JPH08111340A

JPH08111340A - 磁性材料の溶射方法

Info

Publication number: JPH08111340A
Application number: JP6245318A
Authority: JP
Inventors: Akihiko Ibata; 昭彦井端; Hajime Kawamata; 肇川又; Shigeo Suzuki; 茂夫鈴木
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1994-10-11
Filing date: 1994-10-11
Publication date: 1996-04-30

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明は、磁性材料の溶射方法に関し、種々
の被溶射基材に磁性材料を溶射する方法を提供すること
を目的とする。【構成】本発明は、被溶射基材１の表面に少なくとも
コロイダルシリカとセラミック粉末からなる下地層２を
形成するかあるいは主として低融点ガラスまたは磁性粉
末を含有した低融点ガラスからなる下地層２を形成した
後、磁性材料を溶射することによって、種々の被溶射基
材１の表面に、磁性材料を溶射して得られる溶射磁性層
３を形成することができる。そのため、被溶射基材１を
物理的なダメージを与えることなく、実用的に十分な付
着性あるいは付着力を有する溶射磁性層３を得ることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁性材料の溶射方法に
関し、特に電子部品用の磁性材料の溶射方法に関するも
のである。

【０００２】

【従来の技術】溶射法はあらゆる基材に比較的低温で簡
便に種々の材料からなる層、例えば金属層、合金層ある
いはセラミック層を形成できることから、構造体の表面
改質、セラミックのメタライズあるいは厚膜（薄膜）形
成などの多方面で検討され、種々の方法が提案されてい
る。

【０００３】磁性材料の溶射方法に関しては既にいくつ
かの提案がなされている。まずフェライトに関連して
は、特公昭５２−２５９５３号公報あるいは特公昭５８
−２６８２０号公報に示されるように得られるフェライ
ト溶射膜の特性に関するもの、磁性材料と絶縁材料に関
連しては、特開昭６０−１３５９９３号公報あるいは特
開平３−２０３７４０号公報に示されるように、交互に
あるいは同時に磁性材料と絶縁材料を溶射するもの、あ
るいは溶射前の基材の下塗りに関しては特開平２−２１
７２００号公報などがある。

【０００４】前記のフェライトに関連するものは、得ら
れるフェライト溶射膜をスピネル型の単一相にするため
に溶射時の酸素濃度を特定の条件にするものあるいは得
られた溶射膜を溶射後に所定の熱処理を施すものであ
る。

【０００５】また、前記の磁性材料と絶縁材料に関する
ものは磁心用に適した構造を得るためのもので、磁性層
を絶縁層で分割し、渦電流損失の低減を図るものであ
る。

【０００６】さらに、前記の溶射前の基材の下塗りに関
連した特開平２−２１７２００号公報では、一般の構造
物に磁性材料を溶射する場合に付着性を付与するもので
ある。磁性材料としてはフェライト、センダスト、パー
マロイ、ステンレスなどである。下塗り塗料としては具
体的にはセメント類、硅砂、フライアッシュおよびスラ
グからなる無機硬化促進剤と合成樹脂との混合物であ
る。この下塗り塗料を基材に塗布した後、前記の磁性材
料を溶射することによって、基材との付着力が増し、溶
射膜の耐摩耗性が向上し、床面や壁面などの人や車との
接触面に利用するものである。

【０００７】一方、一般的な溶射法における基材との付
着力を向上させる手段として、基材表面を荒らす、ブラ
スト処理あるいは溶射時に基材を少し加熱する方法など
が知られている。ブラスト処理では基材に砥粒を叩きつ
けて基材表面を荒らすものであり、このような処理に耐
えれないものでは適用できない。また、基材の加熱はあ
まり効果がなく、どちらかといえば溶射膜の急冷を防ぐ
程度のものである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、従来の種
々の溶射方法では、いろいろな被溶射基材に種々の溶射
磁性膜が形成できて、かつ十分な付着力を有し、さらに
磁気回路的にも所望の条件を満足することはできないと
いう問題点を有していた。

【０００９】本発明は上記の従来の問題点を解決するも
ので、被溶射基材に物理的なダメージを与えることな
く、種々の被溶射基材に磁性材料を溶射し、被溶射基材
と溶射膜が実用的な付着力を有する溶射方法を提供する
ことを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
めに本発明の溶射方法は、被溶射基材の表面に少なくと
もコロイダルシリカとセラミック粉末からなる下地層あ
るいは低融点ガラスまたは磁性粉末を含有する下地層を
形成した後、磁性材料を溶射する溶射方法である。

【００１１】

【作用】本発明の溶射方法によれば、被溶射基材の表面
に少なくともコロイダルシリカとセラミック粉末からな
る下地層を被溶射基材表面に形成した後、磁性材料を溶
射するかあるいは被溶射基材の表面に低融点ガラスある
いは磁性粉末を含有した低融点ガラスからなる下地層を
形成した後、磁性材料を溶射するため、被溶射基材の表
面は前記のいずれかの下地層で表面が改質される。その
ため、いかなる被溶射基材であっても磁性材料を溶射
し、被溶射基材に溶射磁性層を形成することができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の一実施例の磁性材料の溶射方
法について説明する。

【００１３】本発明の溶射方法は、被溶射基材の表面に
少なくともコロイダルシリカとセラミック粉末からなる
下地層を形成した後、磁性材料を溶射する方法、あるい
は前記下地層が主として低融点ガラスからなるかまたは
磁性粉末を含有した低融点ガラスからなる方法の３つの
方法がある。いずれの方法においても、被溶射基材の表
面にまず前記のいずれかの特定の下地層を形成した後、
磁性材料を溶射する方法である。

【００１４】被溶射基材としては特に限定はない。本発
明は電子部品用を念頭にしたものであるため、電子部品
用の基材、回路基板用のガラスエポキシ樹脂、アルミナ
基板、ガラス基板、各種セラミックスの絶縁材料、誘電
体材料、ガラス材料、磁性材料や部材、例えば鉄系の金
属、被覆導線、有機系のフィルムなど種々の物に対して
優れた付着性を有している。

【００１５】前述したように、本発明は３つの下地層の
いずれにおいても優れた付着性の向上が認められるが、
これらについてまず詳細を説明する。

【００１６】第１の下地層はコロイダルシリカとセラミ
ック粉末からなるものである。第２の下地層は主として
低融点ガラスからなるものである。第３の下地層は磁性
粉末を含有した低融点ガラスからなるものである。これ
らの使い分けは後述するように、被溶射基材の耐熱性あ
るいは磁気回路的な観点から選択すればよい。

【００１７】まず、第１のコロイダルシリカとセラミッ
ク粉末からなる下地層を説明する。コロイダルシリカと
はコロイド状のシリカをいい、一般にゾル・ゲル法で石
英ガラスを作製するときのゾルの主成分である。このコ
ロイダルシリカを適当なシンナーに混合した溶液にさら
にセラミック粉末が含有したものをまず作製する。この
溶液を被溶射基材に塗布した後、乾燥し、シンナーを除
去すれば適当な硬さの固体状の膜（下地層）を得ること
ができる。得られた下地層はコロイダルシリカをバイン
ダにして、セラミック粉末を固めたようなイメージでと
らえることができる。セラミック粉末を含有していない
溶液から形成した層は本発明の目的を達しない。つま
り、磁性材料を溶射しても十分な付着性を発揮しない。
セラミック粉末はこの欠点を改良し、優れた付着性が得
られる。セラミック粉末としてはいかなるものでも十分
な付着性が得られる。例えば、セラミック粉末としては
アルミナ、ジルコニア、ジルコン、ムライト、ベリリ
ア、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、チ
タニア、フェライト、チタン酸バリウムなどがある。磁
気回路的な観点からは、磁性材料であるフェライト、セ
ンダスト、パーマロイ、鉄、Ｆｅ−Ｓｉなどが望ましい
場合がある。これについては、後述する。

【００１８】コロイダルシリカを含有するゾルを適当な
条件で乾燥することによって、主としてシリカで構成さ
れる物となるが、これに対しては磁性材料を溶射しても
十分な付着力は認められない。場合によってはまったく
溶射磁性層を形成できない。これにセラミック粉末を含
有させることによってこの欠点が解除でき、前記の種々
の粉末で付着性の向上が認められる。

【００１９】次に、第２の低融点ガラスからなる下地層
を形成する方法を説明する。本発明の低融点ガラスとは
ガラスの軟化点が１２００℃以下のものをいう。つま
り、通常の低融点ガラスに比べて軟化点は高い。被溶射
基材と溶射磁性層が実用的な付着性を有するためにはこ
の温度以下のもので効果が認められる。溶射は溶射材料
を溶融し、被溶射基材に付着させて溶射層を形成するも
のである。溶射材料は非常に高温に加熱されるため、こ
の温度に比べて低い温度で軟化するガラスはすべて十分
な付着性を発揮する。そのため、溶射材料との付着力と
いう観点からの下地層用の低融点ガラスの限定はない
が、後述するように被溶射基材の構成あるいは磁気回路
からの限定が一部で発生する。例えば、被溶射基材の耐
熱性があまり優れない場合は、軟化点の低いガラスが望
ましい。これにはホウ珪酸鉛系のガラス、酸化鉛を主成
分にしたガラスがある。

【００２０】低融点ガラスの形成方法としては、低融点
ガラス粉末をシンナーに分散しその溶液を被溶射基材に
塗布し、乾燥した後軟化温度以上に加熱して下地層を形
成する方法、低融点ガラスを被溶射基材に溶射する方
法、低融点ガラスを溶かしそこに被溶射基材を漬ける方
法あるいは被溶射基材に低融点ガラス粉末を付着させ軟
化温度以上に加熱して下地層を形成する方法などの種々
の方法があり、被溶射基材に合った適切な工法を選択す
ればよい。

【００２１】第３の磁性材料粉末を含有する低融点ガラ
スからなる下地層を形成する方法は前記の第２の下地層
の磁気回路的な問題を改善した方法であり、形成方法は
ほぼ同様である。つまり、低融点ガラスに磁性粉末が含
有しているかしていないかの差だけである。低融点ガラ
スに含有させる磁性粉末とは後述する溶射に用いる磁性
材料と同様であり、高透磁率材料であれば特に限定はな
い。しかし、いかなる下地層の形成方法を選択するかに
よって、一部低融点ガラスと磁性粉末の反応が問題にな
る場合がある。例えば、溶融した低融点ガラスに被溶射
基材を漬ける方法において、磁性粉末にフェライトを選
択した場合、フェライト粉末とガラスが反応し、品質の
安定したものを得るのが困難となる。

【００２２】以上述べたように、本発明の溶射方法はい
くつかの方法で被溶射基材に下地層を形成した後に、磁
性材料を溶射するものである。これによって、磁性材料
を溶射するに際して種々の被溶射基材に対して溶射磁性
層が形成でき、しかも実用的な付着力を得ることができ
る。

【００２３】磁性材料とは、透磁率の高い材料、軟質磁
性材料をいい、金属あるいは合金系の高透磁率材料と酸
化物系の高透磁率材料に大きく分かれる。前者には鉄、
Ｆｅ−Ｓｉ系、Ｆｅ−Ａｌ系、Ｃｏ−Ｆｅ系、センダス
ト、パーマロイあるいはＦｅ系ないしＣｏ系の非晶質合
金などがある。後者にはスピネル型フェライトがあり、
ＭｅＯＦｅ₂Ｏ₃で表される各種の系がある。ここでＭｅ
としてはＭｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｌｉ、
ＭｎＺｎ、ＭｎＭｇＺｎ、ＭｇＣｕＺｎ、ＮｉＺｎ、Ｎ
ｉＣｕＺｎ、ＮｉＣｕＣｏあるいはＭｎＺｎＣｕなどが
ある。これらの高透磁率材料はすべて溶射可能であり、
前記の下地層によって、種々の被溶射基材に対しても十
分な付着性あるいは付着力を有する。

【００２４】溶射方法としては、アーク溶射法、ガス溶
射法あるいはプラズマ溶射法があるが、溶射材料の選択
範囲（溶射可能な材料の範囲）や雰囲気調整のしやすさ
の点からはプラズマ溶射法が最も優れている。アーク溶
射法は導電性材料を溶射するのに適しており、ガス溶射
法は導電性あるいは絶縁性のいずれであってもよいが、
ガスを燃焼させる点で雰囲気制御に難がある。プラズマ
溶射法では、プラズマの作動ガスとしてアルゴン、ヘリ
ウム等の不活性ガスや窒素、水素、酸素等を用いること
ができる。また、溶射する材料の形態は一般には粉末状
であり、粉末を供給するガス、キャリアガスに前記の各
種のガスを用いることによって、溶射の雰囲気制御が可
能である。溶射可能な材料から、前記の３つの溶射法を
比較すると、プラズマ溶射法、ガス溶射法、アーク溶射
法の順で溶射できる材料範囲が小さくなる。つまり、プ
ラズマ溶射法では低融点材料から高融点材料の非常に多
くの材料を溶射することができる。

【００２５】本発明の溶射方法は、磁性材料を溶射する
に際して種々の被溶射基材に対して溶射によって磁性層
が形成でき、しかも実用的な付着性あるいは付着力を得
ることができる。より限定し、本発明の溶射方法の特徴
がさらに発揮されるのは電子部品用の磁性層の形成であ
る。つまり、電子部品用において磁性層を形成する目的
の１つに所定の磁気回路の形成がある。なかでも被溶射
基材と溶射によって形成した溶射磁性層からなる構成材
で一連の磁気回路を形成する場合には、下地層の磁気的
な特性が重要である。例えば、下地層が非磁性体であれ
ば被溶射基材と溶射磁性層の間にギャップが形成される
ことになり、下地層が磁性体であれば被溶射基材と溶射
磁性層は下地層を介した磁気的に連続体となる。一般
に、ギャップを形成するのは、磁気ヘッドのような漏れ
磁束を利用するあるいは磁気回路を構成する磁性体の飽
和を避けて、例えば直流重畳特性を向上させるなどのた
めである。一方、漏れ磁束の低減あるいは優れたインダ
クタンスを得るためには連続的な構成が必要となる。本
発明の溶射方法の下地層は前記のいずれの目的をも満足
させることができる。例えば、ギャップ形成には少なく
ともコロイダルシリカとセラミック粉末からなる下地層
を形成する方法において、非磁性材料のセラミック粉末
を用いればよい。逆に、連続体にする場合には、セラミ
ック粉末に磁性粉末を用いればよい。

【００２６】さらに、具体的な本発明の溶射方法の電子
部品への応用について説明する。例えば、電子部品とし
てインダクタンスあるいはインピーダンスを得るための
部品とすれば、その場合の被溶射基材の一例として磁性
体コアあるいは導線がある。これらの被溶射基材に前述
した種々の下地層を形成した後、磁性材料を溶射するこ
とによって、電子部品が得られる。この場合、磁性体コ
ア、下地層および溶射によって形成した溶射磁性層によ
って磁気回路が形成される。前述したように下地層に磁
性粉末が含有するかしないかでギャップを形成するか連
続的な、閉磁路構成にするかを選択する。これによっ
て、優れたインダクタンス特性あるいは優れた直流重畳
特性を発揮する。

【００２７】次に、本実施例を具体的に図を用いて、さ
らに詳述する。図１に前述した本発明の溶射方法を示
す。図１（ａ）は下地層形成後を示し、（ｂ）は磁性材
料を溶射した後を示す。図１において、１は被溶射基材
であり、２は下地層である。３は磁性材料を溶射して得
られた溶射磁性層である。このように、まず被溶射基材
１の溶射磁性層を形成したい部分に下地層２を形成す
る。次に、図１（ｂ）に示すように、磁性材料を溶射す
ることによって溶射磁性層３が下地層２の上に形成され
る。下地層２には前述したように、３つの形成方法があ
る。

【００２８】次に、本発明の溶射方法を電子部品の作製
に応用した一例を示す。図２は前述した本発明の溶射方
法で作製したインダクタンス部品の透視斜視図を示す。
図２において、２は下地層であるが、芯には導線が存在
する。つまり、導線が下地層で被覆した状態であり、表
面は下地層２からなる。まず、図２（ａ）に示すように
巻いた状態の導線を下地層２で被覆する。次に、（ｂ）
に示すように磁性材料を溶射し溶射磁性層３を形成す
る。図２の場合、溶射磁性層３で下地層２で被覆した導
線をモールドした状態になる。

【００２９】図２の場合は被溶射基材が導線だけであっ
たが、図３に導線支持体に導線が巻かれた例を示す。図
３において、４は導線であり、５は導線４を支持する導
線支持体である。この場合も図２と同様に、まず、図３
（ａ）に示すように導線支持体５に導線４が巻かれた状
態の被溶射基材を準備する。次に（ｂ）に示すように、
導線４および導線支持体５に下地層２を形成する。さら
に、図３（ｃ）に示すように、磁性材料を溶射し、溶射
磁性層３を形成する。

【００３０】被溶射基材１としては前述したように、特
に限定はなく、種々の無機物あるいは有機物が可能であ
る。

【００３１】下地層２は前述したように、１つはコロイ
ダルシリカとセラミック粉末からなる層であり、２つ目
は低融点ガラスからなる層であり、３つ目は磁性粉末を
含有した低融点ガラスからなる層である。この磁性粉末
は溶射磁性層３を形成するための溶射に用いる磁性材料
と同様の軟質磁性材料からなる粉末である。

【００３２】溶射磁性層３は磁性材料を溶射することに
よって得た層である。磁性材料とは、前述したような透
磁率の高い材料、つまり軟質磁性材料をいう。スピネル
型のフェライトを用いる場合は溶射によって得られる溶
射磁性層３の特性を優れたものにできる十分にフェライ
ト化したものが望ましい。フェライトの一般的な作製方
法は、各種の原料酸化物を所定量配合し、混合した後、
仮焼した粉を成型し、本焼成してフェライト磁性体を作
製する。そのため一般的なフェライト粉末は成型した後
の本焼成を考慮した仮焼である。つまり、例えば仮焼温
度は８００℃程度の低温であり、本焼成は１２００℃ぐ
らいの高温である。しかし、溶射に用いるフェライト粉
末は本焼成温度ぐらいで仮焼した粉末が望ましい。

【００３３】以上が本発明の溶射方法の基本構成物であ
るが、本発明の溶射方法を電子部品の形成に適用する場
合の一例に被溶射基材１が導線４あるいは導線４および
導線支持体５からなる場合について説明する。

【００３４】導線４としては、通常一般によく多用され
る被覆銅線でよく、他にニッケル、銀、金、白金等の導
電性材料であればよい。被覆材料としてはポリウレタ
ン、ポリエステル、エステルイミドあるいはアミドイミ
ドなどがあり、さらにはこれらの有機物にセラミック粉
末をフィラーとして混入したものでもよい。

【００３５】導線支持体５は前記の磁性材料と磁性材料
以外の非磁性材料に分けることができる。非磁性材料の
代表的な材料としては、アルミナ、ムライト、ベリリ
ア、ステアタイト、フォルステライト、マグネシア、チ
タニア等の各種セラミックスあるいは各種のガラスセラ
ミックスさらには窒化物、炭化物、亜鉛フェライト、チ
タン酸バリウム、ニオブ酸カリウム、熱可塑性樹脂、熱
硬化性樹脂などがある。

【００３６】前述したように、下地層２を適切に選択す
ることによって、インダクタンス、インピーダンス、直
流重畳特性あるいは周波数特性をコントロールでき、ど
のような特性にも対応できる優れた電気特性を示す電子
部品を得ることができる。このような場合、下地層２は
付着性あるいは付着力の付与と優れた電気特性の付与を
も兼ね備えたものになる。

【００３７】（実施例１）ステンレス板、銅板、石英ガ
ラス板、アルミナ基板およびポリイミドフィルムにコロ
イダルシリカと平均粒径１μｍのアルミナ粉末を含有し
た溶液を塗布し、１５０℃の温度で３０分間乾燥し、下
地層を形成した。次にこれらの下地層を施した各被溶射
基材にＮｉＺｎ系フェライト粉末を溶射し、溶射磁性層
を形成した。形成した溶射磁性層の厚みは０．２mmであ
った。溶射法はプラズマ溶射法を用い、作動ガスとして
アルゴンとヘリウムを使用した。それぞれ１０ｌ／分の
流量にした。アーク電流は４４０Ａ、電圧は３４Ｖであ
った。

【００３８】いずれの被溶射基材にも溶射磁性層は強固
に付着し、実用上問題のないものが得られた。

【００３９】比較のために、前記の被溶射基材に下地層
を形成せずに前記と同様に溶射磁性層の形成を試みた
が、いずれの被溶射基材もフェライト粉末の付着は少し
認められたが、溶射磁性層を形成するまでには至らなか
った。

【００４０】このように本発明の溶射方法では溶射磁性
層を形成できない被溶射基材に対しても、溶射磁性層を
形成でき、しかも実用的に付着力を有する溶射磁性層を
形成することができる。

【００４１】前記の溶射する磁性材料をＭｎＺｎ系フェ
ライト粉末、ＮｉＺｎＣｕ系フェライト粉末、センダス
ト、パーマロイおよび鉄に換えて、前記と同様に被溶射
基材にまず下地層を形成し溶射した。いずれの磁性材料
を用いても各被溶射基材に対して十分な付着力を有する
溶射磁性層を形成することができた。

【００４２】さらに、コロイダルシリカとアルミナ粉末
を含有した下地層形成用の溶液をコロイダルシリカとＭ
ｎＺｎ系フェライト粉末を含有した溶液とし同様に下地
層を形成し、前記と同様に種々の磁性材料を溶射した。
溶射磁性層の付着力には有意差は認められなかった。

【００４３】（実施例２）ステンレス板、銅板、石英ガ
ラス板およびアルミナ基板にホウ珪酸鉛系の低融点ガラ
ス粉末をシンナーに溶いた溶液を塗布し、１００℃で乾
燥した後、４００℃の温度で焼成し、下地層を形成し
た。次にこれらの下地層を施した各被溶射基材にＭｎＺ
ｎ系フェライト粉末を溶射した。得られた溶射磁性層の
厚みは０．２mmであった。溶射条件は実施例１と同様で
ある。

【００４４】いずれの被溶射基材にも実施例１と同様に
溶射磁性層は強固に付着し、実用上問題のないものが得
られた。

【００４５】溶射材料をＮｉＺｎ系フェライト粉末、セ
ンダスト、パーマロイおよび鉄に換えて、前記と同様に
被溶射基材にまず下地層を形成し、溶射したところ、各
基材への溶射磁性層の付着力には有意差は認められなか
った。

【００４６】（実施例３）ステンレス板、銅板、石英ガ
ラス板およびアルミナ基板にホウ珪酸鉛系の低融点ガラ
スペーストを印刷した。１５０℃で乾燥した後、４００
℃の温度で焼成し、下地層を形成した。次にこれらの下
地層を施した各被溶射基材にＭｎＺｎ系フェライト粉末
を溶射した。溶射条件は実施例１と同様である。

【００４７】得られた溶射磁性層の厚みは０．２mmであ
り、下地層を形成しなかった面には溶射磁性層は形成さ
れていなかった。溶射磁性層は強固に付着し、実用上問
題のないものが得られた。

【００４８】溶射材料をＮｉＺｎ系フェライト粉末、セ
ンダスト、パーマロイおよび鉄に換えて、前記と同様に
溶射磁性層を形成したが、付着力には有意差は認められ
なかった。

【００４９】（実施例４）直径３５μｍのポリウレタン
被覆銅線を直線状に配置したものと５回巻いたものおよ
び直径０．５mmのＮｉＺｎ系フェライト焼結体に５回巻
いたものをそれぞれ作製した。次に、実施例１と同様に
これらの銅線に下地層を形成した。これらの下地層を施
した銅線にＮｉＺｎ系フェライト粉末を溶射した。溶射
磁性層の厚みは０．２mmであった。溶射条件は実施例１
と同様である。

【００５０】いずれの銅線にも溶射磁性層は強固に付着
し、実用上問題のないものが得られた。

【００５１】溶射材料をＭｎＺｎ系フェライト、センダ
スト、パーマロイおよび鉄粉末に換えて、前記と同様に
溶射したところ、付着力には有意差は認められなかっ
た。

【００５２】さらに、ポリウレタン被覆銅線をポリエス
テル、エステルイミドおよびアミドイミドの被覆銅線に
換えて、前記と同様に下地層を形成した後、溶射した。
各銅線への付着力は同程度であった。

【００５３】（実施例５）直径１mmのＮｉＺｎ系フェラ
イト棒に直径５０μｍのポリイミド被覆銅線を１０回巻
き、実施例１と同様に下地層を形成した。次に、仮焼温
度が８００℃と１２００℃の２種類のＮｉＺｎ系フェラ
イト粉末を用い、実施例１と同じプラズマ溶射法で前記
の下地層を施した被溶射基材に前記の２種類のそれぞれ
のフェライトを溶射し、厚み０．１mmの溶射磁性層を形
成した。溶射条件は実施例１と同じにした。

【００５４】このようにして得た溶射磁性層は１２００
℃で仮焼した粉を用いたものは８００℃仮焼の粉を用い
たものに比べて、付着力および膜強度が１．５倍優れて
いた。仮焼温度が８００℃のフェライト粉末は十分スピ
ネル化しておらず、１２００℃仮焼のものは十分にフェ
ライト化していた。これは結晶学的には大きな差は認め
られないが、磁気特性上は両者に差は認められた。

【００５５】

【発明の効果】以上のように本発明の溶射方法によれ
ば、被溶射基材の表面に少なくともコロイダルシリカと
セラミック粉末からなる下地層あるいは低融点ガラスか
らなる下地層または磁性粉末を含有した低融点ガラスか
らなる下地層を形成した後、磁性材料を溶射することに
よって、被溶射基材を物理的にダメージを与えることな
く、種々の被溶射基材に溶射磁性層が形成でき、しかも
実用上十分な付着性あるいは付着力を有する溶射磁性層
を得ることができる。また、電子部品等の磁気回路の形
成に用いた場合、下地層に磁性粉末を含有させることに
よって、種々の電磁気特性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明の溶射方法の一例を示す断面図（ｂ）は同断面図

【図２】（ａ）は本発明の溶射方法を用いて電子部品を
作製する導線の斜視図（ｂ）は同透視斜視図

【図３】（ａ）は本発明の溶射方法を用いて電子部品を
作製する一例を示す斜視図（ｂ）は同斜視図（ｃ）は同斜視図

【符号の説明】

１被溶射基材２下地層３溶射磁性層４導線５導線支持体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被溶射基材の表面に少なくともコロイダ
ルシリカとセラミック粉末からなる下地層を形成した
後、磁性材料を溶射する工程を有した磁性材料の溶射方
法。
【請求項２】セラミック粉末が主として磁性粉末から
なる請求項１記載の磁性材料の溶射方法。
【請求項３】磁性粉末が十分にスピネル化したフェラ
イト粉末からなる請求項２記載の磁性材料の溶射方法。
【請求項４】被溶射基材の表面に主として低融点ガラ
スからなる下地層を形成した後、磁性材料を溶射する工
程を有した磁性材料の溶射方法。
【請求項５】被溶射基材の表面に磁性粉末を含有した
低融点ガラスからなる下地層を形成した後、磁性材料を
溶射する工程を有した磁性材料の溶射方法。
【請求項６】低融点ガラスがホウ珪酸鉛系のガラスか
らなる請求項４または請求項５記載の磁性材料の溶射方
法。
【請求項７】磁性材料がフェライトからなる請求項１
または請求項４または請求項５記載の磁性材料の溶射方
法。
【請求項８】被溶射基材が少なくとも導線あるいは導
線と導線支持体からなる請求項１または請求項４または
請求項５記載の磁性材料の溶射方法。