JPH0798767B2 - α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドの製造方法 - Google Patents
α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドの製造方法Info
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、α−(4−イソブチルフェニル)プロピオン
酸の前駆体であるα−(4−イソブチルフェニル)プロ
ピオンアルデヒドを経済的に、かつ高純度で製造するこ
とを可能ならしめる方法に関するものである。さらに詳
しくは、p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水素
触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレンを
製造する工程、および得られたp−イソブチルスチレン
を、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、一酸化炭
素および水素と反応させることにより、α−(4−イソ
ブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製造する工程
からなる、α(4−イソブチルフェニル)プロピオンア
ルデヒドの経済的な製造方法に関するものである。
酸の前駆体であるα−(4−イソブチルフェニル)プロ
ピオンアルデヒドを経済的に、かつ高純度で製造するこ
とを可能ならしめる方法に関するものである。さらに詳
しくは、p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水素
触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレンを
製造する工程、および得られたp−イソブチルスチレン
を、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、一酸化炭
素および水素と反応させることにより、α−(4−イソ
ブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製造する工程
からなる、α(4−イソブチルフェニル)プロピオンア
ルデヒドの経済的な製造方法に関するものである。
本発明の目的生成物であるα−(4−イソブチルフェニ
ル)プロピオンアルデヒドは、公知の方法により酸化す
れば容易にα−(4−イソブチルフェニル)プロピオン
酸に変換できることが知られている。このα−(4−イ
ソブチルフェニル)プロピオン酸は、英国特許第971700
号公報、フランス特許第1549758号公報、特公昭40−717
8号公報および特公昭40−7491号公報に記載されている
ように、解熱、鎮痛、消炎効果を持つ有用な医薬品(商
品名;イブプロフェン)となる化合物である。
ル)プロピオンアルデヒドは、公知の方法により酸化す
れば容易にα−(4−イソブチルフェニル)プロピオン
酸に変換できることが知られている。このα−(4−イ
ソブチルフェニル)プロピオン酸は、英国特許第971700
号公報、フランス特許第1549758号公報、特公昭40−717
8号公報および特公昭40−7491号公報に記載されている
ように、解熱、鎮痛、消炎効果を持つ有用な医薬品(商
品名;イブプロフェン)となる化合物である。
[従来の技術および発明が解決しようとする課題] α−(4−イソブチルフェニル)プロピオン酸またはα
−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド
は、従来より極めて多くの化合物を出発物質として、種
々の方法により合成されている。
−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド
は、従来より極めて多くの化合物を出発物質として、種
々の方法により合成されている。
しかしながら、α−(4−イソブチルフェニル)プロピ
オン酸またはα−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒドを安価で経済的に、かつ高純度に合成する
ためには、 (イ)単純な化合物を出発原料とすること、 (ロ)各工程における中間体もできる限り単純で安定な
化合物が使える反応を利用すること、 (ハ)高価な試薬を利用せず安価な試薬または触媒を利
用すること、 (ニ)工程数はできる限り少ないこと、および (ホ)イソブチル基は異性化を起こしやすいので、各工
程の反応の際に、異性化などを起こさない反応を利用す
ること、 などが要求される。
オン酸またはα−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒドを安価で経済的に、かつ高純度に合成する
ためには、 (イ)単純な化合物を出発原料とすること、 (ロ)各工程における中間体もできる限り単純で安定な
化合物が使える反応を利用すること、 (ハ)高価な試薬を利用せず安価な試薬または触媒を利
用すること、 (ニ)工程数はできる限り少ないこと、および (ホ)イソブチル基は異性化を起こしやすいので、各工
程の反応の際に、異性化などを起こさない反応を利用す
ること、 などが要求される。
しかるに、例えば、α−(4−イソブチルフェニル)プ
ロピオンアルデヒドのの合成方法として提案されている
特開昭51−100042号公報では、イソブチルベンゼンのグ
リニヤール化合物から出発しているが、グリニヤール試
薬という不安定で取扱いの困難な試薬を用いているほ
か、BF3などのルイス酸をも使用しているので、イソブ
チル基が異性化しやすい。また、特開昭53−82740号公
報では、金属リチウムなどの取扱いが困難な化合物を利
用している。
ロピオンアルデヒドのの合成方法として提案されている
特開昭51−100042号公報では、イソブチルベンゼンのグ
リニヤール化合物から出発しているが、グリニヤール試
薬という不安定で取扱いの困難な試薬を用いているほ
か、BF3などのルイス酸をも使用しているので、イソブ
チル基が異性化しやすい。また、特開昭53−82740号公
報では、金属リチウムなどの取扱いが困難な化合物を利
用している。
また、α−(4−イソブチルフェニル)プロピオン酸の
製法を開示している特開昭49−13351号公報および特開
昭50−4040号公報は、いずれもイソブチルベンゼンを出
発原料としているが、触媒として塩化アルミニウムを用
いているので、イソブチル基が異性化しやすく、また、
高価な試薬を使用している。
製法を開示している特開昭49−13351号公報および特開
昭50−4040号公報は、いずれもイソブチルベンゼンを出
発原料としているが、触媒として塩化アルミニウムを用
いているので、イソブチル基が異性化しやすく、また、
高価な試薬を使用している。
さらに、フランス特許第1549758号公報、特公昭47−245
50号公報、特開昭49−95938号公報、特開昭52−57338号
公報、特開昭52−97930号公報、特開昭52−131553号公
報、特開昭53−7643号公報、特開昭53−18535号公報お
よび特開昭56−154428号公報に記載された方法は、p−
イソブチルアセトフェノンを出発物質とする方法であ
る。
50号公報、特開昭49−95938号公報、特開昭52−57338号
公報、特開昭52−97930号公報、特開昭52−131553号公
報、特開昭53−7643号公報、特開昭53−18535号公報お
よび特開昭56−154428号公報に記載された方法は、p−
イソブチルアセトフェノンを出発物質とする方法であ
る。
しかし、p−イソブチルアセトフェノンは、後述の如く
安価な化合物とは言えない。これはイソブチルベンゼン
から合成するのが最も経済的であるが、イソブチルベン
ゼンからp−イソブチルアセトフェノンに変換すること
自体経済的観点からは好ましいことではない。すなわ
ち、p−イソブチルアセトフェノンへ変換するために
は、高価でかつ不安定な原料である塩化アセチルを使用
せざるを得ず、しかも反応触媒として水分に対して非常
に敏感な無水塩化アルミニウムを、少なくとも塩化アセ
チルと同じモル数、すなわち大量に使用しなくてはなら
ない。例えば、この変換反応が化学量論的に100%の収
率であったと考えても、p−イソブチルアセトフェノン
を1トン製造するためには、700kgという大量の無水塩
化アルミニウムを使用する必要がある。また反応終了後
には、無水塩化アルミニウムを失活した結果生ずる水酸
化アルミニウムが410kgおよび塩素イオン750kgと、目的
とするp−イソブチルアセトフェノンの製造量を大幅に
上回る1160kgもの廃棄物を無害な形にまで処理する必要
がある。従って出発物質としてのp−イソブチルアセト
フェノン自体が高価であることはいうまでもない。さら
にp−イソブチルアセトフェノンからα−(4−イソブ
チルフェニル)プロピオンアルデヒドへの変換も、複雑
な中間生成物を経由するなど、工業的観点からは必ずし
も経済的な方法とは言い難い。
安価な化合物とは言えない。これはイソブチルベンゼン
から合成するのが最も経済的であるが、イソブチルベン
ゼンからp−イソブチルアセトフェノンに変換すること
自体経済的観点からは好ましいことではない。すなわ
ち、p−イソブチルアセトフェノンへ変換するために
は、高価でかつ不安定な原料である塩化アセチルを使用
せざるを得ず、しかも反応触媒として水分に対して非常
に敏感な無水塩化アルミニウムを、少なくとも塩化アセ
チルと同じモル数、すなわち大量に使用しなくてはなら
ない。例えば、この変換反応が化学量論的に100%の収
率であったと考えても、p−イソブチルアセトフェノン
を1トン製造するためには、700kgという大量の無水塩
化アルミニウムを使用する必要がある。また反応終了後
には、無水塩化アルミニウムを失活した結果生ずる水酸
化アルミニウムが410kgおよび塩素イオン750kgと、目的
とするp−イソブチルアセトフェノンの製造量を大幅に
上回る1160kgもの廃棄物を無害な形にまで処理する必要
がある。従って出発物質としてのp−イソブチルアセト
フェノン自体が高価であることはいうまでもない。さら
にp−イソブチルアセトフェノンからα−(4−イソブ
チルフェニル)プロピオンアルデヒドへの変換も、複雑
な中間生成物を経由するなど、工業的観点からは必ずし
も経済的な方法とは言い難い。
また、特開昭61−24534号公報によると、イソブチルベ
ンゼンとアセトアルデヒドとを硫酸触媒の存在下に縮合
反応させて1,1−ビス(p−イソブチルフェニル)エタ
ンとし、これを酸触媒により接触分解してp−イソブチ
ルスチレンとし、このp−イソブチルスチレンと一酸化
炭素および水素とをカルボニル化錯体触媒の存在下に反
応させてα−(4−イソブチルフェニル)プロピオンア
ルデヒドを製造する方法を開示している。しかし上記公
報に記載されているように、硫酸を用いる方法では、1,
1−ビス(p−イソブチルフェニル)エタンを製造する
工程で貴重な原料であるイソブチルベンゼン自体のスル
ホン化反応を避けることはできず、その結果一部のイソ
ブチルベンゼンはスルホン化物として損失となるために
経済的に好ましくない。また、この縮合反応は脱水反応
であるため、硫酸を一度使用した後は、生成した水のた
めに触媒としての硫酸の濃度が低下し、そのために使用
済みの硫酸の濃度を、例えば、装置の腐食などが懸念さ
れる高温蒸留などにより回復させなければ、触媒は再使
用できない。その上、硫酸相には多量のスルホン化物が
溶解しており、単なる蒸留では触媒濃度の回復は容易で
はない。従って、無水硫酸あるいは発煙硫酸などを加え
ることによって、生成した水を化学反応で除去するなど
の方法を用いざるを得ないため、触媒コストも割高にな
る。
ンゼンとアセトアルデヒドとを硫酸触媒の存在下に縮合
反応させて1,1−ビス(p−イソブチルフェニル)エタ
ンとし、これを酸触媒により接触分解してp−イソブチ
ルスチレンとし、このp−イソブチルスチレンと一酸化
炭素および水素とをカルボニル化錯体触媒の存在下に反
応させてα−(4−イソブチルフェニル)プロピオンア
ルデヒドを製造する方法を開示している。しかし上記公
報に記載されているように、硫酸を用いる方法では、1,
1−ビス(p−イソブチルフェニル)エタンを製造する
工程で貴重な原料であるイソブチルベンゼン自体のスル
ホン化反応を避けることはできず、その結果一部のイソ
ブチルベンゼンはスルホン化物として損失となるために
経済的に好ましくない。また、この縮合反応は脱水反応
であるため、硫酸を一度使用した後は、生成した水のた
めに触媒としての硫酸の濃度が低下し、そのために使用
済みの硫酸の濃度を、例えば、装置の腐食などが懸念さ
れる高温蒸留などにより回復させなければ、触媒は再使
用できない。その上、硫酸相には多量のスルホン化物が
溶解しており、単なる蒸留では触媒濃度の回復は容易で
はない。従って、無水硫酸あるいは発煙硫酸などを加え
ることによって、生成した水を化学反応で除去するなど
の方法を用いざるを得ないため、触媒コストも割高にな
る。
以上述べてきたように、α−(4−イソブチルフェニ
ル)プロピオンアルデヒドの製造に関する従来の技術は
まだまだ経済的な方法であるとは言えず、より経済的な
製造方法の開発が望まれていた。
ル)プロピオンアルデヒドの製造に関する従来の技術は
まだまだ経済的な方法であるとは言えず、より経済的な
製造方法の開発が望まれていた。
本発明は、p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程、および得られたp−イソブチルスチレ
ンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、一酸化
炭素および水素と反応させてα−(4−イソブチルフェ
ニル)プロピオンアルデヒドを製造する工程からなる、
α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド
の新規な、かつ経済的な製造方法に関するものである。
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程、および得られたp−イソブチルスチレ
ンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、一酸化
炭素および水素と反応させてα−(4−イソブチルフェ
ニル)プロピオンアルデヒドを製造する工程からなる、
α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド
の新規な、かつ経済的な製造方法に関するものである。
芳香族炭化水素の脱水素反応における従来技術をみる
と、構造の異なるアルキル基を複数もち、かつどのアル
キル基も脱水素される可能性のあるようなポリアルキル
ベンゼンの、特定の1つの置換基のみを選択的に脱水素
するような技術は、今まで知られていない。例えば、特
公昭62−6528号、特開昭56−135425号、特開昭58−1890
34号、特開昭59−120243号、特開昭61−158940号などの
公報に見られるようなメチルエチルベンゼンを脱水素し
てメチルスチレンを製造する方法、あるいは特開昭56−
155648号、特開昭56−155649号、特開昭56−155650号、
特開昭56−155651号、特開昭56−155652号、特開昭60−
115534号などの公報に見られるようなターシャリーブチ
ルエチルベンゼンを脱水素してターシャリーブチルスチ
レンを製造する方法、さらには特開昭62−29537号公報
などに見られるようなジエチルベンゼンを脱水素してエ
チルスチレンまたはジビニルベンゼンを製造する方法な
どが開示されている。しかし、メチルエチルベンゼンお
よびターシャリーブチルエチルベンゼンは、脱水素され
る可能性のあるエチル基をどちらも持っているが、もう
一つの置換基はメチル基とターシャリーブチル基であ
り、共に脱水素される可能性のないものである。従っ
て、これらの化合物の脱水素反応における副反応はクラ
ッキング反応であり、脱水素反応そのものの選択性は問
題とならない。また、ジエチルベンゼンを脱水素する場
合は、脱水素される可能性のあるアルキル基、すなわち
エチル基を二つ持っているが、どちらのエチル基が一つ
脱水素されても生成するのはエチルスチレンただ一つで
あり、二つの置換基のどちらか一方を選択する必要はな
い上、目的生成物はジエチルベンゼンであるので、前記
エチルスチレンの残りのエチル基をさらに脱水素すれば
よい。つまり二つのエチル基に区別がなく、特に問題で
はないのである。
と、構造の異なるアルキル基を複数もち、かつどのアル
キル基も脱水素される可能性のあるようなポリアルキル
ベンゼンの、特定の1つの置換基のみを選択的に脱水素
するような技術は、今まで知られていない。例えば、特
公昭62−6528号、特開昭56−135425号、特開昭58−1890
34号、特開昭59−120243号、特開昭61−158940号などの
公報に見られるようなメチルエチルベンゼンを脱水素し
てメチルスチレンを製造する方法、あるいは特開昭56−
155648号、特開昭56−155649号、特開昭56−155650号、
特開昭56−155651号、特開昭56−155652号、特開昭60−
115534号などの公報に見られるようなターシャリーブチ
ルエチルベンゼンを脱水素してターシャリーブチルスチ
レンを製造する方法、さらには特開昭62−29537号公報
などに見られるようなジエチルベンゼンを脱水素してエ
チルスチレンまたはジビニルベンゼンを製造する方法な
どが開示されている。しかし、メチルエチルベンゼンお
よびターシャリーブチルエチルベンゼンは、脱水素され
る可能性のあるエチル基をどちらも持っているが、もう
一つの置換基はメチル基とターシャリーブチル基であ
り、共に脱水素される可能性のないものである。従っ
て、これらの化合物の脱水素反応における副反応はクラ
ッキング反応であり、脱水素反応そのものの選択性は問
題とならない。また、ジエチルベンゼンを脱水素する場
合は、脱水素される可能性のあるアルキル基、すなわち
エチル基を二つ持っているが、どちらのエチル基が一つ
脱水素されても生成するのはエチルスチレンただ一つで
あり、二つの置換基のどちらか一方を選択する必要はな
い上、目的生成物はジエチルベンゼンであるので、前記
エチルスチレンの残りのエチル基をさらに脱水素すれば
よい。つまり二つのエチル基に区別がなく、特に問題で
はないのである。
本発明におけるp−イソブチルエチルベンゼンの選択的
脱水素によるp−イソブチルスチレンの製造技術は、こ
れらの公知の従来技術と根本的に異なる。具体的には、
原料のp−イソブチルエチルベンゼンのベンゼン核に結
合している置換基はエチル基とイソブチル基であり、こ
れらはどちらも脱水素されてそれぞれビニル基とイソブ
テニル基などになる可能性を持っている。すなわち、p
−イソブチルエチルベンゼンのエチル基のみが脱水素さ
れるとp−イソブチルスチレンとなり、イソブチル基の
みが脱水素されるとp−イソブテニルエチルベンゼンな
どになる。また、エチル基とイソブチル基の両方が脱水
素されると、p−イソブテニルスチレンなどとなる。こ
のように、p−イソブチルエチルベンゼンは脱水素され
得る異なるアルキル基を二つ持ち、しかもどちらが脱水
素されるかによって生成物が全く異なる。
脱水素によるp−イソブチルスチレンの製造技術は、こ
れらの公知の従来技術と根本的に異なる。具体的には、
原料のp−イソブチルエチルベンゼンのベンゼン核に結
合している置換基はエチル基とイソブチル基であり、こ
れらはどちらも脱水素されてそれぞれビニル基とイソブ
テニル基などになる可能性を持っている。すなわち、p
−イソブチルエチルベンゼンのエチル基のみが脱水素さ
れるとp−イソブチルスチレンとなり、イソブチル基の
みが脱水素されるとp−イソブテニルエチルベンゼンな
どになる。また、エチル基とイソブチル基の両方が脱水
素されると、p−イソブテニルスチレンなどとなる。こ
のように、p−イソブチルエチルベンゼンは脱水素され
得る異なるアルキル基を二つ持ち、しかもどちらが脱水
素されるかによって生成物が全く異なる。
さらに、報文Journal of Catalysis 34,167〜174(197
4)によると、クメンの脱水素の反応速度定数は、Bi2UO
6−酸化ウラン系触媒を用いた場合、エチルベンゼンの
脱水素反応速度定数の約2倍であると報じている。ま
た、報文Azerb.Khim.Zh.1968,(2),59−62(Russ)に
よると、イソプロピルエチルベンゼンを脱水素して同一
分子内のアルキル基の脱水素選択性を比較すると、イソ
プロピル基のみ脱水素されたイソプロペニルエチルベン
ゼンの生成量の、エチル基のみ脱水素されたイソプロピ
ルスチレンの生成量に対する比は2以上であり、選択率
を上げるために反応温度を下げると、この比は3以上に
なると報じている。これらの公知文献からわかること
は、分岐型のイソプロピル基と直鎖型のエチル基とで
は、約2〜3倍分岐型のイソプロピル基の方が脱水素さ
れ易いということである。また、本発明者らの検討によ
ると、酸化鉄系触媒の存在下にp−sec−ブチルエチル
ベンゼンを脱水素した場合、反応温度550℃、p−sec−
ブチルエチルベンゼンに対するスチームのモル比93、p
−sec−ブチルエチルベンゼンの触媒との接触時間0.2秒
の条件で、p−sec−ブチルエチルベンゼンの転化率が4
3.4重量%、p−sec−ブテニルエチルベンゼン:p−sec
−ブチルスチレンの比がおよそ2:1となり、sec−ブチル
基の方がエチル基の約2倍脱水素されやすく、反応条件
等を変化させても、この傾向が逆転することはないこと
が確かめられた。この事実から、前述のイソプロピルエ
チルベンゼンの文献と同様に、分岐型の炭素数4のsec
−ブチル基の方が、直鎖型のエチル基よりも脱水素され
やすいと考えられる。しかし、このような方法では本発
明の目的を達成することはできない。
4)によると、クメンの脱水素の反応速度定数は、Bi2UO
6−酸化ウラン系触媒を用いた場合、エチルベンゼンの
脱水素反応速度定数の約2倍であると報じている。ま
た、報文Azerb.Khim.Zh.1968,(2),59−62(Russ)に
よると、イソプロピルエチルベンゼンを脱水素して同一
分子内のアルキル基の脱水素選択性を比較すると、イソ
プロピル基のみ脱水素されたイソプロペニルエチルベン
ゼンの生成量の、エチル基のみ脱水素されたイソプロピ
ルスチレンの生成量に対する比は2以上であり、選択率
を上げるために反応温度を下げると、この比は3以上に
なると報じている。これらの公知文献からわかること
は、分岐型のイソプロピル基と直鎖型のエチル基とで
は、約2〜3倍分岐型のイソプロピル基の方が脱水素さ
れ易いということである。また、本発明者らの検討によ
ると、酸化鉄系触媒の存在下にp−sec−ブチルエチル
ベンゼンを脱水素した場合、反応温度550℃、p−sec−
ブチルエチルベンゼンに対するスチームのモル比93、p
−sec−ブチルエチルベンゼンの触媒との接触時間0.2秒
の条件で、p−sec−ブチルエチルベンゼンの転化率が4
3.4重量%、p−sec−ブテニルエチルベンゼン:p−sec
−ブチルスチレンの比がおよそ2:1となり、sec−ブチル
基の方がエチル基の約2倍脱水素されやすく、反応条件
等を変化させても、この傾向が逆転することはないこと
が確かめられた。この事実から、前述のイソプロピルエ
チルベンゼンの文献と同様に、分岐型の炭素数4のsec
−ブチル基の方が、直鎖型のエチル基よりも脱水素され
やすいと考えられる。しかし、このような方法では本発
明の目的を達成することはできない。
すなわち、本発明の脱水素の目的生成物は、エチル基の
み脱水素されたp−イソブチルスチレンである。そのた
め、p−イソブチルスチレンの選択率の高いp−イソブ
チルエチルベンゼンの脱水素方法、すなわち、p−イソ
ブチルエチルベンゼンのもつエチル基とイソブチル基の
うちエチル基のみを選択的に脱水素する方法の開発が切
に望まれていた。
み脱水素されたp−イソブチルスチレンである。そのた
め、p−イソブチルスチレンの選択率の高いp−イソブ
チルエチルベンゼンの脱水素方法、すなわち、p−イソ
ブチルエチルベンゼンのもつエチル基とイソブチル基の
うちエチル基のみを選択的に脱水素する方法の開発が切
に望まれていた。
またさらに、p−イソブチルエチルベンゼンを脱水素し
て得られる脱水素反応液中にはp−イソブテニルエチル
ベンゼンおよびp−イソブテニルスチレンが副生成物と
して含有されており、これらはヒドロフォルミル化に対
して活性であり、脱水素反応液をそのままヒドロフォル
ミル化反応の原料とするには問題があった。そこで、こ
れらの副生成物を含有する脱水素反応液をそのままヒド
ロフォルミル化の反応の原料として使用できる方法の開
発も同時に望まれていた。
て得られる脱水素反応液中にはp−イソブテニルエチル
ベンゼンおよびp−イソブテニルスチレンが副生成物と
して含有されており、これらはヒドロフォルミル化に対
して活性であり、脱水素反応液をそのままヒドロフォル
ミル化反応の原料とするには問題があった。そこで、こ
れらの副生成物を含有する脱水素反応液をそのままヒド
ロフォルミル化の反応の原料として使用できる方法の開
発も同時に望まれていた。
[課題を解決するための手段] 本発明は、下記の工程(I)および工程(II)からなる
ことを特徴とするα−(4−イソブチルフェニル)プロ
ピオンアルデヒドを工業的、経済的に製造可能ならしめ
る方法を提供するものである。
ことを特徴とするα−(4−イソブチルフェニル)プロ
ピオンアルデヒドを工業的、経済的に製造可能ならしめ
る方法を提供するものである。
工程(I):p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程。
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程。
工程(II):前記工程(I)で得られたp−イソブチル
スチレンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、
一酸化炭素および水素と反応させることにより、α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製
造する工程。
スチレンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、
一酸化炭素および水素と反応させることにより、α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製
造する工程。
以下、本発明の技術をさらに具体的に説明する。
本発明の方法における工程(I)は、p−イソブチルエ
チルベンゼンを脱水素することにより、p−イソブチル
スチレンを製造する工程である。さらに詳しくは、脱水
素触媒の存在下、p−イソブチルエチルベンゼンのエチ
ル基のみを選択的に脱水素してp−イソブチルスチレン
を製造する方法に関するものである。
チルベンゼンを脱水素することにより、p−イソブチル
スチレンを製造する工程である。さらに詳しくは、脱水
素触媒の存在下、p−イソブチルエチルベンゼンのエチ
ル基のみを選択的に脱水素してp−イソブチルスチレン
を製造する方法に関するものである。
脱水素触媒には、鉄、銅、亜鉛、ニッケル、パラジウ
ム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、ルテニウ
ム、クロム、バナジウム、ニオブ、モリブデン、チタ
ン、ジルコニウム、カリウム、アルミニウム、カルシウ
ム、マグネシウム、セリウム、セシウム、ルビジウムな
どの金属化合物があり、これらを適宜組み合わせたもの
も有効に使用しうる。好ましくは鉄、銅、クロームから
選ばれる少なくとも1種の金属を含む触媒である。特に
酸化鉄系触媒、銅−クロム系触媒などはp−イソブチル
スチレンへの選択性が高く、本発明の目的には有効であ
る。一般に、脱水素触媒は長時間使用しているとコーキ
ング等によりしだいに少しづつ活性が低下してくるの
で、その場合は触媒を、例えば500℃程度の高温で、空
気等でデコーキングすることにより、初期の活性を再現
することができる。また、必要であれば、200〜500℃の
温度で水素の流れの中に置くことによる水素処理を行っ
てもよい。
ム、白金、コバルト、ロジウム、イリジウム、ルテニウ
ム、クロム、バナジウム、ニオブ、モリブデン、チタ
ン、ジルコニウム、カリウム、アルミニウム、カルシウ
ム、マグネシウム、セリウム、セシウム、ルビジウムな
どの金属化合物があり、これらを適宜組み合わせたもの
も有効に使用しうる。好ましくは鉄、銅、クロームから
選ばれる少なくとも1種の金属を含む触媒である。特に
酸化鉄系触媒、銅−クロム系触媒などはp−イソブチル
スチレンへの選択性が高く、本発明の目的には有効であ
る。一般に、脱水素触媒は長時間使用しているとコーキ
ング等によりしだいに少しづつ活性が低下してくるの
で、その場合は触媒を、例えば500℃程度の高温で、空
気等でデコーキングすることにより、初期の活性を再現
することができる。また、必要であれば、200〜500℃の
温度で水素の流れの中に置くことによる水素処理を行っ
てもよい。
脱水素温度は、触媒の組成、触媒時間、希釈モル比など
に応じて400〜700℃、好ましくは450〜650℃の範囲内で
選択することができる。反応温度がこの範囲より高くな
ると、p−イソブチルスチレン生成反応との競争反応の
みならず、生成したp−イソブチルスチレンがさらに脱
水素されたりあるいは分解されるといった副反応が急激
に多くなり、p−イソブチルスチレンの選択率が著しく
低下する。これはp−イソブチルエチルベンゼンの損失
が大きいだけでなく、生成物分布が非常に複雑になって
蒸留等によるp−イソブチルスチレンおよびp−イソブ
チルエチルベンゼンなどの分離が困難になるので好まし
くない。また、反応温度がこの範囲より低いと、p−イ
ソブチルスチレンの選択率は高いが反応速度が著しく低
下して経済性が悪くなるのでこれも好ましくない。
に応じて400〜700℃、好ましくは450〜650℃の範囲内で
選択することができる。反応温度がこの範囲より高くな
ると、p−イソブチルスチレン生成反応との競争反応の
みならず、生成したp−イソブチルスチレンがさらに脱
水素されたりあるいは分解されるといった副反応が急激
に多くなり、p−イソブチルスチレンの選択率が著しく
低下する。これはp−イソブチルエチルベンゼンの損失
が大きいだけでなく、生成物分布が非常に複雑になって
蒸留等によるp−イソブチルスチレンおよびp−イソブ
チルエチルベンゼンなどの分離が困難になるので好まし
くない。また、反応温度がこの範囲より低いと、p−イ
ソブチルスチレンの選択率は高いが反応速度が著しく低
下して経済性が悪くなるのでこれも好ましくない。
脱水素反応によって生成するオレフィンは重合性である
ため、反応層中でのオレフィン濃度が高い状態を高温で
続けると、せっかく生成したp−イソブチルスチレンの
一部が重合して損失となる。これを避けるためには、非
還元性ガス、例えば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴン
ガス、スチーム、酸素ガスなどを同伴させてオレフィン
濃度を希釈により下げることが有効である。ベンゼンな
どの脱水素されにくい溶媒で希釈することもできる。ま
た、脱水素の触媒活性を維持するために、反応層にスチ
ームを同伴して脱水素を行うのもよい。スチームの量に
は、特に制限はない。
ため、反応層中でのオレフィン濃度が高い状態を高温で
続けると、せっかく生成したp−イソブチルスチレンの
一部が重合して損失となる。これを避けるためには、非
還元性ガス、例えば窒素ガス、ヘリウムガス、アルゴン
ガス、スチーム、酸素ガスなどを同伴させてオレフィン
濃度を希釈により下げることが有効である。ベンゼンな
どの脱水素されにくい溶媒で希釈することもできる。ま
た、脱水素の触媒活性を維持するために、反応層にスチ
ームを同伴して脱水素を行うのもよい。スチームの量に
は、特に制限はない。
脱水素工程(I)における反応形式は固定床、移動床、
流動床のいずれを用いても、本発明の目的を達成でき
る。
流動床のいずれを用いても、本発明の目的を達成でき
る。
反応圧力は、上記反応条件下で生成したp−イソブチル
スチレンが気化しうる範囲であれば特に制限はないが、
通常常圧ないし10kg/cm2以下が経済的である。
スチレンが気化しうる範囲であれば特に制限はないが、
通常常圧ないし10kg/cm2以下が経済的である。
本発明の脱水素工程(I)における原料p−イソブチル
エチルベンゼンと触媒の接触時間は、0.005〜20秒、好
ましくは0.01〜10秒の範囲で適宜選択できるが、更に好
ましくは0.05〜5秒の範囲で選択するのが適当である。
接触時間がこれより短いと、反応率が低くて好ましくな
い。また、接触時間がこれより長いと、生成したp−イ
ソブチルスチレンがさらに脱水素されるなどの副反応が
大きくなり、p−イソブチルスチレンの選択率が下がる
ので、これも好ましくない。反応形式、反応ガス組成、
触媒の組成、反応温度、あるいは原料ガスの予熱温度等
の種々の組合せの相違により、上記範囲内で適宜変化せ
しめることができる。
エチルベンゼンと触媒の接触時間は、0.005〜20秒、好
ましくは0.01〜10秒の範囲で適宜選択できるが、更に好
ましくは0.05〜5秒の範囲で選択するのが適当である。
接触時間がこれより短いと、反応率が低くて好ましくな
い。また、接触時間がこれより長いと、生成したp−イ
ソブチルスチレンがさらに脱水素されるなどの副反応が
大きくなり、p−イソブチルスチレンの選択率が下がる
ので、これも好ましくない。反応形式、反応ガス組成、
触媒の組成、反応温度、あるいは原料ガスの予熱温度等
の種々の組合せの相違により、上記範囲内で適宜変化せ
しめることができる。
さらに当然ながら、上記工程(I)を連続して行うこと
もでき、またバッチ式で行うこともできる。いずれにせ
よ本発明では、p−イソブチルエチルベンゼンを脱水素
して目的物のp−イソブチルスチレンに効率良く転化せ
しめることが肝要である。
もでき、またバッチ式で行うこともできる。いずれにせ
よ本発明では、p−イソブチルエチルベンゼンを脱水素
して目的物のp−イソブチルスチレンに効率良く転化せ
しめることが肝要である。
以上、反応条件およびそれぞれの因子の反応に及ぼす影
響について述べてきたが、本発明の条件でp−イソブチ
ルエチルベンゼンの脱水素を行うと、反応条件およびそ
れぞれの因子の反応に与える影響については、p−イソ
ブチルエチルベンゼンの転化率とp−イソブチルスチレ
ンの選択率との関係でまとめることができることが本発
明者等の研究から明らかになった。すなわち、前記反応
条件下で得られるp−イソブチルエチルベンゼンの任意
の転化率xに対して、p−イソブチルスチレンへの選択
率yは一次関数 y=ax+b (a、bは触媒固有の定数) の関係にある。図1に、後述の実施例で得られたp−イ
ソブチルエチルベンゼンの転化率とp−イソブチルスチ
レンの選択率の関係(以後、脱水素性能直線と呼ぶ)の
例を示す。例えば、前記反応条件内で、ある条件を設定
すれば、そのときの転化率に対応する脱水素性能直線上
の点は、実際に得られるp−イソブチルスチレンの選択
率を示している。従って、使用する脱水素触媒の性能直
線に応じて、望みの選択率に対応するp−イソブチルエ
チルベンゼンの転化率を与えるような反応条件を選べば
良い。例えば、銅−クロム系触媒の場合、本発明におい
ては、p−イソブチルエチルベンゼンの転化率を好まし
くは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下に保
つのが適当である。また、例えば、酸化鉄系触媒の場
合、本発明においては、p−イソブチルエチルベンゼン
の転化率を好ましくは70重量%以下、さらに好ましくは
50重量%以下に保つのが適当である。転化率がこれらの
範囲を越えると副生成物であるp−イソブテニルエチル
ベンゼン、p−イソブテニルスチレンのみならず、クラ
ッキング生成物も急激に多くなり好ましくない。転化率
がこれらの範囲内の場合、転化率が低ければ低いほど選
択率は高くなるが、p−イソブチルスチレンの生成率は
前記転化率と選択率の積であるから、あまり転化率を低
くとるのも、後に続く蒸留などによる未反応p−イソブ
チルエチルベンゼンの分離回収操作にかかる負担が大き
くなり好ましくない。経済的には5重量%以上の転化率
に保つのが適当であろう。
響について述べてきたが、本発明の条件でp−イソブチ
ルエチルベンゼンの脱水素を行うと、反応条件およびそ
れぞれの因子の反応に与える影響については、p−イソ
ブチルエチルベンゼンの転化率とp−イソブチルスチレ
ンの選択率との関係でまとめることができることが本発
明者等の研究から明らかになった。すなわち、前記反応
条件下で得られるp−イソブチルエチルベンゼンの任意
の転化率xに対して、p−イソブチルスチレンへの選択
率yは一次関数 y=ax+b (a、bは触媒固有の定数) の関係にある。図1に、後述の実施例で得られたp−イ
ソブチルエチルベンゼンの転化率とp−イソブチルスチ
レンの選択率の関係(以後、脱水素性能直線と呼ぶ)の
例を示す。例えば、前記反応条件内で、ある条件を設定
すれば、そのときの転化率に対応する脱水素性能直線上
の点は、実際に得られるp−イソブチルスチレンの選択
率を示している。従って、使用する脱水素触媒の性能直
線に応じて、望みの選択率に対応するp−イソブチルエ
チルベンゼンの転化率を与えるような反応条件を選べば
良い。例えば、銅−クロム系触媒の場合、本発明におい
ては、p−イソブチルエチルベンゼンの転化率を好まし
くは40重量%以下、さらに好ましくは30重量%以下に保
つのが適当である。また、例えば、酸化鉄系触媒の場
合、本発明においては、p−イソブチルエチルベンゼン
の転化率を好ましくは70重量%以下、さらに好ましくは
50重量%以下に保つのが適当である。転化率がこれらの
範囲を越えると副生成物であるp−イソブテニルエチル
ベンゼン、p−イソブテニルスチレンのみならず、クラ
ッキング生成物も急激に多くなり好ましくない。転化率
がこれらの範囲内の場合、転化率が低ければ低いほど選
択率は高くなるが、p−イソブチルスチレンの生成率は
前記転化率と選択率の積であるから、あまり転化率を低
くとるのも、後に続く蒸留などによる未反応p−イソブ
チルエチルベンゼンの分離回収操作にかかる負担が大き
くなり好ましくない。経済的には5重量%以上の転化率
に保つのが適当であろう。
本発明の工程(II)では、工程(I)の方法で得られた
p−イソブチルスチレンを、一酸化炭素と水素によるヒ
ドロフォルミル化によりp−イソブチルスチレンを貴金
属錯体触媒を用いてα−(4−イソブチルフェニル)プ
ロピオンアルデヒドへ変換する。
p−イソブチルスチレンを、一酸化炭素と水素によるヒ
ドロフォルミル化によりp−イソブチルスチレンを貴金
属錯体触媒を用いてα−(4−イソブチルフェニル)プ
ロピオンアルデヒドへ変換する。
上記のヒドロフォルミル化に使用される貴金属錯体触媒
としては、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニ
ウム等の貴金属錯体である。これらの貴金属は、酸価数
0〜最高位酸価数まで使用でき、ハロゲン原子、三価の
リン化合物、π−アリル基、アミン、ニトリル、オキシ
ム、オレフィンあるいはカルボニル錯化合物などとして
一酸化炭素、水素などを配位子として含有するものも有
効である。
としては、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニ
ウム等の貴金属錯体である。これらの貴金属は、酸価数
0〜最高位酸価数まで使用でき、ハロゲン原子、三価の
リン化合物、π−アリル基、アミン、ニトリル、オキシ
ム、オレフィンあるいはカルボニル錯化合物などとして
一酸化炭素、水素などを配位子として含有するものも有
効である。
触媒の具体例としては、ビストリフェニルホスフィンジ
クロロ錯体、ビストリブチルホスフィンジクロロ錯体、
ビストリシクロヘキシルホスフィンジクロロ錯体、π−
アリルトリフェニルホスフィンジクロロ錯体、トリフェ
ニルホスフィンピペリジンジクロロ錯体、ビスベンゾニ
トリルジクロロ錯体、ビスシクロヘキシルオキシムジク
ロロ錯体、1,5,9−シクロドデカトリエン−ジクロロ錯
体、ビストリフェニルホスフィンジカルボニル錯体、ビ
ストリフェニルホスフィンアセテート錯体、ビストリフ
ェニルホスフィンジナイトレート錯体、ビストリフェニ
ルホスフィンスルフェート錯体、テトラキストリフェニ
ルホスフィン錯体および一酸化炭素を配位子の一部に持
つ、クロロカルボニルビストリフェニルホスフィン錯
体、ヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィン
錯体、ビスクロロテトラカルボニル錯体、ジカルボニル
アセチルアセトナート錯体等を挙げることができる。
クロロ錯体、ビストリブチルホスフィンジクロロ錯体、
ビストリシクロヘキシルホスフィンジクロロ錯体、π−
アリルトリフェニルホスフィンジクロロ錯体、トリフェ
ニルホスフィンピペリジンジクロロ錯体、ビスベンゾニ
トリルジクロロ錯体、ビスシクロヘキシルオキシムジク
ロロ錯体、1,5,9−シクロドデカトリエン−ジクロロ錯
体、ビストリフェニルホスフィンジカルボニル錯体、ビ
ストリフェニルホスフィンアセテート錯体、ビストリフ
ェニルホスフィンジナイトレート錯体、ビストリフェニ
ルホスフィンスルフェート錯体、テトラキストリフェニ
ルホスフィン錯体および一酸化炭素を配位子の一部に持
つ、クロロカルボニルビストリフェニルホスフィン錯
体、ヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィン
錯体、ビスクロロテトラカルボニル錯体、ジカルボニル
アセチルアセトナート錯体等を挙げることができる。
触媒は、錯体として反応系に供給して使用することもで
き、また、配位子となる化合物を別個に反応系に供給
し、反応系内において錯体を生成させて使用することも
できる。すなわち、上記貴金属の酸化物、硫酸塩、塩化
物などに対して配位子となり得る化合物、すなわち、ホ
スフィン、ニトリル、アリル化合物、アミン、オキシ
ム、オレフィン、あるいは一酸化炭素、水素等を同時に
反応系に存在させる方法である。
き、また、配位子となる化合物を別個に反応系に供給
し、反応系内において錯体を生成させて使用することも
できる。すなわち、上記貴金属の酸化物、硫酸塩、塩化
物などに対して配位子となり得る化合物、すなわち、ホ
スフィン、ニトリル、アリル化合物、アミン、オキシ
ム、オレフィン、あるいは一酸化炭素、水素等を同時に
反応系に存在させる方法である。
ホスフィンとしては、例えばトリフェニルホスフィン、
トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリシ
クロヘキシルホスフィン、トリエチルホスフィン等、ニ
トリルとしては、例えばベンゾニトリル、アクリロニト
リル、プロピオニトリル、ベンジルニトリル等、アリル
化合物としては、例えばアリルクロライド、アリルアル
コール等、アミンとしては、例えばベンジルアミン、ピ
リジン、ピペラジン、トリ−n−ブチルアミン等、オキ
シムとしては、例えばシクロヘキシルオキシム、アセト
オキシム、ベンズアルドオキシム等、オレフィンとして
は、例えば1,5−シクロオクタジエン、1,5,9−シクロド
デカトリエン等が挙げられる。
トリトリルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリシ
クロヘキシルホスフィン、トリエチルホスフィン等、ニ
トリルとしては、例えばベンゾニトリル、アクリロニト
リル、プロピオニトリル、ベンジルニトリル等、アリル
化合物としては、例えばアリルクロライド、アリルアル
コール等、アミンとしては、例えばベンジルアミン、ピ
リジン、ピペラジン、トリ−n−ブチルアミン等、オキ
シムとしては、例えばシクロヘキシルオキシム、アセト
オキシム、ベンズアルドオキシム等、オレフィンとして
は、例えば1,5−シクロオクタジエン、1,5,9−シクロド
デカトリエン等が挙げられる。
錯体触媒、または錯体を作り得る化合物の使用量は、p
−イソブチルスチレン1モルに対して0.0001〜0.5モ
ル、好ましくは0.001〜0.1モルである。また、配位子と
なり得る化合物の添加量はパラジウム、ロジウム、イリ
ジウム、ルテニウムなどの錯体の核となり得る貴金属1
モルに対して0.8〜10モル、好ましくは1〜4モルであ
る。
−イソブチルスチレン1モルに対して0.0001〜0.5モ
ル、好ましくは0.001〜0.1モルである。また、配位子と
なり得る化合物の添加量はパラジウム、ロジウム、イリ
ジウム、ルテニウムなどの錯体の核となり得る貴金属1
モルに対して0.8〜10モル、好ましくは1〜4モルであ
る。
さらに、反応を促進する目的で塩化水素、三フッ化ホウ
素などの無機ハロゲン化物やヨウ化メチル等の有機ヨウ
化物等を添加しても良い。
素などの無機ハロゲン化物やヨウ化メチル等の有機ヨウ
化物等を添加しても良い。
これらハロゲン化物を添加する場合は、錯体触媒、また
は、錯体を作り得る化合物1モルに対し、ハロゲン原子
として0.1〜30倍モル、好ましくは1〜15倍モルを使用
する。添加量が0.1モル未満の場合、触媒の種類によっ
ても異なるが、添加の効果が見られないこともある。ま
た、30倍モルを越える時は、触媒活性がかえって低下す
るとともに、p−イソブチルスチレンの二重結合にハロ
ゲンが付着する等、目的の反応が抑制される。
は、錯体を作り得る化合物1モルに対し、ハロゲン原子
として0.1〜30倍モル、好ましくは1〜15倍モルを使用
する。添加量が0.1モル未満の場合、触媒の種類によっ
ても異なるが、添加の効果が見られないこともある。ま
た、30倍モルを越える時は、触媒活性がかえって低下す
るとともに、p−イソブチルスチレンの二重結合にハロ
ゲンが付着する等、目的の反応が抑制される。
ヒドロフォルミル化反応は、反応温度は40〜150℃、好
ましくは55〜110℃で行う。反応温度が40℃未満では、
反応速度が著しく遅くなり、実用上実施することができ
ない。また、150℃を越える温度では、重合、水素付加
等の副反応や錯体触媒の分解が生じ好ましくない。
ましくは55〜110℃で行う。反応温度が40℃未満では、
反応速度が著しく遅くなり、実用上実施することができ
ない。また、150℃を越える温度では、重合、水素付加
等の副反応や錯体触媒の分解が生じ好ましくない。
反応圧力は5kg/cm2以上あれば適宜選択できる。5kg/cm2
未満では実用上実施できないほど反応が遅くなる。ま
た、圧力は高いほど反応が速やかに進行し好ましいが、
高すぎる圧力は反応器の耐圧を非常に高くする必要がで
てくるなど、製造装置の点からおのずと限界がある。従
って、実用上は500kg/cm2以下の圧力で充分である。
未満では実用上実施できないほど反応が遅くなる。ま
た、圧力は高いほど反応が速やかに進行し好ましいが、
高すぎる圧力は反応器の耐圧を非常に高くする必要がで
てくるなど、製造装置の点からおのずと限界がある。従
って、実用上は500kg/cm2以下の圧力で充分である。
反応は一酸化炭素および水素の混合ガスの吸収が見られ
なくなるまで行えばよく、通常は4〜20時間の反応時間
で充分である。
なくなるまで行えばよく、通常は4〜20時間の反応時間
で充分である。
反応に必要な一酸化炭素と水素とは、あらかじめ混合さ
れた混合ガスの状態でも、各々別に反応器に供給しても
よい。反応系に供給する場合の一酸化炭素と水素とのモ
ル比は、適宜選択できる。すなわち、本発明の工程(I
I)であるカルボニル化反応では、一酸化炭素と水素と
は正確に1:1のモル比で吸収消費されていく。従って、
反応器の大きさ、反応の形式にもよるが、一酸化炭素対
水素のモル比は1:1で供給すれば最も効率的である。
れた混合ガスの状態でも、各々別に反応器に供給しても
よい。反応系に供給する場合の一酸化炭素と水素とのモ
ル比は、適宜選択できる。すなわち、本発明の工程(I
I)であるカルボニル化反応では、一酸化炭素と水素と
は正確に1:1のモル比で吸収消費されていく。従って、
反応器の大きさ、反応の形式にもよるが、一酸化炭素対
水素のモル比は1:1で供給すれば最も効率的である。
本発明のカルボニル比において、カルボニル化に不活性
な触媒を反応熱除去等の目的で用いることもできる。カ
ルボニル化に不活性な溶媒としては、エーテル、ケト
ン、アルコール等の極性溶媒や、パラフィン、シクロパ
ラフィン、芳香族炭化水素のような無極性溶媒が挙げら
れる。しかし、一般には無溶媒の状態で充分好ましい結
果が得られる。
な触媒を反応熱除去等の目的で用いることもできる。カ
ルボニル化に不活性な溶媒としては、エーテル、ケト
ン、アルコール等の極性溶媒や、パラフィン、シクロパ
ラフィン、芳香族炭化水素のような無極性溶媒が挙げら
れる。しかし、一般には無溶媒の状態で充分好ましい結
果が得られる。
ヒドロフォルミル化反応において、p−イソブチルスチ
レンを一酸化炭素と水素の存在下で反応させるとα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドが得
られる。
レンを一酸化炭素と水素の存在下で反応させるとα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドが得
られる。
ヒドロフォルミル化反応の終了後、反応物は好ましくは
減圧下で蒸留分離すれば、容易に目的化合物であるα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドと触
媒とに分離することができる。回収された錯体触媒は再
度使用することができる。
減圧下で蒸留分離すれば、容易に目的化合物であるα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドと触
媒とに分離することができる。回収された錯体触媒は再
度使用することができる。
本発明によって得られるα−(4−イソブチルフェニ
ル)プロピオンアルデヒドは、常法によりこれを酸化す
ることにより、容易にα(4−イソブチルフェニル)プ
ロピオン酸が得られる。
ル)プロピオンアルデヒドは、常法によりこれを酸化す
ることにより、容易にα(4−イソブチルフェニル)プ
ロピオン酸が得られる。
本発明の工程(I)の方法で得られる脱水素反応液は、
蒸留などによりp−イソブチルスチレンを分離して、あ
るいは反応液をそのまま、工程(II)の原料として供す
ることができる。特に、工程(II)の原料として工程
(I)の反応液をそのまま用いる場合、反応液中に含ま
れる不純物であるp−イソブテニルエチルベンゼンおよ
びp−イソブテニルスチレンなどはヒドロフォルミル化
の反応に対して活性であるが、本発明の方法によれば、
これらの不純物のイソブテニル基に対する活性がエテニ
ル基に比べて驚くほど抑制されることがわかった。すな
わち、p−イソブテニルエチルベンゼンは上記反応条件
下ではほとんど反応せず、p−イソブテニルスチレンに
ついては、そのエテニル基のみヒドロフォルミル化さ
れ、イソブテニル基の方はほとんど変化されない。従っ
てこの場合、工程(II)の後、反応液を水素添加して蒸
留などにより精製すれば、上記不純物はそれぞれ工程
(I)の原料となるp−イソブチルエチルベンゼンおよ
び目的生成物のα−(4−イソブチルフェニル)プロピ
オンアルデヒドとして回収できる。このことは本発明の
方法をさらに経済的な方法とする上で非常に重要なこと
である。
蒸留などによりp−イソブチルスチレンを分離して、あ
るいは反応液をそのまま、工程(II)の原料として供す
ることができる。特に、工程(II)の原料として工程
(I)の反応液をそのまま用いる場合、反応液中に含ま
れる不純物であるp−イソブテニルエチルベンゼンおよ
びp−イソブテニルスチレンなどはヒドロフォルミル化
の反応に対して活性であるが、本発明の方法によれば、
これらの不純物のイソブテニル基に対する活性がエテニ
ル基に比べて驚くほど抑制されることがわかった。すな
わち、p−イソブテニルエチルベンゼンは上記反応条件
下ではほとんど反応せず、p−イソブテニルスチレンに
ついては、そのエテニル基のみヒドロフォルミル化さ
れ、イソブテニル基の方はほとんど変化されない。従っ
てこの場合、工程(II)の後、反応液を水素添加して蒸
留などにより精製すれば、上記不純物はそれぞれ工程
(I)の原料となるp−イソブチルエチルベンゼンおよ
び目的生成物のα−(4−イソブチルフェニル)プロピ
オンアルデヒドとして回収できる。このことは本発明の
方法をさらに経済的な方法とする上で非常に重要なこと
である。
[発明の効果] 本発明の方法は、p−イソブチルエチルベンゼンのエチ
ル基を選択的に脱水素してこれを効率よくp−イソブチ
ルスチレンに転化せしめ、かつこのp−イソブチルスチ
レンをヒドロフォルミル化することによって、工業的か
つ経済的な実施を可能にしたものである。
ル基を選択的に脱水素してこれを効率よくp−イソブチ
ルスチレンに転化せしめ、かつこのp−イソブチルスチ
レンをヒドロフォルミル化することによって、工業的か
つ経済的な実施を可能にしたものである。
本発明の工程(I)の条件でp−イソブチルエチルベン
ゼンの脱水素を行うと、高い選択率でp−イソブチルス
チレンを製造できる。従って前述したように、本発明の
方法で得られた脱水素反応液を、例えば水層と分液、乾
燥後、蒸留などといった二〜三の簡単な単位操作だけ
で、高純度のp−イソブチルスチレンおよび未反応のp
−イソブチルエチルベンゼンが得られる。またこの未反
応p−イソブチルエチルベンゼンは、回収して再び脱水
素の原料とすることができ、副生成物であるp−イソブ
テニルエチルベンゼンおよび/またはp−イソブテニル
スチレンは、水素添加してp−イソブチルエチルベンゼ
ンとして再び脱水素原料とすることもできる。また、前
述のように工程(I)の反応液をそのまま工程(II)の
原料として用いることもできる。
ゼンの脱水素を行うと、高い選択率でp−イソブチルス
チレンを製造できる。従って前述したように、本発明の
方法で得られた脱水素反応液を、例えば水層と分液、乾
燥後、蒸留などといった二〜三の簡単な単位操作だけ
で、高純度のp−イソブチルスチレンおよび未反応のp
−イソブチルエチルベンゼンが得られる。またこの未反
応p−イソブチルエチルベンゼンは、回収して再び脱水
素の原料とすることができ、副生成物であるp−イソブ
テニルエチルベンゼンおよび/またはp−イソブテニル
スチレンは、水素添加してp−イソブチルエチルベンゼ
ンとして再び脱水素原料とすることもできる。また、前
述のように工程(I)の反応液をそのまま工程(II)の
原料として用いることもできる。
本発明の方法では、イソブチル基の骨格異性化反応は実
質上起こっておらず、p−イソブチルスチレンの重合反
応も少ない。このことは経済的観点、すなわち本発明の
方法を安価にかつ経済的なものとするために重要なこと
である。このような経済上大変有利な効果を実現し得た
のは、脱水素される可能性のあるイソブチル基とエチル
基を同時に持っているp−イソブチルエチルベンゼン
の、エチル基のみを高い選択率で脱水素し効率的にp−
イソブチルスチレンと成す技術を確立し、さらにこのp
−イソブチルスチレンを有効にα−(4−イソブチルフ
ェニル)プロピオンアルデヒドに変換する方法を確立し
得たからである。
質上起こっておらず、p−イソブチルスチレンの重合反
応も少ない。このことは経済的観点、すなわち本発明の
方法を安価にかつ経済的なものとするために重要なこと
である。このような経済上大変有利な効果を実現し得た
のは、脱水素される可能性のあるイソブチル基とエチル
基を同時に持っているp−イソブチルエチルベンゼン
の、エチル基のみを高い選択率で脱水素し効率的にp−
イソブチルスチレンと成す技術を確立し、さらにこのp
−イソブチルスチレンを有効にα−(4−イソブチルフ
ェニル)プロピオンアルデヒドに変換する方法を確立し
得たからである。
以下、実施例により本発明を詳述する。
[実施例] 以下の実施例に示すように、脱水素工程(I)およびヒ
ドロフォルミル化工程(II)を行った。
ドロフォルミル化工程(II)を行った。
実施例No.1:p−イソブチルエチルベンゼンの脱水素 〔工程(I)〕 カリウムおよびクロムを助触媒とする酸化鉄系の脱水素
触媒(日産ガードラー(株)製、商品名:G−64A)を粒
径1mm〜2mmに調整し、内径12mm、長さ1mのステンレス管
に20ml充填した。
触媒(日産ガードラー(株)製、商品名:G−64A)を粒
径1mm〜2mmに調整し、内径12mm、長さ1mのステンレス管
に20ml充填した。
p−イソブチルエチルベンゼンを10ml/hr、および水90m
l/hrを、予熱管を経て、温度550℃で触媒層に通し脱水
素させた(触媒との接触時間0.2秒、p−イソブチルエ
チルベンゼンに対するスチームのモル比93)。脱水素物
は冷却し、気液を分離したのち、有機相についてガスク
ロマトグラフィーによりp−イソブチルエチルベンゼン
の転化率およびp−イソブチルスチレンの選択率を確認
した。
l/hrを、予熱管を経て、温度550℃で触媒層に通し脱水
素させた(触媒との接触時間0.2秒、p−イソブチルエ
チルベンゼンに対するスチームのモル比93)。脱水素物
は冷却し、気液を分離したのち、有機相についてガスク
ロマトグラフィーによりp−イソブチルエチルベンゼン
の転化率およびp−イソブチルスチレンの選択率を確認
した。
脱水素物の有機相は、主としてp−イソブチルエチルベ
ンゼン(以下、PBEと称することがある)、p−イソブ
チルスチレン(以下、PBSと称することがある)、p−
イソブテニルエチルベンゼン(以下、EDSと称すること
がある)、およびp−イソブテニルスチレン(以下、VD
Sと称することがある)から成り、その組成は、表1の
ようであった。表1 成分名 含有率(重量%) PBE 69.3wt% PBS 24.7wt% EDS 2.2wt% VDS 3.0wt% 不明分 0.8wt% これから、p−イソブチルエチルベンゼンの転化率は31
%、p−イソブチルスチレンの選択率は83%であること
がわかり、高い選択率でPBSに脱水素されていることが
確認できた。
ンゼン(以下、PBEと称することがある)、p−イソブ
チルスチレン(以下、PBSと称することがある)、p−
イソブテニルエチルベンゼン(以下、EDSと称すること
がある)、およびp−イソブテニルスチレン(以下、VD
Sと称することがある)から成り、その組成は、表1の
ようであった。表1 成分名 含有率(重量%) PBE 69.3wt% PBS 24.7wt% EDS 2.2wt% VDS 3.0wt% 不明分 0.8wt% これから、p−イソブチルエチルベンゼンの転化率は31
%、p−イソブチルスチレンの選択率は83%であること
がわかり、高い選択率でPBSに脱水素されていることが
確認できた。
脱水素物の各成分を分離し、Mass、IR、NMRで確認した
ところ、p−イソブチルエチルベンゼンについては原料
に用いたものと全く同一であり、sec−ブチルベンゼン
やtert−ブチルベンゼンの生成は認められず、イソブチ
ル基の異性化等の副反応は生じていないことを確認でき
た。またp−イソブチルスチレンについても、ブチル基
はイソブチル基であり、その置換位置はp−位であっ
た。
ところ、p−イソブチルエチルベンゼンについては原料
に用いたものと全く同一であり、sec−ブチルベンゼン
やtert−ブチルベンゼンの生成は認められず、イソブチ
ル基の異性化等の副反応は生じていないことを確認でき
た。またp−イソブチルスチレンについても、ブチル基
はイソブチル基であり、その置換位置はp−位であっ
た。
実施例No.2〜5 実施例No.1に準じて、反応温度を変えて脱水素反応を行
った。得られた結果を実施例No.1の結果と一緒に表2に
示した。
った。得られた結果を実施例No.1の結果と一緒に表2に
示した。
実施例No.6〜10 実施例No.1に準じて、接触時間を変えて脱水素反応を行
った。得られた結果を表3に示した。
った。得られた結果を表3に示した。
実施例No.11〜15 CuO 43重量%、Cr203 42重量%、SiO2 15重量%からな
る銅−クロム系の脱水素触媒を使用して、実施例No.1に
準じて、反応温度を変えて脱水素反応を行った。得られ
た結果を表4に示した。
る銅−クロム系の脱水素触媒を使用して、実施例No.1に
準じて、反応温度を変えて脱水素反応を行った。得られ
た結果を表4に示した。
実施例No.16〜20 Cr203 18重量%、CuO 39重量%、ZnO 38重量%からなる
銅−クロム系脱水素触媒を使用して、実施例No.1に準じ
て脱水素反応を行った。得られた結果を表5に示した。
銅−クロム系脱水素触媒を使用して、実施例No.1に準じ
て脱水素反応を行った。得られた結果を表5に示した。
実施例No.21:ヒドロフォルミル化〔工程(II)〕 実施例No.1で得られた脱水素反応液を蒸留により精製し
て得られた純度97.8重量%のp−イソブチルスチレン30
g、ロジウムヒドリドカルボニルトリストリフェニルホ
スフィン0.3gを内容積100mlの攪拌器付きオートクレー
ブに入れ、攪拌しながら60℃に加熱し、水素と一酸化炭
素との等モル混合ガスにより50kg/cm2まで加圧した後、
反応によって一酸化炭素の吸収が無くなるまで反応を続
けた。
て得られた純度97.8重量%のp−イソブチルスチレン30
g、ロジウムヒドリドカルボニルトリストリフェニルホ
スフィン0.3gを内容積100mlの攪拌器付きオートクレー
ブに入れ、攪拌しながら60℃に加熱し、水素と一酸化炭
素との等モル混合ガスにより50kg/cm2まで加圧した後、
反応によって一酸化炭素の吸収が無くなるまで反応を続
けた。
反応終了後室温まで冷却して反応液を回収し、減圧単蒸
留器に移して、留出温度範囲60〜90℃/2mmHgの粗α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド留分
34gを得た。その組成は次の通りであった。粗α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒ
ド p−イソブチルエチルベンゼン 0.3重量% p−イソブチルスチレン 0.1重量% α−(4−イソブチルフェニル) プロピオンアルデヒド 89.9重量% β−(4−イソブチルフェニル) プロピオンアルデヒド 9.7重量% この粗α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアル
デヒド留分を再度減圧蒸留を行って、沸点範囲70〜76℃
/3mmHgであるα−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒド27gを得た。このα−(4−イソブチルフ
ェニル)プロピオンアルデヒドの純度は99.6重量%であ
った。また、IR分析などにより標品と比較し、その構造
を確認した。
留器に移して、留出温度範囲60〜90℃/2mmHgの粗α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド留分
34gを得た。その組成は次の通りであった。粗α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒ
ド p−イソブチルエチルベンゼン 0.3重量% p−イソブチルスチレン 0.1重量% α−(4−イソブチルフェニル) プロピオンアルデヒド 89.9重量% β−(4−イソブチルフェニル) プロピオンアルデヒド 9.7重量% この粗α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアル
デヒド留分を再度減圧蒸留を行って、沸点範囲70〜76℃
/3mmHgであるα−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒド27gを得た。このα−(4−イソブチルフ
ェニル)プロピオンアルデヒドの純度は99.6重量%であ
った。また、IR分析などにより標品と比較し、その構造
を確認した。
実施例No.22 ロジウムヒドリドカルボニルトリストリフェニルホスフ
ィンの代わりに、酸化ロジウム0.1gとトリフェニルホス
フィン0.6gとを用いて、実施例No.21と同様にして実施
した。その結果p−イソブチルエチルベンゼン0.3重量
%、p−イソブチルスチレン0.1重量%、α−(4−イ
ソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド83.5重量%、
およびβ−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアル
デヒド16.1重量%の粗α−(4−イソブチルフェニル)
プロピオンアルデヒド留分31gを得た。
ィンの代わりに、酸化ロジウム0.1gとトリフェニルホス
フィン0.6gとを用いて、実施例No.21と同様にして実施
した。その結果p−イソブチルエチルベンゼン0.3重量
%、p−イソブチルスチレン0.1重量%、α−(4−イ
ソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド83.5重量%、
およびβ−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアル
デヒド16.1重量%の粗α−(4−イソブチルフェニル)
プロピオンアルデヒド留分31gを得た。
実施例No.23 実施例No.1で得られた脱水素反応液121.5g、ロジウムヒ
ドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィン0.3gを
内容積200mlの攪拌器付きオートクレーブに入れ、実施
例No.21と同様にして実施した。その結果p−イソブチ
ルエチルベンゼン0.2重量%、p−イソブチルスチレン
0.1重量%、α−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒド85.7重量%、およびβ−(4−イソブチル
フェニル)プロピオンアルデヒド14.0重量%の粗α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド留分
29gを得た。
ドリドカルボニルトリストリフェニルホスフィン0.3gを
内容積200mlの攪拌器付きオートクレーブに入れ、実施
例No.21と同様にして実施した。その結果p−イソブチ
ルエチルベンゼン0.2重量%、p−イソブチルスチレン
0.1重量%、α−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒド85.7重量%、およびβ−(4−イソブチル
フェニル)プロピオンアルデヒド14.0重量%の粗α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド留分
29gを得た。
実施例No.24:α−(4−イソブチルフェニル)プロピオ
ンアルデヒドの酸化によるイブプロフェンの製造 実施例21で得られた沸点範囲70〜76℃/3mmHgであるα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド25グ
ラムを容量が200ミリリットルの攪はん機付フラスコに
入れ、濃塩酸1グラム及び溶媒としてアセトン40ミリリ
ットルをいれ、温度を−15℃まで冷却した。次に温度を
−12℃から−16℃に保ちながら10%次亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液36グラムを徐々に滴加した。滴加終了後更に1
時間攪はん反応させた。反応終了後5%苛性ソーダ水溶
液を加え中和し、PH8.5に調製した。混合物を静置分離
させ下層の水相をノルマルヘキサンで洗浄した。
ンアルデヒドの酸化によるイブプロフェンの製造 実施例21で得られた沸点範囲70〜76℃/3mmHgであるα−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒド25グ
ラムを容量が200ミリリットルの攪はん機付フラスコに
入れ、濃塩酸1グラム及び溶媒としてアセトン40ミリリ
ットルをいれ、温度を−15℃まで冷却した。次に温度を
−12℃から−16℃に保ちながら10%次亜塩素酸ナトリウ
ム水溶液36グラムを徐々に滴加した。滴加終了後更に1
時間攪はん反応させた。反応終了後5%苛性ソーダ水溶
液を加え中和し、PH8.5に調製した。混合物を静置分離
させ下層の水相をノルマルヘキサンで洗浄した。
水相に5%塩酸を加えPHを2に調製し、分離した油分を
ノルマルヘキサンで抽出し水洗した。ノルマルヘキサン
を減圧で蒸発分離し、淡黄色の粗イブプロフェン結晶2
6.7グラムを得た。
ノルマルヘキサンで抽出し水洗した。ノルマルヘキサン
を減圧で蒸発分離し、淡黄色の粗イブプロフェン結晶2
6.7グラムを得た。
粗イブプロフェンをノルマルヘキサン溶媒で再結晶させ
白色の精製イブプロフェン(融点75−76)結晶を22.4グ
ラムを得た。スペクトルなどは標品と一致した。
白色の精製イブプロフェン(融点75−76)結晶を22.4グ
ラムを得た。スペクトルなどは標品と一致した。
比較例No.1 実施例No.1に準じて、p−sec−ブチルエチルベンゼン
(純度97.5重量%)の脱水素反応を行った。結果は表6
の通りであった。
(純度97.5重量%)の脱水素反応を行った。結果は表6
の通りであった。
図は脱水素反応におけるp−イソブチルエチルベンゼン
の転化率とp−イソブチルスチレンの選択率の関係を示
す。図において実線は本発明の実施例No.1〜10を示す。
の転化率とp−イソブチルスチレンの選択率の関係を示
す。図において実線は本発明の実施例No.1〜10を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07B 61/00 300
Claims (3)
- 【請求項1】次の工程(I)および工程(II)からなる
ことを特徴とするα−(4−イソブチルフェニル)プロ
ピオンアルデヒドの製造方法。 工程(I):p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程。 工程(II):前記工程(I)で得られたp−イソブチル
スチレンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、
一酸化炭素および水素と反応させることにより、α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製
造する工程。 - 【請求項2】次の工程(I)、工程(II)および工程
(III)からなることを特徴とするα−(4−イソブチ
ルフェニル)プロピオン酸の製造方法。 工程(I):p−イソブチルエチルベンゼンを気相で脱水
素触媒の存在下に脱水素させ、p−イソブチルスチレン
を製造する工程。 工程(II):前記工程(I)で得られたp−イソブチル
スチレンを、遷移金属錯体カルボニル化触媒の存在下、
一酸化炭素および水素と反応させることにより、α−
(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを製
造する工程。 工程(III):前記工程(II)で得られたα−(4−イ
ソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドを酸化するこ
とにより、α−(4−イソブチルフェニル)プロピオン
酸を製造する工程。 - 【請求項3】前記脱水素触媒が鉄、銅、クロームから選
ばれる少なくとも1種の金属を含む触媒である請求項1
または請求項2記載のα−(4−イソブチルフェニル)
プロピオンアルデヒドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156336A JPH0798767B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156336A JPH0798767B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH026424A JPH026424A (ja) | 1990-01-10 |
| JPH0798767B2 true JPH0798767B2 (ja) | 1995-10-25 |
Family
ID=15625547
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156336A Expired - Lifetime JPH0798767B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | α−(4−イソブチルフェニル)プロピオンアルデヒドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798767B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9361312B2 (en) | 2003-03-27 | 2016-06-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | System and method for filtering and organizing items based on metadata |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19730783A1 (de) | 1997-07-18 | 1999-01-21 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Hydroformylierung mit unmodifizierten Rhodiumkatalysatoren in überkritischem Kohlendioxid |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63156336A patent/JPH0798767B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9361312B2 (en) | 2003-03-27 | 2016-06-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | System and method for filtering and organizing items based on metadata |
| US9361313B2 (en) | 2003-03-27 | 2016-06-07 | Microsoft Technology Licensing, Llc | System and method for filtering and organizing items based on common elements |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH026424A (ja) | 1990-01-10 |
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