JPH0810622A - 排ガス浄化用触媒 - Google Patents
排ガス浄化用触媒Info
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- JPH0810622A JPH0810622A JP7033469A JP3346995A JPH0810622A JP H0810622 A JPH0810622 A JP H0810622A JP 7033469 A JP7033469 A JP 7033469A JP 3346995 A JP3346995 A JP 3346995A JP H0810622 A JPH0810622 A JP H0810622A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 内燃機関や各種燃焼器等から排出される排ガ
スを効率良く浄化する触媒を提供する。 【構成】 結晶性アルミノケイ酸塩を主成分とし、銅
（Ｃｕ）成分及びリン（Ｐ）成分を含有してなる触媒体
において、ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 のモル比が２０〜６０
の範囲であり、Ｃｕ及びＰの含有量が吸着した水を除い
た状態の前記結晶性アルミノケイ酸塩に対して、それぞ
れ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範囲で
あり、かつＰ／Ｃｕの原子比が０を超えて０．５以下で
あり、触媒全体のＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｂ８Ｃｕ／Ｓ
ｉ）〕とＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ法）により求め
られる触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＣ
ｕ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ
（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕が０を超えて１
０．０以下である。
スを効率良く浄化する触媒を提供する。 【構成】 結晶性アルミノケイ酸塩を主成分とし、銅
（Ｃｕ）成分及びリン（Ｐ）成分を含有してなる触媒体
において、ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 のモル比が２０〜６０
の範囲であり、Ｃｕ及びＰの含有量が吸着した水を除い
た状態の前記結晶性アルミノケイ酸塩に対して、それぞ
れ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範囲で
あり、かつＰ／Ｃｕの原子比が０を超えて０．５以下で
あり、触媒全体のＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｂ８Ｃｕ／Ｓ
ｉ）〕とＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ法）により求め
られる触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＣ
ｕ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ
（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕が０を超えて１
０．０以下である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、排ガス浄化用触媒に関
し、特に、自動車エンジン等の内燃機関や各種燃焼器等
から排出される排ガスを効率良く浄化すると共に、低温
活性と耐熱性や耐久性とに優れた排ガス浄化用触媒に関
する。
し、特に、自動車エンジン等の内燃機関や各種燃焼器等
から排出される排ガスを効率良く浄化すると共に、低温
活性と耐熱性や耐久性とに優れた排ガス浄化用触媒に関
する。
【０００２】
【従来技術】従来、各種の金属を結晶性アルミノケイ酸
塩（以下、ゼオライトという）に担持して得られる触媒
は、様々な分野で幅広く使用されている。さらに、近
年、この触媒系は、特に酸素の含有率が高い排ガス中に
おいても、炭化水素類が存在していれば、ＮＯX を浄化
することができるという顕著な能力があることで注目さ
れている。
塩（以下、ゼオライトという）に担持して得られる触媒
は、様々な分野で幅広く使用されている。さらに、近
年、この触媒系は、特に酸素の含有率が高い排ガス中に
おいても、炭化水素類が存在していれば、ＮＯX を浄化
することができるという顕著な能力があることで注目さ
れている。
【０００３】とりわけ、金属として銅（Ｃｕ）を担持し
たＣｕ−ゼオライト系触媒は活性が高く、高流速ガス条
件下で、比較的幅広い温度範囲においても優れたＮＯX
浄化性能を有している。このため、自動車のような移動
発生源やオンサイト型の自家発電用エンジン等から排出
される排ガスの浄化に大きな期待が掛けられている。
たＣｕ−ゼオライト系触媒は活性が高く、高流速ガス条
件下で、比較的幅広い温度範囲においても優れたＮＯX
浄化性能を有している。このため、自動車のような移動
発生源やオンサイト型の自家発電用エンジン等から排出
される排ガスの浄化に大きな期待が掛けられている。
【０００４】しかしながら、このＣｕ−ゼオライト系触
媒は６００℃以上の高温に曝されたり、排ガス中に水分
が多く含まれていたり、排ガスの酸化還元雰囲気が変動
したりすると、排ガス浄化性能が経時的に低下し、長期
使用には耐えられないという欠点があるため、実用化に
は至っていない。
媒は６００℃以上の高温に曝されたり、排ガス中に水分
が多く含まれていたり、排ガスの酸化還元雰囲気が変動
したりすると、排ガス浄化性能が経時的に低下し、長期
使用には耐えられないという欠点があるため、実用化に
は至っていない。
【０００５】上記触媒が高温に曝された際の主な劣化原
因は、ゼオライト中のイオン交換サイトに保持されてい
たＣｕイオンが熱によって担持サイトから抜けて移動
し、シンタリングを起こすためと考えられている。排ガ
ス中の水分や雰囲気条件の変動が大きい場合には、この
シンタリングが一層促進される。従って、触媒の耐熱性
や耐久性を向上させるためには、活性成分であるＣｕを
安定化し、シンタリングを抑制することが必要である。
因は、ゼオライト中のイオン交換サイトに保持されてい
たＣｕイオンが熱によって担持サイトから抜けて移動
し、シンタリングを起こすためと考えられている。排ガ
ス中の水分や雰囲気条件の変動が大きい場合には、この
シンタリングが一層促進される。従って、触媒の耐熱性
や耐久性を向上させるためには、活性成分であるＣｕを
安定化し、シンタリングを抑制することが必要である。
【０００６】このため、種々の添加物によってＣｕイオ
ンを安定化する方法が精力的に研究、提案されている。
例えば、特開平３−１３１３４５号公報にはゼオライト
にＣｕとＣａ、Ｓｒ及びＢａから成る群から選ばれた少
なくとも１種とを担持させた触媒が提案されている。ま
た、特開平３−２０２１５７号公報にはＣｕとアルカリ
土類金属の少なくとも１種及び希土類金属の少なくとも
１種とを担持させた触媒が提案されている。更に、特開
平３−１３５４３７号公報にはＣｕとＦｅ（鉄）、Ｃｏ
（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｖ（バナジウム）等
から成る群から選ばれた少なくとも１種の原子価可変金
属とを担持させた触媒が提案されている。加えて、特開
平４−４０４５号公報には特定のＸ線回折パターン、化
学式を有する結晶性シリケートにＣｕ及び２７種類もの
元素から選ばれた少なくとも１種の成分を担持させた触
媒が提案されている。
ンを安定化する方法が精力的に研究、提案されている。
例えば、特開平３−１３１３４５号公報にはゼオライト
にＣｕとＣａ、Ｓｒ及びＢａから成る群から選ばれた少
なくとも１種とを担持させた触媒が提案されている。ま
た、特開平３−２０２１５７号公報にはＣｕとアルカリ
土類金属の少なくとも１種及び希土類金属の少なくとも
１種とを担持させた触媒が提案されている。更に、特開
平３−１３５４３７号公報にはＣｕとＦｅ（鉄）、Ｃｏ
（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｖ（バナジウム）等
から成る群から選ばれた少なくとも１種の原子価可変金
属とを担持させた触媒が提案されている。加えて、特開
平４−４０４５号公報には特定のＸ線回折パターン、化
学式を有する結晶性シリケートにＣｕ及び２７種類もの
元素から選ばれた少なくとも１種の成分を担持させた触
媒が提案されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記公
報に係る触媒は、いずれも触媒の耐熱性や耐久性の向上
に著しい効果が期待されるか否かは明確ではなく、未だ
実用化に十分な性能を有するＣｕ−ゼオライト系触媒は
得られてないのが実状である。特に、自動車排気ガスの
ような過酷な条件であっても使用可能な耐熱性や耐久性
に優れた触媒の開発が望まれていた。従って本発明は、
低温活性に優れ、かつ高温で長時間使用しても劣化が少
なく、耐熱性や耐久性に優れた触媒を提供することを目
的とする。
報に係る触媒は、いずれも触媒の耐熱性や耐久性の向上
に著しい効果が期待されるか否かは明確ではなく、未だ
実用化に十分な性能を有するＣｕ−ゼオライト系触媒は
得られてないのが実状である。特に、自動車排気ガスの
ような過酷な条件であっても使用可能な耐熱性や耐久性
に優れた触媒の開発が望まれていた。従って本発明は、
低温活性に優れ、かつ高温で長時間使用しても劣化が少
なく、耐熱性や耐久性に優れた触媒を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明者らは、
上記課題を解決するために鋭意研究した結果、ゼオライ
トを主成分とする無機物にＣｕ成分及びＰ成分を含有し
てなる触媒体において、限定されたＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 のモル比を有するゼオライトに特定量のＣｕ及びＰを
含有させ、かつＰ／Ｃｕ原子比を特定範囲に制御すると
共に、触媒全体のＣｕ／Ｓｉ原子比に対する触媒表面の
Ｃｕ／Ｓｉ原子比の比率及び触媒全体のＰ／Ｓｉ原子比
に対する触媒表面のＰ／Ｓｉ原子比の比率を特定範囲内
に制御した場合に、上記目的を達成できることを見出
し、本発明に到達した。
上記課題を解決するために鋭意研究した結果、ゼオライ
トを主成分とする無機物にＣｕ成分及びＰ成分を含有し
てなる触媒体において、限定されたＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 のモル比を有するゼオライトに特定量のＣｕ及びＰを
含有させ、かつＰ／Ｃｕ原子比を特定範囲に制御すると
共に、触媒全体のＣｕ／Ｓｉ原子比に対する触媒表面の
Ｃｕ／Ｓｉ原子比の比率及び触媒全体のＰ／Ｓｉ原子比
に対する触媒表面のＰ／Ｓｉ原子比の比率を特定範囲内
に制御した場合に、上記目的を達成できることを見出
し、本発明に到達した。
【０００９】本発明の目的は、ゼオライトを主成分とす
る無機物に、Ｃｕ成分及びＰ成分を含有してなる触媒体
において、前記ゼオライトのＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 のモ
ル比が２０〜６０の範囲であり、Ｃｕ及びＰの含有量が
吸着した水を除いた状態の前記ゼオライトに対して、そ
れぞれ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範
囲であり、かつＰ／Ｃｕの原子比が０を超えて０．５以
下であり、更に触媒全体のＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｂ（Ｃ
ｕ／Ｓｉ）〕とＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ法）によ
り求められる触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分にお
けるＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕が０を超えて
１０．０以下であり、かつ触媒全体のＰ／Ｓｉの原子比
〔ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕とＸＰＳ法により求められる触媒表
面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＰ／Ｓｉの原子
比〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ
（Ｐ／Ｓｉ）〕が０を超えて１４．０以下であることを
特徴とする排ガス浄化用触媒により達成された。ここ
で、触媒表面のＣｕ／Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕
及びＰ／Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）〕は、Ｘ線光電子
分光法（ＸＰＳ法）により求めることができ、その分析
深さは表面からほぼ５ｎｍである。以下、本発明につい
てさらに詳細に説明する。
る無機物に、Ｃｕ成分及びＰ成分を含有してなる触媒体
において、前記ゼオライトのＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 のモ
ル比が２０〜６０の範囲であり、Ｃｕ及びＰの含有量が
吸着した水を除いた状態の前記ゼオライトに対して、そ
れぞれ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範
囲であり、かつＰ／Ｃｕの原子比が０を超えて０．５以
下であり、更に触媒全体のＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｂ（Ｃ
ｕ／Ｓｉ）〕とＸ線光電子分光分析法（ＸＰＳ法）によ
り求められる触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分にお
けるＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕が０を超えて
１０．０以下であり、かつ触媒全体のＰ／Ｓｉの原子比
〔ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕とＸＰＳ法により求められる触媒表
面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＰ／Ｓｉの原子
比〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ
（Ｐ／Ｓｉ）〕が０を超えて１４．０以下であることを
特徴とする排ガス浄化用触媒により達成された。ここ
で、触媒表面のＣｕ／Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕
及びＰ／Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）〕は、Ｘ線光電子
分光法（ＸＰＳ法）により求めることができ、その分析
深さは表面からほぼ５ｎｍである。以下、本発明につい
てさらに詳細に説明する。
【００１０】Ｃｕ−ゼオライト系触媒の高温暴露時の活
性劣化を抑えるには、Ｃｕを安定化させてシンタリング
を抑制する技術が不可欠である。このため、種々の添加
物によって、Ｃｕイオンを安定化する方法が精力的に研
究、提案されている。本発明者らは、各種成分の添加効
果に関して広範囲かつ詳細に研究した結果、Ｐ成分に注
目するに至った。
性劣化を抑えるには、Ｃｕを安定化させてシンタリング
を抑制する技術が不可欠である。このため、種々の添加
物によって、Ｃｕイオンを安定化する方法が精力的に研
究、提案されている。本発明者らは、各種成分の添加効
果に関して広範囲かつ詳細に研究した結果、Ｐ成分に注
目するに至った。
【００１１】Ｐ成分はＣｕと比較的強く相互作用して安
定化する効果があるが、その相互作用が強すぎると触媒
活性が低下する。従って、この相互作用力を適度な強度
に制御することが肝要で、これによってＣｕ成分の熱安
定性と触媒活性が効果的にバランスされて極めて高性能
の触媒が得られることになる。
定化する効果があるが、その相互作用が強すぎると触媒
活性が低下する。従って、この相互作用力を適度な強度
に制御することが肝要で、これによってＣｕ成分の熱安
定性と触媒活性が効果的にバランスされて極めて高性能
の触媒が得られることになる。
【００１２】これを決定する重要なパラメーターは、
（１）触媒中のＣｕ量及びＰ量、及び（２）触媒全体に
対する触媒表面部分のＣｕ及びＰの比率である。Ｐ成分
はゼオライト細孔内に侵入し難いため、その表面層部分
に偏析しやすく、Ｃｕ成分との強い相互作用により、Ｃ
ｕの分散性を低下させて、触媒活性の低下を引き起こ
す。上記パラメーターを本発明の範囲内とすることによ
り、このような不都合を回避することができるものと考
えられる。本発明の特徴は、このパラメーターとその適
切な範囲を見いだしたことにある。
（１）触媒中のＣｕ量及びＰ量、及び（２）触媒全体に
対する触媒表面部分のＣｕ及びＰの比率である。Ｐ成分
はゼオライト細孔内に侵入し難いため、その表面層部分
に偏析しやすく、Ｃｕ成分との強い相互作用により、Ｃ
ｕの分散性を低下させて、触媒活性の低下を引き起こ
す。上記パラメーターを本発明の範囲内とすることによ
り、このような不都合を回避することができるものと考
えられる。本発明の特徴は、このパラメーターとその適
切な範囲を見いだしたことにある。
【００１３】ここで、ゼオライトのＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 のモル比を２０〜６０の範囲に限定したのは、触媒に
対するＣｕ及びＰの担持量を本発明の範囲内に納めるの
に必要なためである。ゼオライトのＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 のモル比が２０未満になると、Ｃｕ及びＰの担持量が
本発明の範囲内を超えることに加え、ゼオライト自体の
熱安定性が不十分なために触媒の耐熱性や耐久性が低下
する。逆に、このモル比が６０を超えると必要なＣｕ成
分の担持量が得られなくなり、触媒活性が不十分とな
る。
3 のモル比を２０〜６０の範囲に限定したのは、触媒に
対するＣｕ及びＰの担持量を本発明の範囲内に納めるの
に必要なためである。ゼオライトのＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 のモル比が２０未満になると、Ｃｕ及びＰの担持量が
本発明の範囲内を超えることに加え、ゼオライト自体の
熱安定性が不十分なために触媒の耐熱性や耐久性が低下
する。逆に、このモル比が６０を超えると必要なＣｕ成
分の担持量が得られなくなり、触媒活性が不十分とな
る。
【００１４】本発明において用いられるゼオライトとし
ては、公知のゼオライトの中から適宜選択して使用する
ことができるが、特にペンタシル型のものが有効であ
る。このようなゼオライトとしては、例えば、モルデナ
イト、フェリエライト、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１１等が
挙げられる。またゼオライトによれば、水熱処理や再合
成などによって結晶性を良くしたり、安定化すると、よ
り耐熱性や耐久性の高い触媒が得られる。
ては、公知のゼオライトの中から適宜選択して使用する
ことができるが、特にペンタシル型のものが有効であ
る。このようなゼオライトとしては、例えば、モルデナ
イト、フェリエライト、ＺＳＭ−５、ＺＳＭ−１１等が
挙げられる。またゼオライトによれば、水熱処理や再合
成などによって結晶性を良くしたり、安定化すると、よ
り耐熱性や耐久性の高い触媒が得られる。
【００１５】本発明の排ガス浄化用触媒を得るに当たっ
て用いられるＰ成分の原料としては、無機酸塩、酸化
物、有機酸塩、塩化物、炭酸塩、ナトリウム塩、アンモ
ニウム塩等の各種化合物を使用することができるが、こ
の成分をゼオライトに担持させるには、水溶液としてイ
オン交換法や含浸法で担持させることが簡便かつ有効で
あるため、水に対する溶解度の大きい原料を用いること
が好ましい。水に対する溶解度が小さい原料であって
も、各種アルコールや有機溶媒を用いて同様に担持させ
ることができる。更には、塩化物を用いた気相担持法も
可能である。
て用いられるＰ成分の原料としては、無機酸塩、酸化
物、有機酸塩、塩化物、炭酸塩、ナトリウム塩、アンモ
ニウム塩等の各種化合物を使用することができるが、こ
の成分をゼオライトに担持させるには、水溶液としてイ
オン交換法や含浸法で担持させることが簡便かつ有効で
あるため、水に対する溶解度の大きい原料を用いること
が好ましい。水に対する溶解度が小さい原料であって
も、各種アルコールや有機溶媒を用いて同様に担持させ
ることができる。更には、塩化物を用いた気相担持法も
可能である。
【００１６】また、Ｃｕ成分の原料としても、同様に無
機酸塩、酸化物、有機酸塩、塩化物、炭酸塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、アンミン錯化合物等の各種化合
物を使用することができ、Ｐ成分と同様な担持法をとる
ことができる。Ｐ又はＣｕ成分の水溶液には、適当な酸
や塩基を添加することによりｐＨを調整することが好ま
しい結果を与える。
機酸塩、酸化物、有機酸塩、塩化物、炭酸塩、ナトリウ
ム塩、アンモニウム塩、アンミン錯化合物等の各種化合
物を使用することができ、Ｐ成分と同様な担持法をとる
ことができる。Ｐ又はＣｕ成分の水溶液には、適当な酸
や塩基を添加することによりｐＨを調整することが好ま
しい結果を与える。
【００１７】本発明においては、Ｃｕ及びＰの含有量
は、吸着した水を除いた状態のゼオライトに対して、そ
れぞれ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範
囲である。Ｃｕの含有量が４重量％未満になると、活性
成分の量が十分でなく、逆に１５重量％を超えると触媒
表面に余りでる酸化銅（ＣｕＯ）が過剰となってゼオラ
イトの細孔閉塞を引き起こすなどの触媒活性への悪影響
が生じる。一方、Ｐ成分は極少量であっても効果が現れ
るが、０．０１重量％未満になると、ほとんど効果が見
られず、逆に１．７重量％を超えるとＰによるＣｕの安
定化が進みすぎて、かえって触媒活性の低下を引き起こ
す。Ｃｕ及びＰのより望ましい含有量は、それぞれ５〜
１２重量％及び０．１〜１．２重量％の範囲である。
は、吸着した水を除いた状態のゼオライトに対して、そ
れぞれ４〜１５重量％及び０．０１〜１．７重量％の範
囲である。Ｃｕの含有量が４重量％未満になると、活性
成分の量が十分でなく、逆に１５重量％を超えると触媒
表面に余りでる酸化銅（ＣｕＯ）が過剰となってゼオラ
イトの細孔閉塞を引き起こすなどの触媒活性への悪影響
が生じる。一方、Ｐ成分は極少量であっても効果が現れ
るが、０．０１重量％未満になると、ほとんど効果が見
られず、逆に１．７重量％を超えるとＰによるＣｕの安
定化が進みすぎて、かえって触媒活性の低下を引き起こ
す。Ｃｕ及びＰのより望ましい含有量は、それぞれ５〜
１２重量％及び０．１〜１．２重量％の範囲である。
【００１８】Ｐ成分によるＣｕの過剰安定化を抑えなが
ら、Ｐ成分の効果を最大限に引き出すためには、Ｐ／Ｃ
ｕ（原子比）を制御することが重要であり、本発明にお
いては、０．５を超えるとＣｕの不活性化が顕著になっ
て、触媒活性の低下を引き起こす。
ら、Ｐ成分の効果を最大限に引き出すためには、Ｐ／Ｃ
ｕ（原子比）を制御することが重要であり、本発明にお
いては、０．５を超えるとＣｕの不活性化が顕著になっ
て、触媒活性の低下を引き起こす。
【００１９】触媒全体におけるＣｕ／Ｓｉ原子比〔ｂ
（Ｃｕ／Ｓｉ）〕と触媒粒子表面層部分におけるＣｕ／
Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｃｕ／
Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕は、０を超えて１０．０以
下の範囲が有効であるが、特に、７．０以下であること
が好ましい。
（Ｃｕ／Ｓｉ）〕と触媒粒子表面層部分におけるＣｕ／
Ｓｉ原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｃｕ／
Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕は、０を超えて１０．０以
下の範囲が有効であるが、特に、７．０以下であること
が好ましい。
【００２０】一方、触媒全体のＰ／Ｓｉ原子比〔ｂ（Ｐ
／Ｓｉ）〕と触媒粒子表面層部分のＰ／Ｓｉ原子比〔ｓ
（Ｐ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ（Ｐ／Ｓ
ｉ）〕は０を超えて１４．０以下であることが有効であ
るが、特に１１．０以下であることが好ましい。
／Ｓｉ）〕と触媒粒子表面層部分のＰ／Ｓｉ原子比〔ｓ
（Ｐ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ（Ｐ／Ｓ
ｉ）〕は０を超えて１４．０以下であることが有効であ
るが、特に１１．０以下であることが好ましい。
【００２１】本発明の触媒の形状は、特に制限されない
が、通常はハニカム形状で使用することが好ましく、ハ
ニカム状の各種基材に触媒粉末を塗布して用いられる。
このハニカム材料としては、一般にコージェライト質の
ものが多く用いられるが、これに限定されるものではな
く、金属材料からなるハニカム担体を用いることもでき
るし、更には触媒粉末そのものをハニカム形状に成形し
てもよい。触媒の形状をハニカム状とすることにより、
触媒と排ガスとの接触面積が大きくなり、圧力損失も抑
えられるため、振動のある限られた空間内で多量の排ガ
スを処理することが要求される自動車用触媒として用い
る場合に極めて有利となる。
が、通常はハニカム形状で使用することが好ましく、ハ
ニカム状の各種基材に触媒粉末を塗布して用いられる。
このハニカム材料としては、一般にコージェライト質の
ものが多く用いられるが、これに限定されるものではな
く、金属材料からなるハニカム担体を用いることもでき
るし、更には触媒粉末そのものをハニカム形状に成形し
てもよい。触媒の形状をハニカム状とすることにより、
触媒と排ガスとの接触面積が大きくなり、圧力損失も抑
えられるため、振動のある限られた空間内で多量の排ガ
スを処理することが要求される自動車用触媒として用い
る場合に極めて有利となる。
【００２２】
【実施例】以下、本発明を実施例によって更に詳述する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
【００２３】実施例１ ピロリン酸ナトリウム（Ｎａ4 Ｐ2 Ｏ7 ）と酢酸銅とを
イオン交換水に溶かし、ＰとＣｕを含む混合水溶液を得
た。この混合水溶液にアンモニア水と硝酸とを適当に添
加し、溶液のｐＨを８．０に調節した後、この溶液中に
ＳｉＯ2 ／Ａｌ 2 Ｏ3 モル比が約３０のＮａ型ＺＳＭ−
５の粉末を添加し良く攪拌した。この攪拌に際しては、
硝酸とアンモニアを適当に加え、溶液のｐＨを８．５〜
９．０に保った。
イオン交換水に溶かし、ＰとＣｕを含む混合水溶液を得
た。この混合水溶液にアンモニア水と硝酸とを適当に添
加し、溶液のｐＨを８．０に調節した後、この溶液中に
ＳｉＯ2 ／Ａｌ 2 Ｏ3 モル比が約３０のＮａ型ＺＳＭ−
５の粉末を添加し良く攪拌した。この攪拌に際しては、
硝酸とアンモニアを適当に加え、溶液のｐＨを８．５〜
９．０に保った。
【００２４】混合溶液中のＰ量は、吸着水を除いた状態
のゼオライト粉に対して（Ｐとして）０．５重量％に相
当する量であり、また同じくＣｕ量はゼオライトのイオ
ン交換容量に換算して３００％に相当する量であった。
上記攪拌操作を８時間行った後、混合溶液を濾過して得
られたゼオライトケーキをオーブン中、１２０℃で２４
時間以上乾燥し、次いで大気雰囲気下５００℃で４時間
焼成することにより、Ｃｕ−Ｐ−ＺＳＭ−５触媒粉を得
た。得られた触媒粉の定量分析結果（ＩＣＰ法による）
を表１に示す。
のゼオライト粉に対して（Ｐとして）０．５重量％に相
当する量であり、また同じくＣｕ量はゼオライトのイオ
ン交換容量に換算して３００％に相当する量であった。
上記攪拌操作を８時間行った後、混合溶液を濾過して得
られたゼオライトケーキをオーブン中、１２０℃で２４
時間以上乾燥し、次いで大気雰囲気下５００℃で４時間
焼成することにより、Ｃｕ−Ｐ−ＺＳＭ−５触媒粉を得
た。得られた触媒粉の定量分析結果（ＩＣＰ法による）
を表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１中の値はいずれも吸着水を除いた状態
のゼオライト粉を規準としたものである。以上のように
して得られた触媒粉末２２５０ｇ、シリカゾル（固形分
２０重量％）１２５０ｇ及び水１５００ｇをボールミル
ポットに投入し、４時間粉砕・混合してスラリーを得
た。このスラリーを１平方インチ断面当たり、約４００
個の流路を持つコージェライト製ハニカム担体に塗布
し、１２０℃で熱風乾燥した後、４００℃で１時間焼成
し、実施例１の触媒(1) を得た。この触媒のハニカムへ
の触媒粉末の塗布量は２３０ｇ／Ｌであった。
のゼオライト粉を規準としたものである。以上のように
して得られた触媒粉末２２５０ｇ、シリカゾル（固形分
２０重量％）１２５０ｇ及び水１５００ｇをボールミル
ポットに投入し、４時間粉砕・混合してスラリーを得
た。このスラリーを１平方インチ断面当たり、約４００
個の流路を持つコージェライト製ハニカム担体に塗布
し、１２０℃で熱風乾燥した後、４００℃で１時間焼成
し、実施例１の触媒(1) を得た。この触媒のハニカムへ
の触媒粉末の塗布量は２３０ｇ／Ｌであった。
【００２７】実施例２ 実施例１と同じＮａ型ＺＳＭ−５の粉末を塩化アンモニ
ウム水溶液を用いてイオン交換し、オーブン中８０〜１
００℃で２４時間以上乾燥し、ＮＨ4 型ＺＳＭ−５を得
た。得られたゼオライト粉末をガラス製反応管中に静置
し、乾燥窒素気流中で約１５０℃に保ちながら、３塩化
リン（ＰＣｌ3 ）の蒸気を徐々に吹き込むことにより、
Ｐを担持したＺＳＭ−５の粉末を得た。ＺＳＭ−５に対
するＰの担持量は、吸着水を除いた状態のゼオライト粉
末を規準として、０．５６重量％であった。
ウム水溶液を用いてイオン交換し、オーブン中８０〜１
００℃で２４時間以上乾燥し、ＮＨ4 型ＺＳＭ−５を得
た。得られたゼオライト粉末をガラス製反応管中に静置
し、乾燥窒素気流中で約１５０℃に保ちながら、３塩化
リン（ＰＣｌ3 ）の蒸気を徐々に吹き込むことにより、
Ｐを担持したＺＳＭ−５の粉末を得た。ＺＳＭ−５に対
するＰの担持量は、吸着水を除いた状態のゼオライト粉
末を規準として、０．５６重量％であった。
【００２８】一方、酢酸銅をイオン交換水に溶かしてＣ
ｕ水溶液を得た。この水溶液に上記のようにして得られ
たＰ−ＺＳＭ−５粉末を添加し、実施例１と同様にして
８時間攪拌した後、混合液を濾過し、乾燥、焼成の工程
を経て、Ｃｕ−Ｐ−ＺＳＭ−５触媒粉を得た。この触媒
粉の定量分析結果を表２に示す。
ｕ水溶液を得た。この水溶液に上記のようにして得られ
たＰ−ＺＳＭ−５粉末を添加し、実施例１と同様にして
８時間攪拌した後、混合液を濾過し、乾燥、焼成の工程
を経て、Ｃｕ−Ｐ−ＺＳＭ−５触媒粉を得た。この触媒
粉の定量分析結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
【００３０】以上のようにして得られた触媒粉末を実施
例１と全く同様にして、実施例２のハニカム触媒(2) を
得た。
例１と全く同様にして、実施例２のハニカム触媒(2) を
得た。
【００３１】実施例３〜１０ Ｐ−Ｃｕ混合溶液中のＣｕ量及びＰ量を代えた他は、実
施例１と全く同様にして、Ｃｕ及びＰ担持量の異なった
触媒を得、同様にしてハニカム触媒(3) 〜(10)を得た。
各触媒の定量分析結果を表３に示す。
施例１と全く同様にして、Ｃｕ及びＰ担持量の異なった
触媒を得、同様にしてハニカム触媒(3) 〜(10)を得た。
各触媒の定量分析結果を表３に示す。
【００３２】
【表３】
【００３３】実施例１１〜１３ ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モル比の異なるＮａ型ＺＳＭ−５
を用いた他は、実施例１と全く同様にしてハニカム触媒
(11)〜(13)を得た。各触媒におけるＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 モル比は、それぞれ約２３，４５，５８であった。各
触媒の定量分析結果を表４に示す。
を用いた他は、実施例１と全く同様にしてハニカム触媒
(11)〜(13)を得た。各触媒におけるＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ
3 モル比は、それぞれ約２３，４５，５８であった。各
触媒の定量分析結果を表４に示す。
【００３４】
【表４】
【００３５】実施例１４ ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モル比が約３０のＮａ型ＺＳＭ−
５に代えて、ＳｉＯ2／Ａｌ2 Ｏ3 モル比が約２８のＮ
ａ型モルデナイトを用いた他は、実施例１と全く同様に
してハニカム触媒(14)を得た。この触媒の定量分析結果
を表５に示す。
５に代えて、ＳｉＯ2／Ａｌ2 Ｏ3 モル比が約２８のＮ
ａ型モルデナイトを用いた他は、実施例１と全く同様に
してハニカム触媒(14)を得た。この触媒の定量分析結果
を表５に示す。
【００３６】
【表５】
【００３７】比較例１ 実施例１と同じＮａ型ＺＳＭ−５を硝酸銅水溶液中で８
時間攪拌し、イオン交換法によってＣｕを担持した。次
いで、同様に乾燥、焼成の工程を経て、実施例１と全く
同様にしてハニカム触媒(15)を得た。この触媒の定量分
析結果は、以下の通りであった。 Ｃｕ；３．３重量％，Ｐ；０重量％，Ｐ／Ｃｕ原子比；
０
時間攪拌し、イオン交換法によってＣｕを担持した。次
いで、同様に乾燥、焼成の工程を経て、実施例１と全く
同様にしてハニカム触媒(15)を得た。この触媒の定量分
析結果は、以下の通りであった。 Ｃｕ；３．３重量％，Ｐ；０重量％，Ｐ／Ｃｕ原子比；
０
【００３８】比較例２〜３ 実施例３〜７と同様にしてＣｕ及びＰ担持量の異なった
触媒を得、同様にして、比較例２〜３の触媒(16)〜(17)
を得た。各触媒の定量分析結果を表６に示す。
触媒を得、同様にして、比較例２〜３の触媒(16)〜(17)
を得た。各触媒の定量分析結果を表６に示す。
【００３９】
【表６】
【００４０】比較例４〜５ ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モル比の異なるＮａ型ＺＳＭ−５
を用いた他は、実施例１と全く同様にして比較例４〜５
のハニカム触媒(18)〜(19)を得た。各触媒におけるＳｉ
Ｏ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モル比は、それぞれ約１８，７０であ
った。各触媒の定量分析結果を表７に示す。
を用いた他は、実施例１と全く同様にして比較例４〜５
のハニカム触媒(18)〜(19)を得た。各触媒におけるＳｉ
Ｏ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 モル比は、それぞれ約１８，７０であ
った。各触媒の定量分析結果を表７に示す。
【００４１】
【表７】
【００４２】比較例６ 実施例３と同様にしてＣｕ及びＰ担持量の異なった触媒
を得、全く同様にして比較例６のハニカム触媒(20)を得
た。得られた触媒の定量分析結果を表８に示す。
を得、全く同様にして比較例６のハニカム触媒(20)を得
た。得られた触媒の定量分析結果を表８に示す。
【００４３】
【表８】
【００４４】比較例７ オルトリン酸（Ｈ3 ＰＯ4 ）の水溶液を、実施例１と同
じＮａ型ＺＳＭ−５の粉末に接触させ、Ｐ成分を含浸し
た後、１５０℃で２４時間以上乾燥し、更に４５０℃で
焼成することにより、Ｐ成分をＺＳＭ−５ゼオライトに
固着した。得られたＰ担持ＺＳＭ−５を酢酸銅水溶液中
に添加、攪拌し、比較例１と全く同様にして比較例７の
ハニカム触媒(21)を得た。得られた触媒の定量分析結果
を表９に示す。
じＮａ型ＺＳＭ−５の粉末に接触させ、Ｐ成分を含浸し
た後、１５０℃で２４時間以上乾燥し、更に４５０℃で
焼成することにより、Ｐ成分をＺＳＭ−５ゼオライトに
固着した。得られたＰ担持ＺＳＭ−５を酢酸銅水溶液中
に添加、攪拌し、比較例１と全く同様にして比較例７の
ハニカム触媒(21)を得た。得られた触媒の定量分析結果
を表９に示す。
【００４５】
【表９】
【００４６】比較例８ 比較例１において、硝酸銅を酢酸銅に代え、酢酸銅水溶
液中でＺＳＭ−５の粉末を８時間攪拌した後、硝酸とア
ンモニア水とを適当に添加して溶液のｐＨを８．０〜
８．２に制御し、更に４時間の攪拌を継続した。この混
合溶液を濾過し、比較例１と同様に乾燥、焼成の工程を
経てＣｕ−ＺＳＭ−５粉末を得た。一方、リン酸二水素
アンモニウム（ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4 ）の水溶液に、上記Ｃ
ｕ−ＺＳＭ−５粉末を添加し、スラリー状になった液を
約２時間攪拌することにより、Ｃｕ−ＺＳＭ−５粉末に
Ｐ成分を含浸担持した。次いで、オーブン中１２０℃で
乾燥した後、大気雰囲気下５００℃で２時間の焼成工程
を経て触媒粉末を得た。以下、比較例１と同様にしてハ
ニカム触媒(22)を得た。得られた触媒の定量分析結果を
表１０に示す。
液中でＺＳＭ−５の粉末を８時間攪拌した後、硝酸とア
ンモニア水とを適当に添加して溶液のｐＨを８．０〜
８．２に制御し、更に４時間の攪拌を継続した。この混
合溶液を濾過し、比較例１と同様に乾燥、焼成の工程を
経てＣｕ−ＺＳＭ−５粉末を得た。一方、リン酸二水素
アンモニウム（ＮＨ4 Ｈ2 ＰＯ4 ）の水溶液に、上記Ｃ
ｕ−ＺＳＭ−５粉末を添加し、スラリー状になった液を
約２時間攪拌することにより、Ｃｕ−ＺＳＭ−５粉末に
Ｐ成分を含浸担持した。次いで、オーブン中１２０℃で
乾燥した後、大気雰囲気下５００℃で２時間の焼成工程
を経て触媒粉末を得た。以下、比較例１と同様にしてハ
ニカム触媒(22)を得た。得られた触媒の定量分析結果を
表１０に示す。
【００４７】
【表１０】
【００４８】(1) 触媒のＸ線光電子分光分析（ＸＰＳ） 分析装置；Parkin Elmer社製ＥＳＣＡ ５６００型 Ｘ
線光電子分光分析装置 分析条件；Ｘ線源としてＭｇ−Ｋα線（１２５３．６ｅ
Ｖ）を用い、１５ＫＶ×２６．７ｍＡで操作した。 帯電補正；ＳｉＯ2 の結合エネルギーを１０３．２ｅＶ
として帯電補正した。 測定試料；加圧成形機により、２３０Ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力でディスク状に成形した。 上記方法により、実施例及び比較例の各触媒について、
触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＳｉ，Ｃ
ｕ，Ｐについて定量分析を行った結果から、触媒表面か
ら５ｎｍの深さまでの部分におけるＣｕ／Ｓｉの原子比
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕及びＰ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｐ／
Ｓｉ）〕を算出した。一方、触媒全体のＣｕ，Ｐ，Ｓｉ
の含有量をＩＣＰ法で求め、触媒全体のＣｕ／Ｓｉ原子
比〔ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕及びＰ／Ｓｉ原子比〔ｂ（Ｐ／
Ｓｉ）〕を算出した。以上から、各触媒について、更に
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕比及び〔ｓ
（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕を算出し、性能評価結
果とともに表１１及び表１２に示す。
線光電子分光分析装置 分析条件；Ｘ線源としてＭｇ−Ｋα線（１２５３．６ｅ
Ｖ）を用い、１５ＫＶ×２６．７ｍＡで操作した。 帯電補正；ＳｉＯ2 の結合エネルギーを１０３．２ｅＶ
として帯電補正した。 測定試料；加圧成形機により、２３０Ｋｇ／ｃｍ2 の圧
力でディスク状に成形した。 上記方法により、実施例及び比較例の各触媒について、
触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＳｉ，Ｃ
ｕ，Ｐについて定量分析を行った結果から、触媒表面か
ら５ｎｍの深さまでの部分におけるＣｕ／Ｓｉの原子比
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕及びＰ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｐ／
Ｓｉ）〕を算出した。一方、触媒全体のＣｕ，Ｐ，Ｓｉ
の含有量をＩＣＰ法で求め、触媒全体のＣｕ／Ｓｉ原子
比〔ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕及びＰ／Ｓｉ原子比〔ｂ（Ｐ／
Ｓｉ）〕を算出した。以上から、各触媒について、更に
〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕比及び〔ｓ
（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕を算出し、性能評価結
果とともに表１１及び表１２に示す。
【００４９】（２）触媒性能試験例 エンジンの実排ガスを用いた急速耐久試験及び活性評価
により、上記実施例及び比較例の触媒の耐久性能を表１
１及び表１２に示す。
により、上記実施例及び比較例の触媒の耐久性能を表１
１及び表１２に示す。
【００５０】
【表１１】
【００５１】
【表１２】
【００５２】活性評価条件 評価装置；エンジンからの実排ガスを用いた固定床流通
式装置 触媒容量；５０ｃｃ ガス空間速度；約５４０００ｈ-1 エンジン；日産自動車（株）社製 直列６気筒２Ｌエン
ジン使用 平均空燃比（Ａ／Ｆ）；約１８ 燃料；無鉛レギュラーガソリン
式装置 触媒容量；５０ｃｃ ガス空間速度；約５４０００ｈ-1 エンジン；日産自動車（株）社製 直列６気筒２Ｌエン
ジン使用 平均空燃比（Ａ／Ｆ）；約１８ 燃料；無鉛レギュラーガソリン
【００５３】急速耐久処理条件 触媒入り口排ガス温度；６３０℃ エンジン；日産自動車（株）社製 Ｖ型６気筒３Ｌエン
ジン使用 平均空燃比（Ａ／Ｆ）；約１５ 燃料；無鉛レギュラーガソリン 処理時間；２０時間
ジン使用 平均空燃比（Ａ／Ｆ）；約１５ 燃料；無鉛レギュラーガソリン 処理時間；２０時間
【００５４】表１１及び表１２に、急速耐久処理前後の
実施例及び比較例の触媒のＮＯx 浄化性能を示す。急速
耐久前については触媒入口温度３００℃、急速耐久処理
後については触媒入口温度３７０℃におけるＮＯx 浄化
率を示す。本発明で定めたパラメータの規定範囲を超え
た触媒は、いずれも初期活性、耐熱性及び耐久性に劣る
のに対し、本発明になる触媒は初期の低温活性に優れ、
かつ６００℃を超える温度での急速耐久処理後も高いＮ
Ｏx 浄化性能を維持しており、耐熱性及び耐久性に優れ
ている。
実施例及び比較例の触媒のＮＯx 浄化性能を示す。急速
耐久前については触媒入口温度３００℃、急速耐久処理
後については触媒入口温度３７０℃におけるＮＯx 浄化
率を示す。本発明で定めたパラメータの規定範囲を超え
た触媒は、いずれも初期活性、耐熱性及び耐久性に劣る
のに対し、本発明になる触媒は初期の低温活性に優れ、
かつ６００℃を超える温度での急速耐久処理後も高いＮ
Ｏx 浄化性能を維持しており、耐熱性及び耐久性に優れ
ている。
【００５５】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明の排ガス浄化
用触媒は、酸素を多く含む排ガス中のＮＯx を効率よく
浄化することができ、かつ耐熱性及び耐久性に優れてい
るため、６００℃以上の温度条件でも長時間使用するこ
とができる。従って、本発明の排ガス浄化用触媒によれ
ば、リーン・バーンエンジンを搭載した自動車排ガスか
らのＮＯx 浄化が可能となるため、環境汚染が少なく、
経済性（燃費）に優れた自動車を提供することができ
る。
用触媒は、酸素を多く含む排ガス中のＮＯx を効率よく
浄化することができ、かつ耐熱性及び耐久性に優れてい
るため、６００℃以上の温度条件でも長時間使用するこ
とができる。従って、本発明の排ガス浄化用触媒によれ
ば、リーン・バーンエンジンを搭載した自動車排ガスか
らのＮＯx 浄化が可能となるため、環境汚染が少なく、
経済性（燃費）に優れた自動車を提供することができ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ０１Ｄ 53/36 １０２ Ｈ １０４ Ａ (72)発明者 河島 義実 千葉県袖ヶ浦市上泉1280番地 出光興産株 式会社内 (72)発明者 赤間 弘 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内 (72)発明者 増田 剛司 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内 (72)発明者 金坂 浩行 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内 (72)発明者 上久保 真紀 神奈川県横浜市神奈川区宝町２番地 日産 自動車株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 結晶性アルミノケイ酸塩を主成分とする
無機物に、銅（Ｃｕ）成分及びリン（Ｐ）成分を含有し
てなる触媒体において、前記結晶性アルミノケイ酸塩の
ＳｉＯ2 ／Ａｌ2 Ｏ3 のモル比が２０〜６０の範囲であ
り、Ｃｕ及びＰの含有量が吸着した水を除いた状態の前
記結晶性アルミノケイ酸塩に対して、それぞれ４〜１５
重量％及び０．０１〜１．７重量％の範囲であり、かつ
Ｐ／Ｃｕの原子比が０を超えて０．５以下であり、更に
触媒全体のＣｕ／Ｓｉの原子比〔ｂ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕と
Ｘ線光電子分光分析法（ＸＰＳ法）により求められる触
媒表面から５ｎｍの深さまでの部分におけるＣｕ／Ｓｉ
の原子比〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ（Ｃｕ／Ｓ
ｉ）〕との比率〔ｓ（Ｃｕ／Ｓｉ）／ｂ（Ｃｕ／Ｓ
ｉ）〕が０を超えて１０．０以下であり、かつ触媒全体
のＰ／Ｓｉの原子比〔ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕とＸＰＳ法によ
り求められる触媒表面から５ｎｍの深さまでの部分にお
けるＰ／Ｓｉの原子比〔ｓ（Ｐ／Ｓｉ）〕との比率〔ｓ
（Ｐ／Ｓｉ）／ｂ（Ｐ／Ｓｉ）〕が０を超えて１４．０
以下であることを特徴とする排ガス浄化用触媒。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7033469A JPH0810622A (ja) | 1994-04-28 | 1995-02-22 | 排ガス浄化用触媒 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9234894 | 1994-04-28 | ||
| JP6-92348 | 1994-04-28 | ||
| JP7033469A JPH0810622A (ja) | 1994-04-28 | 1995-02-22 | 排ガス浄化用触媒 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0810622A true JPH0810622A (ja) | 1996-01-16 |
Family
ID=26372172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7033469A Pending JPH0810622A (ja) | 1994-04-28 | 1995-02-22 | 排ガス浄化用触媒 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810622A (ja) |
-
1995
- 1995-02-22 JP JP7033469A patent/JPH0810622A/ja active Pending
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040602 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040622 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20041019 |