JPH0796474B2 - 分子線エピタキシー装置 - Google Patents
分子線エピタキシー装置Info
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- JPH0796474B2 JPH0796474B2 JP63077799A JP7779988A JPH0796474B2 JP H0796474 B2 JPH0796474 B2 JP H0796474B2 JP 63077799 A JP63077799 A JP 63077799A JP 7779988 A JP7779988 A JP 7779988A JP H0796474 B2 JPH0796474 B2 JP H0796474B2
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Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、分子線エピタキシー装置に関し、詳しく
は、基板上の成膜モニタリングをより正確に行なえるよ
うに構成したものに関する。
は、基板上の成膜モニタリングをより正確に行なえるよ
うに構成したものに関する。
III−Ｖ族化合物半導体の製造過程において単結晶基板
上にIII−Ｖ族元素をエピタキシャル成長させる手法と
して、分子線エピタキシー法が注目されている。これ
は、真空蒸着法の一種であり、ガリウムGa、アルミニウ
ムAl、インジウムInなどのIII族元素、およびヒ素As、
燐ＰなどのＶ族元素を成長材料として10-11torrの超高
真空の中でこれらを原子または分子線の形で照射してGa
AsあるいはIn Pなどの単結晶基板上にGa As、Al Ga A
s、In PあるいはIn Ga As PなどのIII−Ｖ族化合物半導
体結晶をエピタキシャル成長させる方法である。このよ
うな分子線エピタキシー法によると、超高真空中での
蒸着であるため、残留ガスからの不純物の混入が非常に
少なく、基板表面を清浄に保つことができる、大面積
にわたり、均一でかつ原子レベルで平坦な膜を得ること
ができる、蒸着速度を非常に遅くでき、しかも正確に
制御できるため、膜厚を数Åという単原子層のオーダで
高精度に制御することができる、多成分系の混晶薄膜
も蒸発源を増やすだけで容易に得られる、結晶成長中
に成長層表面、あるいは分子線から成長条件についての
さまざまな情報を得ることができ、それを直ちに成長制
御にフィードバックすることができる、などの利点を享
受することができる。 後述する本願発明の理解を容易にするため、上記のよう
な分子線エピタキシー法を行う分子線エピタキシー装置
の概要、および、従来行われてきた原子吸光式成膜モニ
タによる基板成膜モニタリングの手法について第３図お
よび第４図に基づいて説明する。 超高真空ポンプ１につながる成長室２は、略円筒形をし
ており、その中央には、成長室の軸線ｌを中心として回
転制御される基板ホルダ３が水平状に配置されている。
このように基板ホルダ３が回転制御しうるようにするの
は、基板上の結晶成長を一様なものとするためである。
また、この基板ホルダ３に保持される基板を所望の温度
に昇温するためのヒータ（図示略）が付設されている。
上記基板ホルダ３の基板保持面と対向する成長室２の一
側には、各軸線a,b,c…が上記基板ホルダ３の中央に向
かって集中するようにそれぞれ成長室の軸線ｌに対して
傾斜させられた蒸発源5a,5b,5c…が成長室２の軸線ｌを
中心とする環状に、かつ、基板ホルダ３からの距離がほ
ぼ等しくなるように配置されている。各蒸発源5a,5b,5c
…は、上記基板ホルダ３の中央に向けて開口するルツボ
４…に各成長材料を充填して構成され、図示しない温度
センサによる検出温度に基づいて制御されるヒータによ
り、所望の温度に昇温されるようになっている。また、
各蒸発源5a,5b,5c…は、互いに他の蒸発源による熱影響
や汚染の影響を受けないように、液体窒素シュラウドで
囲まれている。結晶成長の開始および停止は、各ルツボ
４の開口の前面に配置されたシャッタ７を開閉すること
により行われる。 たとえば、Ga As単結晶基板上にGa As層を成長させるに
は、Gaが充填された蒸発源およびAsが充填された蒸発源
を所定の温度に加熱するとともに、基板ホルダ３の温度
を適当な温度に設定しつつ、上記の各蒸発源のシャッタ
７を所定時間開状態とするように制御する。なお、この
とき、Alを一緒に蒸発させるとGaX Al1-X As層が成長す
る。このときのGaとAlの蒸発量の比を制御すれば、組成
ｘが制御できる。また、成長層をｎ形にするには、Si、
Snなどを同時に蒸発させ、ｐ形にするには、Be、Mgなど
を同時に蒸発させる。 ところで、上述のような基板上の結晶成長を制御するた
めのフィードバック情報として、原子吸光式成膜モニタ
によって蒸着速度を検出することがある。これは、原子
吸光分析を応用したものであって、第３図および第４図
に示すように、特定元素に固有の波長をもつホローカソ
ードランプを光源としてこれを成長室２の一方の窓から
入射し、他方の窓から出た光を分光器ないしフィルタを
通したのち光電子増倍管に導き、蒸気中の目的元素の密
度の単調関数としてあらわれる吸光度を計測するもので
ある。
上にIII−Ｖ族元素をエピタキシャル成長させる手法と
して、分子線エピタキシー法が注目されている。これ
は、真空蒸着法の一種であり、ガリウムGa、アルミニウ
ムAl、インジウムInなどのIII族元素、およびヒ素As、
燐ＰなどのＶ族元素を成長材料として10-11torrの超高
真空の中でこれらを原子または分子線の形で照射してGa
AsあるいはIn Pなどの単結晶基板上にGa As、Al Ga A
s、In PあるいはIn Ga As PなどのIII−Ｖ族化合物半導
体結晶をエピタキシャル成長させる方法である。このよ
うな分子線エピタキシー法によると、超高真空中での
蒸着であるため、残留ガスからの不純物の混入が非常に
少なく、基板表面を清浄に保つことができる、大面積
にわたり、均一でかつ原子レベルで平坦な膜を得ること
ができる、蒸着速度を非常に遅くでき、しかも正確に
制御できるため、膜厚を数Åという単原子層のオーダで
高精度に制御することができる、多成分系の混晶薄膜
も蒸発源を増やすだけで容易に得られる、結晶成長中
に成長層表面、あるいは分子線から成長条件についての
さまざまな情報を得ることができ、それを直ちに成長制
御にフィードバックすることができる、などの利点を享
受することができる。 後述する本願発明の理解を容易にするため、上記のよう
な分子線エピタキシー法を行う分子線エピタキシー装置
の概要、および、従来行われてきた原子吸光式成膜モニ
タによる基板成膜モニタリングの手法について第３図お
よび第４図に基づいて説明する。 超高真空ポンプ１につながる成長室２は、略円筒形をし
ており、その中央には、成長室の軸線ｌを中心として回
転制御される基板ホルダ３が水平状に配置されている。
このように基板ホルダ３が回転制御しうるようにするの
は、基板上の結晶成長を一様なものとするためである。
また、この基板ホルダ３に保持される基板を所望の温度
に昇温するためのヒータ（図示略）が付設されている。
上記基板ホルダ３の基板保持面と対向する成長室２の一
側には、各軸線a,b,c…が上記基板ホルダ３の中央に向
かって集中するようにそれぞれ成長室の軸線ｌに対して
傾斜させられた蒸発源5a,5b,5c…が成長室２の軸線ｌを
中心とする環状に、かつ、基板ホルダ３からの距離がほ
ぼ等しくなるように配置されている。各蒸発源5a,5b,5c
…は、上記基板ホルダ３の中央に向けて開口するルツボ
４…に各成長材料を充填して構成され、図示しない温度
センサによる検出温度に基づいて制御されるヒータによ
り、所望の温度に昇温されるようになっている。また、
各蒸発源5a,5b,5c…は、互いに他の蒸発源による熱影響
や汚染の影響を受けないように、液体窒素シュラウドで
囲まれている。結晶成長の開始および停止は、各ルツボ
４の開口の前面に配置されたシャッタ７を開閉すること
により行われる。 たとえば、Ga As単結晶基板上にGa As層を成長させるに
は、Gaが充填された蒸発源およびAsが充填された蒸発源
を所定の温度に加熱するとともに、基板ホルダ３の温度
を適当な温度に設定しつつ、上記の各蒸発源のシャッタ
７を所定時間開状態とするように制御する。なお、この
とき、Alを一緒に蒸発させるとGaX Al1-X As層が成長す
る。このときのGaとAlの蒸発量の比を制御すれば、組成
ｘが制御できる。また、成長層をｎ形にするには、Si、
Snなどを同時に蒸発させ、ｐ形にするには、Be、Mgなど
を同時に蒸発させる。 ところで、上述のような基板上の結晶成長を制御するた
めのフィードバック情報として、原子吸光式成膜モニタ
によって蒸着速度を検出することがある。これは、原子
吸光分析を応用したものであって、第３図および第４図
に示すように、特定元素に固有の波長をもつホローカソ
ードランプを光源としてこれを成長室２の一方の窓から
入射し、他方の窓から出た光を分光器ないしフィルタを
通したのち光電子増倍管に導き、蒸気中の目的元素の密
度の単調関数としてあらわれる吸光度を計測するもので
ある。
しかしながら、分子線エピタキシー装置における原子吸
光式成膜モニタの利用はいまだ端諸の段階であり、とく
にその光パスと各蒸発源との配置関係に配慮がなされて
いないため、種々の解決すべき課題がある。 たとえば、現在、原子吸光式成膜モニタを利用した分子
線エピタキシー装置の多くのものにおいては、第３図に
示すように、複数の蒸発源5a,5b,5c…が成長室の軸線ｌ
まわりに環状に配置される一方、原子吸光式成膜モニタ
の光パスＰは、蒸気軸線ｌと直交するように成長室２を
横切る単一のパスに設定されており、このことから、次
の問題が生じる。 その第一は、光パスＰが単一であるため、目的元素に応
じて光源を変更する必要があり、成長材料が異なる各蒸
発源の元素蒸気密度を同時モニタリングすることができ
ないということである。 その第二は、光パスが一定であるため、このパスと各蒸
発源との平面的な位置関係がそれぞれ異なり、吸光度が
そのまま元素蒸気密度と対応せず、煩雑な補正をする必
要があるということである。これは、第４図に示すよう
に、各蒸発源5a,5b,5cの軸線a,b,cが成長室の軸線ｌに
対して傾斜しているために基板ホルダでの各元素の蒸気
の断面は平面視において上記軸線a,b,cを長軸とする楕
円となるが、この楕円とパスＰとの位置関係により、パ
スＰが上記各楕円を横切る長さがまちまちとなるからで
ある。ちなみに、原子吸光においては、光パスが横切る
すべての原子量を測定するのである。 この発明は、以上の事情のもとで考え出されたものであ
って、簡単な構成により、上記の従来の問題を解消し、
複数の蒸発源に対する成膜モニタリングを原子吸光成膜
モニタによって同時に、しかも正確に行なえるようにす
ることをその目的とする。
光式成膜モニタの利用はいまだ端諸の段階であり、とく
にその光パスと各蒸発源との配置関係に配慮がなされて
いないため、種々の解決すべき課題がある。 たとえば、現在、原子吸光式成膜モニタを利用した分子
線エピタキシー装置の多くのものにおいては、第３図に
示すように、複数の蒸発源5a,5b,5c…が成長室の軸線ｌ
まわりに環状に配置される一方、原子吸光式成膜モニタ
の光パスＰは、蒸気軸線ｌと直交するように成長室２を
横切る単一のパスに設定されており、このことから、次
の問題が生じる。 その第一は、光パスＰが単一であるため、目的元素に応
じて光源を変更する必要があり、成長材料が異なる各蒸
発源の元素蒸気密度を同時モニタリングすることができ
ないということである。 その第二は、光パスが一定であるため、このパスと各蒸
発源との平面的な位置関係がそれぞれ異なり、吸光度が
そのまま元素蒸気密度と対応せず、煩雑な補正をする必
要があるということである。これは、第４図に示すよう
に、各蒸発源5a,5b,5cの軸線a,b,cが成長室の軸線ｌに
対して傾斜しているために基板ホルダでの各元素の蒸気
の断面は平面視において上記軸線a,b,cを長軸とする楕
円となるが、この楕円とパスＰとの位置関係により、パ
スＰが上記各楕円を横切る長さがまちまちとなるからで
ある。ちなみに、原子吸光においては、光パスが横切る
すべての原子量を測定するのである。 この発明は、以上の事情のもとで考え出されたものであ
って、簡単な構成により、上記の従来の問題を解消し、
複数の蒸発源に対する成膜モニタリングを原子吸光成膜
モニタによって同時に、しかも正確に行なえるようにす
ることをその目的とする。
上記の課題を解決するため、この発明では、次の技術的
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、超高真空ポンプにつながる成長
室と、この成長室の内部において成長室の軸線上に配置
した基板ホルダと、成長室の一側において、各軸線が上
記基板ホルダを向き、かつ成長室の軸線まわりに環状に
配置された複数個の蒸発源とを備える分子線エピタキシ
ー装置において、 各蒸発源の一部または全部の成長材料を目的元素とする
複数の原子吸光式成膜モニタを設けるとともに、上記各
原子吸光式成膜モニタの光パスを、成長室の軸線方向視
において各目的元素を成長材料とする蒸発源の軸線と略
一定の角度で交差し、かつ基板ホルダの近傍において成
長室の敷線に対する直交面内を通るように配置したこと
を特徴とする。なお、上記「一定の角度で交差」の概念
には、「一致」も含むものとする。
手段を講じている。 すなわち、本願発明は、超高真空ポンプにつながる成長
室と、この成長室の内部において成長室の軸線上に配置
した基板ホルダと、成長室の一側において、各軸線が上
記基板ホルダを向き、かつ成長室の軸線まわりに環状に
配置された複数個の蒸発源とを備える分子線エピタキシ
ー装置において、 各蒸発源の一部または全部の成長材料を目的元素とする
複数の原子吸光式成膜モニタを設けるとともに、上記各
原子吸光式成膜モニタの光パスを、成長室の軸線方向視
において各目的元素を成長材料とする蒸発源の軸線と略
一定の角度で交差し、かつ基板ホルダの近傍において成
長室の敷線に対する直交面内を通るように配置したこと
を特徴とする。なお、上記「一定の角度で交差」の概念
には、「一致」も含むものとする。
本願発明においては、複数の原子吸光式成膜モニタの各
光パスを、成長室の軸線方向視において各目的元素を成
長材料とする蒸発現の軸線に対して一定の角度で交差さ
せている。したがって、たとえば、上記各光パスをその
目的元素を成長材料とする各蒸発源の軸線と成長室の軸
線方向視において一致させた場合、すべての光パスは、
これと対応する蒸発源からの元素蒸気の楕円断面の長軸
を通過することとなる。各蒸発源からの元素蒸気の基板
ホルダ近傍での断面の楕円形状はほぼ相似しているか
ら、すべての光パスの対応する元素蒸気中の通過の仕方
は等価となり、各原子吸光式成膜モニタによる原子吸光
度は、そのまま補正をすることなく、各元素蒸気の密度
と対応することとなる。
光パスを、成長室の軸線方向視において各目的元素を成
長材料とする蒸発現の軸線に対して一定の角度で交差さ
せている。したがって、たとえば、上記各光パスをその
目的元素を成長材料とする各蒸発源の軸線と成長室の軸
線方向視において一致させた場合、すべての光パスは、
これと対応する蒸発源からの元素蒸気の楕円断面の長軸
を通過することとなる。各蒸発源からの元素蒸気の基板
ホルダ近傍での断面の楕円形状はほぼ相似しているか
ら、すべての光パスの対応する元素蒸気中の通過の仕方
は等価となり、各原子吸光式成膜モニタによる原子吸光
度は、そのまま補正をすることなく、各元素蒸気の密度
と対応することとなる。
以上のように、本願発明によれば、各蒸発源の成長材料
を目的元素とする複数の原子吸光式成膜モニタを設けて
いるので、各蒸発源から発生する蒸気密度、すなわち、
基板に対する蒸着速度を、同時モニタリングすることが
でき、これをシャッタ開閉あるいは蒸発源温度などの制
御対象にフィードバックして、複雑な構造をもつ化合物
半導体であっても再現性よくこれを製造することが可能
となる。しかも、各モニタの光パスを各目的元素の蒸気
に対して等価に通過させているので、原子吸光度に対す
る複雑な補正を経るまでもなく、計測が簡単かつ正確に
行なえる。
を目的元素とする複数の原子吸光式成膜モニタを設けて
いるので、各蒸発源から発生する蒸気密度、すなわち、
基板に対する蒸着速度を、同時モニタリングすることが
でき、これをシャッタ開閉あるいは蒸発源温度などの制
御対象にフィードバックして、複雑な構造をもつ化合物
半導体であっても再現性よくこれを製造することが可能
となる。しかも、各モニタの光パスを各目的元素の蒸気
に対して等価に通過させているので、原子吸光度に対す
る複雑な補正を経るまでもなく、計測が簡単かつ正確に
行なえる。
以下、本願発明の実施例を第１図および第２図を参照し
て具体的に説明する。 第１図に示す分子線エピタキシー装置は、第３図に示す
従来のものと基本的構造は同等である。そして、同様の
部材については第３図と同じ符号を付してある。 各蒸発源、とくに、III族元素およびドーパントを成長
材料とする蒸発源5a,5b,5c…は、成長室２の一側におい
て、その軸線a,b,cが基板ホルダ３の中心を向いて集中
するようにして、かつ、成長室２の軸線ｌを中心として
環状に配置されている。なお、Ｖ族元素であるヒ素を成
長材料とする蒸発源５′は、分子の状態で蒸発し、原子
吸光によっては濃度測定できないので、成長室２の中央
に配置されている。 一方、本願発明装置において、各異なる元素を成長材料
とする上述の環状配置された蒸発源5a,5b,5c…に対応し
た数の原子吸光式成膜モニタ8a,8b,8c…が装備される。
各原子吸光式成膜モニタ8a,8b,8c…は、検出目的元素に
応じたホローカソードランプからなる光源９と、この光
源９からの光を受ける受光器10とをそれぞれ備え、受光
器10では、上記の光を分光器ないしフィルタを通した
後、光電子増倍管に導き、蒸気中の目的元素の密度の単
調関数としてあらわれる吸光度を計測するようになっい
る。そして、この吸光度は、蒸気密度ないしは基板Ｂに
対するその元素の蒸着速度情報として、各シャッタ７あ
るいは各部温度を制御する制御装置11にフィードバック
されるようになっている。 さらに本願発明では、上記各原子吸光式成膜モニタ8a,8
b,8c…の光パスPa,Pb,Pc…を、成長室２の軸線（ｌ）方
向視（第２図）において各目的元素を成長材料とする蒸
発源5a,5b,5cの軸線a,b,cと略一定の角度で交差させる
のであるが、本例では、第２図に示すように、各光パス
Pa,Pb,Pc…を上記各軸線a,b,cに一致させている。ま
た、各パスPa,Pb,Pc…の成長室の軸線（ｌ）方向の位置
は、第１図に表れているように、基板ホルダ３上の基板
Ｂの至近において、上記軸線ｌと直交する平面内を通過
するように設定されている。 なお、その他の構成は第３図の従来例の基本構成と同様
である。 以上の構成において、各蒸発源5a,5b,5c…の軸線a,b,c
…が基板ホルダ３の中央に集中するように成長室２の軸
線ｌに対してほぼ一定の角度で傾斜していることから、
各蒸発源5a,5b,5c…から基板Ｂにむけて照射される元素
蒸気の成長室の軸直角面についての断面は第２図に示す
ように楕円形となるが、各モニタ8a,8b…の光パスPa,P
b,Pc…を上述のように設定したことから、すべての光パ
スPa,Pb,Pc…は、上記各楕円形の長軸を通過することと
なる。この状況を第４図の従来例と比較すればあきらか
なように、本願発明においては、各蒸発源から照射され
る元素蒸気の密度を、これに対して等価な形で通過させ
た光パスにより、吸光度の補正を行うことなくそのまま
計測することができるのである。 もちろん、この発明の範囲は上述の実施例に限定される
ことはない。たとえば、実施例では、成長室の軸線方向
視において各光パスを対応する各蒸発源の軸線に対して
一致させたが、これらが一定の角度で交差するようにし
ても、各光パスが等価の状態で各元素蒸気中を通過する
ととなる。
て具体的に説明する。 第１図に示す分子線エピタキシー装置は、第３図に示す
従来のものと基本的構造は同等である。そして、同様の
部材については第３図と同じ符号を付してある。 各蒸発源、とくに、III族元素およびドーパントを成長
材料とする蒸発源5a,5b,5c…は、成長室２の一側におい
て、その軸線a,b,cが基板ホルダ３の中心を向いて集中
するようにして、かつ、成長室２の軸線ｌを中心として
環状に配置されている。なお、Ｖ族元素であるヒ素を成
長材料とする蒸発源５′は、分子の状態で蒸発し、原子
吸光によっては濃度測定できないので、成長室２の中央
に配置されている。 一方、本願発明装置において、各異なる元素を成長材料
とする上述の環状配置された蒸発源5a,5b,5c…に対応し
た数の原子吸光式成膜モニタ8a,8b,8c…が装備される。
各原子吸光式成膜モニタ8a,8b,8c…は、検出目的元素に
応じたホローカソードランプからなる光源９と、この光
源９からの光を受ける受光器10とをそれぞれ備え、受光
器10では、上記の光を分光器ないしフィルタを通した
後、光電子増倍管に導き、蒸気中の目的元素の密度の単
調関数としてあらわれる吸光度を計測するようになっい
る。そして、この吸光度は、蒸気密度ないしは基板Ｂに
対するその元素の蒸着速度情報として、各シャッタ７あ
るいは各部温度を制御する制御装置11にフィードバック
されるようになっている。 さらに本願発明では、上記各原子吸光式成膜モニタ8a,8
b,8c…の光パスPa,Pb,Pc…を、成長室２の軸線（ｌ）方
向視（第２図）において各目的元素を成長材料とする蒸
発源5a,5b,5cの軸線a,b,cと略一定の角度で交差させる
のであるが、本例では、第２図に示すように、各光パス
Pa,Pb,Pc…を上記各軸線a,b,cに一致させている。ま
た、各パスPa,Pb,Pc…の成長室の軸線（ｌ）方向の位置
は、第１図に表れているように、基板ホルダ３上の基板
Ｂの至近において、上記軸線ｌと直交する平面内を通過
するように設定されている。 なお、その他の構成は第３図の従来例の基本構成と同様
である。 以上の構成において、各蒸発源5a,5b,5c…の軸線a,b,c
…が基板ホルダ３の中央に集中するように成長室２の軸
線ｌに対してほぼ一定の角度で傾斜していることから、
各蒸発源5a,5b,5c…から基板Ｂにむけて照射される元素
蒸気の成長室の軸直角面についての断面は第２図に示す
ように楕円形となるが、各モニタ8a,8b…の光パスPa,P
b,Pc…を上述のように設定したことから、すべての光パ
スPa,Pb,Pc…は、上記各楕円形の長軸を通過することと
なる。この状況を第４図の従来例と比較すればあきらか
なように、本願発明においては、各蒸発源から照射され
る元素蒸気の密度を、これに対して等価な形で通過させ
た光パスにより、吸光度の補正を行うことなくそのまま
計測することができるのである。 もちろん、この発明の範囲は上述の実施例に限定される
ことはない。たとえば、実施例では、成長室の軸線方向
視において各光パスを対応する各蒸発源の軸線に対して
一致させたが、これらが一定の角度で交差するようにし
ても、各光パスが等価の状態で各元素蒸気中を通過する
ととなる。
第１図は本願発明の一実施例の基本構成の説明図、第２
図はその要部構成図、第３図は従来例の説明図、第４図
は従来例の作用説明図である。 ２……成長室、３……基板ホルダ、5a,5b,5c……蒸発
源、8a,8b,8c……原子吸光式成膜モニタ、Pa,Pb,Pc……
光パス、ｌ……（成長室の）軸線、a,b,c……（蒸発源
の）軸線。
図はその要部構成図、第３図は従来例の説明図、第４図
は従来例の作用説明図である。 ２……成長室、３……基板ホルダ、5a,5b,5c……蒸発
源、8a,8b,8c……原子吸光式成膜モニタ、Pa,Pb,Pc……
光パス、ｌ……（成長室の）軸線、a,b,c……（蒸発源
の）軸線。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−72590（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−78186（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−52475（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】超高真空ポンプにつながる成長室と、この
成長室の内部において成長室の軸線上に配置した基板ホ
ルダと、成長室の一側において、各軸線が上記基板ホル
ダを向き、かつ成長室の軸線まわりに環状に配置された
複数個の蒸発源とを備える分子線エピタキシー装置にお
いて、 各蒸発源の一部または全部の成長材料を目的元素とする
複数の原子吸光式成膜モニタを設けるとともに、上記各
原子吸光式成膜モニタの光パスを、成長室の軸線方向視
において各目的元素を成長材料とする蒸発源の軸線と略
一定の角度で交差し、かつ基板ホルダの近傍において成
長室の軸線に対する直交面内を通るように配置したこと
を特徴とする、分子線エピタキシー装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077799A JPH0796474B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 分子線エピタキシー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63077799A JPH0796474B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 分子線エピタキシー装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01249693A JPH01249693A (ja) | 1989-10-04 |
| JPH0796474B2 true JPH0796474B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=13644050
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63077799A Expired - Fee Related JPH0796474B2 (ja) | 1988-03-30 | 1988-03-30 | 分子線エピタキシー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0796474B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5364492A (en) * | 1992-09-17 | 1994-11-15 | Varian Associates, Inc. | Method of deposing by molecular beam epitaxy |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5852475A (ja) * | 1981-09-24 | 1983-03-28 | Ulvac Corp | 薄膜形成装置における薄膜監視測定方法およびその装置 |
| JPS6272590A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-03 | Shimadzu Corp | 粒子線エピキシヤル装置における粒子線強度検出装置 |
| JPS6278186A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | Shimadzu Corp | 粒子線エピタキシヤル装置 |
-
1988
- 1988-03-30 JP JP63077799A patent/JPH0796474B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01249693A (ja) | 1989-10-04 |
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