JPH0795505B2 - 接合ウエーハの製造方法 - Google Patents
接合ウエーハの製造方法Info
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- JPH0795505B2 JPH0795505B2 JP2045778A JP4577890A JPH0795505B2 JP H0795505 B2 JPH0795505 B2 JP H0795505B2 JP 2045778 A JP2045778 A JP 2045778A JP 4577890 A JP4577890 A JP 4577890A JP H0795505 B2 JPH0795505 B2 JP H0795505B2
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、２枚の単結晶シリコンウエーハを接合一体化
して成る接合ウエーハの製造方法に関する。
して成る接合ウエーハの製造方法に関する。
（従来の技術） 従来、誘電体基板上に単結晶半導体薄膜を形成する方法
としは、単結晶サファイア基板上に単結晶シリコン（S
i）膜等をエピタキシャル成長させる技術が良く知られ
ているが、この技術においては、基板誘電体と気相成長
されるシリコン単結晶との間に格子定数の不一致がある
ため、シリコン気相成長層に多数の結晶欠陥が発生し、
このために該技術は実用性に乏しい。
としは、単結晶サファイア基板上に単結晶シリコン（S
i）膜等をエピタキシャル成長させる技術が良く知られ
ているが、この技術においては、基板誘電体と気相成長
されるシリコン単結晶との間に格子定数の不一致がある
ため、シリコン気相成長層に多数の結晶欠陥が発生し、
このために該技術は実用性に乏しい。
又、シリコン基板表面上に熱酸化膜を形成し、この熱酸
化膜上に多結晶状若しくはアモルファス状のシリコン膜
を被着し、これに電子線或いはレーザー光線等のエネル
ギービームを線状に、且つ一方向に照射して該シリコン
膜を線状に融解、冷却及び固化することによって、全体
を単結晶の薄膜とする技術も良く知られている。
化膜上に多結晶状若しくはアモルファス状のシリコン膜
を被着し、これに電子線或いはレーザー光線等のエネル
ギービームを線状に、且つ一方向に照射して該シリコン
膜を線状に融解、冷却及び固化することによって、全体
を単結晶の薄膜とする技術も良く知られている。
ところで、熱酸化膜上のシリコン多結晶膜をレーザー光
線等で単結晶膜化する技術は、例えば特公昭62−34716
号公報に開示されている。この技術においては、単結晶
シリコン基板の端部にこれと一体に連続する単結晶突部
を設け、これを核として多結晶膜の単結晶化を試みてい
るが、溶融シリコンの酸化膜との相互作用によって部分
的には単結晶化が可能であるものの、実用に耐え得るシ
リコン単結晶膜は得難いのが実情である。
線等で単結晶膜化する技術は、例えば特公昭62−34716
号公報に開示されている。この技術においては、単結晶
シリコン基板の端部にこれと一体に連続する単結晶突部
を設け、これを核として多結晶膜の単結晶化を試みてい
るが、溶融シリコンの酸化膜との相互作用によって部分
的には単結晶化が可能であるものの、実用に耐え得るシ
リコン単結晶膜は得難いのが実情である。
そこで近年、SOI（Si On Insulator）構造のウエーハが
特に注目されるに至った。この接合ウエーハは、２枚の
半導体ウエーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウ
エーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これ
ら２枚の半導体ウエーハを前記酸化膜が中間層になるよ
うにして重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接
着し、その上層のウエーハ（以下、ボンドウエーハと称
する）を研磨加工してこれを薄膜化することによって得
られる。
特に注目されるに至った。この接合ウエーハは、２枚の
半導体ウエーハの少なくとも一方を酸化処理してそのウ
エーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、これ
ら２枚の半導体ウエーハを前記酸化膜が中間層になるよ
うにして重ね合わせた後、所定温度に加熱して両者を接
着し、その上層のウエーハ（以下、ボンドウエーハと称
する）を研磨加工してこれを薄膜化することによって得
られる。
（発明が解決しようとする課題） ところで、接合ウエーハにおいては、両ウエーハの結合
強度が全接着面に亘って高いことが必要であり、結合強
度が不十分であると接合界面にボイドと称される未結合
領域が生じ、製品の歩留りが悪くなるという問題が発生
していた。尚、ボイドの検出方法としては、赤外線透過
法、超音波探傷法、Ｘ線ラング法等が知られている。
強度が全接着面に亘って高いことが必要であり、結合強
度が不十分であると接合界面にボイドと称される未結合
領域が生じ、製品の歩留りが悪くなるという問題が発生
していた。尚、ボイドの検出方法としては、赤外線透過
法、超音波探傷法、Ｘ線ラング法等が知られている。
又、接合ウエーハの製造工程においては、ウエーハ表面
に被着された酸化膜を除去するために、例えばフッ化水
素液を用いたエッチングが実施されるが、接合界面のエ
ッチング液（フッ化水素液）に対する耐浸食性が高くな
ければ、デバイス工程においてボンドウエーハ上に形成
されるパターンに剥がれが発生する不具合があった。
に被着された酸化膜を除去するために、例えばフッ化水
素液を用いたエッチングが実施されるが、接合界面のエ
ッチング液（フッ化水素液）に対する耐浸食性が高くな
ければ、デバイス工程においてボンドウエーハ上に形成
されるパターンに剥がれが発生する不具合があった。
さらに、シリコンウエーハの場合、その単結晶と酸化膜
（SiO2）では熱収縮率（熱膨張率）に差があるため、こ
れら単結晶面と酸化膜面とを接触させて接合ウエーハと
すると、該接合ウエーハに残留応力が蓄積されので、接
合ウエーハに撓み変形（反り）が発生する問題もあっ
た。
（SiO2）では熱収縮率（熱膨張率）に差があるため、こ
れら単結晶面と酸化膜面とを接触させて接合ウエーハと
すると、該接合ウエーハに残留応力が蓄積されので、接
合ウエーハに撓み変形（反り）が発生する問題もあっ
た。
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、その第１
の目的は、結合強度及び、接合界面のエッチング液に対
する耐浸食性が高い接合ウエーハを得ることができる接
合ウエーハの製造方法を提供することにある。
の目的は、結合強度及び、接合界面のエッチング液に対
する耐浸食性が高い接合ウエーハを得ることができる接
合ウエーハの製造方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、前記反りのない接合ウエーハを
提供することにある。
提供することにある。
（課題を解決するための手段） 上記第１の目的を達成するべく請求項１に記載の接合ウ
エーハの製造方法は、いずれも単結晶シリコンからなる
第１鏡面ウエーハと第２鏡面ウエーハとを用意し、第２
鏡面ウエーハの片面鏡面側に酸化膜を形成し、第２鏡面
ウエーハを、前記酸化膜が中間層になるように第１鏡面
ウエーハの鏡面に重ね合わせた後、これら第１、第２鏡
面ウエーハをN2雰囲気中又は酸化性雰囲気中で1100℃〜
1200℃に加熱して両者を接着した後、第２鏡面ウエーハ
における第１鏡面ウエーハとの接着面と反対側の面を研
磨して第２鏡面ウエーハを薄膜化することを特徴とす
る。
エーハの製造方法は、いずれも単結晶シリコンからなる
第１鏡面ウエーハと第２鏡面ウエーハとを用意し、第２
鏡面ウエーハの片面鏡面側に酸化膜を形成し、第２鏡面
ウエーハを、前記酸化膜が中間層になるように第１鏡面
ウエーハの鏡面に重ね合わせた後、これら第１、第２鏡
面ウエーハをN2雰囲気中又は酸化性雰囲気中で1100℃〜
1200℃に加熱して両者を接着した後、第２鏡面ウエーハ
における第１鏡面ウエーハとの接着面と反対側の面を研
磨して第２鏡面ウエーハを薄膜化することを特徴とす
る。
又、上記第２の目的を達成するための、請求項２に記載
の接合ウエーハの製造方法は、請求項１の方法におい
て、前記加熱処理を酸化性雰囲気中で行い、第１及び第
２鏡面ウエーハの、前記接着面を除く全表面に酸化膜を
形成することを特徴とする。
の接合ウエーハの製造方法は、請求項１の方法におい
て、前記加熱処理を酸化性雰囲気中で行い、第１及び第
２鏡面ウエーハの、前記接着面を除く全表面に酸化膜を
形成することを特徴とする。
（作用） 第１、第２鏡面ウエーハを、酸化膜を介して接着するパ
ターンとしては、 第１鏡面ウエーハ（接合ウエーハにおいて、主として
機械的強度を与える保護用ウエーハであって、以下、ベ
ースウエーハと称する）のみに酸化膜を形成し、この酸
化膜を介してベースウエーハに第２鏡面ウエーハ（接合
ウエーハにおいて、薄膜化され、デバイスが形成される
ウエーハであって、ボンドウエーハと称する）を接着す
るもの、 逆に、ボンドウエーハのみに酸化膜を形成し、この酸
化膜を介して両ウエーハを接着するもの、 両ウエーハに酸化膜を形成し、これらの酸化膜を介し
て両ウエーハを接着するもの、 が考えられる。
ターンとしては、 第１鏡面ウエーハ（接合ウエーハにおいて、主として
機械的強度を与える保護用ウエーハであって、以下、ベ
ースウエーハと称する）のみに酸化膜を形成し、この酸
化膜を介してベースウエーハに第２鏡面ウエーハ（接合
ウエーハにおいて、薄膜化され、デバイスが形成される
ウエーハであって、ボンドウエーハと称する）を接着す
るもの、 逆に、ボンドウエーハのみに酸化膜を形成し、この酸
化膜を介して両ウエーハを接着するもの、 両ウエーハに酸化膜を形成し、これらの酸化膜を介し
て両ウエーハを接着するもの、 が考えられる。
本発明者らは、上記パターンの違いが接合ウエーハにお
ける両ウエーハの結合機構、延いては両ウエーハの結合
強度、及び接合界面のエッチング液に対する耐浸食性に
影響を及ぼすものとの見地に立って種々実験した結果、
本発明方法（請求項１）のように、ボンドウエーハの片
面鏡面側のみに酸化膜を形成し、かつN2雰囲気中又は酸
化性雰囲気中で所定温度に加熱して両者を接合すれば、
該接合ウエーハにおいて高い接合強度及び上記耐浸食性
が得られることを見い出した。
ける両ウエーハの結合機構、延いては両ウエーハの結合
強度、及び接合界面のエッチング液に対する耐浸食性に
影響を及ぼすものとの見地に立って種々実験した結果、
本発明方法（請求項１）のように、ボンドウエーハの片
面鏡面側のみに酸化膜を形成し、かつN2雰囲気中又は酸
化性雰囲気中で所定温度に加熱して両者を接合すれば、
該接合ウエーハにおいて高い接合強度及び上記耐浸食性
が得られることを見い出した。
又、前記加熱処理を酸化性雰囲気中で行い、ボンドウエ
ーハ及びベースウエーハの、前記接着面を除く全表面に
酸化膜を形成する（請求項２）ことにより、接合ウエー
ハの反りを防止できることが判った。
ーハ及びベースウエーハの、前記接着面を除く全表面に
酸化膜を形成する（請求項２）ことにより、接合ウエー
ハの反りを防止できることが判った。
（実施例） 以下に、本発明の一実施例を添付図面に基づいて説明す
る。第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る接合ウエー
ハの製造方法を工程順に示す説明図である。
る。第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明に係る接合ウエー
ハの製造方法を工程順に示す説明図である。
第１図（ａ）に示すように、素子形成面となるべき単結
晶シリコンからなるボンドウエーハ１と、ベース材とな
るべき同じく単結晶シリコンからなるベースウエーハ２
とを用意する。そして、ボンドウエーハ１を酸化処理し
て、その片側の鏡面に（図面下側の面）に厚さ約500nm
のSiO2酸化膜３を形成する。
晶シリコンからなるボンドウエーハ１と、ベース材とな
るべき同じく単結晶シリコンからなるベースウエーハ２
とを用意する。そして、ボンドウエーハ１を酸化処理し
て、その片側の鏡面に（図面下側の面）に厚さ約500nm
のSiO2酸化膜３を形成する。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ベースウエーハ２の
上にボンドウエーハ１を重ね合わせて一体化する。
上にボンドウエーハ１を重ね合わせて一体化する。
次に、第１図（ｃ）に示すように、これら一体化された
ウエーハ1,2を酸化性雰囲気中で約1100℃の温度で約120
分間、熱酸化処理することによって、ウエーハ1,2を接
着するとともに、両ウエーハ1,2の全表面（前記接着面
を除く）に厚さ約500nmのSiO2酸化膜４を形成する。
ウエーハ1,2を酸化性雰囲気中で約1100℃の温度で約120
分間、熱酸化処理することによって、ウエーハ1,2を接
着するとともに、両ウエーハ1,2の全表面（前記接着面
を除く）に厚さ約500nmのSiO2酸化膜４を形成する。
次に、上記接合一体化されたウエーハ1,2を冷却した
後、第１図（ｄ）に示すように、上層のボンドウエーハ
１の表面が所定の研磨代（例えば、３μｍ）を残して所
定の厚さt1（例えば、６μｍ）になるまでプレ研磨（１
次研磨）する。
後、第１図（ｄ）に示すように、上層のボンドウエーハ
１の表面が所定の研磨代（例えば、３μｍ）を残して所
定の厚さt1（例えば、６μｍ）になるまでプレ研磨（１
次研磨）する。
この場合、前述のように単結晶シリコンから成るウエー
ハ1,2の熱収縮率（熱膨張率）の方がSiO2酸化膜3,4のそ
れよりも大きいため、酸化膜４形成後の接合一体化ウエ
ーハを冷却した時点でウエーハ1,2に残留応力が蓄積す
る。
ハ1,2の熱収縮率（熱膨張率）の方がSiO2酸化膜3,4のそ
れよりも大きいため、酸化膜４形成後の接合一体化ウエ
ーハを冷却した時点でウエーハ1,2に残留応力が蓄積す
る。
然るに、本実施例では、上記プレ研磨が終了した時点で
ベースウエーハ２の上下面は略同一厚さ（約500nm）の
酸化膜3,4によって被われるため、該ベースウエーハ２
の上下面における残留応力分布が略等しくなり、上下面
の熱収縮量が略同一となって接合一体化ウエーハの撓み
変形が防止される。
ベースウエーハ２の上下面は略同一厚さ（約500nm）の
酸化膜3,4によって被われるため、該ベースウエーハ２
の上下面における残留応力分布が略等しくなり、上下面
の熱収縮量が略同一となって接合一体化ウエーハの撓み
変形が防止される。
次に、前述のようにプレ研磨された厚さt1のボンドウエ
ーハ１（第１図（ｄ）参照）を、２次研磨によって厚さ
t2（例えば、３μｍ）まで研磨して薄膜化し、これによ
って第１図（ｅ）に示すような接合ウエーハ５を得る。
ーハ１（第１図（ｄ）参照）を、２次研磨によって厚さ
t2（例えば、３μｍ）まで研磨して薄膜化し、これによ
って第１図（ｅ）に示すような接合ウエーハ５を得る。
以上のようにして得られた接合ウエーハ５の結合強度を
調べるために、接着時の加熱温度900℃、1000℃、1100
℃、1200℃で各２時間加熱処理して得られた接合ウエー
ハを複数用意し、各接合ウエーハの引張り接着強度を、
引張り試験機で測定した。この場合、ボンドウエーハ１
の上面とベースウエーハ２の下面を、接着剤により前記
試験機の引張り用部材に固定した。その結果を第２図
（ｃ）に示す。
調べるために、接着時の加熱温度900℃、1000℃、1100
℃、1200℃で各２時間加熱処理して得られた接合ウエー
ハを複数用意し、各接合ウエーハの引張り接着強度を、
引張り試験機で測定した。この場合、ボンドウエーハ１
の上面とベースウエーハ２の下面を、接着剤により前記
試験機の引張り用部材に固定した。その結果を第２図
（ｃ）に示す。
又、上記本発明の実施例に対する比較例として、同じ加
熱条件下で、ウエーハ間に酸化膜を介在させないで直接
接合して得られた接合ウエーハと、両ウエーハにそれぞ
れ厚さ500nmの酸化膜を形成し、この酸化膜を介して両
ウエーハを接合して得られた接合ウエーハとを用意し、
これらの接合ウエーハについて、同様に引張り接着強度
の試験を行った。その結果を第２図（ａ）、（ｂ）に示
す。尚、第２図中、●印は両ウエーハ接合界面が剥離し
たときの値を示し、○印は接合ウエーハが前記引張り試
験機の引張り用部材から剥離（接着剤剥離）したときの
値を示す。
熱条件下で、ウエーハ間に酸化膜を介在させないで直接
接合して得られた接合ウエーハと、両ウエーハにそれぞ
れ厚さ500nmの酸化膜を形成し、この酸化膜を介して両
ウエーハを接合して得られた接合ウエーハとを用意し、
これらの接合ウエーハについて、同様に引張り接着強度
の試験を行った。その結果を第２図（ａ）、（ｂ）に示
す。尚、第２図中、●印は両ウエーハ接合界面が剥離し
たときの値を示し、○印は接合ウエーハが前記引張り試
験機の引張り用部材から剥離（接着剤剥離）したときの
値を示す。
さらに第２図中、「酸化膜0/0nm」は両ウエーハ間に酸
化膜が存在しない場合を、「酸化膜500/500nm」は両ウ
エーハにそれぞれ厚さ500nmの酸化膜を形成した場合
を、「500/0nm」は、ボンドウエーハのみに厚さ500nmの
酸化膜を形成した場合（本発明の実施例）を、それぞれ
示している。
化膜が存在しない場合を、「酸化膜500/500nm」は両ウ
エーハにそれぞれ厚さ500nmの酸化膜を形成した場合
を、「500/0nm」は、ボンドウエーハのみに厚さ500nmの
酸化膜を形成した場合（本発明の実施例）を、それぞれ
示している。
第２図（ｃ）から明らかなように、本発明方法により、
ボンドウエーハのみに酸化膜を形成し、温度1100℃〜12
00℃に加熱した場合には600kg/cm2以上の高い結合強度
が得られる。
ボンドウエーハのみに酸化膜を形成し、温度1100℃〜12
00℃に加熱した場合には600kg/cm2以上の高い結合強度
が得られる。
そして、第２図に示される結果から、各品種の接合ウエ
ーハの結合強度に対する評価を各加熱温度毎に下すと、
第３図に示すような結果となる。尚、第３図中、○印は
良、△印は可、×印は不可をそれぞれ示す。
ーハの結合強度に対する評価を各加熱温度毎に下すと、
第３図に示すような結果となる。尚、第３図中、○印は
良、△印は可、×印は不可をそれぞれ示す。
而して、以上の結果を総合すると、本発明方法のように
ボンドウエーハの片側鏡面のみに酸化膜を形成し、接着
時に1100℃〜1200℃に加熱すれば、高い結合強度（600k
g/cm2以上）が得られることが判った。
ボンドウエーハの片側鏡面のみに酸化膜を形成し、接着
時に1100℃〜1200℃に加熱すれば、高い結合強度（600k
g/cm2以上）が得られることが判った。
一方、上記各品種の接合ウエーハについて、接合界面の
エッチング液（フッ化水素液）に対する耐浸食性試験を
した結果、本発明方法によって得られた接合ウエーハに
は高い耐浸食性が確保されることが判った。尚、他の接
合ウエーハ（両ウエーハ間に酸化膜が介在しないもの、
及び両ウエーハに酸化膜を形成したもの）においては、
満足すべき耐浸食性が得られなかった。
エッチング液（フッ化水素液）に対する耐浸食性試験を
した結果、本発明方法によって得られた接合ウエーハに
は高い耐浸食性が確保されることが判った。尚、他の接
合ウエーハ（両ウエーハ間に酸化膜が介在しないもの、
及び両ウエーハに酸化膜を形成したもの）においては、
満足すべき耐浸食性が得られなかった。
ところで、本発明方法によって得られた接合ウエーハ５
にあっては、その厚さの大部分を占めるベースウエーハ
２の撓み変形が前述のように防止されるため、該接合ウ
エーハ５は反りの無い、平坦度合の高いものとなり、次
工程以降における当該接合ウエーハ５の真空吸着が確実
に行われる等の効果が得られる。
にあっては、その厚さの大部分を占めるベースウエーハ
２の撓み変形が前述のように防止されるため、該接合ウ
エーハ５は反りの無い、平坦度合の高いものとなり、次
工程以降における当該接合ウエーハ５の真空吸着が確実
に行われる等の効果が得られる。
接合界面のエッチング液に対する耐久性を調べるため
に、前述の接合ウエーハ（第２図（ｂ）及び（ｃ）に示
すもの）を薄刃、例えば80μｍの外周式ダイヤモンドス
ライサーで切断して、それぞれの接合ウエーハから約2m
m角のペレットを20個ずつ用意し、これらを濃度25％で
温度25℃のフッ化水素酸水溶液中で20分間放置し、水
洗、乾燥後、その接合状況を調べた。即ち、ピンセット
で軽くボンドウエーハ側及びベースウエーハ側を反対方
向に引張ったところ、第２図（ｂ）に示す接合ウエーハ
からのペレットでは、その約半数が接合界面でボンドウ
エーハとベースウエーハに分離した。これに対し、本発
明に係る第２図（ｃ）に示す接合ウエーハからのペレッ
トでは、上記のような破壊は全く発生しなかった。
に、前述の接合ウエーハ（第２図（ｂ）及び（ｃ）に示
すもの）を薄刃、例えば80μｍの外周式ダイヤモンドス
ライサーで切断して、それぞれの接合ウエーハから約2m
m角のペレットを20個ずつ用意し、これらを濃度25％で
温度25℃のフッ化水素酸水溶液中で20分間放置し、水
洗、乾燥後、その接合状況を調べた。即ち、ピンセット
で軽くボンドウエーハ側及びベースウエーハ側を反対方
向に引張ったところ、第２図（ｂ）に示す接合ウエーハ
からのペレットでは、その約半数が接合界面でボンドウ
エーハとベースウエーハに分離した。これに対し、本発
明に係る第２図（ｃ）に示す接合ウエーハからのペレッ
トでは、上記のような破壊は全く発生しなかった。
更に、上記水洗、乾燥後の接合ウエーハの接合界面を顕
微鏡で観察したところ、第２図（ｃ）に示す接合ウエー
ハからのペレットにおいては、ベースウエーハと酸化膜
との接合界面でも、その中央部ではエッチング液による
腐食が進んでいなかった。
微鏡で観察したところ、第２図（ｃ）に示す接合ウエー
ハからのペレットにおいては、ベースウエーハと酸化膜
との接合界面でも、その中央部ではエッチング液による
腐食が進んでいなかった。
本発明方法により得られた接合ウエーハは、ボンドウエ
ーハに例えば集積回路素子が公知の方法で形成される場
合、中間の酸化膜を熱酸化で形成するならば、ベースウ
エーハに当該酸化膜が形成されるのと比較して、ボンド
ウエーハにおける、集積回路素子の形成される領域の片
面が、誘電体である酸化膜によって完全に被覆されてい
るため、当該集積回路素子の耐絶縁特性、その他の電気
特性が良好に実現できる。
ーハに例えば集積回路素子が公知の方法で形成される場
合、中間の酸化膜を熱酸化で形成するならば、ベースウ
エーハに当該酸化膜が形成されるのと比較して、ボンド
ウエーハにおける、集積回路素子の形成される領域の片
面が、誘電体である酸化膜によって完全に被覆されてい
るため、当該集積回路素子の耐絶縁特性、その他の電気
特性が良好に実現できる。
（発明の効果） 以上の説明では明らかの如く、請求項１に記載の接合ウ
エーハの製造方法によれば、結合強度、及び接合界面の
エッチング液に対する耐浸食性が高く、集積回路素子用
の基板として優れた接合ウエーハを得ることができる効
果がある。
エーハの製造方法によれば、結合強度、及び接合界面の
エッチング液に対する耐浸食性が高く、集積回路素子用
の基板として優れた接合ウエーハを得ることができる効
果がある。
また、請求項２に記載の接合ウエーハの製造方法によれ
ば、反りのない接合ウエーハが得られる効果がある。
ば、反りのない接合ウエーハが得られる効果がある。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の実施例に係る接合ウ
エーハの製造方法をその工程順に示す説明図、第２図及
び第３図は、上記実施例で得られたウエーハ及び比較例
で得られた接合ウエーハについての引張り接着強度の試
験結果を示す図である。 １……ボンドウエーハ（第２鏡面ウエーハ）、２……ベ
ースウエーハ（第１鏡面ウエーハ）、3,4……酸化膜、
５……接合ウエーハ。
エーハの製造方法をその工程順に示す説明図、第２図及
び第３図は、上記実施例で得られたウエーハ及び比較例
で得られた接合ウエーハについての引張り接着強度の試
験結果を示す図である。 １……ボンドウエーハ（第２鏡面ウエーハ）、２……ベ
ースウエーハ（第１鏡面ウエーハ）、3,4……酸化膜、
５……接合ウエーハ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉沢 克夫 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 木田 隆広 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (72)発明者 深美 正雄 長野県更埴市大字屋代1393番地 長野電子 工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−62511（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】いずれも単結晶シリコンからなる第１鏡面
ウエーハと第２鏡面ウエーハとを用意し、第２鏡面ウエ
ーハの片面鏡面側に酸化膜を形成し、第２鏡面ウエーハ
を、前記酸化膜が中間層になるように第１鏡面ウエーハ
の鏡面に重ね合わせた後、これら第１、第２鏡面ウエー
ハをN2雰囲気中又は酸化性雰囲気中で1100℃〜1200℃に
加熱して両者を接着した後、第２鏡面ウエーハにおける
第１鏡面ウエーハとの接着面と反対側の面を研磨して第
２鏡面ウエーハを薄膜化することを特徴とする接合ウエ
ーハの製造方法。 - 【請求項２】前記加熱処理を酸化性雰囲気中で行い、第
１及び第２鏡面ウエーハの、前記接着面を除く全表面に
酸化膜を形成することを特徴とする請求項１に記載の接
合ウエーハの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045778A JPH0795505B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 接合ウエーハの製造方法 |
| DE69126153T DE69126153T2 (de) | 1990-02-28 | 1991-02-28 | Verfahren zur Herstellung von verbundenen Halbleiterplättchen |
| EP91301680A EP0444943B1 (en) | 1990-02-28 | 1991-02-28 | A method of manufacturing a bonded wafer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2045778A JPH0795505B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 接合ウエーハの製造方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9209954A Division JP3030545B2 (ja) | 1997-07-19 | 1997-07-19 | 接合ウエーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03250617A JPH03250617A (ja) | 1991-11-08 |
| JPH0795505B2 true JPH0795505B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=12728752
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2045778A Expired - Lifetime JPH0795505B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | 接合ウエーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795505B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07183477A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Corp | 半導体基板の製造方法 |
| JP3422225B2 (ja) * | 1997-07-08 | 2003-06-30 | 三菱住友シリコン株式会社 | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 |
| JP4830290B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2011-12-07 | 信越半導体株式会社 | 直接接合ウェーハの製造方法 |
| JP6558355B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2019-08-14 | 信越半導体株式会社 | Ｓｏｉウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5013155A (ja) * | 1973-06-06 | 1975-02-12 | ||
| JPS6050970A (ja) * | 1983-08-31 | 1985-03-22 | Toshiba Corp | 半導体圧力変換器 |
| JPS615544A (ja) * | 1984-06-19 | 1986-01-11 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2596784B2 (ja) * | 1988-03-12 | 1997-04-02 | 富士通株式会社 | 貼り合わせｓｏｉ基板の検査方法 |
| JP2763107B2 (ja) * | 1988-05-30 | 1998-06-11 | 株式会社東芝 | 誘電体分離半導体基板およびその製造方法 |
| JPH02238663A (ja) * | 1989-03-10 | 1990-09-20 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0362511A (ja) * | 1989-07-31 | 1991-03-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2045778A patent/JPH0795505B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03250617A (ja) | 1991-11-08 |
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