JPH079862B2 - アモルファス磁心の製造方法 - Google Patents
アモルファス磁心の製造方法Info
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- JPH079862B2 JPH079862B2 JP60251831A JP25183185A JPH079862B2 JP H079862 B2 JPH079862 B2 JP H079862B2 JP 60251831 A JP60251831 A JP 60251831A JP 25183185 A JP25183185 A JP 25183185A JP H079862 B2 JPH079862 B2 JP H079862B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic core
- temperature
- heat treatment
- magnetic
- amorphous
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
- H01F1/147—Alloys characterised by their composition
- H01F1/153—Amorphous metallic alloys, e.g. glassy metals
- H01F1/15341—Preparation processes therefor
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- Dispersion Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、スイッチング電源等に用いられている可飽和
リアクトル等に使用される経時変化が小さく、特に高周
波の制御磁化特性に優れた制御用アモルファス磁心の製
造方法に関するものである。
リアクトル等に使用される経時変化が小さく、特に高周
波の制御磁化特性に優れた制御用アモルファス磁心の製
造方法に関するものである。
従来の技術 従来、制御用磁心としては50％Niパーマロイや80％Niパ
ーマロイ巻磁心が主に使用されていたが、近年高周波磁
気特性に優れたアモルファス巻磁心が使用されはじめて
いる。
ーマロイ巻磁心が主に使用されていたが、近年高周波磁
気特性に優れたアモルファス巻磁心が使用されはじめて
いる。
制御用磁心に適したアモルファス磁心を製造するための
熱処理方法としては、例えば特公昭59−29644号公報に
示されているような磁場中熱処理方法が知られている。
ここで示されている方法は、磁場をかけながらある温度
からある冷却速度で冷却する方法である。この方法によ
れば、高角形比で直流Ｂ−Ｈカーブの保磁力が小さいも
のを得ることができる。
熱処理方法としては、例えば特公昭59−29644号公報に
示されているような磁場中熱処理方法が知られている。
ここで示されている方法は、磁場をかけながらある温度
からある冷却速度で冷却する方法である。この方法によ
れば、高角形比で直流Ｂ−Ｈカーブの保磁力が小さいも
のを得ることができる。
また、保持力、透磁率といった磁気特性のバラツキを小
さくすることを目的として、アモルファス巻磁心の磁路
と直角方向に磁場をかけ、キュリー温度以下の温度で磁
場中熱処理するアモルファス巻磁心の熱処理方法が特開
昭60−170914号として提案されている。
さくすることを目的として、アモルファス巻磁心の磁路
と直角方向に磁場をかけ、キュリー温度以下の温度で磁
場中熱処理するアモルファス巻磁心の熱処理方法が特開
昭60−170914号として提案されている。
さらに、所望する角形比のコアを随意に製造することを
目的として、非晶質磁性合金薄帯を巻回又は積層して成
る非晶質磁性合金コアを、400〜470℃の温度で10〜60分
間熱処理した後急冷し、ついで、150〜250℃の温度で熱
処理する非晶質磁性合金コアの熱処理方法が特願昭60−
212608号（特開昭62−74058号）として提案されてい
る。
目的として、非晶質磁性合金薄帯を巻回又は積層して成
る非晶質磁性合金コアを、400〜470℃の温度で10〜60分
間熱処理した後急冷し、ついで、150〜250℃の温度で熱
処理する非晶質磁性合金コアの熱処理方法が特願昭60−
212608号（特開昭62−74058号）として提案されてい
る。
また、組成式(Co1-a-bFeaMnb)100-x-y-zSixByMoz但し、
０≦ａ≦0.05,0.03≦ｂ≦0.08,13≦ｘ≦16,7.5≦ｙ≦9.
5,1.0≦ｚ≦３の関係を有するアモルファス金属薄帯片
を巻いたもので、キュリー温度以上で保持後、磁路方向
に0.01Oe以上の交流あるいは直流の磁界を印加しながら
冷却速度0.1/分〜50℃／分で除冷後、0.95Tc℃〜150℃
の範囲内で１時間〜10時間保持した後、室温まで冷却し
て形成した制御用磁心が特開昭62−42501号として提案
されている。
０≦ａ≦0.05,0.03≦ｂ≦0.08,13≦ｘ≦16,7.5≦ｙ≦9.
5,1.0≦ｚ≦３の関係を有するアモルファス金属薄帯片
を巻いたもので、キュリー温度以上で保持後、磁路方向
に0.01Oe以上の交流あるいは直流の磁界を印加しながら
冷却速度0.1/分〜50℃／分で除冷後、0.95Tc℃〜150℃
の範囲内で１時間〜10時間保持した後、室温まで冷却し
て形成した制御用磁心が特開昭62−42501号として提案
されている。
発明が解決しようとする問題点 しかし、上記の熱処理方法で製造されたアモルファス巻
磁心は、制御用磁心として重要な特性である制御磁化特
性が高周波特に50KHz以上になると十分でなく、50KHz以
上の高周波で駆動しているスイッチング電源用可飽和リ
アクトル等に使用した場合コアゲインが十分でなく、温
度上昇が激しいという問題点を有する。このためリセッ
ト電流の増加や信頼性が低下する問題点があった。
磁心は、制御用磁心として重要な特性である制御磁化特
性が高周波特に50KHz以上になると十分でなく、50KHz以
上の高周波で駆動しているスイッチング電源用可飽和リ
アクトル等に使用した場合コアゲインが十分でなく、温
度上昇が激しいという問題点を有する。このためリセッ
ト電流の増加や信頼性が低下する問題点があった。
本発明の目的は上記問題点を改善した、特に高周波の制
御磁化特性に優れたアモルファス磁心の製造方法を提供
することである。
御磁化特性に優れたアモルファス磁心の製造方法を提供
することである。
問題点を解決するための手段 本発明は、液体急冷法等により作られたアモルファス磁
性合金リボンからなる磁心をキュリー温度以上で一定時
間保持後、冷却中に磁路方向に少なくとも0.1Oe以上の
交流あるいは直流の磁界を印加し、温度がキュリー温度
以下になった時点から150℃以上の一定温度を一定時間
保持する多段のステップ状態を経て温度150℃未満まで
下げる多段熱処理を施すアモルファス磁心の製造方法で
ある。
性合金リボンからなる磁心をキュリー温度以上で一定時
間保持後、冷却中に磁路方向に少なくとも0.1Oe以上の
交流あるいは直流の磁界を印加し、温度がキュリー温度
以下になった時点から150℃以上の一定温度を一定時間
保持する多段のステップ状態を経て温度150℃未満まで
下げる多段熱処理を施すアモルファス磁心の製造方法で
ある。
本発明おいて、アモルファス磁心は通常単ロール法や双
ロール法等の液体急冷法により作製したアモルファス磁
性合金薄帯を巻回して巻磁心の形で使用される。熱処理
は通常不活性ガス雰囲気中で行なわれキュリー温度以上
で一定時間保持後少なくとも0.1Oe以上の交流あるいは
直流の磁界を磁路方向に印加しながらキュリー温度以下
の温度になった時点から150℃以上の一定温度を一定時
間保持する多段のステップ状態を経て150℃未満まで冷
却される。
ロール法等の液体急冷法により作製したアモルファス磁
性合金薄帯を巻回して巻磁心の形で使用される。熱処理
は通常不活性ガス雰囲気中で行なわれキュリー温度以上
で一定時間保持後少なくとも0.1Oe以上の交流あるいは
直流の磁界を磁路方向に印加しながらキュリー温度以下
の温度になった時点から150℃以上の一定温度を一定時
間保持する多段のステップ状態を経て150℃未満まで冷
却される。
磁場をかけながら150℃以上の一定温度を一定時間保持
する多段のステップ状態を経て冷却することにより、制
御磁化特性が通常の磁場中熱処理したものより改善され
ることになる。
する多段のステップ状態を経て冷却することにより、制
御磁化特性が通常の磁場中熱処理したものより改善され
ることになる。
特に、多段熱処理を少なくとも３段以上行なった場合、
改善の効果が著しくなる。
改善の効果が著しくなる。
更に各ステップの保持時間が低い温度になるほど長くし
た場合、経時変化が小さくなるため、より好ましくな
る。
た場合、経時変化が小さくなるため、より好ましくな
る。
磁界の強さは少なくとも0.1Oe以上である必要がある
が、これは磁界が0.1Oe未満の場合制御磁化特性改善の
効果が小さいためである。
が、これは磁界が0.1Oe未満の場合制御磁化特性改善の
効果が小さいためである。
実施例 以下本発明を実施例に従って説明する。
実施例１ 第１図は本発明による制御磁化特性に優れたアモルファ
ス磁心の熱処理パターンを示す図、第２図及び第３図は
従来の熱処理パターンを示した図である。
ス磁心の熱処理パターンを示す図、第２図及び第３図は
従来の熱処理パターンを示した図である。
本発明による熱処理パターンは、まず磁心をキュリー温
度以上に保持し、次に磁路方向に磁場をかけながら冷却
し、キュリー温度以下になった時点から150℃以上の一
定温度を一定時間保持する多段のステップ状態を経て温
度を下げていくパターンである。
度以上に保持し、次に磁路方向に磁場をかけながら冷却
し、キュリー温度以下になった時点から150℃以上の一
定温度を一定時間保持する多段のステップ状態を経て温
度を下げていくパターンである。
磁界はキュリー温度以上の温度であればどの時点から印
加しても良く、ステップ状に温度を下げ始めるのはキュ
リー温度以上からでも同様の効果が得られ、本発明とは
同一とみなせる。
加しても良く、ステップ状に温度を下げ始めるのはキュ
リー温度以上からでも同様の効果が得られ、本発明とは
同一とみなせる。
第２図はキュリー温度以上の温度で保持後急冷する従来
の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御磁化特性が
劣るだけでなく経時変化が大きいため実用的でない。
の熱処理パターンであり、角形性が悪く制御磁化特性が
劣るだけでなく経時変化が大きいため実用的でない。
第３図は磁場をかけながらある温度で保持後一定速度で
冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈカーブの角
形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの保持力は小さくな
るが高周波の制御磁化特性が悪く好ましくない。
冷却する従来のパターンであり、直流Ｂ−Ｈカーブの角
形性は上昇し、直流のＢ−Ｈカーブの保持力は小さくな
るが高周波の制御磁化特性が悪く好ましくない。
実施例２ 第４図は制御磁化特性測定回路であり、制御用磁心を評
価するのに適した測定回路である。第５図は任意の直流
の制御電流Icが制御回路に流れている場合の磁心の動作
模式図である。
価するのに適した測定回路である。第５図は任意の直流
の制御電流Icが制御回路に流れている場合の磁心の動作
模式図である。
第４図中、試料にはNL,Nc,Nvの３種類の巻線を設ける。
NLは磁気増幅器の出力巻線に相当し、抵抗RL及び整流機
Ｄを介し、周波数ｆ（周期Tp）の交流電源Egに接続され
ている。Egの値はゲート半周期Tgにおいて、印加電圧の
正弦波電圧の90°以内の位相角で磁心が飽和に達するよ
うに大きな値に設定する。
NLは磁気増幅器の出力巻線に相当し、抵抗RL及び整流機
Ｄを介し、周波数ｆ（周期Tp）の交流電源Egに接続され
ている。Egの値はゲート半周期Tgにおいて、印加電圧の
正弦波電圧の90°以内の位相角で磁心が飽和に達するよ
うに大きな値に設定する。
Ncは制御巻線で、制御回路よりみた磁心インダクタンス
に比較し、充分大きな値のインダクタンスLcを通して直
流電源Ecに接続し、拘束磁化条件の直流起磁力を与えて
いる。Nvは制御入力に対応するリセット磁束量Δφcm測
定用巻線で、平均値整流方式の交流電圧計Ｖに接続され
ている。
に比較し、充分大きな値のインダクタンスLcを通して直
流電源Ecに接続し、拘束磁化条件の直流起磁力を与えて
いる。Nvは制御入力に対応するリセット磁束量Δφcm測
定用巻線で、平均値整流方式の交流電圧計Ｖに接続され
ている。
第６図に本測定回路により測定して得られる制御磁化曲
線の模式図を示す。
線の模式図を示す。
Hrの逆数をβ０とおく β０＝1/Hr 制御用磁心としてはβ０大（Hr小）のほど制御電流は小
となり特性が良いことになる。
となり特性が良いことになる。
一方、磁心の磁化特性の角形の程度を示すパラメータを
α０と置く α０＝１−ΔBb/ΔBm 制御用磁心としてはα０大（ΔBb/ΔBm小）のほど制御
不能磁束密度が小さく特性が良いことになる。
α０と置く α０＝１−ΔBb/ΔBm 制御用磁心としてはα０大（ΔBb/ΔBm小）のほど制御
不能磁束密度が小さく特性が良いことになる。
α０とβ０の積をG0で表わし、Specific Coregainと呼
ぶが G0＝α０・β０ が大きいほど総合的にみて制御用磁心として優れている
と判断できる。
ぶが G0＝α０・β０ が大きいほど総合的にみて制御用磁心として優れている
と判断できる。
ゲート磁界の最大値 Hm＝｛NL・iL（max）｝/Ie …（１） Ie:試料の平均磁路長 に対応する磁束密度の最大値Bmと制御磁界 Hr＝（Nc・Ic）/Ie …（２） によって決まる磁束密度Bcとの差の磁束密度量をΔBcm
とし、周期をTpとすれば、Nv回路の磁束電圧計Ｖの読み
は Ev f・Nv・Ａ・ΔBcm …（３） A:磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域の特性、
Hm−ΔBd特性と、磁界Ｈが負の領域の特性、Hr−ΔＢ特
性を把握することが必要である。
とし、周期をTpとすれば、Nv回路の磁束電圧計Ｖの読み
は Ev f・Nv・Ａ・ΔBcm …（３） A:磁心の有効断面積 実際の制御用磁心においては磁界Ｈが正の領域の特性、
Hm−ΔBd特性と、磁界Ｈが負の領域の特性、Hr−ΔＢ特
性を把握することが必要である。
ΔBd＝Bm−Br …（４） であり Evd f・Nv・Ａ・ΔBd …（５） である。
一方、 ΔＢ＝ΔBcm−ΔBd …（６） である。
制御用磁心としては第６図に示す第１象限の曲線が下側
にあり、第２象限の曲線が右側に寄っておりかつ傾斜が
急なものほど良いことになる。
にあり、第２象限の曲線が右側に寄っておりかつ傾斜が
急なものほど良いことになる。
実施例３ 第１表は、本発明による製造方法により作成したアモル
ファス磁心と従来のアモルファス磁心，パーマロイ磁心
の50KHzのスペシフィック コアゲインG0を比較した表
である。
ファス磁心と従来のアモルファス磁心，パーマロイ磁心
の50KHzのスペシフィック コアゲインG0を比較した表
である。
本発明例で行った熱処理は、420℃で1h保持後、170℃×
10h,160℃×24h,150℃×48hと保持しながら冷却し、こ
の冷却の間、420℃から10Oeの磁場を印加した。
10h,160℃×24h,150℃×48hと保持しながら冷却し、こ
の冷却の間、420℃から10Oeの磁場を印加した。
従来例は熱処理中磁場を印加しないものである。
この表に示すように本発明による製造方法で作成したア
モルファス磁心の方が従来の磁心に比べてGoが大きく、
制御用磁心として優れていることがわかる。
モルファス磁心の方が従来の磁心に比べてGoが大きく、
制御用磁心として優れていることがわかる。
実施例４ 第７図は、本発明により製造した (Co0.93Fe0.02Mn0.05)72Cr4Si15B9アモルファス磁心Ａ
と従来の熱処理を行ったCo70.3Fe5.4Nb1.6Si8.0B14.7ア
モルファス磁心ＢとCo69.5Fe4.5Mo1Si15B10アモルファ
ス磁心Ｃの制御磁化特性（ΔＢ−Hr特性）を比較した図
である。
と従来の熱処理を行ったCo70.3Fe5.4Nb1.6Si8.0B14.7ア
モルファス磁心ＢとCo69.5Fe4.5Mo1Si15B10アモルファ
ス磁心Ｃの制御磁化特性（ΔＢ−Hr特性）を比較した図
である。
ここで、磁心Ａに対しては430℃×1h保持後、170℃×10
h,160℃×24h,150℃×48hと保持しながら冷却し、この
冷却の間、420℃から10Oeの磁場を印加し、一方、磁心
Ｂ及び磁心Ｃには350℃1h保持後、１℃/minの速度で冷
却し、磁場は熱処理中10Oeを印加しつづけるものであっ
た。
h,160℃×24h,150℃×48hと保持しながら冷却し、この
冷却の間、420℃から10Oeの磁場を印加し、一方、磁心
Ｂ及び磁心Ｃには350℃1h保持後、１℃/minの速度で冷
却し、磁場は熱処理中10Oeを印加しつづけるものであっ
た。
本発明により製造した磁心ＡのΔＢ−Hr特性の曲線は右
側に寄っており、制御電流が小さいため、従来法による
磁心より優れていることがわかる。
側に寄っており、制御電流が小さいため、従来法による
磁心より優れていることがわかる。
第８図は、第７図に示した磁心のΔBd−Hm特性を示した
図である。
図である。
本発明により製造した磁心ＡのΔBd−Hm特性の曲線は下
側に位置しており、角形性が従来のものに比べ同等以上
であり、かつ実施例４に示したように制御電流が小さい
ため、制御用磁心として好ましい。
側に位置しており、角形性が従来のものに比べ同等以上
であり、かつ実施例４に示したように制御電流が小さい
ため、制御用磁心として好ましい。
実施例５ 第２表は本発明の製造方法で、熱処理の温度を420℃×1
hとし、ステップ状に冷却する条件を変えた場合(Co0.93
Fe0.03Mn0.04)72Mo3Si15B9アモルファス磁心の50KHzの
スペシフィック コアゲインGoの変化を示した表であ
る。この表に示すように３段以上多段熱処理した場合に
特にGoが大きくなり好ましい。
hとし、ステップ状に冷却する条件を変えた場合(Co0.93
Fe0.03Mn0.04)72Mo3Si15B9アモルファス磁心の50KHzの
スペシフィック コアゲインGoの変化を示した表であ
る。この表に示すように３段以上多段熱処理した場合に
特にGoが大きくなり好ましい。
実施例６ 第３表は本発明の製造方法で冷却する各ステップの保持
時間を低い温度になるほど長くした場合と一定の場合の
120℃のアモルファス磁心のGoの経時変化率ΔGoを比較
した表である。
時間を低い温度になるほど長くした場合と一定の場合の
120℃のアモルファス磁心のGoの経時変化率ΔGoを比較
した表である。
ここで、低い温度になるほど長くした場合の熱処理条件
は、400℃×1.5h保持後、180℃×1h,170℃×24h,160℃
×120hと保持しながら冷却し、この冷却の間、400℃か
ら5Oeの磁場を印加し、一方、一定の場合は、400℃×1.
5h保持後、180℃×1h,170℃×1h,160℃×1hと保持しな
がら冷却するものであった。
は、400℃×1.5h保持後、180℃×1h,170℃×24h,160℃
×120hと保持しながら冷却し、この冷却の間、400℃か
ら5Oeの磁場を印加し、一方、一定の場合は、400℃×1.
5h保持後、180℃×1h,170℃×1h,160℃×1hと保持しな
がら冷却するものであった。
ここで、ΔGoは、 （（Go10000−Go0）／Go0）×100 で表わす。
Go0：初期値 Go10000:10000時間後の値 表からわかる様に低い温度になるほど保持時間が長くな
る様に多段熱処理した方が経時変化が改善されより好ま
しい。
る様に多段熱処理した方が経時変化が改善されより好ま
しい。
発明の効果 本発明によれば、磁心を熱処理後室温程度まで急冷する
従来の熱処理方法によるもの及びキュリー温度以下にな
った時点から１段のみのステップ状態を経て室温まで冷
却したものでは不充分であった50KHz以上の高周波にお
ける制御磁化特性を著しく改善することができ、このよ
うな高周波で駆動するスイッチング電源等に使用しても
急激な温度上昇をおこすことがなく、信頼性の高いもの
となる。
従来の熱処理方法によるもの及びキュリー温度以下にな
った時点から１段のみのステップ状態を経て室温まで冷
却したものでは不充分であった50KHz以上の高周波にお
ける制御磁化特性を著しく改善することができ、このよ
うな高周波で駆動するスイッチング電源等に使用しても
急激な温度上昇をおこすことがなく、信頼性の高いもの
となる。
第１図は本発明の熱処理パターンを示す図、第２図及び
第３図は従来の熱処理パターンを示した図、第４図は制
御磁化特性測定回路を示した図、第５図は制御する際の
Ｂ−Ｈカーブを模式的に示した図、第６図は制御磁化特
性のカーブを模式的に示した図、第７図は本発明により
製造した磁心と従来の磁心の制御磁化特性（ΔＢ−Hr特
性）を示した図、第８図はΔBd−Hm特性を示した図であ
る。
第３図は従来の熱処理パターンを示した図、第４図は制
御磁化特性測定回路を示した図、第５図は制御する際の
Ｂ−Ｈカーブを模式的に示した図、第６図は制御磁化特
性のカーブを模式的に示した図、第７図は本発明により
製造した磁心と従来の磁心の制御磁化特性（ΔＢ−Hr特
性）を示した図、第８図はΔBd−Hm特性を示した図であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山内 清隆 埼玉県熊谷市三ヶ尻5200番地 日立金属株 式会社磁性材料研究所内 (56)参考文献 特開 昭60−170914（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−74058（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−29644（ＪＰ，Ａ)
Claims (3)
- 【請求項１】アモルファス磁心をキュリー温度以上で一
定時間保持後、冷却中に磁路方向に少なくとも0.1Oe以
上の交流あるいは直流の磁界を印加し、温度がキュリー
温度以下になった時点から150℃以上の一定温度を一定
時間保持する多段のステップ状態を経て温度を150℃未
満までさげる多段熱処理を施すことを特徴とするアモル
ファス磁心の製造方法。 - 【請求項２】多段熱処理を少なくとも３段以上とした特
許請求の範囲第１項記載のアモルファス磁心の製造方
法。 - 【請求項３】多段熱処理の各ステップ状態の保持時間を
低い温度になるほど長くした特許請求の範囲第１項なら
びに第２項に記載のアモルファス磁心の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251831A JPH079862B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | アモルファス磁心の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60251831A JPH079862B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | アモルファス磁心の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62112310A JPS62112310A (ja) | 1987-05-23 |
| JPH079862B2 true JPH079862B2 (ja) | 1995-02-01 |
Family
ID=17228572
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60251831A Expired - Lifetime JPH079862B2 (ja) | 1985-11-12 | 1985-11-12 | アモルファス磁心の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH079862B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW226034B (ja) * | 1991-03-06 | 1994-07-01 | Allied Signal Inc | |
| CN108806914A (zh) * | 2018-06-14 | 2018-11-13 | 江苏墨泰新材料有限公司 | 一种非晶软磁材料及其热处理工艺 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170914A (ja) * | 1984-02-15 | 1985-09-04 | Hitachi Metals Ltd | アモルフアス巻磁心の熱処理方法 |
| JPS6274058A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Toshiba Corp | 非晶質磁性合金コアの熱処理方法 |
-
1985
- 1985-11-12 JP JP60251831A patent/JPH079862B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62112310A (ja) | 1987-05-23 |
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