜と基板との接
着性の問題を解消し、ディスク基板として非常にすぐれ
た性能を発揮することを見出した。本発明はかかる過程
を経て完成したものであり、その要旨は不純物としての
アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分の含有量が
３重量％以下で、かつ未反応ビスフェノール類の含有量
が２０ｐｐｍ以下であるポリカーボネート（ただし、塩
化メチレンの含有量が２０ｐｐｍ以下のものを除く）を
用いることを特徴とするポリカーボネートを素材とする
ディスク基板である。
【０００４】本発明で用いるポリカーボネートは、従来
のポリカーボネートに比べて不純物（特にアセトン溶媒
ソックスレー抽出低分子量成分及び未反応ビスフェノー
ル類）の含有量が少なく、純度の高いものである。一般
に、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有さ
れているが、特にポリカーボネートオリゴマー等の低分
子量成分あるいは未反応ビスフェノール類（ビスフェノ
ールＡなど）や溶媒として用いた塩化メチレンが多く、
またこれらの不純物、特にアセトン溶媒ソックスレー抽
出低分子量成分及び未反応ビスフェノール類はポリカー
ボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き
問題を引き起こす。
のポリカーボネートに比べて不純物（特にアセトン溶媒
ソックスレー抽出低分子量成分及び未反応ビスフェノー
ル類）の含有量が少なく、純度の高いものである。一般
に、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有さ
れているが、特にポリカーボネートオリゴマー等の低分
子量成分あるいは未反応ビスフェノール類（ビスフェノ
ールＡなど）や溶媒として用いた塩化メチレンが多く、
またこれらの不純物、特にアセトン溶媒ソックスレー抽
出低分子量成分及び未反応ビスフェノール類はポリカー
ボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き
問題を引き起こす。
【０００５】本発明で用いるポリカーボネートは、上述
した不純物であるアセトン溶媒ソックスレー抽出低分子
量成分の含有量が３重量％以下、好ましくは２重量％以
下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２
０ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下のものである。こ
こで、アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分が３
重量％を越えると、記録膜とディスク基板との接着性が
悪化する。また、未反応ビスフェノール類が２０ppm を
越えると、ディスク基板と記録膜との接着性が不充分に
なる。
した不純物であるアセトン溶媒ソックスレー抽出低分子
量成分の含有量が３重量％以下、好ましくは２重量％以
下であって、かつ未反応ビスフェノール類の含有量が２
０ppm 以下、好ましくは１０ppm 以下のものである。こ
こで、アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分が３
重量％を越えると、記録膜とディスク基板との接着性が
悪化する。また、未反応ビスフェノール類が２０ppm を
越えると、ディスク基板と記録膜との接着性が不充分に
なる。
【０００６】本発明で用いるポリカーボネートは、様々
な手法によって得ることが可能であるが、通常は各種方
法で得られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
を有機溶媒で抽出処理することによって得られる。この
不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを製造する方
法としては、特に制限はないが、通常はホスゲン法、特
にビスフェノールＡ等のビスフェノール類とホスゲンを
原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面重縮合法、と
りわけ連続界面重縮合法をあげることができる。そのほ
か、エステル交換法やホスゲン法のうちのピリジンを溶
媒とする所謂ピリジン重合法をあげることもできる。上
記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な意味での粉末
状のものに限定するわけではなく、フレーク状等のもの
をも包含する。つまり、ホスゲン法やエステル交換法で
得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポリカーボネー
トであって、ペレット化する前のものすべてを包含す
る。たとえば、上述の連続界面重縮合により得られる粉
末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状であって、
不純物としてポリカーボネートのオリゴマー等の低分子
量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等の未反応ビ
スフェノール類を７０〜１５０ppm および溶媒として用
いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含有してい
る。
な手法によって得ることが可能であるが、通常は各種方
法で得られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
を有機溶媒で抽出処理することによって得られる。この
不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを製造する方
法としては、特に制限はないが、通常はホスゲン法、特
にビスフェノールＡ等のビスフェノール類とホスゲンを
原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面重縮合法、と
りわけ連続界面重縮合法をあげることができる。そのほ
か、エステル交換法やホスゲン法のうちのピリジンを溶
媒とする所謂ピリジン重合法をあげることもできる。上
記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な意味での粉末
状のものに限定するわけではなく、フレーク状等のもの
をも包含する。つまり、ホスゲン法やエステル交換法で
得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポリカーボネー
トであって、ペレット化する前のものすべてを包含す
る。たとえば、上述の連続界面重縮合により得られる粉
末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状であって、
不純物としてポリカーボネートのオリゴマー等の低分子
量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等の未反応ビ
スフェノール類を７０〜１５０ppm および溶媒として用
いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含有してい
る。
【０００７】本発明で用いるポリカーボネートは、この
ような不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘ
キサン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンな
どのケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネ
ートに対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶
媒にて抽出処理することによって得られる。抽出処理に
あたっては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの
0.５〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用
いる有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好まし
い。なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加
圧下で行うことも可能である。
ような不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘ
キサン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンな
どのケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネ
ートに対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶
媒にて抽出処理することによって得られる。抽出処理に
あたっては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの
0.５〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用
いる有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好まし
い。なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加
圧下で行うことも可能である。
【０００８】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例によりさ
らに詳しく説明する。 実施例１ アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（以下、低
分子量成分という）を1.５重量％，未反応ビスフェノー
ルＡ１０ppm および塩化メチレン４０ppm を含有するフ
レーク状のポリカーボネートに、リン系酸化防止剤４pp
m(リン換算）および脂肪族エステル２００ppm を添加し
た後に、押出機でペレット化し、射出成形機で直径１３
cmのディスク基板を成形した。この際、ディスクの射出
成形で５０００ショット後の金型鏡面のくもり度合いを
目視観察して、これをスタンパー寿命として評価した。
結果を第１表に示す。厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏ
x ）層／厚さ１０００Åの金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ
８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層の三層構造からなる
光磁気膜を、スパッタリング法により上記ディスク基板
上に形成した。得られた光ディスクの性能を、下記の如
く接着性（光磁気膜と基板との接着性）テストを行うこ
とにより評価した。結果を第１表に示す。
らに詳しく説明する。 実施例１ アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（以下、低
分子量成分という）を1.５重量％，未反応ビスフェノー
ルＡ１０ppm および塩化メチレン４０ppm を含有するフ
レーク状のポリカーボネートに、リン系酸化防止剤４pp
m(リン換算）および脂肪族エステル２００ppm を添加し
た後に、押出機でペレット化し、射出成形機で直径１３
cmのディスク基板を成形した。この際、ディスクの射出
成形で５０００ショット後の金型鏡面のくもり度合いを
目視観察して、これをスタンパー寿命として評価した。
結果を第１表に示す。厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏ
x ）層／厚さ１０００Åの金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ
８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層の三層構造からなる
光磁気膜を、スパッタリング法により上記ディスク基板
上に形成した。得られた光ディスクの性能を、下記の如
く接着性（光磁気膜と基板との接着性）テストを行うこ
とにより評価した。結果を第１表に示す。
【０００９】接着性テスト 上記光ディスクを、温度９０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）
【００１０】
【００１１】
【００１２】実施例２ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分２重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカーボ
ネートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
分２重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカーボ
ネートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
【００１３】実施例３ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分２重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びメチルエチルケトンによる抽
出処理を行ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
分２重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びメチルエチルケトンによる抽
出処理を行ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
【００１４】
【００１５】比較例１ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分８重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
分８重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
【００１６】比較例２ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を
行った。結果を第１表に示す。
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン１００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を
行った。結果を第１表に示す。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】＊ 第１表中で、得られたポリカーボネー
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（低分子量
成分 ） アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇ（全試料）を円
筒濾紙 No.84（２８×１００mm）に採取し、これを３０
０ミリリットルのアセトンを用いて、３〜４分に１回
（２０ミリリットル／回）の還流量で８時間還流させて
抽出した。その後、３００ミリリットルのアセトンを蒸
発させた後の残渣物を秤量し、これを低分子量成分とし
て全試料に対する割合で示した。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、その抽出液について液体クロマトグ
ラフィーにより定量したものである。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（低分子量
成分 ） アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇ（全試料）を円
筒濾紙 No.84（２８×１００mm）に採取し、これを３０
０ミリリットルのアセトンを用いて、３〜４分に１回
（２０ミリリットル／回）の還流量で８時間還流させて
抽出した。その後、３００ミリリットルのアセトンを蒸
発させた後の残渣物を秤量し、これを低分子量成分とし
て全試料に対する割合で示した。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、その抽出液について液体クロマトグ
ラフィーにより定量したものである。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。
【００２０】
【発明の効果】本発明によるディスク基板は、不純物と
してのアセトン溶媒抽出低分子量成分の含有量が極めて
少ない高品質のポリカーボネートを素材としているため
に、光ディスクや磁気ディスク等のディスク基板とその
基板上に形成された記録膜との接着性が著しく改善され
る。したがって、本発明によるディスク基板を用いた光
ディスクや磁気ディスクは優れた性能が期待できるなど
本発明の実用的価値は極めて高いものがある。
してのアセトン溶媒抽出低分子量成分の含有量が極めて
少ない高品質のポリカーボネートを素材としているため
に、光ディスクや磁気ディスク等のディスク基板とその
基板上に形成された記録膜との接着性が著しく改善され
る。したがって、本発明によるディスク基板を用いた光
ディスクや磁気ディスクは優れた性能が期待できるなど
本発明の実用的価値は極めて高いものがある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−316313（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−100683（ＪＰ，Ａ) 特公 昭38−16347（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭41−8475（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭55−21773（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物としてのアセトン溶媒ソックスレ
ー抽出低分子量成分の含有量が３重量％以下であり、か
つ未反応ビスフェノール類の含有量が２０ｐｐｍ以下で
あるポリカーボネート（ただし、塩化メチレンの含有量
が２０ｐｐｍ以下のものを除く）を用いることを特徴と
するポリカーボネートを素材とするディスク基板。 - 【請求項２】
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064898A JPH0794543B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064898A JPH0794543B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150101A Division JPH07108938B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-06-18 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100682A JPH06100682A (ja) | 1994-04-12 |
| JPH0794543B2 true JPH0794543B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=13271361
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5064898A Expired - Lifetime JPH0794543B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Country Status (1)
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| JP (1) | JPH0794543B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JPH07108938B2 (ja) * | 1987-06-18 | 1995-11-22 | 出光石油化学株式会社 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
| JPH0794544B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1995-10-11 | 出光石油化学株式会社 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP5064898A patent/JPH0794543B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100682A (ja) | 1994-04-12 |
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