JPH0797302A - 抗菌剤組成物 - Google Patents
抗菌剤組成物Info
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- JPH0797302A JPH0797302A JP24272093A JP24272093A JPH0797302A JP H0797302 A JPH0797302 A JP H0797302A JP 24272093 A JP24272093 A JP 24272093A JP 24272093 A JP24272093 A JP 24272093A JP H0797302 A JPH0797302 A JP H0797302A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【構成】 分子内に金属イオンに配位可能な配位基とア
ルコキシシリル基とを有する配位化合物が、銀イオン、
銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたはクロムイオンに
配位してなる金属錯体又は該金属錯体を不溶性担体粒子
に担持した金属錯体担持粒子、希釈剤並びに噴射剤を含
むことを特徴とする抗菌剤組成物。 【効果】 この抗菌剤組成物は、水酸基との反応性と縮
合反応性を有する金属錯体アルコキシシラン化合物を有
効成分としているため、この抗菌剤組成物がスプレーさ
れると、有効成分が被スプレー面と反応または有効成分
同士が縮合し、持続性の高い抗菌性が得られる。又、こ
の抗菌剤組成物中の有効成分は、金属錯体より解離した
金属イオンであり、第四級アンモニウム塩アルコキシシ
ラン化合物に比べて抗菌性が大きい。さらに、この金属
錯体アルコキシシラン化合物の抗菌効果は、大腸菌、緑
膿菌等の細菌ばかりでなく、黒黴や青黴等真菌に対して
も大きいので、紡菌及び防黴の両方に対する効果が期待
される。
ルコキシシリル基とを有する配位化合物が、銀イオン、
銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたはクロムイオンに
配位してなる金属錯体又は該金属錯体を不溶性担体粒子
に担持した金属錯体担持粒子、希釈剤並びに噴射剤を含
むことを特徴とする抗菌剤組成物。 【効果】 この抗菌剤組成物は、水酸基との反応性と縮
合反応性を有する金属錯体アルコキシシラン化合物を有
効成分としているため、この抗菌剤組成物がスプレーさ
れると、有効成分が被スプレー面と反応または有効成分
同士が縮合し、持続性の高い抗菌性が得られる。又、こ
の抗菌剤組成物中の有効成分は、金属錯体より解離した
金属イオンであり、第四級アンモニウム塩アルコキシシ
ラン化合物に比べて抗菌性が大きい。さらに、この金属
錯体アルコキシシラン化合物の抗菌効果は、大腸菌、緑
膿菌等の細菌ばかりでなく、黒黴や青黴等真菌に対して
も大きいので、紡菌及び防黴の両方に対する効果が期待
される。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は抗菌性の金属錯体または
金属錯体担持粒子を有効成分とする抗菌性スプレーに関
するものである。
金属錯体担持粒子を有効成分とする抗菌性スプレーに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】簡単な操作によって繊維、プラスチッ
ク、建材等に抗菌性を付与できるものとして、抗菌性ス
プレーや抗菌仕上げ剤がある。
ク、建材等に抗菌性を付与できるものとして、抗菌性ス
プレーや抗菌仕上げ剤がある。
【0003】例えば、特開昭63ー250325には、
抗菌性を有する平均粒子径が0.2〜10μmのゼオラ
イト粉末を含むスプレー組成物が、また、特開平4ー3
16676には、第四級アンモニウム塩を有効成分と
し、衣料等を対象とする抗菌防臭仕上げ剤が、それぞれ
開示されている。
抗菌性を有する平均粒子径が0.2〜10μmのゼオラ
イト粉末を含むスプレー組成物が、また、特開平4ー3
16676には、第四級アンモニウム塩を有効成分と
し、衣料等を対象とする抗菌防臭仕上げ剤が、それぞれ
開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】抗菌性の金属イオンを
含むゼオライトを有効成分とするスプレーは、抗菌効果
は大きいが、有効成分が粒子であるため被スプレー面か
らゼオライト粒子が脱離し易く、効果の持続性が乏しい
という問題点がある。また、こうしたスプレーは、粒径
が0.2〜10μmのゼオライトを含むため、スプレー
面が黒色の場合、被スプレー面は、吹き付けられたゼオ
ライト粉末によって白色に見える。
含むゼオライトを有効成分とするスプレーは、抗菌効果
は大きいが、有効成分が粒子であるため被スプレー面か
らゼオライト粒子が脱離し易く、効果の持続性が乏しい
という問題点がある。また、こうしたスプレーは、粒径
が0.2〜10μmのゼオライトを含むため、スプレー
面が黒色の場合、被スプレー面は、吹き付けられたゼオ
ライト粉末によって白色に見える。
【0005】一方、特開平4−316676に記載され
ている第四級アンモニウム塩を有効成分とするものは、
無色であり衣料等に使えるという利点があるが、抗菌性
は上記ゼオライトのものに劣り、衣料と化学的に結合す
るものではないので、水洗によって抗菌性が著しく低下
するという問題点がある。
ている第四級アンモニウム塩を有効成分とするものは、
無色であり衣料等に使えるという利点があるが、抗菌性
は上記ゼオライトのものに劣り、衣料と化学的に結合す
るものではないので、水洗によって抗菌性が著しく低下
するという問題点がある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに鋭意検討した結果、抗菌性成分としてアルコキシシ
リル基と金属錯体部とを有する化合物を用いると、抗菌
性と持続性に優れた抗菌性スプレーが得られることを見
い出し、本発明を完成するに至った。
めに鋭意検討した結果、抗菌性成分としてアルコキシシ
リル基と金属錯体部とを有する化合物を用いると、抗菌
性と持続性に優れた抗菌性スプレーが得られることを見
い出し、本発明を完成するに至った。
【0007】即ち、本発明は、分子内に金属イオンに配
位可能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化
合物が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンま
たはクロムイオンに配位してなる金属錯体、希釈剤並び
に噴射剤を含むことを特徴とする抗菌剤組成物である。
位可能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化
合物が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンま
たはクロムイオンに配位してなる金属錯体、希釈剤並び
に噴射剤を含むことを特徴とする抗菌剤組成物である。
【0008】他の発明は、分子内に金属イオンに配位可
能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化合物
が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたは
クロムイオンに配位してなる金属錯体、不溶性担体粒
子、希釈剤並びに噴射剤を含むことを特徴とする抗菌剤
組成物である。
能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化合物
が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたは
クロムイオンに配位してなる金属錯体、不溶性担体粒
子、希釈剤並びに噴射剤を含むことを特徴とする抗菌剤
組成物である。
【0009】更に他の発明は、分子内に金属イオンに配
位可能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化
合物が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンま
たはクロムイオンに配位してなる金属錯体を不溶性担体
粒子に担持した金属錯体担持粒子、希釈剤並びに噴射剤
を含むことを特徴とする抗菌剤組成物である。
位可能な配位基とアルコキシシリル基とを有する配位化
合物が、銀イオン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンま
たはクロムイオンに配位してなる金属錯体を不溶性担体
粒子に担持した金属錯体担持粒子、希釈剤並びに噴射剤
を含むことを特徴とする抗菌剤組成物である。
【0010】本発明の分子内に金属イオンに配位可能な
配位基とアルコキシシリル基を有する配位化合物(以
下、単に配位化合物という)の代表的なものを一般式で
示せば、下記一般式(1)
配位基とアルコキシシリル基を有する配位化合物(以
下、単に配位化合物という)の代表的なものを一般式で
示せば、下記一般式(1)
【0011】
【化1】
【0012】(但し、Xは金属イオンに配位可能な基、
Yは2価の炭化水素基で主鎖に酸素または硫黄原子を有
していてもよい、A1,A2は独立して低級アルキル基で
あり、kは1〜3の整数である)で表される。
Yは2価の炭化水素基で主鎖に酸素または硫黄原子を有
していてもよい、A1,A2は独立して低級アルキル基で
あり、kは1〜3の整数である)で表される。
【0013】一般式(1)で表される配位化合物のX
は、一般の金属イオンに配位可能な基であれば特に限定
されない。このような基として、例えば、窒素、硫黄、
酸素等を含む基がある。
は、一般の金属イオンに配位可能な基であれば特に限定
されない。このような基として、例えば、窒素、硫黄、
酸素等を含む基がある。
【0014】窒素を含む基として例えば、アミノ基、メ
チルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン等のアルキ
ルアミノ基、アミド基、アゾ基、アミジノ基、ピリジル
基、ピロリル基、キノリル基、イミダゾイル基等を例示
することができる。硫黄を含む基としては、スルフヒド
リル基(メルカプト基)、チオキソ基、チエニル基、テ
ニル基、テノイル基、チオホルミル基、チオアセチル
基、メチルチオニル基、チオカルバモイル基、スルホニ
ル基、チオカルボキシル基等を例示できる。更に、酸素
を含む基として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カ
ルボニル基等がある。 該基Xには、上記の窒素、硫
黄、又は酸素が含まれる基が単独または2種以上含まれ
る。
チルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン等のアルキ
ルアミノ基、アミド基、アゾ基、アミジノ基、ピリジル
基、ピロリル基、キノリル基、イミダゾイル基等を例示
することができる。硫黄を含む基としては、スルフヒド
リル基(メルカプト基)、チオキソ基、チエニル基、テ
ニル基、テノイル基、チオホルミル基、チオアセチル
基、メチルチオニル基、チオカルバモイル基、スルホニ
ル基、チオカルボキシル基等を例示できる。更に、酸素
を含む基として、ヒドロキシル基、カルボキシル基、カ
ルボニル基等がある。 該基Xには、上記の窒素、硫
黄、又は酸素が含まれる基が単独または2種以上含まれ
る。
【0015】好適な配位可能な基の代表例として、H2
N−、CH3N(H)−、2ーピリジル基、2ーピロリ
ル基、2ーキノリル基、イミダゾイル基、HS−、CH
3S−、2ーチエニル基、HOOC−等の単座配位子と
なりうるもの;H2N(CH2)2NHー、H2N(C
H2)3NH−、4ー(2、2`ービピリジル)基、5ー
(1、10ーフェナントロリル)基、HS(CH2)2S
−、CH3S(CH2)2S−、OS(CH2)2S−、
(HOOC)2Cー、H3CCOCOCH2ー、HOOC
CH2NH−、HOOC(CH2)2NH−、5(8ーヒ
ドロキシキノリル)基、HOOCCH2S−、HO(C
H2)2NH−、HS(CH2)2NH−等の二座配位可能
なもの;H2N(CH2)2NH(CH2)2NH−、(H
OOC)2Nー、HSCH2CH(COOH)NHー、
(HOC2H4)NH(CH2)2NH−、(HOC2H4)
2N−、HO(CH2)2S(CH2)2NH−、H2N
(CH2)2S(CH2)2NH−等の三座配位可能なも
の;H2N(CH2)2NH(CH2)NH(CH2)2NH
−、H2N(CH2)2S(CH2)2S(CH2)2NH−
等の四座配位可能なもの;(HOOCCH2)2N(CH
2)2N(CH2COOH)−の様に五座配位可能なもの
等を示すことができる。
N−、CH3N(H)−、2ーピリジル基、2ーピロリ
ル基、2ーキノリル基、イミダゾイル基、HS−、CH
3S−、2ーチエニル基、HOOC−等の単座配位子と
なりうるもの;H2N(CH2)2NHー、H2N(C
H2)3NH−、4ー(2、2`ービピリジル)基、5ー
(1、10ーフェナントロリル)基、HS(CH2)2S
−、CH3S(CH2)2S−、OS(CH2)2S−、
(HOOC)2Cー、H3CCOCOCH2ー、HOOC
CH2NH−、HOOC(CH2)2NH−、5(8ーヒ
ドロキシキノリル)基、HOOCCH2S−、HO(C
H2)2NH−、HS(CH2)2NH−等の二座配位可能
なもの;H2N(CH2)2NH(CH2)2NH−、(H
OOC)2Nー、HSCH2CH(COOH)NHー、
(HOC2H4)NH(CH2)2NH−、(HOC2H4)
2N−、HO(CH2)2S(CH2)2NH−、H2N
(CH2)2S(CH2)2NH−等の三座配位可能なも
の;H2N(CH2)2NH(CH2)NH(CH2)2NH
−、H2N(CH2)2S(CH2)2S(CH2)2NH−
等の四座配位可能なもの;(HOOCCH2)2N(CH
2)2N(CH2COOH)−の様に五座配位可能なもの
等を示すことができる。
【0016】このうち、取扱操作性などを考慮すると、
H2N−、H2N(CH2)NH−、H2N(CH2)2NH
(CH2)2NH−、H2N(CH2)2NH(CH2)2N
H(CH2)2NH−、ピリジル基、イミダゾイル基等が
特に好ましい。
H2N−、H2N(CH2)NH−、H2N(CH2)2NH
(CH2)2NH−、H2N(CH2)2NH(CH2)2N
H(CH2)2NH−、ピリジル基、イミダゾイル基等が
特に好ましい。
【0017】一般式(1)で表される配位化合物のY
は、X部分とアルコキシシリル基部分とを連結する役目
をするものであり、2価の炭化水素を示すが、炭素及び
水素以外に主鎖に酸素、硫黄等を含んでいてもよい。
具体的に例示すれば、ー(CH2)aー、ー(CH2)aO
(CH2)b− (ここで、a及びbは1〜6の整数を示
す)が挙げられる。
は、X部分とアルコキシシリル基部分とを連結する役目
をするものであり、2価の炭化水素を示すが、炭素及び
水素以外に主鎖に酸素、硫黄等を含んでいてもよい。
具体的に例示すれば、ー(CH2)aー、ー(CH2)aO
(CH2)b− (ここで、a及びbは1〜6の整数を示
す)が挙げられる。
【0018】一般式(1)中のアルコキシシリル基にお
いて、A1,A2はメチル基、エチル基、プロピル基等の
低級アルキル基である。kは1〜3の整数であり、3の
場合が最も好ましい。このアルコキシシリル基を具体的
に例示すれば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシ
リル基、トリプロピルシリル基、メチルジメトキシシリ
ル基、ジメチルメトキシシリル基、エチルジメトキシシ
リル基、ジエチルメトキシシリル基、メチルジエトキシ
シリル基、ジメチルエトキシシリル基、エチルジエトキ
シシリル基、ジエチルエトキシシリル基等を例示でき
る。
いて、A1,A2はメチル基、エチル基、プロピル基等の
低級アルキル基である。kは1〜3の整数であり、3の
場合が最も好ましい。このアルコキシシリル基を具体的
に例示すれば、トリメトキシシリル基、トリエトキシシ
リル基、トリプロピルシリル基、メチルジメトキシシリ
ル基、ジメチルメトキシシリル基、エチルジメトキシシ
リル基、ジエチルメトキシシリル基、メチルジエトキシ
シリル基、ジメチルエトキシシリル基、エチルジエトキ
シシリル基、ジエチルエトキシシリル基等を例示でき
る。
【0019】前記一般式(1)で表される配位化合物の
合成には、公知の合成方法を限定なく採用することがで
きる。例えば、γークロルプロピルトリアルコキシシラ
ンとエチレンジアミンやトリメチレンジアミン等のポリ
アミン(又は、ポリイミン)との反応によりNートリア
ルコキシシリルプロピル基を持つアミノ化合物を合成す
る方法等が示される。
合成には、公知の合成方法を限定なく採用することがで
きる。例えば、γークロルプロピルトリアルコキシシラ
ンとエチレンジアミンやトリメチレンジアミン等のポリ
アミン(又は、ポリイミン)との反応によりNートリア
ルコキシシリルプロピル基を持つアミノ化合物を合成す
る方法等が示される。
【0020】本発明の配位化合物の代表例を具体的に挙
げれば、2ー(トリメトキシシリル)エチルー2ーピリ
ジン(以下、TMSEPYDという)、N−[3ー(ト
リエトキシシリル)プロピル]ー4、5ージヒドロイミ
ダゾール(以下、TESPIMDという)、H2N(C
H2)3Si(OCH3)3、CH3S(CH2)3Si(O
CH3)3、H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3(以下、TMSPEDAという)、H2N(C
H2)2NH(CH2)2NH(CH2)3Si(OCH3)3
(以下、TMSPDETAという)、H2N(CH2)2
NH(CH2)2NH(CH2)2(CH2)3Si(OCH
3)3、H2N(CH2)3NH(CH2)3Si(OCH3)
3、CH3S(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3、
O=S(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3、CH
3S(CH2)2S(CH2)2S(CH2)3Si(OC
H3)3、HO(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、H3CS(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、HS(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、H2N(CH2)3Si(OC2H5)3、H2N
(CH2)2NH(CH2)3Si(OC2H5)3、H2N
(CH2)2NH(CH2)2NH(CH2)3Si(OC2
H5)3、H2N(CH2)3Si(CH3)(OC
2H5)2、H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(C
H3)(OC2H5)2、H2N(CH2)2NH(CH2)2
NH(CH2)3Si(CH3)2(OC2H5)、H2N
(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3等がある。
げれば、2ー(トリメトキシシリル)エチルー2ーピリ
ジン(以下、TMSEPYDという)、N−[3ー(ト
リエトキシシリル)プロピル]ー4、5ージヒドロイミ
ダゾール(以下、TESPIMDという)、H2N(C
H2)3Si(OCH3)3、CH3S(CH2)3Si(O
CH3)3、H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3(以下、TMSPEDAという)、H2N(C
H2)2NH(CH2)2NH(CH2)3Si(OCH3)3
(以下、TMSPDETAという)、H2N(CH2)2
NH(CH2)2NH(CH2)2(CH2)3Si(OCH
3)3、H2N(CH2)3NH(CH2)3Si(OCH3)
3、CH3S(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3、
O=S(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3、CH
3S(CH2)2S(CH2)2S(CH2)3Si(OC
H3)3、HO(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、H3CS(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、HS(CH2)2NH(CH2)3Si(OC
H3)3、H2N(CH2)3Si(OC2H5)3、H2N
(CH2)2NH(CH2)3Si(OC2H5)3、H2N
(CH2)2NH(CH2)2NH(CH2)3Si(OC2
H5)3、H2N(CH2)3Si(CH3)(OC
2H5)2、H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(C
H3)(OC2H5)2、H2N(CH2)2NH(CH2)2
NH(CH2)3Si(CH3)2(OC2H5)、H2N
(CH2)2S(CH2)3Si(OCH3)3等がある。
【0021】このうち、TMSEPYD、TESPIM
D、TMSPDETA、TMSPEDA、HO(C
H2)2NH(CH2)3Si(OH3)3、H2N(CH2)
2S(CH2)3Si(OCH3)3、CH3S(CH2)2S
(CH2)3Si(OCH3)3が好ましく、より好ましく
は、TMSEPYD、TESPIMD、TMSPDET
A、TMSPEDA H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(OCH3)3、H2
N(CH2)3NH(CH2)3Si(OCH3)3である。
D、TMSPDETA、TMSPEDA、HO(C
H2)2NH(CH2)3Si(OH3)3、H2N(CH2)
2S(CH2)3Si(OCH3)3、CH3S(CH2)2S
(CH2)3Si(OCH3)3が好ましく、より好ましく
は、TMSEPYD、TESPIMD、TMSPDET
A、TMSPEDA H2N(CH2)2NH(CH2)3Si(OCH3)3、H2
N(CH2)3NH(CH2)3Si(OCH3)3である。
【0022】本発明の金属錯体は、上記配位化合物が金
属イオンに配位してなるものである。該金属イオンとし
ては、抗菌性を有する銀、銅、亜鉛、錫、クロムの金属
のイオンが使用される。このうち、抗菌性の強度や環境
問題等を考慮すると銀、亜鉛、及び銅イオンが好まし
い。これらの金属イオンの電荷は、特に限定されるもの
ではなく、例えば、銅イオンの場合、その電荷は+1で
あっても+2であってもよい。
属イオンに配位してなるものである。該金属イオンとし
ては、抗菌性を有する銀、銅、亜鉛、錫、クロムの金属
のイオンが使用される。このうち、抗菌性の強度や環境
問題等を考慮すると銀、亜鉛、及び銅イオンが好まし
い。これらの金属イオンの電荷は、特に限定されるもの
ではなく、例えば、銅イオンの場合、その電荷は+1で
あっても+2であってもよい。
【0023】本発明において、配位化合物の上記金属イ
オンへの配位状態は、金属イオン1個に対して配位化合
物が少なくとも1分子配位している状態であり、配位状
態は単座配位あるいは多座配位(キレート配位)のどち
らであってもよい。また、該金属イオンには、配位化合
物の他にも、金属イオンに配位可能な他の化合物が配位
していてもよい。即ち、本発明の金属錯体は、混合配位
子錯体であってもよい。
オンへの配位状態は、金属イオン1個に対して配位化合
物が少なくとも1分子配位している状態であり、配位状
態は単座配位あるいは多座配位(キレート配位)のどち
らであってもよい。また、該金属イオンには、配位化合
物の他にも、金属イオンに配位可能な他の化合物が配位
していてもよい。即ち、本発明の金属錯体は、混合配位
子錯体であってもよい。
【0024】本発明の金属錯体の製法は特に限定され
ず、配位化合物及び金属イオンの供給源となる金属化合
物の組合せに応じて、最も簡便な製法を採用することが
できる。例えば、金属化合物を溶解した溶液に、配位化
合物、及び所望により触媒を加えて製造する方法が代表
的である。
ず、配位化合物及び金属イオンの供給源となる金属化合
物の組合せに応じて、最も簡便な製法を採用することが
できる。例えば、金属化合物を溶解した溶液に、配位化
合物、及び所望により触媒を加えて製造する方法が代表
的である。
【0025】上記金属化合物としては、配位化合物と反
応可能な金属イオンよりなる金属化合物を限定なく使用
することができる。具体的に例示すれば、塩化第二銅、
塩化第一銅、塩化クロミウム、塩化亜鉛、塩化第二錫、
塩化第一錫等の金属ハロゲン化物;硝酸亜鉛、硝酸銀、
硝酸銅、硝酸カドミニウム等の金属硝酸塩;亜鉛ビス
(アセチルアセトナト)、クロミウムトリス(アセチル
アセトナト)等のアセチルアセトナト金属錯体;過塩素
酸銀、過塩素酸亜鉛等の過塩素酸塩;銅ジイゾポロポキ
シド、亜鉛ジエトキシド、錫テトラ−sec−ブトキシ
ド等の金属アルコキシド化合物等がある。
応可能な金属イオンよりなる金属化合物を限定なく使用
することができる。具体的に例示すれば、塩化第二銅、
塩化第一銅、塩化クロミウム、塩化亜鉛、塩化第二錫、
塩化第一錫等の金属ハロゲン化物;硝酸亜鉛、硝酸銀、
硝酸銅、硝酸カドミニウム等の金属硝酸塩;亜鉛ビス
(アセチルアセトナト)、クロミウムトリス(アセチル
アセトナト)等のアセチルアセトナト金属錯体;過塩素
酸銀、過塩素酸亜鉛等の過塩素酸塩;銅ジイゾポロポキ
シド、亜鉛ジエトキシド、錫テトラ−sec−ブトキシ
ド等の金属アルコキシド化合物等がある。
【0026】また、金属錯体の合成に用いる触媒として
は、酸、アルカリ、活性炭等公知のものを使用すること
ができる。
は、酸、アルカリ、活性炭等公知のものを使用すること
ができる。
【0027】さらに、上記金属化合物を溶解するに際し
て使用する溶媒は、配位化合物に含まれるアルコキシシ
リル基を容易に加水分解しないものであれば、公知の溶
媒を限定なく使用することができる。このような溶媒と
して、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類;ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類;ジクロロメタン、トリクロロメ
タン、テトラクロロメタン等のハロゲン化物;ジエチル
エーテル、エチルメチルエーテル等のエーテル類;アセ
トン、アセチルアセトン、エチルメチルケトン等のケト
ン類等がある。
て使用する溶媒は、配位化合物に含まれるアルコキシシ
リル基を容易に加水分解しないものであれば、公知の溶
媒を限定なく使用することができる。このような溶媒と
して、例えば、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール類;ベンゼン、トルエン、キシレン
等の芳香族炭化水素類;ジクロロメタン、トリクロロメ
タン、テトラクロロメタン等のハロゲン化物;ジエチル
エーテル、エチルメチルエーテル等のエーテル類;アセ
トン、アセチルアセトン、エチルメチルケトン等のケト
ン類等がある。
【0028】金属錯体を合成する場合、前記の金属化合
物と配位化合物との仕込量の比(モル比)は、通常、製
造する金属錯体の種類に応じて調整する。例えば、金属
イオン1個に対して、該配位化合物が化合物が2分子が
配位する場合、通常、金属化合物と配位化合物との仕込
量のモル比を1:2とする。
物と配位化合物との仕込量の比(モル比)は、通常、製
造する金属錯体の種類に応じて調整する。例えば、金属
イオン1個に対して、該配位化合物が化合物が2分子が
配位する場合、通常、金属化合物と配位化合物との仕込
量のモル比を1:2とする。
【0029】前記の金属化合物と配位化合物とより金属
錯体が生成するための温度及び時間は特に限定されるも
のではない。通常、室温ないし100℃の温度におい
て、数分ないし1週間の時間をかけて行われる。反応時
間は、加熱又は前記の触媒の使用により短縮可能であ
る。
錯体が生成するための温度及び時間は特に限定されるも
のではない。通常、室温ないし100℃の温度におい
て、数分ないし1週間の時間をかけて行われる。反応時
間は、加熱又は前記の触媒の使用により短縮可能であ
る。
【0030】そして、金属化合物と配位化合物との反応
等により得られる金属錯体は、必要に応じてイオン交換
カラム、分子ふるいカラム、単離後の洗浄等によって精
製される。
等により得られる金属錯体は、必要に応じてイオン交換
カラム、分子ふるいカラム、単離後の洗浄等によって精
製される。
【0031】本発明の金属錯体は、配位化合物の窒素、
酸素、硫黄等が前記金属イオンに配位したものであり、
金属イオンの電荷及び配位化合物の電荷との組合せによ
って、対イオンを有する塩になる場合と無電荷の錯化合
物になる場合とがある。
酸素、硫黄等が前記金属イオンに配位したものであり、
金属イオンの電荷及び配位化合物の電荷との組合せによ
って、対イオンを有する塩になる場合と無電荷の錯化合
物になる場合とがある。
【0032】例えば,金属錯体が[M(L1)(L2)]
nx(Mは金属イオン、L1及びL2のうち少なくとも一方
は本発明の配位化合物であり、nは整数、xは+又は−
を示す)であるとする。Mが+2価であり、L1及びL2
がエチレンジアミンのように無電荷であれば、n=2、
x=+となり、生成する金属錯体は陽イオンとなる。ま
た、Mが+2価であり、L1及びL2がカルボキシイオン
(COO-)とNH2を各々1個有する−1価の化合物で
ある場合、n=0となり、生成する金属錯体は無電荷と
なる。更に、Mが+2価であり、L1及びL2がカルボキ
シイオン(COO-)を2個有する−2価の化合物であ
る場合、n=2、x=−となり、生成する金属錯体は陰
イオンとなる。ここで、金属錯体が陰イオン又は陽イオ
ンである場合、対イオンとして各々陽イオン又は陰イオ
ンを有する塩(錯塩)となる。
nx(Mは金属イオン、L1及びL2のうち少なくとも一方
は本発明の配位化合物であり、nは整数、xは+又は−
を示す)であるとする。Mが+2価であり、L1及びL2
がエチレンジアミンのように無電荷であれば、n=2、
x=+となり、生成する金属錯体は陽イオンとなる。ま
た、Mが+2価であり、L1及びL2がカルボキシイオン
(COO-)とNH2を各々1個有する−1価の化合物で
ある場合、n=0となり、生成する金属錯体は無電荷と
なる。更に、Mが+2価であり、L1及びL2がカルボキ
シイオン(COO-)を2個有する−2価の化合物であ
る場合、n=2、x=−となり、生成する金属錯体は陰
イオンとなる。ここで、金属錯体が陰イオン又は陽イオ
ンである場合、対イオンとして各々陽イオン又は陰イオ
ンを有する塩(錯塩)となる。
【0033】本発明の金属錯体の代表例を一般式で示せ
ば次のものが挙げられる。
ば次のものが挙げられる。
【0034】
【化2】
【0035】{式中、Mは銀イオン、銅イオン、亜鉛イ
オン、錫イオン、またはクロムイオンであり、A1およ
びA2は独立して低級アルキル基であり、fは1または
2であり、kは1〜3の整数であり、gは1〜6整数で
あり、Bはアニオンであり、Wは下記式(aー1)又は(a
-2)を示し、
オン、錫イオン、またはクロムイオンであり、A1およ
びA2は独立して低級アルキル基であり、fは1または
2であり、kは1〜3の整数であり、gは1〜6整数で
あり、Bはアニオンであり、Wは下記式(aー1)又は(a
-2)を示し、
【0036】
【化3】
【0037】(式中、R1、R2、R3、R4は独立して水
素原子、低級アルキル基、低級アミノアルキル基を示
し、R1及びR2は連結して−CH2CH2NHCH2CH2
−基を形成してもよい、mは2または3、nは0、2ま
たは3、pは0または1、qは1〜6の整数、rは0、
1または2、tは0または1、Eは窒素を含む複素環
基、但し式(aー1)においてpが0の時はnは0で、t
が0の時mは0、式(a-2)においてrが0の時pが0
である)} 具体的な金属錯体の例としては、[Ag(TMSEPY
D)2]NO3、[Ag(TESPIMD)2]NO3、
[Ag(TMSPEDA)2]NO3、[Ag(TMSP
DETA)2]NO3、[Cu(TMSPEDA)2]
(NO3)2、[Cu(TMSPEDA)2]NO3、[C
u(TMSPDETA)2](NO3)2等を挙げること
ができる。
素原子、低級アルキル基、低級アミノアルキル基を示
し、R1及びR2は連結して−CH2CH2NHCH2CH2
−基を形成してもよい、mは2または3、nは0、2ま
たは3、pは0または1、qは1〜6の整数、rは0、
1または2、tは0または1、Eは窒素を含む複素環
基、但し式(aー1)においてpが0の時はnは0で、t
が0の時mは0、式(a-2)においてrが0の時pが0
である)} 具体的な金属錯体の例としては、[Ag(TMSEPY
D)2]NO3、[Ag(TESPIMD)2]NO3、
[Ag(TMSPEDA)2]NO3、[Ag(TMSP
DETA)2]NO3、[Cu(TMSPEDA)2]
(NO3)2、[Cu(TMSPEDA)2]NO3、[C
u(TMSPDETA)2](NO3)2等を挙げること
ができる。
【0038】本発明の金属錯体の化学構造は、通常一般
的な化学分析手段で決定できる。そのような化学分析手
段として、例えば、赤外線吸収スペクトル(以下、IR
スペクトルという)、可視及び紫外光吸収スペクトル、
核磁気共鳴スペクトル(以下、NMRスペクトルとい
う)、原子吸光スペクトル、誘導結合高周波プラズマ
(以下、ICPという)分析及び元素分析等がある。
的な化学分析手段で決定できる。そのような化学分析手
段として、例えば、赤外線吸収スペクトル(以下、IR
スペクトルという)、可視及び紫外光吸収スペクトル、
核磁気共鳴スペクトル(以下、NMRスペクトルとい
う)、原子吸光スペクトル、誘導結合高周波プラズマ
(以下、ICPという)分析及び元素分析等がある。
【0039】NMRスペクトル、元素分析及びIRスペ
クトルでは配位化合物が本発明の金属錯体中に含まれる
ことを確認できる。IR、可視及び紫外光吸収スペクト
ルでは配位化合物が金属イオンに配位していることを確
認できる。例えば、IRスペクトルでは、配位化合物の
金属イオンに配位可能な基がアミノ基である場合、該ア
ミノ基は金属イオンに配位するとピークの位置が高エネ
ルギー側にシフトするので、アミノ基の金属イオンへの
配位を確認できる。また、可視光吸収スペクトルでは、
例えば、銅イオンのような遷移金属イオンが金属錯体を
形成すると、d−d遷移に基づく吸収ピークが現われる
ので、錯体の形成を確認できる。更に、原子吸光スペク
トル及びICP分析では、本発明の金属錯体中に金属イ
オンが含まれることを確認できる。
クトルでは配位化合物が本発明の金属錯体中に含まれる
ことを確認できる。IR、可視及び紫外光吸収スペクト
ルでは配位化合物が金属イオンに配位していることを確
認できる。例えば、IRスペクトルでは、配位化合物の
金属イオンに配位可能な基がアミノ基である場合、該ア
ミノ基は金属イオンに配位するとピークの位置が高エネ
ルギー側にシフトするので、アミノ基の金属イオンへの
配位を確認できる。また、可視光吸収スペクトルでは、
例えば、銅イオンのような遷移金属イオンが金属錯体を
形成すると、d−d遷移に基づく吸収ピークが現われる
ので、錯体の形成を確認できる。更に、原子吸光スペク
トル及びICP分析では、本発明の金属錯体中に金属イ
オンが含まれることを確認できる。
【0040】本発明の金属錯体の金属イオンが、遷移金
属のイオンの場合には、通常、鮮やかな色を呈し、可視
光の波長領域に強い吸収を示す。該金属イオンが遷移金
属イオンでない場合には、可視光領域には吸収を示さな
い場合があるが、紫外光又は赤外光に対しては吸収を示
す。
属のイオンの場合には、通常、鮮やかな色を呈し、可視
光の波長領域に強い吸収を示す。該金属イオンが遷移金
属イオンでない場合には、可視光領域には吸収を示さな
い場合があるが、紫外光又は赤外光に対しては吸収を示
す。
【0041】本発明の金属錯体は、通常溶媒に可溶であ
るがアルコキシシリル基を有するので、加熱、或は、
酸、アルカリ、水などによって容易に縮重合し、縮重合
反応が進に従い徐々に不溶性になる。又、本発明の金属
錯体のアルコキシシリル基は、セラミックス、ガラス、
紙等種々の物質の表面と化学的に結合し易い。
るがアルコキシシリル基を有するので、加熱、或は、
酸、アルカリ、水などによって容易に縮重合し、縮重合
反応が進に従い徐々に不溶性になる。又、本発明の金属
錯体のアルコキシシリル基は、セラミックス、ガラス、
紙等種々の物質の表面と化学的に結合し易い。
【0042】本発明の抗菌剤組成物は、金属錯体、希釈
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(A)という)、金属錯体、不溶性担体粒子、希釈
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(B)という)、並びに、金属錯体担持粒子、希釈
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(C)という)の三つの種類がある。
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(A)という)、金属錯体、不溶性担体粒子、希釈
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(B)という)、並びに、金属錯体担持粒子、希釈
剤、及び噴射剤よりなる抗菌剤組成物(以下、抗菌剤組
成物(C)という)の三つの種類がある。
【0043】本発明で用いる上記希釈剤は、金属錯体を
希釈または金属錯体担持粒子を分散希釈するために用い
るもので、金属錯体と反応しないものであれば公知のも
のを、特に限定することなく用いることができる。代表
的なものとして、メタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン、ヘプタン等の飽和炭化水素類、トルエン、ベンゼ
ン、キシレン等の不飽和炭化水素類、アセトン 、ジエ
チルエーテル、等を例示することができる。このうち、
安全衛生面より、エタノールが特に好ましい。
希釈または金属錯体担持粒子を分散希釈するために用い
るもので、金属錯体と反応しないものであれば公知のも
のを、特に限定することなく用いることができる。代表
的なものとして、メタノール、エタノール、イソプロピ
ルアルコール等のアルコール類、ヘキサン、シクロヘキ
サン、ヘプタン等の飽和炭化水素類、トルエン、ベンゼ
ン、キシレン等の不飽和炭化水素類、アセトン 、ジエ
チルエーテル、等を例示することができる。このうち、
安全衛生面より、エタノールが特に好ましい。
【0044】本発明で用いる噴射剤は、金属錯体、金属
錯体および不溶性担体粒子、または金属錯体担持粒子を
希釈剤とともに噴霧する為のもので、公知のものを広く
採用できる。具体的には、トリクロルモノルルオルメタ
ン、ジクロルテトラフルオルエタン、トリクロルトリフ
ルオルエタン(CCl3CF3)、ジクロルトリフルオル
エタン(CHCl2CF3)、テトラフルオルエタン(C
H2FCF3)、ジクロルモノフルオルエタン(CH3C
Cl2F)、液化石油ガス、ジメチルエーテル等が挙げ
られ、これらは単独または2種以上の混合物として用い
ることができる。
錯体および不溶性担体粒子、または金属錯体担持粒子を
希釈剤とともに噴霧する為のもので、公知のものを広く
採用できる。具体的には、トリクロルモノルルオルメタ
ン、ジクロルテトラフルオルエタン、トリクロルトリフ
ルオルエタン(CCl3CF3)、ジクロルトリフルオル
エタン(CHCl2CF3)、テトラフルオルエタン(C
H2FCF3)、ジクロルモノフルオルエタン(CH3C
Cl2F)、液化石油ガス、ジメチルエーテル等が挙げ
られ、これらは単独または2種以上の混合物として用い
ることができる。
【0045】本発明の抗菌剤組成物(B)で用いる不溶
性担体粒子は、希釈剤に溶解しない粒子でスプレー化が
可能なものであれば、形状、粒径等、特に限定されるも
のではない。該粒子の材質は、希釈剤に不溶であれば特
に限定されるものではないが、金属錯体を不溶性担体粒
子に担持できるものが好ましく、金属錯体のアルコキシ
シリル基を介して粒子と化学的に結合するものが特に好
ましい。例えば、水酸基等のようにアルコキシシリル基
と反応性の基を有するものが好ましい。
性担体粒子は、希釈剤に溶解しない粒子でスプレー化が
可能なものであれば、形状、粒径等、特に限定されるも
のではない。該粒子の材質は、希釈剤に不溶であれば特
に限定されるものではないが、金属錯体を不溶性担体粒
子に担持できるものが好ましく、金属錯体のアルコキシ
シリル基を介して粒子と化学的に結合するものが特に好
ましい。例えば、水酸基等のようにアルコキシシリル基
と反応性の基を有するものが好ましい。
【0046】不溶性担体粒子の材質の代表例として、シ
リカ、アルミナ、タルク、ガラス、ジルコニア等の無機
酸化物;炭化硅素、炭化ホウ素等の炭化物;窒化ホウ
素、窒化硅素、窒化アルミニウム等の窒化物;セルロー
ス、ポリスチレン、ポリアクリレート等の有機ポリマ
ー、及び活性炭などがある。このうち、シリカやガラス
等のように表面にOH基を持つものは、金属錯体のアル
コキシシリル基との縮合反応により化学的に結合し易
い。このため、金属錯体は、粒子の表面に化学的に結合
した状態で担持されていると推定される。一方、活性
炭、ポリスチレン等のように、表面にOH基を持たない
ものでは、金属錯体は、金属錯体同士の縮合反応により
重合し、不溶性担体粒子の表面に安定な状態で担持され
ているものと考えられる。
リカ、アルミナ、タルク、ガラス、ジルコニア等の無機
酸化物;炭化硅素、炭化ホウ素等の炭化物;窒化ホウ
素、窒化硅素、窒化アルミニウム等の窒化物;セルロー
ス、ポリスチレン、ポリアクリレート等の有機ポリマ
ー、及び活性炭などがある。このうち、シリカやガラス
等のように表面にOH基を持つものは、金属錯体のアル
コキシシリル基との縮合反応により化学的に結合し易
い。このため、金属錯体は、粒子の表面に化学的に結合
した状態で担持されていると推定される。一方、活性
炭、ポリスチレン等のように、表面にOH基を持たない
ものでは、金属錯体は、金属錯体同士の縮合反応により
重合し、不溶性担体粒子の表面に安定な状態で担持され
ているものと考えられる。
【0047】不溶性担体粒子の形状としては、球状、板
状、棒状、花弁状等任意の形状のものが利用できる。
又、粒径も、樹脂の種類や成形品の形状に応じて適宜選
択できるが、噴霧性より粒径100μm以下が好まし
く、粒径0.01〜10μmがより好ましい。
状、棒状、花弁状等任意の形状のものが利用できる。
又、粒径も、樹脂の種類や成形品の形状に応じて適宜選
択できるが、噴霧性より粒径100μm以下が好まし
く、粒径0.01〜10μmがより好ましい。
【0048】抗菌剤組成物(C)で用いる金属錯体担持
粒子は、前記金属錯体が上記不溶性担体粒子に固定され
たもので、該担持粒子の製造には公知の方法を限定なく
採用することができる。例えば、不溶性担体粒子を金属
錯体の溶液中に分散させた後不溶性担体粒子を分離、乾
燥する湿式法、不溶性担体粒子を気体中に分散させた
後、金属錯体溶液を噴霧する乾式法、或は不溶性担体粒
子に予め前記配位化合物を付着させた後、金属イオンを
作用させる方法等により不溶性担体粒子の表面に金属錯
体を固定できる。又、不溶性担体粒子として多孔性の粒
子を用いた場合には、不溶性担体粒子を金属錯体溶液に
浸漬した後乾燥することによって、金属錯体担持粒子が
得られる。更に、不溶性担体粒子の合成時に原料の一部
として金属錯体を用い、金属錯体担持粒子を作製するこ
ともできる。
粒子は、前記金属錯体が上記不溶性担体粒子に固定され
たもので、該担持粒子の製造には公知の方法を限定なく
採用することができる。例えば、不溶性担体粒子を金属
錯体の溶液中に分散させた後不溶性担体粒子を分離、乾
燥する湿式法、不溶性担体粒子を気体中に分散させた
後、金属錯体溶液を噴霧する乾式法、或は不溶性担体粒
子に予め前記配位化合物を付着させた後、金属イオンを
作用させる方法等により不溶性担体粒子の表面に金属錯
体を固定できる。又、不溶性担体粒子として多孔性の粒
子を用いた場合には、不溶性担体粒子を金属錯体溶液に
浸漬した後乾燥することによって、金属錯体担持粒子が
得られる。更に、不溶性担体粒子の合成時に原料の一部
として金属錯体を用い、金属錯体担持粒子を作製するこ
ともできる。
【0049】例えば、湿式法で不溶性担体粒子に担持さ
せる場合、金属錯体の溶液の濃度は、任意に選択できる
が、金属錯体を不溶性担体粒子表面に均一に担持させよ
うとすれば、30重量%以下が好ましく、10重量%以
下がより好ましく、5重量%以下が更に好ましい。
せる場合、金属錯体の溶液の濃度は、任意に選択できる
が、金属錯体を不溶性担体粒子表面に均一に担持させよ
うとすれば、30重量%以下が好ましく、10重量%以
下がより好ましく、5重量%以下が更に好ましい。
【0050】金属錯体を不溶性担体粒子の表面に担持さ
せるために用いる溶媒としては、金属錯体のアルコキシ
シリル基を即座に加水分解したり、金属イオンと配位化
合物との結合を切断しないものであれば限定なく使用す
ることができる。例えば、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノールジエチレングリコール等のアルコール
類;ブタン、ペンタン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン
等の炭化水素類;ジクロロメタン、トリクロロメタン、
四塩化炭素などハロゲン化合物;アセトン、アセチルア
セトン、エチルメチルケトン等ケトン類;その他アセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルエーテル等の溶媒がある。
せるために用いる溶媒としては、金属錯体のアルコキシ
シリル基を即座に加水分解したり、金属イオンと配位化
合物との結合を切断しないものであれば限定なく使用す
ることができる。例えば、メタノール、エタノール、イ
ソプロパノールジエチレングリコール等のアルコール
類;ブタン、ペンタン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン
等の炭化水素類;ジクロロメタン、トリクロロメタン、
四塩化炭素などハロゲン化合物;アセトン、アセチルア
セトン、エチルメチルケトン等ケトン類;その他アセト
ニトリル、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、ジエチルエーテル等の溶媒がある。
【0051】金属錯体を不溶性担体粒子の表面に担持さ
せるために不溶性担体粒子を金属錯体の溶液中に分散さ
せるには公知の方法を採用できる。例えば、不溶性担体
粒子と金属錯体との混合溶液を、マグネチックスターラ
ー、攪拌羽根付きモーター、ホモジナイザー等で激しく
攪拌、或は、超音波洗浄器によって不溶性担体粒子を分
散させる等の方法がある。分散させた後は、金属錯体が
不溶性担体粒子の表面に十分に付着或は反応するよう
に、室温〜100℃の温度で数分〜24時間、分散状態
を保つのが好ましい。
せるために不溶性担体粒子を金属錯体の溶液中に分散さ
せるには公知の方法を採用できる。例えば、不溶性担体
粒子と金属錯体との混合溶液を、マグネチックスターラ
ー、攪拌羽根付きモーター、ホモジナイザー等で激しく
攪拌、或は、超音波洗浄器によって不溶性担体粒子を分
散させる等の方法がある。分散させた後は、金属錯体が
不溶性担体粒子の表面に十分に付着或は反応するよう
に、室温〜100℃の温度で数分〜24時間、分散状態
を保つのが好ましい。
【0052】その後、分散粒子を上記混合溶液から分離
する。分離方法としては公知の方法を採用でき、例え
ば、遠心分離、濾過、或はエバポレータ等がある。粒子
の分離に例えば、ロータリーエバポレーターを使用する
場合、混合溶液中に含まれる金属錯体の殆どは、不溶性
担体粒子の表面に担持される。そのため、不溶性担体粒
子と金属錯体との量比を予め決めておくのが好ましい。
不溶性担体粒子100重量部に対する金属錯体の量比
は、得られる金属錯体担持粒子に抗菌性を付与できる範
囲であれば任意に選択できるが、0.01〜10重量部
が好ましく、0.1〜5重量部がより好ましい。
する。分離方法としては公知の方法を採用でき、例え
ば、遠心分離、濾過、或はエバポレータ等がある。粒子
の分離に例えば、ロータリーエバポレーターを使用する
場合、混合溶液中に含まれる金属錯体の殆どは、不溶性
担体粒子の表面に担持される。そのため、不溶性担体粒
子と金属錯体との量比を予め決めておくのが好ましい。
不溶性担体粒子100重量部に対する金属錯体の量比
は、得られる金属錯体担持粒子に抗菌性を付与できる範
囲であれば任意に選択できるが、0.01〜10重量部
が好ましく、0.1〜5重量部がより好ましい。
【0053】次いで、分離された粒子を乾燥する。乾燥
温度は、粒子に担持された金属錯体が熱分解しない温度
であれば任意に選択でき、室温〜400℃が好ましく、
室温〜250℃がより好ましい。
温度は、粒子に担持された金属錯体が熱分解しない温度
であれば任意に選択でき、室温〜400℃が好ましく、
室温〜250℃がより好ましい。
【0054】乾式法による場合は、例えば、密閉容器の
気体中に不溶性担体粒子を分散させたところへ、前記金
属錯体の溶液を噴霧させ、不溶性担体粒子に金属錯体を
担持させることができる。
気体中に不溶性担体粒子を分散させたところへ、前記金
属錯体の溶液を噴霧させ、不溶性担体粒子に金属錯体を
担持させることができる。
【0055】本発明の金属錯体担持粒子に担持された金
属錯体の量は、公知の分析方法で明らかにできる。例え
ば、直接蛍光X線分析装置で、或は担持された金属錯体
を硝酸などで分離溶解した後原子吸光分析、プラズマ誘
導分析装置などで分析する方法等がある。
属錯体の量は、公知の分析方法で明らかにできる。例え
ば、直接蛍光X線分析装置で、或は担持された金属錯体
を硝酸などで分離溶解した後原子吸光分析、プラズマ誘
導分析装置などで分析する方法等がある。
【0056】金属錯体、希釈剤、及び噴射剤よりなる抗
菌剤組成物(A)に於て、希釈剤と噴射剤の配合量比
は、金属錯体を噴霧できる範囲に於て特に限定されない
が、通常それぞれ5〜60重量%および40〜95重量
%とする。金属錯体の希釈剤に対する量は、抗菌剤組成
物が抗菌性を発現する範囲内であれば限定されないが、
通常希釈剤100重量部に対して0.0001〜5重量
部、好ましくは0.0005〜1重量部とする。特に、
金属錯体の金属イオンが銀イオンである場合、抗菌性の
強度が他の金属イオンに比べて大きいので、金属錯体の
希釈剤100重量部に対する量は、0.0001〜1重
量が好ましく、0.0005〜0.1重量がより好まし
い。
菌剤組成物(A)に於て、希釈剤と噴射剤の配合量比
は、金属錯体を噴霧できる範囲に於て特に限定されない
が、通常それぞれ5〜60重量%および40〜95重量
%とする。金属錯体の希釈剤に対する量は、抗菌剤組成
物が抗菌性を発現する範囲内であれば限定されないが、
通常希釈剤100重量部に対して0.0001〜5重量
部、好ましくは0.0005〜1重量部とする。特に、
金属錯体の金属イオンが銀イオンである場合、抗菌性の
強度が他の金属イオンに比べて大きいので、金属錯体の
希釈剤100重量部に対する量は、0.0001〜1重
量が好ましく、0.0005〜0.1重量がより好まし
い。
【0057】金属錯体、不溶性担体粒子、希釈剤、及び
噴射剤よりなる抗菌剤組成物(B)では、該組成物中の
金属錯体の一部または全部が不溶性担体粒子の表面のO
Hと反応して、不溶性担体粒子の表面に担持され、抗菌
剤組成物の安定性が向上する事が期待される。金属錯
体、希釈剤及び噴射剤の配合量は、抗菌剤組成物(A)
と同様にする。不溶性担体粒子の抗菌剤組成物中の含有
量は、金属錯体の量に応じて任意に変えることができる
が、通常0.2〜5重量%である。
噴射剤よりなる抗菌剤組成物(B)では、該組成物中の
金属錯体の一部または全部が不溶性担体粒子の表面のO
Hと反応して、不溶性担体粒子の表面に担持され、抗菌
剤組成物の安定性が向上する事が期待される。金属錯
体、希釈剤及び噴射剤の配合量は、抗菌剤組成物(A)
と同様にする。不溶性担体粒子の抗菌剤組成物中の含有
量は、金属錯体の量に応じて任意に変えることができる
が、通常0.2〜5重量%である。
【0058】金属錯体担持粒子、希釈剤、及び噴射剤よ
りなる抗菌剤組成物(C)では、金属錯体が予め不溶性
担体粒子に担持されているので、金属錯体の安定性が高
く、結局抗菌剤組成物の安定性が高くなる。希釈剤及び
噴射剤の配合量は抗菌剤組成物(A)と同様にする。金
属錯体担持粒子の含有量は抗菌剤組成物が抗菌性を発現
する範囲であれば特に限定されないが、通常抗菌剤組成
物中の含有率が0.5〜10重量%、好ましくは1〜5
重量%とする。本発明の抗菌性組成物においては、前述
の必須配合成分と共に、必要に応じ補助添加成分、例え
ば、界面活性剤、シクロデキストリンのような消臭剤、
香料、流動パラフィン、シリコン油、ラリノン等の油
分、紫外線吸収剤等を添加することができる。
りなる抗菌剤組成物(C)では、金属錯体が予め不溶性
担体粒子に担持されているので、金属錯体の安定性が高
く、結局抗菌剤組成物の安定性が高くなる。希釈剤及び
噴射剤の配合量は抗菌剤組成物(A)と同様にする。金
属錯体担持粒子の含有量は抗菌剤組成物が抗菌性を発現
する範囲であれば特に限定されないが、通常抗菌剤組成
物中の含有率が0.5〜10重量%、好ましくは1〜5
重量%とする。本発明の抗菌性組成物においては、前述
の必須配合成分と共に、必要に応じ補助添加成分、例え
ば、界面活性剤、シクロデキストリンのような消臭剤、
香料、流動パラフィン、シリコン油、ラリノン等の油
分、紫外線吸収剤等を添加することができる。
【0059】本発明の抗菌剤組成物は、常法により噴霧
器付きの容器に密封することによってスプレーにするこ
とができ、紙、繊維、木材、プラスチック、ガラス、セ
ラミックス、セメント、金属等種々のものに抗菌性を付
与できる。そのため、例えば、生ゴミの腐敗防止用、電
気掃除機のフィルターバック用、壁の黴防止用、金魚鉢
の藻の繁茂防止用、植木鉢や靴の菌繁殖防止用、生ゴミ
の腐敗防止用などの用途に本抗菌剤組成物を利用するこ
とができる。
器付きの容器に密封することによってスプレーにするこ
とができ、紙、繊維、木材、プラスチック、ガラス、セ
ラミックス、セメント、金属等種々のものに抗菌性を付
与できる。そのため、例えば、生ゴミの腐敗防止用、電
気掃除機のフィルターバック用、壁の黴防止用、金魚鉢
の藻の繁茂防止用、植木鉢や靴の菌繁殖防止用、生ゴミ
の腐敗防止用などの用途に本抗菌剤組成物を利用するこ
とができる。
【0060】本発明の抗菌剤組成物の抗菌性の評価は、
公知の方法で行うことができる。例えば、繊維製品衛生
加工協議会の抗菌防臭加工評価試験法である菌数測定法
やシェークフラスコ法、日本防菌防黴学会の抗菌加工を
施した繊維製品の細菌生育抑制試験法、アメリカのAA
TCC Test MethodのAgar Plat
e Method(以後、ハローテストという)及び織
物の抗菌加工の評価方法、JISのかび抵抗性試験方法
等がある。
公知の方法で行うことができる。例えば、繊維製品衛生
加工協議会の抗菌防臭加工評価試験法である菌数測定法
やシェークフラスコ法、日本防菌防黴学会の抗菌加工を
施した繊維製品の細菌生育抑制試験法、アメリカのAA
TCC Test MethodのAgar Plat
e Method(以後、ハローテストという)及び織
物の抗菌加工の評価方法、JISのかび抵抗性試験方法
等がある。
【0061】
【発明の効果】本発明の抗菌剤組成物は、水酸基との反
応性と縮合反応性を有するアルコキシシリル基を有する
配位化合物が金属イオンに配位した金属錯体を有効成分
としているため、この抗菌剤組成物がスプレーされる
と、有効成分が被スプレー面と反応または有効成分同士
が縮合し、持続性の高い抗菌性が得られる。
応性と縮合反応性を有するアルコキシシリル基を有する
配位化合物が金属イオンに配位した金属錯体を有効成分
としているため、この抗菌剤組成物がスプレーされる
と、有効成分が被スプレー面と反応または有効成分同士
が縮合し、持続性の高い抗菌性が得られる。
【0062】又、この抗菌剤組成物中の活性成分は、金
属錯体より解離した金属イオンであり、第四級アンモニ
ウム塩アルコキシシラン化合物に比べて抗菌性が大き
い。さらに、本発明の金属錯体アルコキシシラン化合物
の抗菌スペクトルによると、抗菌効果は、大腸菌、緑膿
菌等の細菌ばかりでなく、黒黴や青黴等真菌に対しても
効果が大きいので、紡菌及び防黴の両方に対する効果が
期待される。
属錯体より解離した金属イオンであり、第四級アンモニ
ウム塩アルコキシシラン化合物に比べて抗菌性が大き
い。さらに、本発明の金属錯体アルコキシシラン化合物
の抗菌スペクトルによると、抗菌効果は、大腸菌、緑膿
菌等の細菌ばかりでなく、黒黴や青黴等真菌に対しても
効果が大きいので、紡菌及び防黴の両方に対する効果が
期待される。
【0063】本発明の抗菌剤組成物はスプレーとして用
いられるので、木材、紙、金属、ガラス、セラミック
ス、プラスチック等あらゆるものに、容易に抗菌性を付
与することが可能である。
いられるので、木材、紙、金属、ガラス、セラミック
ス、プラスチック等あらゆるものに、容易に抗菌性を付
与することが可能である。
【0064】
【実施例】次に、本発明を実施例により更に具体的に説
明するが、本発明は以下の実施例により制限されるもの
ではない。
明するが、本発明は以下の実施例により制限されるもの
ではない。
【0065】以下の実施例に於て、TMSEPYDは2
ー(トリメトキシシリル)エチルー2ーピリジンを、T
MSPEDAはトリメトキシシリルプロピルエチレンジ
アミンを、TESPIMDはNー[3ー(トリエトキシ
シリル)プロピル]−4,5−ジヒドロイミダゾールを
それぞれ示す。
ー(トリメトキシシリル)エチルー2ーピリジンを、T
MSPEDAはトリメトキシシリルプロピルエチレンジ
アミンを、TESPIMDはNー[3ー(トリエトキシ
シリル)プロピル]−4,5−ジヒドロイミダゾールを
それぞれ示す。
【0066】抗菌剤組成物の抗菌性の評価は、抗菌剤組
成物を含浸させたろ紙を乾燥したものをサンプルとし
て、以下に示すハローテスト法により行った。
成物を含浸させたろ紙を乾燥したものをサンプルとし
て、以下に示すハローテスト法により行った。
【0067】〔ハローテスト法〕直径6mmの円形のろ
紙(No.1)に、抗菌性樹脂組成物2μlを含浸、又
は、抗菌剤組成物がスプレーである場合、該ろ紙に抗菌
性樹脂組成物を約5cmの距離より0.5秒間吹き付け
た後、室温で乾燥し、ハローテスト用サンプルを得た。
紙(No.1)に、抗菌性樹脂組成物2μlを含浸、又
は、抗菌剤組成物がスプレーである場合、該ろ紙に抗菌
性樹脂組成物を約5cmの距離より0.5秒間吹き付け
た後、室温で乾燥し、ハローテスト用サンプルを得た。
【0068】こうして得られたハローテスト用サンプル
を平板寒天の培地上に貼り付け、培養後の阻止帯の幅を
測定した。培地の作製法は次の通りである。Bacto-pept
on10g、Beaf Extract5g、塩化ナトリウム5gを蒸
留水1リットルに溶かした溶液のpHを、2NのNaO
Hで6.8に調整し、培養液を調製した。この培養液1
0mlを試験管(12.5×17mm)に分取し、12
0℃、1atm、で20分間滅菌した。これに菌株を移
植し、37℃で24時間培養し、菌液を調製した。先に
調製した培養液に、培養液に対して1.5w%の寒天を
添加後、十分に溶解させた。次に、120℃、1atm
で、20分間滅菌した。これを45℃まで冷却した後、
菌液1mlを冷却した液に接種し、菌接種寒天培養液を
調製した。該菌接種寒天培養液を、プレート(21×1
5cm)に分注し菌接種寒天培地を調製した。被検サン
プルを菌接種寒天培地に静かに圧接し、貼り付けた。こ
うして調製した被検サンプルが貼り付けられた菌接種寒
天培地を、37℃で24時間培養した。その後、平板培
地の底を通し裏から試験片の周りの阻止帯の幅を測定し
た。被検サンプルの抗菌性を示す阻止帯の幅は、下記式
によって求められる。阻止帯が存在すれば、被検物に抗
菌性があることを示す。
を平板寒天の培地上に貼り付け、培養後の阻止帯の幅を
測定した。培地の作製法は次の通りである。Bacto-pept
on10g、Beaf Extract5g、塩化ナトリウム5gを蒸
留水1リットルに溶かした溶液のpHを、2NのNaO
Hで6.8に調整し、培養液を調製した。この培養液1
0mlを試験管(12.5×17mm)に分取し、12
0℃、1atm、で20分間滅菌した。これに菌株を移
植し、37℃で24時間培養し、菌液を調製した。先に
調製した培養液に、培養液に対して1.5w%の寒天を
添加後、十分に溶解させた。次に、120℃、1atm
で、20分間滅菌した。これを45℃まで冷却した後、
菌液1mlを冷却した液に接種し、菌接種寒天培養液を
調製した。該菌接種寒天培養液を、プレート(21×1
5cm)に分注し菌接種寒天培地を調製した。被検サン
プルを菌接種寒天培地に静かに圧接し、貼り付けた。こ
うして調製した被検サンプルが貼り付けられた菌接種寒
天培地を、37℃で24時間培養した。その後、平板培
地の底を通し裏から試験片の周りの阻止帯の幅を測定し
た。被検サンプルの抗菌性を示す阻止帯の幅は、下記式
によって求められる。阻止帯が存在すれば、被検物に抗
菌性があることを示す。
【0069】本試験に用いた菌は、黄色ブドウ球菌及び
枯草菌の2種類である。黄色ブドウ球菌を用いた試験の
結果をAで、又、枯草菌を用いた場合の結果をBで示
す。
枯草菌の2種類である。黄色ブドウ球菌を用いた試験の
結果をAで、又、枯草菌を用いた場合の結果をBで示
す。
【0070】 W=(T−D)/2 ; W=阻止帯の幅(mm) T=試験を含めた阻止帯の直径(mm) D=試験片の直径(mm) 実施例1 先ず、金属錯体を次のようにして合成した。窒素雰囲気
下で、硝酸銀AgNO335.68gをTMSEPYD
95.48gに加えて、3時間攪拌したところ、均一な
淡黄色溶液が得られた。この淡黄色溶液は、ICP分析
(誘導結合プラズマ発光分光分析装置、SPS1200
A、セイコー電子工業製)及びCHN元素分析の結果よ
り、[Ag(TMSEPY)2]NO3から予想される元
素分析の値に一致した。即ち、それぞれの値は、Ag;
17.2%(理論値17.27%)、Si;9.0%
(理論値8.99%)、C;38.34%(理論値3
8.46%)、H;5.55%(理論値5.49%)
N;6.76%(理論値6.73%)であった。
下で、硝酸銀AgNO335.68gをTMSEPYD
95.48gに加えて、3時間攪拌したところ、均一な
淡黄色溶液が得られた。この淡黄色溶液は、ICP分析
(誘導結合プラズマ発光分光分析装置、SPS1200
A、セイコー電子工業製)及びCHN元素分析の結果よ
り、[Ag(TMSEPY)2]NO3から予想される元
素分析の値に一致した。即ち、それぞれの値は、Ag;
17.2%(理論値17.27%)、Si;9.0%
(理論値8.99%)、C;38.34%(理論値3
8.46%)、H;5.55%(理論値5.49%)
N;6.76%(理論値6.73%)であった。
【0071】更に、この化合物の13C−NMRスペクト
ルの各ピークの位置を示すケミカルシフトは、銀イオン
に配位していないTMSEPYDのそれらに比べて、表
1のようにシフトしていた。表1で各ピークの位置を示
すケミカルシフトは、測定試料の溶媒に用いた(C
D3)2COのケミカルシフト(ロングレンジ多重線)で
ある206.5ppmを基準として求めた。
ルの各ピークの位置を示すケミカルシフトは、銀イオン
に配位していないTMSEPYDのそれらに比べて、表
1のようにシフトしていた。表1で各ピークの位置を示
すケミカルシフトは、測定試料の溶媒に用いた(C
D3)2COのケミカルシフト(ロングレンジ多重線)で
ある206.5ppmを基準として求めた。
【0072】
【表1】
【0073】以上の分析結果より、得られた化合物は、
ピリジン環中の窒素が銀イオンに配位し、[Ag(TM
SEPYD)2]NO3の化学構造を有する金属錯体であ
ることがわかった。
ピリジン環中の窒素が銀イオンに配位し、[Ag(TM
SEPYD)2]NO3の化学構造を有する金属錯体であ
ることがわかった。
【0074】金属錯体[Ag(TMSEPYD)2]N
O3をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度が○.1重量%(銀換算濃度173ppm、モル濃度
(以下、単位をモル/kgとする)1.6×10-3)で
ある金属錯体溶液(e)を調製した。金属錯体溶液
(e)の銀濃度は、173ppmであった。
O3をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度が○.1重量%(銀換算濃度173ppm、モル濃度
(以下、単位をモル/kgとする)1.6×10-3)で
ある金属錯体溶液(e)を調製した。金属錯体溶液
(e)の銀濃度は、173ppmであった。
【0075】こうして得られた金属錯体溶液(e)6.
35gと噴射剤である液化石油ガス(LPG)6.7g
とをアルミニウム製容器に封入し、スプレーとして使用
可能な抗菌剤組成物(e)を調製した。
35gと噴射剤である液化石油ガス(LPG)6.7g
とをアルミニウム製容器に封入し、スプレーとして使用
可能な抗菌剤組成物(e)を調製した。
【0076】抗菌剤組成物(e)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に1.5mmであった。
阻止帯の幅は、A、B共に1.5mmであった。
【0077】実施例2〜3 実施例1と同様にして、金属錯体[Ag(TMSEPY
D)2]NO3の濃度が、0.01重量%(銀換算濃度1
7ppm、モル濃度;1.6×10-4モル%)の金属錯
体溶液(f)及び0.001重量%(銀換算濃度1.7
ppm)の金属錯体溶液(g)をそれぞれ調製した。こ
れらを用い、実施例1と同様にして、それぞれ抗菌剤組
成物(f)及び抗菌性組成物(g)を調製した。
D)2]NO3の濃度が、0.01重量%(銀換算濃度1
7ppm、モル濃度;1.6×10-4モル%)の金属錯
体溶液(f)及び0.001重量%(銀換算濃度1.7
ppm)の金属錯体溶液(g)をそれぞれ調製した。こ
れらを用い、実施例1と同様にして、それぞれ抗菌剤組
成物(f)及び抗菌性組成物(g)を調製した。
【0078】抗菌性組成物(f)は、ハローテストによ
る阻止帯の幅がA、B共に0.5mm、抗菌性組成物
(g)のそれはA、B共に0.1mmであり、それぞれ
抗菌性があることを示した。
る阻止帯の幅がA、B共に0.5mm、抗菌性組成物
(g)のそれはA、B共に0.1mmであり、それぞれ
抗菌性があることを示した。
【0079】実施例4 実施例1の金属錯体溶液(e)100重量部に対して1
重量部のシリカ(商品名;レオロシール、徳山曹達製)
を添加、混合し、シリカが分散した金属錯体溶液(h)
を調製した。
重量部のシリカ(商品名;レオロシール、徳山曹達製)
を添加、混合し、シリカが分散した金属錯体溶液(h)
を調製した。
【0080】金属錯体溶液(h)を用い、実施例1と同
様にして抗菌性組成物(h)を調製した。
様にして抗菌性組成物(h)を調製した。
【0081】抗菌性組成物(h)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に0.5mmであり、抗菌性を
示した。
阻止帯の幅は、A、B共に0.5mmであり、抗菌性を
示した。
【0082】実施例5〜6 実施例2及び3の金属錯体溶液(f)及び金属錯体溶液
(g)の各々100重量部に対して、シリカ(商品名;
レオロシール)を1重量部添加混合し、それぞれ金属錯
体溶液(i)及び金属錯体溶液(j)を調製した。これ
らの溶液を用いて、実施例1と同様にして抗菌性組成物
(i)及び抗菌性組成物(j)を調製した。
(g)の各々100重量部に対して、シリカ(商品名;
レオロシール)を1重量部添加混合し、それぞれ金属錯
体溶液(i)及び金属錯体溶液(j)を調製した。これ
らの溶液を用いて、実施例1と同様にして抗菌性組成物
(i)及び抗菌性組成物(j)を調製した。
【0083】抗菌性組成物(i)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に0.5mm、抗菌性組成物
(j)のそれはA、B共に0.1mmであり、両抗菌性
組成物とも抗菌性を示した。
阻止帯の幅は、A、B共に0.5mm、抗菌性組成物
(j)のそれはA、B共に0.1mmであり、両抗菌性
組成物とも抗菌性を示した。
【0084】実施例7 先ず、金属錯体を次のようにして合成した。硝酸銀1
7.0gをNー[3ー(トリエトキシシリル)プロピ
ル]−4,5−ジヒドロイミダゾールであるTESPI
MD(チッソ社製)54.9gに加えて3時間混合し
た。粘性があり均一な淡黄色溶液を得た。
7.0gをNー[3ー(トリエトキシシリル)プロピ
ル]−4,5−ジヒドロイミダゾールであるTESPI
MD(チッソ社製)54.9gに加えて3時間混合し
た。粘性があり均一な淡黄色溶液を得た。
【0085】この淡黄色溶液は、メタノールを展開剤と
する薄層クロマトグラムによると単一成分であり、IC
P分析(誘導結合プラズマ発光分光分析装置、SPS1
200A、セイコー電子工業製)の結果より、Ag1
5.0重量%及びSi7.8重量%を、電気泳動イオン
分析(細管式等速電気泳動分析装置、IP−3A、島津
製作所製)の結果より、8.6重量%のNO3を、それ
ぞれ含むことが判った。
する薄層クロマトグラムによると単一成分であり、IC
P分析(誘導結合プラズマ発光分光分析装置、SPS1
200A、セイコー電子工業製)の結果より、Ag1
5.0重量%及びSi7.8重量%を、電気泳動イオン
分析(細管式等速電気泳動分析装置、IP−3A、島津
製作所製)の結果より、8.6重量%のNO3を、それ
ぞれ含むことが判った。
【0086】更に、この化合物の13C−NMRスペクト
ルの各ピークの位置を示すケミカルシフトは、銀イオン
に配位していないTESPIMDのそれらに比べて、表
2のようにシフトしていた。表2で各ピークの位置を示
すケミカルシフトは、測定試料の溶媒に用いた(C
D3)2COのケミカルシフト(ロングレンジ多重線)で
ある206.5ppmを基準として求めた。
ルの各ピークの位置を示すケミカルシフトは、銀イオン
に配位していないTESPIMDのそれらに比べて、表
2のようにシフトしていた。表2で各ピークの位置を示
すケミカルシフトは、測定試料の溶媒に用いた(C
D3)2COのケミカルシフト(ロングレンジ多重線)で
ある206.5ppmを基準として求めた。
【0087】
【表2】
【0088】以上の分析結果より、得られた化合物は、
イミダゾール環中の窒素が銀イオンに配位し、[Ag
(TESPIMD)2]NO3の化学構造を有する金属錯
体であることがわかった。
イミダゾール環中の窒素が銀イオンに配位し、[Ag
(TESPIMD)2]NO3の化学構造を有する金属錯
体であることがわかった。
【0089】金属錯体[Ag(TESPIMD)2]N
O3をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度が○.115重量%(銀換算濃度173ppm)であ
る金属錯体溶液(k)を調製した。金属錯体溶液(k)
の銀濃度は、173ppmであった。こうして得られた
金属錯体溶液(k)6.35gと噴射剤である液化石油
ガス(LPG)6.7gとをアルミニウム製容器に封入
し、スプレーとして使用可能な抗菌性組成物(k)を調
製した。
O3をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度が○.115重量%(銀換算濃度173ppm)であ
る金属錯体溶液(k)を調製した。金属錯体溶液(k)
の銀濃度は、173ppmであった。こうして得られた
金属錯体溶液(k)6.35gと噴射剤である液化石油
ガス(LPG)6.7gとをアルミニウム製容器に封入
し、スプレーとして使用可能な抗菌性組成物(k)を調
製した。
【0090】抗菌性組成物(k)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に1.5mmであった。
阻止帯の幅は、A、B共に1.5mmであった。
【0091】実施例8 先ず、金属錯体を次のようにして合成した。 無水塩化
第二銅2.69gを20mlのメタノールに溶かした溶
液とトリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン(T
MSPEDA)4.89gを20mlのメタノールに溶
かした溶液とを混合後、室温で1時間攪拌した。得られ
た溶液を孔径0.5μmのテフロンフィルターでろ過し
た。ろ液をロータリーイバポレーターにかけ、溶媒を除
去し、青色の金属錯体を得た。得られた金属錯体は、図
1及び図2に示す可視光吸収スペクトル及びIRスペク
トルより、[Cu(TMSPEDA)2]Cl2と同定さ
れた。
第二銅2.69gを20mlのメタノールに溶かした溶
液とトリメトキシシリルプロピルエチレンジアミン(T
MSPEDA)4.89gを20mlのメタノールに溶
かした溶液とを混合後、室温で1時間攪拌した。得られ
た溶液を孔径0.5μmのテフロンフィルターでろ過し
た。ろ液をロータリーイバポレーターにかけ、溶媒を除
去し、青色の金属錯体を得た。得られた金属錯体は、図
1及び図2に示す可視光吸収スペクトル及びIRスペク
トルより、[Cu(TMSPEDA)2]Cl2と同定さ
れた。
【0092】こうして得られた2.5gの[Cu(TM
SPEDA)2]Cl2を50mlのメタノールに溶か
し、濃度5重量%(銅換算濃度0.55%)の金属錯体
溶液(l)を得た。こうして得られた金属錯体溶液
(l)6.35gと噴射剤である液化石油ガス(LP
G)6.7gとをアルミニウム製容器に封入し、スプレ
ーとして使用可能な抗菌性組成物(l)を調製した。
SPEDA)2]Cl2を50mlのメタノールに溶か
し、濃度5重量%(銅換算濃度0.55%)の金属錯体
溶液(l)を得た。こうして得られた金属錯体溶液
(l)6.35gと噴射剤である液化石油ガス(LP
G)6.7gとをアルミニウム製容器に封入し、スプレ
ーとして使用可能な抗菌性組成物(l)を調製した。
【0093】抗菌性組成物(l)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に0.1mmであった。
阻止帯の幅は、A、B共に0.1mmであった。
【0094】実施例9 実施例1で得た[Ag(TMSEPYD)2]NO31.
8gを50mlのメタノールに溶かし金属錯体を含む溶
液を調製した。一方、平均粒子径0.8μmの単分散球
状シリカ粒子(徳山曹達製)300gを1000mlの
メタノールに分散させてスラリー状にした。攪拌されて
いる該スラリーに、先に調製した金属錯体を含む溶液5
0mlを滴下した後、ロータリーエバポレーターでメタ
ノールを除去した。その後、120℃の真空乾燥器で3
0分間乾燥し、金属錯体担持粒子(a)を得た。
8gを50mlのメタノールに溶かし金属錯体を含む溶
液を調製した。一方、平均粒子径0.8μmの単分散球
状シリカ粒子(徳山曹達製)300gを1000mlの
メタノールに分散させてスラリー状にした。攪拌されて
いる該スラリーに、先に調製した金属錯体を含む溶液5
0mlを滴下した後、ロータリーエバポレーターでメタ
ノールを除去した。その後、120℃の真空乾燥器で3
0分間乾燥し、金属錯体担持粒子(a)を得た。
【0095】金属錯体担持粒子(a)5gをエタノール
(和光純薬、試薬特級)100mlに分散させて金属錯
体担持粒子液(m)を得た。次いで実施例1と同様にし
て、金属錯体担持粒子液(m)6.35gと噴射剤であ
る液化石油ガス(LPG)6.7gとをアルミニウム製
容器に封入し、抗菌性組成物(m)を調製した。
(和光純薬、試薬特級)100mlに分散させて金属錯
体担持粒子液(m)を得た。次いで実施例1と同様にし
て、金属錯体担持粒子液(m)6.35gと噴射剤であ
る液化石油ガス(LPG)6.7gとをアルミニウム製
容器に封入し、抗菌性組成物(m)を調製した。
【0096】抗菌性組成物(m)のハローテストによる
阻止帯の幅は、A、B共に0.1mmであった。
阻止帯の幅は、A、B共に0.1mmであった。
【0097】実施例10 実施例1で得た金属錯体について最小発育阻止濃度(M
IC)を測定し、抗菌スペクトルを求めた。
IC)を測定し、抗菌スペクトルを求めた。
【0098】金属錯体[Ag(TMSEPY)2]NO3
を用いて、ジメチルスルホキシドを溶媒とする100
0、200、100、20、2μg/mlの希釈系列を
調製した。希釈系列の各々から無菌的に0.5mlをシ
ャーレにとり、感受性用寒天培地(日水製薬製)9.5
mlと混合して、100、50、10、5、1、0.1
μl/mlの6濃度の平板を調製した。
を用いて、ジメチルスルホキシドを溶媒とする100
0、200、100、20、2μg/mlの希釈系列を
調製した。希釈系列の各々から無菌的に0.5mlをシ
ャーレにとり、感受性用寒天培地(日水製薬製)9.5
mlと混合して、100、50、10、5、1、0.1
μl/mlの6濃度の平板を調製した。
【0099】試験菌が細菌の場合、試験菌液を日本化学
療法学会の定めるMIC測定法(1980)に基づき調
製し、その菌液を薬剤混合平板培地に1白金耳ずつ塗布
した。それを37℃、24時間培養して、発育のみられ
ない最小発育濃度をMICとした。試験菌(Bacil
lus subtilis)については、芽胞調製液を
塗布した。
療法学会の定めるMIC測定法(1980)に基づき調
製し、その菌液を薬剤混合平板培地に1白金耳ずつ塗布
した。それを37℃、24時間培養して、発育のみられ
ない最小発育濃度をMICとした。試験菌(Bacil
lus subtilis)については、芽胞調製液を
塗布した。
【0100】試験菌が真菌の場合には、試験用黴の胞子
懸濁液をJIS Z 2911−1981に基づき調製
し、その懸濁液を薬剤混合平板培地(日水製薬製)に1
白金耳ずつ塗布した。それを27℃、7日間培養して、
発育のみられない最小濃度をMICとした。
懸濁液をJIS Z 2911−1981に基づき調製
し、その懸濁液を薬剤混合平板培地(日水製薬製)に1
白金耳ずつ塗布した。それを27℃、7日間培養して、
発育のみられない最小濃度をMICとした。
【0101】こうして得られた抗菌スペクトルを表3に
示す。
示す。
【0102】
【表3】
【0103】比較例1 第四級アンモニウム塩系抗菌剤であるn−オクタデシル
ジメチル[3−(トリメトキシシリル)プロピル]アン
モニウムクロライド(50%メタノール溶液、チッソ
製)をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度0.08重量%(モル濃度;1.6×10-3モル%で
実施例1と同じモル濃度)の第四級アンモニウム塩系溶
液を調製した。この溶液のハローテストの阻止帯の幅
は、A、B共に0mmで、抗菌性を示さなかった。
ジメチル[3−(トリメトキシシリル)プロピル]アン
モニウムクロライド(50%メタノール溶液、チッソ
製)をエタノール(和光純薬、試薬特級)に溶かし、濃
度0.08重量%(モル濃度;1.6×10-3モル%で
実施例1と同じモル濃度)の第四級アンモニウム塩系溶
液を調製した。この溶液のハローテストの阻止帯の幅
は、A、B共に0mmで、抗菌性を示さなかった。
【0104】更に実施例1と同様にして、第四級アンモ
ニウム塩系抗菌剤溶液と液化石油ガスとをアルミニウム
製容器に密封し、スプレー用組成物を調製した。スプレ
ーを吹き付けたろ紙のハローテストによる阻止帯の幅
は、A、B共に0mmであり、第四級アンモニウム塩系
溶液と同様、抗菌性を示さなかった。
ニウム塩系抗菌剤溶液と液化石油ガスとをアルミニウム
製容器に密封し、スプレー用組成物を調製した。スプレ
ーを吹き付けたろ紙のハローテストによる阻止帯の幅
は、A、B共に0mmであり、第四級アンモニウム塩系
溶液と同様、抗菌性を示さなかった。
【図1】 実施例8で得られた[Cu(TMSPED
A)2]Cl2の可視光吸収スペクトルを示す図である。
A)2]Cl2の可視光吸収スペクトルを示す図である。
【図2】 実施例8で得られた[Cu(TMSPED
A)2]Cl2のIRスペクトルを示す図である。
A)2]Cl2のIRスペクトルを示す図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 分子内に金属イオンに配位可能な配位基
とアルコキシシリル基とを有する配位化合物が、銀イオ
ン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたはクロムイオ
ンに配位してなる金属錯体、希釈剤並びに噴射剤を含む
ことを特徴とする抗菌剤組成物。 - 【請求項2】 分子内に金属イオンに配位可能な配位基
とアルコキシシリル基とを有する配位化合物が、銀イオ
ン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたはクロムイオ
ンに配位してなる金属錯体、不溶性担体粒子、希釈剤並
びに噴射剤を含むことを特徴とする抗菌剤組成物。 - 【請求項3】 分子内に金属イオンに配位可能な配位基
とアルコキシシリル基とを有する配位化合物が、銀イオ
ン、銅イオン、亜鉛イオン、錫イオンまたはクロムイオ
ンに配位してなる金属錯体を不溶性担体粒子に担持した
金属錯体担持粒子、希釈剤並びに噴射剤を含むことを特
徴とする抗菌剤組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24272093A JPH0797302A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 抗菌剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24272093A JPH0797302A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 抗菌剤組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0797302A true JPH0797302A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17093247
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24272093A Pending JPH0797302A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 抗菌剤組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0797302A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006282629A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Taiko:Kk | スプレー用組成物 |
| JP2007332130A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-12-27 | Lion Corp | 抗菌・消臭組成物およびこれを用いた抗菌・消臭方法 |
| JP2008505123A (ja) * | 2004-07-02 | 2008-02-21 | ナノスケール マテリアルズ アイエヌシー. | 有機殺生性除染組成物 |
| JP2010100584A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Kagawa Univ | 防汚性抗菌防黴被膜及びその製造方法、並びにそれらを用いた製品 |
| JP2010235494A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Kagawa Univ | 防汚性抗菌防黴被膜及びその製造方法、並びにそれらを用いた製品 |
| JP2013035796A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Nippon Soda Co Ltd | 固体材料 |
| JP2017122051A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 平岡織染株式会社 | テント構造物用膜材 |
| JP2017122052A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 平岡織染株式会社 | テント構造物用膜材 |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24272093A patent/JPH0797302A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008505123A (ja) * | 2004-07-02 | 2008-02-21 | ナノスケール マテリアルズ アイエヌシー. | 有機殺生性除染組成物 |
| JP2006282629A (ja) * | 2005-04-04 | 2006-10-19 | Taiko:Kk | スプレー用組成物 |
| JP2007332130A (ja) * | 2006-05-17 | 2007-12-27 | Lion Corp | 抗菌・消臭組成物およびこれを用いた抗菌・消臭方法 |
| JP2010100584A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Kagawa Univ | 防汚性抗菌防黴被膜及びその製造方法、並びにそれらを用いた製品 |
| JP2010235494A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Kagawa Univ | 防汚性抗菌防黴被膜及びその製造方法、並びにそれらを用いた製品 |
| JP2013035796A (ja) * | 2011-08-09 | 2013-02-21 | Nippon Soda Co Ltd | 固体材料 |
| JP2017122051A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 平岡織染株式会社 | テント構造物用膜材 |
| JP2017122052A (ja) * | 2016-01-04 | 2017-07-13 | 平岡織染株式会社 | テント構造物用膜材 |
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