JPH079784B2 - 映像管 - Google Patents
映像管Info
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- JPH079784B2 JPH079784B2 JP61043892A JP4389286A JPH079784B2 JP H079784 B2 JPH079784 B2 JP H079784B2 JP 61043892 A JP61043892 A JP 61043892A JP 4389286 A JP4389286 A JP 4389286A JP H079784 B2 JPH079784 B2 JP H079784B2
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/06—Screens for shielding; Masks interposed in the electron stream
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 この発明は内部磁気遮蔽を改良した陰極線管に関する。
カラー映像管は一般にその陰極線励起発光表示面を走査
する電子ビームの経路に対する磁界の影響を減ずるため
の内部磁気遮蔽を有する。この遮蔽は通常厚さ0.10〜0.
18mmの冷間圧延鋼板製で、シヤドーマスク枠に磁気結合
するように固定されている。そのマスク枠は映像管のガ
ラス製矩形フエースプレートパネルから内側に突出する
取付スタツドに支持されている。この磁気遮蔽は映像管
製造中にフエースプレートパネルの外周を管球のガラス
フアンネル部にフリツト接合する段階より前にマスク枠
に取付けられるが、そのフアンネル部に嵌入してできる
だけその壁面に接近し、過大走査の電子ビームを表示面
に向つて散乱させるような面を残さない様に設計されて
いる。磁気遮蔽はガラスフアンネル部内面の陽極導電被
覆との摩擦が全くないようにそのフアンネル部と接触し
てはならない。この摩擦はフアンネル部とフエースプレ
ートパネルの取付け中または次の加熱段階における不均
一加熱中に生じ、無用の遊電粒子を管内に発生すること
がある。陽極導電被覆はフリツト接合中における汚染を
防ぐためにフアンネル部とパネル部の間に施されたガラ
スフリツトから所定距離以内まで塗布される。
する電子ビームの経路に対する磁界の影響を減ずるため
の内部磁気遮蔽を有する。この遮蔽は通常厚さ0.10〜0.
18mmの冷間圧延鋼板製で、シヤドーマスク枠に磁気結合
するように固定されている。そのマスク枠は映像管のガ
ラス製矩形フエースプレートパネルから内側に突出する
取付スタツドに支持されている。この磁気遮蔽は映像管
製造中にフエースプレートパネルの外周を管球のガラス
フアンネル部にフリツト接合する段階より前にマスク枠
に取付けられるが、そのフアンネル部に嵌入してできる
だけその壁面に接近し、過大走査の電子ビームを表示面
に向つて散乱させるような面を残さない様に設計されて
いる。磁気遮蔽はガラスフアンネル部内面の陽極導電被
覆との摩擦が全くないようにそのフアンネル部と接触し
てはならない。この摩擦はフアンネル部とフエースプレ
ートパネルの取付け中または次の加熱段階における不均
一加熱中に生じ、無用の遊電粒子を管内に発生すること
がある。陽極導電被覆はフリツト接合中における汚染を
防ぐためにフアンネル部とパネル部の間に施されたガラ
スフリツトから所定距離以内まで塗布される。
映像管の陰極線励起発光表示面は一般に螢光スクリーン
の背面にアルミニウムの薄い被膜を有する。このアルミ
ニウム被膜はガラス製フエースプレートパネルの内面に
被着され、ガラスフリツトの汚染を防ぐためそれから所
定距離まで延びている。このアルミニウム被膜はフアン
ネル部内面の陽極導電被覆にマスク枠に磁気遮蔽装着後
接続されたバネ式付属品で接続される。この結果、螢光
スクリーンには陽極電圧全部が印加されるが、フアンネ
ル部とパネル部の各端縁付近のガラス内面は被覆されな
いままである。
の背面にアルミニウムの薄い被膜を有する。このアルミ
ニウム被膜はガラス製フエースプレートパネルの内面に
被着され、ガラスフリツトの汚染を防ぐためそれから所
定距離まで延びている。このアルミニウム被膜はフアン
ネル部内面の陽極導電被覆にマスク枠に磁気遮蔽装着後
接続されたバネ式付属品で接続される。この結果、螢光
スクリーンには陽極電圧全部が印加されるが、フアンネ
ル部とパネル部の各端縁付近のガラス内面は被覆されな
いままである。
テレビジョン受像機のカラー映像管のウオームアツプ中
ずつとその隅部特に上の２隅に眼に見える明るい部分が
観測された。この明るい部分の輝度は取付金具や接地導
体を設置すると増し、電子ビームの過大走査が５％以上
特に大抵の映像管で普通の10％に達すると更に大きくな
ることが見られる。この明るい部分はウオームアツプ期
間後数秒か数分間で消滅する時間的効果である。この問
題は内部磁気遮蔽を持つすべての形式の映像管に存在す
るが、その内部磁気遮蔽にフアンネル部との間隔を広く
する様な設計変更をすると更に大きくなつた。その内部
磁気遮蔽はその対角線断面形状を平坦にしてフアンネル
部の内面の陽極導電被覆との間隔を広げたものである。
この発明はウオームアツプ期間中に映像管の隅部に見ら
れる明るい部分をなくする孔あき内部磁気遮蔽を提供す
る。
ずつとその隅部特に上の２隅に眼に見える明るい部分が
観測された。この明るい部分の輝度は取付金具や接地導
体を設置すると増し、電子ビームの過大走査が５％以上
特に大抵の映像管で普通の10％に達すると更に大きくな
ることが見られる。この明るい部分はウオームアツプ期
間後数秒か数分間で消滅する時間的効果である。この問
題は内部磁気遮蔽を持つすべての形式の映像管に存在す
るが、その内部磁気遮蔽にフアンネル部との間隔を広く
する様な設計変更をすると更に大きくなつた。その内部
磁気遮蔽はその対角線断面形状を平坦にしてフアンネル
部の内面の陽極導電被覆との間隔を広げたものである。
この発明はウオームアツプ期間中に映像管の隅部に見ら
れる明るい部分をなくする孔あき内部磁気遮蔽を提供す
る。
この発明による映像管は矩形フエースプレートパネル
と、その端縁に封着されたフアンネル部と、ゲツタ材料
を上記端縁付近の管内面隅部に飛散させる開孔手段を少
くとも１隅に有する連続体（一つもの）から成る矩形状
の内部磁気遮蔽とを含んでいる。
と、その端縁に封着されたフアンネル部と、ゲツタ材料
を上記端縁付近の管内面隅部に飛散させる開孔手段を少
くとも１隅に有する連続体（一つもの）から成る矩形状
の内部磁気遮蔽とを含んでいる。
第１図はフエースプレートパネル12とその側壁18の端縁
16に封着されたフアンネル部14とを含む映像管10を示
す。この管球10はその内部に側壁18の端縁16に隣接する
内面22に近接して内部磁気遮蔽20を有する。この磁気遮
蔽体20は、連続体すなわち一つものとして形成され、管
軸に直交する向きの断面開口がほぼ矩形状をしており、
フェースプレート12から内方に突出する取付用突起28に
支持されたシヤドーマスク枠26に固定されている。フエ
ースプレートパネル12の側壁18は第２図の示すようにほ
ぼ矩形を成すため、内部磁気遮蔽20も４隅部30、32、3
4、36有するほぼ截頭矩形錐状をしている。
16に封着されたフアンネル部14とを含む映像管10を示
す。この管球10はその内部に側壁18の端縁16に隣接する
内面22に近接して内部磁気遮蔽20を有する。この磁気遮
蔽体20は、連続体すなわち一つものとして形成され、管
軸に直交する向きの断面開口がほぼ矩形状をしており、
フェースプレート12から内方に突出する取付用突起28に
支持されたシヤドーマスク枠26に固定されている。フエ
ースプレートパネル12の側壁18は第２図の示すようにほ
ぼ矩形を成すため、内部磁気遮蔽20も４隅部30、32、3
4、36有するほぼ截頭矩形錐状をしている。
映像管10はまた管内にゲツタ材料を被着する手段38を内
蔵する。ゲツタ材料は管球10の排気後残留するガスまた
は後日管球10の壁面や内部の構成部品から放出されるガ
スを吸着する性質がある。普通バリウム組成物の活性ゲ
ツタ材料が急速加熱即ちフラツシユによりその容器から
管球10内部に蒸発して管球内面に薄膜として飛散する。
蔵する。ゲツタ材料は管球10の排気後残留するガスまた
は後日管球10の壁面や内部の構成部品から放出されるガ
スを吸着する性質がある。普通バリウム組成物の活性ゲ
ツタ材料が急速加熱即ちフラツシユによりその容器から
管球10内部に蒸発して管球内面に薄膜として飛散する。
フエースプレート12は映像管10のフアンネル部14に側壁
18の端縁16に沿つて配置された封着材すなわちガラスフ
リットによる封着部40において封着されている。側壁18
とフアンネル部14の内面22と24はそれぞれガラスフリツ
トによる封着部40から所定距離まで延びる第１および第
２の導電被覆42、44を有する。第１の導電被覆42はフエ
ースプレートパネル12の内面に形成された陰極線励起発
光表示面46の一部で、螢光スクリーン背面のアルミニウ
ム被膜から成る。このアルミニウム被膜はスクリーン処
理後内面に被着され、封着部40の形成される位置から0.
5〜2cmの距離まで延びて、次のパネルとフアンネルの封
着時に取付けられるフリツトによる汚染を防いでいる。
第２の導電被覆44はグラフアイト被覆で、フアンネル部
14の内面24に沿つて封着部40から0.5〜2cmの距離まで延
び、フリツトによる汚染を防いでいる。この第２被覆44
は管球10の陽極の働らきをする。
18の端縁16に沿つて配置された封着材すなわちガラスフ
リットによる封着部40において封着されている。側壁18
とフアンネル部14の内面22と24はそれぞれガラスフリツ
トによる封着部40から所定距離まで延びる第１および第
２の導電被覆42、44を有する。第１の導電被覆42はフエ
ースプレートパネル12の内面に形成された陰極線励起発
光表示面46の一部で、螢光スクリーン背面のアルミニウ
ム被膜から成る。このアルミニウム被膜はスクリーン処
理後内面に被着され、封着部40の形成される位置から0.
5〜2cmの距離まで延びて、次のパネルとフアンネルの封
着時に取付けられるフリツトによる汚染を防いでいる。
第２の導電被覆44はグラフアイト被覆で、フアンネル部
14の内面24に沿つて封着部40から0.5〜2cmの距離まで延
び、フリツトによる汚染を防いでいる。この第２被覆44
は管球10の陽極の働らきをする。
映像管10の動作時には、電子銃48が電子ビームを発生
し、これが陽極電圧により、陰極線励起発光表示面46に
向つて加速されて多孔シヤドーマスク50を通過する。電
子ビームは磁気ヨーク（図示せず）により偏向されて表
示面46に矩形ラスタを形成するが、通常表示面46を10％
過大走査して内部磁気遮蔽20とフアンネル部14の内壁24
との間を通過する。上述の様に、管球10の隅部に明るい
部分が生ずるのは電子ビームの過大走査が５％以上のと
き多い。
し、これが陽極電圧により、陰極線励起発光表示面46に
向つて加速されて多孔シヤドーマスク50を通過する。電
子ビームは磁気ヨーク（図示せず）により偏向されて表
示面46に矩形ラスタを形成するが、通常表示面46を10％
過大走査して内部磁気遮蔽20とフアンネル部14の内壁24
との間を通過する。上述の様に、管球10の隅部に明るい
部分が生ずるのは電子ビームの過大走査が５％以上のと
き多い。
映像管10のウオームアツプ中に主としてその隅部に見ら
れる無用の明るい部分はガラスが帯電して過大走査電子
ビームを側壁内面から離れる方向に偏向させ、シヤドー
マスク50の端部を周つて表示面46の端縁部に導くために
発生すると考えられる。このガラス帯電効果はガラス側
壁18およびフアンネル部14の無被覆内面22、24に蓄積し
た電子ビームからの電子により発生する。無被覆のガラ
ス表面は負電荷を逃げ易くする有効な導電路がない。ウ
オームアツプ期間中には、高い陽極電圧が作用してこの
無被覆ガラス表面に充分な漏洩路を形成するので、蓄積
された電子は最終的には漏洩消滅する。
れる無用の明るい部分はガラスが帯電して過大走査電子
ビームを側壁内面から離れる方向に偏向させ、シヤドー
マスク50の端部を周つて表示面46の端縁部に導くために
発生すると考えられる。このガラス帯電効果はガラス側
壁18およびフアンネル部14の無被覆内面22、24に蓄積し
た電子ビームからの電子により発生する。無被覆のガラ
ス表面は負電荷を逃げ易くする有効な導電路がない。ウ
オームアツプ期間中には、高い陽極電圧が作用してこの
無被覆ガラス表面に充分な漏洩路を形成するので、蓄積
された電子は最終的には漏洩消滅する。
このガラス帯電効果は主に映像管10の隅部に起る。これ
はその部分で電子ビームの大幅な過大走査が起って、よ
り多量の電子が生ずるからである。また、工場内のスク
リーン形成工程では、第１導電被覆42は被着されてとき
側癖18の内面22に沿う境界線が一様でなく、側壁18の４
隅部に多くの未被覆部を残すことがある。その上、４隅
部に電界を集中させる固有の幾何学的「コーナー効果」
により、電子ビームに対する蓄積電荷の作用は映像管10
の４隅部で一層大きくなる。また一般に映像管10の封着
部40付近のこの部分に配置される取付用金具や接地用導
体によつて管球内外面間のキャパシタンスが増大し、そ
の部分の帯電効果を助長する。
はその部分で電子ビームの大幅な過大走査が起って、よ
り多量の電子が生ずるからである。また、工場内のスク
リーン形成工程では、第１導電被覆42は被着されてとき
側癖18の内面22に沿う境界線が一様でなく、側壁18の４
隅部に多くの未被覆部を残すことがある。その上、４隅
部に電界を集中させる固有の幾何学的「コーナー効果」
により、電子ビームに対する蓄積電荷の作用は映像管10
の４隅部で一層大きくなる。また一般に映像管10の封着
部40付近のこの部分に配置される取付用金具や接地用導
体によつて管球内外面間のキャパシタンスが増大し、そ
の部分の帯電効果を助長する。
このガラス帯電効果をなくするため、内部磁気遮蔽20に
開孔手段52を設け、ゲツタ材料がこれを通つて端縁16に
隣接する側壁18とフアンネル部14の内面22、24に飛散す
るようにする。この開孔手段52の形状寸法は、ゲッタ材
料が封着部40およびこの封着部40と第１および第２の両
導電被覆42、44との間の無被覆内面を覆って、かつ第１
および第２の両導電被覆42、44の上まで連続して被着す
る形に飛散し得るように充分大きいことが望ましい。開
孔手段52は磁気遮蔽20の４隅30、32、34、36の１つまた
はそれ以上の中心に設けられる。第２図の実施例では、
開孔手段52は４隅30、32、34、36のそれぞれに封着部40
に隣接して設けられた単一開孔であるが、一般に遮蔽20
の４隅30、32、34、36の１つまたはそれ以上に封着部40
に隣接して設けられた複数開孔であつてもよい。しか
し、遮蔽20の磁気遮蔽効果を減じないため、開孔手段52
の総面積は内面22、24に隣接する遮蔽の外周表面積の20
％以下でなければなれない。
開孔手段52を設け、ゲツタ材料がこれを通つて端縁16に
隣接する側壁18とフアンネル部14の内面22、24に飛散す
るようにする。この開孔手段52の形状寸法は、ゲッタ材
料が封着部40およびこの封着部40と第１および第２の両
導電被覆42、44との間の無被覆内面を覆って、かつ第１
および第２の両導電被覆42、44の上まで連続して被着す
る形に飛散し得るように充分大きいことが望ましい。開
孔手段52は磁気遮蔽20の４隅30、32、34、36の１つまた
はそれ以上の中心に設けられる。第２図の実施例では、
開孔手段52は４隅30、32、34、36のそれぞれに封着部40
に隣接して設けられた単一開孔であるが、一般に遮蔽20
の４隅30、32、34、36の１つまたはそれ以上に封着部40
に隣接して設けられた複数開孔であつてもよい。しか
し、遮蔽20の磁気遮蔽効果を減じないため、開孔手段52
の総面積は内面22、24に隣接する遮蔽の外周表面積の20
％以下でなければなれない。
各開孔の形状は第３図に示すように矩軸52aが側壁18の
端縁16の幾何学的平面に平行で、長軸52bば遮蔽の４隅
中心線に沿つて端縁16の平面に交わる様な橢円が好まし
く、またその短軸52aの長さが約2cmで、長軸52bの長さ
が約5cmであることが望ましい。この様な開孔は遮蔽20
の磁力特性および後の電子ビームの整合に影響しない。
更にこの開孔は磁気遮蔽の成形後打抜きで形成するのが
好い。遮蔽成形前に開孔を打抜いてもよいが、成形中に
その位置と大きさが変ることがある。
端縁16の幾何学的平面に平行で、長軸52bば遮蔽の４隅
中心線に沿つて端縁16の平面に交わる様な橢円が好まし
く、またその短軸52aの長さが約2cmで、長軸52bの長さ
が約5cmであることが望ましい。この様な開孔は遮蔽20
の磁力特性および後の電子ビームの整合に影響しない。
更にこの開孔は磁気遮蔽の成形後打抜きで形成するのが
好い。遮蔽成形前に開孔を打抜いてもよいが、成形中に
その位置と大きさが変ることがある。
開孔手段52はガラス帯電効果が極めて顕著な映像管10の
４隅部へのゲツタ材料の分散を促す。内部磁気遮蔽20の
上部２隅30、32に対応する管球10の上部２隅は、飛散す
るゲツタ材料から遮蔽されるため最も面倒である。ゲツ
タ被着手段38は一般に第１図に示すように下部２隅34、
36に近く配置されるから、内部磁気遮蔽20は飛散中のゲ
ツタ材料の進行方向にあつてそれが飛散中に管球10の上
部２隅に達するのを妨害する。開孔手段52即ち上部２隅
30、32の開孔はゲツタ材料が面倒な隅位置の封着部40と
内面22、24の未被覆部に被着されるようにするものであ
る。
４隅部へのゲツタ材料の分散を促す。内部磁気遮蔽20の
上部２隅30、32に対応する管球10の上部２隅は、飛散す
るゲツタ材料から遮蔽されるため最も面倒である。ゲツ
タ被着手段38は一般に第１図に示すように下部２隅34、
36に近く配置されるから、内部磁気遮蔽20は飛散中のゲ
ツタ材料の進行方向にあつてそれが飛散中に管球10の上
部２隅に達するのを妨害する。開孔手段52即ち上部２隅
30、32の開孔はゲツタ材料が面倒な隅位置の封着部40と
内面22、24の未被覆部に被着されるようにするものであ
る。
この映像管10の隅部にゲツタ材料が被着し得るようにす
ることの重要性は、そのゲツタ被膜がその隅部の負電荷
を容易に逃がす有効な導電路を形成することにある。こ
の放電路によつて負電荷を速やかに逃がすことによりウ
オームアツプ中の管球10の隅部に見られる明るい部分を
なくし、これによつて過大走査電子ビームの湾曲を生ず
る電荷の蓄積を防ぐことができる。このように戦略的に
位置決めされた開孔は、内部磁気遮蔽を用いるすべての
形式の管球のガラス帯電現象を効果的になくすることが
できる。
ることの重要性は、そのゲツタ被膜がその隅部の負電荷
を容易に逃がす有効な導電路を形成することにある。こ
の放電路によつて負電荷を速やかに逃がすことによりウ
オームアツプ中の管球10の隅部に見られる明るい部分を
なくし、これによつて過大走査電子ビームの湾曲を生ず
る電荷の蓄積を防ぐことができる。このように戦略的に
位置決めされた開孔は、内部磁気遮蔽を用いるすべての
形式の管球のガラス帯電現象を効果的になくすることが
できる。
第１図は内部磁気遮蔽を有する映像管の断面図、第２図
はフアンネル部を除去した映像管内の新規な内部磁気遮
蔽の背面図、第３図は第２図の内部磁気遮蔽の隅部の開
孔手段を示す斜視図である。 10……映像管、12……フエースプレートパネル、14……
フアンネル部、16……端縁、18……側壁、20……内部磁
気遮蔽、22、24……内面、30、32、34 36……隅部、38
……ゲツタ被着手段、52……開孔手段、40……封着部
はフアンネル部を除去した映像管内の新規な内部磁気遮
蔽の背面図、第３図は第２図の内部磁気遮蔽の隅部の開
孔手段を示す斜視図である。 10……映像管、12……フエースプレートパネル、14……
フアンネル部、16……端縁、18……側壁、20……内部磁
気遮蔽、22、24……内面、30、32、34 36……隅部、38
……ゲツタ被着手段、52……開孔手段、40……封着部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭53−44168（ＪＰ，Ａ) 実開 昭49−116958（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−113366（ＪＰ，Ｕ) 実開 昭61−107142（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】側壁の端縁に沿って封着材によってファン
ネル部に封着された矩形状のフェースプレートパネルを
有し、このフェースプレートパネルは上記側壁の内面に
上記封着材によって形成された封着部から或る所定距離
の位置まで延長する第１の導電被覆を有し、また上記フ
ァンネル部は内面に上記封着部から或る所定距離の位置
まで延長する第２の導電被覆を有しており； 更に、上記側壁の上記端縁に隣接する内面に近く配置さ
れ、その端縁に隣接する上記ファンネル部の上記内面に
沿って後方に延びる連続体より成る矩形状の内部磁気遮
蔽と； 管内に在ってその管内に導電性のゲッタ材料を被着させ
る手段と；を具え、 上記内部磁気遮蔽は、その少なくとも１つの隅部に、そ
れを通して上記ゲッタ材料を飛散させることのできる開
孔手段を有し、その開孔手段は、上記封着部、および上
記封着部と上記第１および第２の導電被覆のそれぞれと
の間の内面を覆って上記第１と第２の両導電被覆の上に
上記ゲッタ材料を飛散させるに充分な大きさを有し、か
つ上記開孔手段の全面積は上記内面に隣接する上記遮蔽
の外周表面積の20％未満であることを特徴とする映像
管。
Applications Claiming Priority (2)
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| US06/706,407 US4622490A (en) | 1985-02-28 | 1985-02-28 | Cathode-ray tube with an internal magnetic shield |
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