JPH087848B2 - 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法Info
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- JPH087848B2 JPH087848B2 JP62001189A JP118987A JPH087848B2 JP H087848 B2 JPH087848 B2 JP H087848B2 JP 62001189 A JP62001189 A JP 62001189A JP 118987 A JP118987 A JP 118987A JP H087848 B2 JPH087848 B2 JP H087848B2
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3109—Details
- G11B5/313—Disposition of layers
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法に関
し、特にコンピュータ用外部記憶装置としての固定ディ
スク装置や磁気テープ装置等に使用される薄膜磁気ヘッ
ドおよびその製造方法に関する。
し、特にコンピュータ用外部記憶装置としての固定ディ
スク装置や磁気テープ装置等に使用される薄膜磁気ヘッ
ドおよびその製造方法に関する。
従来、この種の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法で
は、第３図（ａ）に示すように、まず非磁性材でなる基
板21を用意し、第３図（ｂ）に示すように、基板21上に
磁性材でなる下部コア層22を先端部22aが後部に比べて
厚みが一段と薄くなるように形成する。次に、第３図
（ｃ）に示すように、下部コア層22上に非磁性材でなる
磁気ギャップ層23を形成し、下部コア層22と後述する上
部コア層31との接続のための透孔23aを穿設しておく。
続いて、第３図（ｄ）に示すように、層間絶縁層26,1層
目の第１導体コイル層27,層間絶縁層28,2層目の第２導
体コイル層29および層間絶縁層30を順次形成する。そし
て、第３図（ｅ）に示すように、磁性材でなる上部コア
層31が形成され、第３図（ｆ）に示すように、上部コア
層31が所望の形状に加工される。この後、保護層（図示
せず）が被覆されて研摩等が行われ、従来の薄膜磁気ヘ
ッドが完成される。
は、第３図（ａ）に示すように、まず非磁性材でなる基
板21を用意し、第３図（ｂ）に示すように、基板21上に
磁性材でなる下部コア層22を先端部22aが後部に比べて
厚みが一段と薄くなるように形成する。次に、第３図
（ｃ）に示すように、下部コア層22上に非磁性材でなる
磁気ギャップ層23を形成し、下部コア層22と後述する上
部コア層31との接続のための透孔23aを穿設しておく。
続いて、第３図（ｄ）に示すように、層間絶縁層26,1層
目の第１導体コイル層27,層間絶縁層28,2層目の第２導
体コイル層29および層間絶縁層30を順次形成する。そし
て、第３図（ｅ）に示すように、磁性材でなる上部コア
層31が形成され、第３図（ｆ）に示すように、上部コア
層31が所望の形状に加工される。この後、保護層（図示
せず）が被覆されて研摩等が行われ、従来の薄膜磁気ヘ
ッドが完成される。
このような従来の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法
では、薄膜磁気ヘッドにとって最も重要な部分である磁
気ギャップ層23がその形成後に層間絶縁層26,28および3
0や導体コイル層27および29の形成工程などにおいて様
々な作用を受けるので、多数の工程により磁気ギャップ
層23がダメージを受けて特性が劣化したり、平坦度や寸
法がともに悪化してしまったりするという不具合があっ
たが、上部コア層のポール部とヨーク部とを分離して形
成することにより、磁気ギャップ層の特性劣化を抑える
ようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法がすでに
提案されている（特開昭61−178710号公報参照）。
では、薄膜磁気ヘッドにとって最も重要な部分である磁
気ギャップ層23がその形成後に層間絶縁層26,28および3
0や導体コイル層27および29の形成工程などにおいて様
々な作用を受けるので、多数の工程により磁気ギャップ
層23がダメージを受けて特性が劣化したり、平坦度や寸
法がともに悪化してしまったりするという不具合があっ
たが、上部コア層のポール部とヨーク部とを分離して形
成することにより、磁気ギャップ層の特性劣化を抑える
ようにした薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法がすでに
提案されている（特開昭61−178710号公報参照）。
また、従来の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法で
は、ギャップデプスを規制する部分である層間絶縁層26
の先端部が磁気ギャップ層23の場合と同様に以降の工程
によって様々な作用を受けるので、寸法精度が悪化して
ギャップデプスを精度良く出すことが困難であるという
不具合があったが、磁気ギャップ層上にエッチングスト
ッパを形成することにより、ギャップデプスを高精度に
出すことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法がすでに提案されている（特開昭58−128017号
公報参照）。
は、ギャップデプスを規制する部分である層間絶縁層26
の先端部が磁気ギャップ層23の場合と同様に以降の工程
によって様々な作用を受けるので、寸法精度が悪化して
ギャップデプスを精度良く出すことが困難であるという
不具合があったが、磁気ギャップ層上にエッチングスト
ッパを形成することにより、ギャップデプスを高精度に
出すことができるようにした薄膜磁気ヘッドおよびその
製造方法がすでに提案されている（特開昭58−128017号
公報参照）。
しかし、上述した従来の薄膜磁気ヘッドでは、下部コ
ア層22と上部コア層31との接続点の位置が低く、上部コ
ア層31を下部コア層22に接続するための穴が深いので、
穴の斜面部については上部コア層31を形成する磁性材の
結晶成長の乱れが発生するという問題点があった。
ア層22と上部コア層31との接続点の位置が低く、上部コ
ア層31を下部コア層22に接続するための穴が深いので、
穴の斜面部については上部コア層31を形成する磁性材の
結晶成長の乱れが発生するという問題点があった。
また、このような問題点を解決するために、従来の薄
膜磁気ヘッドの製造方法でも、下部コア層22の一部を隆
起させて上部コア層31との接続位置を高めるようにする
ことが可能であるが、このためには工程数が余計にかか
るという問題点があった。
膜磁気ヘッドの製造方法でも、下部コア層22の一部を隆
起させて上部コア層31との接続位置を高めるようにする
ことが可能であるが、このためには工程数が余計にかか
るという問題点があった。
本発明の目的は、上述の点に鑑み、下部コア層を２層
とし、第１下部コア層の上に磁気ギャップ層を形成し、
その上にギャップデプス規制部および接続点リフト部を
形成し、さらにその上に第２下部コア層を形成して、第
２下部コア層を接続点リフト部の位置で上部コア層後部
と結合するようにした薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
とし、第１下部コア層の上に磁気ギャップ層を形成し、
その上にギャップデプス規制部および接続点リフト部を
形成し、さらにその上に第２下部コア層を形成して、第
２下部コア層を接続点リフト部の位置で上部コア層後部
と結合するようにした薄膜磁気ヘッドを提供することに
ある。
また、本発明の他の目的は、ギャップデプス規制部お
よび接続点リフト部を同時に形成するとともに、上部コ
ア層先端部および第２下部コア層を同時に形成するよう
にして、工程数の増加を抑えるようにした薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
よび接続点リフト部を同時に形成するとともに、上部コ
ア層先端部および第２下部コア層を同時に形成するよう
にして、工程数の増加を抑えるようにした薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法を提供することにある。
本発明の薄膜磁気ヘッドは、薄膜製造方法により製造
される薄膜磁気ヘッドにおいて、非磁性材料でなる基板
上に形成された第１下部コア層と、この第１下部コア層
上に形成された磁気ギャップ層と、この磁気ギャップ層
の磁気ギャップ先端部の後端側上に形成されたギャップ
デプス規制部と、前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ後
端部の先端側上に形成された接続点リフト部と、前記磁
気ギャップ層の前記磁気ギャップ先端部上から前記ギャ
ップデプス規制部上までの範囲に形成された上部コア層
先端部と、前記磁気ギャップ層の前記ギャップデプス規
制部の後方位置上から前記磁気ギャップ後端部上まで
の、前記接続点リフト部上を含む範囲に形成された第２
下部コア層と、前記第２下部コア層上の、前記接続点リ
フト部上を除く範囲に層間絶縁層を介して形成された導
体コイル層と、前記導体コイル層上に層間絶縁層を介し
て形成され前記上部コア層先端部と前記接続点リフト部
上の前記第２下部コア層とに結合された上部コア層後部
とを有することを特徴とする。
される薄膜磁気ヘッドにおいて、非磁性材料でなる基板
上に形成された第１下部コア層と、この第１下部コア層
上に形成された磁気ギャップ層と、この磁気ギャップ層
の磁気ギャップ先端部の後端側上に形成されたギャップ
デプス規制部と、前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ後
端部の先端側上に形成された接続点リフト部と、前記磁
気ギャップ層の前記磁気ギャップ先端部上から前記ギャ
ップデプス規制部上までの範囲に形成された上部コア層
先端部と、前記磁気ギャップ層の前記ギャップデプス規
制部の後方位置上から前記磁気ギャップ後端部上まで
の、前記接続点リフト部上を含む範囲に形成された第２
下部コア層と、前記第２下部コア層上の、前記接続点リ
フト部上を除く範囲に層間絶縁層を介して形成された導
体コイル層と、前記導体コイル層上に層間絶縁層を介し
て形成され前記上部コア層先端部と前記接続点リフト部
上の前記第２下部コア層とに結合された上部コア層後部
とを有することを特徴とする。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、薄膜製
造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、非磁性材料でなる基板上に第１下部コア層を形成
する工程と、前記第１下部コア層上に磁気ギャップ層を
形成する工程と、前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ先
端部の後端側上にギャップデプス規制部を、前記磁気ギ
ャップ層の磁気ギャップ後端部の先端側上に接続点リフ
ト部を同時に形成する工程と、前記磁気ギャップ層の前
記磁気ギャップ先端部上から前記ギャップデプス規制部
上までの範囲に上部コア層先端部を、前記磁気ギャップ
層の前記ギャップデプス規制部の後方位置上から前記磁
気ギャップ後端部上までの、前記接続点リフト部上を含
む範囲に第２下部コア層を同時に形成する工程と、前記
第２下部コア層上の、前記接続点リフト部上を除く範囲
に層間絶縁層を介して導体コイル層を形成する工程と、
前記導体コイル層上に層間絶縁層を介して前記上部コア
層先端部と前記接続点リフト部上の前記第２下部コア層
とに結合された上部コア層後部を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。
造方法により製造される薄膜磁気ヘッドの製造方法にお
いて、非磁性材料でなる基板上に第１下部コア層を形成
する工程と、前記第１下部コア層上に磁気ギャップ層を
形成する工程と、前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ先
端部の後端側上にギャップデプス規制部を、前記磁気ギ
ャップ層の磁気ギャップ後端部の先端側上に接続点リフ
ト部を同時に形成する工程と、前記磁気ギャップ層の前
記磁気ギャップ先端部上から前記ギャップデプス規制部
上までの範囲に上部コア層先端部を、前記磁気ギャップ
層の前記ギャップデプス規制部の後方位置上から前記磁
気ギャップ後端部上までの、前記接続点リフト部上を含
む範囲に第２下部コア層を同時に形成する工程と、前記
第２下部コア層上の、前記接続点リフト部上を除く範囲
に層間絶縁層を介して導体コイル層を形成する工程と、
前記導体コイル層上に層間絶縁層を介して前記上部コア
層先端部と前記接続点リフト部上の前記第２下部コア層
とに結合された上部コア層後部を形成する工程とを含む
ことを特徴とする。
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、下部コア層を２層と
し、第１下部コア層の上に磁気ギャップ層を形成し、そ
の上にギャップデプス規制部および接続点リフト部を形
成し、さらにその上に第２下部コア層を形成して、第２
下部コア層を接続点リフト部の位置で上部コア層後部と
結合したので、下部コア層と上部コア層との接続のため
の穴が浅くてすむ。
し、第１下部コア層の上に磁気ギャップ層を形成し、そ
の上にギャップデプス規制部および接続点リフト部を形
成し、さらにその上に第２下部コア層を形成して、第２
下部コア層を接続点リフト部の位置で上部コア層後部と
結合したので、下部コア層と上部コア層との接続のため
の穴が浅くてすむ。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法では、非磁
性材でなる基材上に第１下部コア層が形成され、第１下
部コア層上に磁気ギャップ層が形成され、磁気ギャップ
層上にギャップデプス規制部および接続点リフト部が同
時に形成され、磁気ギャップ層，ギャップデプス規制部
および接続点リフト部上に上部コア層先端部および第２
下部コア層が同時に形成され、第２下部コア層上に層間
絶縁層および導体コイル層が形成され、導体コイル層を
絶縁する層間絶縁層上に上部コア層先端部および第２下
部コア層に結合される上部コア層後部が形成される。
性材でなる基材上に第１下部コア層が形成され、第１下
部コア層上に磁気ギャップ層が形成され、磁気ギャップ
層上にギャップデプス規制部および接続点リフト部が同
時に形成され、磁気ギャップ層，ギャップデプス規制部
および接続点リフト部上に上部コア層先端部および第２
下部コア層が同時に形成され、第２下部コア層上に層間
絶縁層および導体コイル層が形成され、導体コイル層を
絶縁する層間絶縁層上に上部コア層先端部および第２下
部コア層に結合される上部コア層後部が形成される。
次に、本発明について図面を参照しながら説明する。
第１図は、本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドを
示す断面図である。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、非磁
性材でなる基板１と、この基板１上に磁性材により形成
された１層目の第１下部コア層２と、第１下部コア層２
上に非磁性材により形成された磁気ギャップ層３と、磁
気ギャップ層３上に非磁性材により形成されたギャップ
デプス規制部4aおよび接続点リフト部4bと、磁気ギャッ
プ層3,ギャップデプス規制部4aおよび接続点リフト部4b
上に磁性材により形成された上部コア層先端部5aおよび
２層目の第２下部コア層5bと、第２下部コア層5b上に絶
縁と平坦化のために絶縁材により形成された層間絶縁層
６と、層間絶縁層６上に導電材により平面螺旋状に形成
された１層目の第１導体コイル層７と、第１導体コイル
層７上に絶縁と平坦化のために絶縁材により形成された
層間絶縁層８と、層間絶縁層８上に導電材により平面螺
旋状に形成された２層目の第２導体コイル層９と、第２
導体コイル層９上に絶縁と平坦化のために絶縁材により
形成された層間絶縁層10と、層間絶縁層10上に上部コア
先端部5aおよび第２下部コア層5bと結合されて形成され
た上部コア層後部11と、上部コア層後部11上等に保護材
により形成された保護層12とから、その主要部が構成さ
れている。
示す断面図である。本実施例の薄膜磁気ヘッドは、非磁
性材でなる基板１と、この基板１上に磁性材により形成
された１層目の第１下部コア層２と、第１下部コア層２
上に非磁性材により形成された磁気ギャップ層３と、磁
気ギャップ層３上に非磁性材により形成されたギャップ
デプス規制部4aおよび接続点リフト部4bと、磁気ギャッ
プ層3,ギャップデプス規制部4aおよび接続点リフト部4b
上に磁性材により形成された上部コア層先端部5aおよび
２層目の第２下部コア層5bと、第２下部コア層5b上に絶
縁と平坦化のために絶縁材により形成された層間絶縁層
６と、層間絶縁層６上に導電材により平面螺旋状に形成
された１層目の第１導体コイル層７と、第１導体コイル
層７上に絶縁と平坦化のために絶縁材により形成された
層間絶縁層８と、層間絶縁層８上に導電材により平面螺
旋状に形成された２層目の第２導体コイル層９と、第２
導体コイル層９上に絶縁と平坦化のために絶縁材により
形成された層間絶縁層10と、層間絶縁層10上に上部コア
先端部5aおよび第２下部コア層5bと結合されて形成され
た上部コア層後部11と、上部コア層後部11上等に保護材
により形成された保護層12とから、その主要部が構成さ
れている。
なお、本実施例の薄膜磁気ヘッドでは、第１下部コア
層２と第２下部コア層5bとが直接的には接続されていな
いが、両者間に介在する磁気ギャップ層３が１μｍ以下
のきわめて薄い層であるので、磁気ギャップ層３を介し
て磁束が流れて下部コア層としての機能に支障が生じる
ようなことはない。
層２と第２下部コア層5bとが直接的には接続されていな
いが、両者間に介在する磁気ギャップ層３が１μｍ以下
のきわめて薄い層であるので、磁気ギャップ層３を介し
て磁束が流れて下部コア層としての機能に支障が生じる
ようなことはない。
次に、このように構成された本実施例の薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法について第２図（ａ）〜（ｆ）を参照しな
がら説明する。
ドの製造方法について第２図（ａ）〜（ｆ）を参照しな
がら説明する。
まず、第２図（ａ）に示すように、アルテック，ノン
マグネチックフェライト等の非磁性材でなる基板上にア
ルミナ等の平坦度の出しやすい材料をスパッタリング等
によりコートし精度良く研摩したものを基板１として用
い、この基板１上にフェライト等の磁性材のスパッタリ
ング，メッキ等により１層目の第１下部コア層２を形成
し、さらに第１下部コア層２上にシリカ，アルミナ等の
非磁性材のスパッタリング等により磁気ギャップ層３を
形成する。
マグネチックフェライト等の非磁性材でなる基板上にア
ルミナ等の平坦度の出しやすい材料をスパッタリング等
によりコートし精度良く研摩したものを基板１として用
い、この基板１上にフェライト等の磁性材のスパッタリ
ング，メッキ等により１層目の第１下部コア層２を形成
し、さらに第１下部コア層２上にシリカ，アルミナ等の
非磁性材のスパッタリング等により磁気ギャップ層３を
形成する。
次に、第２図（ｂ）に示すように、ポリイミド等の有
機材やシリカ，アルミナ等の無機材の非磁性材を積層し
加工することにより、上部コア層先端部5aのギャップデ
プスを出すためのギャップデプス規制部4aおよび第２下
部コア層5bと上部コア層後部11とを高い位置で接続させ
るための接続点リフト部4bをそれぞれ形成する。ギャッ
プデプス規制部4aは、磁気ギャップ層３の磁気ギャップ
先端部3aの後端側上に形成され、接続点リフト部4bは、
磁気ギャップ層３の磁気ギャップ後端部3bの先端側上に
形成される。
機材やシリカ，アルミナ等の無機材の非磁性材を積層し
加工することにより、上部コア層先端部5aのギャップデ
プスを出すためのギャップデプス規制部4aおよび第２下
部コア層5bと上部コア層後部11とを高い位置で接続させ
るための接続点リフト部4bをそれぞれ形成する。ギャッ
プデプス規制部4aは、磁気ギャップ層３の磁気ギャップ
先端部3aの後端側上に形成され、接続点リフト部4bは、
磁気ギャップ層３の磁気ギャップ後端部3bの先端側上に
形成される。
続いて、第２図（ｃ）に示すように、フェライト，セ
ンダスト，アモルファス金属等の磁性材をスパッタリン
グ等することにより磁性材層５を形成する。
ンダスト，アモルファス金属等の磁性材をスパッタリン
グ等することにより磁性材層５を形成する。
次に、第２図（ｄ）に示すように、ミリング等のエッ
チング手段により磁性材層５を加工することにより、上
部コア層先端部5aと２層目の第２下部コア層5bとを分離
して形成する。上部コア層先端部5aは、磁気ギャップ層
３の磁気ギャップ先端部3a上からギャップデプス規制部
4a上までの範囲に形成され、第２下部コア層5bは、磁気
ギャップ層３のギャップデプス規制部4aの後方位置上か
ら磁気ギャップ後端部3b上までの、接続点リフト部4b上
を含む範囲に形成される。このとき、ギャップデプス規
制部4aにより上部コア層先端部5aのギャップデプスが正
確に出され、接続点リフト部4bにより第２下部コア層5b
の上部コア層後部11との接続点が高い位置に形成され
る。
チング手段により磁性材層５を加工することにより、上
部コア層先端部5aと２層目の第２下部コア層5bとを分離
して形成する。上部コア層先端部5aは、磁気ギャップ層
３の磁気ギャップ先端部3a上からギャップデプス規制部
4a上までの範囲に形成され、第２下部コア層5bは、磁気
ギャップ層３のギャップデプス規制部4aの後方位置上か
ら磁気ギャップ後端部3b上までの、接続点リフト部4b上
を含む範囲に形成される。このとき、ギャップデプス規
制部4aにより上部コア層先端部5aのギャップデプスが正
確に出され、接続点リフト部4bにより第２下部コア層5b
の上部コア層後部11との接続点が高い位置に形成され
る。
続いて、第２図（ｅ）に示すように、第２下部コア層
5b上などに絶縁および平坦化のためにポリイミド等の有
機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁材を積層する
ことにより層間絶縁層６が形成され、層間絶縁層６上に
銅，アルミニューム等の導電材のスパッタリング等によ
り平面螺旋状に第１導体コイル層７が形成され、第１導
体コイル層７上に絶縁および平坦化のためにポリイミド
等の有機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁材を積
層することにより層間絶縁層８が形成され、層間絶縁層
８上に銅，アルミニューム等の導電材のスパッタリング
等により平面螺旋状に第２導体コイル層９が形成され、
第２導体コイル層９上に絶縁および平坦化のためにポリ
イミド等の有機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁
材を積層することにより層間絶縁層10が形成される。層
間絶縁層6,第１導体コイル層7,層間絶縁層８および第２
導体コイル層９は、上部コア層先端部5aおよび接続点リ
フト部4b上の第２下部コア層5b上には形成されない。
5b上などに絶縁および平坦化のためにポリイミド等の有
機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁材を積層する
ことにより層間絶縁層６が形成され、層間絶縁層６上に
銅，アルミニューム等の導電材のスパッタリング等によ
り平面螺旋状に第１導体コイル層７が形成され、第１導
体コイル層７上に絶縁および平坦化のためにポリイミド
等の有機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁材を積
層することにより層間絶縁層８が形成され、層間絶縁層
８上に銅，アルミニューム等の導電材のスパッタリング
等により平面螺旋状に第２導体コイル層９が形成され、
第２導体コイル層９上に絶縁および平坦化のためにポリ
イミド等の有機材やシリカ，アルミナ等の無機材の絶縁
材を積層することにより層間絶縁層10が形成される。層
間絶縁層6,第１導体コイル層7,層間絶縁層８および第２
導体コイル層９は、上部コア層先端部5aおよび接続点リ
フト部4b上の第２下部コア層5b上には形成されない。
次に、第２図（ｆ）に示すように、層間絶縁層10上に
フェライト，センダスト，アモルファス金属等の磁性材
をスパッタリング等することにより上部コア層後部11が
上部コア層先端部5aおよび第２下部コア層5bと結合され
て形成される。
フェライト，センダスト，アモルファス金属等の磁性材
をスパッタリング等することにより上部コア層後部11が
上部コア層先端部5aおよび第２下部コア層5bと結合され
て形成される。
しかる後に、上部コア層後部11上等に合成樹脂，カー
ボン等の塗布，スパッタリング等により保護層12が被覆
されて研摩等が行われ、第１図に示すような本実施例の
薄膜磁気ヘッドが完成される。
ボン等の塗布，スパッタリング等により保護層12が被覆
されて研摩等が行われ、第１図に示すような本実施例の
薄膜磁気ヘッドが完成される。
以上説明したように、本発明の薄膜磁気ヘッドによれ
ば、下部コア層を２層とし、第１下部コア層の上に磁気
ギャップ層を形成し、その上にギャップデプス規制部お
よび接続点リフト部を形成し、さらにその上に第２下部
コア層を形成して、第２下部コア層を接続点リフト部の
位置で上部コア層後部と結合したので、第２下部コア層
と上部コア層後部との接続点を高めることができ、この
ため第２下部コア層と上部コア層後部との結合のための
穴が浅くなり、穴の斜面部における上部コア層後部の結
晶成長の乱れが少なくなるという効果がある。
ば、下部コア層を２層とし、第１下部コア層の上に磁気
ギャップ層を形成し、その上にギャップデプス規制部お
よび接続点リフト部を形成し、さらにその上に第２下部
コア層を形成して、第２下部コア層を接続点リフト部の
位置で上部コア層後部と結合したので、第２下部コア層
と上部コア層後部との接続点を高めることができ、この
ため第２下部コア層と上部コア層後部との結合のための
穴が浅くなり、穴の斜面部における上部コア層後部の結
晶成長の乱れが少なくなるという効果がある。
また、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、
ギャップデプス規制部および接続点リフト部を同時に形
成するとともに、上部コア層先端部および第２下部コア
層を同時に形成するようにしたので、工程数の増加を抑
えながら穴の斜面部における上部コア層後部の結晶成長
の乱れが少ない薄膜磁気ヘッドが得られるという効果が
ある。
ギャップデプス規制部および接続点リフト部を同時に形
成するとともに、上部コア層先端部および第２下部コア
層を同時に形成するようにしたので、工程数の増加を抑
えながら穴の斜面部における上部コア層後部の結晶成長
の乱れが少ない薄膜磁気ヘッドが得られるという効果が
ある。
第１図は、本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドを示
す断面図、 第２図（ａ）〜（ｆ）は、第１図に示した薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における順次の工程を示す断面図、 第３図（ａ）〜（ｆ）は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例における順次の工程を示す断面図である。 図において、 １……基板、 ２……第１下部コア層、 ３……磁気ギャップ層、 3a……磁気ギャップ先端部、3b……磁気ギャップ後端部 4a……ギャップデプス規制部、 4b……接続点リフト部、 5a……上部コア層先端部、 5b……第２下部コア層、 6,8,10……層間絶縁層、 ７……第１導体コイル層、 ９……第２導体コイル層、 11……上部コア層後部である。
す断面図、 第２図（ａ）〜（ｆ）は、第１図に示した薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法における順次の工程を示す断面図、 第３図（ａ）〜（ｆ）は、従来の薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一例における順次の工程を示す断面図である。 図において、 １……基板、 ２……第１下部コア層、 ３……磁気ギャップ層、 3a……磁気ギャップ先端部、3b……磁気ギャップ後端部 4a……ギャップデプス規制部、 4b……接続点リフト部、 5a……上部コア層先端部、 5b……第２下部コア層、 6,8,10……層間絶縁層、 ７……第１導体コイル層、 ９……第２導体コイル層、 11……上部コア層後部である。
Claims (2)
- 【請求項１】薄膜製造方法により製造される薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、 非磁性材料でなる基板上に形成された第１下部コア層
と、 この第１下部コア層上に形成された磁気ギャップ層と、 この磁気ギャップ層の磁気ギャップ先端部の後端側上に
形成されたギャップデプス規制部と、 前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ後端部の先端側上に
形成された接続点リフト部と、 前記磁気ギャップ層の前記磁気ギャップ先端部上から前
記ギャップデプス規制部上までの範囲に形成された上部
コア層先端部と、 前記磁気ギャップ層の前記ギャップデプス規制部の後方
位置上から前記磁気ギャップ後端部上までの、前記接続
点リフト部上を含む範囲に形成された第２下部コア層
と、 前記第２下部コア層上の、前記接続点リフト部上を除く
範囲に層間絶縁層を介して形成された導体コイル層と、 前記導体コイル層上に層間絶縁層を介して形成され前記
上部コア層先端部と前記接続点リフト部上の前記第２下
部コア層とに結合された上部コア層後部と、 を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】薄膜製造方法により製造される薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法において、 非磁性材料でなる基板上に第１下部コア層を形成する工
程と、 前記第１下部コア層上に磁気ギャップ層を形成する工程
と、 前記磁気ギャップ層の磁気ギャップ先端部の後端側上に
ギャップデプス規制部を、前記磁気ギャップ層の磁気ギ
ャップ後端部の先端側上に接続点リフト部を同時に形成
する工程と、 前記磁気ギャップ層の前記磁気ギャップ先端部上から前
記ギャップデプス規制部上までの範囲に上部コア層先端
部を、前記磁気ギャップ層の前記ギャップデプス規制部
の後方位置上から前記磁気ギャップ後端部上までの、前
記接続点リフト部上を含む範囲に第２下部コア層を同時
に形成する工程と、 前記第２下部コア層上の、前記接続点リフト部上を除く
範囲に層間絶縁層を介して導体コイル層を形成する工程
と、 前記導体コイル層上に層間絶縁層を介して前記上部コア
層先端部と前記接続点リフト部上の前記第２下部コア層
とに結合された上部コア層後部を形成する工程と、 を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001189A JPH087848B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62001189A JPH087848B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63168811A JPS63168811A (ja) | 1988-07-12 |
| JPH087848B2 true JPH087848B2 (ja) | 1996-01-29 |
Family
ID=11494503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62001189A Expired - Lifetime JPH087848B2 (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH087848B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01220210A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH0810485B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1996-01-31 | 株式会社日立製作所 | 磁気ディスク装置及びこれに搭載する薄膜磁気ヘッドとその製造方法並びに情報の書込み・読出方法 |
| US5805391A (en) * | 1996-10-28 | 1998-09-08 | International Business Machines Corporation | Write head with recessed stitched yoke on a planar portion of an insulation layer defining zero throat height |
| JP3854035B2 (ja) | 1999-08-06 | 2006-12-06 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58128017A (ja) * | 1982-01-27 | 1983-07-30 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS61178710A (ja) * | 1985-02-05 | 1986-08-11 | Canon Inc | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 |
-
1987
- 1987-01-06 JP JP62001189A patent/JPH087848B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63168811A (ja) | 1988-07-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |