JPH08107058A - 走査型露光装置 - Google Patents
走査型露光装置Info
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- JPH08107058A JPH08107058A JP6241473A JP24147394A JPH08107058A JP H08107058 A JPH08107058 A JP H08107058A JP 6241473 A JP6241473 A JP 6241473A JP 24147394 A JP24147394 A JP 24147394A JP H08107058 A JPH08107058 A JP H08107058A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 マスクパターンから感光基板への転写像の走
査方向への倍率を所望の倍率にすると共に、その転写像
に走査方向への歪みが生じないようにする。 【構成】 レチクルステージ４を介してレチクル２を−
Ｘ方向に走査し、Ｘステージ１６を介してウエハ１２を
＋Ｘ方向に走査することにより、レチクル２のパターン
像を逐次ウエハ１２上に露光する。レーザ干渉計８が、
所定の周期で計測したレチクルステージ４のＸ座標、及
びこの計測値が確定されたことを示すサンプリングタイ
ミング信号ＴＲ１をそれぞれ速度演算部３８Ａ、及び分
周回路３９Ａに供給する。速度演算部３８Ａは、分周回
路３９Ａから出力される演算指令信号ＣＲに同期して取
り込んだＸ座標の差分を、その演算指令信号ＣＲの周期
で除算することにより、レチクルステージ４の速度を正
確に求める。
査方向への倍率を所望の倍率にすると共に、その転写像
に走査方向への歪みが生じないようにする。 【構成】 レチクルステージ４を介してレチクル２を−
Ｘ方向に走査し、Ｘステージ１６を介してウエハ１２を
＋Ｘ方向に走査することにより、レチクル２のパターン
像を逐次ウエハ１２上に露光する。レーザ干渉計８が、
所定の周期で計測したレチクルステージ４のＸ座標、及
びこの計測値が確定されたことを示すサンプリングタイ
ミング信号ＴＲ１をそれぞれ速度演算部３８Ａ、及び分
周回路３９Ａに供給する。速度演算部３８Ａは、分周回
路３９Ａから出力される演算指令信号ＣＲに同期して取
り込んだＸ座標の差分を、その演算指令信号ＣＲの周期
で除算することにより、レチクルステージ４の速度を正
確に求める。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子又は
液晶表示素子等をリソグラフィ工程で製造する際に使用
され、マスクと感光性の基板とを同期して走査すること
によりその基板上にそのマスクのパターンを逐次露光す
る走査型露光装置に関する。
液晶表示素子等をリソグラフィ工程で製造する際に使用
され、マスクと感光性の基板とを同期して走査すること
によりその基板上にそのマスクのパターンを逐次露光す
る走査型露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レチクル（又はフォトマスク等）上に形
成されたパターンを、投影光学系を介してフォトレジス
トが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に露
光する投影露光装置においては、半導体素子等のチップ
パターンの大型化、及び露光工程のスループットの向上
等に対応するため、露光面積の拡大が求められている。
斯かる露光面積の拡大の要求に応えるものとして、レチ
クルを投影光学系の光軸を横切る第１の方向に一定の速
度で走査するのと同期して、ウエハを第１の方向に対応
する第２の方向に投影光学系の投影倍率と同じ速度比で
走査することにより、レチクルのパターンをウエハのシ
ョット領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・スキ
ャン方式、又はスリットスキャン方式等の走査型露光装
置が注目されている。
成されたパターンを、投影光学系を介してフォトレジス
トが塗布されたウエハ（又はガラスプレート等）上に露
光する投影露光装置においては、半導体素子等のチップ
パターンの大型化、及び露光工程のスループットの向上
等に対応するため、露光面積の拡大が求められている。
斯かる露光面積の拡大の要求に応えるものとして、レチ
クルを投影光学系の光軸を横切る第１の方向に一定の速
度で走査するのと同期して、ウエハを第１の方向に対応
する第２の方向に投影光学系の投影倍率と同じ速度比で
走査することにより、レチクルのパターンをウエハのシ
ョット領域に逐次露光する所謂ステップ・アンド・スキ
ャン方式、又はスリットスキャン方式等の走査型露光装
置が注目されている。
【０００３】走査型の場合、投影光学系の露光フィール
ド内の限られた領域を使用して露光が行われるため、例
えば一括露光方式の投影露光装置（ステッパー等）と同
一径の投影光学系を使用した場合でも、より大きなショ
ット領域に露光できるという大きな利点がある。図３
は、従来の走査型露光装置を示し、この図３において、
照明光学系１からの露光用の照明光ＩＬによりレチクル
２のパターン面のスリット状の照明領域３が照明され、
照明領域３内のパターンが投影光学系１１を介してウエ
ハ１２上のスリット状の露光領域１３に投影露光されて
いる。投影光学系３の光軸ＡＸに平行にＺ軸が取られ、
Ｚ軸に垂直で図３の紙面に平行な方向にＸ軸が取られ、
図３の紙面に垂直な方向にＹ軸が取られ、Ｘ軸に平行な
方向が走査方向となっている。
ド内の限られた領域を使用して露光が行われるため、例
えば一括露光方式の投影露光装置（ステッパー等）と同
一径の投影光学系を使用した場合でも、より大きなショ
ット領域に露光できるという大きな利点がある。図３
は、従来の走査型露光装置を示し、この図３において、
照明光学系１からの露光用の照明光ＩＬによりレチクル
２のパターン面のスリット状の照明領域３が照明され、
照明領域３内のパターンが投影光学系１１を介してウエ
ハ１２上のスリット状の露光領域１３に投影露光されて
いる。投影光学系３の光軸ＡＸに平行にＺ軸が取られ、
Ｚ軸に垂直で図３の紙面に平行な方向にＸ軸が取られ、
図３の紙面に垂直な方向にＹ軸が取られ、Ｘ軸に平行な
方向が走査方向となっている。
【０００４】レチクル２はレチクルステージ４上に保持
され、レチクルステージ４はレチクルベース５上で駆動
モータ６によりＸ方向に駆動される。また、レチクルス
テージ４の一端に固定された移動鏡７により、外部のレ
チクル側のレーザ干渉計８からＸ軸に平行に射出された
レーザビームが反射され、レーザ干渉計８によりレチク
ルステージ４（ひいてはレチクル２）のＸ座標ＤＲが所
定のサンプリングタイキングで計測され、そのＸ座標Ｄ
Ｒが制御用コンピュータ９に供給されている。制御用コ
ンピュータ９は、所定の駆動指令信号ＡＲをモータ駆動
系１０を介して駆動モータ６に供給することにより、レ
チクルステージ４の位置、及び走査速度を制御する。
され、レチクルステージ４はレチクルベース５上で駆動
モータ６によりＸ方向に駆動される。また、レチクルス
テージ４の一端に固定された移動鏡７により、外部のレ
チクル側のレーザ干渉計８からＸ軸に平行に射出された
レーザビームが反射され、レーザ干渉計８によりレチク
ルステージ４（ひいてはレチクル２）のＸ座標ＤＲが所
定のサンプリングタイキングで計測され、そのＸ座標Ｄ
Ｒが制御用コンピュータ９に供給されている。制御用コ
ンピュータ９は、所定の駆動指令信号ＡＲをモータ駆動
系１０を介して駆動モータ６に供給することにより、レ
チクルステージ４の位置、及び走査速度を制御する。
【０００５】一方、ウエハ１２はＺステージ１４上に保
持され、Ｚステージ１４がＹ方向にウエハ１２のステッ
ピングを行うＹステージ１５上に載置され、Ｙステージ
１５がＸステージ１６上に載置され、Ｘステージ１６は
ウエハベース１７上で駆動モータ１８によりＸ方向にス
テッピング、及び一定速度での移動（走査）ができるよ
うに載置されている。Ｚステージ１４上の一端に固定さ
れたＸ軸用の移動鏡１９により、外部のウエハ側のＸ軸
のレーザ干渉計２０からＸ軸に平行に射出されるレーザ
ビームが反射され、レーザ干渉計２０によりＸステージ
１６（ウエハ１２）のＸ座標ＤＷが所定のサンプリング
タイミングで計測され、そのＸ座標ＤＷが制御用コンピ
ュータ９に供給されている。制御用コンピュータ９は、
所定の駆動指令信号ＡＷをモータ駆動系２１を介して駆
動モータ１８に供給することにより、Ｘステージ１６の
位置、及び走査速度を制御する。なお、不図示である
が、Ｚステージ１４上にはＹ軸用の移動鏡が固定され、
この移動鏡とＹ軸用のレーザ干渉計とによりウエハ１２
のＹ座標も計測され、この計測結果に基づいてＹステー
ジ１５の動作が制御される。
持され、Ｚステージ１４がＹ方向にウエハ１２のステッ
ピングを行うＹステージ１５上に載置され、Ｙステージ
１５がＸステージ１６上に載置され、Ｘステージ１６は
ウエハベース１７上で駆動モータ１８によりＸ方向にス
テッピング、及び一定速度での移動（走査）ができるよ
うに載置されている。Ｚステージ１４上の一端に固定さ
れたＸ軸用の移動鏡１９により、外部のウエハ側のＸ軸
のレーザ干渉計２０からＸ軸に平行に射出されるレーザ
ビームが反射され、レーザ干渉計２０によりＸステージ
１６（ウエハ１２）のＸ座標ＤＷが所定のサンプリング
タイミングで計測され、そのＸ座標ＤＷが制御用コンピ
ュータ９に供給されている。制御用コンピュータ９は、
所定の駆動指令信号ＡＷをモータ駆動系２１を介して駆
動モータ１８に供給することにより、Ｘステージ１６の
位置、及び走査速度を制御する。なお、不図示である
が、Ｚステージ１４上にはＹ軸用の移動鏡が固定され、
この移動鏡とＹ軸用のレーザ干渉計とによりウエハ１２
のＹ座標も計測され、この計測結果に基づいてＹステー
ジ１５の動作が制御される。
【０００６】この場合、レーザ干渉計８及び２０からは
それぞれ所定のサンプリングタイミングで計測されたＸ
座標ＤＲ及びＤＷが出力される。そして、制御用コンピ
ュータ９では、内部で生成されたクロック信号に基づい
てそのサンプリングタイミングとは独立に設定される所
定の位置信号入力タイミングで、それらのＸ座標ＤＲ及
びＤＷが取り込まれる。そして、走査開始の直前には例
えば不図示のアライメント系によりレチクル２のレチク
ルマークとウエハ１２の当該ショット領域のウエハマー
クとの位置ずれ量が計測され、その位置ずれ量が０にな
るようにレチクルステージ４、及びウエハ側のＸステー
ジ１６のＸ座標を調整するように駆動指令信号ＡＷ及び
ＡＲが出力される。これと並行して、Ｙステージ１５の
Ｙ座標も調整される。
それぞれ所定のサンプリングタイミングで計測されたＸ
座標ＤＲ及びＤＷが出力される。そして、制御用コンピ
ュータ９では、内部で生成されたクロック信号に基づい
てそのサンプリングタイミングとは独立に設定される所
定の位置信号入力タイミングで、それらのＸ座標ＤＲ及
びＤＷが取り込まれる。そして、走査開始の直前には例
えば不図示のアライメント系によりレチクル２のレチク
ルマークとウエハ１２の当該ショット領域のウエハマー
クとの位置ずれ量が計測され、その位置ずれ量が０にな
るようにレチクルステージ４、及びウエハ側のＸステー
ジ１６のＸ座標を調整するように駆動指令信号ＡＷ及び
ＡＲが出力される。これと並行して、Ｙステージ１５の
Ｙ座標も調整される。
【０００７】その後、走査露光が開始されると、制御用
コンピュータ９は取り込み周期Ｔ1で取り込まれたＸ座
標からレチクルステージ４の−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）
への速度ＶＲ、及びＸステージ１６の＋Ｘ方向（又は−
Ｘ方向）への速度ＶＷを算出する。そして、投影光学系
１１の投影倍率をβとして、制御用コンピュータ９はそ
のＸステージ１６の速度ＶＷがβ・ＶＲとなり、且つ速
度ＶＲが所定の基準値となるように駆動指令信号ＡＷ及
びＡＲを生成する。また、走査露光中に例えば部分的に
設けられたレチクルマーク及びウエハマークの位置ずれ
量を計測し、それに基づいてレチクルステージ４とＸス
テージ１６とのＸ方向の位置ずれ量を補正する場合もあ
る。
コンピュータ９は取り込み周期Ｔ1で取り込まれたＸ座
標からレチクルステージ４の−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）
への速度ＶＲ、及びＸステージ１６の＋Ｘ方向（又は−
Ｘ方向）への速度ＶＷを算出する。そして、投影光学系
１１の投影倍率をβとして、制御用コンピュータ９はそ
のＸステージ１６の速度ＶＷがβ・ＶＲとなり、且つ速
度ＶＲが所定の基準値となるように駆動指令信号ＡＷ及
びＡＲを生成する。また、走査露光中に例えば部分的に
設けられたレチクルマーク及びウエハマークの位置ずれ
量を計測し、それに基づいてレチクルステージ４とＸス
テージ１６とのＸ方向の位置ずれ量を補正する場合もあ
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述のように従来の走
査型露光装置では、制御用コンピュータ９の位置信号入
力タイミングがレーザ干渉計８，２０の位置データのサ
ンプリングタイミングと必ずしも同期していない。ま
た、制御用コンピュータ９での位置信号入力タイミング
の周期をＴ1 として、例えば連続する２回の入力で得ら
れるレチクルステージ４のＸ座標をＤＲi 及びＤＲj と
すると、２回目の入力直後のレチクルステージ４の速度
は（ＤＲj −ＤＲi)／Ｔ1 で表される。
査型露光装置では、制御用コンピュータ９の位置信号入
力タイミングがレーザ干渉計８，２０の位置データのサ
ンプリングタイミングと必ずしも同期していない。ま
た、制御用コンピュータ９での位置信号入力タイミング
の周期をＴ1 として、例えば連続する２回の入力で得ら
れるレチクルステージ４のＸ座標をＤＲi 及びＤＲj と
すると、２回目の入力直後のレチクルステージ４の速度
は（ＤＲj −ＤＲi)／Ｔ1 で表される。
【０００９】しかしながら、レーザ干渉計８，２０にお
けるサンプリングタイミングの周期をＴとすると、制御
用コンピュータ９での入力タイミングの周期Ｔ1 には、
それらのＸ座標ＤＲi 及びＤＲj が実際にサンプリング
される間隔Ｔ0 に対して最大で±Ｔ程度の誤差が含まれ
ている。従って、制御用コンピュータ９で算出されるレ
チクルステージ４（同様にＸステージ１６）の走査速度
には、周期Ｔに応じた誤差が含まれていた。そのため、
ウエハ側のＸステージ１６の速度ＶＷを正確にβ・ＶＲ
にすることができず、ウエハ１２上での投影像の解像度
が劣化する、又はその投影像とそれまでに形成されてい
る回路パターンとの重ね合わせ精度が悪化する等の不都
合が生じていた。
けるサンプリングタイミングの周期をＴとすると、制御
用コンピュータ９での入力タイミングの周期Ｔ1 には、
それらのＸ座標ＤＲi 及びＤＲj が実際にサンプリング
される間隔Ｔ0 に対して最大で±Ｔ程度の誤差が含まれ
ている。従って、制御用コンピュータ９で算出されるレ
チクルステージ４（同様にＸステージ１６）の走査速度
には、周期Ｔに応じた誤差が含まれていた。そのため、
ウエハ側のＸステージ１６の速度ＶＷを正確にβ・ＶＲ
にすることができず、ウエハ１２上での投影像の解像度
が劣化する、又はその投影像とそれまでに形成されてい
る回路パターンとの重ね合わせ精度が悪化する等の不都
合が生じていた。
【００１０】更に、走査露光中にその入力タイミングＴ
1 と実際にサンプリングされる間隔Ｔ0 との誤差が変化
すると、走査方向の位置によって投影倍率が変化して、
転写像が歪むといった不都合も生じる。本発明は斯かる
点に鑑み、マスクパターンから感光性の基板への転写像
の走査方向への倍率が所望の倍率となり、且つその転写
像に走査方向への歪みの無い走査型露光装置を提供する
ことを目的とする。
1 と実際にサンプリングされる間隔Ｔ0 との誤差が変化
すると、走査方向の位置によって投影倍率が変化して、
転写像が歪むといった不都合も生じる。本発明は斯かる
点に鑑み、マスクパターンから感光性の基板への転写像
の走査方向への倍率が所望の倍率となり、且つその転写
像に走査方向への歪みの無い走査型露光装置を提供する
ことを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明による走査型露光
装置は、例えば図１及び図２に示すように、露光用の照
明光のもとで、マスクステージ（４）を介して転写用の
パターンが形成されたマスク（２）を第１の方向（−Ｘ
方向）に走査するのと同期して、基板ステージ（１６）
を介して感光性の基板（１２）をその第１の方向に対応
する第２の方向（＋Ｘ方向）に走査することにより、マ
スク（２）のパターンを逐次基板（１２）上に露光する
走査型露光装置において、マスクステージ（４）のその
第１の方向の位置を周期的に計測し、この計測された位
置の情報ＤＲをこの位置の情報が確定されたことを示す
第１のタイミング信号ＴＲ１と共に出力する第１の変位
検出手段（８）と、基板ステージ（１５）のその第２の
方向の位置を周期的に計測し、この計測された位置の情
報ＤＷをこの位置の情報が確定されたことを示す第２の
タイミング信号ＴＷ１と共に出力する第２の変位検出手
段（２０）と、を有する。
装置は、例えば図１及び図２に示すように、露光用の照
明光のもとで、マスクステージ（４）を介して転写用の
パターンが形成されたマスク（２）を第１の方向（−Ｘ
方向）に走査するのと同期して、基板ステージ（１６）
を介して感光性の基板（１２）をその第１の方向に対応
する第２の方向（＋Ｘ方向）に走査することにより、マ
スク（２）のパターンを逐次基板（１２）上に露光する
走査型露光装置において、マスクステージ（４）のその
第１の方向の位置を周期的に計測し、この計測された位
置の情報ＤＲをこの位置の情報が確定されたことを示す
第１のタイミング信号ＴＲ１と共に出力する第１の変位
検出手段（８）と、基板ステージ（１５）のその第２の
方向の位置を周期的に計測し、この計測された位置の情
報ＤＷをこの位置の情報が確定されたことを示す第２の
タイミング信号ＴＷ１と共に出力する第２の変位検出手
段（２０）と、を有する。
【００１２】更に本発明は、第１の変位検出手段（８）
から出力されるそのマスクステージの位置の情報ＤＲ、
及び第１のタイミング信号ＴＲ１に基づいて得られる時
間間隔よりそのマスクステージの速度ＶＲを算出する第
１の速度演算手段（３８Ａ，３９Ａ）と、第２の変位検
出手段（２０）から出力されるその基板ステージの位置
の情報ＤＷ、及び第２のタイミング信号ＴＷ１に基づい
て得られる時間間隔よりその基板ステージの速度ＶＷを
算出する第２の速度演算手段（３８Ｂ，３９Ｂ）と、こ
れら第１及び第２の速度演算手段により算出される速度
に基づいてマスクステージ（４）及び基板ステージ（１
６）の速度を制御するステージ制御手段（４０）と、を
有するものである。
から出力されるそのマスクステージの位置の情報ＤＲ、
及び第１のタイミング信号ＴＲ１に基づいて得られる時
間間隔よりそのマスクステージの速度ＶＲを算出する第
１の速度演算手段（３８Ａ，３９Ａ）と、第２の変位検
出手段（２０）から出力されるその基板ステージの位置
の情報ＤＷ、及び第２のタイミング信号ＴＷ１に基づい
て得られる時間間隔よりその基板ステージの速度ＶＷを
算出する第２の速度演算手段（３８Ｂ，３９Ｂ）と、こ
れら第１及び第２の速度演算手段により算出される速度
に基づいてマスクステージ（４）及び基板ステージ（１
６）の速度を制御するステージ制御手段（４０）と、を
有するものである。
【００１３】
【作用】斯かる本発明によれば、第１の速度演算手段
（３８Ａ，３９Ａ）において、図２に示すように、第１
の変位検出手段（８）から出力される第１のタイミング
信号ＴＲ１を例えば分周することにより位置情報の演算
指令信号ＣＲが生成され、この演算指令信号ＣＲがアク
ティブになるタイミングで、順次マスクステージ（４）
の位置の情報ＤＲn ，ＤＲn+N ，…が取り込まれる。そ
して、第１のタイミング信号ＴＲ１の周期をＴとする
と、所定の整数Ｎを用いてその演算指令信号ＣＲの周期
はＮ・Ｔで表されるため、連続して得られる位置の情報
の差分（ＤＲn+ N −ＤＲn ）を周期Ｎ・Ｔで除算するこ
とにより、マスクステージ（４）の速度ＶＲn+1 が算出
される。この際に、周期Ｎ・Ｔは位置の情報ＤＲn ，Ｄ
Ｒn+N のサンプリング間隔に正確に合致しているため、
マスクステージ（４）の速度ＶＲ n+1 は正確に算出され
る。
（３８Ａ，３９Ａ）において、図２に示すように、第１
の変位検出手段（８）から出力される第１のタイミング
信号ＴＲ１を例えば分周することにより位置情報の演算
指令信号ＣＲが生成され、この演算指令信号ＣＲがアク
ティブになるタイミングで、順次マスクステージ（４）
の位置の情報ＤＲn ，ＤＲn+N ，…が取り込まれる。そ
して、第１のタイミング信号ＴＲ１の周期をＴとする
と、所定の整数Ｎを用いてその演算指令信号ＣＲの周期
はＮ・Ｔで表されるため、連続して得られる位置の情報
の差分（ＤＲn+ N −ＤＲn ）を周期Ｎ・Ｔで除算するこ
とにより、マスクステージ（４）の速度ＶＲn+1 が算出
される。この際に、周期Ｎ・Ｔは位置の情報ＤＲn ，Ｄ
Ｒn+N のサンプリング間隔に正確に合致しているため、
マスクステージ（４）の速度ＶＲ n+1 は正確に算出され
る。
【００１４】同様に、第２の速度演算手段（３８Ｂ，３
９Ｂ）により基板ステージ（１６）の速度も正確に算出
される。従って、例えば投影光学系が使用されている場
合には、その投影光学系の投影倍率をβとすると、基板
ステージ（１６）の速度をマスクステージ（４）の速度
のβ倍に設定することにより、走査方向の全域でマスク
（２）から基板（１２）への転写像の倍率が所望の倍率
となり、且つその転写像に走査方向への歪みが無い。
９Ｂ）により基板ステージ（１６）の速度も正確に算出
される。従って、例えば投影光学系が使用されている場
合には、その投影光学系の投影倍率をβとすると、基板
ステージ（１６）の速度をマスクステージ（４）の速度
のβ倍に設定することにより、走査方向の全域でマスク
（２）から基板（１２）への転写像の倍率が所望の倍率
となり、且つその転写像に走査方向への歪みが無い。
【００１５】
【実施例】以下、本発明による走査型露光装置の一実施
例につき図１及び図２を参照して説明する。本実施例
は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に
本発明を適用したものであり、図１において図３に対応
する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。また、以下では走査方向をＸ方向として、走査方向
への動作についてのみ説明する。
例につき図１及び図２を参照して説明する。本実施例
は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置に
本発明を適用したものであり、図１において図３に対応
する部分には同一符号を付してその詳細説明を省略す
る。また、以下では走査方向をＸ方向として、走査方向
への動作についてのみ説明する。
【００１６】図１は本例のステップ・アンド・スキャン
方式の投影露光装置を示し、この図１において、照明光
ＩＬのもとでレチクル２の照明領域３内のパターンが、
投影光学系１１を介して、フォトレジストが塗布された
ウエハ１２上のスリット状の露光領域１３に投影露光さ
れる。そして、照明領域１２に対してレチクルステージ
４を介してレチクル２を−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に走
査し、露光領域１３に対してＸステージ１６を介してウ
エハ１２を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に走査することに
より、ウエハ１２の各ショット領域上にレチクル２のパ
ターン像が逐次転写露光される。
方式の投影露光装置を示し、この図１において、照明光
ＩＬのもとでレチクル２の照明領域３内のパターンが、
投影光学系１１を介して、フォトレジストが塗布された
ウエハ１２上のスリット状の露光領域１３に投影露光さ
れる。そして、照明領域１２に対してレチクルステージ
４を介してレチクル２を−Ｘ方向（又は＋Ｘ方向）に走
査し、露光領域１３に対してＸステージ１６を介してウ
エハ１２を＋Ｘ方向（又は−Ｘ方向）に走査することに
より、ウエハ１２の各ショット領域上にレチクル２のパ
ターン像が逐次転写露光される。
【００１７】本実施例では、レチクルステージ４は、レ
チクルベース５側に固定された固定子３２、及びレチク
ルステージ４側に固定された可動子３３よりなるリニア
モータ３１によりＸ方向に駆動され、Ｘステージ１６
は、ウエハベース１７側に固定された固定子３５、及び
Ｘステージ１６側に固定された可動子３６よりなるリニ
アモータ３４によりＸ方向に駆動される。そして、レチ
クルステージ４及びＸステージ１６のＸ座標は、それぞ
れレチクル側のレーザ干渉計８及びウエハ側のレーザ干
渉計２０により計測されている。レーザ干渉計８，２０
としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光源からのレーザビームを
用いて、それぞれ不図示の固定鏡に対する移動鏡７，１
９の変位をヘテロダイン方で検出する干渉計が使用され
ている。
チクルベース５側に固定された固定子３２、及びレチク
ルステージ４側に固定された可動子３３よりなるリニア
モータ３１によりＸ方向に駆動され、Ｘステージ１６
は、ウエハベース１７側に固定された固定子３５、及び
Ｘステージ１６側に固定された可動子３６よりなるリニ
アモータ３４によりＸ方向に駆動される。そして、レチ
クルステージ４及びＸステージ１６のＸ座標は、それぞ
れレチクル側のレーザ干渉計８及びウエハ側のレーザ干
渉計２０により計測されている。レーザ干渉計８，２０
としては、Ｈｅ−Ｎｅレーザ光源からのレーザビームを
用いて、それぞれ不図示の固定鏡に対する移動鏡７，１
９の変位をヘテロダイン方で検出する干渉計が使用され
ている。
【００１８】また、レーザ干渉計８からは、図２（ａ）
に示すように、所定のサンプリング周期Ｔでレチクルス
テージ４のＸ座標ＤＲの計測値が出力され、これと共に
図２（ｂ）に示すように、その計測値が確定したことを
示す位置データのサンプリングタイミング信号ＴＲ１も
出力されている。即ち、サンプリングタイミング信号Ｔ
Ｒ１が例えば時点ｔ1 でハイレベル“１”に立ち上がっ
てローレベル“０”に戻ってから、再び立ち上がるまで
の期間は、そのＸ座標ＤＲとしてはほぼ時点ｔ 1 で得ら
れたＸ座標ＤＲn が出力されている。また、Ｘ座標ＤＲ
は実際には並列バス上に出力されており、図２（ａ）は
その内の１つのバス上のデータを示す。
に示すように、所定のサンプリング周期Ｔでレチクルス
テージ４のＸ座標ＤＲの計測値が出力され、これと共に
図２（ｂ）に示すように、その計測値が確定したことを
示す位置データのサンプリングタイミング信号ＴＲ１も
出力されている。即ち、サンプリングタイミング信号Ｔ
Ｒ１が例えば時点ｔ1 でハイレベル“１”に立ち上がっ
てローレベル“０”に戻ってから、再び立ち上がるまで
の期間は、そのＸ座標ＤＲとしてはほぼ時点ｔ 1 で得ら
れたＸ座標ＤＲn が出力されている。また、Ｘ座標ＤＲ
は実際には並列バス上に出力されており、図２（ａ）は
その内の１つのバス上のデータを示す。
【００１９】図１に戻り、Ｘ座標ＤＲ、及びサンプリン
グタイミング信号ＴＲ１はステージ制御系３７に供給さ
れる。ステージ制御系３７において、Ｘ座標ＤＲは速度
演算部３８Ａのデータ入力部に供給され、サンプリング
タイミング信号ＴＲ１は分周比１／Ｎ（Ｎは２以上の整
数）の分周回路３９Ａに供給され、分周回路３９Ａから
速度演算部３８Ａの割り込み信号入力部に対して、サン
プリングタイミング信号ＴＲ１を１／Ｎに分周した信
号、即ち図２（ｃ）に示すように周期がＮ・Ｔの演算指
令信号ＣＲが供給される。速度演算部３８Ａでは、演算
指令信号ＣＲがハイレベル“１”になった直後のＸ座標
ＤＲを取り込み、連続して取り込まれたＸ座標ＤＲの差
分を演算指令信号ＣＲの周期で除算することにより、レ
チクルステージ４の速度ＶＲを求める。そして、速度演
算部３８Ａは、そのように求められた速度ＶＲ、この速
度ＶＲが確定されたことを示すサンプリングタイミング
信号ＴＲ２、及びその速度ＶＲの算出に用いた最新のＸ
座標ＤＲを演算制御部４０に供給する。
グタイミング信号ＴＲ１はステージ制御系３７に供給さ
れる。ステージ制御系３７において、Ｘ座標ＤＲは速度
演算部３８Ａのデータ入力部に供給され、サンプリング
タイミング信号ＴＲ１は分周比１／Ｎ（Ｎは２以上の整
数）の分周回路３９Ａに供給され、分周回路３９Ａから
速度演算部３８Ａの割り込み信号入力部に対して、サン
プリングタイミング信号ＴＲ１を１／Ｎに分周した信
号、即ち図２（ｃ）に示すように周期がＮ・Ｔの演算指
令信号ＣＲが供給される。速度演算部３８Ａでは、演算
指令信号ＣＲがハイレベル“１”になった直後のＸ座標
ＤＲを取り込み、連続して取り込まれたＸ座標ＤＲの差
分を演算指令信号ＣＲの周期で除算することにより、レ
チクルステージ４の速度ＶＲを求める。そして、速度演
算部３８Ａは、そのように求められた速度ＶＲ、この速
度ＶＲが確定されたことを示すサンプリングタイミング
信号ＴＲ２、及びその速度ＶＲの算出に用いた最新のＸ
座標ＤＲを演算制御部４０に供給する。
【００２０】なお、レーザ干渉計８におけるＸ座標ＤＲ
のサンプリングの周期Ｔは一例として１００［μｓ］で
あり、このときの分周回路３９Ａにおける分周比の一例
は１／１０（即ち、Ｎ＝１０）であり、このときの速度
演算部３８Ａでの速度の計算周期は１［ｍｓ］である。
具体的に、図２（ｃ）に示すように、サンプリングタイ
ミングＴＲ１が時点ｔ 1 でハイレベル“１”になった直
後に演算指令信号ＣＲがハイレベル“１”になり、時点
ｔ1 で出力されるＸ座標ＤＲをＤＲn とすると、時点ｔ
1 の直後に速度演算部３８ＡではＸ座標ＤＲn が取り込
まれる。その前に取り込まれているＸ座標をＤＲn-N と
すると、２つのＸ座標が取り込まれる間隔はＮ・Ｔであ
るため、速度演算部３８Ａでは次の演算により時点ｔ1
でのレチクルステージ４のＸ方向への速度ＶＲn を求め
る。
のサンプリングの周期Ｔは一例として１００［μｓ］で
あり、このときの分周回路３９Ａにおける分周比の一例
は１／１０（即ち、Ｎ＝１０）であり、このときの速度
演算部３８Ａでの速度の計算周期は１［ｍｓ］である。
具体的に、図２（ｃ）に示すように、サンプリングタイ
ミングＴＲ１が時点ｔ 1 でハイレベル“１”になった直
後に演算指令信号ＣＲがハイレベル“１”になり、時点
ｔ1 で出力されるＸ座標ＤＲをＤＲn とすると、時点ｔ
1 の直後に速度演算部３８ＡではＸ座標ＤＲn が取り込
まれる。その前に取り込まれているＸ座標をＤＲn-N と
すると、２つのＸ座標が取り込まれる間隔はＮ・Ｔであ
るため、速度演算部３８Ａでは次の演算により時点ｔ1
でのレチクルステージ４のＸ方向への速度ＶＲn を求め
る。
【００２１】 ＶＲn ＝（ＤＲn −ＤＲn-N ）／（Ｎ・Ｔ） （１） その後、速度演算部３８Ａは、図２（ｄ）に示すように
時点ｔ2 で速度ＶＲとしてＶＲn を出力すると同時に、
図２（ｅ）に示すようにサンプリングタイミング信号Ｔ
Ｒ２を所定期間だけハイレベル“１”にする。次に、時
点ｔ1 からＮ・Ｔの時間が経過した時点ｔ3 においてサ
ンプリングタイミングＴＲ１がハイレベル“１”になる
と、Ｘ座標ＤＲの値がＤＲn+N になり、演算指令信号Ｃ
Ｒがハイレベル“１”になるため、速度演算部３８Ａで
はそのＸ座標ＤＲn+N を取り込む。そして、速度演算部
３８Ａでは次の演算により時点ｔ3 でのレチクルステー
ジ４のＸ方向への速度ＶＲn+1 を求める。
時点ｔ2 で速度ＶＲとしてＶＲn を出力すると同時に、
図２（ｅ）に示すようにサンプリングタイミング信号Ｔ
Ｒ２を所定期間だけハイレベル“１”にする。次に、時
点ｔ1 からＮ・Ｔの時間が経過した時点ｔ3 においてサ
ンプリングタイミングＴＲ１がハイレベル“１”になる
と、Ｘ座標ＤＲの値がＤＲn+N になり、演算指令信号Ｃ
Ｒがハイレベル“１”になるため、速度演算部３８Ａで
はそのＸ座標ＤＲn+N を取り込む。そして、速度演算部
３８Ａでは次の演算により時点ｔ3 でのレチクルステー
ジ４のＸ方向への速度ＶＲn+1 を求める。
【００２２】 ＶＲn+1 ＝（ＤＲn+N −ＤＲn ）／（Ｎ・Ｔ）（２） その後、速度演算部３８Ａは、図２（ｄ）に示すように
時点ｔ４ で速度ＶＲとしてＶＲn+1 を出力すると同時
に、サンプリングタイミング信号ＴＲ２を所定期間だけ
ハイレベル“１”にする。以下、同様に速度演算部３８
Ａは演算、及び演算結果等の出力を繰り返す。
時点ｔ４ で速度ＶＲとしてＶＲn+1 を出力すると同時
に、サンプリングタイミング信号ＴＲ２を所定期間だけ
ハイレベル“１”にする。以下、同様に速度演算部３８
Ａは演算、及び演算結果等の出力を繰り返す。
【００２３】図１において、レーザ干渉計８と同様に、
ウエハ側のレーザ干渉計２０でも所定のサンプリング周
期ＴでＸステージ１６のＸ座標ＤＷの計測値が出力さ
れ、これと共にその計測値が確定したことを示す位置デ
ータのサンプリングタイミング信号ＴＷ１も出力されて
いる。そのＸ座標ＤＷはステージ制御系３７中の速度演
算部３８Ｂのデータ入力部に供給され、サンプリングタ
イミング信号ＴＷ１は分周比１／Ｎの分周回路３９Ｂに
供給され、分周回路３９Ｂから速度演算部３８Ｂの割り
込み信号入力部に対して、サンプリングタイミング信号
ＴＷ１を１／Ｎに分周した演算指令信号ＣＷが供給され
る。この場合、例えば分周回路３９Ａ及び３９Ｂの初期
のリセット動作により、分周回路３９Ａ及び３９Ｂから
出力される演算指令信号ＣＲ及びＣＷがハイレベル
“１”になるタイミングは、例えばレーザ干渉計８，２
０におけるサンプリングの周期Ｔ程度より小さくなるよ
うに設定されている。
ウエハ側のレーザ干渉計２０でも所定のサンプリング周
期ＴでＸステージ１６のＸ座標ＤＷの計測値が出力さ
れ、これと共にその計測値が確定したことを示す位置デ
ータのサンプリングタイミング信号ＴＷ１も出力されて
いる。そのＸ座標ＤＷはステージ制御系３７中の速度演
算部３８Ｂのデータ入力部に供給され、サンプリングタ
イミング信号ＴＷ１は分周比１／Ｎの分周回路３９Ｂに
供給され、分周回路３９Ｂから速度演算部３８Ｂの割り
込み信号入力部に対して、サンプリングタイミング信号
ＴＷ１を１／Ｎに分周した演算指令信号ＣＷが供給され
る。この場合、例えば分周回路３９Ａ及び３９Ｂの初期
のリセット動作により、分周回路３９Ａ及び３９Ｂから
出力される演算指令信号ＣＲ及びＣＷがハイレベル
“１”になるタイミングは、例えばレーザ干渉計８，２
０におけるサンプリングの周期Ｔ程度より小さくなるよ
うに設定されている。
【００２４】速度演算部３８Ｂでは、演算指令信号ＣＷ
がハイレベル“１”になった直後のＸ座標ＤＷを取り込
み、連続して取り込まれたＸ座標ＤＷの差分を演算指令
信号ＣＷの周期で除算することにより、Ｘステージ１６
の速度ＶＷを求める。そして、速度演算部３８Ｂは、そ
のように求められた速度ＶＷ、この速度ＶＷが確定され
たことを示すサンプリングタイミング信号ＴＷ２、及び
その速度ＶＷの算出に用いた最新のＸ座標ＤＷを演算制
御部４０に供給する。速度演算部３８Ｂでの演算は速度
演算部３８Ａでの演算と同様である。
がハイレベル“１”になった直後のＸ座標ＤＷを取り込
み、連続して取り込まれたＸ座標ＤＷの差分を演算指令
信号ＣＷの周期で除算することにより、Ｘステージ１６
の速度ＶＷを求める。そして、速度演算部３８Ｂは、そ
のように求められた速度ＶＷ、この速度ＶＷが確定され
たことを示すサンプリングタイミング信号ＴＷ２、及び
その速度ＶＷの算出に用いた最新のＸ座標ＤＷを演算制
御部４０に供給する。速度演算部３８Ｂでの演算は速度
演算部３８Ａでの演算と同様である。
【００２５】次に、演算制御部４０では、供給されるサ
ンプリングタイミングＴＲ２及びＴＷ２の立ち上がりに
同期して順次、それぞれレチクルステージ４のＸ座標Ｄ
Ｒと速度ＶＲと、及びウエハ側のＸステージ１６のＸ座
標ＤＷと速度ＶＷとを取り込む。そして、走査開始の直
前に演算制御部４０は、レチクルステージ４、及びＸス
テージ１６のＸ座標を調整するように駆動指令信号ＢＲ
及びＢＷをそれぞれモータ駆動系４１Ａ及び４１Ｂに出
力する。この場合、駆動指令信号ＢＲ及びＢＷは、それ
ぞれリニアモータ３１及び３４の駆動速度に対応した信
号であり、モータ駆動系４１Ａ及び４１Ｂはそれぞれそ
の駆動速度を得るための電流をリニアモータ３１及び３
３に供給する。
ンプリングタイミングＴＲ２及びＴＷ２の立ち上がりに
同期して順次、それぞれレチクルステージ４のＸ座標Ｄ
Ｒと速度ＶＲと、及びウエハ側のＸステージ１６のＸ座
標ＤＷと速度ＶＷとを取り込む。そして、走査開始の直
前に演算制御部４０は、レチクルステージ４、及びＸス
テージ１６のＸ座標を調整するように駆動指令信号ＢＲ
及びＢＷをそれぞれモータ駆動系４１Ａ及び４１Ｂに出
力する。この場合、駆動指令信号ＢＲ及びＢＷは、それ
ぞれリニアモータ３１及び３４の駆動速度に対応した信
号であり、モータ駆動系４１Ａ及び４１Ｂはそれぞれそ
の駆動速度を得るための電流をリニアモータ３１及び３
３に供給する。
【００２６】その後、走査露光が開始されると、演算制
御部４０は取り込まれたレチクルステージ４の速度Ｖ
Ｒ、及びＸステージ１６の速度ＶＷ、並びに既知の投影
光学系１１の投影倍率β（βは例えば１／４、１／５
等）を用いて、Ｘステージ１６の速度ＶＷがβ・ＶＲと
なり、且つ速度ＶＲが所定の基準値となるように駆動指
令信号ＢＲ及びＢＷを生成する。また、必要に応じて走
査露光中にレチクルステージ４とＸステージ１６とのＸ
方向の位置ずれ量が補正される。それらの駆動指令信号
ＢＲ及びＢＷに基づいてレチクルステージ４の速度ＶＲ
は所定の基準値に設定され、Ｘステージ１６の速度ＶＷ
はβ・ＶＲに設定される。
御部４０は取り込まれたレチクルステージ４の速度Ｖ
Ｒ、及びＸステージ１６の速度ＶＷ、並びに既知の投影
光学系１１の投影倍率β（βは例えば１／４、１／５
等）を用いて、Ｘステージ１６の速度ＶＷがβ・ＶＲと
なり、且つ速度ＶＲが所定の基準値となるように駆動指
令信号ＢＲ及びＢＷを生成する。また、必要に応じて走
査露光中にレチクルステージ４とＸステージ１６とのＸ
方向の位置ずれ量が補正される。それらの駆動指令信号
ＢＲ及びＢＷに基づいてレチクルステージ４の速度ＶＲ
は所定の基準値に設定され、Ｘステージ１６の速度ＶＷ
はβ・ＶＲに設定される。
【００２７】上述のように、本実施例によれば、レーザ
干渉計８，２０から出力されるサンプリングタイミング
信号ＴＲ１，ＴＷ１を分周して得られた演算指令信号Ｃ
Ｒ，ＣＷに同期してＸ座標ＤＲ，ＤＷを取り込み、取り
込まれたＸ座標の差分を演算指令信号ＣＲ，ＣＷの周期
で除算してレチクルステージ４及びＸステージ１６の速
度が算出されている。従って、取り込まれるＸ座標のサ
ンプリング周期と、速度を算出する際の除算の分母の周
期とが等しいため、レチクルステージ４及びＸステージ
１６のＸ方向への速度が正確に算出され、結果としてレ
チクルステージ４及びＸステージ１６の走査速度が正確
に制御される。これにより、ウエハ１２の当該ショット
領域上には、レチクル２のパターンを走査方向に正確に
β倍した像が高い解像度で、且つ走査方向での歪みなく
投影される。
干渉計８，２０から出力されるサンプリングタイミング
信号ＴＲ１，ＴＷ１を分周して得られた演算指令信号Ｃ
Ｒ，ＣＷに同期してＸ座標ＤＲ，ＤＷを取り込み、取り
込まれたＸ座標の差分を演算指令信号ＣＲ，ＣＷの周期
で除算してレチクルステージ４及びＸステージ１６の速
度が算出されている。従って、取り込まれるＸ座標のサ
ンプリング周期と、速度を算出する際の除算の分母の周
期とが等しいため、レチクルステージ４及びＸステージ
１６のＸ方向への速度が正確に算出され、結果としてレ
チクルステージ４及びＸステージ１６の走査速度が正確
に制御される。これにより、ウエハ１２の当該ショット
領域上には、レチクル２のパターンを走査方向に正確に
β倍した像が高い解像度で、且つ走査方向での歪みなく
投影される。
【００２８】なお、上述実施例の速度演算部３８Ａ，３
８Ｂ、及び演算制御部４０はそれぞれコンピュータのソ
フトウェア上で実行される機能である。また、上述実施
例では、サンプリングタイミング信号ＴＲ１，ＴＷ１か
らそれぞれ分周回路３９Ａ，３９Ｂを介して演算指令信
号ＣＲ，ＣＷを算出しているが、分周回路の代わりに例
えばカウンタを用いてもよく、更にはサンプリングタイ
ミング信号ＴＲ１，ＴＷ１そのものを演算指令信号Ｃ
Ｒ，ＣＷとして使用してもよい。
８Ｂ、及び演算制御部４０はそれぞれコンピュータのソ
フトウェア上で実行される機能である。また、上述実施
例では、サンプリングタイミング信号ＴＲ１，ＴＷ１か
らそれぞれ分周回路３９Ａ，３９Ｂを介して演算指令信
号ＣＲ，ＣＷを算出しているが、分周回路の代わりに例
えばカウンタを用いてもよく、更にはサンプリングタイ
ミング信号ＴＲ１，ＴＷ１そのものを演算指令信号Ｃ
Ｒ，ＣＷとして使用してもよい。
【００２９】このように、本発明は上述実施例に限定さ
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
れず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取
り得る。
【００３０】
【発明の効果】本発明によれば、第１及び第２の変位検
出手段から出力されるタイミング信号に同期してそれぞ
れマスクステージ及び基板ステージの位置の計測値が取
り込まれ、例えば取り込まれた位置の計測値の差分をそ
れらタイミング信号に基づいて得られる信号の間隔を除
算することにより、マスクステージ及び基板ステージの
走査方向への速度が正確に算出される。従って、マスク
ステージ及び基板ステージの走査速度を正確に制御でき
るため、マスクパターンから感光性の基板への転写像の
走査方向への倍率が所望の倍率となり、且つその転写像
に走査方向への歪みが無い利点がある。
出手段から出力されるタイミング信号に同期してそれぞ
れマスクステージ及び基板ステージの位置の計測値が取
り込まれ、例えば取り込まれた位置の計測値の差分をそ
れらタイミング信号に基づいて得られる信号の間隔を除
算することにより、マスクステージ及び基板ステージの
走査方向への速度が正確に算出される。従って、マスク
ステージ及び基板ステージの走査速度を正確に制御でき
るため、マスクパターンから感光性の基板への転写像の
走査方向への倍率が所望の倍率となり、且つその転写像
に走査方向への歪みが無い利点がある。
【図１】本発明による走査型露光装置の一実施例を示す
構成図である。
構成図である。
【図２】実施例の動作の説明に供する各種信号のタイミ
ングチャートである。
ングチャートである。
【図３】従来の走査型露光装置を示す構成図である。
２ レチクル ４ レチクルステージ ７，１９ 移動鏡 ８ レチクル側のレーザ干渉計 １１ 投影光学系 １２ ウエハ １５ Ｙステージ １６ Ｘステージ ２０ ウエハ側のレーザ干渉計 ３１，３４ リニアモータ ３７ ステージ制御系 ３８Ａ，３８Ｂ 速度演算部 ３９Ａ，３９Ｂ 分周回路 ４０ 演算制御部 ４１Ａ，４１Ｂ モータ駆動系
Claims (1)
- 【請求項１】 露光用の照明光のもとで、マスクステー
ジを介して転写用のパターンが形成されたマスクを第１
の方向に走査するのと同期して、基板ステージを介して
感光性の基板を前記第１の方向に対応する第２の方向に
走査することにより、前記マスクのパターンを逐次前記
基板上に露光する走査型露光装置において、 前記マスクステージの前記第１の方向の位置を周期的に
計測し、該計測された位置の情報を該位置の情報が確定
されたことを示す第１のタイミング信号と共に出力する
第１の変位検出手段と；前記基板ステージの前記第２の
方向の位置を周期的に計測し、該計測された位置の情報
を該位置の情報が確定されたことを示す第２のタイミン
グ信号と共に出力する第２の変位検出手段と；前記第１
の変位検出手段から出力される前記マスクステージの位
置の情報、及び前記第１のタイミング信号に基づいて得
られる時間間隔より前記マスクステージの速度を算出す
る第１の速度演算手段と；前記第２の変位検出手段から
出力される前記基板ステージの位置の情報、及び前記第
２のタイミング信号に基づいて得られる時間間隔より前
記基板ステージの速度を算出する第２の速度演算手段
と；前記第１及び第２の速度演算手段により算出される
速度に基づいて前記マスクステージ及び前記基板ステー
ジの速度を制御するステージ制御手段と；を有すること
を特徴とする走査型露光装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6241473A JPH08107058A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 走査型露光装置 |
| KR1019950034054A KR100356946B1 (ko) | 1994-10-05 | 1995-10-05 | 주사투영노광장치및주사투영노광을수행하는방법 |
| US08/539,550 US5699146A (en) | 1994-10-05 | 1995-10-05 | Scanning exposure apparatus with velocity calculating means for stage elements |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6241473A JPH08107058A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 走査型露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107058A true JPH08107058A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17074844
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6241473A Withdrawn JPH08107058A (ja) | 1994-10-05 | 1994-10-05 | 走査型露光装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5699146A (ja) |
| JP (1) | JPH08107058A (ja) |
| KR (1) | KR100356946B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009071139A (ja) * | 2007-09-14 | 2009-04-02 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置および描画方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5936710A (en) * | 1996-01-05 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Scanning type exposure apparatus, position control apparatus, and method therefor |
| US5972567A (en) * | 1996-12-20 | 1999-10-26 | Intel Corporation | Method and apparatus for performing a double shift print on a substrate |
| JP3013837B2 (ja) * | 1998-04-27 | 2000-02-28 | 日本電気株式会社 | ステージ位置計測装置およびその計測方法 |
| KR100569678B1 (ko) * | 1998-09-18 | 2007-08-16 | 주식회사 코오롱 | 이용출성 폴리에스테르 및 그의 제조방법. |
| JP2000164506A (ja) * | 1998-11-27 | 2000-06-16 | Canon Inc | 露光方法および装置 |
| US6573976B2 (en) * | 2000-10-04 | 2003-06-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, exposure method, and semiconductor device manufacturing method |
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