JPH08102164A - 浮上式磁気ヘッド - Google Patents
浮上式磁気ヘッドInfo
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
される浮上式磁気ヘッドにおいて、スライダと記録媒体
との静摩擦力を低減し、記録媒体の始動に必要な力を低
減させる。 【構成】 スライダ1の接触面5,5上に薄膜素子3を
保護する薄い保護膜14が形成され、その表面に保護膜
14と同じ材料の薄膜15が形成されている。薄膜15
の膜厚δを例えば10nm以上とすることにより、スラ
イダと記録媒体との間に液膜が張るのを防止でき、水膜
凝集による静摩擦力の増大を防止できる。また接触面5
に対する薄膜15の面積比を例えば80%以下とするこ
とにより、記録媒体との接触面積を狭くし、静摩擦力を
低減できる。その結果ディスクの起動トルクを低下させ
ることが可能になる。
Description
きに、記録媒体に接触する状態から浮上する姿勢となる
スライダを備えた浮上式磁気ヘッドに係り、スライダが
記録媒体に接触しているときの静摩擦力を低減させて、
記録媒体の始動に要する力を軽減できるようにした浮上
式磁気ヘッドに関する。
される浮上式磁気ヘッドを示したものであり、ディスク
との対向面を上向きにして示した斜視図である。図8に
示す浮上式磁気ヘッドHは、図示上面が、磁気記録媒体
であるハードディスクの記録面に向けられる。この浮上
式磁気ヘッドHでは、ディスクの移動方向Xに対して上
流側((イ)側)がリーディング側と呼ばれ、下流側
((ロ)側)がトレーリング側と呼ばれている。スライ
ダ1はセラミック材料などにより形成され、スライダ1
のトレーリング側(ロ)の端面2に薄膜素子3が取り付
けられる。この薄膜素子3には、磁気抵抗効果によりデ
ィスクの磁気記録信号を再生する磁気検出部(MR素子
部)と、コイルなどがパターン成形された記録部(イン
ダクティブ素子部)とを有している。
グルーブ7の両側にレール部4,4が形成され、このレ
ール部4,4の表面が、停止中のディスクに接触する接
触面(ABS面)5,5となっている。また接触面5,
5のリーディング側の端部には傾斜面6,6が形成され
ている。磁気ヘッドHのスライダ1は、ロードビームの
先端に固定されたフレキシャに支持され、スライダ1
は、板ばねにより形成されたロードビームの弾性力によ
り4g(グラム)程度の弱い力でディスクに付勢されて
いる。この磁気ヘッドHはいわゆるCSS(コンタクト
・スタート・ストップ)方式のハードディスク装置に使
用され、ディスクが停止しているときには、前記力によ
りスライダ1の接触面5,5がディスクの記録面に接触
する。ディスクが始動すると、ディスクの移動方向(X
方向)に沿ってスライダ1とディスク表面との間に空気
流が導かれ、スライダ1がディスク表面から短い距離だ
け浮上する。ディスクからのスライダ1の浮上量は、エ
アーグルーブ7の深さや接触面5,5の表面積などによ
り決められる。
レーリング側(ロ)よりもディスク上に高く持ち上がる
傾斜姿勢となる。この浮上姿勢にて、薄膜素子3の磁気
検出部によりディスクに記録された磁気信号が読み取ら
れ、あるいは磁気記録部により、ディスクに磁気信号が
記録される。CSS方式のハードディスク装置に設けら
れるディスク駆動用のモータでは、ディスクとスライダ
とが確実に摺動を開始できるだけの起動トルクが必要と
される。ディスクとスライダとの始動に必要なトルクが
高くなると、ハードディスク装置に大型のモータを使用
しなくてはならなくなり、機器の小型化を制限するとと
もに、消費電力が多くなるという問題が生じる。
ダ1の接触面5,5とディスク表面との静摩擦力に依存
する。ディスクの始動に必要な起動トルクを低下させる
ためにはこの静摩擦力を低下させることが必要になる。
上記静摩擦力を低下させるための従来の対策として、接
触面5,5を大きな曲率半径の曲面形状(クラウン形
状)とすることや、接触面5,5の表面に微細な凹凸加
工を施すことが実施されている。接触面5,5をクラウ
ン形状に加工し、または微細な凹凸とすることにより、
接触面5,5とディスクとの真実接触面積を低下させる
ことができる。
を所定の曲率半径にてクラウン形状に加工するのは、非
常に難しい研磨作業を必要とし、製造工程が繁雑になる
のみならず、接触面5,5を、一定の曲率半径となるよ
うに安定して加工することが難しく、量産に適さない。
また、接触面5,5を微細な凹凸面とすると、ディスク
始動時に接触面5,5がディスク表面を引っ掻くことに
なり、ディスク表面に傷が付きやすくなる。そこで、最
近では、図9に示すように、接触面5,5をエッチング
加工して、接触面5,5に、ある程度広い面積の突部5
aを形成し、これにより、ディスクDとの真実接触面積
を低下させることが考えられている。ところが、エッチ
ング加工は加工工程が繁雑であり、スライダ1の加工コ
ストが非常に高くなる。またエッチングにより突部5a
の段差の高さδが均一になるように加工するのは困難で
あり、製品ごとに前記高さδがばらつきやすい問題があ
る。
あるいはエッチングによる突部形成では、たしかにディ
スクとの接触面積を低減できる。しかしながら、ディス
クとスライダ1との静摩擦力は、接触面積だけで決めら
れるものではなく、ディスクの表面の潤滑剤や、ディス
ク表面に付着する水膜が大きな影響を与える。ハードデ
ィスクはその表面に数nm(ナノメータ)の厚さの潤滑
剤が塗布されており、また例えば使用環境での相対湿度
が50%程度となると、ディスク表面に数nmの厚さの
水滴が付着する。ディスクが停止しているときには、デ
ィスクとスライダ1との間に前記潤滑剤および水膜が介
在し、これによりスライダがディスクに対して吸着状態
となり、スライダ1とディスクとを摺動させる静摩擦力
が増大する問題がある。
に加工したものでは、接触面積を小さくできても、接触
面5,5とディスクとの間の前記潤滑剤および水膜によ
る液膜の介在を避けることができず、また接触面5,5
に微細な凹凸を形成した場合も、微細な凹部とディスク
との間に前記液膜が介在し、いずれの場合も静摩擦力を
大幅に低減させることは困難である。また、前記潤滑剤
および水膜による液膜の膜厚は最大で10nm程度にな
る。したがって、図9に示すようにエッチング加工によ
り接触面5,5にある程度広い面積の突部5aが形成さ
れたものでは、突部5aの突出段差の高さδが10nm
未満であると、接触面5,5とディスクDの表面との間
に、表面張力により液膜Aが張られる。この液膜Aの吸
着力により静摩擦力の増大を避けることができない。エ
ッチング加工により突部5aを形成する方法では、前記
段差の高さδを調整するのは困難であり、また、高さδ
を大きい値にすると、エッチングに要する時間が長くな
り、製造コストが高くなる。
リング側端部に、コイルが巻かれたコアが接合されたバ
ルクタイプのものが主であったが、最近では図8に示す
ように、トレーリング側端面2に薄膜素子3が設けられ
たものが多くなりつつある。この薄膜素子3を有するも
のでは、薄膜素子3の接触面5への露出部8に保護膜を
形成する必要がある。特に、薄膜素子3に磁気抵抗効果
を使用した磁気検出部(MR素子部)が設けられている
場合には、素子部に検出電流が与えられるため、電気的
な絶縁が可能な保護膜が形成されていないと、素子部の
電流がディスクにリークし、磁気検出が不能になるとい
う問題が生じる。
あるために、保護膜を前記露出部8の部分のみに成膜す
ることは困難であり、通常は露出部8と共に接触面5,
5全面に前記保護膜が形成される。この場合に、前記の
ように、接触面5,5に微細な凹凸を形成して接触面積
を低下させようとしても、微細な凹部内に前記保護膜が
入り込み、微細な凹凸を形成することによる静摩擦力の
低減効果を期待できなくなる。また図9に示すように、
ある程度広い面積の突部5aが形成されるものでは、突
部5aのエッチング加工後に前記保護膜が成膜されるこ
とになる。突部5aの表面と接触面5とに所定膜厚の保
護膜が形成されると、前記段差の高さδを一定値以上に
設定するのがさらに困難になる。
あり、比較的簡単な工程で、スライダの接触面に、記録
媒体との接触面積を低減できる薄膜を形成して、スライ
ダと記録媒体との静摩擦係数を低下させることを第1の
目的としている。
介在する液膜による吸着を防止し、この吸着による静摩
擦力の増大を防止できるようにすることを第2の目的と
している。
する保護膜を形成する場合に、保護膜により接触面の段
差の高さが変えられることを防ぎ、また保護膜とともに
突部を形成する薄膜を連続する工程で形成できるように
することを第3の目的としている。
動時に、記録媒体に接触する状態から記録媒体上に浮上
する姿勢となるスライダと、このスライダのトレーリン
グ側端部に設けられた磁気検出部とを有し、記録媒体が
停止したときに前記記録媒体に接触する前記スライダの
接触面に、部分的な薄膜が形成されていることを特徴と
するものである。本発明では、上記薄膜がスライダの接
触面からの突出部となる。また磁気検出部は、磁気抵抗
効果を利用した磁気検出部(MR素子部)や、磁気記録
用のインダクティブ素子部を有する薄膜素子であるが、
従来のコイルが巻かれたコアがスライダのトレーリング
側端部に設けられたバルクタイプの磁気ヘッドであって
も実施可能である。
との段差が10nm以上であることが好ましく、さらに
好ましくは15nm以上、さらに好ましくは17nmま
たは18nm以上である。
積の比が80%以下であることが好ましく、さらに好ま
しくは75%以下、または70%以下、あるいは60%
以下である。あるいは、50%以下が好ましい。
面ならびに前記薄膜素子を覆う保護膜が形成される場合
に、保護膜の表面に、保護膜と同じ材料により部分的な
薄膜を形成することが可能である。
に、この接触面の面積に対して所定の面積比にて薄膜が
形成され、記録媒体が停止しているときに、薄膜の表面
が記録媒体に接触するものとなる。記録媒体とスライダ
との接触面積は、薄膜の面積に等しくなり、よって記録
媒体とスライダとの接触面積が狭くなる。この接触面積
が小さくなることにより、記録媒体とスライダとの静摩
擦係数が低減される。薄膜が炭素を主体とした材料、例
えば水素添加炭素(C−H)などの硬質で且つ低摩擦係
数の材料により形成されることにより、記録媒体とスラ
イダとの静摩擦係数をさらに低減でき、また記録媒体と
の摺動によるスライダの接触面の摩耗も防止できる。
且つ硬質のものが好ましく、水素添加炭素以外の材料と
してはSiC、SiO2、Si3N4、Al2O3などが例
示できる。薄膜は、スライダの接触面にマスキングして
スパッタリングあるいは蒸着することにより形成でき、
比較的容易な方法で形成でき、また薄膜の面積および膜
厚などを制御しやすくなる。
は、潤滑剤とさらに湿度に基づく水膜が付着するが、例
えば相対湿度50%の環境下では、潤滑剤と水膜との合
計の厚さは数nmで10nm未満程度であるのが一般的
である。よって、スライダの接触面の表面と薄膜の表面
との段差の高さδが10nm未満であると、接触面と記
録媒体との間に液膜が介在し、その吸着力により、スラ
イダと記録媒体との静摩擦力が増大し、薄膜を形成する
ことによる効果が低減される。したがってスライダの接
触面の表面と薄膜の表面との段差の高さδは10nm以
上であることが好ましい。また実験の結果では、前記段
差の高さδを15nm以上とすると静摩擦力を6g未満
にできる。またδを17nm以上または18nm以上と
することにより、静摩擦力を5g以下にできる。記録媒
体であるディスクの起動トルクを考慮した場合に、静摩
擦力を5g以下とすることが最も好ましい。
記液膜による吸着を防止した状態で、スライダの接触面
の全面積に対する薄膜の表面積の比を、80%以下とす
ることにより、静摩擦力を6g未満にできる。さらに7
5%以下または70%以下とすることにより静摩擦力を
5g以下に低減できる。さらに60%以下とすることに
より、静摩擦力を4g以下にでき、50%以下とするこ
とにより静摩擦力を3g以下にできる。
力を5g以下にするためには、薄膜の膜厚を17nmま
たは17.5nmあるいは18nm以上とし、且つ接触
面に対する薄膜の面積比を75%または70%以下とす
ることが好ましい。さらに静摩擦力を4g以下に設定す
るためには、薄膜の膜厚を20nm以上とし、面積比を
60%以下とすることが好ましい。さらに静摩擦力を低
下させた最も好ましい例は、薄膜の面積比が33.3%
程度で、薄膜の高さが26nm程度である。
いるなどした薄膜素子を使用する場合には、この薄膜素
子の露出部を保護するために、この露出部ならびに、接
触面全面に保護膜が形成される。この保護膜が厚いもの
であると、薄膜素子の露出部と記録媒体とのスペーシン
グが大きくなるため、この膜厚は200または250オ
ングストローム以下の薄いものであることが好ましい。
この保護膜が形成される場合に、この保護膜と同じ材料
により、保護膜の上に薄膜が形成される。このように保
護膜と薄膜を同じ材料により形成することにより、同じ
ターゲットを用いたスパッタリングや蒸着により、保護
膜と薄膜とを連続的に成膜できることになる。
る。図1は、本発明の第1実施例の浮上式磁気ヘッドを
ディスク対向面を上向きにして示した斜視図、図2
(A)は側面図、図2(B)は平面図である。図1ない
し図2に示した浮上式磁気ヘッドH1のスライダ1は、
アルミナ・チタンカーバイト(Al2O3−TiC)など
のセラミック材料により形成されたものであり、記録媒
体であるハードディスクとの対向面にエアーグルーブ7
が形成され、その両側にレール部4,4が形成されて、
レール部4,4の表面が平面形状の接触面5,5となっ
ている。本発明では接触面5,5が平面であっても静摩
擦力を充分に低減できるが、この接触面5,5が所定曲
率半径の曲面形状(クラウン形状)であってもよい。ま
た接触面5,5のリーディング側(イ)の端部は傾斜面
6,6となっている。スライダ1のトレーリング側
(ロ)の端面2には、薄膜素子3が設けられている。薄
膜素子3は、ディスクに記録された磁気記録信号を再生
する磁気検出部、またはディスクに磁気信号を記録する
磁気記録部、あるいは磁気検出部と磁気記録部の双方を
含むものである。磁気検出部は、例えば磁気抵抗効果素
子(MR素子)により構成される。また磁気記録部は、
コイルとコアとがパターン形成されたインダクティブ素
子により構成される。
5,5の傾斜面6,6が形成されていない部分の中央
部、すなわちリーディング側(イ)とトレーリング側
(ロ)のほぼ中央部分に平面が矩形状の薄膜11,11
が形成されている。図2(A)では、接触面5,5の表
面と薄膜11,11の表面との段差の高さがδで示され
ている。薄膜11,11の材料は低摩擦係数で且つ硬質
のものが好ましく、例えば水素添加炭素(C−H)また
は、SiC、SiO2、Si3N4、Al2O3などにより
形成される。この薄膜11は、スライダ1の接触面5,
5に接着剤層を介して形成される。薄膜11,11がス
ライダ1に密着しやすい材料の場合には、接着剤層は不
要である。スライダ1の材料および薄膜11の材料は図
3から図5に示す各実施例において同じである。薄膜1
1,11は、スライダ1の接触面5,5にマスキングを
形成し、マスキング以外の部分にスパッタリングまたは
蒸着を行うことにより形成される。マスキングの寸法精
度により薄膜11,11の表面積を高精度に設定でき、
またスパッタリングや蒸着の時間を管理することによ
り、薄膜11,11の厚さδを制御できる。
磁気ヘッドH2の側面図、図3(B)はその平面図であ
る。この磁気ヘッドH2のスライダ1および薄膜素子3
は、図1に示すものと同じである。この磁気ヘッドH2
では、接触面5,5の傾斜面6,6が形成されていない
部分にて、リーディング側(イ)に所定面積の薄膜12
a,12aが形成され、トレーリング側(ロ)に薄膜1
2b,12bが形成されている。両薄膜素子12a,1
2bは同じ膜厚(段差の高さ)δである。
の接触面5,5への露出部8を覆っており、薄膜12b
が、薄膜素子3の露出部8を保護する保護膜として兼用
されている。薄膜素子3がインダクティブ素子を主体と
する場合には、薄膜12a,12bの材料として非磁性
材料を使用することが好ましい。また薄膜素子3に磁気
抵抗効果素子が含まれている場合には、磁気抵抗効果素
子に供給される検出電流がディスクにリークするのを防
止するために、薄膜12a,12bが電気的絶縁を発揮
できる材料により形成することが好ましい。あるいは、
インダクティブ素子の場合に、非磁性接着剤層を形成
し、または磁気抵抗効果素子の場合に、電気的絶縁がで
きる接着剤層を形成すれば、薄膜12a,12bの材料
が必ずしも非磁性材料や、電気的絶縁材料である必要は
ない。
式磁気ヘッドH3を示す側面図、図4(B)はその平面
図である。この磁気ヘッドH3のスライダ1および薄膜
素子3は、図1に示したものと同じである。この実施例
では、接触面5,5に、複数の薄膜13,13,13,
…が形成されている。この薄膜13は表面が円形であ
り、リーディング側(イ)からトレーリング(ロ)にか
けて接触面5,5に一定の間隔で一列に配列して形成さ
れている。
式磁気ヘッドH4を示す側面図、図5(B)はその平面
図である。この実施例では、トレーリング側(ロ)に形
成された薄膜素子3を覆う保護膜14が形成されてい
る。この保護膜14は、薄膜素子3の接触面5への露出
部8の部分および接触面5,5さらには傾斜面6,6の
全面に形成されている。そしてこの保護膜14,14の
表面に薄膜15,15が形成されている。図1と図2に
示した実施例と同様に、薄膜15,15は、接触面5,
5においてリーディング側(イ)とトレーリング側
(ロ)の中央部分に形成されている。図5の実施例で
は、保護膜14の表面から薄膜15の表面までの段差の
高さがδである。保護膜14と薄膜15は、同じ材料で
あり、前述のように、例えば水素添加炭素(C−H)ま
たは、SiC、SiO2、Si3N4、Al2O3などによ
り形成される。薄膜素子3がインダクティブ素子である
場合には保護膜により磁気的絶縁を行うことが必要であ
り、磁気抵抗効果素子を有する場合には、電気的絶縁が
必要である。よって保護膜14および薄膜15の材料と
しては非磁性材料または電気的絶縁材料を使用すること
が好ましい。ただし、保護膜の下地に接着剤層が形成さ
れる場合には、接着剤層が非磁性材料または電気的絶縁
材料であればよい。
δよりも薄いものであり、例えば250オングストロー
ム以下、または200オングストローム以下程度であ
る。図3に示す実施例と図5に示す実施例を対比した場
合に、両者ともに薄膜素子3が膜で保護されている点で
共通している。ただし、図3の実施例では、薄膜素子3
の露出部8が比較的厚い寸法δの薄膜12bで覆われる
ために、薄膜素子3の露出部8と記録媒体であるディス
クとのスペーシングが大きくなる欠点がある。これに対
し、図5の実施例では、保護膜14を薄膜15よりも充
分に薄い膜厚に形成できるために、薄膜素子3とディス
クとのスペーシングが大きくなることがなく、高いヘッ
ド出力を期待できる。また、図5の実施例では、保護膜
14と薄膜15とが同じ材料により形成されるために、
同じ材料をターゲットとしたスパッタリングや蒸着によ
り、保護膜14と薄膜15とを連続工程にて形成でき
る。
H4では、ロードビームの先部に設けられたフレキシャ
にスライダ1が支持される。そして、スライダ1が所定
の力F(図1参照)により記録媒体であるハードディス
クに付勢される。この力Fは4g程度である。またこれ
らの磁気ヘッドはCSS方式のハードディスク装置に使
用される。ディスクが停止しているときには、スライダ
1の接触面5,5が、薄膜11,12a,12b,1
3,15を介してディスクに接触する。ディスクが図1
に示すX方向へ移動すると、スライダ1とディスクとの
間に導かれる空気流により、スライダ1がディスク表面
から浮上する。磁気ヘッドH1〜H4では、いずれも薄
膜部分がディスクに接触するが、その接触面積が狭く、
また薄膜が低摩擦材料により形成されているので、ディ
スクを始動させるための起動トルクが小さくなる。
果を説明する。 (測定1)上記図1ないし図5に示した各浮上式磁気ヘ
ッドH1ないしH4において、接触面5,5の全面積に
対する薄膜の表面の面積比を変えた場合の、静摩擦力を
測定した結果を図6に示す。この測定では、前記磁気ヘ
ッドH1,H2,H3,H4を実施例とし、図5に示す
ものにおいて保護膜14のみを成膜し薄膜15を形成し
ないものを比較例とした。上記各磁気ヘッドにおいて、
薄膜11,12a,12b,13,15、および比較例
の保護膜14を、水素添加炭素(C−H)により形成し
た。また全ての磁気ヘッドにおいて、薄膜の膜厚、すな
わち接触面5または保護膜14の表面から薄膜の表面ま
での高さδを26nmとした。
ヘッドにおいて、接触面5,5の全面積に対する薄膜の
表面積を変えたものを複数種類ずつ用意した。それぞれ
の磁気ヘッドをロードビームの先端に固定されたフレキ
シャに支持し、これをCSS方式のハードディスク装置
に搭載して、スライダ1を4g(グラム)の力Fにより
ハードディスクに接触させた。この状態からディスクを
始動させ、このときの起動トルクから、ディスク中心と
スライダとの距離を除算して、静摩擦力gfを求めた。
使用したハードディスクは、その表面に約3nmの厚さ
の潤滑剤が塗布されたものを使用した。測定環境は、気
温20℃で相対湿度50%とした。
ヘッドH1、「*」は図3の磁気ヘッドH2、「○」は
図4の磁気ヘッドH3、「◇」は図5の磁気ヘッドH4
で、「△」は前記比較例のそれぞれの測定結果である。
図6の測定結果では、比較例の静摩擦力(gf)が非常
に高いのに対し、薄膜を形成した各実施例では静摩擦力
(gf)が低くなっているのが解る。また、各実施例の
磁気ヘッドH1〜H4において、測定結果の傾向が同じ
であり、接触面5の全面積に対する薄膜の表面積の比が
小さくなるにしたがって、静摩擦力(gf)が低下する
ことが解る。
気ヘッドH1において、薄膜11の膜厚(段差の高さ)
δと、静摩擦力(gf)との関係を調べた結果を示して
いる。この実施例では、図1と図2に示す磁気ヘッドH
1において、薄膜11を水素添加炭素(C−H)により
形成し、接触面5の全面積に対する薄膜11の表面積の
比を33.3%とした。そして、薄膜11と接触面5と
の段差の高さδを変化させたものを複数種類用意した。
各磁気ヘッドのスライダ1をロードビームの先端のフレ
キシャに支持し、CSS方式のハードディスク装置に搭
載し、スライダ1を4gの力Fでディスクに接触させ
た。この状態で、ハードディスクを起動し、図6に示し
たのと同様に静摩擦力(gf)を求めた。ハードディス
クの表面には、約3nmの潤滑剤が塗布されたものを使
用し、測定環境は気温20℃、相対湿度50%とした。
結果を「○」で示している。図7では、薄膜11の膜厚
δが小さいと、静摩擦力(gf)が高い値になり、膜厚
δが大きくなると、静摩擦力(gf)が低下するのが解
る。特に膜厚δが10nm以上になると、静摩擦力が急
激に低下していくのが解る。その理由は、ハードディス
ク表面の潤滑剤の膜厚が3nm程度であり、相対湿度5
0%であると、ディスク表面に付着する水膜と上記潤滑
剤とで、ほぼ10nm程度または10nm未満の液膜が
形成される。よって図9に示したように、薄膜11の膜
厚δが10nm未満であると、接触面5とディスクとの
間に液膜Aが張られ、その吸着力により静摩擦力が高く
なるが、膜厚δが10nm以上となると、図9に示す液
膜が接触面5とディスクとの間に張られなくなり、吸着
力による静摩擦力が低下するからである。
ことが明確になった。まず図7の結果から、液膜に基づ
く吸着により、静摩擦力が増大するのを防止するために
は、段差の高さδが10nm以上であることが好まし
い。また、前記段差の高さδを15nm以上とすると静
摩擦力を6g未満にできる。またδを17nm以上また
は17.5nm以上あるいは18nm以上とすることに
より、静摩擦力を5g以下にできる。さらにδを20n
m以上とすると、静摩擦力を4g以下にできる。記録媒
体であるディスクの起動トルクを考慮した場合に、静摩
擦力を5g以下さらには4g以下とすることが好まし
い。したがってδの好ましい範囲は、17nm以上また
は20nm以上である。
の場合、前記液膜による吸着を防止できるが、この場合
に、スライダの接触面の全面積に対する薄膜の表面積の
比を、80%以下とすることにより、静摩擦力を6g未
満にできる。さらに75%以下または70%以下とする
ことにより静摩擦力を5g以下に低減できる。さらに6
0%以下とすることにより、静摩擦力を4g以下にで
き、50%以下とすることにより静摩擦力を3g以下に
できる。以上から、スライダと記録媒体との静摩擦力を
5g以下にするためには、薄膜の膜厚を17nmまたは
17.5nmあるいは18nm以上とし、且つ接触面に
対する薄膜の面積比を75%または70%以下とするこ
とが好ましい。さらに静摩擦力を4g以下に設定するた
めには、薄膜の膜厚を20nm以上とし、面積比を60
%以下とすることが好ましい。
以上とし、薄膜の面積比を40%以下とすることによ
り、静摩擦力を2g以下にでき、CSS方式でのディス
クの起動トルクを非常に小さくできることが解る。ま
た、薄膜素子3の保護について考慮すると、図5に示す
磁気ヘッドH4では、薄膜15とは別の保護膜14が形
成されているので、薄膜15の膜厚を例えば17nm以
上や20nm以上にしても、保護膜14の膜厚を数10
0オングストロームの薄いものとすることにより、薄膜
素子と記録媒体とのスペーシングが大きくなるのを防止
できる。よって、薄膜素子3を使用した磁気ヘッドでは
図5に示す実施例が最も好ましい。また図1ないし図4
に示した実施例では、薄膜素子を有する磁気ヘッドに限
られず、コアにコイルが巻かれたものがトレーリング側
端面2に取り付けられたバルクタイプの磁気ヘッドにも
実施可能である。
接触面に薄膜を部分的に形成したことにより、スライダ
と記録媒体との静摩擦係数を低減でき、CSS方式のハ
ードディスク装置などにおいて、ディスクの起動トルク
を低減できる。よってディスク駆動用として小型のモー
タを使用でき、消費電力も低下する。
の薄膜はマスキングによりその面積を高精度に設定で
き、またスパッタや蒸着の時間管理により、薄膜の膜厚
も簡単に制御できる。
ることにより、スライダと記録媒体との間の液膜による
吸着を防止でき、液膜吸着による静摩擦力の増大を防止
でき、薄膜を所定面積比にて形成したことによる効果を
充分に発揮できるようになる。
ることにより、磁気検出部として薄膜素子を使用した場
合にこの薄膜素子の保護ができ、また保護膜と薄膜を連
続工程で成膜できる。また薄膜の膜厚を液膜の吸着を防
止するために厚くしても、保護膜を薄くしておくことに
より、スペーシングロスが増大することがない。
スク対向面を上向きにして示した斜視図、
(B)はその平面図、
あり、(A)は側面図、(B)は平面図、
あり、(A)は側面図、(B)は平面図、
あり、(A)は側面図、(B)は平面図、
摩擦力との関係を示す線図、
状態を示す部分拡大断面図、
Claims (4)
- 【請求項1】 記録媒体の始動時に、記録媒体に接触す
る状態から記録媒体上に浮上する姿勢となるスライダ
と、このスライダのトレーリング側端部に設けられた磁
気検出部とを有し、記録媒体が停止したときに前記記録
媒体に接触する前記スライダの接触面に、部分的な薄膜
が形成されていることを特徴とする浮上式磁気ヘッド。 - 【請求項2】 接触面の表面と薄膜の表面との段差が1
0nm以上である請求項1記載の浮上式磁気ヘッド。 - 【請求項3】 接触面の全面積に対する薄膜の表面積の
比が80%以下である請求項1または2記載の浮上式磁
気ヘッド。 - 【請求項4】 磁気検出部が薄膜素子であり、接触面な
らびに前記薄膜素子を覆う保護膜が形成され、この保護
膜の表面に、保護膜と同じ材料により部分的な薄膜が形
成されている請求項1ないし3のいずれかに記載の浮上
式磁気ヘッド。
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