JPH08107101A - プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 - Google Patents

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

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JPH08107101A
JPH08107101A JP23891894A JP23891894A JPH08107101A JP H08107101 A JPH08107101 A JP H08107101A JP 23891894 A JP23891894 A JP 23891894A JP 23891894 A JP23891894 A JP 23891894A JP H08107101 A JPH08107101 A JP H08107101A
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plasma
chamber
electrode plate
region
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JP23891894A
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Hiroshi Arimoto
宏 有本
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、プラズマ処理装置に関し、基板載
置台にＲＦバイアスを印加しなくても、加速されたイオ
ンをウエハ上に導けるようにしてチャージアップを抑制
する。 【構成】 プラズマ生成室１１と、プラズマ生成室１１
の下流に設けられた処理室１６と、プラズマ生成室１１
内に処理ガスを導入するガス導入口１９と、プラズマ生
成室１１の外壁に巻回された、プラズマ生成室１１内の
処理ガスをプラズマ化するコイル状の第１のＲＦ電極２
４と、処理室１６の外壁に巻回された、処理室１６内の
処理ガスをプラズマ化するコイル状の第２のＲＦ電極２
５と、処理室１６内に設けられた基板載置台２１と、プ
ラズマ生成室１１と処理室１６間を仕切り、複数の孔１
５が設けられた接地電極板１４と、接地電極板１４に対
向して上流に設けられ、プラズマ生成室１１内のプラズ
マに電位を付与するＲＦ電極板１３とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ処理装置及び
プラズマ処理方法に関し、より詳しくは、プラズマガス
によるドライエッチングや成膜に用いられるプラズマ処
理装置及びプラズマ処理方法に関する。近年、半導体装
置の高密度化に伴うパターンの微細化により、寸法精度
が良く、アスペクト比の高い溝等のエッチングが可能な
エッチング装置やカバレージ特性に優れ、緻密な膜質の
薄膜を成膜可能な成膜装置が要望されている。このた
め、低いガス圧で高密度のプラズマを生成する手段を有
する処理装置が要望されている。
【０００２】
【従来の技術】従来、低いガス圧でも高密度のプラズマ
を生成することができるプラズマ処理装置として、ＥＣ
Ｒプラズマイオン源、ヘリコンプラズマイオン源、ＴＣ
Ｐプラズマイオン源等を利用し、イオンを加速するＲＦ
電圧を基板に印加するためのＲＦ電極を有するエッチン
グ装置や成膜装置がある。これらのうちＥＣＲエッチン
グ装置を図７（ａ）に示し、ＴＣＰエッチング装置を図
８（ａ）に示す。
【０００３】これらのエッチング装置では、反応ガスに
マイクロ波電力や電磁場を印加してプラズマを発生さ
せ、ＲＦ電源３，３ａから供給されたＲＦ電力により形
成されたＲＦ電界によりイオンをウエハ（基板）４，４
ａ上に導いてエッチングを行っている。このため、ＲＦ
電極は基板載置台２，２ａを兼ねている。なお、ＲＦ電
極に対する接地電極として接地されたチャンバ壁１，１
ａが用いられることが多い。
【０００４】即ち、エッチング装置の場合、ウエハ４，
４ａ上に導かれたイオンの化学的反応の促進により、或
いは物理的衝撃力によりエッチングを行っている。ま
た、上記のプラズマ処理装置を成膜装置として用いた場
合には、ウエハ上に導かれた活性化しているラジカルの
反応により反応生成物をウエハ上に堆積している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、基板載置台
２，２ａにＲＦ電力を印加すると、ＲＦ電力がチャンバ
壁１，１ａ等周辺の接地電極に流れ込むため、図７
（ｂ），図８（ｂ）に示すように、ウエハ４，４ａ上方
のプラズマポテンシャルに空間的な分布が生じやすくな
る。
【０００６】このようなプラズマポテンシャルの分布は
ウエハ４，４ａ上に局所的なチャージアップを発生さ
せ、ウエハ４，４ａに形成されたＭＯＳトランジスタの
ゲート絶縁膜の劣化、或いは破壊を引き起こす原因とな
っている。本発明は、係る従来例の問題点に鑑みて創作
されたものであり、基板載置台にＲＦバイアスを印加し
なくても、加速されたイオンをウエハ上に導けるように
してチャージアップを抑制することができるプラズマ処
理装置及びプラズマ処理方法を提供することを目的とす
るものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題は、第１に、プ
ラズマ生成室と、前記プラズマ生成室の下流に設けられ
た処理室と、前記プラズマ生成室内に処理ガスを導入す
るガス導入口と、前記プラズマ生成室の外壁に巻回され
た、前記プラズマ生成室内の処理ガスをプラズマ化する
コイル状の第１のＲＦ電極と、前記処理室の外壁に巻回
された、前記処理室内の処理ガスをプラズマ化するコイ
ル状の第２のＲＦ電極と、前記処理室内に設けられた基
板載置台と、前記プラズマ室と前記処理室間を仕切り、
複数の孔が設けられた接地電極板と、前記接地電極板に
対向して上流に設けられ、前記プラズマ室内のプラズマ
に電位を付与するＲＦ電極板とを有することを特徴とす
るプラズマ処理装置によって達成され、第２に、前記載
置台の周辺に接地された導電体が設けられていることを
特徴とする第１の発明に記載のプラズマ処理装置によっ
て達成され、第３に、前記載置台はコンデンサを介して
接地されていることを特徴とする第１又は第２の発明に
記載のプラズマ処理装置によって達成され、第４に、前
記孔の大きさは直径０．５ｍｍ以下であることを特徴と
する第１乃至第３の発明のいずれかに記載のプラズマ処
理装置によって達成され、第５に、前記ガス導入口は前
記ＲＦ電極板に設けられていることを特徴とする第１乃
至第４の発明のいずれかに記載のプラズマ処理装置によ
って達成され、第６に、前記接地電極板の孔の密度は前
記プラズマ生成室から前記処理室に流入するイオン電流
密度に対応した分布を有することを特徴とする第１乃至
第５の発明のいずれかに記載のプラズマ処理装置によっ
て達成され、第７に、前記接地電極板の孔は、前記処理
室内の圧力が数ｍｍTorr以下となるようにコンダクタン
スが調整されていることを特徴とする第１乃至第６の発
明のいずれかに記載のプラズマ処理装置によって達成さ
れ、第８に、前記接地電極板及び前記載置台のうち少な
くともいずれかは上下移動手段を有することを特徴とす
る第１乃至第７の発明のいずれかに記載のプラズマ処理
装置によって達成され、第９に、複数の貫通孔を有する
接地電極板により第１の領域と第２の領域とに仕切り、
前記第１の領域に被処理基板を置き、前記第１の領域と
前記第２の領域に導入された処理ガスを活性化して前記
第１の領域及び前記第２の領域にプラズマを生成し、前
記第２の領域で生成した前記プラズマにプラズマポテン
シャルを付与し、前記接地電極板の貫通孔を介して前記
第２の領域の前記プラズマ中のイオンを前記第１の領域
に導くことを特徴とするプラズマ処理方法によって達成
され、第１０に、前記第１の領域に導かれたイオンをそ
のまま前記被処理基板に照射することを特徴とする第９
の発明に記載のプラズマ処理方法によって達成され、第
１１に、前記第１の領域に導かれたイオンを電荷交換衝
突により中性化し、該中性粒子を前記被処理基板に照射
することを特徴とする第９の発明に記載のプラズマ処理
方法によって達成される。
【０００８】
【作用】本発明のプラズマ処理装置においては、プラズ
マ生成室と処理室はそれぞれに反応ガスをプラズマ化す
るＲＦ電力を印加する第１及び第２のＲＦ電極を有し、
複数の孔を有する接地電極板で仕切られている。また、
上記プラズマ処理装置は接地電極板に対向し、プラズマ
ポテンシャルを付与するＲＦ電極板を上流側に有する。
【０００９】これらの構成により、本発明のプラズマ処
理装置は生成されたプラズマを２つの領域に隔てるとと
もに、上流のプラズマ生成室で生成されたプラズマから
複数の孔を介して下流の処理室で生成したプラズマ中に
イオンを引き出せる構造となっている。即ち、本発明の
プラズマ処理方法のように、プラズマを生成し、ＲＦ電
極板にＲＦ電力を印加すると、上流のプラズマポテンシ
ャルが高くなり、プラズマ中のイオンは対向する接地電
極板に向かって加速される。
【００１０】このとき、接地電極板の孔の大きさが１ｍ
ｍ程度以上の場合は、孔の周囲の接地電極板がプラズマ
シースで囲まれるため、イオン電流が飽和するのに十分
なシース電界にならない。この場合でも、イオンはある
程度加速されているので、孔を通過し、そのままエッチ
ングや成膜に用いることができるし、ＲＦ電極板に印加
するＲＦ電力を更に増して電界を増大し、イオンを更に
加速して孔を通過させ、エッチングや成膜に用いること
もできる。
【００１１】一方、接地電極板の孔の大きさが十分に小
さい場合、例えば０．５ｍｍ以下の場合、孔の近傍のシ
ース電界強度が飽和するため、イオンは十分に加速さ
れ、孔を通過して載置台に到達する。なお、孔を通過す
るイオンフラックス密度は、プラズマ密度及びプラズマ
ポテンシャルによらず、イオンに対向する接地電極板の
面積に対する孔の占める面積として定義される孔の開口
率によって決定されるため、孔の開口率を調整すること
によりイオン電流密度を調整することができる。
【００１２】以上のように、載置台にＲＦ電極を接続し
なくても、載置台に加速されたイオンを導くことができ
る。また、プラズマ生成室内のプラズマ生成方法により
余儀なくイオン電流密度が不均一となる場合には、イオ
ン電流密度の分布に応じて接地電極板の孔の密度に分布
を持たせる、即ち隣接する孔の間隔を分布に応じて調整
することにより、基板に到達するイオン電流密度を均一
にすることができる。即ち、イオン電流密度の高い所は
孔の密度を粗にし、低いところは密にする。
【００１３】更に、処理室に引き出されたイオンにより
処理室のプラズマポテンシャルは上昇しようとするが、
処理室内に生成されているプラズマ中の電子によりイオ
ンが中和されてプラズマポテンシャルの上昇が抑制され
る。一般に、プラズマイオンシース部が形成され、プラ
ズマポテンシャルが僅かにプラスに上昇する。この上昇
の仕方は殆どが周辺の接地面積やプラズマ中の電子温度
で決定されるため、上部からイオンが新たに入射しても
周辺アースに逃げる電子が減ることによって、載置台を
効率良く、かつ均一に中和することができる。従って、
基板のチャージアップを抑制することができる。
【００１４】また、プラズマポテンシャルの上昇が抑制
されるため、プラズマ生成室と処理室のプラズマポテン
シャルの差を維持することが出来るので、常にイオンを
基板の向きに加速することができる。更に、処理室内の
圧力が数ｍｍTorr以下となるように接地電極板の孔のコ
ンダクタンスが調整されているので、引き出されたイオ
ンと処理室内のプラズマ粒子との衝突を避けることがで
きる。このイオンは指向性を有するので、異方性エッチ
ングに有効である。
【００１５】また、接地電極板及び載置台のうち少なく
ともいずれかは上下移動手段を有するので、接地電極板
と載置台の距離を近づけることにより、引き出されたイ
オンとプラズマ粒子との衝突を避けるようにしてそのイ
オンを異方性のエッチング種とすることもできる。或い
は、接地電極板と載置台の距離を遠ざけることにより、
引き出されたイオンを処理室に導入されている中性粒子
と電荷交換衝突させて引き出されたイオンを中性化し、
高速中性粒子とすることができる。この高速中性粒子を
エッチング或いは成膜に用いることにより、基板のチャ
ージアップを更に抑制することができる。
【００１６】
【実施例】以下に、図面を参照しながら本発明の実施例
について説明する。図１（ａ）は、本発明の実施例に係
るプラズマエッチング装置について示す側面図である。
図１（ａ）において、１１はプラズマ生成室で、側壁１
２は内径３００ｍｍφの円筒状の絶縁壁で形成され、そ
の外壁にはコイル状の銅線が巻回された第１のＲＦ電極
２４を有する。
【００１７】また、上部壁は板状のＳｉＣ，グラシーカ
ーボン，Ｓｉ或いはＡｌからなるＲＦ電極板１３となっ
ている。ＲＦ電極板１３には整合回路２７を介して第２
のＲＦ電源２８が接続されている。第２のＲＦ電源２８
により、ＲＦ電極板１３に例えば周波数13.56 ＭＨｚの
ＲＦ電力を印加することよりプラズマ生成室１１で生成
されたプラズマの電位を高める。このＲＦ電極板１３に
は反応ガスを導入するガス導入口１９が形成されてい
る。
【００１８】１６はエッチング室（処理室）で、側壁１
７は直径３００ｍｍφの円筒状の絶縁壁で形成され、そ
の外壁にはコイル状の銅線が巻回された第２のＲＦ電極
２５を有する。この第２のＲＦ電極２５は第１のＲＦ電
極２４と接続されていてもよいし、電気的に分離されて
いてもよい。図１の場合、第２のＲＦ電極２５と第１の
ＲＦ電極２４は接続されており、両端間に第１のＲＦ電
源２６が接続されている。エッチング室１６の下部は導
電壁１８となっており、またエッチング室１６の下部に
は、プラズマ生成室１１内及びエッチング室１６内を排
気し、或いはエッチング室１６内の不要なガスや反応生
成物を排出する排気口２０を有する。
【００１９】２１はエッチング室１６内に設置されたウ
エハ２２を保持する基板載置台である。また、基板載置
台２１はコンデンサ２３を介して接地されており、ウエ
ハ２２は直流的に絶縁されている。従って、エッチング
中或いは成膜中のチャージアップに対して、ウエハ２２
上に形成されているゲート絶縁膜等にはチャージアップ
による電圧がかからない。更に、基板載置台２１には不
図示の上下移動機構が設けられ、接地電極板１４との距
離を調整することが出来るようになっている。
【００２０】１４はプラズマ生成室１１とエッチング室
１６を仕切る厚さ１ｍｍの接地電極板で、ＲＦ電極板１
３と対向している。また、図２（ｂ）に示すように、接
地電極板１３には直径約０．５ｍｍの複数の貫通孔１５
が間隔０．８ｍｍで形成されており、開口率は約３０％
となっている。即ち、プラズマを２つの領域に隔てると
ともに、プラズマ生成室１１内のプラズマ中のイオンが
貫通孔１５を介して通過できるような構造となってい
る。
【００２１】また、貫通孔１５を通流するガスに対する
貫通孔１５のコンダクタンスは調整されており、例え
ば、排気口２０から排気量1000ｌ／ｓのＴＭＰ（ターボ
モリキュラポンプ）を用いてエッチング室１６及び接地
電極板１４の貫通孔１５を介してプラズマ生成室１１を
排気した場合、プラズマ生成室１１内の圧力１０ｍＴｏ
ｒｒ，エッチング室１６内の圧力１ｍＴｏｒｒ以下の差
圧を確保することができる。
【００２２】以上のように、本発明の実施例のプラズマ
エッチング装置においては、プラズマ生成室１１とエッ
チング室１６はそれぞれに反応ガスをプラズマ化するＲ
Ｆ電力を印加する第１のＲＦ電極２４を有し、複数の貫
通孔１５を有する接地電極板１４で仕切られ、更に、接
地電極板１４に対向し、プラズマポテンシャルを付与す
るＲＦ電極板１３を上流側に有する。
【００２３】従って、ＲＦ電極板１３にＲＦ電力を印加
すると、上流のプラズマポテンシャルが高くなり、プラ
ズマ中のイオンは対向する接地電極板１４に向かって加
速される。このとき、接地電極板１４の貫通孔１５の大
きさが１ｍｍ程度以上の場合は、図３（ａ）に示すよう
に孔の周囲の接地電極板１４がプラズマシースで囲まれ
るため、図３（ｃ）に示すようにイオン電流が飽和する
のに十分なシース電界にならない。この場合でも、イオ
ンはある程度加速されているので、貫通孔１５を通過し
たイオンをそのままエッチングに用いることができる
し、ＲＦ電極板１３に印加するＲＦ電力を更に増してシ
ース電界を増大し、イオンを更に加速して貫通孔１５を
通過させ、エッチングに用いることもできる。
【００２４】一方、接地電極板１４の貫通孔１５の大き
さが十分に小さい場合、例えば０．５ｍｍ以下の場合、
図３（ｂ），（ｃ）に示すように貫通孔１５の近傍のシ
ース電界強度が飽和するため、イオンは十分に加速さ
れ、貫通孔１５を通過して基板載置台２１に到達する。
このとき、貫通孔１５から引き出されるイオンフラック
ス密度は、プラズマポテンシャルによらず、プラズマ密
度及び貫通孔１５の開口率で決定されるので、開口率を
調整することによりイオン電流密度を調整することがで
きる。
【００２５】以上のように、基板載置台２１にＲＦ電極
を接続しなくても、基板載置台２１にイオンを導くこと
ができる。次に、上記のエッチング装置を用いたエッチ
ング方法について説明する。まず、排気口２０からプラ
ズマ生成室１１内及びエッチング室１６内を排気する。
続いて、反応ガス、例えばＣＦ4 をガス導入口１９から
プラズマ生成室１１内に導入する。反応ガスは接地電極
板１４の貫通孔１５を介して下流のエッチング室１６に
も導入される。このとき、貫通孔１５のコンダクタンス
により、プラズマ生成室１１内の圧力１０ｍＴｏｒｒに
対してエッチング室１６内の圧力１ｍＴｏｒｒ以下の差
圧を確保することができる。
【００２６】次に、第１のＲＦ電源２６により、周波数
13.56 ＭＨｚ，電力１ｋＷ以上を第１のＲＦ電極２４に
印加すると、プラズマ生成室１１内にプラズマが生成
し、そのプラズマ密度は１０11ｃｍ-3以上になる。この
とき、同時に、第２のＲＦ電極２５にも周波数13.56 Ｍ
Ｈｚ，電力１ｋＷ以上が印加されて、エッチング室１６
内にも低密度のプラズマが生成される。
【００２７】更に、ＲＦ電極板１３に４００Ｗの電力を
印加するとプラズマ生成室１１内のプラズマポテンシャ
ルは平均で４００Ｖ程度になる。また、エッチング室１
６内のプラズマポテンシャルは３０〜５０Ｖとなる。こ
の様子を図１（ａ）に示す。図１（ａ）はＲＦ電極板１
３がアノードになった場合のプラズマ生成室１１及びエ
ッチング室１６の円筒軸方向のポテンシャル分布を示
す。
【００２８】なお、実用上、適当なイオンの加速電界を
得るため、ＲＦ電極板１３には１００〜６００Ｗ程度印
加することが好ましい。また、ＲＦ電極板１３には印加
しなくても、エッチング室１６内のプラズマポテンシャ
ルは３０〜５０Ｖとなるので、場合により、ＲＦ電極板
１３には電力を印加しなくてもよい。上記のようにＲＦ
電極板１３に電力を印加することにより、図３（ｂ）に
示すように、十分に狭い貫通孔１５近傍におけるシース
電界は飽和し、図１（ｂ）に示すように貫通孔１５の前
面に高電界がかかる。これにより、プラズマ生成室１１
内のプラズマ中のイオンが加速され、プラズマ生成室１
１から貫通孔１５を介してエッチング室１６に引き出さ
れる。このとき、図４に示すようにエッチング室１６内
に引き出されるイオン電流密度も飽和し、３ｍＡ／ｃｍ
2 が得られる。
【００２９】また、プラズマ生成室１１内及びエッチン
グ室１６内におけるイオン電流密度の分布を図２
（ａ），図２（ｃ）に示す。なお、図６（ａ）に示すよ
うにプラズマ生成室１１内のイオン電流密度分布が不均
一になる場合がある。このような分布は、特に、図１
（ａ）に示すようなコイル状の第１のＲＦ電極２４を用
いた場合に生じる。即ち、磁場はプラズマ生成室１１の
円筒の軸方向に発生し、かつ電場はこの磁場の周りの円
周方向に発生するため、イオン及び電子はプラズマ生成
室１１の中心部よりもエネルギの高い周辺部で発生する
ためである。このような場合には、図６（ｂ）に示すよ
うに接地電極板14ａの貫通孔15ａの密度に分布を持たせ
る。即ち、イオン電流密度の高い部分に対応する領域の
貫通孔15ａの密度を低く、逆にイオン電流密度の低い部
分に対応する領域の貫通孔15ａの密度を高くする。これ
により、図６（ｃ）に示すようにエッチング室１６内に
引き出されるイオン電流密度分布を均一にすることがで
きる。
【００３０】このようにして引き出されたイオンは加速
電界により基板の方に向かう。このとき、基板載置台２
１に取りつけられた上下移動機構により基板載置台２１
と接地電極板１４の距離を例えば５０ｍｍ程度に近づけ
ておくことにより、イオンは他の粒子と衝突せずにその
まま基板２２に到達する。このようなイオンは指向性を
有するので、異方性のエッチングに有効である。
【００３１】また、基板載置台２１と接地電極板１４の
距離を例えば１００ｍｍ程度に遠ざけておくことによ
り、イオンを他の中性原子或いは中性分子（中性粒子）
と電荷交換衝突させることも可能である。この場合に
は、イオンは保有する運動量を維持したまま中性粒子か
ら電子を授受されて中性化するため、基板２２表面のチ
ャージアップを抑制することができ、チャージアップに
起因するダメージを低減することが可能である。
【００３２】この電荷交換衝突断面積は、Ａｒガスの場
合弾性散乱断面積に比べて５倍以上大きいため４ｍＴｏ
ｒｒのガス圧で接地電極板と基板載置台２１の距離が１
００ｍｍの場合、高速中性粒子の割合を７５％にするこ
とが可能である。また、異種粒子同士或いは原子と分子
の電荷交換衝突の断面積は共鳴状態のときのみ大きな値
をもつため、異種粒子同士の衝突や原子と分子の衝突は
起こりにくい。このため、高速中性粒子を多量に得るた
めには、Ａｒ，Ｎｅ，Ｘｅ，Ｋｒ等の単原子ガスを反応
ガスに混ぜて原子同士の衝突を起こさせることが有効で
ある。
【００３３】上記の基板載置台２１と接地電極板１４と
の間隔を調整する電荷交換衝突を利用して、異方性エッ
チング時にはイオンによるエッチングを行い、オーバエ
ッチング時に高速中性粒子によるエッチングを行う等の
使い分けが可能である。なお、指向性のあるイオンを得
る方法として、上記の基板載置台２１と接地電極板１４
の距離を調整すること以外に、エッチング室１６のガス
圧を更に低くしてもよい。例えば、反応ガス流量や排気
速度を調整して０．５ｍＴｏｒｒ以下になるようにす
る。
【００３４】更に、エッチング室１６に引き出されたイ
オンによりエッチング室１６のプラズマポテンシャルは
上昇しようとするが、エッチング室１６内で生成されて
いるプラズマ中の電子によりイオンが中和されてプラズ
マポテンシャルの上昇が抑制される。一般に、プラズマ
イオンシース部が形成され、プラズマポテンシャルが僅
かにプラスに上昇する。この上昇の仕方は殆どが周辺の
接地面積やプラズマ中の電子温度で決定されるため、上
部からイオンが新たに入射しても周辺アースに逃げる電
子が減ることによって、プラズマポテンシャルの上昇が
抑制される。このため、基板載置台２１を効率良く、か
つ均一に中和することができる。従って、基板２２のチ
ャージアップを抑制することができる。
【００３５】また、プラズマポテンシャルの上昇が抑制
されるため、プラズマ生成室１１とエッチング室１６の
プラズマポテンシャルの差を維持することが出来るの
で、常にイオンを基板２２の向きに加速することができ
る。上記により、基板２２に到達した加速されたイオン
或いは高速中性粒子により、基板２２上のＳｉＯ2 膜を
エッチングすることができる。
【００３６】上記実施例の場合、エッチングレートとし
て2000〜6000Å／ｍｉｎが得られた。なお、エッチング
レートの調整は、イオン電流密度を調整することにより
行うことができる。 （他の実施例のプラズマ処理装置）図５は、他の実施例
のプラズマ処理装置について示す側面図である。
【００３７】図５において、図１（ａ）と異なるところ
は、一つには、ＲＦ電極板13ａに複数のガス導入口19ａ
が設けられていることである。１つのガス導入口19ａは
例えば直径約１ｍｍで、隣接するガス導入口19ａの間隔
は約３ｍｍとされる。これにより、反応ガスをより均一
に導入し、イオン電流密度の均一性の向上を図ることが
出来る。
【００３８】また、プラズマ生成室１１とエッチング室
（処理室）１６にそれぞれ電気的に分離されたプラズマ
生成のためのＲＦ電極２４，２５が設けられ、独立にＲ
Ｆ電源26ａ，26ｂを接続していることである。これによ
り、プラズマ生成室１１及びエッチング室１６のガス圧
に適合したＲＦ電力を印加することができるし、プラズ
マポテンシャルを独立に調整することができる。
【００３９】なお、図５において図１と同じ符号で示す
ものは図１と同じものを示す。上記の実施例では、本発
明をエッチング装置に適用し、エッチングガスとしてＣ
Ｆ4 を用いているが、他のエッチングガスを用いてもよ
い。また、成膜装置に適用することも可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明のプラズマ処理装
置においては、プラズマ生成室と処理室はそれぞれに反
応ガスをプラズマ化するＲＦ電力を印加する第１及び第
２のＲＦ電極を有し、複数の孔を有する接地電極板で仕
切られており、かつ、上記プラズマ処理装置は接地電極
板に対向し、プラズマポテンシャルを付与するＲＦ電極
板を上流側に有する。
【００４１】従って、本発明のプラズマ処理方法のよう
に、プラズマを生成し、ＲＦ電極板にＲＦ電力を印加す
ると、上流のプラズマポテンシャルが高くなり、主とし
て複数の孔の近傍の電界によりプラズマ中のイオンは対
向する接地電極板に向かって加速され、複数の孔を介し
て処理室に引き出される。これにより、載置台にＲＦ電
極を接続しなくても、加速されたイオン、或いはイオン
の衝突により生成された高速中性粒子を載置台に導いて
エッチングや成膜を行うことができる。
【００４２】また、イオン電流密度が不均一となる場合
には、イオン電流密度の分布に応じて接地電極板の孔の
密度に分布を持たせることにより、基板に到達するイオ
ン電流密度の分布を均一にすることができる。更に、処
理室に引き出されたイオンにより処理室のプラズマポテ
ンシャルは上昇しようとするが、処理室内で生成されて
いるプラズマ中の電子によりイオンが中和されてプラズ
マポテンシャルの上昇が抑制されるため、載置台を効率
良く、かつ均一に中和することができる。これにより、
基板のチャージアップを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
について示す側面図及び装置内の電位分布である。
【図２】本発明の実施例に係る均一な分布を有する接地
電極板の貫通孔の平面図及びプラズマエッチング装置内
の電流密度分布について示す特性図である。
【図３】本発明の実施例に係る接地電極板の貫通孔近傍
のプラズマポテンシャル分布を示す模式図及び貫通孔径
に対する電界強度の関係を示す特性図である。
【図４】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
のプラズマポテンシャルに対するイオン電流密度の関係
を示す特性図である。
【図５】本発明の実施例に係るプラズマエッチング装置
について示す側面図である。
【図６】本発明の他の実施例に係る不均一な密度分布を
有する接地電極板の貫通孔の平面図及びプラズマエッチ
ング装置内の電流密度分布について示す特性図である。
【図７】従来例に係るプラズマエッチング装置について
示す側面図である。
【図８】他の従来例に係るプラズマエッチング装置につ
いて示す側面図である。
【符号の説明】
１１ プラズマ生成室、 １２，１７ 側壁、 １３，13ａ ＲＦ電極板、 １４，14ａ 接地電極板、 １５，15ａ 貫通孔（孔）、 １６ エッチング室（処理室）、 １８ 導電壁、 １９，19ａ ガス導入口、 ２０ 排気口、 ２１ 基板載置台（載置台）、 ２２ ウエハ（基板）、 ２３ コンデンサ、 ２４ 第１のＲＦ電極、 ２５ 第２のＲＦ電極、 ２６ 第１のＲＦ電源、 26ａ，26ｂ ＲＦ電源、 ２７，27ａ，27ｂ 結合回路、 ２８ 第２のＲＦ電源。

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 プラズマ生成室と、 前記プラズマ生成室の下流に設けられた処理室と、 前記プラズマ生成室内に処理ガスを導入するガス導入口
    と、 前記プラズマ生成室の外壁に巻回された、前記プラズマ
    生成室内の処理ガスをプラズマ化するコイル状の第１の
    ＲＦ電極と、 前記処理室の外壁に巻回された、前記処理室内の処理ガ
    スをプラズマ化するコイル状の第２のＲＦ電極と、 前記処理室内に設けられた基板載置台と、 前記プラズマ生成室と前記処理室間を仕切り、複数の孔
    が設けられた接地電極板と、 前記接地電極板に対向して上流に設けられ、前記プラズ
    マ生成室内のプラズマに電位を付与するＲＦ電極板とを
    有することを特徴とするプラズマ処理装置。
  2. 【請求項２】 前記載置台の周辺に接地された導電体が
    設けられていることを特徴とする請求項１記載のプラズ
    マ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記載置台はコンデンサを介して接地さ
    れていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の
    プラズマ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記孔の大きさは直径０．５ｍｍ以下で
    あることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか
    に記載のプラズマ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記ガス導入口は前記ＲＦ電極板に設け
    られていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
    ずれかに記載のプラズマ処理装置。
  6. 【請求項６】 前記接地電極板の孔の密度は前記プラズ
    マ生成室から前記処理室に流入するイオン電流密度に対
    応した分布を有することを特徴とする請求項１乃至請求
    項５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
  7. 【請求項７】 前記接地電極板の孔は、前記処理室内の
    圧力が数ｍｍTorr以下となるようにコンダクタンスが調
    整されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６の
    いずれかに記載のプラズマ処理装置。
  8. 【請求項８】 前記接地電極板及び前記載置台のうち少
    なくともいずれかは上下移動手段を有することを特徴と
    する請求項１乃至請求項７のいずれかに記載のプラズマ
    処理装置。
  9. 【請求項９】 複数の貫通孔を有する接地電極板により
    第１の領域と第２の領域とに仕切り、 前記第１の領域に被処理基板を置き、 前記第１の領域と前記第２の領域に導入された処理ガス
    を活性化して前記第１の領域及び前記第２の領域にプラ
    ズマを生成し、 前記第２の領域で生成した前記プラズマにプラズマポテ
    ンシャルを付与し、 前記接地電極板の貫通孔を介して前記第２の領域の前記
    プラズマ中のイオンを前記第１の領域に導くことを特徴
    とするプラズマ処理方法。
  10. 【請求項１０】 前記第１の領域に導かれたイオンをそ
    のまま前記被処理基板に照射することを特徴とする請求
    項９記載のプラズマ処理方法。
  11. 【請求項１１】 前記第１の領域に導かれたイオンを電
    荷交換衝突により中性化し、該中性粒子を前記被処理基
    板に照射することを特徴とする請求項９記載のプラズマ
    処理方法。
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Cited By (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030046189A (ko) * 2001-12-05 2003-06-12 변홍식 플라즈마 발생장치
JP2003533878A (ja) * 2000-05-19 2003-11-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング プラズマエッチング装置
US6670766B2 (en) 2000-06-06 2003-12-30 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
JP2008047915A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Oxford Instruments Plasma Technology Ltd 表面処理装置
KR20100120602A (ko) * 2009-05-06 2010-11-16 위순임 혼합형 플라즈마 반응기
WO2012029561A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 株式会社新川 プラズマ発生装置
JP2012142445A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置
KR101224143B1 (ko) * 2009-09-15 2013-01-21 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 플라즈마 식각 장치
JP2014204127A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体製造用の内部プラズマグリッド
JP2015529972A (ja) * 2012-08-02 2015-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善された制御のためにｄｃ支援ｒｆ電力を使用する半導体処理
WO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
US9837284B2 (en) 2014-09-25 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9842744B2 (en) 2011-03-14 2017-12-12 Applied Materials, Inc. Methods for etch of SiN films
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9885117B2 (en) 2014-03-31 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Conditioned semiconductor system parts
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9978564B2 (en) 2012-09-21 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10062578B2 (en) 2011-03-14 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10062587B2 (en) 2012-07-18 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10134605B2 (en) 2013-07-11 2018-11-20 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
US10147620B2 (en) 2015-08-06 2018-12-04 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10186428B2 (en) 2016-11-11 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
JPWO2018173227A1 (ja) * 2017-03-23 2019-07-18 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 中性粒子ビーム処理装置
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10424485B2 (en) 2013-03-01 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US10424464B2 (en) 2015-08-07 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10468276B2 (en) 2015-08-06 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10468267B2 (en) 2017-05-31 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10468285B2 (en) 2015-02-03 2019-11-05 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US10465294B2 (en) 2014-05-28 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10593523B2 (en) 2014-10-14 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US10615047B2 (en) 2018-02-28 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Systems and methods to form airgaps
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
CN112309820A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11239061B2 (en) 2014-11-26 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US11355319B2 (en) 2017-12-19 2022-06-07 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11594428B2 (en) 2015-02-03 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US11776792B2 (en) 2020-04-03 2023-10-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US12340979B2 (en) 2017-05-17 2025-06-24 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for improved precursor flow
US12444582B2 (en) 2020-04-21 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US12451364B2 (en) 2022-04-26 2025-10-21 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
US12581881B2 (en) 2022-03-07 2026-03-17 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method

Cited By (145)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003533878A (ja) * 2000-05-19 2003-11-11 ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング プラズマエッチング装置
US6670766B2 (en) 2000-06-06 2003-12-30 Matsushita Electric Works, Ltd. Plasma treatment apparatus and plasma treatment method
KR20030046189A (ko) * 2001-12-05 2003-06-12 변홍식 플라즈마 발생장치
JP2008047915A (ja) * 2006-08-14 2008-02-28 Oxford Instruments Plasma Technology Ltd 表面処理装置
KR20100120602A (ko) * 2009-05-06 2010-11-16 위순임 혼합형 플라즈마 반응기
KR101224143B1 (ko) * 2009-09-15 2013-01-21 에스피피 테크놀로지스 컴퍼니 리미티드 플라즈마 식각 장치
WO2012029561A1 (ja) * 2010-08-31 2012-03-08 株式会社新川 プラズマ発生装置
JP2012054333A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Shinkawa Ltd 表面洗浄装置
JP2012142445A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Sharp Corp プラズマｃｖｄ装置
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9842744B2 (en) 2011-03-14 2017-12-12 Applied Materials, Inc. Methods for etch of SiN films
US10062578B2 (en) 2011-03-14 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US10062587B2 (en) 2012-07-18 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
JP2015529972A (ja) * 2012-08-02 2015-10-08 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 改善された制御のためにｄｃ支援ｒｆ電力を使用する半導体処理
US10032606B2 (en) 2012-08-02 2018-07-24 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US10354843B2 (en) 2012-09-21 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US11264213B2 (en) 2012-09-21 2022-03-01 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US9978564B2 (en) 2012-09-21 2018-05-22 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US11024486B2 (en) 2013-02-08 2021-06-01 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US10424485B2 (en) 2013-03-01 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US11171021B2 (en) 2013-04-05 2021-11-09 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
JP2014204127A (ja) * 2013-04-05 2014-10-27 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 半導体製造用の内部プラズマグリッド
US10224221B2 (en) 2013-04-05 2019-03-05 Lam Research Corporation Internal plasma grid for semiconductor fabrication
US10134605B2 (en) 2013-07-11 2018-11-20 Lam Research Corporation Dual chamber plasma etcher with ion accelerator
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9885117B2 (en) 2014-03-31 2018-02-06 Applied Materials, Inc. Conditioned semiconductor system parts
US10465294B2 (en) 2014-05-28 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9837284B2 (en) 2014-09-25 2017-12-05 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US10593523B2 (en) 2014-10-14 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10490418B2 (en) 2014-10-14 2019-11-26 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10796922B2 (en) 2014-10-14 2020-10-06 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US10707061B2 (en) 2014-10-14 2020-07-07 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US11239061B2 (en) 2014-11-26 2022-02-01 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US11594428B2 (en) 2015-02-03 2023-02-28 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US10468285B2 (en) 2015-02-03 2019-11-05 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US12009228B2 (en) 2015-02-03 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
JP2018093226A (ja) * 2015-05-22 2018-06-14 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
KR20190102301A (ko) * 2015-05-22 2019-09-03 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법
KR20170101952A (ko) * 2015-05-22 2017-09-06 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법
KR20200024955A (ko) * 2015-05-22 2020-03-09 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈 플라스마 처리 장치 및 그것을 이용한 플라스마 처리 방법
WO2016190036A1 (ja) * 2015-05-22 2016-12-01 株式会社 日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置およびそれを用いたプラズマ処理方法
TWI876365B (zh) * 2015-05-22 2025-03-11 日商日立全球先端科技股份有限公司 電漿處理裝置及使用彼之電漿處理方法
US10147620B2 (en) 2015-08-06 2018-12-04 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10607867B2 (en) 2015-08-06 2020-03-31 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10468276B2 (en) 2015-08-06 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US11158527B2 (en) 2015-08-06 2021-10-26 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10424463B2 (en) 2015-08-07 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10424464B2 (en) 2015-08-07 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US11476093B2 (en) 2015-08-27 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11735441B2 (en) 2016-05-19 2023-08-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US12057329B2 (en) 2016-06-29 2024-08-06 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US11049698B2 (en) 2016-10-04 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US10541113B2 (en) 2016-10-04 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10224180B2 (en) 2016-10-04 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10319603B2 (en) 2016-10-07 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US10186428B2 (en) 2016-11-11 2019-01-22 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10770346B2 (en) 2016-11-11 2020-09-08 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10600639B2 (en) 2016-11-14 2020-03-24 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10903052B2 (en) 2017-02-03 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10529737B2 (en) 2017-02-08 2020-01-07 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10325923B2 (en) 2017-02-08 2019-06-18 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
JPWO2018173227A1 (ja) * 2017-03-23 2019-07-18 Ｓｐｐテクノロジーズ株式会社 中性粒子ビーム処理装置
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US12340979B2 (en) 2017-05-17 2025-06-24 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for improved precursor flow
US11361939B2 (en) 2017-05-17 2022-06-14 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11915950B2 (en) 2017-05-17 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10468267B2 (en) 2017-05-31 2019-11-05 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10593553B2 (en) 2017-08-04 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US11101136B2 (en) 2017-08-07 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US11355319B2 (en) 2017-12-19 2022-06-07 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US12148597B2 (en) 2017-12-19 2024-11-19 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10861676B2 (en) 2018-01-08 2020-12-08 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10699921B2 (en) 2018-02-15 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
US10615047B2 (en) 2018-02-28 2020-04-07 Applied Materials, Inc. Systems and methods to form airgaps
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US11004689B2 (en) 2018-03-12 2021-05-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
CN112309820A (zh) * 2019-07-30 2021-02-02 株式会社国际电气 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质
US11776792B2 (en) 2020-04-03 2023-10-03 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus and plasma processing method
US12444582B2 (en) 2020-04-21 2025-10-14 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing apparatus
US12581881B2 (en) 2022-03-07 2026-03-17 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method
US12451364B2 (en) 2022-04-26 2025-10-21 Hitachi High-Tech Corporation Plasma processing method

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