JPH08107247A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
- Publication number
- JPH08107247A JPH08107247A JP23925294A JP23925294A JPH08107247A JP H08107247 A JPH08107247 A JP H08107247A JP 23925294 A JP23925294 A JP 23925294A JP 23925294 A JP23925294 A JP 23925294A JP H08107247 A JPH08107247 A JP H08107247A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- type
- current
- current blocking
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 71
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 56
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 26
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 abstract 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- -1 GaAs compound Chemical class 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017401 Au—Ge Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N dimethylzinc Chemical compound C[Zn]C AXAZMDOAUQTMOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N magnesium;cyclopenta-1,3-diene Chemical compound [Mg+2].C1C=CC=[C-]1.C1C=CC=[C-]1 QBJCZLXULXFYCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ストライプ溝が形成された電流阻止層を有す
る半導体レーザにおいて、ストライプ溝以外への電流の
もれを防止し、発光効率の向上した半導体レーザを提供
する。 【構成】 活性層５を上下両面から挟む上下クラッド層
４、６の少なくとも一方の層中に、電流路となるストラ
イプ溝を有する電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃを備えたダ
ブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流
阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異
なる導電型の層を分離して２層以上有する。
る半導体レーザにおいて、ストライプ溝以外への電流の
もれを防止し、発光効率の向上した半導体レーザを提供
する。 【構成】 活性層５を上下両面から挟む上下クラッド層
４、６の少なくとも一方の層中に、電流路となるストラ
イプ溝を有する電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃを備えたダ
ブルヘテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流
阻止層が、該電流阻止層周囲のクラッド層の導電型と異
なる導電型の層を分離して２層以上有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はダブルヘテロ接合構造を
有する半導体レーザに関する。さらに詳しくは、電流路
となるストライプ溝を有する電流阻止層を備えた半導体
レーザで、もれ電流を少なくし発光効率を向上させた半
導体レーザに関する。
有する半導体レーザに関する。さらに詳しくは、電流路
となるストライプ溝を有する電流阻止層を備えた半導体
レーザで、もれ電流を少なくし発光効率を向上させた半
導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザは活性層の両側を該活性層
の材料よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、
屈折率が小さい材料からなるクラッド層により挟持した
ダブルヘテロ接合構造とし、ストライプ溝が形成された
電流阻止層によりストライプ部分に電流を集中させて共
振器を形成し、該共振器内で発振した光をとり出す構造
になっている。このような構造のＧａＡｓ系化合物半導
体を用いた半導体レーザの一例を図４に示す。
の材料よりバンドギャップエネルギーが大きく、かつ、
屈折率が小さい材料からなるクラッド層により挟持した
ダブルヘテロ接合構造とし、ストライプ溝が形成された
電流阻止層によりストライプ部分に電流を集中させて共
振器を形成し、該共振器内で発振した光をとり出す構造
になっている。このような構造のＧａＡｓ系化合物半導
体を用いた半導体レーザの一例を図４に示す。
【０００３】図４において、２１は、たとえばｎ型のＧ
ａＡｓなどからなる半導体基板で、その上にたとえばｎ
型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ（０．３５≦ｖ≦０．７５）か
らなる下部クラッド層２２、ノンドープまたはｎ型もし
くはｐ型のたとえばＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０≦ｗ≦０．
３）からなる活性層２３、ｐ型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓか
らなる第１上部クラッド層２４、ｎ型ＧａＡｓからなる
電流制限層２５、ｐ型Ａｌv Ｇａ1-v Ａｓからなる第２
上部クラッド層２６、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト
層２７が順次積層され、上面および下面にそれぞれｐ側
電極２８、ｎ側電極２９が設けられて半導体レーザのチ
ップが形成されている。この構造で、ｎ型ＧａＡｓから
なる電流制限層２５は、周囲のｐ型クラッド層と異なる
導電型層で、ｐｎ接合のギャップエネルギーを利用して
電流を阻止し、注入電流を幅Ｗのストライプ状活性領域
に制限すると同時に、活性層にて発生した光を吸収する
ことにより、ストライプ内外に屈折率差を設ける働きを
なす。したがって、横方向に光は閉じ込められ、幅Ｗの
ストライプ状活性領域を安定して導波する赤色または赤
外線の屈折率導波構造型半導体レーザとして用いられて
いる。
ａＡｓなどからなる半導体基板で、その上にたとえばｎ
型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ（０．３５≦ｖ≦０．７５）か
らなる下部クラッド層２２、ノンドープまたはｎ型もし
くはｐ型のたとえばＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０≦ｗ≦０．
３）からなる活性層２３、ｐ型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓか
らなる第１上部クラッド層２４、ｎ型ＧａＡｓからなる
電流制限層２５、ｐ型Ａｌv Ｇａ1-v Ａｓからなる第２
上部クラッド層２６、ｐ型ＧａＡｓからなるコンタクト
層２７が順次積層され、上面および下面にそれぞれｐ側
電極２８、ｎ側電極２９が設けられて半導体レーザのチ
ップが形成されている。この構造で、ｎ型ＧａＡｓから
なる電流制限層２５は、周囲のｐ型クラッド層と異なる
導電型層で、ｐｎ接合のギャップエネルギーを利用して
電流を阻止し、注入電流を幅Ｗのストライプ状活性領域
に制限すると同時に、活性層にて発生した光を吸収する
ことにより、ストライプ内外に屈折率差を設ける働きを
なす。したがって、横方向に光は閉じ込められ、幅Ｗの
ストライプ状活性領域を安定して導波する赤色または赤
外線の屈折率導波構造型半導体レーザとして用いられて
いる。
【０００４】最近チッ化ガリウム系化合物半導体をサフ
ァイア基板上に積層した青色のＬＥＤが開発され、半導
体レーザにおいてもチッ化ガリウム系化合物半導体を用
いた青色発光の半導体レーザが要望されている。
ァイア基板上に積層した青色のＬＥＤが開発され、半導
体レーザにおいてもチッ化ガリウム系化合物半導体を用
いた青色発光の半導体レーザが要望されている。
【０００５】チッ化ガリウム系化合物半導体を用いて半
導体レーザを構成するばあい、活性層を、該活性層より
バンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小
さい材料からなるクラッド層により両側から挟持する構
造にすることにより光を活性層に閉じ込めて発振させる
ため、活性層としてＩｎ1-y Ｇａy Ｎ（０＜ｙ＜１、た
とえばｙ＝０．８５）、両側のクラッド層としてＡｌr
Ｇａ1-r Ｎ（０≦ｒ＜１、たとえばｒ＝０．２）を用い
ることが考えられる。
導体レーザを構成するばあい、活性層を、該活性層より
バンドギャップエネルギーが大きく、かつ、屈折率が小
さい材料からなるクラッド層により両側から挟持する構
造にすることにより光を活性層に閉じ込めて発振させる
ため、活性層としてＩｎ1-y Ｇａy Ｎ（０＜ｙ＜１、た
とえばｙ＝０．８５）、両側のクラッド層としてＡｌr
Ｇａ1-r Ｎ（０≦ｒ＜１、たとえばｒ＝０．２）を用い
ることが考えられる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来の電流阻止層を有
する半導体レーザは、たとえばｐ型クラッド層内に形成
される電流阻止層はｎ型層としては一層であるため、電
流を阻止するｐｎ接合は一個しか形成されていない。そ
のため、ｐｎ接合のギャップエネルギーを電子または正
孔が一旦乗り越えるとそのままリーク電流として流れて
しまい電流阻止層の厚さを厚くしても電流を阻止するこ
とができない。その結果、従来は１〜１０％程度のリー
ク電流が存在し、発光効率を低下させているという問題
がある。
する半導体レーザは、たとえばｐ型クラッド層内に形成
される電流阻止層はｎ型層としては一層であるため、電
流を阻止するｐｎ接合は一個しか形成されていない。そ
のため、ｐｎ接合のギャップエネルギーを電子または正
孔が一旦乗り越えるとそのままリーク電流として流れて
しまい電流阻止層の厚さを厚くしても電流を阻止するこ
とができない。その結果、従来は１〜１０％程度のリー
ク電流が存在し、発光効率を低下させているという問題
がある。
【０００７】本発明はこのような問題を解決し、ストラ
イプ溝が形成された電流阻止層を有する半導体レーザに
おいて、ストライプ溝以外への電流のもれを防止し、発
光効率の向上した半導体レーザを提供することを目的と
する。
イプ溝が形成された電流阻止層を有する半導体レーザに
おいて、ストライプ溝以外への電流のもれを防止し、発
光効率の向上した半導体レーザを提供することを目的と
する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ
は、活性層を上下両面から挟む上下クラッド層の少なく
とも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する
電流阻止層を備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レー
ザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のク
ラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して２層以
上有する。
は、活性層を上下両面から挟む上下クラッド層の少なく
とも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する
電流阻止層を備えたダブルヘテロ接合構造の半導体レー
ザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止層周囲のク
ラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離して２層以
上有する。
【０００９】基板上に第１導電型の下部クラッド層、活
性層、第２導電型の上部クラッド層、第２導電型のコン
タクト層がそれぞれ半導体層で順次形成され、前記上部
クラッド層内に電流路となるストライプ溝が形成された
複数層の電流阻止層が設けられ、該複数層の電流阻止層
が第１導電型層、第２導電型層および第１導電型層の３
層構造であることが、簡単な構成で半導体レーザがえら
れるため好ましい。
性層、第２導電型の上部クラッド層、第２導電型のコン
タクト層がそれぞれ半導体層で順次形成され、前記上部
クラッド層内に電流路となるストライプ溝が形成された
複数層の電流阻止層が設けられ、該複数層の電流阻止層
が第１導電型層、第２導電型層および第１導電型層の３
層構造であることが、簡単な構成で半導体レーザがえら
れるため好ましい。
【００１０】前記半導体層がチッ化ガリウム系化合物半
導体層であることが、半導体バンドギャップエネルギー
がＧａＡｓ系化合物半導体より大きいため、半導体の禁
制帯を突き抜けてリークすることがなく、ｐｎ接合のギ
ャップエネルギーによりリーク電流が規制されるため、
一層効果的である。
導体層であることが、半導体バンドギャップエネルギー
がＧａＡｓ系化合物半導体より大きいため、半導体の禁
制帯を突き抜けてリークすることがなく、ｐｎ接合のギ
ャップエネルギーによりリーク電流が規制されるため、
一層効果的である。
【００１１】前記下部クラッド層がｎ型Ａｌr Ｇａ1-r
Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記活性層がＩｎ1-y Ｇａ
y Ｎ（０＜ｙ＜１）からなり、前記上部クラッド層がｐ
型Ａｌr Ｇａ1-r Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記電流
阻止層がＧａＮ、Ａｌp Ｇａ1-p Ｎ（０≦ｐ＜１）およ
びＩｎ1-q Ｇａq Ｎ（０＜ｑ≦１）よりなる群から選ば
れた少なくとも１種のｎ型層、ｐ型層およびｎ型層の積
層構造により本発明の半導体レーザを構成することがで
きる。
Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記活性層がＩｎ1-y Ｇａ
y Ｎ（０＜ｙ＜１）からなり、前記上部クラッド層がｐ
型Ａｌr Ｇａ1-r Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記電流
阻止層がＧａＮ、Ａｌp Ｇａ1-p Ｎ（０≦ｐ＜１）およ
びＩｎ1-q Ｇａq Ｎ（０＜ｑ≦１）よりなる群から選ば
れた少なくとも１種のｎ型層、ｐ型層およびｎ型層の積
層構造により本発明の半導体レーザを構成することがで
きる。
【００１２】
【作用】本発明の半導体レーザによれば、電流路をスト
ライプ状に集中させるための電流阻止層が周囲のクラッ
ド層と異なる導電型で形成され、かつ、２層以上に分離
して形成されているため、電流を阻止するためのｐｎ接
合が２個以上形成される。そのため、１個のｐｎ接合の
エネルギーギャップを電子または正孔が乗り越えても、
さらに少なくとも１個のｐｎ接合がまだあるため、つぎ
のｐｎ接合のエネルギーギャップを乗り越えることがで
きず、無効電流が格段に減る。電流阻止層を乗り越えて
流れる電流がなくなれば、電流はすべてストライプ部に
集中し、発光効率が向上する。
ライプ状に集中させるための電流阻止層が周囲のクラッ
ド層と異なる導電型で形成され、かつ、２層以上に分離
して形成されているため、電流を阻止するためのｐｎ接
合が２個以上形成される。そのため、１個のｐｎ接合の
エネルギーギャップを電子または正孔が乗り越えても、
さらに少なくとも１個のｐｎ接合がまだあるため、つぎ
のｐｎ接合のエネルギーギャップを乗り越えることがで
きず、無効電流が格段に減る。電流阻止層を乗り越えて
流れる電流がなくなれば、電流はすべてストライプ部に
集中し、発光効率が向上する。
【００１３】また、ＧａＡｓ系の化合物半導体では、半
導体のエネルギーバンドでバンドギャップエネルギー
（禁制帯幅）が狭いため、ｐｎ接合のエネルギーギャッ
プを乗り越えなくても禁制帯を突き抜けてリークするこ
とがあるが、チッ化ガリウム系化合物半導体においては
バンドギャップエネルギーが大きいため、そのような現
象もなく、ｐｎ接合の数が増えることにより一層無効電
流を防止する効果がある。
導体のエネルギーバンドでバンドギャップエネルギー
（禁制帯幅）が狭いため、ｐｎ接合のエネルギーギャッ
プを乗り越えなくても禁制帯を突き抜けてリークするこ
とがあるが、チッ化ガリウム系化合物半導体においては
バンドギャップエネルギーが大きいため、そのような現
象もなく、ｐｎ接合の数が増えることにより一層無効電
流を防止する効果がある。
【００１４】
【実施例】つぎに、図面を参照しながら本発明の半導体
レーザを説明する。
レーザを説明する。
【００１５】図１は本発明の半導体レーザの一実施例の
チップの断面説明図、図２はその製法の工程断面説明
図、図３は本発明の半導体レーザの他の実施例のチップ
の断面説明図である。
チップの断面説明図、図２はその製法の工程断面説明
図、図３は本発明の半導体レーザの他の実施例のチップ
の断面説明図である。
【００１６】図１に示されるように、本発明の半導体レ
ーザの一実施例は、たとえばサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単
結晶）などの基板１上にｎ型のＡｌt Ｇａu Ｉｎ1-t-u
Ｎ（０≦ｔ＜１、０＜ｕ≦１、０＜ｔ＋ｕ≦１、たとえ
ばｔ＝０、ｕ＝１）などからなる０．０１〜０．２μｍ
程度の低温バッファ層２、２〜５μｍ程度の高温バッフ
ァ層３、ｎ型のＡｌr Ｇａs Ｉｎ1-r-s Ｎ（０≦ｔ≦ｒ
＜１、０＜ｓ≦１、０＜ｒ＋ｓ≦１、たとえばｒ＋ｓ＝
１）からなる０．１〜０．３μｍ程度の下部クラッド層
４、ノンドープまたはｎ型もしくはｐ型のＡｌx Ｇａy
Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＜ｒ、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜
ｒ＋ｓ、たとえばｘ＝０）からなり、下部クラッド層４
よりバンドギャップエネルギーが小さく、屈折率の大き
い０．０５〜０．１μｍ程度の活性層５、下部クラッド
層４と同じ組成でｐ型である０．１〜０．３μｍ程度の
上部クラッド層６、ＧａＮまたはＡｌp Ｇａq Ｉｎ
1-p-qＮ（０≦ｐ＜１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１、
たとえばｐ＝０またはｐ＋ｑ＝１）などからなりストラ
イプ溝が形成されたｎ型の第１電流阻止層７ａ、ｐ型の
第２電流阻止層７ｂ、ｎ型の第３電流阻止層７ｃ、バッ
ファ層２、３と同じ組成で低抵抗層である０．３〜２μ
ｍ程度のｐ型のＡｌt Ｇａu Ｉｎ1-t-u Ｎ（０≦ｔ＜
１、０＜ｕ≦１、０＜ｔ＋ｕ≦１たとえばｔ＝０、ｕ＝
１）からなるコンタクト層８が順次積層され、コンタク
ト層８の表面にｐ側電極９、積層された半導体層の一部
をエッチングして露出した高温バッファ層３にｎ側電極
１０が設けられて、本発明の半導体レーザのチップが形
成されている。
ーザの一実施例は、たとえばサファイア（Ａｌ2 Ｏ3 単
結晶）などの基板１上にｎ型のＡｌt Ｇａu Ｉｎ1-t-u
Ｎ（０≦ｔ＜１、０＜ｕ≦１、０＜ｔ＋ｕ≦１、たとえ
ばｔ＝０、ｕ＝１）などからなる０．０１〜０．２μｍ
程度の低温バッファ層２、２〜５μｍ程度の高温バッフ
ァ層３、ｎ型のＡｌr Ｇａs Ｉｎ1-r-s Ｎ（０≦ｔ≦ｒ
＜１、０＜ｓ≦１、０＜ｒ＋ｓ≦１、たとえばｒ＋ｓ＝
１）からなる０．１〜０．３μｍ程度の下部クラッド層
４、ノンドープまたはｎ型もしくはｐ型のＡｌx Ｇａy
Ｉｎ1-x-y Ｎ（０≦ｘ＜ｒ、０＜ｙ＜１、０＜ｘ＋ｙ＜
ｒ＋ｓ、たとえばｘ＝０）からなり、下部クラッド層４
よりバンドギャップエネルギーが小さく、屈折率の大き
い０．０５〜０．１μｍ程度の活性層５、下部クラッド
層４と同じ組成でｐ型である０．１〜０．３μｍ程度の
上部クラッド層６、ＧａＮまたはＡｌp Ｇａq Ｉｎ
1-p-qＮ（０≦ｐ＜１、０＜ｑ≦１、０＜ｐ＋ｑ≦１、
たとえばｐ＝０またはｐ＋ｑ＝１）などからなりストラ
イプ溝が形成されたｎ型の第１電流阻止層７ａ、ｐ型の
第２電流阻止層７ｂ、ｎ型の第３電流阻止層７ｃ、バッ
ファ層２、３と同じ組成で低抵抗層である０．３〜２μ
ｍ程度のｐ型のＡｌt Ｇａu Ｉｎ1-t-u Ｎ（０≦ｔ＜
１、０＜ｕ≦１、０＜ｔ＋ｕ≦１たとえばｔ＝０、ｕ＝
１）からなるコンタクト層８が順次積層され、コンタク
ト層８の表面にｐ側電極９、積層された半導体層の一部
をエッチングして露出した高温バッファ層３にｎ側電極
１０が設けられて、本発明の半導体レーザのチップが形
成されている。
【００１７】本発明の半導体レーザは、電流を活性層の
ストライプ部に集中させるためのストライプ溝が形成さ
れた電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃが複数層で形成され、
電流を阻止するｐｎ接合が少なくとも２個形成されてい
ることに特徴がある。この電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃ
はｐ型クラッド層６の成膜に引き続き、たとえばｎ型Ｇ
ａＮを０．０５〜０．２μｍ、ｐ型ＧａＮを０．０５〜
０．２μｍ、ｎ型ＧａＮを０．０５〜０．２μｍづつ成
膜し、そののちＭＯＣＶＤ装置から取り出し、フォトリ
ソグラフィ技術により３層ともエッチングしてストライ
プ溝を形成することによりえられる。この電流阻止層は
さらにｐ型層とｎ型層の順で５層以上に積層することが
できるが、電流を阻止するｐｎ接合を２個形成すれば従
来のもれ電流の９０％は阻止することができ、目的を達
成することができる。一方積層数が増えると、もれ電流
のさらなる阻止を実現することができるが、成膜工程数
が増えるとともに、ｐ側電極までの距離が大きくなり抵
抗損も増えてくるため好ましくない。電流阻止層を前述
の３層（ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層）で形成するばあい、
合計の厚さが０．１〜０．４μｍ程度で従来の電流阻止
層の厚さと同程度に形成でき、電流阻止の効率を向上さ
せることができる。
ストライプ部に集中させるためのストライプ溝が形成さ
れた電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃが複数層で形成され、
電流を阻止するｐｎ接合が少なくとも２個形成されてい
ることに特徴がある。この電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃ
はｐ型クラッド層６の成膜に引き続き、たとえばｎ型Ｇ
ａＮを０．０５〜０．２μｍ、ｐ型ＧａＮを０．０５〜
０．２μｍ、ｎ型ＧａＮを０．０５〜０．２μｍづつ成
膜し、そののちＭＯＣＶＤ装置から取り出し、フォトリ
ソグラフィ技術により３層ともエッチングしてストライ
プ溝を形成することによりえられる。この電流阻止層は
さらにｐ型層とｎ型層の順で５層以上に積層することが
できるが、電流を阻止するｐｎ接合を２個形成すれば従
来のもれ電流の９０％は阻止することができ、目的を達
成することができる。一方積層数が増えると、もれ電流
のさらなる阻止を実現することができるが、成膜工程数
が増えるとともに、ｐ側電極までの距離が大きくなり抵
抗損も増えてくるため好ましくない。電流阻止層を前述
の３層（ｎ型層、ｐ型層、ｎ型層）で形成するばあい、
合計の厚さが０．１〜０．４μｍ程度で従来の電流阻止
層の厚さと同程度に形成でき、電流阻止の効率を向上さ
せることができる。
【００１８】また電流阻止層７ａ、７ｂ、７ｃの材料は
ストライプ部に完全に光を閉じ込める複素屈折率導波構
造にするためには、活性層の光を吸収する、ＩｎＧａＮ
系、ＧａＮなどを用いるのが好ましく、光をストライプ
部に完全に閉じ込めない屈折率導波構造にするために
は、活性層の光を吸収しないＡｌＮ、ＡｌＧａＮ系など
を用いることが好ましい。
ストライプ部に完全に光を閉じ込める複素屈折率導波構
造にするためには、活性層の光を吸収する、ＩｎＧａＮ
系、ＧａＮなどを用いるのが好ましく、光をストライプ
部に完全に閉じ込めない屈折率導波構造にするために
は、活性層の光を吸収しないＡｌＮ、ＡｌＧａＮ系など
を用いることが好ましい。
【００１９】さらに前記実施例では電流阻止層７ａ、７
ｂ、７ｃの３層を同じ半導体材料でｎ型層、ｐ型層、ｎ
型層としたが、必ずしも同じ材料にする必要はなく、電
流阻止層が設けられるクラッド層と逆の導電型層が離間
して２層以上設けられれば、各々の半導体層の材料が異
なっていてもよい。
ｂ、７ｃの３層を同じ半導体材料でｎ型層、ｐ型層、ｎ
型層としたが、必ずしも同じ材料にする必要はなく、電
流阻止層が設けられるクラッド層と逆の導電型層が離間
して２層以上設けられれば、各々の半導体層の材料が異
なっていてもよい。
【００２０】また、前記実施例では上部のｐ型クラッド
層内に電流制限層を設けたが、下部のｎ型クラッド層内
に設けてもよい。このばあい、電流阻止層はｐ型層が２
層以上設けられることになる。さらにチッ化ガリウム系
化合物半導体ではｐ型層のアニールをする必要性から表
面側がｐ型層になることが好ましいが、ｎ型とｐ型は前
記実施例と逆でもよい。
層内に電流制限層を設けたが、下部のｎ型クラッド層内
に設けてもよい。このばあい、電流阻止層はｐ型層が２
層以上設けられることになる。さらにチッ化ガリウム系
化合物半導体ではｐ型層のアニールをする必要性から表
面側がｐ型層になることが好ましいが、ｎ型とｐ型は前
記実施例と逆でもよい。
【００２１】つぎに本発明の半導体レーザの具体的な実
施例でさらに詳細に説明する。
施例でさらに詳細に説明する。
【００２２】実施例１ まず図２（ａ）に示されるように、サファイアなどから
なる基板１を反応管内に設置し、キャリアガスのＨ2 を
１０ｓｌｍ、反応ガスのトリメチルガリウム（以下、Ｔ
ＭＧという）を１００ｓｃｃｍおよびＮＨ3 を１０ｓｌ
ｍ導入して有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と
いう）により４００〜７００℃で気相成長させ、０．０
１〜０．２μｍ程度の厚さのＧａＮからなる多結晶膜で
ある低温バッファ層２を成膜した。ついで７００〜１２
００℃に昇温し、５〜１５分程度放置することにより低
温バッファ層２の多結晶膜が単結晶化し、その上に前述
と同じ原料ガスを導入して７００〜１２００℃の高温で
気相反応させることによりＧａＮの単結晶からなる高温
バッファ層３を２〜５μｍの厚さに成膜した。
なる基板１を反応管内に設置し、キャリアガスのＨ2 を
１０ｓｌｍ、反応ガスのトリメチルガリウム（以下、Ｔ
ＭＧという）を１００ｓｃｃｍおよびＮＨ3 を１０ｓｌ
ｍ導入して有機金属気相成長法（以下、ＭＯＣＶＤ法と
いう）により４００〜７００℃で気相成長させ、０．０
１〜０．２μｍ程度の厚さのＧａＮからなる多結晶膜で
ある低温バッファ層２を成膜した。ついで７００〜１２
００℃に昇温し、５〜１５分程度放置することにより低
温バッファ層２の多結晶膜が単結晶化し、その上に前述
と同じ原料ガスを導入して７００〜１２００℃の高温で
気相反応させることによりＧａＮの単結晶からなる高温
バッファ層３を２〜５μｍの厚さに成膜した。
【００２３】さらにトリメチルアルミニウム（以下、Ｔ
ＭＡという）を１０〜１００ｓｃｃｍの流量で混入して
気相反応させることにより、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからな
るｎ型クラッド層４を０．１〜０．３μｍの厚さに成膜
した。
ＭＡという）を１０〜１００ｓｃｃｍの流量で混入して
気相反応させることにより、Ａｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからな
るｎ型クラッド層４を０．１〜０．３μｍの厚さに成膜
した。
【００２４】つぎにドーパントのＳｉＨ4 を止めるとと
もにＴＭＡに代えトリメチルインジウム（以下、ＴＭＩ
という）を１０〜２００ｓｃｃｍの流量で供給してＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎからなるノンドープの活性層５を０．０
５〜０．１μｍ程度成膜し、さらにｎ型の下部クラッド
層４と同じ組成の原料ガスを供給し、不純物原料ガスを
ＳｉＨ4 に代えてビスシクロペンタジエニルマグネシウ
ム（以下、Ｃｐ2 Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（以
下、ＤＭＺｎという）を１０〜１０００ｓｃｃｍの流量
で導入してＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからなるｐ型の上部クラ
ッド層６を０．１〜０．３μｍの厚さで成膜し、ついで
ＴＭＡを止めてドーパントとしてのＳｉＨ4 を供給して
第１電流阻止層とするためのｎ型のＧａＮ層を０．０５
〜０．２μｍ程度、さらにドーパントガスをＳｉＨ4 か
らＣｐ2 Ｍｇに代えて供給して第２電流阻止層とするた
めのｐ型のＧａＮ層を０．０５〜０．２μｍ程度、さら
にドーパントガスをＳｉＨ4 に代えて第３電流阻止層と
するためのｎ型のＧａＮ層を０．０５〜０．２μｍ程度
それぞれ成膜した。
もにＴＭＡに代えトリメチルインジウム（以下、ＴＭＩ
という）を１０〜２００ｓｃｃｍの流量で供給してＩｎ
0.15Ｇａ0.85Ｎからなるノンドープの活性層５を０．０
５〜０．１μｍ程度成膜し、さらにｎ型の下部クラッド
層４と同じ組成の原料ガスを供給し、不純物原料ガスを
ＳｉＨ4 に代えてビスシクロペンタジエニルマグネシウ
ム（以下、Ｃｐ2 Ｍｇという）またはジメチル亜鉛（以
下、ＤＭＺｎという）を１０〜１０００ｓｃｃｍの流量
で導入してＡｌ0.2 Ｇａ0.8 Ｎからなるｐ型の上部クラ
ッド層６を０．１〜０．３μｍの厚さで成膜し、ついで
ＴＭＡを止めてドーパントとしてのＳｉＨ4 を供給して
第１電流阻止層とするためのｎ型のＧａＮ層を０．０５
〜０．２μｍ程度、さらにドーパントガスをＳｉＨ4 か
らＣｐ2 Ｍｇに代えて供給して第２電流阻止層とするた
めのｐ型のＧａＮ層を０．０５〜０．２μｍ程度、さら
にドーパントガスをＳｉＨ4 に代えて第３電流阻止層と
するためのｎ型のＧａＮ層を０．０５〜０．２μｍ程度
それぞれ成膜した。
【００２５】そののち、炉内温度を３０℃程度まで下
げ、ＭＯＣＶＤ装置から半導体層が積層された基板を取
り出し、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ
工程によりエッチングしてストライプ溝を形成し、電流
阻止層７ａ、７ｂ、７ｃを形成した。
げ、ＭＯＣＶＤ装置から半導体層が積層された基板を取
り出し、図２（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ
工程によりエッチングしてストライプ溝を形成し、電流
阻止層７ａ、７ｂ、７ｃを形成した。
【００２６】そののち、図２（ｃ）に示すように、再度
ＭＯＣＶＤ装置内に基板を入れ、７００〜１２００℃に
して前述と同様に反応ガスとしてＴＭＧ、ＮＨ3 および
ドーパントとしてＣｐ2 ＭｇまたはＤＭＺｎを供給しｐ
型のＧａＮからなるコンタクト層８を０．２〜３μｍ程
度形成した。そののちＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などの保護
膜を半導体層表面全面に設け４００〜８００℃、２０〜
６０分間程度のアニールを行い、ｐ型クラッド層６およ
びコンタクト層８の活性化を行った。
ＭＯＣＶＤ装置内に基板を入れ、７００〜１２００℃に
して前述と同様に反応ガスとしてＴＭＧ、ＮＨ3 および
ドーパントとしてＣｐ2 ＭｇまたはＤＭＺｎを供給しｐ
型のＧａＮからなるコンタクト層８を０．２〜３μｍ程
度形成した。そののちＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 などの保護
膜を半導体層表面全面に設け４００〜８００℃、２０〜
６０分間程度のアニールを行い、ｐ型クラッド層６およ
びコンタクト層８の活性化を行った。
【００２７】つぎにｎ側電極を形成するため、レジスト
膜などによりマスクを形成してＣｌ2 ガス雰囲気の下で
積層された半導体層の一部に反応性イオンエッチングを
行い、ｎ型層であるｎ型のクラッド層４または高温バッ
ファ層３を露出させ、コンタクト層８上にＡｕ、Ａｕ−
Ｚｎなどからなるｐ側電極９、ｎ型クラッド層４または
高温バッファ層３上にＡｌ、Ａｕ−Ｇｅなどからなるｎ
側電極１０を形成し、ダイシングすることにより半導体
レーザのチップを形成した（図１参照）。
膜などによりマスクを形成してＣｌ2 ガス雰囲気の下で
積層された半導体層の一部に反応性イオンエッチングを
行い、ｎ型層であるｎ型のクラッド層４または高温バッ
ファ層３を露出させ、コンタクト層８上にＡｕ、Ａｕ−
Ｚｎなどからなるｐ側電極９、ｎ型クラッド層４または
高温バッファ層３上にＡｌ、Ａｕ−Ｇｅなどからなるｎ
側電極１０を形成し、ダイシングすることにより半導体
レーザのチップを形成した（図１参照）。
【００２８】前記実施例で、チッ化ガリウム系化合物半
導体として前述の一般式ＡｌαＧａβＩｎ1-α- βＮで
さらにＮの一部または全部をＡｓおよび／またはＰなど
で置換した材料でも同様に本発明を適用できる。
導体として前述の一般式ＡｌαＧａβＩｎ1-α- βＮで
さらにＮの一部または全部をＡｓおよび／またはＰなど
で置換した材料でも同様に本発明を適用できる。
【００２９】実施例２ 図３は本発明の半導体レーザの他の実施例のチップの断
面説明図である。本実施例ではＧａＡｓ系化合物半導体
を用いた例で、各半導体層は前記実施例１と同様にＭＯ
ＣＶＤ法で形成することもできるし、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法によっても形成することができる。
面説明図である。本実施例ではＧａＡｓ系化合物半導体
を用いた例で、各半導体層は前記実施例１と同様にＭＯ
ＣＶＤ法で形成することもできるし、分子線エピタキシ
ー（ＭＢＥ）法によっても形成することができる。
【００３０】図３において、１１はたとえばｎ型のＧａ
Ａｓなどからなり、５０〜２００μｍ程度の半導体基板
で、その上にたとえばｎ型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ（０．
３５≦ｖ≦０．７５）からなり、０．８〜２μｍ程度の
下部クラッド層１２に、ノンドープまたはｎ型もしくは
ｐ型のたとえばＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０≦ｗ≦０．３）
からなり、０．０５〜０．２μｍ程度の活性層１３、ｐ
型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓからなり、０．４〜０．５μｍ
程度の第１上部クラッド層１４、ｎ型ＧａＡｓからな
り、０．０５〜０．２μｍ程度の第１電流阻止層１５
ａ、ｐ型ＧａＡｓからなり、０．０５〜０．２μｍ程度
の第２電流阻止層１５ｂ、ｎ型ＧａＡｓからなり、０．
０５〜０．２μｍ程度の第３電流阻止層１５ｃ、ｐ型Ａ
ｌv Ｇａ1-vＡｓからなり、０．８〜２μｍ程度の第２
上部クラッド層１６、ｐ型ＧａＡｓからなり、０．２〜
２μｍ程度のコンタクト層１７が順次積層され、上面お
よび下面にそれぞれｐ側電極１８、ｎ側電極１９が設け
られて半導体レーザのチップが形成されている。３層か
らなる各電流阻止層１５ａ、１５ｂ、１５ｃは前記実施
例１と同様に各半導体層が積層されたのちにエッチング
により３層まとめてストライプ溝が設けられることによ
り形成される。
Ａｓなどからなり、５０〜２００μｍ程度の半導体基板
で、その上にたとえばｎ型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ（０．
３５≦ｖ≦０．７５）からなり、０．８〜２μｍ程度の
下部クラッド層１２に、ノンドープまたはｎ型もしくは
ｐ型のたとえばＡｌw Ｇａ1-w Ａｓ（０≦ｗ≦０．３）
からなり、０．０５〜０．２μｍ程度の活性層１３、ｐ
型のＡｌv Ｇａ1-v Ａｓからなり、０．４〜０．５μｍ
程度の第１上部クラッド層１４、ｎ型ＧａＡｓからな
り、０．０５〜０．２μｍ程度の第１電流阻止層１５
ａ、ｐ型ＧａＡｓからなり、０．０５〜０．２μｍ程度
の第２電流阻止層１５ｂ、ｎ型ＧａＡｓからなり、０．
０５〜０．２μｍ程度の第３電流阻止層１５ｃ、ｐ型Ａ
ｌv Ｇａ1-vＡｓからなり、０．８〜２μｍ程度の第２
上部クラッド層１６、ｐ型ＧａＡｓからなり、０．２〜
２μｍ程度のコンタクト層１７が順次積層され、上面お
よび下面にそれぞれｐ側電極１８、ｎ側電極１９が設け
られて半導体レーザのチップが形成されている。３層か
らなる各電流阻止層１５ａ、１５ｂ、１５ｃは前記実施
例１と同様に各半導体層が積層されたのちにエッチング
により３層まとめてストライプ溝が設けられることによ
り形成される。
【００３１】本実施例２によればＧａＡｓ系半導体のバ
ンドギャップエネルギー（禁制帯幅）が小さいため、禁
制帯を突き抜けるリークは存在しうるが、ｐｎ接合のエ
ネルギーギャップを乗り越えるリークは確実に減少させ
ることができ発光効率の向上に寄与する。
ンドギャップエネルギー（禁制帯幅）が小さいため、禁
制帯を突き抜けるリークは存在しうるが、ｐｎ接合のエ
ネルギーギャップを乗り越えるリークは確実に減少させ
ることができ発光効率の向上に寄与する。
【００３２】実施例２では、基板にＧａＡｓ、クラッド
層にＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ、活性層にＡｌw Ｇａ1-w Ａ
ｓ、電流阻止層にＧａＡｓを用いたが、Ｇａの一部また
は全部をさらにＩｎやＡｌと置換したものおよび／また
はＡｓの一部または全部をＰと置換したものでも同様で
ある。
層にＡｌv Ｇａ1-v Ａｓ、活性層にＡｌw Ｇａ1-w Ａ
ｓ、電流阻止層にＧａＡｓを用いたが、Ｇａの一部また
は全部をさらにＩｎやＡｌと置換したものおよび／また
はＡｓの一部または全部をＰと置換したものでも同様で
ある。
【００３３】
【発明の効果】本発明の半導体レーザによれば、電流阻
止層を複数層に形成し、電流を阻止するｐｎ接合のエネ
ルギーギャップを２個以上形成しているため、ストライ
プ溝の電流路以外への電流のもれを大幅に減少させるこ
とができる。その結果、発光効率が従来より１０％以上
向上し、少ない入力で大きな出力の半導体レーザがえら
れる。
止層を複数層に形成し、電流を阻止するｐｎ接合のエネ
ルギーギャップを２個以上形成しているため、ストライ
プ溝の電流路以外への電流のもれを大幅に減少させるこ
とができる。その結果、発光効率が従来より１０％以上
向上し、少ない入力で大きな出力の半導体レーザがえら
れる。
【図１】本発明の半導体レーザの一実施例を示す断面説
明図である。
明図である。
【図２】本発明の半導体レーザの一実施例の製法の工程
断面説明図である。
断面説明図である。
【図３】本発明の半導体レーザの他の実施例を示す断面
説明図である。
説明図である。
【図４】従来のＧａＡｓ系化合物半導体レーザの断面説
明図である。
明図である。
４ 下部クラッド層 ５ 活性層 ６ 上部クラッド層 ７ａ 第１電流阻止層 ７ｂ 第２電流阻止層 ７ｃ 第３電流阻止層 １２ 下部クラッド層 １３ 活性層 １４ 第１上部クラッド層 １５ａ 第１電流阻止層 １５ｂ 第２電流阻止層 １５ｃ 第３電流阻止層 １６ 第２上部クラッド層
Claims (4)
- 【請求項１】 活性層を上下両面から挟む上下クラッド
層の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ
溝を有する電流阻止層を備えたダブルヘテロ接合構造の
半導体レーザであって、前記電流阻止層が、該電流阻止
層周囲のクラッド層の導電型と異なる導電型の層を分離
して２層以上有する半導体レーザ。 - 【請求項２】 基板上に第１導電型の下部クラッド層、
活性層、第２導電型の上部クラッド層、第２導電型のコ
ンタクト層がそれぞれ半導体層で順次形成され、前記上
部クラッド層内に電流路となるストライプ溝が形成され
た複数層の電流阻止層が設けられ、該複数層の電流阻止
層が第１導電型層、第２導電型層および第１導電型層の
３層構造である半導体レーザ。 - 【請求項３】 前記半導体層がチッ化ガリウム系化合物
半導体層である請求項２記載の半導体レーザ。 - 【請求項４】 前記下部クラッド層がｎ型Ａｌr Ｇａ
1-r Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記活性層がＩｎ1-y
Ｇａy Ｎ（０＜ｙ＜１）からなり、前記上部クラッド層
がｐ型Ａｌr Ｇａ1-r Ｎ（０≦ｒ＜１）からなり、前記
電流阻止層がＧａＮ、Ａｌp Ｇａ1-p Ｎ（０≦ｐ＜１）
およびＩｎ1-q Ｇａq Ｎ（０＜ｑ≦１）よりなる群から
選ばれた少なくとも１種のｎ型層、ｐ型層およびｎ型層
の積層構造である請求項２または３記載の半導体レー
ザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23925294A JPH08107247A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23925294A JPH08107247A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107247A true JPH08107247A (ja) | 1996-04-23 |
Family
ID=17042003
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23925294A Pending JPH08107247A (ja) | 1994-10-03 | 1994-10-03 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08107247A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| US6091083A (en) * | 1997-06-02 | 2000-07-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride type compound semiconductor light-emitting device having buffer layer with non-flat surface |
| JP2001077471A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP2001230496A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-08-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
| US8076685B2 (en) | 2008-09-25 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device having current confining layer |
-
1994
- 1994-10-03 JP JP23925294A patent/JPH08107247A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10294531A (ja) * | 1997-02-21 | 1998-11-04 | Toshiba Corp | 窒化物化合物半導体発光素子 |
| US6242761B1 (en) | 1997-02-21 | 2001-06-05 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nitride compound semiconductor light emitting device |
| US6091083A (en) * | 1997-06-02 | 2000-07-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Gallium nitride type compound semiconductor light-emitting device having buffer layer with non-flat surface |
| JP2001077471A (ja) * | 1999-09-01 | 2001-03-23 | Japan Science & Technology Corp | 半導体レーザ |
| JP2001230496A (ja) * | 1999-12-10 | 2001-08-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体レーザ素子 |
| US8076685B2 (en) | 2008-09-25 | 2011-12-13 | Panasonic Corporation | Nitride semiconductor device having current confining layer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6548834B2 (en) | Semiconductor light emitting element | |
| US7402843B2 (en) | Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same | |
| JP3974667B2 (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| US6617061B2 (en) | Group III nitride compound semiconductor device and group III nitride compound semiconductor light-emitting device | |
| JP4071308B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法及び光ファイバー通信システム | |
| US7485902B2 (en) | Nitride-based semiconductor light-emitting device | |
| US20040065887A1 (en) | Light emitting devices with layered III -V semiconductor structures, and modules and systems for computer, network and optical communication, using such devices | |
| KR20010023092A (ko) | 질화갈륨계 화합물 반도체 장치 | |
| KR100380536B1 (ko) | 터널접합 구조를 가지는 질화물반도체 발광소자 | |
| JP2001053339A (ja) | 半導体発光素子およびその製造方法 | |
| JPH0897468A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3432910B2 (ja) | 半導体レーザ | |
| JP3787321B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP2000196194A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP4865186B2 (ja) | Ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH0864866A (ja) | 半導体発光素子の製法 | |
| JPH0897502A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH08107247A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPH0897507A (ja) | 半導体レーザ | |
| US7388231B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| JP3010412B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3005115B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
| JPH08116092A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP3635613B2 (ja) | 半導体積層構造および半導体発光素子 | |
| JP4198003B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040224 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |