JPH0794669A - 半導体パッケ−ジモジュ−ル - Google Patents
半導体パッケ−ジモジュ−ルInfo
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- JPH0794669A JPH0794669A JP5232973A JP23297393A JPH0794669A JP H0794669 A JPH0794669 A JP H0794669A JP 5232973 A JP5232973 A JP 5232973A JP 23297393 A JP23297393 A JP 23297393A JP H0794669 A JPH0794669 A JP H0794669A
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- semiconductor
- heat transfer
- semiconductor device
- semiconductor element
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】放熱特性に優れるとともに実装効率の高い垂直
実装型の半導体パッケ−ジモジュ−ルを提供することに
ある。 【構成】少なくとも一対の垂直実装型半導体装置２２か
らなり、半導体装置２２は、半導体素子５と、この半導
体素子５を封止したパッケ−ジ３と、一端が上記半導体
素子に電気的に接続され他端がパッケ−ジ３の下面４か
ら露出したリ−ド２とを備えた半導体パッケ−ジモジュ
−ル２１において、各半導体素子２２を電気的に絶縁し
て支持する金属板６と、少なくとも一対の半導体装置２
２間に介設され少なくとも一方の金属板６に連設された
伝熱板２３と、パッケ−ジ３の上面２４に露出するとも
に伝熱板２３に連設された放熱フィン２６とを設けた。
実装型の半導体パッケ−ジモジュ−ルを提供することに
ある。 【構成】少なくとも一対の垂直実装型半導体装置２２か
らなり、半導体装置２２は、半導体素子５と、この半導
体素子５を封止したパッケ−ジ３と、一端が上記半導体
素子に電気的に接続され他端がパッケ−ジ３の下面４か
ら露出したリ−ド２とを備えた半導体パッケ−ジモジュ
−ル２１において、各半導体素子２２を電気的に絶縁し
て支持する金属板６と、少なくとも一対の半導体装置２
２間に介設され少なくとも一方の金属板６に連設された
伝熱板２３と、パッケ−ジ３の上面２４に露出するとも
に伝熱板２３に連設された放熱フィン２６とを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、実装基板に垂
直実装される半導体パッケ−ジモジュ−ルに関する。
直実装される半導体パッケ−ジモジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、図７及び図８に示すような垂直
実装型の半導体装置１が知られている。この半導体装置
１は、直立を可能にするために、Ｌ字状に折曲された多
数のリ−ド２がパッケ−ジ３の一辺（下面）４に集めら
れている。このような垂直実装型の半導体装置１には、
例えばＳＯＰ(Small Outline Package) やＱＦＰ(Quad
Flat Package) 等のような水平実装型のものに比べて、
実装基板における占有面積が少なく、実装効率を向上で
きるという利点がある。
実装型の半導体装置１が知られている。この半導体装置
１は、直立を可能にするために、Ｌ字状に折曲された多
数のリ−ド２がパッケ−ジ３の一辺（下面）４に集めら
れている。このような垂直実装型の半導体装置１には、
例えばＳＯＰ(Small Outline Package) やＱＦＰ(Quad
Flat Package) 等のような水平実装型のものに比べて、
実装基板における占有面積が少なく、実装効率を向上で
きるという利点がある。
【０００３】樹脂製のパッケ−ジ３の中には半導体素子
５が封止されており、半導体素子５は金属板６に接合さ
れている。半導体素子５とリ−ド２はボンディングワイ
ヤ７によって結線されている。金属板６は銅等の材質か
らなるもので、半導体素子５が装着された側に対して反
対の側の板面がパッケ−ジ３から露出している。そし
て、半導体素子５に発生した熱は金属板６に伝わり、金
属板６からパッケ−ジ３の外へ放出される。なお、金属
板６にヒ−トシンクを接合したタイプの半導体装置も在
る。
５が封止されており、半導体素子５は金属板６に接合さ
れている。半導体素子５とリ−ド２はボンディングワイ
ヤ７によって結線されている。金属板６は銅等の材質か
らなるもので、半導体素子５が装着された側に対して反
対の側の板面がパッケ−ジ３から露出している。そし
て、半導体素子５に発生した熱は金属板６に伝わり、金
属板６からパッケ−ジ３の外へ放出される。なお、金属
板６にヒ−トシンクを接合したタイプの半導体装置も在
る。
【０００４】また、図９に示すようなＬＣＣ(Leadless
Chip Carrier) タイプの半導体装置１１も開発されてい
る。このタイプの半導体パッケ−ジ１１には、半導体素
子１２、メタライズ電極１３、セラミック製のパッケ−
ジ１４、蓋１５、及び、ボンディングワイヤ１６が備え
られている。半導体素子１２は、ボンディングワイヤ１
６を介して、メタライズ電極１３に結線されている。
Chip Carrier) タイプの半導体装置１１も開発されてい
る。このタイプの半導体パッケ−ジ１１には、半導体素
子１２、メタライズ電極１３、セラミック製のパッケ−
ジ１４、蓋１５、及び、ボンディングワイヤ１６が備え
られている。半導体素子１２は、ボンディングワイヤ１
６を介して、メタライズ電極１３に結線されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図７及び図
８に示すような半導体装置１においては、半導体素子４
に発生した熱は金属板５から大気中へ逃がされる。この
ため、複数の半導体装置１を隣接させて実装する場合に
は、十分な放熱性を確保するために、半導体装置間に隙
間を確保する必要がある。したがって、複数の垂直実装
型の半導体装置１を隣接させて実装する場合には、実装
効率が制限される。
８に示すような半導体装置１においては、半導体素子４
に発生した熱は金属板５から大気中へ逃がされる。この
ため、複数の半導体装置１を隣接させて実装する場合に
は、十分な放熱性を確保するために、半導体装置間に隙
間を確保する必要がある。したがって、複数の垂直実装
型の半導体装置１を隣接させて実装する場合には、実装
効率が制限される。
【０００６】また、例えば、垂直実装型の半導体装置１
を温風リフロ−で実装する場合などに、半導体装置１が
横風を受けて転倒することがある。本発明の目的とする
ところは、放熱特性に優れるとともに実装効率の高い垂
直実装型の半導体パッケ−ジモジュ−ルを提供すること
にある。
を温風リフロ−で実装する場合などに、半導体装置１が
横風を受けて転倒することがある。本発明の目的とする
ところは、放熱特性に優れるとともに実装効率の高い垂
直実装型の半導体パッケ−ジモジュ−ルを提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するために本発明は、少なくとも一対の垂直実装型半
導体装置からなり、半導体装置は、半導体素子と、この
半導体素子を封止したパッケ−ジと、一端が上記半導体
素子に電気的に接続され他端がパッケ−ジの実装側端部
から露出した端子とを備えた半導体パッケ−ジモジュ−
ルにおいて、各半導体素子を電気的に絶縁して支持する
第１の金属部材と、少なくとも一対の半導体装置間に介
設され少なくとも一方の第１の金属部材に連設された第
２の金属部材と、パッケ−ジの実装側に対して反対側に
露出するともに第２の金属部材に連設された放熱フィン
とを設けたことにある。こうすることによって本発明
は、放熱特性を損なうことなく実装効率を向上できるよ
うにしたことにある。
成するために本発明は、少なくとも一対の垂直実装型半
導体装置からなり、半導体装置は、半導体素子と、この
半導体素子を封止したパッケ−ジと、一端が上記半導体
素子に電気的に接続され他端がパッケ−ジの実装側端部
から露出した端子とを備えた半導体パッケ−ジモジュ−
ルにおいて、各半導体素子を電気的に絶縁して支持する
第１の金属部材と、少なくとも一対の半導体装置間に介
設され少なくとも一方の第１の金属部材に連設された第
２の金属部材と、パッケ−ジの実装側に対して反対側に
露出するともに第２の金属部材に連設された放熱フィン
とを設けたことにある。こうすることによって本発明
は、放熱特性を損なうことなく実装効率を向上できるよ
うにしたことにある。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の各実施例を図１〜図６に基づ
いて説明する。なお、従来の技術の項で説明したものと
重複するものについては同一番号を付し、その説明は省
略する。
いて説明する。なお、従来の技術の項で説明したものと
重複するものについては同一番号を付し、その説明は省
略する。
【０００９】図１及び図２は本発明の第１実施例を示す
もので、図中の符号２１は垂直実装型の半導体パッケ−
ジモジュ−ル（以下、モジュ−ルと称する）である。こ
のモジュ−ル２１は二つの半導体装置２２により構成さ
れている。各半導体装置２２には、半導体素子５、第１
の金属部材としての金属板６、多数のリ−ド２、及び、
パッケ−ジ３が備えられている。
もので、図中の符号２１は垂直実装型の半導体パッケ−
ジモジュ−ル（以下、モジュ−ルと称する）である。こ
のモジュ−ル２１は二つの半導体装置２２により構成さ
れている。各半導体装置２２には、半導体素子５、第１
の金属部材としての金属板６、多数のリ−ド２、及び、
パッケ−ジ３が備えられている。
【００１０】半導体素子５は、金属板６の一方の板面
に、熱伝達及び電気絶縁が可能なように接合されてい
る。また、リ−ド２の一端は、ボンディングワイヤ７に
よって半導体素子５に結線されている。パッケ−ジ３の
材質は合成樹脂であり、このパッケ−ジ３は半導体素子
５、金属板６、リ−ド２の基端部、及び、ボンディング
ワイヤ７を封止している。リ−ド２の先端側はパッケ−
ジ３の下面４から突出しており、この突出した部分がＬ
字状に折り曲げられている。また、金属板６の、半導体
素子が接合された側に対して反対側の板面はパッケ−ジ
３から面一で露出している。
に、熱伝達及び電気絶縁が可能なように接合されてい
る。また、リ−ド２の一端は、ボンディングワイヤ７に
よって半導体素子５に結線されている。パッケ−ジ３の
材質は合成樹脂であり、このパッケ−ジ３は半導体素子
５、金属板６、リ−ド２の基端部、及び、ボンディング
ワイヤ７を封止している。リ−ド２の先端側はパッケ−
ジ３の下面４から突出しており、この突出した部分がＬ
字状に折り曲げられている。また、金属板６の、半導体
素子が接合された側に対して反対側の板面はパッケ−ジ
３から面一で露出している。
【００１１】両半導体装置２２の間には第２の金属部材
として伝熱板２３が挟まれている。この伝熱板２３の両
板面は略平坦に加工されており、各パッケ−ジ３、３は
伝熱板２３の各板面に接合されている。また、各金属板
６も伝熱板２３に接合されている。つまり、伝熱板２３
は二つの半導体素子５、５を背中合せに支持している。
そして、伝熱板２３とリ−ド２との間はパッケ−ジ３の
封止樹脂によって絶縁されている。
として伝熱板２３が挟まれている。この伝熱板２３の両
板面は略平坦に加工されており、各パッケ−ジ３、３は
伝熱板２３の各板面に接合されている。また、各金属板
６も伝熱板２３に接合されている。つまり、伝熱板２３
は二つの半導体素子５、５を背中合せに支持している。
そして、伝熱板２３とリ−ド２との間はパッケ−ジ３の
封止樹脂によって絶縁されている。
【００１２】なお、伝熱板２３の材質として充分に高い
熱伝導率を有する金属が採用されている。また、伝熱板
２３と金属板６との接合には、充分な熱伝導性を有する
接着剤が使用されている。
熱伝導率を有する金属が採用されている。また、伝熱板
２３と金属板６との接合には、充分な熱伝導性を有する
接着剤が使用されている。
【００１３】モジュ−ル２１の上面２４と側面２５、２
５（一方のみ図示）には放熱フィン２６、２７が装着さ
れている。さらに、モジュ−ル２１の上面２４と側面２
５には伝熱板２３の端面が露出しており、放熱フィン２
６、２７は伝熱板２３に接触している。
５（一方のみ図示）には放熱フィン２６、２７が装着さ
れている。さらに、モジュ−ル２１の上面２４と側面２
５には伝熱板２３の端面が露出しており、放熱フィン２
６、２７は伝熱板２３に接触している。
【００１４】各半導体素子５に発生した熱は、金属板６
を介して伝熱板２３に伝わる。そして、この熱は、伝熱
板２３から放熱フィン２６、２７に伝わり、放熱フィン
２６、２７から大気中へ放出される。
を介して伝熱板２３に伝わる。そして、この熱は、伝熱
板２３から放熱フィン２６、２７に伝わり、放熱フィン
２６、２７から大気中へ放出される。
【００１５】上述のようなモジュ−ル２１においては、
複数の半導体装置２２、２２が伝熱板２３を挟んで隣接
しており、半導体素子５、５に生じた熱は、金属板６、
６から伝熱板２３に伝わり、放熱フィン２６、２７から
放出される。したがって、半導体装置２２、２２間に放
熱用の隙間を確保することなく放熱を行うことができ
る。そして、放熱特性を損なうことなく半導体装置２
２、２２を密集させることができる。この結果、実装効
率が向上する。
複数の半導体装置２２、２２が伝熱板２３を挟んで隣接
しており、半導体素子５、５に生じた熱は、金属板６、
６から伝熱板２３に伝わり、放熱フィン２６、２７から
放出される。したがって、半導体装置２２、２２間に放
熱用の隙間を確保することなく放熱を行うことができ
る。そして、放熱特性を損なうことなく半導体装置２
２、２２を密集させることができる。この結果、実装効
率が向上する。
【００１６】また、一対の半導体装置２２を並べること
により、モジュ−ル２１と実装基板との接触面積が増
す。さらに、縦横比が変化し、一つの半導体装置に比べ
て横の比率が高まるので、エアブロ−を受けた際に転倒
しにくくなる。
により、モジュ−ル２１と実装基板との接触面積が増
す。さらに、縦横比が変化し、一つの半導体装置に比べ
て横の比率が高まるので、エアブロ−を受けた際に転倒
しにくくなる。
【００１７】なお、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種
々に変形することが可能である。例えば、伝熱板２３の
材質は、金属等のように高い熱伝導性を有する材質であ
れば、放熱性に多少の差があっても、いずれの材質の場
合でも略同様の効果が得られる。
々に変形することが可能である。例えば、伝熱板２３の
材質は、金属等のように高い熱伝導性を有する材質であ
れば、放熱性に多少の差があっても、いずれの材質の場
合でも略同様の効果が得られる。
【００１８】さらに、放熱フィン２６、２７が、例えば
各半導体装置２２毎に分離されていてもよい。また、半
導体素子５の種類は同じであっても、異なっていてもよ
い。
各半導体装置２２毎に分離されていてもよい。また、半
導体素子５の種類は同じであっても、異なっていてもよ
い。
【００１９】また、本実施例では面実装型の半導体装置
２２が用いられているが、例えば、挿入実装型の半導体
装置を用いることも可能である。さらに、本実施例では
一対の半導体装置２２が積層されているが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えば、図３或いは図４
に示すように、三つ以上の半導体装置２２を積層する場
合にも適用可能である。
２２が用いられているが、例えば、挿入実装型の半導体
装置を用いることも可能である。さらに、本実施例では
一対の半導体装置２２が積層されているが、本発明はこ
れに限定されるものではなく、例えば、図３或いは図４
に示すように、三つ以上の半導体装置２２を積層する場
合にも適用可能である。
【００２０】つぎに、本発明の第２実施例を図３及び図
４に基づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明し
たものと重複するものについては同一番号を付し、その
説明は省略する。
４に基づいて説明する。なお、従来の技術の項で説明し
たものと重複するものについては同一番号を付し、その
説明は省略する。
【００２１】図３及び図４は本発明の第２実施例を示す
もので、図中の符号３１は垂直実装型の半導体パッケ−
ジモジュ−ル（以下、モジュ−ルと称する）である。こ
のモジュ−ル３１は三つの半導体装置３２により構成さ
れている。各半導体装置３２はＬＣＣ(Leadless Chip C
arrier) タイプのもので、半導体素子１２、第１の金属
部材としての金属板３３、多数のメタライズ電極３４、
セラミック製のパッケ−ジ３５、及び、金属製の蓋１５
が備えられている。
もので、図中の符号３１は垂直実装型の半導体パッケ−
ジモジュ−ル（以下、モジュ−ルと称する）である。こ
のモジュ−ル３１は三つの半導体装置３２により構成さ
れている。各半導体装置３２はＬＣＣ(Leadless Chip C
arrier) タイプのもので、半導体素子１２、第１の金属
部材としての金属板３３、多数のメタライズ電極３４、
セラミック製のパッケ−ジ３５、及び、金属製の蓋１５
が備えられている。
【００２２】パッケ−ジ３５の外形は直方体状である。
さらに、パッケ−ジ３５の中央部には半導体素子収納用
の空間３６が形成されており、この空間３６はパッケ−
ジ３５を厚さ方向に貫通している。空間３６には半導体
素子１２と金属板３３が収容されており、半導体素子１
２は金属板３３の一方の板面に熱伝達及び電気絶縁がが
可能なように接合されている。さらに、金属板３３はパ
ッケ−ジ３５に形成された段差に係合している。
さらに、パッケ−ジ３５の中央部には半導体素子収納用
の空間３６が形成されており、この空間３６はパッケ−
ジ３５を厚さ方向に貫通している。空間３６には半導体
素子１２と金属板３３が収容されており、半導体素子１
２は金属板３３の一方の板面に熱伝達及び電気絶縁がが
可能なように接合されている。さらに、金属板３３はパ
ッケ−ジ３５に形成された段差に係合している。
【００２３】各メタライズ電極３４の一端部はパッケ−
ジ３５の下面３７に形成されている。さらに、メタライ
ズ電極３４はＬ字状に延びており、その他端部は空間３
６内に露出している。そして、空間３６の中において、
各メタライズ電極３４はボンディングワイヤ３８によっ
て半導体素子１２に結線されている。なお、メタライズ
電極３４と金属板３３は絶縁体３９によって電気的に絶
縁されている。また、メタライズ電極３４は、パッケ−
ジ３５に被覆されていても、或いは、埋め込まれていて
もよい。
ジ３５の下面３７に形成されている。さらに、メタライ
ズ電極３４はＬ字状に延びており、その他端部は空間３
６内に露出している。そして、空間３６の中において、
各メタライズ電極３４はボンディングワイヤ３８によっ
て半導体素子１２に結線されている。なお、メタライズ
電極３４と金属板３３は絶縁体３９によって電気的に絶
縁されている。また、メタライズ電極３４は、パッケ−
ジ３５に被覆されていても、或いは、埋め込まれていて
もよい。
【００２４】蓋１５はパッケ−ジ３５に形成された段差
に係合しており、パッケ−ジ３５に面一で取付けられて
いる。そして、蓋１５は、空間３６の一方の開口部を塞
いでいる。なお、空間３６の他方の開口部は、金属板３
３と絶縁体３９とによって塞がれている。
に係合しており、パッケ−ジ３５に面一で取付けられて
いる。そして、蓋１５は、空間３６の一方の開口部を塞
いでいる。なお、空間３６の他方の開口部は、金属板３
３と絶縁体３９とによって塞がれている。
【００２５】各半導体装置３２には、第２の金属部材と
しての伝熱板４０が備えられている。この伝熱板４０の
両板面は略平坦に加工されており、一方の板面には金属
板３３及びパッケ−ジ３５が接合されている。また、伝
熱板４０の他方の板面には、隣（図３では右隣）の半導
体装置３２の蓋１５及びパッケ−ジ３５が接合されてい
る。さらに、伝熱板４０とメタライズ電極３４の間は絶
縁体３９によって電気的に絶縁されている。
しての伝熱板４０が備えられている。この伝熱板４０の
両板面は略平坦に加工されており、一方の板面には金属
板３３及びパッケ−ジ３５が接合されている。また、伝
熱板４０の他方の板面には、隣（図３では右隣）の半導
体装置３２の蓋１５及びパッケ−ジ３５が接合されてい
る。さらに、伝熱板４０とメタライズ電極３４の間は絶
縁体３９によって電気的に絶縁されている。
【００２６】なお、伝熱板４０の材質として充分に高い
熱伝導率を有する金属が採用されている。また、伝熱板
４０と金属板３３との接合には、充分な熱伝導性を有す
る接着剤が使用されている。
熱伝導率を有する金属が採用されている。また、伝熱板
４０と金属板３３との接合には、充分な熱伝導性を有す
る接着剤が使用されている。
【００２７】モジュ−ル３１の上面４１と側面４２、４
２（一方のみ図示）には放熱フィン４３、４４が装着さ
れている。さらに、モジュ−ル３１の上面４１と側面４
２には伝熱板４０の端面が露出しており、放熱フィン４
３、４４は伝熱板４０に接触している。
２（一方のみ図示）には放熱フィン４３、４４が装着さ
れている。さらに、モジュ−ル３１の上面４１と側面４
２には伝熱板４０の端面が露出しており、放熱フィン４
３、４４は伝熱板４０に接触している。
【００２８】各半導体素子１２に発生した熱は、金属板
３３を介して伝熱板４０に伝わる。そして、この熱は、
伝熱板４０から放熱フィン４３、４４に伝わり、放熱フ
ィン４３、４４から大気中へ放出される。
３３を介して伝熱板４０に伝わる。そして、この熱は、
伝熱板４０から放熱フィン４３、４４に伝わり、放熱フ
ィン４３、４４から大気中へ放出される。
【００２９】上述のようなモジュ−ル３１によっても、
第１実施例と同様に、放熱特性を損なうことなく半導体
装置３２を密集させることができ、実装効率が向上す
る。さらに、半導体装置３２を並べることにより、モジ
ュ−ル３１と実装基板との接触面積が増す。この結果、
エアブロ−を受けた際に転倒しにくくなる。
第１実施例と同様に、放熱特性を損なうことなく半導体
装置３２を密集させることができ、実装効率が向上す
る。さらに、半導体装置３２を並べることにより、モジ
ュ−ル３１と実装基板との接触面積が増す。この結果、
エアブロ−を受けた際に転倒しにくくなる。
【００３０】また、本実施例では、モジュ−ル３１の一
端側（図３では右側）に伝熱板４０の板面が露出してい
るので、伝熱板４０から直接大気中に放熱でき、より高
い放熱効果が得られる。
端側（図３では右側）に伝熱板４０の板面が露出してい
るので、伝熱板４０から直接大気中に放熱でき、より高
い放熱効果が得られる。
【００３１】なお、本発明は要旨を逸脱しない範囲で種
々に変形することが可能である。例えば、放熱フィン４
３、４４が半導体装置３２毎に分離されていてもよい。
また、半導体素子１２の種類が全て同じであっても、ま
た、互いに異なっていてもよい。
々に変形することが可能である。例えば、放熱フィン４
３、４４が半導体装置３２毎に分離されていてもよい。
また、半導体素子１２の種類が全て同じであっても、ま
た、互いに異なっていてもよい。
【００３２】さらに、本実施例では三つの半導体装置３
２が積層されているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、二つ、或いは、四つ以上の半導体装
置３２を積層しても、同様の効果が得られる。
２が積層されているが、本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、二つ、或いは、四つ以上の半導体装
置３２を積層しても、同様の効果が得られる。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、少なくと
も一対の垂直実装型半導体装置からなり、半導体装置
は、半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−
ジと、一端が上記半導体素子に電気的に接続され他端が
パッケ−ジの実装側端部から露出した端子とを備えた半
導体パッケ−ジモジュ−ルにおいて、各半導体素子を電
気的に絶縁して支持する第１の金属部材と、少なくとも
一対の半導体装置間に介設され少なくとも一方の第１の
金属部材に連設された第２の金属部材と、パッケ−ジの
実装側に対して反対側に露出するともに第２の金属部材
に連設された放熱フィンとを設けたものである。したが
って本発明は、放熱特性を損なうことなく実装効率を向
上できるという効果がある。
も一対の垂直実装型半導体装置からなり、半導体装置
は、半導体素子と、この半導体素子を封止したパッケ−
ジと、一端が上記半導体素子に電気的に接続され他端が
パッケ−ジの実装側端部から露出した端子とを備えた半
導体パッケ−ジモジュ−ルにおいて、各半導体素子を電
気的に絶縁して支持する第１の金属部材と、少なくとも
一対の半導体装置間に介設され少なくとも一方の第１の
金属部材に連設された第２の金属部材と、パッケ−ジの
実装側に対して反対側に露出するともに第２の金属部材
に連設された放熱フィンとを設けたものである。したが
って本発明は、放熱特性を損なうことなく実装効率を向
上できるという効果がある。
【図１】本発明の第１実施例の半導体パッケ−ジモジュ
−ルを示す縦断側面図。
−ルを示す縦断側面図。
【図２】本発明の第１実施例の半導体パッケ−ジモジュ
−ルの一部を示す正面図。
−ルの一部を示す正面図。
【図３】変形例を示す縦断側面図。
【図４】他の変形例を示す縦断側面図。
【図５】本発明の第２実施例の半導体パッケ−ジモジュ
−ルを示す縦断側面図。
−ルを示す縦断側面図。
【図６】本発明の第２実施例の半導体パッケ−ジモジュ
−ルの一部を示す正面図。
−ルの一部を示す正面図。
【図７】一般の垂直実装型半導体パッケ−ジを示す縦断
側面図。
側面図。
【図８】一般の垂直実装型半導体パッケ−ジを示すもの
で、（ａ）は一部を省略した正面図、（ｂ）は側面図。
で、（ａ）は一部を省略した正面図、（ｂ）は側面図。
【図９】一般のＬＣＣを示す断面図。
２…リ−ド（端子）、３…パッケ−ジ、４…パッケ−ジ
の下面（実装側端部）、５…半導体素子、６…金属板
（第１の金属部材）、２１…半導体パッケ−ジモジュ−
ル、２２…半導体装置、２３…伝熱板（第２の金属部
材）、２４…パッケ−ジの上面、２５…パッケ−ジの側
面、２６、２７…放熱フィン、１２…半導体素子、３１
…半導体パッケ−ジモジュ−ル、３２…半導体装置、３
３…金属板（第１の金属部材）、３４…メタライズ電極
（端子）、３５…パッケ−ジ、３７…パッケ−ジの下面
（実装側端部）、４０…伝熱板（第２の金属部材）、４
１…パッケ−ジの上面、４２…パッケ−ジの側面、４
３、４４…放熱フィン。
の下面（実装側端部）、５…半導体素子、６…金属板
（第１の金属部材）、２１…半導体パッケ−ジモジュ−
ル、２２…半導体装置、２３…伝熱板（第２の金属部
材）、２４…パッケ−ジの上面、２５…パッケ−ジの側
面、２６、２７…放熱フィン、１２…半導体素子、３１
…半導体パッケ−ジモジュ−ル、３２…半導体装置、３
３…金属板（第１の金属部材）、３４…メタライズ電極
（端子）、３５…パッケ−ジ、３７…パッケ−ジの下面
（実装側端部）、４０…伝熱板（第２の金属部材）、４
１…パッケ−ジの上面、４２…パッケ−ジの側面、４
３、４４…放熱フィン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 25/11
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも一対の垂直実装型半導体装置
からなり、上記半導体装置は、半導体素子と、この半導
体素子を封止したパッケ−ジと、一端が上記半導体素子
に電気的に接続され他端が上記パッケ−ジの実装側端部
から露出した端子とを備えた半導体パッケ−ジモジュ−
ルにおいて、上記各半導体素子を電気的に絶縁して支持
する第１の金属部材と、少なくとも一対の上記半導体装
置間に介設され少なくとも一方の上記第１の金属部材に
連設された第２の金属部材と、上記パッケ−ジの実装側
に対して反対側に露出するともに上記第２の金属部材に
連設された放熱フィンとを設けたことを特徴とする半導
体パッケ−ジモジュ−ル。 - 【請求項２】 一対の第１の金属部材が一枚の第２の金
属部材に背中合せに連設されていることを特徴とする上
記請求項１記載の半導体パッケ−ジモジュ−ル。 - 【請求項３】 放熱フィンがパッケ−ジの上面と側面に
設けられていることを特徴とする上記請求項１記載の半
導体パッケ−ジモジュ−ル。 - 【請求項４】 端子はリ−ド又はメタライズ電極である
ことを特徴とする上記請求項１記載の半導体パッケ−ジ
モジュ−ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232973A JPH0794669A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体パッケ−ジモジュ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5232973A JPH0794669A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体パッケ−ジモジュ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0794669A true JPH0794669A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16947791
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5232973A Pending JPH0794669A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 半導体パッケ−ジモジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0794669A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990026510A (ko) * | 1997-09-25 | 1999-04-15 | 윤종용 | 외장형 히트 싱크를 구비하는 수직실장형 반도체 패키지 모듈 |
| JP2006080521A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | ミラー構造を有するスタックボードオンチップパッケージ及びそれを装着した両面実装型メモリモジュール |
| JP2006190972A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2009231672A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| US7605456B2 (en) | 2004-06-03 | 2009-10-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Inverter unit |
| JP2010129806A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置および製造方法 |
| JP2011155088A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
| JP2013058809A (ja) * | 2012-12-26 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP5232973A patent/JPH0794669A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990026510A (ko) * | 1997-09-25 | 1999-04-15 | 윤종용 | 외장형 히트 싱크를 구비하는 수직실장형 반도체 패키지 모듈 |
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| JP2006080521A (ja) * | 2004-09-10 | 2006-03-23 | Samsung Electronics Co Ltd | ミラー構造を有するスタックボードオンチップパッケージ及びそれを装着した両面実装型メモリモジュール |
| JP2006190972A (ja) * | 2004-12-08 | 2006-07-20 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
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| JP2010129806A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置および製造方法 |
| JP2011155088A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
| US8610263B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device module |
| JP2013058809A (ja) * | 2012-12-26 | 2013-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
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