JPH0795007A - 帯域通過フィルタ - Google Patents
帯域通過フィルタInfo
- Publication number
- JPH0795007A JPH0795007A JP23377993A JP23377993A JPH0795007A JP H0795007 A JPH0795007 A JP H0795007A JP 23377993 A JP23377993 A JP 23377993A JP 23377993 A JP23377993 A JP 23377993A JP H0795007 A JPH0795007 A JP H0795007A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、マイクロ波回路の帯域通過フィル
タに関し、このフィルタをガリウムひ素電界効果トラン
ジスタと移相器で構成し、小型化を実現し、かつ、ゲー
ト電圧の可変により通過周波数が変化できるようにし、
ドレイン電圧の可変により通過帯域を変化できるように
することを目的とする。 【構成】 入力信号をドレイン２１に接続されたガリウ
ムひ素電界効果トランジスタ１と、このトランジスタ１
のドレイン２１とゲート２３の間に接続されて、入力信
号の位相をほぼ３６０度遅延させ、ゲート信号とドレイ
ン信号を同期させる移相器２を具備し、ゲート信号とド
レイン信号が同期する周波数の信号が、このトランジス
タ１のソース２２へ出力されるよう構成される。
タに関し、このフィルタをガリウムひ素電界効果トラン
ジスタと移相器で構成し、小型化を実現し、かつ、ゲー
ト電圧の可変により通過周波数が変化できるようにし、
ドレイン電圧の可変により通過帯域を変化できるように
することを目的とする。 【構成】 入力信号をドレイン２１に接続されたガリウ
ムひ素電界効果トランジスタ１と、このトランジスタ１
のドレイン２１とゲート２３の間に接続されて、入力信
号の位相をほぼ３６０度遅延させ、ゲート信号とドレイ
ン信号を同期させる移相器２を具備し、ゲート信号とド
レイン信号が同期する周波数の信号が、このトランジス
タ１のソース２２へ出力されるよう構成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マイクロ波回路の帯域
通過フィルタに関し、特に小型化が可能で通過周波数の
変更および通過帯域の変更が容易な帯域通過フィルタに
関する。
通過フィルタに関し、特に小型化が可能で通過周波数の
変更および通過帯域の変更が容易な帯域通過フィルタに
関する。
【０００２】
【従来の技術】帯域通過フィルタは他のマイクロ波回路
部品と同様に小型化が要求されているが、従来はストリ
ップラインの長さや、誘電体の大きさに左右されて、小
型化が容易ではなかった。また通過周波数の変更は困難
であり、変更に当たっては、フィルタを交換しなければ
ならなかった。このため小型で通過周波数および通過帯
域が容易に変更できるフィルタが必要とされている。
部品と同様に小型化が要求されているが、従来はストリ
ップラインの長さや、誘電体の大きさに左右されて、小
型化が容易ではなかった。また通過周波数の変更は困難
であり、変更に当たっては、フィルタを交換しなければ
ならなかった。このため小型で通過周波数および通過帯
域が容易に変更できるフィルタが必要とされている。
【０００３】従来型の帯域通過フィルタの構成が図７か
ら図９に示される。図７はストリップライン型のフィル
タで図８および図９は誘電体フィルタである。図中、３
１および３６はストリップライン、３２および３７は誘
電体基板、３３は誘電体共振器、３４は誘電体共振器の
支持台、３５は接地導体である。図示のようにストリッ
プラインのフィルタはライン長がλ／２（λは波長）に
なっており、３本ライン以上が必要である。
ら図９に示される。図７はストリップライン型のフィル
タで図８および図９は誘電体フィルタである。図中、３
１および３６はストリップライン、３２および３７は誘
電体基板、３３は誘電体共振器、３４は誘電体共振器の
支持台、３５は接地導体である。図示のようにストリッ
プラインのフィルタはライン長がλ／２（λは波長）に
なっており、３本ライン以上が必要である。
【０００４】また、誘電体フィルタはストリップライン
の近辺に支持台に乗せた誘電体共振器を有する構造であ
る。ストリップラインのフィルタを小型化するには誘電
率の高い誘電体基板を使用すればよいが現在の技術では
あまり小型化は望めない。誘電体フィルタにおいても誘
電体共振器をＱの高い誘電体共振器にすればよいが、こ
れも現在の技術ではあまり小型化は望めない。
の近辺に支持台に乗せた誘電体共振器を有する構造であ
る。ストリップラインのフィルタを小型化するには誘電
率の高い誘電体基板を使用すればよいが現在の技術では
あまり小型化は望めない。誘電体フィルタにおいても誘
電体共振器をＱの高い誘電体共振器にすればよいが、こ
れも現在の技術ではあまり小型化は望めない。
【０００５】上述のように、従来型の帯域通過フィルタ
は通過周波数のλ／２の長さのストリップラインや、誘
電体共振器の大きさでフィルタの大きさが決ってしまい
小型化は難しい。また、ストリップラインや誘電体共振
器は固定された回路となっているため、通過周波数や通
過帯域の可変ができない。
は通過周波数のλ／２の長さのストリップラインや、誘
電体共振器の大きさでフィルタの大きさが決ってしまい
小型化は難しい。また、ストリップラインや誘電体共振
器は固定された回路となっているため、通過周波数や通
過帯域の可変ができない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、帯域通過フィルタをガリウムひ素電界効果トランジ
スタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ）と移相器で構成することによ
って、帯域通過フィルタの小型化を実現することにあ
る。そして、さらに、ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート電圧可
変により通過周波数が変化できるようにし、ドレイン電
圧の可変によって、通過帯域を変化できるようにするこ
とにある。
は、帯域通過フィルタをガリウムひ素電界効果トランジ
スタ（ＧａＡｓ ＦＥＴ）と移相器で構成することによ
って、帯域通過フィルタの小型化を実現することにあ
る。そして、さらに、ＧａＡｓ ＦＥＴのゲート電圧可
変により通過周波数が変化できるようにし、ドレイン電
圧の可変によって、通過帯域を変化できるようにするこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明においては、図１
に例示されるように、高周波の入力信号をドレイン２１
に接続されたＧａＡｓ ＦＥＴ１と、ＧａＡｓ ＦＥＴ
１のドレイン２１とゲート２３の間に接続されて、前記
入力信号の位相をほぼ３６０度遅延させ、ゲート信号と
ドレイン信号とを同期させる移相器２を具備し、前記ゲ
ート信号とドレイン信号が同期する周波数の信号がＧａ
Ａｓ ＦＥＴ１のソース２２へ出力されるように構成さ
れる。
に例示されるように、高周波の入力信号をドレイン２１
に接続されたＧａＡｓ ＦＥＴ１と、ＧａＡｓ ＦＥＴ
１のドレイン２１とゲート２３の間に接続されて、前記
入力信号の位相をほぼ３６０度遅延させ、ゲート信号と
ドレイン信号とを同期させる移相器２を具備し、前記ゲ
ート信号とドレイン信号が同期する周波数の信号がＧａ
Ａｓ ＦＥＴ１のソース２２へ出力されるように構成さ
れる。
【０００８】
【作用】上記本発明を用いれば、例えば、ストリップラ
イン帯域通過フィルタの約１／２の大きさとなり小型化
が達成される。また、ゲート電圧の可変により、ＧａＡ
ｓ ＦＥＴ１のゲート・ドレイン間容量（Ｃgd）、ゲー
ト・ソース間容量（Ｃgs）、ドレイン・ソース間容量
（Ｃds）が変化し通過周波数が変り、ドレイン電圧可変
によって、ドレイン・ソース間のコンダクタンスが変化
し、通過帯域が変るようになる。
イン帯域通過フィルタの約１／２の大きさとなり小型化
が達成される。また、ゲート電圧の可変により、ＧａＡ
ｓ ＦＥＴ１のゲート・ドレイン間容量（Ｃgd）、ゲー
ト・ソース間容量（Ｃgs）、ドレイン・ソース間容量
（Ｃds）が変化し通過周波数が変り、ドレイン電圧可変
によって、ドレイン・ソース間のコンダクタンスが変化
し、通過帯域が変るようになる。
【０００９】
【実施例】本発明の第１実施例としての帯域通過フィル
タの回路図が図２に示される。この実施例の帯域通過フ
ィルタ１０は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１と移
相器２５を具備し、移相器２５はストリップラインで構
成されている。帯域通過フィルタ１０の入力端子５はコ
ンデンサを介してＧａＡｓ ＦＥＴ１のドレインへ接続
され、このドレインはインダクタンスを介してドレイン
電圧端子７へ接続される。さらに、このドレインからは
コンデンサ１３を介して移相器２５の一方の端子へ接続
される。移相器２５の他方の端子はＧａＡｓ ＦＥＴ１
のゲートおよび他のインダクタンスを介してゲート電圧
端子８へ接続される。ゲート電圧端子８は他のコンデン
サを介して接地されている。ＧａＡｓ ＦＥＴ１のソー
スは帯域通過フィルタ１０の出力端子６に接続され、出
力端子６はさらに他のインダクタンスと抵抗の直列回路
を介して接地されている。
タの回路図が図２に示される。この実施例の帯域通過フ
ィルタ１０は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１と移
相器２５を具備し、移相器２５はストリップラインで構
成されている。帯域通過フィルタ１０の入力端子５はコ
ンデンサを介してＧａＡｓ ＦＥＴ１のドレインへ接続
され、このドレインはインダクタンスを介してドレイン
電圧端子７へ接続される。さらに、このドレインからは
コンデンサ１３を介して移相器２５の一方の端子へ接続
される。移相器２５の他方の端子はＧａＡｓ ＦＥＴ１
のゲートおよび他のインダクタンスを介してゲート電圧
端子８へ接続される。ゲート電圧端子８は他のコンデン
サを介して接地されている。ＧａＡｓ ＦＥＴ１のソー
スは帯域通過フィルタ１０の出力端子６に接続され、出
力端子６はさらに他のインダクタンスと抵抗の直列回路
を介して接地されている。
【００１０】移相器２５は直線状のストリップラインま
たは複数のコの字状のストリップライン等で構成され、
それぞれの中央部を切断することによって切り離すこと
ができ、所要の遅延時間をもたらす移相器２５が得られ
るようになっている。この移相器２５の遅延時間の調整
により帯域通過フィルタ１０の周波数の粗調整ができ
る。また、ゲート電圧端子８に印加する電圧を可変する
ことによって図５のように帯域通過フィルタの帯域幅を
変えることができる。さらに、ドレイン電圧端子７に印
加する電圧を可変することによって図６のように帯域通
過フィルタの周波数を微調整することができる。
たは複数のコの字状のストリップライン等で構成され、
それぞれの中央部を切断することによって切り離すこと
ができ、所要の遅延時間をもたらす移相器２５が得られ
るようになっている。この移相器２５の遅延時間の調整
により帯域通過フィルタ１０の周波数の粗調整ができ
る。また、ゲート電圧端子８に印加する電圧を可変する
ことによって図５のように帯域通過フィルタの帯域幅を
変えることができる。さらに、ドレイン電圧端子７に印
加する電圧を可変することによって図６のように帯域通
過フィルタの周波数を微調整することができる。
【００１１】ゲート電圧の可変により、ＧａＡｓ ＦＥ
Ｔ１のＣgd，Ｃgs，Ｃdsが変化して通過周波数を可変さ
せ、ドレイン電圧の可変によりＧａＡｓ ＦＥＴ１のド
レイン・ソースコンダクタンスを変化させて通過帯域が
可変される。移相器２５はほぼ３６０度の位相の遅延を
させて、ドレインへ入力される信号とゲートに加えられ
る信号との同期をとり、その周波数の信号を端子６へ出
力し、帯域フィルタを構成する。同期がとれない周波数
はこのフィルタを通過できない。
Ｔ１のＣgd，Ｃgs，Ｃdsが変化して通過周波数を可変さ
せ、ドレイン電圧の可変によりＧａＡｓ ＦＥＴ１のド
レイン・ソースコンダクタンスを変化させて通過帯域が
可変される。移相器２５はほぼ３６０度の位相の遅延を
させて、ドレインへ入力される信号とゲートに加えられ
る信号との同期をとり、その周波数の信号を端子６へ出
力し、帯域フィルタを構成する。同期がとれない周波数
はこのフィルタを通過できない。
【００１２】本発明の第２実施例としての帯域通過フィ
ルタの回路図が図３に示される。この実施例の帯域通過
フィルタ１１は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１と
移相器２６を具備し、移相器２６はダイオード移相器で
構成されている。ダイオード移相器は結合された２つの
コイル（Ｈ：ハイブリッド）の一方にダイオードが接続
されたもので図３の１４で示される２つの端子に電圧を
与え、両者を可変することによって、帯域フィルタの周
波数を粗調整できる。他は第１実施例と同様であるので
説明を省略する。
ルタの回路図が図３に示される。この実施例の帯域通過
フィルタ１１は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１と
移相器２６を具備し、移相器２６はダイオード移相器で
構成されている。ダイオード移相器は結合された２つの
コイル（Ｈ：ハイブリッド）の一方にダイオードが接続
されたもので図３の１４で示される２つの端子に電圧を
与え、両者を可変することによって、帯域フィルタの周
波数を粗調整できる。他は第１実施例と同様であるので
説明を省略する。
【００１３】本発明の第３の実施例としての帯域通過フ
ィルタの回路図が図４に示される。この実施例の帯域通
過フィルタ１２は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１
と移相器２７を具備し、移相器２７は電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）２８で構成されている。ＦＥＴ２８は移
相器２７の一方の端子としてドレインが接続され、他方
の端子としてソースが接続される。ＦＥＴ２８のゲート
は移相器のバイアス端子１４に接続される。バイアス端
子１４に印加する電圧を可変することにより、ＦＥＴの
ドレイン・ソース間の遅延量が変化され帯域通過フィル
タ１２の周波数の粗調整が可能となる。他は第１実施例
と同様であるので説明を省略する。
ィルタの回路図が図４に示される。この実施例の帯域通
過フィルタ１２は主たる要素としてＧａＡｓ ＦＥＴ１
と移相器２７を具備し、移相器２７は電界効果トランジ
スタ（ＦＥＴ）２８で構成されている。ＦＥＴ２８は移
相器２７の一方の端子としてドレインが接続され、他方
の端子としてソースが接続される。ＦＥＴ２８のゲート
は移相器のバイアス端子１４に接続される。バイアス端
子１４に印加する電圧を可変することにより、ＦＥＴの
ドレイン・ソース間の遅延量が変化され帯域通過フィル
タ１２の周波数の粗調整が可能となる。他は第１実施例
と同様であるので説明を省略する。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、帯域通過フィルタをＧ
ａＡｓ ＦＥＴと移相器で構成することによって、小型
化を実現することができる。そして、さらにＧａＡｓ
ＦＥＴのゲート電源可変により通過周波数が変化でき、
ドレイン電圧の可変によって通過帯域を変化することが
できる。
ａＡｓ ＦＥＴと移相器で構成することによって、小型
化を実現することができる。そして、さらにＧａＡｓ
ＦＥＴのゲート電源可変により通過周波数が変化でき、
ドレイン電圧の可変によって通過帯域を変化することが
できる。
【図１】本発明の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の第１実施例の帯域通過フィルタの回路
図である。
図である。
【図３】本発明の第２実施例の帯域通過フィルタの回路
図である。
図である。
【図４】本発明の第３実施例の帯域通過フィルタの回路
図である。
図である。
【図５】実施例におけるゲート電圧可変による挿入損失
の周波数変化を示す特性図である。
の周波数変化を示す特性図である。
【図６】実施例におけるドレイン電圧可変による挿入損
失の周波数帯域変化を示す特性図である。
失の周波数帯域変化を示す特性図である。
【図７】従来型のストリップライン型フィルタの平面図
である。
である。
【図８】従来型の誘電体フィルタの平面図である。
【図９】従来型の誘電体フィルタの図８におけるＡ方向
側面図である。
側面図である。
１…ＧａＡｓ ＦＥＴ ２…移相器 ５…信号入力端子 ６…信号出力端子 ７…ドレイン電圧端子 ８…ゲート電圧端子 １０，１１，１２…帯域通過フィルタ １３…コンデンサ １４…移相器のバイアス端子 ２１…ドレイン ２２…ソース ２３…ゲート ２５，２６，２７…移相器 ２８…ＦＥＴ ３１…マイクロストリップライン ３２…誘電体基板 ３３…誘電体共振器 ３４…支持台 ３５…接地導体 ３６…マイクロストリップライン ３７…誘電体基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 渡辺 伸 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 入力信号をドレイン（２１）に接続され
たガリウムひ素電界効果トランジスタ（１）と、前記ガ
リウムひ素電界効果トランジスタ（１）のドレイン（２
１）とゲート（２３）の間に接続されて、入力信号の位
相をほぼ３６０度遅延させ、ゲート信号とドレイン信号
を同期させる移相器（２）を具備し、前記ゲート信号と
ドレイン信号が同期する周波数の信号が、前記ガリウム
ひ素電界効果トランジスタ（１）のソース（２２）へ出
力されることを特徴とする帯域通過フィルタ。 - 【請求項２】 前記ガリウムひ素電界効果トランジスタ
（１）のゲート電圧を変化させることにより通過周波数
を可変することを特徴とする請求項１の帯域通過フィル
タ。 - 【請求項３】 前記ガリウムひ素電界効果トランジスタ
（１）のドレイン電圧を変化させることにより通過帯域
を可変することを特徴とする請求項１の帯域通過フィル
タ。 - 【請求項４】 前記移相器（２）をストリップラインで
構成し、前記ストリップラインの形状を変化させること
により通過周波数を可変することを特徴とする請求項１
の帯域通過フィルタ。 - 【請求項５】 前記移相器（２）をダイオード移相器で
構成し、前記ダイオード移相器のバイアス電圧を変化さ
せることにより通過周波数を可変することを特徴とする
請求項１の帯域通過フィルタ。 - 【請求項６】 前記移相器（２）を他の電界効果トラン
ジスタ（２８）で構成し、前記電界効果トランジスタ
（２８）のゲート電圧を変化させることにより通過周波
数を可変することを特徴とする請求項１の帯域通過フィ
ルタ。 - 【請求項７】 前記請求項１の帯域通過フィルタを集積
回路で構成したことを特徴とする集積回路化された帯域
通過フィルタ。 - 【請求項８】 前記請求項１の帯域通過フィルタを多段
接続し、通過帯域を狭帯域にすることを特徴とする帯域
通過フィルタの使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23377993A JPH0795007A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 帯域通過フィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23377993A JPH0795007A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 帯域通過フィルタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0795007A true JPH0795007A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=16960442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23377993A Withdrawn JPH0795007A (ja) | 1993-09-20 | 1993-09-20 | 帯域通過フィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795007A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173868A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変減衰器 |
| KR100715559B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-05-08 | 고려대학교 산학협력단 | 액티브 소자를 이용한 브로드밴드 밴드패스필터 |
-
1993
- 1993-09-20 JP JP23377993A patent/JPH0795007A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006173868A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 可変減衰器 |
| KR100715559B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-05-08 | 고려대학교 산학협력단 | 액티브 소자를 이용한 브로드밴드 밴드패스필터 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20001128 |