JPH0794544B2 - ポリカーボネートを素材とするディスク基板 - Google Patents
ポリカーボネートを素材とするディスク基板Info
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- JPH0794544B2 JPH0794544B2 JP5064897A JP6489793A JPH0794544B2 JP H0794544 B2 JPH0794544 B2 JP H0794544B2 JP 5064897 A JP5064897 A JP 5064897A JP 6489793 A JP6489793 A JP 6489793A JP H0794544 B2 JPH0794544 B2 JP H0794544B2
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Landscapes
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はポリカーボネートを素材
とするディスク基板に関し、詳しくは不純物としての塩
化メチレンの含有量が極めて少なく、高純度のポリカー
ボネートを素材とする有用なディスク基板に関する。
とするディスク基板に関し、詳しくは不純物としての塩
化メチレンの含有量が極めて少なく、高純度のポリカー
ボネートを素材とする有用なディスク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】一般
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テ
ルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいはこ
の基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題
があった。そこで本発明者らは、ポリカーボネートをデ
ィスク基板として使用するにあたっての上記の如き問題
を解消すべく種々の検討を重ねたところ、従来のポリカ
ーボネート、特にホスゲン法によって得られるポリカー
ボネートには、用いた溶媒としての塩化メチレンが不純
物として含有されており、このような不純物が上述した
様々な問題を引き起こす大きな原因になっていることが
判明した。
に、ポリカーボネートは光ディスクや磁気ディスク等の
ディスク基板の素材として利用されている。しかし、こ
のポリカーボネートは、ディスク基板として成形使用す
るにあたって、記録膜中に存在する鉄，ガリウム，テ
ルビウム等の金属が徐々に腐食を受ける、あるいはこ
の基板と記録膜との密着性が不充分である等様々な問題
があった。そこで本発明者らは、ポリカーボネートをデ
ィスク基板として使用するにあたっての上記の如き問題
を解消すべく種々の検討を重ねたところ、従来のポリカ
ーボネート、特にホスゲン法によって得られるポリカー
ボネートには、用いた溶媒としての塩化メチレンが不純
物として含有されており、このような不純物が上述した
様々な問題を引き起こす大きな原因になっていることが
判明した。
【０００３】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である塩化メチレン含量が極めて
少なく高純度のポリカーボネートとなり、これが上述し
た問題、特に記録膜の腐食性の問題を解消し、ディスク
基板として非常にすぐれた性能を発揮することを見出し
た。本発明はかかる過程を経て完成したものであり、そ
の要旨は不純物としての塩化メチレンの含有量が２０ｐ
ｐｍ以下であるポリカーボネート（ただし、アセトン溶
媒ソックスレー抽出低分子量成分の含有量が3.０重量％
以下のものを除く）を用いることを特徴とするポリカー
ボネートを素材とするディスク基板である。また、本発
明の要旨は、更に不純物として塩化メチレンの含有量が
２０ppm 以下であるとともに未反応ビスフェノール類の
含有量が２０ppm 以下であるポリカーボネートを素材と
するディスク基板である。
な知見に基いてさらに研究を続けたところ、これら不純
物を含有するポリカーボネートをアセトン等の有機溶剤
で処理すると、不純物である塩化メチレン含量が極めて
少なく高純度のポリカーボネートとなり、これが上述し
た問題、特に記録膜の腐食性の問題を解消し、ディスク
基板として非常にすぐれた性能を発揮することを見出し
た。本発明はかかる過程を経て完成したものであり、そ
の要旨は不純物としての塩化メチレンの含有量が２０ｐ
ｐｍ以下であるポリカーボネート（ただし、アセトン溶
媒ソックスレー抽出低分子量成分の含有量が3.０重量％
以下のものを除く）を用いることを特徴とするポリカー
ボネートを素材とするディスク基板である。また、本発
明の要旨は、更に不純物として塩化メチレンの含有量が
２０ppm 以下であるとともに未反応ビスフェノール類の
含有量が２０ppm 以下であるポリカーボネートを素材と
するディスク基板である。
【０００４】本発明で用いるポリカーボネートは、従来
のポリカーボネートに比べて不純物（特に塩化メチレ
ン）の含有量が少なく、純度の高いものである。一般
に、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有さ
れているが、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるい
は未反応ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や
低分子量成分（ポリカーボネートオリゴマーなど) が多
く、またこれらの不純物、特に塩化メチレンはポリカー
ボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き
種々の問題を引き起こす。
のポリカーボネートに比べて不純物（特に塩化メチレ
ン）の含有量が少なく、純度の高いものである。一般
に、従来のポリカーボネートには様々な不純物が含有さ
れているが、特に溶媒として用いた塩化メチレンあるい
は未反応ビスフェノール類（ビスフェノールＡなど）や
低分子量成分（ポリカーボネートオリゴマーなど) が多
く、またこれらの不純物、特に塩化メチレンはポリカー
ボネートをディスク基板に用いたときに、前述した如き
種々の問題を引き起こす。
【０００５】本発明で用いるポリカーボネートは、上述
した不純物である塩化メチレンの含有量は２０ppm 以
下、好ましくは１５ppm 以下である。また、更に好適な
ポリカーボネートは、塩化メチレンの含有量が２０ppm
以下（好ましくは１５ppm 以下）であって、かつ未反応
ビスフェノール類の含有量が２０ppm 以下、好ましくは
１０ppm 以下である。ここで、塩化メチレンが２０ppm
を越えると、記録膜が腐食を受けやすくなる。また、未
反応ビスフェノール類が２０ppm を越えると、ディスク
基板と記録膜との接着性が不充分になることがある。
した不純物である塩化メチレンの含有量は２０ppm 以
下、好ましくは１５ppm 以下である。また、更に好適な
ポリカーボネートは、塩化メチレンの含有量が２０ppm
以下（好ましくは１５ppm 以下）であって、かつ未反応
ビスフェノール類の含有量が２０ppm 以下、好ましくは
１０ppm 以下である。ここで、塩化メチレンが２０ppm
を越えると、記録膜が腐食を受けやすくなる。また、未
反応ビスフェノール類が２０ppm を越えると、ディスク
基板と記録膜との接着性が不充分になることがある。
【０００６】本発明で用いるポリカーボネートは、様々
な手法によって得ることが可能であるが、通常は各種方
法で得られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
をアセトン等の有機溶媒で抽出処理することによって得
られる。この不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
を製造する方法としては、特に制限はないが、通常はホ
スゲン法、特にビスフェノールＡ等のビスフェノール類
とホスゲンを原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面
重縮合法、とりわけ連続界面重縮合法をあげることがで
きる。そのほか、エステル交換法やホスゲン法のうちの
ピリジンを溶媒とする所謂ピリジン重合法をあげること
もできる。上記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な
意味での粉末状のものに限定するわけではなく、フレー
ク状等のものをも包含する。つまり、ホスゲン法やエス
テル交換法で得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポ
リカーボネートであって、ペレット化する前のものすべ
てを包含する。たとえば、上述の連続界面重縮合により
得られる粉末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状
であって、不純物としてポリカーボネートのオリゴマー
等の低分子量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等
の未反応ビスフェノール類を７０〜１５０ppm および溶
媒として用いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含
有している。
な手法によって得ることが可能であるが、通常は各種方
法で得られた不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
をアセトン等の有機溶媒で抽出処理することによって得
られる。この不純物を含有する粉末状ポリカーボネート
を製造する方法としては、特に制限はないが、通常はホ
スゲン法、特にビスフェノールＡ等のビスフェノール類
とホスゲンを原料とし、塩化メチレンを溶媒とする界面
重縮合法、とりわけ連続界面重縮合法をあげることがで
きる。そのほか、エステル交換法やホスゲン法のうちの
ピリジンを溶媒とする所謂ピリジン重合法をあげること
もできる。上記の粉末状ポリカーボネートとは、厳密な
意味での粉末状のものに限定するわけではなく、フレー
ク状等のものをも包含する。つまり、ホスゲン法やエス
テル交換法で得られた粉末状，粒状，フレーク状等のポ
リカーボネートであって、ペレット化する前のものすべ
てを包含する。たとえば、上述の連続界面重縮合により
得られる粉末状ポリカーボネートは、通常はフレーク状
であって、不純物としてポリカーボネートのオリゴマー
等の低分子量成分を４〜８重量％，ビスフェノールＡ等
の未反応ビスフェノール類を７０〜１５０ppm および溶
媒として用いた塩化メチレンを５０〜１５０ppm 程度含
有している。
【０００７】本発明で用いるポリカーボネートは、この
ような不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘ
キサン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンな
どのケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネ
ートに対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶
媒にて抽出処理することによって得られる。抽出処理に
あたっては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの
0.５〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用
いる有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好まし
い。なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加
圧下で行うことも可能である。
ような不純物を含有する粉末状ポリカーボネートを、ヘ
キサン，メタノールやアセトン，メチルエチルケトンな
どのケトン類、トルエン，キシレンなどのポリカーボネ
ートに対しては弱い沈澱効果があるとされている有機溶
媒にて抽出処理することによって得られる。抽出処理に
あたっては、上記有機溶媒を粉末状ポリカーボネートの
0.５〜２０倍量の範囲で使用し、温度を４０℃以上、用
いる有機溶媒の沸点以下の範囲に設定することが好まし
い。なお、この抽出処理は、通常は常圧下で行うが、加
圧下で行うことも可能である。
【０００８】
【実施例】次に、本発明を実施例および比較例によりさ
らに詳しく説明する。 実施例１ アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（以下、低
分子量成分という）が４重量％，未反応ビスフェノール
Ａ１００ppm および塩化メチレン１００ppm を含有する
フレーク状のポリカーボネート１００kgに、ヘキサン２
２５kgを加えて４０℃で１時間撹拌して接触処理（抽出
処理）を行った。その後、ヘキサンを除去し、１２０
℃，３０〜１mmHgの減圧下で２０時間乾燥した。得られ
たフレーク状のポリカーボネート中の不純物含量は第１
表の通りであった。次に、このフレーク状のポリカーボ
ネートにリン系酸化防止剤４ppm(リン換算）および脂肪
族エステル２００ppm を添加した後に、押出機でペレッ
ト化し、射出成形機で直径１３cmのディスク基板を成形
した。厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層／厚さ１
０００Åの金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ８００Åの酸化
珪素（Ｓi Ｏx ）層の三層構造からなる光磁気膜を、ス
パッタリング法により上記ディスク基板上に形成した。
得られた光ディスクの性能を、下記の如く接着性（光磁
気膜と基板との接着性）および腐食性のテストを行うこ
とにより評価した。結果を第１表に示す。
らに詳しく説明する。 実施例１ アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（以下、低
分子量成分という）が４重量％，未反応ビスフェノール
Ａ１００ppm および塩化メチレン１００ppm を含有する
フレーク状のポリカーボネート１００kgに、ヘキサン２
２５kgを加えて４０℃で１時間撹拌して接触処理（抽出
処理）を行った。その後、ヘキサンを除去し、１２０
℃，３０〜１mmHgの減圧下で２０時間乾燥した。得られ
たフレーク状のポリカーボネート中の不純物含量は第１
表の通りであった。次に、このフレーク状のポリカーボ
ネートにリン系酸化防止剤４ppm(リン換算）および脂肪
族エステル２００ppm を添加した後に、押出機でペレッ
ト化し、射出成形機で直径１３cmのディスク基板を成形
した。厚さ８００Åの酸化珪素（Ｓi Ｏx ）層／厚さ１
０００Åの金属（Ｔb,Ｆe,Ｃo)層／厚さ８００Åの酸化
珪素（Ｓi Ｏx ）層の三層構造からなる光磁気膜を、ス
パッタリング法により上記ディスク基板上に形成した。
得られた光ディスクの性能を、下記の如く接着性（光磁
気膜と基板との接着性）および腐食性のテストを行うこ
とにより評価した。結果を第１表に示す。
【０００９】接着性テスト 上記光ディスクを、温度９０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）腐食性テスト 上記光ディスクを、温度６０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に３００時間放置後、光学顕微鏡にて１０００倍で
２５０μｍ×２００μｍの視野中におけるピンホール腐
食の数を測定した。
気下に１００時間放置後、セロハンテープによるゴバン
目ピンホールテストを行い、次式に基いて接着性を表示
した。 接着性＝（残った部分の面積）／（テスト面積）×１０
０（％）腐食性テスト 上記光ディスクを、温度６０℃，相対湿度９０％の雰囲
気下に３００時間放置後、光学顕微鏡にて１０００倍で
２５０μｍ×２００μｍの視野中におけるピンホール腐
食の数を測定した。
【００１０】実施例２ 実施例１において、抽出処理をヘキサンの代わりにメタ
ノールを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
ノールを用いたこと以外は、実施例１と同様の操作を行
った。結果を第１表に示す。
【００１１】実施例３ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行わな
かったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結
果を第１表に示す。
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１０ppm および塩
化メチレン１０ppm を含有するフレーク状ポリカーボネ
ートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行わな
かったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結
果を第１表に示す。
【００１２】比較例１ 実施例１において、ヘキサンによる抽出処理を行わなか
ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果
を第１表に示す。
ったこと以外は、実施例１と同様の操作を行った。結果
を第１表に示す。
【００１３】比較例２ 実施例１において、ポリカーボネートとして低分子量成
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン２００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行
わなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
分４重量％，未反応ビスフェノールＡ１００ppm および
塩化メチレン２００ppm を含有するフレーク状ポリカー
ボネートを用いたこと及びヘキサンによる抽出処理を行
わなかったこと以外は、実施例１と同様の操作を行っ
た。結果を第１表に示す。
【００１４】
【表１】
【００１５】
【表２】
【００１６】＊ 第１表中で、得られたポリカーボネー
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（低分子量
成分 ） アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇ（全試料）を円
筒濾紙 No.84（２８×１００mm）に採取し、これを３０
０ミリリットルのアセトンを用いて、３〜４分に１回
（２０ミリリットル／回）の還流量で８時間還流させて
抽出した。その後、３００ミリリットルのアセトンを蒸
発させた後の残渣物を秤量し、これを低分子量成分とし
て全試料に対する割合で求めた。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、その抽出液について液体クロマトグ
ラフィーにより定量したものである。
ト中の不純物含量は、次の如く分析定量されたものであ
る。塩化メチレン １，２−ジクロロエタンに試料であるポリカーボネート
を溶解し、ガスクロマトグラフィー（ＦＩＤ）により定
量したものである。アセトン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分（低分子量
成分 ） アセトンを溶媒としてソックスレー抽出された成分であ
る。即ち、試料であるポリカーボネートを粉砕して１０
０メッシュの金網を通過したもの１５ｇ（全試料）を円
筒濾紙 No.84（２８×１００mm）に採取し、これを３０
０ミリリットルのアセトンを用いて、３〜４分に１回
（２０ミリリットル／回）の還流量で８時間還流させて
抽出した。その後、３００ミリリットルのアセトンを蒸
発させた後の残渣物を秤量し、これを低分子量成分とし
て全試料に対する割合で求めた。未反応ビスフェノールＡ 上述の低分子量成分をアセトンを溶媒としてソックスレ
ー抽出を行った後、その抽出液について液体クロマトグ
ラフィーにより定量したものである。
【００１７】
【発明の効果】本発明によるディスク基板は、不純物と
しての塩化メチレンの含有量が極めて少ない高品質のポ
リカーボネートを素材としているために、光ディスクや
磁気ディスク等のディスク基板上に形成された記録膜の
腐食性が著しく抑制される。したがって、本発明による
ディスク基板を用いた光ディスクや磁気ディスクは優れ
た性能が期待できるなど本発明の実用的価値は極めて高
いものがある。
しての塩化メチレンの含有量が極めて少ない高品質のポ
リカーボネートを素材としているために、光ディスクや
磁気ディスク等のディスク基板上に形成された記録膜の
腐食性が著しく抑制される。したがって、本発明による
ディスク基板を用いた光ディスクや磁気ディスクは優れ
た性能が期待できるなど本発明の実用的価値は極めて高
いものがある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭63−316313（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−100682（ＪＰ，Ａ) 特公 昭38−16347（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭41−8475（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭55−21773（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (2)
- 【請求項１】 不純物としての塩化メチレンの含有量が
２０ｐｐｍ以下であるポリカーボネート（ただし、アセ
トン溶媒ソックスレー抽出低分子量成分の含有量が3.０
重量％以下のものを除く）を用いることを特徴とするポ
リカーボネートを素材とするディスク基板。 - 【請求項２】 不純物としての塩化メチレンの含有量が
２０ｐｐｍ以下で、かつ未反応ビスフェノール類の含有
量が２０ｐｐｍ以下のポリカーボネートである請求項１
記載のポリカーボネートを素材とするディスク基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064897A JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5064897A JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62150101A Division JPH07108938B2 (ja) | 1987-05-30 | 1987-06-18 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06100683A JPH06100683A (ja) | 1994-04-12 |
| JPH0794544B2 true JPH0794544B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=13271332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5064897A Expired - Lifetime JPH0794544B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794544B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0794543B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1995-10-11 | 出光石油化学株式会社 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
| JP2002069219A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-08 | Teijin Chem Ltd | ポリカーボネート樹脂組成物成形体 |
| JP5251106B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-07-31 | 三菱化学株式会社 | ポリカーボネートからなる金属・無機薄膜を有する成形品 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS3816347B1 (ja) * | 1961-03-03 | 1963-08-29 | ||
| JPS5521773B2 (ja) * | 1972-07-14 | 1980-06-12 | ||
| JPH07108938B2 (ja) * | 1987-06-18 | 1995-11-22 | 出光石油化学株式会社 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
| JPH0794543B2 (ja) * | 1993-03-24 | 1995-10-11 | 出光石油化学株式会社 | ポリカーボネートを素材とするディスク基板 |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP5064897A patent/JPH0794544B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06100683A (ja) | 1994-04-12 |
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