JPH0796524B2 - ジカルボン酸のジエステルの製造法 - Google Patents
ジカルボン酸のジエステルの製造法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C67/00—Preparation of carboxylic acid esters
- C07C67/36—Preparation of carboxylic acid esters by reaction with carbon monoxide or formates
- C07C67/38—Preparation of carboxylic acid esters by reaction with carbon monoxide or formates by addition to an unsaturated carbon-to-carbon bond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジカルボン酸のジエステルであって該酸が出
発物質として用いられる不飽和炭化水素よりも2個多い
炭素原子を有するジカルボン酸のジエステルの製造法に
関する。
発物質として用いられる不飽和炭化水素よりも2個多い
炭素原子を有するジカルボン酸のジエステルの製造法に
関する。
不飽和炭化水素、一酸化炭素、アルコール、及び亜硝酸
のエステルを白金属の金属の化合物及び金属ハロゲン化
物の存在下で反応させることにより、ジカルボン酸のジ
エステルであって該酸が出発物質として用いられる不飽
和炭化水素よりも2個多い炭素原子を有するジカルボン
酸のジエステルを製造することは、独国特許出願第2,85
3,178号から公知である。この独国特許出願の例37は、
出発の亜硝酸エステルを基準として計算して比較的低い
収率で所望ジエステルが得られた、ということを示して
いる。
のエステルを白金属の金属の化合物及び金属ハロゲン化
物の存在下で反応させることにより、ジカルボン酸のジ
エステルであって該酸が出発物質として用いられる不飽
和炭化水素よりも2個多い炭素原子を有するジカルボン
酸のジエステルを製造することは、独国特許出願第2,85
3,178号から公知である。この独国特許出願の例37は、
出発の亜硝酸エステルを基準として計算して比較的低い
収率で所望ジエステルが得られた、ということを示して
いる。
上記金属ハロゲン化物を後で特定する塩で置き換えるこ
とにより、上記ジエステルが特に高収率で得られる、と
いうことが今般見出された。
とにより、上記ジエステルが特に高収率で得られる、と
いうことが今般見出された。
従って、本発明は、ジカルボン酸のジエステルであって
該酸が出発物質として用いられる不飽和炭化水素よりも
2個多い炭素原子を有するジカルボン酸のジエステルの
製造法において、 (a)元素周期律表の第8族の貴金属の化合物と(b)
バナジウム塩及び/又はチタン塩、とを組み合わせるこ
とによって形成された触媒系の存在下で、不飽和炭化水
素、一酸化炭素、アルコール、及び亜硝酸のエステルを
反応させる、ことを特徴とする上記製造法を提供する。
該酸が出発物質として用いられる不飽和炭化水素よりも
2個多い炭素原子を有するジカルボン酸のジエステルの
製造法において、 (a)元素周期律表の第8族の貴金属の化合物と(b)
バナジウム塩及び/又はチタン塩、とを組み合わせるこ
とによって形成された触媒系の存在下で、不飽和炭化水
素、一酸化炭素、アルコール、及び亜硝酸のエステルを
反応させる、ことを特徴とする上記製造法を提供する。
不飽和炭化水素は、エチレン型不飽和の化合物でもアセ
チレン型不飽和の化合物でもよい。1分子当たり2〜20
個の炭素原子を有するアルケン並びに1分子当たり20個
までの炭素原子を有するシクロアルケンが好ましく、特
にエテン、プロペン、1−ブテン及び2−ブテンが好ま
しい。適当なアルケンの他の例は、ペンテン、ヘキセ
ン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセ
ン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、ペンタデセ
ン、ヘキサデセン、ヘプタデセン、オクタデセン、ノナ
デセン及びエイコセンである。適当なシクロアルケンの
例は、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、インデン及びフエナリンである。
適当な出発の不飽和化合物の他の例は、スチレン、アリ
ルベンゼン、アレン、1,2−ブタジエン、1,3−ブタジエ
ン、ペンタジエン、ヘキサジエン、シクロペンタジエ
ン、アセチレン及びプロピンである。
チレン型不飽和の化合物でもよい。1分子当たり2〜20
個の炭素原子を有するアルケン並びに1分子当たり20個
までの炭素原子を有するシクロアルケンが好ましく、特
にエテン、プロペン、1−ブテン及び2−ブテンが好ま
しい。適当なアルケンの他の例は、ペンテン、ヘキセ
ン、ヘプテン、オクテン、ノネン、デセン、ウンデセ
ン、ドデセン、トリデセン、テトラデセン、ペンタデセ
ン、ヘキサデセン、ヘプタデセン、オクタデセン、ノナ
デセン及びエイコセンである。適当なシクロアルケンの
例は、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテン、インデン及びフエナリンである。
適当な出発の不飽和化合物の他の例は、スチレン、アリ
ルベンゼン、アレン、1,2−ブタジエン、1,3−ブタジエ
ン、ペンタジエン、ヘキサジエン、シクロペンタジエ
ン、アセチレン及びプロピンである。
亜硝酸の適当なエステルの例は、亜硝酸と脂肪族、脂環
式又は芳香族のアルコールとのエステルである。亜硝酸
と1分子当たり1〜8個の炭素原子を有するアルカノー
ル(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、
2−プロパノール、ブタノール、2−ブタノール、第3
級ブチルアルコール、ペンタノール、2−ペンタノー
ル、ヘキサノール、ヘプタノール及びオクタノール)と
のエステルが好ましい。適当なアルコールの他の例は、
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
エチレングリコール、グリセロール、フエノール、クレ
ゾール、キシレノール及びナフトールである。非常に良
好な結果が、亜硝酸ブチルを用いて得られら。亜硝酸の
エステルは、例えばアルコールと窒素の酸化物又は硝酸
との反応により、その場で形成され得る。窒素の適当な
酸化物の例は、NO、N2O3、N2O4及びN2O5である。NO(好
ましくは、分子状酸素と組み合わせて)の使用が好まし
い。分子状酸素は、例えば純粋な酸素又は不活性ガスで
希釈された酸素(例えば、空気又は酸素濃縮空気)とし
て反応混合物中に導入され得る。
式又は芳香族のアルコールとのエステルである。亜硝酸
と1分子当たり1〜8個の炭素原子を有するアルカノー
ル(例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、
2−プロパノール、ブタノール、2−ブタノール、第3
級ブチルアルコール、ペンタノール、2−ペンタノー
ル、ヘキサノール、ヘプタノール及びオクタノール)と
のエステルが好ましい。適当なアルコールの他の例は、
シクロヘキサノール、2−メチルシクロヘキサノール、
エチレングリコール、グリセロール、フエノール、クレ
ゾール、キシレノール及びナフトールである。非常に良
好な結果が、亜硝酸ブチルを用いて得られら。亜硝酸の
エステルは、例えばアルコールと窒素の酸化物又は硝酸
との反応により、その場で形成され得る。窒素の適当な
酸化物の例は、NO、N2O3、N2O4及びN2O5である。NO(好
ましくは、分子状酸素と組み合わせて)の使用が好まし
い。分子状酸素は、例えば純粋な酸素又は不活性ガスで
希釈された酸素(例えば、空気又は酸素濃縮空気)とし
て反応混合物中に導入され得る。
用いられ得る元素周期律表の第8族の貴金属の化合物
は、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、イリジ
ウム及びルテニウムの化合物である。非常に良好な結果
が、パラジウム化合物を用いて得られた。貴金属の適当
な塩の例は、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物(フツ化
物、塩化物、臭化物及びヨウ化物)及びカルボン酸塩好
ましくは1分子当たり12個より多くない炭素原子を有す
るアルカン酸から誘導されるアルカン酸塩である。非常
に良好な結果が、塩化パラジウムを用いて得られた。2
種の貴金属例えば白金及びパラジウムの化合物の混合物
も用いられ得る。
は、白金、パラジウム、ロジウム、オスミウム、イリジ
ウム及びルテニウムの化合物である。非常に良好な結果
が、パラジウム化合物を用いて得られた。貴金属の適当
な塩の例は、硝酸塩、硫酸塩、ハロゲン化物(フツ化
物、塩化物、臭化物及びヨウ化物)及びカルボン酸塩好
ましくは1分子当たり12個より多くない炭素原子を有す
るアルカン酸から誘導されるアルカン酸塩である。非常
に良好な結果が、塩化パラジウムを用いて得られた。2
種の貴金属例えば白金及びパラジウムの化合物の混合物
も用いられ得る。
適当なパラジウム化合物の更なる例は、パラジウム錯体
例えばビス(2,4−ペンタンジオナト)パラジウム、ビ
ス(ピコリナト)パラジウム、テトラキス(トリフエニ
ルホスフイン)パラジウム、テトラキスアセトニトリル
パラジウムテトラフルオロボレート、ビス(トリ−o−
トリルホスフイン)パラジウムアセテート、ビス(トリ
フエニルホスフイン)パラジウムサルフエート、パラジ
ウムオレフイン錯体(例えば、ジ−μ−クロロ−ジクロ
ロビス(エチレン)ジパラジウム (〔Pd.C2H4.Cl2〕2)及びジ−μ−クロロ−ジクロロ
ビス(プロピレン)ジパラジウム (〔Pd.C3H6.Cl2〕2))、及び水素化パラジウム錯体
である。
例えばビス(2,4−ペンタンジオナト)パラジウム、ビ
ス(ピコリナト)パラジウム、テトラキス(トリフエニ
ルホスフイン)パラジウム、テトラキスアセトニトリル
パラジウムテトラフルオロボレート、ビス(トリ−o−
トリルホスフイン)パラジウムアセテート、ビス(トリ
フエニルホスフイン)パラジウムサルフエート、パラジ
ウムオレフイン錯体(例えば、ジ−μ−クロロ−ジクロ
ロビス(エチレン)ジパラジウム (〔Pd.C2H4.Cl2〕2)及びジ−μ−クロロ−ジクロロ
ビス(プロピレン)ジパラジウム (〔Pd.C3H6.Cl2〕2))、及び水素化パラジウム錯体
である。
バナジウム塩及びチタン塩は、所望のジエステルの生成
を促進するのに驚くべき程効果がある。これらの塩を例
えば第2銅塩で置き換えることによって本発明の方法を
変更する場合は、それらの所望のエステルに対する選択
率はかなり低く、多量のシユウ酸のジエステルが生成す
る、ということがわかる。
を促進するのに驚くべき程効果がある。これらの塩を例
えば第2銅塩で置き換えることによって本発明の方法を
変更する場合は、それらの所望のエステルに対する選択
率はかなり低く、多量のシユウ酸のジエステルが生成す
る、ということがわかる。
バナジウム及びチタンの適当な塩の例は、塩化物、硝酸
塩、硫酸塩及びカルボン酸塩好ましくは1分子当たり12
個より多くない炭素原子を有するアルカン酸から誘導さ
れるアルカン酸塩である。非常に良好な結果が、塩化バ
ナジウム(III)及び塩化チタン(IV)を用いて得られ
た。
塩、硫酸塩及びカルボン酸塩好ましくは1分子当たり12
個より多くない炭素原子を有するアルカン酸から誘導さ
れるアルカン酸塩である。非常に良好な結果が、塩化バ
ナジウム(III)及び塩化チタン(IV)を用いて得られ
た。
不飽和炭化水素対一酸化炭素のモル比は広範囲に変えら
れ得、好ましくは0.2〜10の範囲にある。このモル比が
低く例えば1〜5の範囲に保たれ得、かくして多量の未
反応の不飽和化合物を再循環するのが避けられる、とい
うことは本発明の特徴である。
れ得、好ましくは0.2〜10の範囲にある。このモル比が
低く例えば1〜5の範囲に保たれ得、かくして多量の未
反応の不飽和化合物を再循環するのが避けられる、とい
うことは本発明の特徴である。
不飽和炭化水素対亜硝酸のエステルのモル比は広範囲に
変えられ得、適当には0.1〜20好ましくは0.5〜5の範囲
にある。亜硝酸のエステル対第8族の貴金属のモル比も
広範囲に変えられ得、適当には10〜100,000の範囲にあ
る。
変えられ得、適当には0.1〜20好ましくは0.5〜5の範囲
にある。亜硝酸のエステル対第8族の貴金属のモル比も
広範囲に変えられ得、適当には10〜100,000の範囲にあ
る。
バナジウム塩及び/又はチタン塩対第8族の貴金属のモ
ル比は広範囲に変えられ得、適当には0.1〜100の範囲に
ある。
ル比は広範囲に変えられ得、適当には0.1〜100の範囲に
ある。
本発明による方法は、広範囲の温度及び圧力にて好まし
くは20℃ないし200℃一層好ましくは50℃ないし125℃の
範囲及び5〜200バール一層好ましくは10〜100バールの
範囲にて行われ得る。
くは20℃ないし200℃一層好ましくは50℃ないし125℃の
範囲及び5〜200バール一層好ましくは10〜100バールの
範囲にて行われ得る。
本発明による方法は、溶媒例えばアルカノール(例え
ば、1分子当たり1〜8個の炭素原子を有するもの)の
存在下で行われる。亜硝酸のエステルが誘導されるとこ
ろのアルカノールが好ましい。
ば、1分子当たり1〜8個の炭素原子を有するもの)の
存在下で行われる。亜硝酸のエステルが誘導されるとこ
ろのアルカノールが好ましい。
適当な溶媒の他の例は、エーテル(例えば、メチルエチ
ルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールのジメチル
エーテル(“ジグリメ”とも呼ばれる。)、メチル第3
級ブチルエーテル又は1,4−ジオキサン)、ハロゲン化
炭化水素(例えば、クロロホルム、クロロベンゼン又は
ペルフルオロアルカン)、ケトン(例えば、アセトン、
ジエチルケトン又はメチルイソブチルケトン)、エステ
ル(例えば、メチルホーメート、エチルホーメート、プ
ロピルホーメート、メチルアセテート、エチルアセテー
ト、プロピルアセテート、並びに、アジピン酸、コハク
酸、マレイン酸、フマール酸、プロピオン酸、シユウ酸
及び安息香酸のメチル又はエチルエステル)、スルホン
(例えば、ジメチルスルホン、メチルブチルスルホン及
びテトラヒドロチオフエン1,1−ジオキシド(“スルホ
ラン”とも呼ばれる。)、スルホキシド(例えば、ジメ
チルスルホキシド及びジエチルスルホキシド)、芳香族
炭化水素(例えば、ベンゼン、トルエン及びキシレ
ン)、シクロアルカン(例えば、シクロヘキサン)、ニ
トロベンゼンである。
ルエーテル、ジエチルエーテル、ジプロピルエーテル、
テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールのジメチル
エーテル(“ジグリメ”とも呼ばれる。)、メチル第3
級ブチルエーテル又は1,4−ジオキサン)、ハロゲン化
炭化水素(例えば、クロロホルム、クロロベンゼン又は
ペルフルオロアルカン)、ケトン(例えば、アセトン、
ジエチルケトン又はメチルイソブチルケトン)、エステ
ル(例えば、メチルホーメート、エチルホーメート、プ
ロピルホーメート、メチルアセテート、エチルアセテー
ト、プロピルアセテート、並びに、アジピン酸、コハク
酸、マレイン酸、フマール酸、プロピオン酸、シユウ酸
及び安息香酸のメチル又はエチルエステル)、スルホン
(例えば、ジメチルスルホン、メチルブチルスルホン及
びテトラヒドロチオフエン1,1−ジオキシド(“スルホ
ラン”とも呼ばれる。)、スルホキシド(例えば、ジメ
チルスルホキシド及びジエチルスルホキシド)、芳香族
炭化水素(例えば、ベンゼン、トルエン及びキシレ
ン)、シクロアルカン(例えば、シクロヘキサン)、ニ
トロベンゼンである。
本発明による方法は、回分的に、半連続的に又は連続的
に行われ得る。反応時間は、使用温度に関連して0.5〜2
0時間の範囲で変えられ得る。
に行われ得る。反応時間は、使用温度に関連して0.5〜2
0時間の範囲で変えられ得る。
次の例により、本発明を更に説明する。それらの実験
は、電磁駆動式かくはん機を備えたハステロイC(ハス
テロイ(Hastelloy)は商標である。)製の300mlオート
クレーブ中で行われた。オートクレーブに亜硝酸ブチル
を装填し、次いで、エチレン及び一酸化炭素をそれぞれ
30バール及び20バールの分圧になるまで装填した。次い
で、オートクレーブを70℃の温度に加熱し、この温度に
5時間保った後、亜硝酸ブチルの変換率並びにコハク酸
ジブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率を測定し
た。或る化合物に対する選択率は、百分率で表して、 として定義される。ここで、aは、該或る化合物に変換
された出発化合物の量であり、bは、変換された出発化
合物の全量である。
は、電磁駆動式かくはん機を備えたハステロイC(ハス
テロイ(Hastelloy)は商標である。)製の300mlオート
クレーブ中で行われた。オートクレーブに亜硝酸ブチル
を装填し、次いで、エチレン及び一酸化炭素をそれぞれ
30バール及び20バールの分圧になるまで装填した。次い
で、オートクレーブを70℃の温度に加熱し、この温度に
5時間保った後、亜硝酸ブチルの変換率並びにコハク酸
ジブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率を測定し
た。或る化合物に対する選択率は、百分率で表して、 として定義される。ここで、aは、該或る化合物に変換
された出発化合物の量であり、bは、変換された出発化
合物の全量である。
例1 オートクレーブにブタノール(20ml)、亜硝酸ブチル
(30ml)、塩化パラジウム(II)(0.1ミリモル)及び
塩化バナジウム(III)(2ミリモル)を装填し、しか
してエチレン対亜硝酸ブチルのモル比は1.1であり、亜
硝酸ブチル対塩化パラジウム(II)のモル比は2200であ
った。亜硝酸ブチルの変換率は80%であり、コハク酸ジ
ブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれぞれ
80%及び10%であった。
(30ml)、塩化パラジウム(II)(0.1ミリモル)及び
塩化バナジウム(III)(2ミリモル)を装填し、しか
してエチレン対亜硝酸ブチルのモル比は1.1であり、亜
硝酸ブチル対塩化パラジウム(II)のモル比は2200であ
った。亜硝酸ブチルの変換率は80%であり、コハク酸ジ
ブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれぞれ
80%及び10%であった。
比較実験A 20mlの亜硝酸ブチル及び30mlのブタノールを用い、塩化
バナジウム(III)を添加しなかったことを除いて、例
1と同じように実験を行った。反応生成物は、微量しか
認められなかった。
バナジウム(III)を添加しなかったことを除いて、例
1と同じように実験を行った。反応生成物は、微量しか
認められなかった。
比較実験B 塩化バナジウム(III)を2ミリモルの塩化第2銅で置
き換えたことを除いて、例1と同じように実験を行っ
た。亜硝酸ブチルの変換率は90%であり、コハク酸ジブ
チル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれぞれ36
%及び56%であった。
き換えたことを除いて、例1と同じように実験を行っ
た。亜硝酸ブチルの変換率は90%であり、コハク酸ジブ
チル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれぞれ36
%及び56%であった。
比較実験C オートクレーブに、ブタノール(30ml)、亜硝酸ブチル
(20ml)、パラジウム(II)トシレート(0.1ミリモ
ル)及びトリフエニルホスフイン(3ミリモル)を装填
した。亜硝酸ブチルの変換率は20%であり、シユウ酸ジ
ブチルに対する選択率は80%であった。コハク酸ジブチ
ルは微量しか認められなかった。
(20ml)、パラジウム(II)トシレート(0.1ミリモ
ル)及びトリフエニルホスフイン(3ミリモル)を装填
した。亜硝酸ブチルの変換率は20%であり、シユウ酸ジ
ブチルに対する選択率は80%であった。コハク酸ジブチ
ルは微量しか認められなかった。
例2 塩化バナジウム(III)を2ミリモルの塩化チタン(I
V)で置き換えたことを除いて、例1と同じように実験
を行った。亜硝酸ブチルの変換率は70%であり、コハク
酸ジブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれ
ぞれ71%及び15%であった。
V)で置き換えたことを除いて、例1と同じように実験
を行った。亜硝酸ブチルの変換率は70%であり、コハク
酸ジブチル及びシユウ酸ジブチルに対する選択率はそれ
ぞれ71%及び15%であった。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B01J 27/135 Z 27/195 Z C07B 61/00 300
Claims (8)
- 【請求項1】ジカルボン酸のジエステルであって該酸が
出発物質として用いられる不飽和炭化水素よりも2個多
い炭素原子を有するジカルボン酸のジエステルの製造法
において、 (a)元素周期律表の第8族の貴金属の化合物と(b)
バナジウム塩及び/又はチタン塩、とを組み合わせるこ
とによって形成された触媒系の存在下で、不飽和炭化水
素、一酸化炭素、アルコール、及び亜硝酸のエステルを
反応させる、ことを特徴とする上記製造法。 - 【請求項2】貴金属の化合物がパラジウム化合物であ
る、特許請求の範囲第1項に記載の製造法。 - 【請求項3】不飽和炭化水素が、1分子当たり2〜20個
の炭素原子を有するアルケン又は1分子当たり20個まで
の炭素原子を有するシクロアルケンである、特許請求の
範囲第1項又は第2項に記載の製造法。 - 【請求項4】不飽和炭化水素がエテン、プロペン又はブ
テンである、特許請求の範囲第3項に記載の製造法。 - 【請求項5】亜硝酸のエステルが、亜硝酸と1分子当た
り1〜8個の炭素原子を有するアルカノールとのエステ
ルである、特許請求の範囲第1〜4項のいずれか1つの
項に記載の製造法。 - 【請求項6】エステルが亜硝酸ブチルである、特許請求
の範囲第5項に記載の製造法。 - 【請求項7】バナジウム塩が塩化バナジウム(III)で
あり、チタン塩が塩化チタン(IV)である、特許請求の
範囲第1〜6項のいずれか1つの項に記載の製造法。 - 【請求項8】不飽和炭化水素対一酸化炭素の使用モル比
が0.2〜2の範囲にある、特許請求の範囲第1〜7項の
いずれか1つの項に記載の製造法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB858515140A GB8515140D0 (en) | 1985-06-14 | 1985-06-14 | Preparation of diesters of dicarboxylic acids |
| GB8515140 | 1985-06-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61289058A JPS61289058A (ja) | 1986-12-19 |
| JPH0796524B2 true JPH0796524B2 (ja) | 1995-10-18 |
Family
ID=10580767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61135089A Expired - Lifetime JPH0796524B2 (ja) | 1985-06-14 | 1986-06-12 | ジカルボン酸のジエステルの製造法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4642371A (ja) |
| EP (1) | EP0206366B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0796524B2 (ja) |
| CA (1) | CA1269991A (ja) |
| DE (1) | DE3676882D1 (ja) |
| GB (1) | GB8515140D0 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4868328A (en) * | 1986-12-24 | 1989-09-19 | Shell Oil Company | Selective oxidative carbonylation of conjugated dienes |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4138580A (en) * | 1976-10-06 | 1979-02-06 | Ube Industries, Ltd. | Process for preparing diesters of dicarboxylic acids |
| JPS5481211A (en) * | 1977-12-09 | 1979-06-28 | Ube Ind Ltd | Production of dicarboxylic diester |
| JPS5842859B2 (ja) * | 1978-07-03 | 1983-09-22 | 宇部興産株式会社 | ジカルボン酸ジエステルの製法 |
| JPS56110645A (en) * | 1980-02-05 | 1981-09-01 | Ube Ind Ltd | Purifying method of dicarboxylic acid diester |
| JPS58126836A (ja) * | 1982-01-26 | 1983-07-28 | Ube Ind Ltd | シユウ酸ジエステルの製法 |
-
1985
- 1985-06-14 GB GB858515140A patent/GB8515140D0/en active Pending
-
1986
- 1986-04-24 EP EP86200705A patent/EP0206366B1/en not_active Expired
- 1986-04-24 DE DE8686200705T patent/DE3676882D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-04-28 CA CA000507708A patent/CA1269991A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-05-14 US US06/862,928 patent/US4642371A/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-06-12 JP JP61135089A patent/JPH0796524B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61289058A (ja) | 1986-12-19 |
| EP0206366A3 (en) | 1987-05-13 |
| EP0206366B1 (en) | 1991-01-16 |
| CA1269991A (en) | 1990-06-05 |
| DE3676882D1 (de) | 1991-02-21 |
| GB8515140D0 (en) | 1985-07-17 |
| EP0206366A2 (en) | 1986-12-30 |
| US4642371A (en) | 1987-02-10 |
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