JPH087225A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気変換素子を配置する凹部の深さ及びパタ
ーンを高精度で画定できると共に、再付着によるパター
ン精度の低下を防止できる工業的生産性に優れた薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 基板１の一面上に金属膜２を付着した後、基
板１の表面が凹部のパターンに対応したパターン５で露
出するように、金属膜２をパターンニングする。この
後、基板１を選択的にエッチングするエッチング液７中
に基板１を浸漬し、金属膜２をマスクとして、基板１の
表面に凹部６を形成する。
ーンを高精度で画定できると共に、再付着によるパター
ン精度の低下を防止できる工業的生産性に優れた薄膜磁
気ヘッドの製造方法を提供する。 【構成】 基板１の一面上に金属膜２を付着した後、基
板１の表面が凹部のパターンに対応したパターン５で露
出するように、金属膜２をパターンニングする。この
後、基板１を選択的にエッチングするエッチング液７中
に基板１を浸漬し、金属膜２をマスクとして、基板１の
表面に凹部６を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板の一面上に凹部を設け、凹部上に磁
気変換素子を形成した薄膜磁気ヘッド、及び、凹部の形
成方法は既に知られている。例えば、特開昭６０ー１９
３１１４号公報はブレードを用いた機械加工によって凹
部を形成する手段を開示している。また、特開平１ー２
１１３１１号公報は、基板上にレジストを塗布した後、
基板を加熱してレジストをフローさせ、次にこのレジス
トをマスクにし、イオンビームエッチングまたはＨＦ及
びＨＮＯ3の混合エッチング液を用いて基板をエッチン
グし、凹部を形成する技術を開示している。
気変換素子を形成した薄膜磁気ヘッド、及び、凹部の形
成方法は既に知られている。例えば、特開昭６０ー１９
３１１４号公報はブレードを用いた機械加工によって凹
部を形成する手段を開示している。また、特開平１ー２
１１３１１号公報は、基板上にレジストを塗布した後、
基板を加熱してレジストをフローさせ、次にこのレジス
トをマスクにし、イオンビームエッチングまたはＨＦ及
びＨＮＯ3の混合エッチング液を用いて基板をエッチン
グし、凹部を形成する技術を開示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、基板の一面
上に凹部を設ける場合、凹部の深さ及びパターン精度
が、その上に形成される磁気変換素子の特性に直接に関
与することから、深さをコントロールできること、ま
た、凹部のパターン精度を高精度で画定できること、凹
部形成工程において基板から生じることのある飛沫の再
付着を確実に防止し、再付着によるパターン精度の低下
を防止できること、及び、工業的生産性を考慮した場
合、凹部形成に要するエッチングスピードが速いこと等
が、極めて重要である。
上に凹部を設ける場合、凹部の深さ及びパターン精度
が、その上に形成される磁気変換素子の特性に直接に関
与することから、深さをコントロールできること、ま
た、凹部のパターン精度を高精度で画定できること、凹
部形成工程において基板から生じることのある飛沫の再
付着を確実に防止し、再付着によるパターン精度の低下
を防止できること、及び、工業的生産性を考慮した場
合、凹部形成に要するエッチングスピードが速いこと等
が、極めて重要である。
【０００４】ところが、上述した従来技術は、これらの
要求を満たすのに充分ではなかった。例えば、特開昭６
０ー１９３１１４号公報に開示された技術は、機械加工
であるために、この種の技術において要求される精度を
もって、凹部の深さをコントロールすることが困難であ
る。特開平１ー２１１３１１号公報に開示された技術
は、パターンニングマスクをレジストによって構成する
ため、パターン形状不良を生じ易い。イオンビームエッ
チングによって凹部を形成するため、再付着によるパタ
ーン精度の低下、パターン形状不良等を生じ易いこと、
エッチング速度が遅いこと等の難点がある。
要求を満たすのに充分ではなかった。例えば、特開昭６
０ー１９３１１４号公報に開示された技術は、機械加工
であるために、この種の技術において要求される精度を
もって、凹部の深さをコントロールすることが困難であ
る。特開平１ー２１１３１１号公報に開示された技術
は、パターンニングマスクをレジストによって構成する
ため、パターン形状不良を生じ易い。イオンビームエッ
チングによって凹部を形成するため、再付着によるパタ
ーン精度の低下、パターン形状不良等を生じ易いこと、
エッチング速度が遅いこと等の難点がある。
【０００５】本発明の課題は、磁気変換素子を配置する
凹部の深さを確実にコントロールし得る薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することである。
凹部の深さを確実にコントロールし得る薄膜磁気ヘッド
の製造方法を提供することである。
【０００６】本発明のもう一つの課題は、凹部のパター
ンを高精度で画定し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することである。
ンを高精度で画定し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することである。
【０００７】本発明の更にもう一つの課題は、再付着に
よるパターン精度の低下を招くことのない薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することである。
よるパターン精度の低下を招くことのない薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することである。
【０００８】本発明の更にもう一つの課題は、工業的生
産性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
である。
産性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、基板の一面上に凹部を有し、前記凹部上
に磁気変換素子またはその構成部分を形成した薄膜磁気
ヘッドを製造するに当り、次の第１の工程及び第２の工
程を含む。
め、本発明は、基板の一面上に凹部を有し、前記凹部上
に磁気変換素子またはその構成部分を形成した薄膜磁気
ヘッドを製造するに当り、次の第１の工程及び第２の工
程を含む。
【００１０】まず、第１の工程は、前記基板の表面上に
金属膜を付着した後、前記凹部パターンに対応したパタ
ーンで前記基板の表面が露出するように、前記金属膜を
パターンニングする工程である。
金属膜を付着した後、前記凹部パターンに対応したパタ
ーンで前記基板の表面が露出するように、前記金属膜を
パターンニングする工程である。
【００１１】第２工程は、前記第１の工程の後に、前記
基板を選択的にエッチングするエッチング液中に前記基
板を浸漬し、前記金属膜をマスクとして、前記基板の表
面に前記凹部を形成する工程である。
基板を選択的にエッチングするエッチング液中に前記基
板を浸漬し、前記金属膜をマスクとして、前記基板の表
面に前記凹部を形成する工程である。
【００１２】一般的にいって、基板は、Al2O3、SiO2等の
金属酸化物系セラミック材料でなる。好ましくは、前記
第１の工程は、化学的エッチングにより前記金属膜をパ
ターンイングする工程を含む。本発明によって得られる
前記凹部は、内側面が５度〜７５度の傾斜角度を有する
斜面あることが望ましい。前記磁気変換素子は、具体例
として、磁気コア、コイル膜及びギャップ膜を含む誘導
型素子であり、前記磁気コアの一部が前記凹部内に付着
されている。
金属酸化物系セラミック材料でなる。好ましくは、前記
第１の工程は、化学的エッチングにより前記金属膜をパ
ターンイングする工程を含む。本発明によって得られる
前記凹部は、内側面が５度〜７５度の傾斜角度を有する
斜面あることが望ましい。前記磁気変換素子は、具体例
として、磁気コア、コイル膜及びギャップ膜を含む誘導
型素子であり、前記磁気コアの一部が前記凹部内に付着
されている。
【００１３】
【作用】第２工程は、第１の工程によって付与された金
属膜、及び、基板のうち、基板を選択的にエッチングす
るエッチング液中に基板を浸漬し、金属膜をマスクとし
て、基板の表面に凹部を形成する工程であるから、磁気
変換素子またはその構成部分、例えばリード部もしくは
静電破壊防止パターンを配置すべき凹部の深さ及び傾斜
角度を、エッチング液の液温、組成等をコントロールす
ることにより、確実にコントロールし得る。
属膜、及び、基板のうち、基板を選択的にエッチングす
るエッチング液中に基板を浸漬し、金属膜をマスクとし
て、基板の表面に凹部を形成する工程であるから、磁気
変換素子またはその構成部分、例えばリード部もしくは
静電破壊防止パターンを配置すべき凹部の深さ及び傾斜
角度を、エッチング液の液温、組成等をコントロールす
ることにより、確実にコントロールし得る。
【００１４】第１の工程において、基板の一面上に金属
膜を付着した後、基板の表面が凹部パターンに対応した
パターンで露出するように、金属膜をパターンニングし
てあり、この金属膜をマスクとして用いるから、レジス
トパターンマスクを用いる従来例と比較して、凹部のパ
ターンを高精度で画定し得る。また、金属膜の上記特性
のために、凹部の深さと傾斜角度を高精度で広範囲に制
御することが可能になる。
膜を付着した後、基板の表面が凹部パターンに対応した
パターンで露出するように、金属膜をパターンニングし
てあり、この金属膜をマスクとして用いるから、レジス
トパターンマスクを用いる従来例と比較して、凹部のパ
ターンを高精度で画定し得る。また、金属膜の上記特性
のために、凹部の深さと傾斜角度を高精度で広範囲に制
御することが可能になる。
【００１５】凹部のパターンは、エッチング液を用いた
ウエットエッチングによって形成されるから、イオンビ
ームエッチング等のドライエッチングと異なって、再付
着によるパターン精度の低下を招くことがない。
ウエットエッチングによって形成されるから、イオンビ
ームエッチング等のドライエッチングと異なって、再付
着によるパターン精度の低下を招くことがない。
【００１６】更に、凹部のパターンは、エッチング液を
用いたウエットエッチングによって形成されるから、エ
ッチング速度が、イオンビームエッチング等のドライエ
ッチングと比較して、一桁以上速くなる。しかもバッチ
生産等も可能である。このため、工業的生産性が著しく
向上する。
用いたウエットエッチングによって形成されるから、エ
ッチング速度が、イオンビームエッチング等のドライエ
ッチングと比較して、一桁以上速くなる。しかもバッチ
生産等も可能である。このため、工業的生産性が著しく
向上する。
【００１７】
【実施例】図１〜図１０は本発明に係る薄膜磁気ヘッド
の製造工程を逐次的に説明する図である。基板の一面上
に凹部を有し、凹部上に磁気変換素子を形成した薄膜磁
気ヘッドを製造するに当り、第１の工程及び第２の工程
を含む。凹部は磁気変換素子そのものに限らず、例えば
リード部もしくは静電破壊防止パターンのために備えら
れることもある。第１の工程は図１〜図６に示されてお
り、基板の一面上に金属膜を付着した後、凹部パターン
に対応したパターンで、基板の表面が露出するように、
金属膜をパターンニングする工程を含む。まず、図１に
示すように基板１を用意する。基板１は、表面層１１が
金属酸化物セラミック材料、例えば、Al2O3、SiO2等で
成る。基板１は、通常は、ウエハーとして与えられ、Al
2O3-TiCでなる基体１２の上に前述した表面層１１を積
層して設けた構造となっている。表面層１１は例えば５
μｍ〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
の製造工程を逐次的に説明する図である。基板の一面上
に凹部を有し、凹部上に磁気変換素子を形成した薄膜磁
気ヘッドを製造するに当り、第１の工程及び第２の工程
を含む。凹部は磁気変換素子そのものに限らず、例えば
リード部もしくは静電破壊防止パターンのために備えら
れることもある。第１の工程は図１〜図６に示されてお
り、基板の一面上に金属膜を付着した後、凹部パターン
に対応したパターンで、基板の表面が露出するように、
金属膜をパターンニングする工程を含む。まず、図１に
示すように基板１を用意する。基板１は、表面層１１が
金属酸化物セラミック材料、例えば、Al2O3、SiO2等で
成る。基板１は、通常は、ウエハーとして与えられ、Al
2O3-TiCでなる基体１２の上に前述した表面層１１を積
層して設けた構造となっている。表面層１１は例えば５
μｍ〜２０μｍ程度の膜厚を有する。
【００１８】次に、図２に示すように、基板１の表面層
１１の一面上に金属膜２を付着させる。金属膜２は例え
ばチタンまたはパーマロイ等の膜である。このような金
属膜２はスパッタ、蒸着、メッキまたはそれらの併用に
よって形成できる。メッキを用いる場合、電気メッキに
限らず、無電解メッキ法を用いることもできる。
１１の一面上に金属膜２を付着させる。金属膜２は例え
ばチタンまたはパーマロイ等の膜である。このような金
属膜２はスパッタ、蒸着、メッキまたはそれらの併用に
よって形成できる。メッキを用いる場合、電気メッキに
限らず、無電解メッキ法を用いることもできる。
【００１９】次に、図３に示すように、金属膜２の表面
に、感光性レジスト膜３を付着させる。レジスト膜３は
ネガ、ポジの何れのタイプであってもく、従来より知ら
れた感光性レジストを広く用いることができる。その付
着に当っては、スピンコート法等を用いることができ
る。
に、感光性レジスト膜３を付着させる。レジスト膜３は
ネガ、ポジの何れのタイプであってもく、従来より知ら
れた感光性レジストを広く用いることができる。その付
着に当っては、スピンコート法等を用いることができ
る。
【００２０】次に、フォトリソグラフィ工程により、レ
ジスト膜３を露光し、現像し、図４に示すように、必要
な凹部パターンに対応したパターン４を形成する。この
パターン４の内部に金属膜３が露出する。
ジスト膜３を露光し、現像し、図４に示すように、必要
な凹部パターンに対応したパターン４を形成する。この
パターン４の内部に金属膜３が露出する。
【００２１】次に、図５に示すように、感光性レジスト
膜３によって囲まれているパターン４内の金属膜３を、
パターン４に沿ってエッチングし、それによって、基板
１の表面を露出させるパターン５を形成する。金属膜３
はイオンミリングまたはイオンビームエッチングによる
ドライエッチング、化学的エッチング液を用いたウエッ
トエッチングによってパターンニングできる。エッチン
グ速度が早いという利点を活かす場合はウエットエッチ
ングを用いることが望ましい。
膜３によって囲まれているパターン４内の金属膜３を、
パターン４に沿ってエッチングし、それによって、基板
１の表面を露出させるパターン５を形成する。金属膜３
はイオンミリングまたはイオンビームエッチングによる
ドライエッチング、化学的エッチング液を用いたウエッ
トエッチングによってパターンニングできる。エッチン
グ速度が早いという利点を活かす場合はウエットエッチ
ングを用いることが望ましい。
【００２２】この後、選択された感光性レジスト膜３に
適した溶剤を用いて、図６に示すように感光性レジスト
膜３を除去する。
適した溶剤を用いて、図６に示すように感光性レジスト
膜３を除去する。
【００２３】第２工程は、図７〜図１０に図示されてお
り、第１の工程の後に、金属膜２及び基板１のうち、基
板１を選択的にエッチングするエッチング液中に基板１
を浸漬して、基板１の表面に凹部６を形成する工程を含
む。即ち、図７に示すように、金属膜３によるパターン
５を有する基板１を、金属膜２及び基板１のうち、基板
１を選択的にエッチングするエッチング液７中に浸漬す
る。この浸漬により、金属膜２をマスクとして、パター
ン５に従った凹部６が形成される。凹部６の深さｄは、
例えば数μｍ程度である。エッチング液７はアルカリ、
酸の何れのタイプであってもよい。凹部６を形成すべき
基板１の表面層１１が、前述したように、Al2O3、SiO2
等の金属酸化物系セラミック材料でなる場合に適したエ
ッチング液７としては、Ca(OH ）2溶液、KOH溶液またはN
aOH溶液等を挙げることができる。
り、第１の工程の後に、金属膜２及び基板１のうち、基
板１を選択的にエッチングするエッチング液中に基板１
を浸漬して、基板１の表面に凹部６を形成する工程を含
む。即ち、図７に示すように、金属膜３によるパターン
５を有する基板１を、金属膜２及び基板１のうち、基板
１を選択的にエッチングするエッチング液７中に浸漬す
る。この浸漬により、金属膜２をマスクとして、パター
ン５に従った凹部６が形成される。凹部６の深さｄは、
例えば数μｍ程度である。エッチング液７はアルカリ、
酸の何れのタイプであってもよい。凹部６を形成すべき
基板１の表面層１１が、前述したように、Al2O3、SiO2
等の金属酸化物系セラミック材料でなる場合に適したエ
ッチング液７としては、Ca(OH ）2溶液、KOH溶液またはN
aOH溶液等を挙げることができる。
【００２４】ここで、第２工程は、第１の工程によって
付与された金属膜３、及び、基板１のうち、基板１を選
択的にエッチングするエッチング液７中に基板１を浸漬
し、金属膜３をマスクとして、基板１の表面に凹部６を
形成する工程であるから、磁気変換素子を配置する凹部
６の深さｄは、エッチング液７の液温、組成等をコント
ロールすることにより、確実にコントロールし得る。図
１１は、エッチング液７として上述した組成の溶液を用
いた場合の液温とエッチング速度との関係を示す図であ
る。図１１から明らかなように、液温が高くなるにつれ
てエッチング速度が大きくなるから、液温をコントロー
ルすることにより、単位時間当りのエッチング深さをコ
ントロールできる。また、エッチング時間をコントロー
ルすることにより、エッチング量をコントロールでき
る。
付与された金属膜３、及び、基板１のうち、基板１を選
択的にエッチングするエッチング液７中に基板１を浸漬
し、金属膜３をマスクとして、基板１の表面に凹部６を
形成する工程であるから、磁気変換素子を配置する凹部
６の深さｄは、エッチング液７の液温、組成等をコント
ロールすることにより、確実にコントロールし得る。図
１１は、エッチング液７として上述した組成の溶液を用
いた場合の液温とエッチング速度との関係を示す図であ
る。図１１から明らかなように、液温が高くなるにつれ
てエッチング速度が大きくなるから、液温をコントロー
ルすることにより、単位時間当りのエッチング深さをコ
ントロールできる。また、エッチング時間をコントロー
ルすることにより、エッチング量をコントロールでき
る。
【００２５】しかも、第１の工程において、基板１の一
面上に金属膜２を付着した後、基板１の表面が凹部パタ
ーンに対応したパターンで露出するように、金属膜２を
パターンニングしてあるから、レジストパターンマスク
を用いる従来例と比較して、凹部６のパターンを高精度
で画定し得る。金属膜２を用いた場合は、ウエットエッ
チング工程の間に生じるパターン精度の低下が、レジス
トマスクの場合よりも小さくなるからである。また、金
属膜２の上記特性のために、凹部６の深さと傾斜角度を
制御することが可能になる。
面上に金属膜２を付着した後、基板１の表面が凹部パタ
ーンに対応したパターンで露出するように、金属膜２を
パターンニングしてあるから、レジストパターンマスク
を用いる従来例と比較して、凹部６のパターンを高精度
で画定し得る。金属膜２を用いた場合は、ウエットエッ
チング工程の間に生じるパターン精度の低下が、レジス
トマスクの場合よりも小さくなるからである。また、金
属膜２の上記特性のために、凹部６の深さと傾斜角度を
制御することが可能になる。
【００２６】更に、凹部６のパターンは、エッチング液
７を用いたウエットエッチングによって形成されるか
ら、イオンビームエッチング等のドライエッチングと異
なって、再付着によるパターン精度の低下を招くことが
ない。
７を用いたウエットエッチングによって形成されるか
ら、イオンビームエッチング等のドライエッチングと異
なって、再付着によるパターン精度の低下を招くことが
ない。
【００２７】更に、エッチング液を用いたウエットエッ
チングは、エッチングスピードが、イオンビームエッチ
ング等のドライエッチングと比較して一桁以上速くな
る。しかもバッチ生産等も可能である。このため、工業
的生産性が著しく向上する。
チングは、エッチングスピードが、イオンビームエッチ
ング等のドライエッチングと比較して一桁以上速くな
る。しかもバッチ生産等も可能である。このため、工業
的生産性が著しく向上する。
【００２８】上記エッチングによって形成される凹部６
の内側面６１は、凹部６内に磁気変換素子の磁気コアの
一部を付着させる場合、望ましい磁気回路特性を得るた
めに、傾斜角度θが５〜９０度の範囲、好ましくは、４
５〜７５度となるように設定する。凹部６の内部に磁気
コアの一部で下部磁性膜を形成するような場合、内側面
６１に角度を付けることにより、先端部の絞り込みが急
峻になり、漏洩磁界の減少と、強い書き込み磁界が得ら
れ、甲密度記録が可能になる。特に、傾斜角度４５〜７
５度の範囲は、漏洩磁界減少と、強い書き込み磁界の増
強及び傾斜部パターンニングの容易さの観点から、好ま
しい。この傾斜角度θは、エッチング速度をコントロー
ルすることによって調整できる。
の内側面６１は、凹部６内に磁気変換素子の磁気コアの
一部を付着させる場合、望ましい磁気回路特性を得るた
めに、傾斜角度θが５〜９０度の範囲、好ましくは、４
５〜７５度となるように設定する。凹部６の内部に磁気
コアの一部で下部磁性膜を形成するような場合、内側面
６１に角度を付けることにより、先端部の絞り込みが急
峻になり、漏洩磁界の減少と、強い書き込み磁界が得ら
れ、甲密度記録が可能になる。特に、傾斜角度４５〜７
５度の範囲は、漏洩磁界減少と、強い書き込み磁界の増
強及び傾斜部パターンニングの容易さの観点から、好ま
しい。この傾斜角度θは、エッチング速度をコントロー
ルすることによって調整できる。
【００２９】この後、図８に示すように、金属膜２を除
去した後、図９に示すように、凹部６の内部からその周
辺の基板１の表面にかけて、磁気変換素子の磁気コアの
一部を構成する下部磁性膜８を形成し、更に、図１０に
示すように、下部磁性膜８の上に磁気変換素子９を形成
する。磁気変換素子９の構造は周知である。具体的な一
例として、図１０では、ギャップ膜９１、下部磁性膜８
と対をなす上部磁性膜９２、コイル膜９３及びコイル層
間絶縁膜９４を有する誘導形磁気変換素子を示してい
る。
去した後、図９に示すように、凹部６の内部からその周
辺の基板１の表面にかけて、磁気変換素子の磁気コアの
一部を構成する下部磁性膜８を形成し、更に、図１０に
示すように、下部磁性膜８の上に磁気変換素子９を形成
する。磁気変換素子９の構造は周知である。具体的な一
例として、図１０では、ギャップ膜９１、下部磁性膜８
と対をなす上部磁性膜９２、コイル膜９３及びコイル層
間絶縁膜９４を有する誘導形磁気変換素子を示してい
る。
【００３０】図示はされていないけれども、磁気変換素
子の一部または全部を埋め込む他の凹部を形成する手段
として、本発明は広く適用できる。
子の一部または全部を埋め込む他の凹部を形成する手段
として、本発明は広く適用できる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）磁気変換素子を配置する凹部の深さを確実にコン
トロールし得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供でき
る。 （ｂ）凹部のパターンを高精度で画定し得る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供できる。 （ｃ）再付着によるパターン精度の低下を招くことのな
い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供できる。 （ｄ）工業的生産性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法
を提供できる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）磁気変換素子を配置する凹部の深さを確実にコン
トロールし得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供でき
る。 （ｂ）凹部のパターンを高精度で画定し得る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法を提供できる。 （ｃ）再付着によるパターン精度の低下を招くことのな
い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供できる。 （ｄ）工業的生産性に優れた薄膜磁気ヘッドの製造方法
を提供できる。
【図１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明
する図である。
する図である。
【図２】図１の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図３】図２の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図４】図３の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図５】図４の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図６】図５の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図７】図６の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図８】図７の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図９】図８の製造工程の後の製造工程を説明する図で
ある。
ある。
【図１０】図９の製造工程の後の製造工程を説明する図
である。
である。
【図１１】液温とエッチングスピードとの関係を示す図
である。
である。
１ 基板 ２ 金属膜 ６ 凹部 ７ エッチング液
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成６年９月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】次に、フォトリソグラフィ工程により、レ
ジスト膜３を露光し、現像し、図４に示すように、必要
な凹部パターンに対応したパターン４を形成する。この
パターン４の内部に金属膜２が露出する。
ジスト膜３を露光し、現像し、図４に示すように、必要
な凹部パターンに対応したパターン４を形成する。この
パターン４の内部に金属膜２が露出する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２１】次に、図５に示すように、感光性レジスト
膜３によって囲まれているパターン４内の金属膜２を、
パターン４に沿ってエッチングし、それによって、基板
１の表面を露出させるパターン５を形成する。金属膜２
はイオンミリングまたはイオンビームエッチングによる
ドライエッチング、化学的エッチング液を用いたウエッ
トエッチングによってパターンニングできる。エッチン
グ速度が早いという利点を活かす場合はウエットエッチ
ングを用いることが望ましい。
膜３によって囲まれているパターン４内の金属膜２を、
パターン４に沿ってエッチングし、それによって、基板
１の表面を露出させるパターン５を形成する。金属膜２
はイオンミリングまたはイオンビームエッチングによる
ドライエッチング、化学的エッチング液を用いたウエッ
トエッチングによってパターンニングできる。エッチン
グ速度が早いという利点を活かす場合はウエットエッチ
ングを用いることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】第２工程は、図７〜図１０に図示されてお
り、第１の工程の後に、金属膜２及び基板１のうち、基
板１を選択的にエッチングするエッチング液中に基板１
を浸漬して、基板１の表面に凹部６を形成する工程を含
む。即ち、図７に示すように、金属膜２によるパターン
５を有する基板１を、金属膜２及び基板１のうち、基板
１を選択的にエッチングするエッチング液７中に浸漬す
る。この浸漬により、金属膜２をマスクとして、パター
ン５に従った凹部６が形成される。凹部６の深さｄは、
例えば数μｍ程度である。エッチング液７はアルカリ、
酸の何れのタイプであってもよい。凹部６を形成すべき
基板１の表面層１１が、前述したように、Ａｌ２Ｏ３、
ＳｉＯ２等の金属酸化物系セラミック材料でなる場合に
適したエッチング液７としては、Ｃａ（ＯＨ ）２溶液、
ＫＯＨ溶液またはＮａＯＨ溶液等を挙げることができ
る。
り、第１の工程の後に、金属膜２及び基板１のうち、基
板１を選択的にエッチングするエッチング液中に基板１
を浸漬して、基板１の表面に凹部６を形成する工程を含
む。即ち、図７に示すように、金属膜２によるパターン
５を有する基板１を、金属膜２及び基板１のうち、基板
１を選択的にエッチングするエッチング液７中に浸漬す
る。この浸漬により、金属膜２をマスクとして、パター
ン５に従った凹部６が形成される。凹部６の深さｄは、
例えば数μｍ程度である。エッチング液７はアルカリ、
酸の何れのタイプであってもよい。凹部６を形成すべき
基板１の表面層１１が、前述したように、Ａｌ２Ｏ３、
ＳｉＯ２等の金属酸化物系セラミック材料でなる場合に
適したエッチング液７としては、Ｃａ（ＯＨ ）２溶液、
ＫＯＨ溶液またはＮａＯＨ溶液等を挙げることができ
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２４】ここで、第２工程は、第１の工程によって
付与された金属膜２、及び、基板１のうち、基板１を選
択的にエッチングするエッチング液７中に基板１を浸漬
し、金属膜２をマスクとして、基板１の表面に凹部６を
形成する工程であるから、磁気変換素子を配置する凹部
６の深さｄは、エッチング液７の液温、組成等をコント
ロールすることにより、確実にコントロールし得る。図
１１は、エッチング液７として上述した組成の溶液を用
いた場合の液温とエッチング速度との関係を示す図であ
る。図１１から明らかなように、液温が高くなるにつれ
てエッチング速度が大きくなるから、液温をコントロー
ルすることにより、単位時間当りのエッチング深さをコ
ントロールできる。また、エッチング時間をコントロー
ルすることにより、エッチング量をコントロールでき
る。
付与された金属膜２、及び、基板１のうち、基板１を選
択的にエッチングするエッチング液７中に基板１を浸漬
し、金属膜２をマスクとして、基板１の表面に凹部６を
形成する工程であるから、磁気変換素子を配置する凹部
６の深さｄは、エッチング液７の液温、組成等をコント
ロールすることにより、確実にコントロールし得る。図
１１は、エッチング液７として上述した組成の溶液を用
いた場合の液温とエッチング速度との関係を示す図であ
る。図１１から明らかなように、液温が高くなるにつれ
てエッチング速度が大きくなるから、液温をコントロー
ルすることにより、単位時間当りのエッチング深さをコ
ントロールできる。また、エッチング時間をコントロー
ルすることにより、エッチング量をコントロールでき
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 阿部 尚志 東京都中央区日本橋１丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板の一面に凹部を有し、前記凹部上に
磁気変換素子またはその構成部分を形成した薄膜磁気ヘ
ッドを製造する方法であって、 第１の工程は、前記基板の表面上に金属膜を付着した
後、前記基板の表面が前記凹部のパターンに対応したパ
ターンで露出するように、前記金属膜をパターンニング
する工程であり、 第２工程は、前記第１の工程の後に、前記基板を選択的
にエッチングするエッチング液中に前記基板を浸漬し、
前記金属膜をマスクとして、前記基板の表面に前記凹部
を形成する工程である薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 前記基板は、表面層が金属酸化物系セラ
ミック材料でなる請求項１に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。 - 【請求項３】 前記第１の工程は、化学的エッチングに
より前記金属膜をパターンニングする工程である請求項
１に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記凹部は、内側面が５度〜９０度の傾
斜角度を有する斜面ある請求項１に記載の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項５】 前記磁気変換素子は、磁気コア、コイル
膜及びギャップ膜を含む誘導型素子であり、前記磁気コ
アの一部が前記凹部内に付着されている請求項１に記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143439A JP2931523B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/526,498 US5700381A (en) | 1994-06-24 | 1995-09-07 | Method for manufacturing thin film magnetic head |
| GB9518203A GB2304967B (en) | 1994-06-24 | 1995-09-07 | Method for manufacturing a thin film magnetic head |
| HK98112536.9A HK1011450B (en) | 1998-11-30 | Method for manufacturing a thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6143439A JP2931523B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US08/526,498 US5700381A (en) | 1994-06-24 | 1995-09-07 | Method for manufacturing thin film magnetic head |
| GB9518203A GB2304967B (en) | 1994-06-24 | 1995-09-07 | Method for manufacturing a thin film magnetic head |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH087225A true JPH087225A (ja) | 1996-01-12 |
| JP2931523B2 JP2931523B2 (ja) | 1999-08-09 |
Family
ID=27267890
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6143439A Expired - Fee Related JP2931523B2 (ja) | 1994-06-24 | 1994-06-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5700381A (ja) |
| JP (1) | JP2931523B2 (ja) |
| GB (1) | GB2304967B (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296776B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-10-02 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a combination type thin film magnetic head |
| US7029771B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-04-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor having free layer additionally provided with magnetic anisotropy by shape anisotropy |
| US7045224B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-05-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detecting element having antiferromagnetic film having predetermined space in track width direction and method for manufacturing the same |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0964366A (ja) * | 1995-08-23 | 1997-03-07 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
| JP3257667B2 (ja) | 1997-09-18 | 2002-02-18 | ティーディーケイ株式会社 | 電極組立体、カソード装置及びメッキ装置 |
| JP3257668B2 (ja) | 1997-09-18 | 2002-02-18 | ティーディーケイ株式会社 | 電極組立体、カソード装置及びメッキ装置 |
| US20020067570A1 (en) * | 1997-12-12 | 2002-06-06 | Yoshitaka Sasaki | Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including plantarization layersi |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60193114A (ja) * | 1984-03-14 | 1985-10-01 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JP2567221B2 (ja) * | 1986-03-31 | 1996-12-25 | 株式会社日立製作所 | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
| JPH06101097B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1994-12-12 | ヤマハ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US4878290A (en) * | 1989-02-13 | 1989-11-07 | International Business Machines Corporation | Method for making thin film magnetic head |
| FR2651912B1 (fr) * | 1989-09-12 | 1991-10-31 | Europ Composants Electron | Procede de realisation des pieces polaires et de l'entrefer de tetes magnetiques en couches minces pour application informatique audio ou video. |
| US5326429A (en) * | 1992-07-21 | 1994-07-05 | Seagate Technology, Inc. | Process for making studless thin film magnetic head |
-
1994
- 1994-06-24 JP JP6143439A patent/JP2931523B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-09-07 GB GB9518203A patent/GB2304967B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-07 US US08/526,498 patent/US5700381A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6296776B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-10-02 | Tdk Corporation | Method of manufacturing a combination type thin film magnetic head |
| US7029771B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-04-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic sensor having free layer additionally provided with magnetic anisotropy by shape anisotropy |
| US7045224B2 (en) | 2002-10-07 | 2006-05-16 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic detecting element having antiferromagnetic film having predetermined space in track width direction and method for manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HK1011450A1 (en) | 1999-07-09 |
| GB9518203D0 (en) | 1995-11-08 |
| US5700381A (en) | 1997-12-23 |
| GB2304967B (en) | 1998-09-09 |
| GB2304967A (en) | 1997-03-26 |
| JP2931523B2 (ja) | 1999-08-09 |
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