JPH0798815A - 磁気ヘッド - Google Patents
磁気ヘッドInfo
- Publication number
- JPH0798815A JPH0798815A JP24317093A JP24317093A JPH0798815A JP H0798815 A JPH0798815 A JP H0798815A JP 24317093 A JP24317093 A JP 24317093A JP 24317093 A JP24317093 A JP 24317093A JP H0798815 A JPH0798815 A JP H0798815A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gap
- magnetic
- magnetic head
- ion beam
- winding hole
- Prior art date
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- Pending
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気ギャップのギャップ深さを正確に規制す
ることが可能である磁気ヘッドを提供する。 【構成】 第１、第２コア半体１ａ、１ｂのギャップ形
成面同士をギャップスペーサを介して突き合わせ、該ギ
ャップスペーサにより磁気ギャップ８を形成してなる磁
気ヘッドにおいて、前記一対のコア半体１ａ、１ｂの少
なくとも一方のギャップ形成面側に巻線孔６を形成し、
該巻線孔６の上部に連続してイオンビーム加工溝１０を
形成し、該イオンビーム加工溝１０の上端１０ａにより
上記磁気ギャップ８の下端を規制することを特徴とす
る。
ることが可能である磁気ヘッドを提供する。 【構成】 第１、第２コア半体１ａ、１ｂのギャップ形
成面同士をギャップスペーサを介して突き合わせ、該ギ
ャップスペーサにより磁気ギャップ８を形成してなる磁
気ヘッドにおいて、前記一対のコア半体１ａ、１ｂの少
なくとも一方のギャップ形成面側に巻線孔６を形成し、
該巻線孔６の上部に連続してイオンビーム加工溝１０を
形成し、該イオンビーム加工溝１０の上端１０ａにより
上記磁気ギャップ８の下端を規制することを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＶＴＲや磁気ディスク装
置等の磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドに関する。
置等の磁気記録装置に用いられる磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高品位ＶＴＲデジタルＶＴＲ等の
広帯域の信号を扱う磁気記録装置に用いられる磁気ヘッ
ドとしては、例えば特開昭６２−１１９７０９号公報に
開示されているような積層コア型磁気ヘッドが提案され
ている。
広帯域の信号を扱う磁気記録装置に用いられる磁気ヘッ
ドとしては、例えば特開昭６２−１１９７０９号公報に
開示されているような積層コア型磁気ヘッドが提案され
ている。
【０００３】図９は上記従来の積層コア型磁気ヘッドの
外観を示す斜視図である。
外観を示す斜視図である。
【０００４】図中、１ａ、１ｂは第１、第２コア半体で
あり、該第１、第２コア半体１ａ、１ｂは夫々、結晶化
ガラス、非磁性セラミックス等よりなる第１の非磁性基
板２１、２１上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金またはＣｏを
主成分とするアモルファス合金等の軟磁性合金よりなる
強磁性金属膜４とＳｉＯ2等の絶縁膜５との積層膜３、
３（磁性を有する膜）を成膜形成し、さらにその上に第
２の非磁性基板２２、２２を封着ガラスにより接合固定
してなる。前記第２コア半体１ｂにはガラス充填溝６１
及び巻線溝６２よりなる巻線孔６が形成されている。前
記第１、第２コア半体１ａ、１ｂは上記積層膜３、３の
端面が露出しているギャップ形成側の面同士が突き合わ
された状態で上記巻線孔６の上端に充填されたガラス７
によりギャップ接合されており、該接合面にはＳｉＯ2
等を介在させてなる磁気ギャップ８が形成されている
前記磁気ギャップ８の下端、即ちギャップ深さは上記巻
線孔６の上端６ａにより規制されている。
あり、該第１、第２コア半体１ａ、１ｂは夫々、結晶化
ガラス、非磁性セラミックス等よりなる第１の非磁性基
板２１、２１上にＦｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金またはＣｏを
主成分とするアモルファス合金等の軟磁性合金よりなる
強磁性金属膜４とＳｉＯ2等の絶縁膜５との積層膜３、
３（磁性を有する膜）を成膜形成し、さらにその上に第
２の非磁性基板２２、２２を封着ガラスにより接合固定
してなる。前記第２コア半体１ｂにはガラス充填溝６１
及び巻線溝６２よりなる巻線孔６が形成されている。前
記第１、第２コア半体１ａ、１ｂは上記積層膜３、３の
端面が露出しているギャップ形成側の面同士が突き合わ
された状態で上記巻線孔６の上端に充填されたガラス７
によりギャップ接合されており、該接合面にはＳｉＯ2
等を介在させてなる磁気ギャップ８が形成されている
前記磁気ギャップ８の下端、即ちギャップ深さは上記巻
線孔６の上端６ａにより規制されている。
【０００５】上述のような磁気ヘッドを製造する際にお
いて、ギャップ深さを規定する巻線孔６を形成する工程
は、図１０、図１１に示す通りである。
いて、ギャップ深さを規定する巻線孔６を形成する工程
は、図１０、図１１に示す通りである。
【０００６】先ず、図１０に示すように、第１コア半体
となるコアブロック半体９ａのギャップ形成側の面に巻
線孔の上部を構成するガラス充填溝６１を形成し、その
後、図１１に示すように、前記ガラス充填溝６１にガラ
ス７を充填した後、巻線孔の下部を構成する巻線溝６２
を形成する。以上の工程により巻線孔６が形成され、ガ
ラス充填溝６１の一端６１ａが巻線孔６の上端６ａとな
り、磁気ギャップ８のギャップ深さを規制する。尚、図
中、２は非磁性基板である。
となるコアブロック半体９ａのギャップ形成側の面に巻
線孔の上部を構成するガラス充填溝６１を形成し、その
後、図１１に示すように、前記ガラス充填溝６１にガラ
ス７を充填した後、巻線孔の下部を構成する巻線溝６２
を形成する。以上の工程により巻線孔６が形成され、ガ
ラス充填溝６１の一端６１ａが巻線孔６の上端６ａとな
り、磁気ギャップ８のギャップ深さを規制する。尚、図
中、２は非磁性基板である。
【０００７】しかしながら、上述の図１０におけるガラ
ス充填溝６１の形成は、ダイシングソー等の切削加工に
より行われるため、図１２に示すように、ガラス充填溝
６１の上端６１ａが蛇行する場合が生じる。このため、
以上の工程により製造される磁気ヘッドは、磁気ギャッ
プ８のギャップ深さが所望の値より大きく外れるという
問題がある。
ス充填溝６１の形成は、ダイシングソー等の切削加工に
より行われるため、図１２に示すように、ガラス充填溝
６１の上端６１ａが蛇行する場合が生じる。このため、
以上の工程により製造される磁気ヘッドは、磁気ギャッ
プ８のギャップ深さが所望の値より大きく外れるという
問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来例の
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップのギャッ
プ深さの値を所望の値に近づけることが可能である構造
の磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
欠点に鑑み為されたものであり、磁気ギャップのギャッ
プ深さの値を所望の値に近づけることが可能である構造
の磁気ヘッドを提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、一対のコア半
体のギャップ形成面同士をギャップスペーサを介して突
き合わせ、該ギャップスペーサにより磁気ギャップを形
成してなる磁気ヘッドにおいて、前記一対のコア半体の
少なくとも一方のギャップ形成側の面に巻線孔を形成
し、該巻線孔の上部に連続してイオンビーム加工溝を形
成し、該イオンビーム加工溝の上端により上記磁気ギャ
ップの下端を規制することを特徴とする。
体のギャップ形成面同士をギャップスペーサを介して突
き合わせ、該ギャップスペーサにより磁気ギャップを形
成してなる磁気ヘッドにおいて、前記一対のコア半体の
少なくとも一方のギャップ形成側の面に巻線孔を形成
し、該巻線孔の上部に連続してイオンビーム加工溝を形
成し、該イオンビーム加工溝の上端により上記磁気ギャ
ップの下端を規制することを特徴とする。
【００１０】
【作用】上記構成によれば、イオンビーム加工溝の上端
は直線状に形成されるため、該上端が所望の位置から大
きく外れることは無くなる。
は直線状に形成されるため、該上端が所望の位置から大
きく外れることは無くなる。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照しつつ本発明の一実施例を
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１２】図１は本実施例の磁気ヘッドの外観を示す
斜視図であり、図９と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は割愛する。
斜視図であり、図９と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は割愛する。
【００１３】本実施例の磁気ヘッドでは、第１コア半体
１ａのギャップ形成側の面には、巻線孔６の上部に連結
してイオンビーム加工溝１０が形成されている。該イオ
ンビーム加工溝１０内には、上記巻線孔６の上部に充填
されているガラス７が連続して充填されている。前記イ
オンビーム加工溝１０はイオンビームエッチングにより
形成され、その上端１０ａは磁気ギャップ８の下端、即
ち磁気ギャップ８のギャップ深さを規制する。
１ａのギャップ形成側の面には、巻線孔６の上部に連結
してイオンビーム加工溝１０が形成されている。該イオ
ンビーム加工溝１０内には、上記巻線孔６の上部に充填
されているガラス７が連続して充填されている。前記イ
オンビーム加工溝１０はイオンビームエッチングにより
形成され、その上端１０ａは磁気ギャップ８の下端、即
ち磁気ギャップ８のギャップ深さを規制する。
【００１４】次に、本実施例の磁気ヘッドの製造方法の
うち、特に、イオンビーム加工溝の形成からギャップ接
合までの工程について詳細に説明する。
うち、特に、イオンビーム加工溝の形成からギャップ接
合までの工程について詳細に説明する。
【００１５】先ず、上述の上述の従来例と同様の工程に
より、図１１に示すように、一方のコアブロック半体９
ａに巻線孔６を形成する。図２はこの時の側面図であ
る。
より、図１１に示すように、一方のコアブロック半体９
ａに巻線孔６を形成する。図２はこの時の側面図であ
る。
【００１６】次に、図３の側面図に示すように、コアブ
ロック半体９ａのギャップ形成側の面、即ち上面にレジ
スト１１ａ、１１ｂを形成する。前記レジストはガラス
充填溝６１の上端６１ａから所定距離ａだけ離れて上方
側（媒体対向面となる側）に形成される部分１１ａと、
巻線溝６２の内面からバックギャップとなる面に形成さ
れる部分１１ｂとにより構成されている。
ロック半体９ａのギャップ形成側の面、即ち上面にレジ
スト１１ａ、１１ｂを形成する。前記レジストはガラス
充填溝６１の上端６１ａから所定距離ａだけ離れて上方
側（媒体対向面となる側）に形成される部分１１ａと、
巻線溝６２の内面からバックギャップとなる面に形成さ
れる部分１１ｂとにより構成されている。
【００１７】次に、図４の側面図に示すように、コアブ
ロック半体９ａの上面にイオンビームエッチングを施
し、上記レジスト１１ａ、１１ｂが形成されていない部
分、即ちガラス充填溝６１に充填されているガラス７の
上面から前記上端６１ａより所定距離ａだけ離れている
部分に亘ってイオンビーム加工溝１０を形成する。
ロック半体９ａの上面にイオンビームエッチングを施
し、上記レジスト１１ａ、１１ｂが形成されていない部
分、即ちガラス充填溝６１に充填されているガラス７の
上面から前記上端６１ａより所定距離ａだけ離れている
部分に亘ってイオンビーム加工溝１０を形成する。
【００１８】次に、図５の側面図に示すように、コアブ
ロック半体９ａの上面よりレジスト１１ａ、１１ｂを除
去し、ギャップ形成面１２を形成する。
ロック半体９ａの上面よりレジスト１１ａ、１１ｂを除
去し、ギャップ形成面１２を形成する。
【００１９】次に、前記ギャップ形成面１２上にギャッ
プ長に応じた厚みを有するＳｉ０2等よりなるギャップ
スペーサ（図示せず）を形成した後、図６に示すよう
に、コアブロック半体９ａを他方のコアブロック半体９
ｂのギャップ形成面に前記ギャップスペーサを介して突
き合わせる。
プ長に応じた厚みを有するＳｉ０2等よりなるギャップ
スペーサ（図示せず）を形成した後、図６に示すよう
に、コアブロック半体９ａを他方のコアブロック半体９
ｂのギャップ形成面に前記ギャップスペーサを介して突
き合わせる。
【００２０】次に、図７に示すように、前記一対のコア
ブロック半体９ａ、９ｂを突き合わせた状態でガラス充
填溝６１に充填されているガラス７を加熱溶融した後、
固化させることにより一対のコアブロック半体９ａ、９
ｂを接合固定して、コアブロック１３を形成する。この
時、前記ガラス７はイオンビーム加工溝１０内にも流入
し、上記接合固定に寄与している。
ブロック半体９ａ、９ｂを突き合わせた状態でガラス充
填溝６１に充填されているガラス７を加熱溶融した後、
固化させることにより一対のコアブロック半体９ａ、９
ｂを接合固定して、コアブロック１３を形成する。この
時、前記ガラス７はイオンビーム加工溝１０内にも流入
し、上記接合固定に寄与している。
【００２１】以後は、周知の如く、前記コアブロック１
３の媒体対向側の面にＲ付加工を行い、該コアブロック
１３をスライスしてヘッドチップ化することにより図１
に示す本実施例の磁気ヘッドが完成する。
３の媒体対向側の面にＲ付加工を行い、該コアブロック
１３をスライスしてヘッドチップ化することにより図１
に示す本実施例の磁気ヘッドが完成する。
【００２２】上述のような本実施例の磁気ヘッドでは、
イオンビーム加工溝１０がイオンビームエッチングによ
り形成されるため、図８に示すように、該イオンビーム
加工溝１０の上端１０ａは蛇行することなく、略直線と
なる。このため、前記イオンビーム加工溝１０の上端１
０ａはどのヘッドチップにおいても所望の位置に位置し
ており、該上端１０ａにより規定される磁気ギャップ８
の下端、即ち磁気ギャップ８のギャップ深さは、所望の
大きさとなる。
イオンビーム加工溝１０がイオンビームエッチングによ
り形成されるため、図８に示すように、該イオンビーム
加工溝１０の上端１０ａは蛇行することなく、略直線と
なる。このため、前記イオンビーム加工溝１０の上端１
０ａはどのヘッドチップにおいても所望の位置に位置し
ており、該上端１０ａにより規定される磁気ギャップ８
の下端、即ち磁気ギャップ８のギャップ深さは、所望の
大きさとなる。
【００２３】また、上述の製造方法では、図４の工程に
おいてイオンビーム加工溝１０を形成する際のイオンビ
ームエッチングによって、ガラス充填溝６１に充填され
ているガラス７は上部がエッチング除去され、純粋なガ
ラスとなるため、図７の工程において強固なギャップ接
合を行うことが出来る。
おいてイオンビーム加工溝１０を形成する際のイオンビ
ームエッチングによって、ガラス充填溝６１に充填され
ているガラス７は上部がエッチング除去され、純粋なガ
ラスとなるため、図７の工程において強固なギャップ接
合を行うことが出来る。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、磁気ギャップのギャッ
プ深さを正確に規制することが可能な構造の磁気ヘッド
を提供し得る。
プ深さを正確に規制することが可能な構造の磁気ヘッド
を提供し得る。
【図１】本発明の磁気ヘッドの外観を示す斜視図であ
る。
る。
【図２】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図５】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図６】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図７】本発明の磁気ヘッドの製造方法を示す側面図で
ある。
ある。
【図８】従来の磁気ヘッドのイオンビーム加工溝の直線
性を示す上面図である。
性を示す上面図である。
【図９】従来の磁気ヘッドの外観を示す斜視図である。
【図１０】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１１】従来の磁気ヘッドの製造方法を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１２】従来の磁気ヘッドのガラス充填溝の蛇行性を
示す上面図である。
示す上面図である。
１ａ 第１コア半体 １ｂ 第２コア半体 ６ 巻線孔 ８ 磁気ギャップ １０ イオンビーム加工溝 １０ａ 上端
Claims (1)
- 【請求項１】 一対のコア半体のギャップ形成面同士を
ギャップスペーサを介して突き合わせ、該ギャップスペ
ーサにより磁気ギャップを形成してなる磁気ヘッドにお
いて、前記一対のコア半体の少なくとも一方のギャップ
形成側の面に巻線孔を形成し、該巻線孔の上部に連続し
てイオンビーム加工溝を形成し、該イオンビーム加工溝
の上端により上記磁気ギャップの下端を規制することを
特徴とする磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24317093A JPH0798815A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24317093A JPH0798815A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0798815A true JPH0798815A (ja) | 1995-04-11 |
Family
ID=17099861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24317093A Pending JPH0798815A (ja) | 1993-09-29 | 1993-09-29 | 磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0798815A (ja) |
-
1993
- 1993-09-29 JP JP24317093A patent/JPH0798815A/ja active Pending
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