JPH0795506B2 - Ｘ線露光用マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線露光用マスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0795506B2 JPH0795506B2 JP30123086A JP30123086A JPH0795506B2 JP H0795506 B2 JPH0795506 B2 JP H0795506B2 JP 30123086 A JP30123086 A JP 30123086A JP 30123086 A JP30123086 A JP 30123086A JP H0795506 B2 JPH0795506 B2 JP H0795506B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resin
- absorber
- mask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＸ線露光用マスクに係り、特に１μｍ以下の微
小寸法のＸ線吸収体パターンを簡便にかつ再現性良く作
製するに好適なＸ線露光用マスクおよびその作製方法に
関する。
小寸法のＸ線吸収体パターンを簡便にかつ再現性良く作
製するに好適なＸ線露光用マスクおよびその作製方法に
関する。
Ｘ線露光においてＸ線を遮へいする吸収体パターンの精
度はパターンの転写精度を決める直接的な因子であり、
その精度はきわめて重要である。特にパターン寸法が１
μｍ以下となるとき、吸収体パターンは平面的のみなら
ず立体的にも精度良く形成する必要がある。すなわち、
１μｍ以下のパターンにおいて吸収体パターンの側面に
テーパが発生するとそのテーパ部分でＸ線は透過し、パ
ターン転写精度は著しく劣化する。したがつて、吸収体
パターンの側面は垂直に形成する必要がある。
度はパターンの転写精度を決める直接的な因子であり、
その精度はきわめて重要である。特にパターン寸法が１
μｍ以下となるとき、吸収体パターンは平面的のみなら
ず立体的にも精度良く形成する必要がある。すなわち、
１μｍ以下のパターンにおいて吸収体パターンの側面に
テーパが発生するとそのテーパ部分でＸ線は透過し、パ
ターン転写精度は著しく劣化する。したがつて、吸収体
パターンの側面は垂直に形成する必要がある。
この目的のために、従来メツキ法を用いた吸収体パター
ン作製方法が提案されている。〔ジー・イー・ジヨージ
オ エト アル エスピーアイイー（G.E.Georgiou et
al,SPIE）471巻第96頁（1984）〕。その概略を第２図に
より説明する。Ｘ線を透過する支持膜１の上にメツキ用
電極６を積層し、その上にメツキ用マスクパターン２を
形成する（同図（ａ））。次にAuメツキを行いマスクパ
ターン間にAu7を析出させる（同図（ｂ））。しかる
後、マスクパターン２を除去し（同図（ｃ））、さらに
メツキ用電極６を露光した部分を除去し吸収体パターン
７を得る（同図（ｄ））。
ン作製方法が提案されている。〔ジー・イー・ジヨージ
オ エト アル エスピーアイイー（G.E.Georgiou et
al,SPIE）471巻第96頁（1984）〕。その概略を第２図に
より説明する。Ｘ線を透過する支持膜１の上にメツキ用
電極６を積層し、その上にメツキ用マスクパターン２を
形成する（同図（ａ））。次にAuメツキを行いマスクパ
ターン間にAu7を析出させる（同図（ｂ））。しかる
後、マスクパターン２を除去し（同図（ｃ））、さらに
メツキ用電極６を露光した部分を除去し吸収体パターン
７を得る（同図（ｄ））。
この方法によればメツキ用マスクパターン２の側面を垂
直に形成することで吸収体パターン７の側面を垂直にす
ることができる。
直に形成することで吸収体パターン７の側面を垂直にす
ることができる。
このように、メツキ法を用いた従来の方法によれば、パ
ターン側面を垂直にすることが可能である。しかし、こ
の方法では作製工程が複雑になるとともに微小寸法のパ
ターンを均一性良く作製することは容易ではない。すな
わち、0.5μｍ以下の微小領域にAuを均一性良く電着さ
せるためにはメツキ条件を詳細に制御する必要があり、
再現性に問題がある。また、このメツキ法を用いた従来
の方法では工程が複雑となり、作製したＸ線マスクは高
価格となる。
ターン側面を垂直にすることが可能である。しかし、こ
の方法では作製工程が複雑になるとともに微小寸法のパ
ターンを均一性良く作製することは容易ではない。すな
わち、0.5μｍ以下の微小領域にAuを均一性良く電着さ
せるためにはメツキ条件を詳細に制御する必要があり、
再現性に問題がある。また、このメツキ法を用いた従来
の方法では工程が複雑となり、作製したＸ線マスクは高
価格となる。
本発明の目的は、パターン側面が垂直でかつ微小寸法の
吸収体パターンを簡便にかつ再現性良く作製することに
ある。
吸収体パターンを簡便にかつ再現性良く作製することに
ある。
本発明においてはこのため第１図に示す方法により吸収
体パターンを作製する。すなわち、側面の垂直な樹脂パ
ターン２を作製した後（同図（ａ））、マスク全面にAu
3,3′を被着する（同図（ｂ））。ここでAuは蒸着ある
いはスパツタにより被着する。次いでマスク全面に樹脂
膜４を塗布する（同図（ｃ））。このとき樹脂膜４の表
面は樹脂溶液の流動性によりほぼ平坦となる。次いでAr
イオン５を用いたイオンエツチングにより樹脂膜４およ
び樹脂パターン２の上のAu3′をエツチングする。この
とき樹脂パターンの間のAu3はエツチングされずに残
り、このAuパターンが吸収体パターンとなる。
体パターンを作製する。すなわち、側面の垂直な樹脂パ
ターン２を作製した後（同図（ａ））、マスク全面にAu
3,3′を被着する（同図（ｂ））。ここでAuは蒸着ある
いはスパツタにより被着する。次いでマスク全面に樹脂
膜４を塗布する（同図（ｃ））。このとき樹脂膜４の表
面は樹脂溶液の流動性によりほぼ平坦となる。次いでAr
イオン５を用いたイオンエツチングにより樹脂膜４およ
び樹脂パターン２の上のAu3′をエツチングする。この
とき樹脂パターンの間のAu3はエツチングされずに残
り、このAuパターンが吸収体パターンとなる。
ここでAuは蒸着法あるいはスパツタにより被着されるた
め下地基板に忠実に堆積される。したがつて樹脂パター
ンの間隔がどのように小さくてもAuはその領域に堆積さ
れる。このように本発明によればメツキ法では困難であ
つた0.5μｍ以下の微小寸法吸収体のパターンも容易に
作製することができる。また、本発明に用いる樹脂パタ
ーンは電子線描画あるいは多層レジスト法により作製
し、きわめて高精度でありかつパターン側面は垂直とな
つている。したがつて本発明により得られた吸収体パタ
ーンは側面が垂直でかつ高精度のパターンとなる。
め下地基板に忠実に堆積される。したがつて樹脂パター
ンの間隔がどのように小さくてもAuはその領域に堆積さ
れる。このように本発明によればメツキ法では困難であ
つた0.5μｍ以下の微小寸法吸収体のパターンも容易に
作製することができる。また、本発明に用いる樹脂パタ
ーンは電子線描画あるいは多層レジスト法により作製
し、きわめて高精度でありかつパターン側面は垂直とな
つている。したがつて本発明により得られた吸収体パタ
ーンは側面が垂直でかつ高精度のパターンとなる。
さらに本発明において、樹脂パターン作製後は蒸着、高
分子樹脂塗布およびイオンエツチングという簡便でかつ
再現性の良いプロセスを用いている。またイオンエツチ
ング後残る樹脂パターン２は軽い元素よりなりＸ線を透
過する。したがつてそのまま残しておくことができ、プ
ロセスは簡便となる。このように本発明によれば簡便で
かつ再現性の良いプロセスにより吸収体パターンを作製
することができる。
分子樹脂塗布およびイオンエツチングという簡便でかつ
再現性の良いプロセスを用いている。またイオンエツチ
ング後残る樹脂パターン２は軽い元素よりなりＸ線を透
過する。したがつてそのまま残しておくことができ、プ
ロセスは簡便となる。このように本発明によれば簡便で
かつ再現性の良いプロセスにより吸収体パターンを作製
することができる。
実施例１ 以下、本発明の一実施例を第１図により説明する。
Ｘ線マスク用支持膜１としてBN膜（膜厚0.5μｍ）を化
学気相成長法により形成する。次に、ポリイミド膜を下
層樹脂層（膜厚1.5μｍ）、Tiを中間層（膜厚0.1μｍ）
PMMA（ポリメチルメタクリレート）を上層レジスト層
（膜厚0.8μｍ）とし電子線描画を用いた３層レジスト
プロセスにより樹脂パターン２を得た。
学気相成長法により形成する。次に、ポリイミド膜を下
層樹脂層（膜厚1.5μｍ）、Tiを中間層（膜厚0.1μｍ）
PMMA（ポリメチルメタクリレート）を上層レジスト層
（膜厚0.8μｍ）とし電子線描画を用いた３層レジスト
プロセスにより樹脂パターン２を得た。
次に真空蒸着によりAu/Mo3および３′（膜厚0.8μm/0.0
2μm;Moは下地との接着層）を蒸着し、さらに樹脂膜４
としてノボラツク系レジスト（膜厚２μｍ）を塗布ベー
クにより形成した。しかる後Arイオン５を用いたイオン
ミリングにより樹脂膜４および樹脂パターン上のAu3′
をエツチングする。ここでエツチングの終点は樹脂パタ
ーン上のAu3′が消失した時点とするが、その判定は目
視により容易に行うことができる。また、このとき樹脂
パターン間のAu3はエツチングされずに残り、このAuパ
ターン３が吸収体パターンとなる。
2μm;Moは下地との接着層）を蒸着し、さらに樹脂膜４
としてノボラツク系レジスト（膜厚２μｍ）を塗布ベー
クにより形成した。しかる後Arイオン５を用いたイオン
ミリングにより樹脂膜４および樹脂パターン上のAu3′
をエツチングする。ここでエツチングの終点は樹脂パタ
ーン上のAu3′が消失した時点とするが、その判定は目
視により容易に行うことができる。また、このとき樹脂
パターン間のAu3はエツチングされずに残り、このAuパ
ターン３が吸収体パターンとなる。
実施例２ 実施例１の樹脂パターンに代わり本実施例ではSiO2パタ
ーンを用いた。このSiO2パターンの作製は以下の手順に
よる。化学気相成長法により膜厚1.5μｍのSiO2膜を形
成する。次いで電子線描画により形成したNPR（日立化
成（株）の商品名）をマスクにSiO2のエツチングを行
う。エツチングはCF4系ガスを用いた反応性イオンエツ
チング（RIE）により行い、得られたSiO2パターンはパ
ターン側面が垂直である。
ーンを用いた。このSiO2パターンの作製は以下の手順に
よる。化学気相成長法により膜厚1.5μｍのSiO2膜を形
成する。次いで電子線描画により形成したNPR（日立化
成（株）の商品名）をマスクにSiO2のエツチングを行
う。エツチングはCF4系ガスを用いた反応性イオンエツ
チング（RIE）により行い、得られたSiO2パターンはパ
ターン側面が垂直である。
また、本実施例では吸収体として先の実施例のAuに代わ
りMoを用いた。Mo膜の被着には電子ビーム蒸着装置を用
い、膜厚は１μｍとした。SiO2パターンの上にMo膜を被
着した後、実施例１と同様の方法により吸収体パターン
３を得た。
りMoを用いた。Mo膜の被着には電子ビーム蒸着装置を用
い、膜厚は１μｍとした。SiO2パターンの上にMo膜を被
着した後、実施例１と同様の方法により吸収体パターン
３を得た。
このように本実施例では樹脂パターンに代わりSiO2パタ
ーンを用いた。これはSiO2が軽い元素よりなりＸ線が透
過しやすいことと、SiO2が容易にエツチングされた微細
加工に好適な材料であることによる。このような条件を
満足する材料としては他にSiNあるいはSiがある。また
吸収体として本実施例ではMoを用いた。これはMoが重い
元素でありＸ線に対する阻止能に優れていること、およ
びイオンエツチングによるエツチングが容易にできるこ
とによる。このような条件を満足する材料として他にP
t,W,Ta,Ag,Pd,Nb,Zn,Cm,Ni,Co,Feあるいはこれらの合金
がある。
ーンを用いた。これはSiO2が軽い元素よりなりＸ線が透
過しやすいことと、SiO2が容易にエツチングされた微細
加工に好適な材料であることによる。このような条件を
満足する材料としては他にSiNあるいはSiがある。また
吸収体として本実施例ではMoを用いた。これはMoが重い
元素でありＸ線に対する阻止能に優れていること、およ
びイオンエツチングによるエツチングが容易にできるこ
とによる。このような条件を満足する材料として他にP
t,W,Ta,Ag,Pd,Nb,Zn,Cm,Ni,Co,Feあるいはこれらの合金
がある。
実施例３ 本実施例では吸収体として回転塗布およびベークにより
形成したTaOxを用いた。TaOxは有機Ta化合物溶液（例え
ばアトロンTa:日本曹達社商品名）を塗布した後300℃の
ベーク処理を空気中で行い酸化物とした。また、その膜
厚は１μｍとした。
形成したTaOxを用いた。TaOxは有機Ta化合物溶液（例え
ばアトロンTa:日本曹達社商品名）を塗布した後300℃の
ベーク処理を空気中で行い酸化物とした。また、その膜
厚は１μｍとした。
吸収体となるTaOx膜形成以外の工程は実施例１と同様で
ある。
ある。
本発明によればパターン側面が垂直でかつ高精度の樹脂
パターン等を用いて、そのパターンに忠実に吸収体パタ
ーンを作製することができる。したがつて得られた吸収
体パターンはパターン側面が垂直でかつ高精度のパター
ンとなる。このように本発明による吸収体パターンを用
いればＸ線露光における0.5μｍ以下の微小寸法パター
ンの形成も可能となる。
パターン等を用いて、そのパターンに忠実に吸収体パタ
ーンを作製することができる。したがつて得られた吸収
体パターンはパターン側面が垂直でかつ高精度のパター
ンとなる。このように本発明による吸収体パターンを用
いればＸ線露光における0.5μｍ以下の微小寸法パター
ンの形成も可能となる。
第１図は本発明の実施例を示す工程図、第２図は従来の
方法を示す工程図である。 １……支持膜、２……樹脂パターン、3,3′……Ｘ線吸
収体、４……高分子樹脂、５……Arイオン、６……メツ
キ用電極、７……Auメツキ。
方法を示す工程図である。 １……支持膜、２……樹脂パターン、3,3′……Ｘ線吸
収体、４……高分子樹脂、５……Arイオン、６……メツ
キ用電極、７……Auメツキ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−16423（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−170530（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−61633（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】Ｘ線露光用マスクにおいて、支持膜上に樹
脂パターンを作製する工程と、 Auを蒸着あるいはスパッタによりマスク全面に被着する
工程と、 該マスク全面に樹脂膜を塗布する工程と、 不活性ガスを用いたイオンエッチングにより上記樹脂膜
および上記樹脂パターン上のAuをエッチングする工程か
ら成ることを特徴とするＸ線露光用マスクの製造方法
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30123086A JPH0795506B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30123086A JPH0795506B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63155618A JPS63155618A (ja) | 1988-06-28 |
| JPH0795506B2 true JPH0795506B2 (ja) | 1995-10-11 |
Family
ID=17894340
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30123086A Expired - Lifetime JPH0795506B2 (ja) | 1986-12-19 | 1986-12-19 | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0795506B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6436018A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Nippon Telegraph & Telephone | Mask for x-ray exposure |
| JP2519374Y2 (ja) * | 1990-06-22 | 1996-12-04 | ダイソー株式会社 | 鋼板処理用電極 |
| US5318687A (en) * | 1992-08-07 | 1994-06-07 | International Business Machines Corporation | Low stress electrodeposition of gold for X-ray mask fabrication |
| JP2002246299A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Oki Electric Ind Co Ltd | 反射型露光マスク、反射型露光マスクの製造方法、及び半導体素子 |
| JP4952767B2 (ja) * | 2009-10-26 | 2012-06-13 | Ｔｄｋ株式会社 | ラジアルリード電子部品 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5516423A (en) * | 1978-07-22 | 1980-02-05 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Forming method of thick metal film pattern |
| JPS57170530A (en) * | 1981-04-13 | 1982-10-20 | Nec Corp | Manufacture of x-ray exposure mask |
| JPS5861633A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 金属パタ−ン形成法 |
-
1986
- 1986-12-19 JP JP30123086A patent/JPH0795506B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63155618A (ja) | 1988-06-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7220371B2 (en) | Wire grid polarizer and method for producing same | |
| US4773971A (en) | Thin film mandrel | |
| DE3853204T2 (de) | Träger für Röntgenmaske, Röntgenmaske und Röntgenbelichtungsverfahren mit dieser Maske. | |
| KR900003254B1 (ko) | X-선 노출 마스크 | |
| JPH0795506B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| EP1494965B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche | |
| JPS60108851A (ja) | Ｘ線リソグラフイ用のマスクの製造方法 | |
| JP2694140B2 (ja) | Ｘ線マスク及びその製造方法 | |
| JPH087225A (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPS61173250A (ja) | フオトマスク材料 | |
| JPS63140530A (ja) | Ｘ線マスク | |
| JPH0391237A (ja) | 蒸着用マスク | |
| CN102608862A (zh) | 制备大高宽比结构器件的方法 | |
| JPH05326381A (ja) | 両面吸収体ｘ線マスクの製造方法 | |
| JPH02252229A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS62158324A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH03182752A (ja) | 露光用マスクの作成方法 | |
| JPS59213131A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS63166226A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPH0294421A (ja) | Ｘ線露光マスク | |
| JPS61245161A (ja) | Ｘ線用マスクの製造方法 | |
| JPH02251851A (ja) | フォトマスク | |
| JPS6376324A (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 | |
| JPS6116526A (ja) | パタ−ン形成方法 | |
| JPS6050333B2 (ja) | Ｘ線露光用マスクの製造方法 |