JPH0810485B2 - 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法 - Google Patents

磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法

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JPH0810485B2
JPH0810485B2 JP1066230A JP6623089A JPH0810485B2 JP H0810485 B2 JPH0810485 B2 JP H0810485B2 JP 1066230 A JP1066230 A JP 1066230A JP 6623089 A JP6623089 A JP 6623089A JP H0810485 B2 JPH0810485 B2 JP H0810485B2
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Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気デイスク装置、特にコンピユータの外
部記憶装置として使用するのに好適な磁気デイスク装置
に関する。
更に本発明は、磁気ディスク装置に搭載する薄膜磁気
ヘツド及びその製造方法に関する。
更に本発明は磁気デイスク装置を用いた情報の書込・
読出方法に関する。
〔従来の技術〕
コンピユータの処理能力の増大に伴つて、磁気デイス
ク装置の記憶容量は、ますます大容量化される傾向にあ
る。
このため磁気デイスク装置に搭載する薄膜磁気ヘツド
の磁気コアのトラツク幅も小さくなる方向にある。更
に、製造上の精度も高い水準が要求される。
ここで、薄膜磁気ヘツドの構造について第２図を用い
て説明する。第２図は薄膜磁気ヘツドの主要部分の断面
構造を表わす斜視図である。
基板21上には、下部磁性膜22が形成され、後から形成
される上部磁性膜23と共に磁気回路を形成する磁気コア
を構成している。先端部24では、非磁性材料からなる絶
縁層25を上部磁性膜23及び下部磁性膜22の間に介在さ
せ、磁気キヤツプを形成する。この上部磁性膜23及び下
部磁性膜22と磁気ギヤツプにより、磁気デイスクに対し
て情報の書き込み及び読み出しを行なう。
一方、磁気コアの中央部では、導体コイル26が磁気回
路と回巻交差するように設けてあり、この導体コイル26
は、上部磁性膜23及び下部磁性膜22と絶縁膜27により絶
縁されている。
また、素子の上部は素子保護膜28で覆われている。
この薄膜磁気ヘツドの記録密度は、主として先端部24
の形状によつて決まり、特にトラツク幅を決める上部磁
性膜23の幅ｄ及びオーバライトや分解能を決めるポール
長ｔ（下部磁性膜22と磁気ギヤツプ25と上部磁性膜23と
の厚さの和）の両者は高精度に形成しなければならな
い。このうち、ｄの値を高精度に形成するためには、約
10μｍの高さの絶縁膜27の段差下部において上部磁性膜
23のパターンを高精度に形成する必要がある。しかしこ
のような高段差部に感光性樹脂を塗布形成すると、段差
下部の感光性樹脂は約10μｍ以上と厚くなるため高精度
なパターンが形成できないという問題がある。
そこで、従来から段差の低い状態で上部磁性膜23の幅
を決める方法について多くの検討がなされている。
例えば、特開昭60−10409号公報においては、絶縁膜
を形成する前に上部磁性膜の先端部のみを形成し、その
後絶縁膜及び上部磁性膜の後部を形成する方法が開示さ
れている。この方法を用いれば、ほとんど段差の無い状
態で上部磁性膜の幅が決められるため、トラツク幅が高
精度化できると記載されている。
また、特開昭62−62415号公報及び特開昭63−168811
号公報においては、絶縁膜のうちで最下層部分を形成し
た後、上部磁性膜の先端部のみを形成し、次いで絶縁膜
の上層部分及び上部磁性膜の後部を形成する方法が開示
されている。この方法を用いれば、段差の低い状態で上
部磁性膜の幅が決められるため、トラツク幅が高精度化
できると記載されている。
また、上部及び下部磁性膜を先端部と後部との２ケ所
に分割して形成する方法については、上記３種の公知例
より以前に、特開昭60−10410号公報において開示され
ている。この方法を用いれば、磁性膜先端部を高飽和磁
化合金で形成し、磁性膜後部を高透磁率磁性材料で形成
することができるため、すぐれた記録特性を有する薄膜
磁気ヘツドが実現できると記載されている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術のうちで特開昭60−10409号公報，特開
昭62−62415号公報，特開昭63−168811号公報に記載さ
れている技術を用いれば、トラツク幅の高精度化につい
ては実現可能である。しかしもう１つの重要な要素であ
るポール長に関しては何ら開示されていない。
ここで、ポール長の変動が薄膜磁気ヘツドの特性に対
して与える影響について、第６図を用いて説明する。第
６図は、薄膜磁気ヘツドの書き込み能力を表わすオーバ
ライト及び読み出し能力を表わす分解能の各々の値とポ
ール値との関係を示した図である。本図は、Journal of
APPLIED PHYSICS,Volume61,15April 1987,Number8,par
t IIBの4158ページに記載のものである。
第６図に示したように、ポール長が増加すると、オー
バライトは増加し分解能は減少する。特性のすぐれた薄
膜磁気ヘツドにおいては、オーバライトと分解能との値
がいずれも大きいことが望ましいから、ポール長はある
限られた範囲の値に厳密にコントロールしなければなら
ない。具体的には、ポール長を目標値±約10％の範囲に
制御して薄膜磁気ヘツドを形成しなければ、特性のすぐ
れた薄膜磁気ヘツドを安定して製造できないことがわか
つた。
しかしながら、上記の従来技術のいずれを適用した場
合でも、上部磁性膜の先端部を形成した後、そのまま絶
縁層，導体コイル及び上部磁性膜の後部を積層した構造
をとることから、これらの絶縁層，導体コイル及び上部
磁性膜の後部を形成する工程において、先に形成した上
部磁性膜の先端部の表面がエツチングされたりダメージ
を受けたりして、ポール長が変動してしまうことは明白
である。
具体的には、例えば導体コイルは通常イオンミリング
法や電気めつき法を用いて形成されるが、イオンミリン
グ時のオーバエツチングやめつき下地膜のエツチング工
程において、上部磁性膜の先端部の表面がエツチングさ
れることは避けられない。また、上部磁性膜の後部の形
成工程においても、同様に上部磁性膜先端部の表面がエ
ツチングされることは不可避であり、ポール長の変動は
避けられない。更にまた、このエツチングによるポール
長の減少を補償するため、あらかじめ上部磁性膜の先端
部を厚く形成しておき、エツチング後に目標ポール長が
達成されるようにする方法も考えられるが、その場合で
も下部磁性膜，磁気ギヤツプ膜及び上部磁性膜の先端部
の膜厚ばらつきに加えて、導体コイル及び上部磁性膜の
後部形成時のエツチングばらつきが加わるため、ポール
長の変動は大きく、上記の±10％の範囲に制御すること
は不可能であつた。
一方、第４の公知例として引用した特開昭60−10410
号公報においては、上部磁性膜を２つに分割して、後部
を形成した後で先端部を形成する方法が開示されてお
り、この方法を用いれば上部磁性膜先端部の表面が製造
工程中にエツチングされることがなく、ポール長の変動
を小さくできる。しかし、この場合は、約10μｍの高さ
の段差下部において、トラツク幅を決定する上部磁性膜
の先端部のパターンを形成しなければならないため、ト
ラツク幅を高精度化できないという問題点があつた。
また、実際の薄膜磁気ヘツドの構造と記録特性の関係
を考慮した場合、上部磁性膜を先端部と後部とに分割す
る際の、両者の接続部の位置関係は非常に重要であり、
ヘツドの記録特性に大きく影響する。しかし上記従来技
術のいずれにおいても上部磁性膜の先端部と後部との形
状や位置については何ら考慮されていなかつた。つまり
薄膜磁気ヘツドから発生する書き込み磁界を大きくして
すぐれたオーバライト特性を実現するためには、磁気ヘ
ツドのギヤツプ深さをできるだけ小さくする必要がある
のに対して、前記従来技術はギヤツプ深さを小さくでき
ないという問題点があつた。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を克服
し、ポール長とトラツク幅とを高精度に形成した薄膜磁
気ヘツドを搭載した磁気デイスク装置を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、磁気ヘツドの磁気コアの形状及
び構造を最適化して、書き込み及び読み出し特性のすぐ
れた薄膜磁気ヘツドを提供することにある。
更に本発明の他の目的は、上記目的を達成するために
必要な、薄膜磁気ヘツドの製造方法を提供することにあ
る。
更に本発明の他の目的は、かかる磁気デイスク装置を
用いた情報の書込・読出方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の磁気デイスク装置は、一つの回転軸に複数枚
の磁気デイスクを取り付け、この磁気デイスクに対して
情報の書き込み又は書き込み及び読み出しを行う薄膜磁
気ヘツドを有するヘツド・デイスク・アツセンブリ（以
下「HDA」と略す）を複数個具備したものである。
さらに、HDAは磁気デイスクを回転させる手段及び磁
気デイスクの位置決め手段を有する。
本発明は、磁気デイスク装置の記憶容量を高めるため
には、デイスクの記録密度を高めることが必要であると
の着想に基づいている。
磁気デイスク装置の記憶容量を高めるには、デイスク
の記録密度を高めることのほかに、デイスク径を大きく
することが考えられる。
しかし、デイスク径を大きくすると、磁気デイスク装
置が大型化し、在来の磁気デイスク装置が設置されてい
たスペースに収納できなくなつてしまうという問題があ
る。
更にデータの書き込み或は読み出しの際に、薄膜磁気
ヘツドを支持するアームの移動距離が長くなるので、デ
ータの転送速度が遅くなるという問題がある。データの
転送速度を速くしようとすると、アクセス精度が悪くな
る。
このようなことから、デイスク径を大きくすること
は、記憶容量を高める手段としては好ましくない。
本発明は、磁気デイスク装置を大型化せず、しかもデ
ータ転送速度を遅くすることなく、30ギガバイト以上の
記憶容量を実現しうる磁気デイスク装置の構成を明らか
にしたものである。
磁気デイスク装置において、一般に使用されているデ
イスクの大きさは、おおよそ直径８〜11インチの範囲で
ある。
磁気デイスク装置を収納するスペースは、通常、床の
一辺の長さが0.5〜1.5m、高さが2m以下である。
従つて、具体的には、直径８〜11インチのデイスクを
用い、床の一辺の長さが0.5〜1.5mで高さが2m以内のス
ペースに収納でき、30ギガバイト以上の記憶容量を達成
しうる磁気デイスクの達成を明らかにしたものである。
磁気デイスク装置の記憶容量が大容量化しても、それ
に伴つて情報の書き込み及び読み出しに多くの時間がか
かるようになつたのでは、大容量化したメリツトは無い
か或は無いに等しい。大容量化と並行して情報の書き込
み及び読み出し速度すなわちデータ転送速度も高速化す
ることが要求される。面記録密度が45〜80メガビツト/i
n2のデイスクを有する磁気デイスク装置において、30ギ
ガバイト〜40ギガバイトの記憶容量を達成するには、デ
ータ転送速度を4.5〜６メガバイト／秒とすることが望
ましい。このようにすることにより情報処理速度を遅く
することなく記憶容量の大容量化を達成することが可能
となる。
なお、面記憶密度は、トラツク密度と線記録密度との
積で表し、データ転送速度は線記録密度と磁気デイスク
の周速の積とで表すことができる。
データへのアクセス時間（位置決め時間）は、データ転
送速度の増大に伴つて短縮する必要があり、本発明にお
いては平均10msec以下とすることが望ましい。デイスク
回転数及び薄膜磁気ヘツドの回転待ち時間は、データ転
送速度の関連から、夫々回転数は3500rpm以上、回転待
ち時間は平均8.5msec以下とすることが望ましい。ここ
で回転待ち時間とは、所定のトラツク位置まで移動した
薄膜磁気ヘツドが、そのトラツクの所定の位置に情報を
書き込む或は所定の位置から情報を読み出すために静止
して磁気デイスクが回転されるのを待つている時間を意
味する。
磁気デイスクは、一平方インチ当り54メガビット（54
MbPI）好ましくは140MbPI以上の面記録密度とすること
が望ましい。
この面記録密度は、トラツク密度が一インチ当り1800
トラツク（1800TPI）以上又は線記録密度が一インチ当
り30キロビット（30kbPI）以上の範囲で実現することが
望ましい。
磁気デイスクの直径は８〜11インチの範囲で実現する
ことが望ましい。磁気デイスクは一分間当り3500回以上
で回転させることが望ましい。
薄膜磁気ヘツドとしては、上部磁性膜を先端部と後部
とに分割して別々に形成した構造にすることが望まし
く、先端部の全表面に保護膜を設け、この保護膜の前述
の先端部に対応する一部にその先端部が露出させるコン
タクトホールを通して、上部磁性膜の先端部と上部磁性
膜の後部とを接触させ磁気回路を形成させることが望ま
しい。このコンタクトコールを介する先端部と後部との
接続は磁気的に接続していれば良く、製造工程中で形成
される酸化膜程度のものは問題とならない。さらに、上
部磁性膜上には、一層以上の素子保護膜が形成させるこ
とが望ましい。
本発明の薄膜磁気ヘツドは磁気デイスクに対して一イ
ンチ当り30キロビツト以上の線記録密度で情報の書き込
みが可能であり、一秒間当り４メガバイト以上のデータ
転送速度で情報の読み出しが可能である。
特に直径が9.5インチの磁気デイスクを用いた場合、
この磁気デイスクを１分間当り4500〜5500回で回転させ
ることにより本発明の１秒間当りのデータ転送速度が4.
0メガバイト以上好ましくは、4.5〜6.0メガバイトの磁
気デイスク装置が実現できる。
更に、本発明は、磁気的に情報を書き込み及び読み出
しを行う少なくとも１つのヘッド・ディスク・アッセン
ブリと、前記書き込みと読み出しとを切り換える電子回
路部と、前記情報を処理する上位装置と、該上位装置と
前記電子回路部とを接続するインターフェイス部とを具
備する磁気ディスク装置において、前記ヘット・ディス
ク・アッセンブリは、情報を記録する少なくとも１枚の
磁気ディスクと、該磁気ディスクに対して情報の書き込
み及び読み出しを行う薄膜磁気ヘッドと、前記磁気ディ
スクを回転させる手段と、前記薄膜磁気ヘッドの位置決
め手段とを具備し、前記磁気ディスクが、一平方インチ
当り54メガビット以上の面記録密度を有し、前記薄膜磁
気ヘッドが前述の要件を有するものである。
すなわち、製造工程中の上部磁性膜の先端部の膜厚変
動つまりポール長変動を防ぐために、上部磁気コアを２
つに分割し、 上部磁性膜先端部、 該先端部の上に設けられ、ポール長を決定する部分以
外の個所にコンタクトホールが設けられた保護膜、 該保護膜の上に設けられ、該コンタクトホールを通し
て該先端部と接続された上部磁性膜後部、の３つの部分
から構成することによつて達成される。
該保護膜の厚さは、該上部磁性膜先端部を形成した
後、該上部磁性膜後部を形成し終えるまでの間の製造工
程においてエツチングされる量よりも厚くしなければな
らない。
また保護膜の材質は、非磁性材料であることが望まし
く、エツチングに対する安定性やギヤツプ深さ加工時に
おける耐加工性等を考慮すると、特に無機絶縁膜が望ま
しい。具体的には、酸化アルミニウム，二酸化ケイ素，
酸化チタン等を用いるのが望ましい。
さらにギヤツプ深さ加工工程を考慮すると、保護膜の
材質は、素子保護膜と同一であるのが望ましい。
一方、該上部磁性膜後部は、該上部磁性膜先端部と独
立に形成するために、その材質や膜厚については自由に
決定できる。
特性のすぐれた磁気ヘツドを製造するためには、薄膜
磁気ヘツド先端における磁束のしぼり込みを有効にする
ために、該上部磁性膜後部は該上部磁性膜先端部よりも
厚く形成するのが望ましい。
また、材質についても、例えば該上部磁性膜先端部は
耐磨耗性のすぐれた磁性材料を用い、該上部磁性膜後部
は透磁率の大きい磁性材料を用いることによつて、耐摺
動性のすぐれた磁気ヘツドを実現することができ、ま
た、例えば該上部磁性膜先端部は飽和磁束密度の大きい
磁性材料を用い、該上部磁性膜後部は透磁率の大きい磁
性材料を用いることによつて、書き込み特性のすぐれた
磁気ヘツドを実現することができる。
また、該コンタクトホールの面積は、接続部に流れる
磁束量を大きくするためには、該上部磁性膜の磁路断面
積より大きく形成することが望ましい。
また、該コンタクトホールは、必ずしも該上部磁性膜
先端部及び後部のパターンよりも小さく即ち、はみ出さ
ないように形成しなくても良く、例えば製造工程上のば
らつきを考慮して該コンタクトホールの面積を大きく保
つために、該コンタクトホールのパターン形状が磁性膜
パターンからはみ出すように形成した場合でも問題は無
い。
また、該コンタクトホールの位置は、上記のようにで
きるだけ接続面積を大きくするためには、分割された上
部磁気コア先端部及び後部の磁気コア広がり位置よりも
後方に配置した方が望ましく、製造工程中の位置ズレに
対しても性能低下を防ぐことができる。さらに、コンタ
クトホールの端部位置の一部が、分割された上部磁性膜
先端部の上部に形成された絶縁膜の後端部位置と一致し
ていることが望ましく、コンタクトホールの端部位置の
一部が分割された上部磁性膜後部の前端部位置と一致し
ていることが望ましい。
さらに、分割された上部磁気コアの先端部及び後部の
形状に関しては、先端部の磁気コア広がり角度が、後部
の磁気コア広がり角度よりも小さいことが望ましい。
また、分割された上部磁気コアの先端部の後部位置
が、下部磁気コアの膜厚が、コア内で厚くなつている位
置よりも後方にすることが望ましい。
一方、上記においては、薄膜磁気ヘツドの上部磁気コ
アを２つに分割して構成する場合について示してきた
が、本発明を下部磁気コアに対して適用した場合でも、
パターン幅やポール長に関与する磁性膜の厚さを高精度
に形成できることから、本発明の目的は達成される。
さらに、上部磁気コア及び下部磁気コアの両方を分割
して形成することもできる。
また、磁気コアを３つ以上に分割して構成した場合で
も、トラツク幅及びポール長を決定する磁性膜先端部と
その上部の保護膜、及びコンタクトホールを通して該先
端部と接続する磁性膜の３部分を少なくとも含む構造を
とれば、本発明の目的は達成される。
一方、本発明による薄膜磁気ヘツドの製造方法につい
ては、概略次のようになる。まず、基板上に下部磁性膜
パターンを作製する。基板は薄膜磁気ヘツドを浮上させ
るスライダとしての作用を有する。次いで磁気ギヤツプ
膜を形成する。特に、下部磁性膜上に１層以上の絶縁膜
を形成し、その後磁気ギヤツプ膜を形成することが好ま
しい。次いで磁気ギヤツプ膜上に上部磁性膜先端部を形
成するか、又は、１層以上の下層絶縁膜を形成した後、
その上に上部磁性膜先端部を形成する。したがつて、上
部磁性膜の先端部を少なくとも１層以上絶縁層の上部に
形成することもできる。後者の場合は、ギヤツプ膜を下
層絶縁膜の上に設けても良い。特に、上部磁性膜先端部
の下部の絶縁膜は無機材料であることが望ましい。該上
部磁性膜先端部を形成した後、その上に保護膜を設け
る。次いで、１層以上の上層絶縁膜及び上部磁性膜後部
を形成する。保護膜の一部に、上部磁性膜先端部と後か
ら形成する上部磁性膜後部とを磁気的に接続するような
コンタクトホールを形成する。保護膜のコンタクトホー
ルは、保護膜形成後から上部磁性膜後部形成直前の間な
らば、いつ形成しても良い。
さらに、絶縁膜の一部をマスク材の一部として用い、
非磁性材料からなる保護膜をエツチングして、コンタク
トホールを形成することもできる。また、保護膜の一部
にコンタクトホールを形成する工程で、マスク材として
用いたホトレジストの上に上部磁性膜後部を堆積し、所
定のパターンを形成した後、このホトレジストを除去す
ることもできる。また、絶縁層形成工程の中で、１層以
上の導体コイルを作製する必要がある。この上部磁性膜
の先端部又は後部の形成に関しては、スパツタリング
法、めつき法又は蒸着法で形成することが望ましく、先
端部と後部とをそれぞれ別の方法で形成しても良い。さ
らに上部磁性膜先端部の少なくとも一部には、絶縁層
が、形成されるが、この絶縁層は、先に形成した先端部
の保護膜を含めた多層とすることが望ましいが、この部
分の保護膜を除去した後、一層の絶縁層として形成する
こともできる。
絶縁層の材料は有機及び無機材料のいずれを用いても
良いが、パターン形成が容易である感光性有機材料を用
いれば、製造工程を短縮することができる。また、下層
絶縁膜として耐熱性にすぐれた無機材料を用い、上層絶
縁膜として感光性有機材料を用いれば、上部磁性膜先端
部の磁性材料に高い温度の熱処理を加えることができる
ため、磁性材料の適用可能範囲が広がる利点がある。
さらに薄膜磁気ヘツドの上部磁気コアと下部磁気コア
との間に磁気抵抗効果膜を設置し、情報の書き込みを上
部及び下部の磁気コアから発生する磁界によつて行い、
情報の読み出しを磁気抵抗効果膜によつて行うことが望
ましい。また、上部磁気コアを先端部と後部とに分割す
ることにより、この先端部を磁気抵抗効果膜のフラツク
スガイドとして作用させることができる。
〔作用〕
上記のように、薄膜磁気ヘツドの上部磁気コアを２つ
に分割し、上部磁性膜先端部，保護膜，該保護膜に開け
られたコンタクトホールを通して該上部磁性膜先端部と
磁気的に接続している上部磁性膜後部の３つの部分から
構成することにより、 該保護膜によつて、絶縁層及び導体コイル形成工程中
における該上部磁性膜先端部の表面のエツチングやダメ
ージが防止でき、ポール長変動の少ない薄膜磁気ヘツド
を得ることができる。
上記のエツチングやダメージは、該上部磁性膜先端部
のパターン側壁に対しても同様に起こり得ることから、
該保護膜によつて、該上部磁性膜先端部のパターン幅の
減少を防ぐこともでき、トラツク幅精度のすぐれた薄膜
磁気ヘツドを得ることができる。
該上部磁性膜先端部は、比較的段差の小さい個所で形
成できるため、パターン幅を高精度に形成でき、トラツ
ク幅精度のすぐれた薄膜磁気ヘツドを得ることができ
る。
また、上記のように、上部磁性膜先端部，保護膜コン
タクトホール及び上部磁性膜後部の各々の材質，膜厚，
位置，面積等を最適化することにより、安定な製造が容
易でかつ特性のすぐれた薄膜磁気ヘツドを得ることがで
きる。
さらに、上記のすぐれた薄膜磁気ヘツドを用いること
により、記録密度が大きく、特性のすぐれた磁気デイス
ク装置を実現することができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を説明する。
第１図は、本発明の一実施例による磁気デイスク装置
の構成を示す概略図である。
磁気デイスク装置は、第１図に示す符号１〜８の構成
要素及びボイスコイルモータ制御回路を含むHDAを有す
る。
符号１はベース，符号２はスピンドルである。
一つのスピンドルに図のように複数枚の円板状の磁気
デイスク４が取り付けられる。
第１図では、１つのスピンドルに五枚の磁気デイスク
を設けた例が示されているが、五枚に限るものではな
い。
また、このように一つのスピンドルに複数枚の磁気デ
イスクを設けたものを複数個設置してもよい。
符号３はスピンドル２を駆動し、磁気デイスクを回転
するためのモータである。
符号５はデータ用磁気ヘツドを示し、符号5aは位置決
め用磁気ヘツドを示している。
符号６はキヤリツジ、符号７はボイスコイル、符号８
はマグネツトである。
ボイスコイル７とマグネツト８によりボイスコイルモ
ータが構成される。
そして符号6,符号7,符号８の要素によりヘツドの位置
決めがなされる。
ボイスコイル７と磁気ヘツド５及び5aとは、ボイスコ
イルモータ制御回路を介して接続されている。
磁気デイスク４は、アルミナ等の非磁性円板の一方又
は両方の面に磁性体層を設けたものからなる。磁性体層
４には多数のトラツク溝が設けてある。デイスク４の面
記録密度は一平方インチ当り54メガビット以上である。
トラツク密度は一インチ当り1800トラツク以上である。
線記録密度は一インチ当り30キロビツト以上である。そ
して、これらの線記録密度及びトラツク密度の範囲内
で、両者の積である面記録密度を54メガビツト以上とす
ることができる。
このようにすることにより、デイスク径を著しく大き
くすることなく記憶密度を高めることができる。
記録密度が増大し情報の記憶容量が大になつてもデー
タ転送速度がその分遅くなつたのでは、利用価値が少な
い。データ転送速度を４メガバイト／秒以上とすれば、
データの出し入れを速やかに行うことができる。このデ
ータ転送速度はデイスクの周速と線記録密度との積で決
まる。線記録密度は一インチ当り30キロビツトであるか
ら、データ転送速度４メガバイト／秒以上は、直径８〜
11インチのデイスクの場合、デイスク回転数を3500rpm
以上とすることにより実現できる。この3500rpmという
回転数は、通常の磁気デイスク装置において採用されて
いる一般的な回転数であり、実現はきわめて容易であ
る。
第１図において、上位装置とは例えばコンピユータシ
ステムを示し、磁気デイスク装置に記録された情報を処
理する機能を有するものである。リード／ライト回路と
は、書き込み及び読み出しの情報を識別し、磁気デイス
ク装置に信号を送るものであり、インターフエイス部と
は、上位位置と磁気デイスク装置とを接続するものであ
る。この上位装置と磁気デイスク装置とを有するシステ
ムが情報処理システムである。
第３図は、本発明の磁気デイスク装置を所定のスペー
スに収納した状態を斜視図で示す。
容器100の内部にヘツド・デイスク・アツセンブリ101
及び電子回路部102でヘツド・デイスク・アツセンブリ
・ユニツト（HDU）103を形成し容器100の内部に収納さ
れている。
HDU103は、８個あり、これらが２個ずつ四段に収納し
てある。容器100は、底の一辺の長さが0.5〜1.5m、高さ
が約2mである。
第３図においてＡ及びＢは、磁気ヘツド及び磁気デイ
スクに清浄な空気を供給するための空気の流れを示す。
本発明を用いることにより、上部磁性膜先端部を後部
との材料を変えられることはすでに述べたが、このため
磁気デイスクに対する書き込み磁界を大きくできる。し
たがつて述来の磁気デイスク装置と同じ磁界で書き込め
ば充分である場合には、薄膜磁気ヘツドを小型化でき
る。又は、導体コイルのターン数を小さくすることがで
きるため、薄膜磁気ヘツドのインダクタンスが小さくな
り、この結果高周波でこの磁気デイスク装置を使用する
ことができる。つまり、データの転送速度が大きくで
き、直径9.5インチの磁気デイスクを１分間当り、4500
〜5500回で回転させる場合、一秒間当り4.5〜6.5メガバ
イトのデータを転送することができる。
また書き込み磁界を大きくできることにより保持力の
大きい磁気デイスクを使用することができるため高い線
密度で記録することができる。
さらに、高記録密度化が達成されるため、大容量化が
可能であり、60ギガバイト以上の磁気デイスク装置を提
供できる。
さらにまた現在使用の磁気デイスク装置と同じ記憶容
量で充分な場合には、磁気デイスク装置を小型化するこ
とができ、磁気デイスクも小さくできる。このため、ア
クセス時間が短い、高速シークが可能となり、消費電力
が小さい磁気デイスク装置を提供できる。
第４図は、本発明の薄膜磁気ヘツドを所定のスライダ
に形成した状態を斜視図で示す。
符号41はスライダであり、例えば非磁性セラミツク等
である。符号42は薄膜磁気ヘツドであり、一般的には第
２図に示す形状を有するが本発明では以下に述べる形状
を有する。符号43は浮上面を示し、磁気デイスクと対向
する面である。
第５図は、第４図に示すスライダを荷重アーム上に形
成した薄膜磁気ヘツドを斜視図で示す。
符号51は、スライダ41をささえる荷重アームを示す。
符号53はジンバルバネであり、磁気デイスクとの距離を
一定に保つ作用をするものである。この磁気デイスクを
スライダ42の先端に形成された薄膜磁気ヘツド42との、
磁気デイスク装置の起動状態における距離は、一般に浮
上量と言われ磁気デイスク装置の性能の重要な要素の一
つである。本発明の薄膜磁気ヘツドではこの浮上量を0.
3μｍ以下とすることができる。
第７図（ａ）は、本発明の薄膜磁気ヘツドの主要部分
の断面図である。
本発明の一実施例である薄膜磁気ヘツドはセラミツク
材料もしくはセラミツク材料の表面に下地膜を形成した
基板21の上部に、下部磁性膜22,下層絶縁膜11,ギヤツプ
膜25,上部磁性膜先端部12,保護膜13,2層の導体コイル2
6,2層の上層絶縁膜14,上部磁性膜後部15及び素子保護膜
28を積層した構造となつている。上部磁気コアは２つに
分割され、先端部12と後部15とが、保護膜13に設けたコ
ンタクトホール16を通して接続しており、下部磁性膜22
とともに磁気回路を形成している。
上部磁性膜の後部15の膜厚は４μｍであり、上部磁性
膜の先端部12の膜厚２μｍより大きくして磁束の絞り込
み効果を高めている。
また、上部磁性膜後部15の先端（Ａ）は、ギヤツプ深
さ０の点（Ｂ）よりも後方に位置している。これはギヤ
ツプ深さをできるだけ小さくした場合、上部磁性膜後部
15から発生する漏れ磁束が記録媒体に影響を与えること
を防ぐためであり、同時に記録媒体からの信号磁界が上
部磁性膜後部15を通つて信号歪みを生ずることを防ぐた
めである。
また、コンタクトホール16の後端（Ｃ）よりも上部磁
性膜先端部12の後端（Ｄ）は、ヘツドの後方に向かつて
突き出ているが、これはコンタクトホール16を通して上
部磁性膜先端部12と後部15を確実に接続させることを目
的としている。ただし、この突き出し量（ＤとＣの位置
の水平方向距離）が大き過ぎると、下部磁性膜22との間
の磁束漏れ量が増加して磁気ヘツド効率が低下する場合
がある。
一方、下部磁性膜22は、上部磁性膜と同様に磁束の絞
り込み効果を高めるために、途中の位置（Ｅ）から後方
では膜厚が増加した構造となつている。上部磁性膜から
下部磁性膜への磁束の透過を防止するためにも膜厚を厚
くすることが好ましい。
また、磁束の飽和を防ぐために、Ｅの位置はＤの位置
よりも前に配置している。
また、第１図（ａ）においては、下層絶縁膜11は１
層、上層絶縁膜14及び導体コイル26は２層構造から成つ
ているが、本発明の効果は上記から明らかなように磁気
コア部分の構成によつて主に達成されるものであり、下
層及び上層の絶縁膜や導体コイルの層数が変わつても、
本発明の効果を何らそこなうものではない。
一方、第２図に示した従来例の薄膜磁気ヘツドとは異
なり、第１図（ａ）に示した薄膜磁気ヘツドにおいて
は、ギヤツプ膜25が、下層絶縁膜11の上部に配置された
構造をとつている。これは、上部磁性膜先端部12のパタ
ーンをエツチング等で形成する時や、エツチングマスク
を除去する時などに、下層絶縁膜11の表面がダメージを
受けることを防ぐために有効である。
また、第１図（ｂ）は、第１図（ａ）の上部磁性膜部
分のみを上から見た図である。コンタクトホール16は、
磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、磁気コ
アが広がり出している位置（Ｆ）よりも後方に配置され
ている。また、製造工程において上部磁性膜先端部12及
び後部15の位置合わせズレが生じた場合でも、磁気コア
形状に大きな凹凸が生じないようにするため、先端部12
の磁気コア広がり角度を、後部15の磁気コア広がり角度
よりも小さくしている。
第８図に、本発明の効果を表わすヒストグラムを示
す。第８図に示された方法で作製した薄膜磁気ヘツドの
ポール長分布と、本発明の方法で作製した薄膜磁気ヘツ
ドのポール長分布とを比較したものであり、いずれもポ
ール長3.7μｍを目標値として作製した場合の効果を表
わしている。従来法を用いた場合、磁気ヘツド作製工程
中で上部磁性膜先端部がエツチングされるため、ポール
長のばらつきが大きいのに対して、本発明を適用した場
合は、ポール長のばらつきは磁性膜及びギヤツプ膜の成
膜膜厚ばらつきのみに依存することから、ポール長を高
精度に制御できることがわかる。
一方、トラツク幅精度についても、従来法と本発明に
ついて比較したところ、上部磁性膜先端部のパターン側
壁がエツチングされない構造となつている本発明の方
が、従来法と比べて、トラツク幅精度を±0.1〜0.2μｍ
高精度化できることがわかつた。
従つて、本発明を適用することにより、形状精度のす
ぐれた、高密度記録に適した薄膜磁気ヘツドを実現でき
ることがわかつた。
第９図（ａ）は、本発明の他の実施例である薄膜磁気
ヘツドの構造を表わす主要部分の断面図を示す。第７図
（ａ）とは異なり、下層絶縁膜11が２層構造となつてお
り、上部磁性膜先端部12はその上に形成されている。ま
た、ギヤツプ膜25は、従来構造の磁気ヘツドと同様に、
下部磁性膜22と下層絶縁膜11の間に形成されている。
第９図（ａ）に示した構造を適用した場合でも、本発
明の主たる目的であるポール長及びトラツク幅を高精度
に制御した薄膜磁気ヘツドを実現することは可能であ
る。
本実施例によれば上部磁性膜後部が段差の小さい状態
で形成できるため上部磁性膜後部の形成が容易である。
また、第９図（ｂ）に、第９図（ａ）の上部磁性膜部
分のみを上から見た図を示す。コンタクトホール16は、
磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、上部磁
性膜先端部12及び後部15のパターンからはみ出す形に形
成されている。
第10図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘツド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。第７図及び第
９図とは異なり、上部磁性膜先端部12は、下部磁性膜22
及びギヤツプ膜25のすぐ上部に形成されており、下層絶
縁膜にあたる層はない。絶縁膜はすべて上層絶縁膜14と
して配置されており、第10図の場合、３層構造となつて
いる。
本実施例によれば、上部磁性膜先端部が、ギヤツプ膜
上の平坦な部分で形成できるため、先端部のトラツク幅
を高精度に形成できる。
第11図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘツド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。第11図では、
基板21に段差が形成されており、磁気ヘツド先端部が段
差上部に、磁気ヘツド後部が段差下部に形成された構造
となつている。この第11図に示した構造をとることによ
り、上部磁性膜先端部12を形成する際の段差高さが第７
図の場合より低くできることから、トラツク幅精度がさ
らに向上することができる。
また、導体コイル26を形成する際の段差高さも、同様
に低くできることから、微細かつアスペクト比の大きい
導体コイルを形成するのが容易となり、より特性のすぐ
れた薄膜磁気ヘツドが実現できる。
第12図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘツド
の構造を表わす主要部分の断面図を示す。全体の構造は
ほぼ第７図に示した構造と類似しているが、上部磁性膜
先端部12の後部に磁気抵抗効果膜81が配置されており、
第12図中には示さないがこの磁気抵抗効果膜81には電流
が流せる構造になつている。第12図に示した薄膜磁気ヘ
ツドは、信号の書き込み動作は第７図に示した磁気ヘツ
ドと同様の作用で行なうが、信号の読み取り動作時は、
磁気抵抗効果膜81の電気抵抗値の変化を信号として検出
するMRヘツドとしての作用で行なう。上部磁性膜先端部
12は、この時磁気抵抗効果膜81までのフラツクスガイド
として働く。第12図に示したように、読み出し／書き込
み分離型磁気ヘツドを用いることにより、感度が高くか
つ高記録密度に適した薄膜磁気ヘツドを実現できる。
第13図は、上部磁性膜の一部分を上から見た図であ
る。磁性膜接続面積をできるだけ大きくするために、コ
ンタクトホール16を上部磁性膜先端部12の広がり部分よ
り大きくした。これにより製造工程において上部磁性膜
先端部12及び後部15の位置合せズレが生じた場合でも、
上部磁性膜先端部12と後部15とは磁気的に高精度で接続
できる。
第14図に、本発明の一実施例としての薄膜磁気ヘツド
の製造方法を表わす断面図を示す。
第14図（ａ）に示したように、基板21の上部に下部磁
性膜パターン22,第１層絶縁膜パターン91及びギヤツプ
膜パターン25を形成した。
第９図（ｂ）に示したように、厚さ２μｍの磁性膜を
スパツタリングした後、イオンミリング法を用いて上部
磁性膜先端部12を形成した。
第９図（ｃ）に示したように厚さ１μｍのアルミナ膜
をスパツタリングして保護膜13とした後、第１層導体コ
イル92,第２層絶縁膜93,第２層導体コイル94及び第３層
絶縁膜95を形成した。
第９図（ｄ）に示したように、ホトレジストパターン
96を形成し、このホトレジストパターン96及び第２層絶
縁膜93をマスク材として保護膜13をエツチングし、コン
タクトホール16を形成した。
ホトレジストパターン96を除去した後、第９図（ｅ）
に示したように、厚さ４μｍの磁性膜をスパツタリング
した後、イオンミリング法を用いて上部磁性膜後部15を
形成し、磁気ヘツド構造の主要部分を得た。
また、上記においては、磁性膜をスパツタリング法で
形成した場合について述べたが、磁性膜をめつき法，蒸
着法等を用いて形成した場合でも、同様の構造の薄膜磁
気ヘツドが得られた。
また、本実施例の第14図（ｄ）において述べたよう
に、コンタクトホール16のエツチング用マスク材の一部
として第２層絶縁膜93を用いることにより、コンタクト
ホール16の位置をセルフアライメントによつて精度良く
決めることができる。
また、第14図に示した構造の他に、第３層絶縁膜95の
端部が第２層絶縁膜93の端部より前方に位置している場
合でも、該第３層絶縁膜をマスク材として用いれば、同
様のセルフアライメント効果を得ることができる。この
様なセルフアライメントを用いた場合、コンタクトホー
ル16の端部と上層絶縁膜の端部は一致する。
第15図に、本発明の他の実施例としての薄膜磁気ヘツ
ドの製造方法の一部を表わす断面図を示す。
第14図（ａ）から（ｄ）までと同様の工程を実施す
る。
ホトレジスト96を残したままで厚さ４μｍの磁性膜15
を形成し、その上にホトレジストパターン97を形成し
て、第15図（ｅ）に示した構造を得る。
磁性膜をエツチングした後、ホトレジスト96及び97を
除去し、第15図（ｆ）に示したように、上部磁性膜後部
15を形成する。
第15図に示した工程を用いることにより、上部磁性膜
後部15の先端位置（Ｆ）と、コンタクトホール16の端部
位置が、同じホトレジストパターン96によつて決められ
るため、高精度な磁気コア形状が得られ、特性のすぐれ
た薄膜磁気ヘツドが実現できる。
第16図は、薄膜磁気ヘツドをウエーハ上に形成した一
実施例を示す図である。
非磁性セラミツク等からなるウエーハ40上に、例え
ば、第14図で示した薄膜磁気ヘツドの製造工程をほどこ
すことにより、ウエーハ40上に複数の薄膜磁気ヘツドが
形成される。これを、第４図に示すスライダ型の薄膜磁
気ヘツドに形成する。これにより複数個の薄膜磁気ヘツ
ドが同時に作製でき、個々の薄膜磁気ヘツドも高精度で
ある。
さらに本発明は、テープ状の磁気記録媒体を用いる例
えばVTRやフロツピデイスクを用いる小型磁気デイスク
装置にも適用できる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、データ転送速度が１秒間当り4.0メ
ガバイト以上、好ましくは4.5〜6.0メガバイトの磁気デ
イスク装置が実現できる。
更に、本発明によれば、大記憶容量の磁気デイスク装
置が提供できる。
本発明によれば、ポール長及びトラツク幅の変動の少
ない高精度な磁性膜形状を有する薄膜磁気ヘツドが実現
できる。
これにより高記録密度に適した薄膜磁気ヘツドが得ら
れ、磁気ヘツドコアの形状及び構造を最適化して、書き
込み及び読み出し特性のすぐれた薄膜磁気ヘツドが得ら
れる。
更に本発明により、トラツク幅が10μｍ以下好ましく
は６μｍ以下が達成できた。
【図面の簡単な説明】
第１図は、磁気デイスク装置又は情報処理システムの構
成を示す概略図、第２図は、一般的な薄膜磁気ヘツドの
斜視図及び断面図、第３図は、本発明の一実施例の磁気
デイスク装置の斜視図、第４図は、本発明の薄膜磁気ヘ
ツドをスライダに形成した斜視図、第５図は、荷重アー
ム上にスライダを形成した斜視図、第６図は本発明の効
果を示すヒストグラム、第７図〜第13図は、本発明のそ
れぞれの実施例の薄膜磁気ヘツドの断面図及び上面図、
第14図及び第15図は、本発明の実施例の薄膜磁気ヘツド
の製造方法を示す断面図、第16図は、薄膜磁気ヘツドの
ウエーハ上の形成図を示す。 11……下層絶縁膜、12……上部磁性膜先端部、13……保
護膜、14……上層絶縁膜、15……上部磁性膜後部、16…
…コンタクトホール、21……基板、22……下部磁性膜、
25……ギヤツプ膜、26……導体コイル、28……素子保護
膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 芦田 栄次 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 森尻 誠 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 田辺 正則 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 福井 宏 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 杉田 愃 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 池田 宏 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 林 将章 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 中越 和夫 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 川上 寛児 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 斉藤 翼生 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (72)発明者 鍬塚 俊一郎 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭62−71006（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−120315（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−92215（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−129929（ＪＰ，Ａ)

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】情報を記録する磁気ディスクと、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み又は読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有し、ヘッド
    ・ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ具備する磁
    気ディスク装置において、 前記薄膜磁気ヘッドは、非磁性材料からなる基板上に形
    成された下部磁気コアと、該下部磁気コア上に形成され
    一端が前記下部磁気コアの一端に接し、他端が前記下部
    磁気コアの他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回
    路を形成する上部磁気コアと、前記下部及び上部磁気コ
    ア間に形成された導体コイルとを具備し、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を被うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対応する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタクトホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有することを特徴とする磁気ディスク
    装置。
  2. 【請求項２】一平方インチ当り54メガビット以上の面記
    録密度を有する前記磁気ディスクを具備する請求項１の
    磁気ディスク装置。
  3. 【請求項３】一インチ当り1800トラック以上のトラック
    密度を有する前記磁気ディスクを具備する請求項１の磁
    気ディスク装置。
  4. 【請求項４】前記上部磁気コア後部の膜厚が前記先端部
    の膜厚よりも厚い請求項１の磁気ディスク装置。
  5. 【請求項５】前記薄膜磁気ヘッドの上部磁気コアと前記
    下部磁気コアとの間に磁気抵抗効果膜を有する請求項１
    の磁気ディスク装置。
  6. 【請求項６】情報を記録する直径が８〜11インチの磁気
    ディスクと、 該磁気ディスクを一分間当り3500回以上で回転させる手
    段と、 前記磁気ディスクに対して情報の書き込み又は読み出し
    を行う薄膜磁気ヘッドと、 該薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有し、ヘッド・デ
    ィスク・アッセンブリを少なくとも１つ具備する磁気デ
    ィスク装置において、 前記薄膜磁気ヘッドが、前記磁気ディスクに対して、一
    インチ当り30キロビット以上の線記録密度で情報の書き
    込み及び一秒間当り４メガバイト以上のデータ転送速度
    で情報の読み出しを行う薄膜磁気ヘッドであり、 前記薄膜磁気ヘッドは、非磁性材料からなる基板上に形
    成された下部磁気コアと、該下部磁気コア上に形成され
    一端が前記下部磁気コアの一端に接し、他端が前記下部
    磁気コアの他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回
    路を形成する上部磁気コアと、前記下部及び上部磁気コ
    ア間に形成された導体コイルとを具備し、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を被うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対応する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタクトホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有することを特徴とする磁気ディスク
    装置。
  7. 【請求項７】非磁性材料からなるスライダ上に、下部磁
    気コアと、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部
    磁気コアの一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端
    に磁気ギャップを介して対向し、磁気回路を形成する上
    部磁気コアと、前記下部及び上部磁気コア間に形成され
    た導体コイルを具備した薄膜磁気ヘッドにおいて、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を被うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対応する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタクトホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有することを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ド。
  8. 【請求項８】前記上部磁気コア上に一層以上の素子保護
    膜を有する請求項８の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】前記上部磁気コアのトラック幅が、10μｍ
    以上である請求項８の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記スライダーは荷重アームにより支持
    した支持機構に固着されている請求項８の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  11. 【請求項１１】非磁気性材料からなる基板上に、下部磁
    気コアを形成する工程と、 該下部磁気コア上に非磁性材料からなる磁気ギャップ部
    を含む絶縁層を形成する工程と、 前記磁気ギャップ部上に磁性材料からなる上部磁気コア
    先端部を形成する工程と、 少なくとも該先端部上面全体を被うように非磁性材料か
    らなり該先端部を保護する保護膜を形成する工程と、 該保護膜上であって上部磁気コアと下部磁気コアとの間
    に磁気ディスクに対向する面で磁界を誘起する導体コイ
    ルを形成する工程と、 該導体コイルと導体コイルとの間及び前記上部磁気コア
    と導体コイルとの間を絶縁する絶縁層を形成する工程
    と、 前記保護膜の前記先端部に対応する一部に前記先端部を
    露出させるようにコンタクトホールを形成する工程と、 該コンタクトホールを通して、前記上部磁気コア先端部
    と接触させて上部磁気コア後部を形成する工程とを有す
    ることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  12. 【請求項１２】前記上部磁気コア後部を形成する工程後
    に、前記上部磁気コア先端部上に形成された保護膜の露
    出部分を除去する工程とを有することを特徴とする薄膜
    磁気ヘッドの製造方法。
  13. 【請求項１３】磁気的に情報を書き込み及び読み出しを
    行う少なくとも１つのヘッド・ディスク・アッセンブリ
    と、 前記書き込みと読み出しとを切り換える電子回路部と、 前記情報を処理する上位装置と、 該上位装置と前記電子回路部とを接続するインターフェ
    イス部とを具備する磁気ディスク装置において、 前記ヘッド・ディスク・アッセンブリは、情報を記録す
    る少なくとも１枚の磁気ディスクと、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み及び読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを具備し、 前記磁気ディスクが、一平方インチ当り54メガビット以
    上の面記録密度を有し、 前記薄膜磁気ヘッドは、非磁性材料からなる基板上に形
    成された下部磁気コアと、該下部磁気コア上に形成され
    一端が前記下部磁気コアの一端に接し、他端が前記下部
    磁気コアの他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回
    路を形成する上部磁気コアと、前記下部及び上部磁気コ
    ア間に形成された導体コイルとを具備し、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を被うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対向する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタントホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有することを特徴とする磁気ディスク
    装置。
  14. 【請求項１４】直径が８〜11インチの磁気ディスクを一
    分間当り3500回以上で回転する工程と、 前記磁気ディスクに対して情報を書き込み及び読み出し
    を行う薄膜磁気ヘッドであって、該薄膜磁気ヘッドは、
    非磁性材料からなる基板上に形成された下部磁気コア
    と、該下部磁気コア上に形成され一端が前記下部磁気コ
    アの一端に接し、他端が前記下部磁気コアの他端に磁気
    ギャップを介して対向し、磁気回路を形成する上部磁気
    コアと、前記下部及び上部磁気コア間に形成された導体
    コイルとを具備し、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を被うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対応する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタントホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有し、前記薄膜磁気ヘッドを前記磁気
    ディスクにアクセスする工程と、 前記磁気ディスクに対して、一インチ当り30キロビット
    以上の線記録密度で磁気的に情報を書き込む工程と、 再び、前記磁気ディスクに対して情報を書き込み及び読
    み出しを行う薄膜磁気ヘッドを前記磁気ディスクにアク
    セスする工程と、 前記磁気ディスクに前記線記録密度で書き込まれた前記
    情報を１秒間当り４メガバイト以上で読み出す工程とを
    有することを特徴とする情報の書込・読出方法。
  15. 【請求項１５】情報を記録する直径9.5インチ以下の磁
    気ディスクと、 該磁気ディスクに対して情報の書き込み又は読み出しを
    行う薄膜磁気ヘッドと、 前記磁気ディスクを回転させる手段と、 前記薄膜磁気ヘッドの位置決め手段とを有するヘッド・
    ディスク・アッセンブリを少なくとも１つ以上具備する
    磁気ディスク装置において、 前記薄膜磁気ヘッドのデータ転送速度が、１秒間当り4.
    5〜6.0メガバイトであり、 前記磁気ディスクを１分間当り4500〜5500回で回転する
    磁気ディスク回転手段を有し、 前記薄膜磁気ヘッドは、非磁性材料からなる基板上に形
    成された下部磁気コアと、該下部磁気コア上に形成され
    一端が前記下部磁気コアの一端に接し、他端が前記下部
    磁気コアの他端に磁気ギャップを介して対向し、磁気回
    路を形成する上部磁気コアと、前記下部及び上部磁気コ
    ア間に形成された導体コイルとを具備し、 前記上部磁気コアが、前記磁気ディスク面側に形成され
    た先端部と、少なくとも該先端部上面全体を非うように
    形成し該先端部を保護する保護膜と、該保護膜の前記先
    端部に対応する一部に該先端部を露出させるように設け
    られたコンタクトホールを通じて該先端部と接触させて
    形成した後部とを有することを特徴とする磁気ディスク
    装置。
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DE69030891T DE69030891T2 (de) 1989-03-20 1990-03-07 Dünnfilmmagnetköpfe, ihr Herstellungsverfahren und diese Köpfe enthaltendes magnetisches Informationsspeicherungsgerät
EP90302412A EP0389143B1 (en) 1989-03-20 1990-03-07 Thin film magnetic heads, their manufacture and magnetic information storage apparatus including them
US07/495,908 US5245493A (en) 1989-03-20 1990-03-20 Magnetic information storage apparatus including magnetic head and method for making magnetic head
KR1019900003715A KR940009723B1 (ko) 1989-03-20 1990-03-20 박막자기헤드 제조방법과 그것을 내장한 자기정보 저장장치

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Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0810485B2 (ja) * 1989-03-20 1996-01-31 株式会社日立製作所 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法
EP0452846B1 (en) * 1990-04-16 1996-02-28 Hitachi, Ltd. Narrow track thin film magnetic head and fabrication method thereof
US5590008A (en) * 1991-04-25 1996-12-31 Hitachi, Ltd. Magnetic disc unit having a plurality of magnetic heads which include multilayer magnetic films
US5285340A (en) * 1992-02-28 1994-02-08 International Business Machines Corporation Thin film magnetic head with conformable pole tips
US6198597B1 (en) 1993-08-10 2001-03-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film magnetic head having improved magnetic pole structure
US5872693A (en) * 1993-08-10 1999-02-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Thin-film magnetic head having a portion of the upper magnetic core coplanar with a portion of the lower magnetic core
US6118627A (en) * 1994-10-31 2000-09-12 Seagate Technology Llc Thin film head design improving top pole width control
US5600519A (en) * 1995-03-06 1997-02-04 International Business Machines Corporation Controlled saturation thin film magnetic write head
JPH08339508A (ja) * 1995-06-14 1996-12-24 Nec Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法ならびに磁気記憶装 置
US5710683A (en) * 1996-04-18 1998-01-20 Storage Technology Corporation Thin film tape head with substrate for reduced pole-tip recession
US5798897A (en) * 1996-10-21 1998-08-25 International Business Machines Corporation Inductive write head with insulation stack configured for eliminating reflective notching
US5805391A (en) * 1996-10-28 1998-09-08 International Business Machines Corporation Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height
KR100233401B1 (ko) * 1996-12-31 1999-12-01 윤종용 박막헤드를 구비하는 디스크 구동 기록장치의 위글 노이즈 제거방법
US5801910A (en) * 1997-06-02 1998-09-01 Quantum Corporation Long saturation zone magnetic write head
US6810578B1 (en) * 1997-11-19 2004-11-02 Tdk Corporation Method of manufacturing thin film magnetic head with improved performance
JP3305244B2 (ja) * 1997-12-10 2002-07-22 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US20020067570A1 (en) * 1997-12-12 2002-06-06 Yoshitaka Sasaki Thin film magnetic head recessed partially into substrate and including plantarization layersi
US6016242A (en) * 1998-03-20 2000-01-18 Seagate Technology, Inc. Narrow top poles for inductive magnetic heads, masks and processes for making the same
JPH11288503A (ja) * 1998-04-02 1999-10-19 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US6104576A (en) * 1998-04-10 2000-08-15 International Business Machines Corporation Inductive head with reduced height insulation stack due to partial coverage zero throat height defining insulation layer
JP3292148B2 (ja) * 1998-07-15 2002-06-17 日本電気株式会社 薄膜磁気ヘッド、その製造方法及び磁気記憶装置
JP2000105907A (ja) 1998-07-30 2000-04-11 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP2000057522A (ja) * 1998-08-06 2000-02-25 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6337783B1 (en) 1998-08-12 2002-01-08 International Business Machines Corporation Write head with multi-stitched second pole piece
US6525902B1 (en) * 1998-10-13 2003-02-25 Seagate Technology Llc High areal density thin film magnetic head
US6944938B1 (en) 1999-05-03 2005-09-20 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
US6829819B1 (en) 1999-05-03 2004-12-14 Western Digital (Fremont), Inc. Method of forming a magnetoresistive device
JP3522593B2 (ja) * 1999-06-15 2004-04-26 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3499164B2 (ja) 1999-09-24 2004-02-23 株式会社東芝 磁気ヘッド、その製造方法及び垂直磁気記録装置
JP3529678B2 (ja) * 1999-10-06 2004-05-24 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法
US6504677B1 (en) * 1999-12-28 2003-01-07 Headway Technologies, Inc. Multi-layer stitched write head design for high data rate application
JP2001351204A (ja) * 2000-03-10 2001-12-21 Tdk Corp 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
JP3883357B2 (ja) * 2000-03-22 2007-02-21 Ｔｄｋ株式会社 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
US7190553B2 (en) * 2000-04-04 2007-03-13 Alps Electric Co., Ltd. Thin-film magnetic head having lower magnetic pole layer and insulator layer behind the lower magnetic pole layer in the direction of height of the pole layer, and method for manufacturing the thin-film magnetic head
JP3602038B2 (ja) * 2000-07-24 2004-12-15 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気ヘッドおよび磁気記録再生装置
US6633453B1 (en) 2000-09-01 2003-10-14 International Business Machines Corporation Shallow recessed T-head with reduced side-writing and method for making the same
US6785953B2 (en) 2001-06-18 2004-09-07 International Business Machines Corporation Process of fabricating a write head with protection of a second pole tip thickness
US6798616B1 (en) * 2001-07-10 2004-09-28 Western Digital (Fremont), Inc. Write head architecture for improved manufacturability
KR20030034383A (ko) * 2001-10-23 2003-05-09 주식회사 한소닉테크 박막 자기 헤드의 제조방법
US7298587B2 (en) 2002-08-05 2007-11-20 Seagate Technology Llc Rounded top pole
US6906893B2 (en) 2002-10-08 2005-06-14 Hitachi Global Storage Technologies Magnetic head coil and structure for protecting same during pole notch processing
US7684150B2 (en) 2003-07-09 2010-03-23 Seagate Technology Llc Recording head for reducing side track erasure
US8331058B2 (en) * 2004-05-28 2012-12-11 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Method and apparatus for providing a write head with an improved pole tip to improve overwrite and/or adjacent track interference
JP4595789B2 (ja) * 2005-11-17 2010-12-08 富士ゼロックス株式会社 画像処理装置、画像処理方法、及び画像処理プログラム
US8553361B2 (en) * 2008-04-25 2013-10-08 HGST Netherlands B.V. Perpendicular write head having a trailing shield with a short gap, short throat and high apex angle for improved linear density recording
US8449752B2 (en) * 2009-09-30 2013-05-28 HGST Netherlands B.V. Trailing plated step
US20110075299A1 (en) * 2009-09-30 2011-03-31 Olson Trevor W Magnetic write heads for hard disk drives and method of forming same
US8724258B2 (en) * 2009-09-30 2014-05-13 HGST Netherlands B.V. Slanted bump design for magnetic shields in perpendicular write heads and method of making same
JP6027819B2 (ja) * 2012-08-20 2016-11-16 日東電工株式会社 配線回路基板
KR102194727B1 (ko) 2015-04-29 2020-12-23 삼성전기주식회사 인덕터

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59104717A (ja) * 1982-12-08 1984-06-16 Comput Basic Mach Technol Res Assoc 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
US4589042A (en) * 1983-06-27 1986-05-13 International Business Machines Corporation Composite thin film transducer head
JPS6010409A (ja) * 1983-06-29 1985-01-19 Fujitsu Ltd 薄膜磁気ヘツドの製造方法
US4853815A (en) * 1984-12-21 1989-08-01 Siemens Aktiengesellschaft Magnetic thin-film head on a nonmagnetic substrate for vertical mangetization
US4890378A (en) * 1985-08-28 1990-01-02 Canon Kabushiki Kaisha Method for manufacturing a magnetic head core having a magnetic film
JPH0736208B2 (ja) * 1985-09-12 1995-04-19 セイコーエプソン株式会社 磁気ヘッドの製造方法
JPS6271006A (ja) * 1985-09-24 1987-04-01 Seiko Epson Corp 磁気ヘツドの製造方法
JPS6292215A (ja) * 1985-10-18 1987-04-27 Seiko Epson Corp 磁気ヘツド
JPS62173607A (ja) * 1986-01-27 1987-07-30 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツド
JPS63146202A (ja) * 1986-12-09 1988-06-18 Canon Electronics Inc 磁気ヘツド及びその製造方法
JPH087848B2 (ja) * 1987-01-06 1996-01-29 アルプス電気株式会社 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法
EP0311854A1 (de) * 1987-10-16 1989-04-19 Siemens Aktiengesellschaft Dünnfilm-Magnetkopf mit schichtweisem Aufbau zur senkrechten Magnetisierung
US4962437A (en) * 1988-02-24 1990-10-09 Magnetic Peripherals Inc. Thin film servo head employing the inactive transducer coils to cancel write noise from nearby data heads
US4839197A (en) * 1988-04-13 1989-06-13 Storage Technology Corporation Process for fabricating thin film magnetic recording heads having precision control of the width tolerance of the upper pole tip
US5060098A (en) * 1988-04-18 1991-10-22 Hitachi, Ltd. Magnetic recorder provided with a magnetic head slider having a non-magnetic oxide of spinel structure
JPH0810485B2 (ja) * 1989-03-20 1996-01-31 株式会社日立製作所 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法
JPH0383213A (ja) * 1989-08-24 1991-04-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜磁気ヘッド
US5142425A (en) * 1990-08-09 1992-08-25 Hewlett-Packard Company Disk drive in which magnetic head-to-disk capacitive coupling is eliminated

Also Published As

Publication number Publication date
EP0389143A3 (en) 1993-07-14
EP0389143B1 (en) 1997-06-11
JPH02247809A (ja) 1990-10-03
DE69030891D1 (de) 1997-07-17
KR900015071A (ko) 1990-10-25
DE69030891T2 (de) 1998-01-02
KR940009723B1 (ko) 1994-10-17
US5245493A (en) 1993-09-14
EP0389143A2 (en) 1990-09-26

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