JPH0940659A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【解決手段】 基板上に記録層、反射層及び保護層を有
する光記録媒体において、記録層中に下記一般式（１）
で示される波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有する
アゾ化合物を含有する光記録媒体。 ［式中、ＸはＯ又はＳ；Ｒ_１，Ｒ_２は水素原子、アルキ
ル基、アリール基、又はアルケニル基；Ｒ_３，Ｒ_４，Ｒ
_５，Ｒ_６は水素原子、シアノ基、アルキルカルボキシル
基、ニトロ基、スルホンアシド基等；Ｒ_７，Ｒ_８，Ｒ_９
は水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アル
キルカルボキシル基等；を夫々表し、又Ｒ_１とＲ_４，Ｒ
_２とＲ_６，Ｒ_１とＲ_２とは連結基を介して環を形成して
もよい］ 【効果】 従来使用されている７８０ｎｍの近赤外レー
ザーで記録再生可能で、且つ、６３５ｎｍや６８０ｎｍ
の赤色レーザーでも記録再生が可能な互換性のある光記
録媒体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特
に、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーで再生ま
たは記録再生可能で、且つ、波長６２０〜６９０ｎｍの
赤色レーザーで記録再生可能である光記録媒体に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】基板上に反射層を有する光記録媒体とし
てコンパクトディスク（以下、ＣＤと略す）規格に対応
した追記または記録可能なＣＤが提案されている〔例え
ば、日経エレクトロニクス、Ｎｏ．４６５，ｐ．１０
７，１９８９年１月２３日号〕。この光記録媒体は（図
１）に示すように、基板１上に記録層２、反射層３、保
護層４をこの順に形成されるものである。この光記録媒
体の記録層に半導体レーザー等のレーザー光を高パワー
で照射すると、記録層が物理的あるいは化学的変化を起
こし、ピットの形で情報を記録する。形成されたピット
に低パワーのレーザー光を照射し、反射光を検出するこ
とによりピットの情報を再生することができる。このよ
うな光記録媒体の記録再生には、一般に波長７７０〜８
３０ｎｍの近赤外半導体レーザーが用いられており、レ
ッドブックやオレンジブック等のＣＤの規格に準拠して
いるため、ＣＤプレーヤーや、ＣＤ−ＲＯＭプレーヤー
と互換性を有するという特徴を有する。

【０００３】最近、７７０ｎｍよりも短波長の半導体レ
ーザーの開発が進み、波長６８０ｎｍ及び６３０ｎｍの
赤色半導体レーザーが実用化されている〔例えば、日経
エレクトロニクス、Ｎｏ．５９２，ｐ．６５，１９９３
年１０月１１日号〕。記録再生用レーザーの短波長化に
よりビームスポットを小さくすることで、高密度な光記
録媒体が可能になる。また、半導体レーザーの短波長化
とデータ圧縮技術などにより、動画を記憶できる大容量
の光記録媒体が開発されてきている〔例えば、日経エレ
クトロニクス、Ｎｏ．５８９，ｐ．５５，１９９３年８
月３０日号〕。このような高密度の光記録媒体は動画の
ような大容量のデータを記録することができ、ビデオＣ
Ｄなどの用途に期待されている〔例えば、日経エレクト
ロニクス、Ｎｏ．５９４，ｐ．１６９，１９９３年１１
月８日号〕。また、特開平２−２７８５１９号公報で
は、６８０ｎｍの短波長レーザーで高密度に記録して７
８０ｎｍで再生する方法により、高密度高速記録が提案
されている。

【０００４】一方、特開平６−４０１６２号公報には、
短波長レーザーで記録再生が可能な光記録媒体が提案さ
れている。この媒体は、記録層にインドカルボシアニン
色素を用いており、６３０ｎｍの半導体レーザーやヘリ
ウムネオンレーザーで記録可能である。６３０ｎｍより
さらに短波長の４９０ｎｍの青／緑色半導体レーザーも
研究されているが、まだ実用化の段階まで至っていない
〔例えば、 Applied PhysicsLetter, ｐ．１２７２−
１２７４，Ｖｏｌ．５９（１９９１）や日経エレクトロ
ニクス、Ｎｏ．５５２，Ｐ．９０，１９９２年４月２７
日号〕。こうした背景から、光記録媒体の記録再生波長
が６３０ｎｍ付近まで短波長化されていく傾向にある。
従って、これに対応した光記録媒体の開発が必要とな
り、さらに、従来からある７８０ｎｍにも対応した互換
性のある光記録媒体が望まれている。しかしながら、従
来の光記録媒体では、記録層に用いている有機色素が波
長６２０〜６９０ｎｍで吸収が大きく屈折率が小さいた
め反射率が低く、波長６８０ｎｍまたは６３０ｎｍの赤
色レーザーでの再生が不可能であることがわかった。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、７８
０ｎｍの近赤外レーザー（従来より市販のＣＤプレーヤ
ーなど）で記録及び／又は再生可能で、且つ、波長６８
０または６３０ｎｍの赤色レーザーでも記録及び／又は
再生可能な光記録媒体を提供することである。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を完成する
に至った。即ち、本発明は、 基板上に、記録層、反射層及び保護層を有する光記
録媒体において、記録層中に下記一般式（１）（化２）
で示される波長４５０〜６３０ｎｍに吸収極大を有する
アゾ化合物を含有する光記録媒体、 記録層中に、さらに波長６５０〜９００ｎｍに吸収
極大を有する光吸収化合物を含有するの光記録媒体、 波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収
化合物が、フタロシアニン化合物であるの光記録媒
体。 波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収
化合物の含有量が、アゾ化合物に対して、０．１〜５０
重量％であるまたはの光記録媒体。 波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーから選ば
れた光に対する基板側から測定した反射率が６５％以上
で、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザーで記録及
び／又は再生可能で、且つ、波長６２０〜６９０ｎｍの
赤色レーザーから選ばれた光に対する基板側から測定し
た反射率が１５％以上で、波長６２０〜６９０ｎｍの赤
色レーザーで記録及び／又は再生可能である〜のい
ずれかの光記録媒体、に関する。

【０００７】

【化２】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、置換また
は未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置
換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及びＲ₆ は
各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カ
ルボキシル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ
基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、置換
または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキル
カルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置
換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換ま
たは未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未
置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキル
スルホン基、置換または未置換のアルケニル基を表し、
Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆及びＲ₁ とＲ₂ は連結基を介し
て環を形成してもよく、Ｒ₇ 、Ｒ₈ 及びＲ₉ は各々独立
に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ
ル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、置換
または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコ
キシ基、置換または未置換のアリール基、置換または未
置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキ
シル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または
未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置
換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のア
ルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン
基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニト
ロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン
基、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未
置換のアルキルアゾメチン基、置換または未置換のアル
キルアミノスルホン基を表し、また、Ｘは硫黄原子また
は酸素原子を表す〕 本発明では、一般式（１）で示される波長４５０〜６３
０ｎｍに吸収極大を有するアゾ化合物、または、該アゾ
化合物と６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有する光吸収
化合物との混合物を記録層に用いることにより、７７０
〜８３０ｎｍから選ばれたレーザーで記録及び／又は再
生可能で、且つ、波長６２０〜６９０ｎｍの赤色レーザ
ーでも記録及び／又は再生可能な光記録媒体を提供す
る。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明について以下に具体的に説
明する。本発明の光記録媒体は基板上に記録層及び反射
層を有する。光記録媒体とは予め情報を記録されている
再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生する
ことのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層及び保護
層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。こ
の光記録媒体は（図１）に示すような４層構造を有して
いる。即ち、基板１上に記録層２が形成されており、そ
の上に密着して反射層３が設けられており、さらにその
上に保護層４が反射層３を覆っている。基板としては、
基本的には記録光及び再生光の波長で透明な材質のもの
であればよい。例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビ
ニル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、
ポリスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラ
ス等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出
成形法等により円盤状の基板に成形される。必要に応じ
て、基板表面に溝を形成することもある。

【０００９】本発明の光記録媒体において、その記録層
に含有される一般式（１）で示されるアゾ化合物は、λ
_max が５００ｎｍ付近に存在し、６２０〜６９０ｎｍで
の屈折率が大きく、吸光度が小さいため、反射率が大き
く取れる。又、７７０〜８３０ｎｍの屈折率も大きく吸
収も小さいため、現在使用されている７７０〜８３０ｎ
ｍの半導体レーザーを搭載したＣＤプレーヤーやＣＤ−
ＲＯＭプレーヤーでも再生が可能となる。

【００１０】本発明で用いるアゾ化合物は、前記式
（１）で示されるアゾ化合物である。前記式（１）の置
換基において、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、
臭素、沃素であり、好ましくは、フッ素、塩素、臭素で
ある。置換または未置換のアルキル基としては、直鎖ま
たは分岐のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコ
キシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアル
コキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、
アルコキシカルボニルオキシアルキル基、アルコキシア
ルコキシカルボニルオキシアルキル基、ヒドロキシアル
キル基、ヒドロキシアルコキシアルキル基、ヒドロキシ
アルコキシアルコキシアルキル基、シアノアルキル基、
アシルオキシアルキル基、アシルオキシアルコキシアル
キル基、アシルオキシアルコキシアルコキシアルキル
基、ハロゲン化アルキル、スルホンアルキル基、アルキ
ルカルボニルアミノアルキル基、アルキルスルホンアミ
ノアルキル基、スルホンアミドアルキル基、アルキルア
ミノアルキル基、アミノアルキル基、またはアルキルス
ルホンアルキル基等が挙げられる。

【００１１】直鎖または分岐のアルキル基としては、炭
素数１〜１５の炭化水素基が挙げられ、ポリカーボネー
ト、アクリル、エポキシ、ポリオレフィン基板等への塗
布による加工性を考慮すれば、メチル基、エチル基、n-
プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、sec-ブチル
基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、2-メ
チルブチル基、1-メチルブチル基、neo-ペンチル基、1,
2-ジメチルプロピル基、1,1-ジメチルプロピル基、cycl
o-ペンチル基、n-ヘキシル基、4-メチルペンチル基、3-
メチルペンチル基、2-メチルペンチル基、1-メチルペン
チル基、3,3-ジメチルブチル基、2,3-ジメチルブチル
基、1,3-ジメチルブチル基、2,2-ジメチルブチル基、1,
2-ジメチルブチル基、1,1-ジメチルブチル基、3-エチル
ブチル基、2-エチルブチル基、1-エチルブチル基、1,2,
2-トリメチルブチル基、1,1,2-トリメチルブチル基、1-
エチル-2- メチルプロピル基、cyclo-ヘキシル基、n-ヘ
プチル基、2-メチルヘキシル基、3-メチルヘキシル基、
4-メチルヘキシル基、5-メチルヘキシル基、2,4-ジメチ
ルペンチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、2,
5-ジメチルヘキシル基、2,5,5-トリメチルペンチル基、
2,4-ジメチルヘキシル基、2,2,4-トリメチルペンチル
基、n-ノニル基、n-デシル基、4-エチルオクチル基、4-
エチル-4,5- ジメチルヘキシル基、n-ウンデシル基、n-
ドデシル基、1,3,5,7-テトラエチルオクチル基、4-ブチ
ルオクチル基、6,6-ジエチルオクチル基、n-トリデシル
基、6-メチル-4- ブチルオクチル基、n-テトラデシル
基、n-ペンタデシル基、3,5-ジメチルヘプチル基、2,6-
ジメチルヘプチル基、2,4-ジメチルヘプチル基、2,2,5,
5-テトラメチルヘキシル基、1-cyclo-ペンチル-2,2- ジ
メチルプロピル基、1-cyclo-ヘキシル-2,2- ジメチルプ
ロピル基等が挙げられる。

【００１２】アルコキシアルキル基の例としては、メト
キシメチル基、エトキシメチル基、プロポキシメチル
基、ブトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエ
チル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、n-ヘ
キシルオキシエチル基、4-メチルペントキシエチル基、
1,3-ジメチルブトキシエチル基、2-エチルヘキシルオキ
シエチル基、n-オクチルオキシエチル基、3,5,5-トリメ
チルヘキシルオキシエチル基、2-メチル-1-iso- プロピ
ルプロポキシエチル基、3-メチル-1-iso- プロピルブチ
ルオキシエチル基、2-エトキシ-1- メチルエチル基、3-
メトキシブチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエチル基などの炭素
数２〜１５のものが挙げられる。

【００１３】アルコキシアルコキシアルキル基の例とし
ては、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエ
チル基、プロポキシエトキシエチル基、ブトキシエトキ
シエチル基、ヘキシルオキシエトキシエチル基、1,2-ジ
メチルプロポキシエトキシエチル基、3-メチル-1-iso-
ブチルブトキシエトキシエチル基、2-メトキシ-1- メチ
ルエトキシエチル基、2-ブトキシ-1- メチルエトキシエ
チル基、2-(2'-エトキシ-1'-メチルエトキシ)-1-メチル
エチル基、3,3,3-トリフルオロプロポキシエトキシエチ
ル基、3,3,3-トリクロロプロポキシエトキシエチル基等
が挙げられる。アルコキシアルコキシアルコキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシエトキシエチル
基、エトキシエトキシエトキシエチル基、ブトキシエト
キシエトキシエチル基、2,2,2-トリフルオロエトキシエ
トキシエトキシエチル基、2,2,2-トリクロロエトキシエ
トキシエトキシエチル基等が挙げられる。

【００１４】アルコキシカルボニルアルキル基の例とし
ては、メトキシカルボニルメチル基、エトキシカルボニ
ルメチル基、ブトキシカルボニルメチル基、メトキシカ
ルボニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基、ブト
キシカルボニルエチル基、2,2,3,3-テトラフルオロプロ
ポキシカルボニルメチル基、2,2,3,3-テトラクロロプロ
ポキシカルボニルメチル基等が挙げられる。アルコキシ
カルボニルオキシアルキル基の例としては、メトキシカ
ルボニルオキシエチル基、エトキシカルボニルオキシエ
チル基、ブトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-ト
リフルオロエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,2-
トリクロロエトキシカルボニルオキシエチル基等が挙げ
られる。アルコキシアルコキシカルボニルオキシアルキ
ル基の例としては、メトキシエトキシカルボニルオキシ
エチル基、エトキシエトキシカルボニルオキシエチル
基、ブトキシエトキシカルボニルオキシエチル基、2,2,
2-トリフルオロエトキシエトキシカルボニルオキシエチ
ル基、2,2,2-トリクロロエトキシエトキシカルボニルオ
キシエチル基等が挙げられる。

【００１５】ヒドロキシアルキル基の例としては、2-ヒ
ドロキシエチル基、4-ヒドロキシエチル基、2-ヒドロキ
シ-3- メトキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- クロロプ
ロピル基、2-ヒドロキシ-3- エトキシプロピル基、3-ブ
トキシ-2- ヒドロキシプロピル基、2-ヒドロキシ-3- フ
ェノキシプロピル基、2-ヒドロキシプロピル基、2-ヒド
ロキシブチル基等が挙げられる。ヒドロキシアルコキシ
アルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエチル
基、2-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1- メチルエ
チル基、2-(3'-フルオロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エ
チル基、2-(3'-クロロ-2'-ヒドロキシプロポキシ) エチ
ル基等が挙げられ、ヒドロキシアルコキシアルコキシア
ルキル基の例としては、ヒドロキシエトキシエトキシエ
チル基、[2'-(2'-ヒドロキ-1'-メチルエトキシ）-1'-メ
チルエトキシ] エトキシエチル基、[2'-(2'-フルオロ-
1'-ヒドロキシエトキシ）-1'-メチルエトキシ] エトキ
シエチル基、[2'-(2'-クロロ-1'-ヒドロキシエトキシ）
-1'-メチルエトキシ] エトキシエチル基等が挙げられ
る。

【００１６】シアノアルキル基の例としては、2-シアノ
エチル基、4-シアノブチル基、2-シアノ-3- メトキシプ
ロピル基、2-シアノ-3- クロロプロピル基、2-シアノ-3
- エトキシプロピル基、3-ブトキシ-2- シアノプロピル
基、2-シアノ-3- フェノキシプロピル基、2-シアノプロ
ピル基、2-シアノブチル基等が挙げられる。アシルオキ
シアルキル基の例としては、アセトキシエチル基、プロ
ピオニルオキシエチル基、ブチリルオキシエチル基、バ
レリルオキシエチル基、1-エチルペンチルカルボニルオ
キシエチル基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニルオ
キシエチル基、3-フロオロブチリルオキシエル基、3-ク
ロロブチリルオキシエチル基等が挙げられる。

【００１７】アシルオキシアルコキシアルキル基の例と
しては、アセトキシエトキシエチル基、プロピオニルオ
キシエトキシエチル基、バレリルオキシエトキシエチル
基、1-エチルペンチルカルボニルオキシエトキシエチル
基、2,4,4-トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキ
シエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエトキシエ
チル基、2-クロロプロピオニルオキシエトキシエチル基
等が挙げられ、アシルオキシアルコキシアルコキシアル
キル基の例としては、アセトキシエトキシエトキシエチ
ル基、プロピオニルオキシエトキシエトキシエチル基、
バレリルオキシエトキシエトキシエチル基、1-エチルペ
ンチルカルボニルオキシエトキシエトキシエチル基、2,
4,4-トリメチルペンチルカルボニルオキシエトキシエト
キシエチル基、2-フルオロプロピオニルオキシエトキシ
エトキシエチル基、2-クロロプロピオニルオキシエトキ
シエトキシエチル基等が挙げられる。ハロゲン化アルキ
ル基の例としては、クロルメチル基、クロルエチル基、
2,2,2-トリフルオロエチル基、トリフルオロメチル基、
ブロムメチル基、ヨウ化メチル基等が挙げられる。

【００１８】スルホンアルキル基の例としては、スルホ
ンメチル基、スルホンエチル基、スルホンプロピル基等
が挙げられる。アルキルカルボニルアミノアルキル基の
例としては、メチルカルボニルアミノエチル基、エチル
カルボニルアミノエチル基、プロピルカルボニルアミノ
エチル基、シクロヘキシルカルボニルアミノエチル基、
スクシンイミノエチル基等が挙げられる。アルキルスル
ホンアミノアルキル基の例としては、メチルスルホンア
ミノエチル基、エチルスルホンアミノエチル基、プロピ
ルスルホンアミノエチル基等が挙げられる。スルホンア
ミドアルキル基の例としては、スルホンアミドメチル
基、スルホンアミドエチル基、スルホンアミドプロピル
基等が挙げられる。

【００１９】アルキルアミノアルキル基の例としては、
N-メチルアミノメチル基、N,N-ジメチルアミノメチル
基、N,N-ジエチルアミノメチル基、N,N-ジプロピルアミ
ノメチル基、N,N-ジブルアミノメチル基等が挙げられ
る。アミノアルキル基の例としては、アミノメチル基、
アミノエチル基、アミノプロピル基等が挙げられる。ア
ルキルスルホンアルキル基の例としては、メチルスルホ
ンメチル基、エチルスルホンメチル基、ブチルスルホン
メチル基、メチルスルホンエチル基、エチルスルホンエ
チル基、ブチルスルホンエチル基、2,2,3,3-テトラフル
オロプロピルスルホンメチル基、2,2,3,3-テトラクロロ
プロピルスルホンメチル基等が挙げられる。

【００２０】置換または未置換のアルコキシ基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アルコキシ基であり、好ましくは、メトキシ基、エトキ
シ基、n-プロポキシ基、iso-プロポキシ基、n-ブトキシ
基、iso-ブトキシ基、sec-ブトキシ基、t-ブトキシ基、
n-ペントキシ基、iso-ペントキシ基、neo-ペントキシ
基、2-メチルブトキシ基などの低級アルコキシ基が挙げ
られる。置換または未置換のアリール基の例としては、
上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアリー
ル基であり、好ましくは、フェニル基、ニトロフェニル
基、シアノフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メチル
フェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ナフチル
基、ニトロナフチル基、シアノナフチル基、ヒドロキシ
ナフチル基、メチルナフチル基、トリフルオロメチルナ
フチル基等が挙げられる。

【００２１】置換または未置換のアシル基の例として
は、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するア
シル基であり、好ましくは、ホルミル基、メチルカルボ
ニル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル
基、iso-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル
基、iso-ブチルカルボニル基、sec-ブチルカルボニル
基、t-ブチルカルボニル基、n-ペンチルカルボニル基、
iso-ペンチルカルボニル基、neo-ペンチルカルボニル
基、2-メチルブチルカルボニル基、ニトロベンジルカル
ボニル基等が挙げられる。置換または未置換のアルキル
カルボキシル基の例としては、上記に挙げたアルキル基
と同様な置換基を有するアルキルカルボキシル基であ
り、好ましくは、メチルカルボキシル基、エチルカルボ
キシル基、n-プロピルカルボキシル基、iso-プロピルカ
ルボキシル基、n-ブチルカルボキシル基、iso-ブチルカ
ルボキシル基、sec-ブチルカルボキシル基、t-ブチルカ
ルボキシル基、n-ペンチルカルボキシル基、iso-ペンチ
ルカルボキシル基、neo-ペンチルカルボキシル基、2-メ
チルブチルカルボキシル基等の低級アルキルカルボキシ
ル基が挙げられる。

【００２２】置換または未置換のアラルキル基の例とし
ては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有する
アラルキル基であり、好ましくは、ベンジル基、ニトロ
ベンジル基、シアノベンジル基、ヒドロキシベンジル
基、メチルベンジル基、トリフルオロメチルベンジル
基、ナフチルメチル基、ニトロナフチルメチル基、シア
ノナフチルメチル基、ヒドロキシナフチルメチル基、メ
チルナフチルメチル基、トリフルオロメチルナフチルメ
チル基などが挙げられる。置換または未置換のアルキル
カルボニルアミノ基の例としては、上記に挙げたアルキ
ル基と同様な置換基を有するアルキルカルボニルアミノ
基であり、好ましくは、メチルカルボニルアミノ基、エ
チルカルボニルアミノ基、n-プロピルカルボニルアミノ
基、iso-プロピルカルボニルアミノ基、n-ブチルカルボ
ニルアミノ基、iso-ブチルカルボニルアミノ基、sec-ブ
チルカルボニルアミノ基、t-ブチルカルボニルアミノ
基、n-ペンチルカルボニルアミノ基、iso-ペンチルカル
ボニルアミノ基、neo-ペンチルカルボニルアミノ基、2-
メチルブチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカル
ボニルアミノ基、スクシンイミノ基などの低級アルキル
カルボニルアミノ基が挙げられる。

【００２３】置換または未置換のアルキルスルホンアミ
ノ基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルスルホンアミノ基であり、好まし
くは、メチルスルホンアミノ基、エチルスルホンアミノ
基、n-プロピルスルホンアミノ基、iso-プロピルスルホ
ンアミノ基、n-ブチルスルホンアミノ基、iso-ブチルス
ルホンアミノ基、sec-ブチルスルホンアミノ基、t-ブチ
ルスルホンアミノ基、n-ペンチルスルホンアミノ基、is
o-ペンチルスルホンアミノ基、neo-ペンチルスルホンア
ミノ基、2-メチルブチルスルホンアミノ基、シクロヘキ
シルスルホンアミノ基などの低級アルキルスルホンアミ
ノ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルアミノ
基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換
基を有するアルキルアミノ基であり、好ましくは、N-メ
チルアミノ基、N,N-ジメチルアミノ基、N,N-ジエチルア
ミノ基、N,N-ジプロピルアミノ基、N,N-ジブチルアミノ
基などの低級アルキルアミノ基が挙げられる。

【００２４】置換または未置換のアルキルスルホン基の
例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を
有するアルキルスルホン基であり、好ましくは、メチル
スルホン基、エチルスルホン基、n-プロピルスルホン
基、iso-プロピルスルホン基、n-ブチルスルホン基、is
o-ブチルスルホン基、sec-ブチルスルホン基、t-ブチル
スルホン基、n-ペンチルスルホン基、iso-ペンチルスル
ホン基、neo-ペンチルスルホン基、2-メチルブチルスル
ホン基、2-ヒドロキシエチルスルホン基、2-シアノエチ
ルスルホン基などの低級アルキルスルホン基が挙げられ
る。置換または未置換のアルケニル基の例としては、上
記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有するアルケニ
ル基であり、好ましくは、プロペニル基、1-ブテニル
基、iso-ブテニル基、1-ペンテニル基、2-ペンテニル
基、2-メチル-1- ブテニル基、3-メチル-1- ブテニル
基、2-メチル-2- ブテニル基、2,2-ジシアノビニル基、
2-シアノ-2- メチルカルボキシルビニル基、2-シアノ-2
- メチルスルホンビニル基などの低級アルケニル基が挙
げられる。

【００２５】置換または未置換のアルキルチオ基の例と
しては、上記に挙げたアルキル基と同様な置換基を有す
るアルキルチオ基であり、好ましくは、メチルチオ基、
エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ
基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチ
オ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチ
ルチオ基、neo-ペンチルチオ基、2-メチルブチルチオ
基、メチルカルボキシルエチルチオ基などの低級アルキ
ルチオ基が挙げられる。置換または未置換のアルキルア
ゾメチン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同
様な置換基を有するアルキルアゾメチン基であり、好ま
しくは、メチルアゾメチン基、エチルアゾメチン基、n-
プロピルアゾメチン基、iso-プロピルアゾメチン基、n-
ブチルアゾメチン基、iso-ブチルアゾメチン基、sec-ブ
チルアゾメチン基、t-ブチルアゾメチン基、n-ペンチル
アゾメチン基、iso-ペンチルアゾメチン基、neo-ペンチ
ルアゾメチン基、2-メチルブチルアゾメチン基、ヒドロ
キシエチルアゾメチン基などの低級アルキルアゾメチン
基が挙げられる。

【００２６】置換または未置換のアルキルアミノスルホ
ン基の例としては、上記に挙げたアルキル基と同様な置
換基を有するアルキルアミノスルホン基であり、好まし
くは、N-メチルアミノスルホン基、N-エチルアミノスル
ホン基、N-(n- プロピル) アミノスルホン基、N-(iso-
プロピル) アミノスルホン基、N-(n- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(iso- ブチル) アミノスルホン基、N-(sec
- ブチル) アミノスルホン基、N-(t- ブチル) アミノス
ルホン基、N-(n- ペンチル) アミノスルホン基、N-(iso
- ペンチル) アミノスルホン基、N-(neo- ペンチル) ア
ミノスルホン基、N-(2- メチルブチル) アミノスルホン
基、N-(2- ヒドロキシエチル) アミノスルホン基、N-(2
- シアノエチル) アミノスルホン基などの低級アルキル
アミノスルホン基が挙げられる。

【００２７】Ｒ₁ とＲ₄ 、または、Ｒ₂ とＲ₆ が連結基
を介して環を形成した例としては、-CH₂CH₂-_, -CH₂CH₂C
H₂-, -CH₂CH(Cl)-, -CH₂C(=O)CH₂-, -CH₂C(=O)-,-CH₂CH
₂C(=O)-, -CH₂CH(F)-, -CH₂CH(OH)- が挙げられる。ま
た、Ｒ₁ とＲ₂ が連結基を介して環を形成した例として
は、-CH₂CH₂OCH₂CH₂-,-CH₂CH₂NHCH₂CH₂-, -CH₂CH₂N(C
H₃)CH₂CH₂-, -CH₂C(=O)OC(=O)CH₂-,-CH₂C(=O)NHC(=O)CH
₂-, -CH₂C(=O)N(CH₃)C(=O)CH₂-, -CH₂CH₂CH₂CH₂CH₂- 等
が挙げられる。本発明の一般式（１）で表される化合物
は、公知の方法により次の様に製造される。即ち、一般
式（２）（化３）で示されるアミン成分をジアゾ化し、
一般式（３）（化３）で示されるカップリング成分の溶
液に添加し、カップリング反応させて、一般式（１）で
示されるアゾ化合物が得られる。

【００２８】

【化３】 〔上式中、Ｒ₁ 〜Ｒ₇ 及びＸは式（１）の場合と同じ意
味を表す〕

【００２９】本発明では、６２０〜６９０ｎｍと７７０
〜８３０ｎｍに対する記録感度向上のために、一般式
（１）で示されるアゾ化合物と６５０〜９００ｎｍに極
大吸収波長のある光吸収化合物とを混合して用いること
もある。この場合、６５０〜９００ｎｍに極大吸収波長
のある光吸収化合物は、アゾ化合物に対して、０．１〜
５０重量％混合する。この光吸収化合物を５０重量％よ
り多く混合すると６３０〜６９０ｎｍと７７０〜８３０
ｎｍにおける記録層の吸収係数が大きくなり、再生特性
の反射率を低下させてしまう恐れがある。また、０．１
重量％以下では６３０〜６９０ｎｍと７７０〜８３０ｎ
ｍにおける記録層の吸収係数が小さすぎて記録感度が小
さくなり、記録不能の恐れが生ずる。ただし、６９０〜
７４０ｎｍにシャープな吸収極大を有する光吸収化合物
を用いる場合には、アゾ化合物に対して、０．１〜１５
０重量％混合することができる。

【００３０】本願で用いる光吸収化合物としては、６５
０〜９００ｎｍに極大吸収波長を有するものであればよ
く、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプタメチンシアニ
ン系色素、インドフェノール系色素、フタロシアニン系
色素、ナフタロシアニン系色素、ピリリウム系色素、チ
オピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェニ
ルメタン系色素、キサンテン系色素、インダスレン系色
素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシアニ
ン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オキサ
ジン系色素などがある。これらの色素は単独で用いても
よく、また、複数混合して用いてもよい。中でも、後述
する基盤にダメージを与えない塗布溶媒に充分溶解する
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシア
ニン系色素、アゾ系色素等が好適である。

【００３１】上記シアニン系色素としては、例えば、1,
3,3,1',3',3'- ヘキサメチル-2,2'-(4,5,4',5'- ジベン
ゾ) インドジカルボシアニンパークロレート、3,3'- ジ
エチル-2,2'-(6,7,6',7'- ジベンゾ) チアジカルボシア
ニンアイオダイド、3,3'- ジエチル-2,2'-セレネジカル
ボシアニンアイオダイド、1,3'-,ジエチル-4,2'-キノオ
キサジカルボシアニンアイオダイド、3,3',9- トリエチ
ル-2,2'-(4,5,4',5'-ジベンゾ) チアジカルボシアニン
ブロマイド、1,1'- ジエチル-2,4'-キノジカルボシアニ
ンアイオダイド、1,3'- ジエチル-4,2'-キノチアジカル
ボシアニンアイオダイド等が挙げられる。また、上記フ
タロシアニン系色素としては、例えば、下記化学式
（ａ）〜（ｊ）（化４〜８）で示される化合物等が挙げ
られる。

【００３２】

【化４】

【００３３】

【化５】

【００３４】

【化６】

【００３５】

【化７】

【００３６】

【化８】 なお、化合物（ｂ）〜（ｄ）、（ｈ）〜（ｊ）におい
て、Ｂｒ等はフタロシアニンのベンゼン環に置換してい
る。これらの化合物や色素に、必要に応じて、消光剤や
紫外線吸収剤等の添加剤を混合したり、あるいは、置換
基として導入することも可能である。例えば、添加剤と
しては以下の一般式（４）〜（１０）（化９）で示され
るものが挙げられる。

【００３７】

【化９】

【００３８】上式中、Ａ，Ａ’はベンゼン環あるいは置
換ベンゼン環を形成するか、またはナフタレン環あるい
は置換ナフタレン環を形成する原子群であり、同種であ
っても異種であっても良い。これらの置換基としては、
アルキル基、アルコキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシ
ル基、ハロゲン原子、アリール基、アルキルカルボキシ
ル基、アルキルアルコキシル基、アラルキル基、アルキ
ルカルボニル基、金属イオンと結合したスルホネートア
ルキル基、ニトロ基、アミノ基、アルキルアミノ基、フ
ェニルエチレン基等がある。これらの置換基は、単数で
あっても、複数であってもよい。また、Ｒ₁₀〜Ｒ₃₂は置
換または未置換のアルキル基、置換または未置換のアル
コキシ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基、ハロゲン原
子、置換または未置換のアリル基、置換または未置換の
アルキルカルボキシル基、置換または未置換のアルキル
アルコキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置
換または未置換のアルキルカルボニル基、金属イオンと
結合したスルホネートアルキル基、ニトロ基、アミノ
基、置換または未置換のアルキルアミノ基、置換または
未置換のフェニル基、置換または未置換のフェニルエチ
レン基等がある。Ｍは、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｐｄ
及びＰｔ等の遷移金属を示している。Ｍは電荷を持ち、
カチオンと塩構造をとっても良い。ａはイオン体の電価
数を表し、０を含む正の整数である。Ｚはカチオンを示
し、ａ＝ｂ×ｃであり、ａ＝０の時は、ｂ×ｃ＝０でＺ
は存在せず、化合物は中性体となる。

【００３９】これらの化合物や色素は、スピンコート法
やキャスト法等の塗布法、スパッタ法、化学蒸着法、真
空蒸着法等によって基板上に厚さ５０〜５００ｎｍ、好
ましくは１００〜１５０ｎｍの記録層を形成する。特に
塗布法においては色素を溶解あるいは分散させた塗布溶
媒を用いるが、この際溶媒は基板にダメージを与えない
ものを選ぶことが好ましい。例えば、メタノール等のア
ルコール系溶媒、ヘキサンやオクタン等の脂肪族炭化水
素系溶媒、シクロヘキサン等の環状炭化水素系溶媒、ベ
ンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、クロロホルム等のハ
ロゲン化炭化水素系溶媒、ジオキサン等のエーテル化炭
化水素系溶媒、メチルセルソルブ等のセロソルブ系溶
媒、アセトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル等のエステ
ル系溶媒等が１種あるいは複数混合して用いられる。記
録層は１層だけでなく複数の化合物で多層を形成させた
り、化合物を高分子薄層などに、例えば、好ましくは５
０％程度以上の濃度で分散して用いたりすることもでき
る。また、アゾ系化合物の含有記録層と光吸収化合物を
含有する記録層が異なる多層記録層であっても良い。な
お、基板にダメージを与えない溶媒を選択できない場合
はスパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法などが有効であ
る。

【００４０】次に、記録層の上に、厚さ５０〜３００ｎ
ｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を形成す
る。反射層の材料としては、再生光の波長で反射率の十
分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ及びＰｄの金属を
単独あるいは合金にして用いることが可能である。この
なかでもＡｕやＡｌは反射率が高く反射層の材料に適し
ている。これ以外に、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、
Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉ
ｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔ
ｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を含ん
でいてもよい。また、Ａｕを主成分としているものは反
射率の高い反射層が容易に得られるため好適である。こ
こで主成分というのは含有率が５０％以上のことをい
う。金属以外の材料で、低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を
交互に積み重ねて多層膜を形成し、反射層として用いる
ことも可能である。反射層を形成する方法としては、例
えば、スパッタ法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げら
れる。また、反射率を高めるためや、密着性をよくする
ために記録層と反射層の間に、それぞれ反射増幅層や接
着層を設けることもできる。

【００４１】さらに、本発明の光記録媒体では、反射層
の上に保護層を形成させることもできる。保護層の材料
としては、反射層を外力から保護するものであれば特に
限定しない。例えば、有機物質としては、熱可塑性樹
脂、熱硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることがで
き、中でもＵＶ硬化性樹脂が好ましい。又、無機物質と
しては、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ₄ 、ＭｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 等が
挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂などは適当な
溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥することによって
保護層を形成することができる。ＵＶ硬化性樹脂は、そ
のままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製した
後に、この塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射して硬化させ
ることによって保護層を形成することができる。ＵＶ硬
化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エ
ポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート等のア
クリレート樹脂を用いることができる。これらの材料は
単独であるいは混合して用いても良いし、１層だけでな
く多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。保護
層の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート
法やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法
等の方法が用いられるが、この中でスピンコート法が好
ましい。

【００４２】本発明における赤色レーザーとしては、６
２０〜６９０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良
い。例えば、可視領域の広範囲で波長選択のできる色素
レーザー、波長６３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、
最近開発されている波長６８０ｎｍの高出力半導体レー
ザーなどがあるが、装置に搭載することを考えると半導
体レーザーが好適である。また、近赤外レーザーとして
は、７７０〜８３０ｎｍの波長のレーザーであれば何で
も良いが、市販のＣＤプレーヤーやＣＤレコーダーに用
いられている半導体レーザーが適している。

【００４３】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。 実施例１ 一般式（１）で表されるアゾ化合物のうち、表−１（表
１〜３）に記載したアゾ化合物(S-1) ０．２ｇと、光吸
収化合物としてペンタメチンシアニン色素ＮＫ２９２９
〔1,3,3,1',3',3'- ヘキサメチル-2,2'-(4,5,4',5'- ジ
ベンゾ) インドジカルボシアニンパークロレート、日本
感光色素研究所製〕０．０２ｇをジアセトンアルコール
（東京化成品）１０ｍｌに溶解し、色素溶液を調製し
た。基板としては、連続した案内溝（トラックピッチ：
１．６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１．２ｍ
ｍの円盤状のもの（ポリカーボネート樹脂製）を用い
た。この基板上に、色素溶液を回転数１５００ｒｐｍで
スピンコートし、７０℃で２時間乾燥して、記録層を形
成した。この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置
（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、厚さ１
００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガス圧１．０×
１０^-2Ｔｏｒｒで行った。更に、反射層の上に、紫外線
硬化樹脂ＳＤ−１７（大日本インキ化学工業製）をスピ
ンコートした後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を
形成した。サンプルを６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置
ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコー
ダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、６３５ｎｍ赤色半導体レーザ
ーヘッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生し、反
射率を測定した。また、この記録したサンプルを再生波
長が７８０ｎｍの市販ＣＤプレーヤーで再生評価した結
果、良好な記録特性を示した。

【００４４】実施例２〜６ 実施例１において、アゾ化合物(S-1) の代わりに、各
々、表−１に記載したアゾ化合物(S-2) 〜(S-6) を用い
ること以外は、実施例１と同様にして光記録媒体を作製
した。作製した媒体について、実施例１と同様に、６８
０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業
製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速５．６ｍ／
ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施
例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特
性を示した。

【００４５】実施例７ 実施例１において、表−１に記載したアゾ化合物(S-7)
と、光吸収化合物としてヘプタメチンシアニン色素ＮＫ
１２５〔1,3,3,1',3',3'- ヘキサメチル-2,2'-(4,5,4',
5'- ジベンゾ) インドジカルボシアニンアイオダイド、
日本感光色素研究所製〕を用いること以外は同様にし
て、光記録媒体を作製した。作製した媒体に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。

【００４６】実施例８〜１２ 実施例７において、各々、表−１に記載したアゾ化合物
(S-8) 〜(S-12)を用いること以外は同様にして、光記録
媒体を作製した。作製した媒体に実施例７と同様に７８
０ｎｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業
製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯ
ＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。

【００４７】実施例１３ 実施例１において、アゾ化合物(S-13)と、光吸収化合物
としてペンタメチンシアニン色素ＮＫ２６２７〔3,3'-
ジエチル-2,2'-(6,7,6',7'- ジベンゾ) チアジカルボシ
アニンアイオダイド、日本感光色素研究所製〕を用いる
こと以外は同様にして、光記録媒体を作製した。作製し
た媒体に７８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載
したパルスチック工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１
０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用い
て、線速１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー７ｍＷで記録し
た。記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、いず
れも良好な記録特性を示した。

【００４８】実施例１４〜１８ 実施例１３において、各々、アゾ化合物(S-14)〜(S-18)
を用いること以外は同様にして、光記録媒体を作製し
た。作製した媒体を実施例１３と同様に７８０ｎｍ赤色
レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディス
ク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦ
Ｍエンコーダーを用いて、線速１．４ｍ／ｓ、レーザー
パワー７ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測
定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００４９】実施例１９ 実施例１において、アゾ化合物(S-19)と、光吸収化合物
として前記化学式（ｃ）で示されるフタロシアニン色素
を用いること以外は同様にして、光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に６８０ｎｍ近赤外半導体レーザーヘ
ッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置
ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコー
ダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行っ
た結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００５０】実施例２０〜２４ 実施例１９において、各々、アゾ化合物(S-20)〜(S-24)
を用いること以外は同様にして、光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に、実施例１９と同様に６８０ｎｍ赤
色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディ
スク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製Ｅ
ＦＭエンコーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザ
ーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様
の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示し
た。

【００５１】実施例２５ 実施例１において、アゾ化合物(S-25)と、光吸収化合物
として前記化学式（ｄ）で示されるフタロシアニン色素
を用いること以外は同様にして、光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に、６８０ｎｍ近赤外半導体レーザー
ヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装
置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行
った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００５２】実施例２６〜３１ 実施例２５において、各々、アゾ化合物(S-26)〜(S-31)
を用いること以外は同様にして、光記録媒体を作製し
た。作製した媒体に、実施例２５と同様に６８０ｎｍ赤
色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディ
スク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製Ｅ
ＦＭエンコーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザ
ーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様
の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性を示し
た。

【００５３】実施例３２ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-32)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された記録層の上に、さらに、前記
化学式（ｂ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体に、実施例７と同様に７８０ｎ
ｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ
／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施
例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特
性を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、
反射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００５４】実施例３３ 実施例３２において、アゾ化合物(S-33)を用いること以
外は同様にして、光記録媒体を作製した。作製した媒体
に、実施例３２と同様に７８０ｎｍ赤色レーザーヘッド
を搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装置ＤＤ
Ｕ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダー
を用いて、線速２．８ｍ／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで
記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行った結
果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００５５】実施例３４ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-34)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された記録層の上に、さらに、前記
化学式（ｂ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体に、実施例１と同様に６８０ｎ
ｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速５．６ｍ
／ｓ、レーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、実
施例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録
特性を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘ
ッドを搭載した評価装置を用いて信号を再生したとこ
ろ、反射率は３０％と良好な記録特性を示した。

【００５６】実施例３５ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-35)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された記録層の上に、さらに、前記
化学式（ｅ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体に、実施例７と同様に７８０ｎ
ｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ
／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施
例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特
性を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、
反射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００５７】実施例３６ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-36)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｆ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体に、実施例７と同様に７８０ｎ
ｍ近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック
工業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮ
ＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ
／ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施
例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特
性を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッ
ドを搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、
反射率は３０％と良好な記録特性を示した。

【００５８】実施例３７ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-37)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｇ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体を実施例７と同様に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド
を搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反
射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００５９】実施例３８ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-38)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｈ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体を実施例７と同様に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド
を搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反
射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００６０】実施例３９ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-39)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｉ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体を実施例７と同様に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド
を搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反
射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００６１】実施例４０ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(S-30)のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｊ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体を実施例７と同様に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド
を搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反
射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００６２】実施例４１ 実施例１において、アゾ化合物(S-38)のみを用い、光吸
収化合物は混合しないこと以外は同様して光記録媒体を
作製した。作製した媒体に、実施例１と同様に６８０ｎ
ｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光
ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ
製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー９ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同
様の測定を行った結果、良好な記録特性を示した。

【００６３】実施例４２〜４６ 実施例１において、各々、アゾ化合物(O-1) 〜(O-5) を
用いること以外は同様にして光記録媒体を作製した。作
製した媒体に、実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザ
ーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価
装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエン
コーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー
１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を
行った結果、いずれも良好な記録特性を示した。

【００６４】実施例４７ 実施例１において、光吸収化合物を用いることなく、ア
ゾ化合物(O-2) のみを用いた以外は同様にして記録層を
形成した。この形成された色素層の上に、さらに、前記
化学式（ｂ）で示されるフタロシアニン色素０．８ｇを
ジメチルシクロヘキサン（東京化成）４０ｍｌに溶解し
た溶液を用いてスピンコート法により同様の条件で色素
膜を形成し、２層の記録層からなる光記録媒体を作製し
た。作製した光記録媒体を実施例７と同様に７８０ｎｍ
近赤外半導体レーザーヘッドを搭載したパルスチック工
業製光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷ
ＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速２．８ｍ／
ｓ、レーザーパワー８ｍＷで記録した。記録後、実施例
１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特性
を示した。更に、６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッド
を搭載した評価装置を用いて信号を再生したところ、反
射率は３１％と良好な記録特性を示した。

【００６５】比較例１ 実施例１において、アゾ化合物は用いず、ペンタメチン
シアニン色素ＮＫ２９２９〔1,3,3,1',3',3'- ヘキサメ
チル-2,2'-(4,5,4',5'- ジベンゾ) インドジカルボシア
ニンパークロレート、日本感光色素研究所製〕のみを用
いたこと以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製
した媒体に、実施例１と同様に６８０ｎｍ赤色レーザー
ヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価装
置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコ
ーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行
った。

【００６６】比較例２ 比較例１において、色素をペンタメチンシアニン色素Ｎ
Ｋ２６２７〔3,3'- ジエチル-2,2'-(6,7,6',7'- ジベン
ゾ) チアジカルボシアニンアイオダイド、日本感光色素
研究所製〕に代えたこと以外は同様にして光記録媒体を
作製した。作製した媒体に、実施例１と同様に６８０ｎ
ｍ赤色レーザーヘッドを搭載したパルスチック工業製光
ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ
製ＥＦＭエンコーダーを用いて、線速５．６ｍ／ｓ、レ
ーザーパワー１０ｍＷで記録した。記録後、実施例１と
同様の測定を行った。

【００６７】比較例３ 比較例１において、色素をペンタメチンシアニン色素Ｎ
Ｋ１４５６〔1,1'- ジエチル-2,2'-キノジカルボシアニ
ンアイオダイド、日本感光色素研究所製〕に代えたこと
以外は同様にして光記録媒体を作製した。作製した媒体
に、実施例４８と同様に７８０ｎｍ近赤外半導体レーザ
ーヘッドを搭載したパルスチック工業製光ディスク評価
装置ＤＤＵ−１０００及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエン
コーダーを用いて、線速１．４ｍ／ｓ、レーザーパワー
７ｍＷで記録した。記録後、実施例１と同様の測定を行
った。

【００６８】以上の６３５ｎｍ赤色半導体レーザーを用
いた場合の再生反射率および再生波長７８０ｎｍの市販
ＣＤプレーヤーでの再生反射率、エラー率の測定結果を
表−２（表４〜６）にまとめて示した。

【００６９】

【表１】

【００７０】

【表２】

【００７１】

【表３】

【００７２】

【表４】

【００７３】

【表５】

【００７４】

【表６】 一般式（１）で示されるアゾ化合物を用いた本願発明の
光記録媒体は、記録層にシアニン色素のみを用いた場合
（比較例１〜３）に比較して、６３５ｎｍにおける再生
反射率が高く、また、７８０ｎｍにおける再生時のエラ
ー率も低く、極めて良好な記録特性を示すことが判る。

【００７５】

【発明の効果】本発明は、４５０〜６３０ｎｍに吸収極
大を有するアゾ化合物を記録層に用いることにより、従
来より使用されている７８０ｎｍの近赤外レーザーで記
録再生可能で、且つ、近年移行しつつある、記録再生波
長が６３５ｎｍや６８０ｎｍの赤色レーザーでも記録再
生が可能な互換性のある光記録媒体を提供することを可
能にするものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】光記録媒体の断面構造図

【符号の説明】

１：基板 ２：記録層 ３：反射層 ４：保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０７Ｄ 333/38 Ｃ０７Ｄ 333/42 333/42 409/10 ２０７ 409/10 ２０７ ３０７ ３０７ Ｃ０９Ｂ 29/09 Ａ Ｃ０９Ｂ 29/09 Ｚ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ Ｇ１１Ｂ 7/24 ５１６ 7416−2Ｈ Ｂ４１Ｍ 5/26 Ｙ (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 梅原 英樹 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 詫摩 啓輔 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、記録層、反射層及び保護層を
   有する光記録媒体において、記録層中に下記一般式
   （１）（化１）で示される波長４５０〜６３０ｎｍに吸
   収極大を有するアゾ化合物を含有する光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｒ₁ 及びＲ₂ は各々独立に水素原子、置換また
   は未置換のアルキル基、置換または未置換のアリール
   基、置換または未置換のアラルキル基、置換または未置
   換のアルケニル基を表し、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｒ₅ 及びＲ₆ は
   各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カ
   ルボキシル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ
   基、置換または未置換のアルキル基、置換または未置換
   のアルコキシ基、置換または未置換のアリール基、置換
   または未置換のアシル基、置換または未置換のアルキル
   カルボキシル基、置換または未置換のアラルキル基、置
   換または未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換ま
   たは未置換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未
   置換のアルキルアミノ基、置換または未置換のアルキル
   スルホン基、置換または未置換のアルケニル基を表し、
   Ｒ₁ とＲ₄ 、Ｒ₂ とＲ₆及びＲ₁ とＲ₂ は連結基を介し
   て環を形成してもよく、Ｒ₇ 、Ｒ₈ 及びＲ₉ は各々独立
   に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、カルボキシ
   ル基、スルホン基、スルホンアミド基、アミノ基、置換
   または未置換のアルキル基、置換または未置換のアルコ
   キシ基、置換または未置換のアリール基、置換または未
   置換のアシル基、置換または未置換のアルキルカルボキ
   シル基、置換または未置換のアラルキル基、置換または
   未置換のアルキルカルボニルアミノ基、置換または未置
   換のアルキルスルホンアミノ基、置換または未置換のア
   ルキルアミノ基、置換または未置換のアルキルスルホン
   基、置換または未置換のアルケニル基、シアノ基、ニト
   ロ基、メルカプト基、チオシアノ基、クロロスルホン
   基、置換または未置換のアルキルチオ基、置換または未
   置換のアルキルアゾメチン基、置換または未置換のアル
   キルアミノスルホン基を表し、また、Ｘは硫黄原子また
   は酸素原子を表す〕
2. 【請求項２】 記録層中に、さらに波長６５０〜９００
   ｎｍに吸収極大を有する光吸収化合物を含有する請求項
   １記載の光記録媒体。
3. 【請求項３】 波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有
   する光吸収化合物が、フタロシアニン化合物であること
   を特徴とする請求項２記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 波長６５０〜９００ｎｍに吸収極大を有
   する光吸収化合物の含有量が、アゾ化合物に対して０．
   １〜５０重量％である請求項２または３記載の光記録媒
   体。
5. 【請求項５】 波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
   ーから選ばれた光に対する基板側から測定した反射率が
   ６５％以上で、波長７７０〜８３０ｎｍの近赤外レーザ
   ーで記録及び／又は再生可能であり、且つ、波長６２０
   〜６９０ｎｍの赤色レーザーから選ばれた光に対する基
   板側から測定した反射率が１５％以上で、波長６２０〜
   ６９０ｎｍの赤色レーザーで記録及び／又は再生可能で
   あることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の
   光記録媒体。